1、问答题操作人员的质量职责是什么？
2、填空题白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。
3、问答题集成电路封装有哪些作用？
4、单项选择题将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。
A.接触
B.接近式
C.投影
5、单项选择题人们规定：（）电压为安全电压.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
6、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
A、高斯函数
B、余误差函数
C、指数函数
D、线性函数
7、填空题半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。
8、单项选择题介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
9、填空题在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
10、填空题化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
11、填空题光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
12、问答题集成电容主要有哪几种结构？
13、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
14、单项选择题位错的形成原因是（）。
A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对
15、多项选择题按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。
A.电阻加热
B.电子束
C.蒸气原子
16、单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形
17、单项选择题属于绝缘体的正确答案是（）。
A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液
18、单项选择题腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸
19、问答题什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
20、填空题半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。
21、单项选择题单相3线插座接线有严格规定（）
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
22、填空题在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。
23、单项选择题二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
A.预
B.再
C.选择
24、多项选择题硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理
25、填空题工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。
26、填空题腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
27、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
28、填空题外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
29、问答题为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？
30、填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
31、单项选择题从离子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束
32、单项选择题下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）
A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构
33、多项选择题下列材料属于N型半导体是（）。
A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
34、单项选择题说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：
A、逻辑设计
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计
35、多项选择题硅外延片的应用包括（）。
A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路
36、单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
A.能量
B.剂量
37、填空题全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。
38、填空题离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
39、填空题大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。
40、单项选择题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）
A、干氧
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长
41、填空题抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。
42、填空题半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
43、填空题用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。
44、填空题在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。
45、问答题衬底清洗过程包括哪几个步骤？
46、填空题对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。
47、单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
A.能量
B.剂量