1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压
为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直
流电压），它的电压增益为（ C ）
a、700
b、650
c、100
d、-100
2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中
频时的（ B ）
a、05.
b、0.7
c、0.9
d、1
3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。
A、2 dB
B、3dB
C、4dB
D、6dB
4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负
载
电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）
a、10KΩ
b、2KΩ
c、1 KΩ
d、0.5KΩ
5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压
信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B（ B ）
a、一样
b、差
c、好
d、无法判别
6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、输入电阻高 b、输入电阻小 c、输出电阻高 d、输出电阻低 理想运放 7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A ） a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子 b、多数载流子 c、少数载流子 d、正负离子 16.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ） a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 b、空穴增多，自由电子数目不变 c、自由电子增多，空穴数目不变 d、自由电子和空穴数目都不变 二极管 17.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B ） a、只从P区流向N区 b、等于零 c、只从N区流向P区 d、无法判别 18.流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（A ） a、减小 b、增大 c、基本不变 d、无法确定 19.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ） a、不变 b、变宽 c、变窄 d、无法判别 20.二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（ B ） a、5% b、大于5% c、小于5% d、不确定 21.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A ） a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能 22.利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（ D ） a、反向击穿特性 b、正向特性 c、反向特性 d、单向导电性 23.PN结形成后，PN结中含有（ D ） a、电子 b、空穴 c、电子和空穴 d、杂质离子 24.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ） a、相等 b、大于 c、小于 d、无法确定 25.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（ D ） a、正向状态 b、反向状态 c、单向导电状态 d、反向击穿状态 26.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ） a、2CZ11 b、2AP6 c、2CW11 d、2CP10 27.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。 如图所示符号为（C ）。 A、理想模型 B、恒压降模型 C、折线模型 D、小信号模型 三极管 28.放大电路的静态是指（ A ） a、输入端短路 b、输入端开路 c、交流信号短路 d、交流信号为零 29.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C ） a、低 b、中 c、高 d、以上均可 30.三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（D ） 31.三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（ D ） a、正编、正编 b、反编、反编 c、反编、正编 d、正编、反编 32.NPN型和PNP型三极管的区别是（ C ） a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同 c、P区和N区的位置不同 d、以上均否 33.温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A ） a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能 34.温度升高时，三极管极间反向电流将（ A ） a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定 35.某三极管的极限参数PcM=150mW，IcM=100mA，V（BR）CEo=30V， 若它的工作电压VcE=10V, 则工作电流Ic不得超过（ C ） a、100mA b、50mA c、15mA d、1mA 36.某三极管的极限参数PCM=150mw，ICM=100mA，V（BR）c EO=30V， 若它的工作电压VCE=1V，则工作电流不得超过（ D ） a、1mA b、15 mA c、40 mA d、100 mA 37.某三极管的极限参数P CM=150mw , I CM=100mA , V(BR)CE0=30V , 若工作电流I C=1mA , 则工作电压不得超过（ A ） a、30V b、15V c、10V d、1V 38.用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电 压信号进行放大，测试结果为V oA＞V oB,这是由于( C ) a、输出电阻小 b、输出电阻高 c、输入电阻高 d、输入电阻小 39.三极管输入电阻rbe与静态电流I E的大小有关，因而rbe是( C ) a、交、直流电阻 b、直流电阻 c、交流电阻 d、以上均否 40.如图示Us2=0，从集电极输出，则该电路属于（ C ） a、无法确定 b、共集 c、其基 d、共发 41.检修某台无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为VB=-0.2V, VC=-5V, VE=0, 则该三极管为（ B ） a、NPN 型,锗管 b、PNP型,锗管 c、NPN型,硅管 d、PNP型,硅管 42.某放大电路，IA=1.5mA，IB=0.03mA, Ic=-1.53 mA ，则A，B，C中极性分别是（ D ） a、（e、 b、c）b、（b、 c、e）c、（c、e、b） d、（c、b、e） 43.有二只半导体三极管，A管子的β=200，IcEo=240μA，B管子的 β=100，IcEo =20μA其他参数一样，则管子的好坏为（ C ） a、均一样 b、A管好 c、B管好 d、无法判别 44.三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度（ A ） a、窄 b、中 c、宽 d、以上均可 45.在单管共射极电路中，换上β减小的管子，VCEQ将（ C ） a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定 46.三极管放大电路的三种组态（ D ） a、都有电压放大 b、都有电流放大 c、只有共射极才有功率放大 d、都有功率放大 47.如图示，US1=0，US2≠0从集电极输出，则该电路属于（） a共射b、共基c、共集d、无法判别 48.如图所示，US1=0，US2≠0，从发射极输出，则该电路属于（ C ） a、共射 b、共基 c、共集 d、无法判别 49.检修某台无使用说明书的电子设备时，VB=2.73V，VC=2.3V, VE=2V，则该三管类型为（ D ） a、NPN型，锗管 b、PNP型，硅管 c、PNP型锗管 d、NPN型硅管 50.某放大电路，IA=-1.8mA ,IB=-0.06mA ,Ic=1.86mA，则A、B、C中 极性分别为（ A ） a、（c、 b、e ）b、（b、e、c ） c、（c、e、b） d、（ e、c、b ） 51.三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积（ C ） a、小 b、一样 c、大 d、无法确定 52.三极管工作在放大区时，流过发射结电流和流过集电结的 电流主要是（ D ） a、均为扩散电流 b、均为漂移电流 c、漂移电流、扩散电流 d、扩散电流、漂移电流 53.温度升高时，V BE随温度上升而发生（ A ） a、减小 b、增大 c、不变 d、无法确定 54.某三极管各极对地的电压为V B= -0.3V，V C= -5.1V，V E= -0.1V，则该三极管结构及工作状态为 （ D ） a、NPN型放大 b、PNP型饱和 c、NPN型饱和 d、PNP型放大 55.晶体三极管的关系式i B = f (uBE)︱V CE , 它代表三极管（ D ） a、共基极输入特性 b、共集电极输入特性 c、共射极输出特性 d、共射极输入特性 56.对于基本共射放大电路，当R C增大时，其输出电阻（ C ） a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定 57.单管共射极电路中，输入f = 1KHZ的正弦电压信号后，分 别用示波器观察输入信号和输出信号，则二者波形应该是（ A ） a、相差180° b、相差90° c、相差45° d、同相 58.对于基本共射放大电路，负载R L减小时，输出电阻（C ） a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定 59.在单管射极放大电路，R b、R c分别是基极和集电极偏置 电阻，用直流电压表测出V CEQ≈V CC，有可能因为（ B ） a、R b短路 b、R b开路 c、R C开路 d、β过大 场效应管 60.场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的（A ） a、电场 b、磁场 c、电流 d、以上均否 61.场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成，这种载流子是（ B ） a、少子 b、多子 c、两种载流子 d、正负离子 62.三极管和场效应管应分别是（ A ） a电流和电压控制器件b、电压和电流控制器件 c、均为电流控制器件 d、均为电压控制器件 63.N沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的，这种载 流子是（ D ） a、正负离子 b、电子和空穴 c、空穴 d、电子 64.一场效应管的转移特性曲线如图示，则它属于类型为（A ） a、N沟道结型管 b、P沟道结型管 c、P沟道MOS管 d、N沟道MOS管 65.一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、ＩDSS分别为（ B ） a、VP=-4V ,IDSS=0 b、VT=-4V, IDSS=0 c、VP=-4V, IDSS=3mA d、VT=-4V, IDSS=3mA 66.结型场效应管改变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加 电压为（ B ） a、正向 b、反向 c、以上均可 d、以上均否 67.MOS管中的漏极电流（ C ） a、穿过PN结和衬底 b、穿过衬底 c、不穿过PN结 d、穿过PN结 功率放大电路 68.在甲类、乙类、甲乙类放大电路，效率最低的是（B ） a、一样 b、甲类 c、乙类 d、甲乙类 69.在甲类、乙类、甲乙类放大电路中，属于OCL电路是（B ） a、甲类 b、乙类 c、甲乙类 d、均不是 70.一场效应管的转移特性如图示，则它属于类型为（） a、P沟道耗尽型管 b、N沟道耗尽型管 c、P沟道增强型管 d、N沟道增强型管 71.互补对称功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B ） a、甲类放大 b、甲乙类 c、乙类放大 d、以上均可 72.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导电角较小的是（D ） a、一样 b、甲类 c、甲乙类 d、乙类 73.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（ A ） a、提高 b、降低 c、保持稳定 d、无法确定 74.由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态，因此在选择 三极管时必须特别注意的参数之一为（ D ） a、IcBo b、β c、?T d、PcM 功放电路输入幅度大，增益高，因此常采用的分析方法是（ C ） a、微变等效法 b、π型法 c、图解法 d、叠加法 75.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，存在交越失真的电路是（ B ） a、甲类 b、乙类 c、甲乙类 d、均存在 76.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中效率最高是（ C ） a 、甲类 b 、甲乙类 c 、乙类 d 、无法确定 77. 在功放电路中属于OTL 电路的是（ B ） a 、双电源甲乙类 b 、甲类 c 、双电源乙类 d 、以上均否 78. 在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（ A ） a 、提高 b 、降低 c 、保持稳定 d 、无法确定 79. （互补对称）功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B ） a 、甲类放大 b 、甲乙类 c 、乙类放大 d 、以上均可 负反馈 80. 已知信号源内阻很小，要求充分发挥负反馈作用，应选（ B ）。 A 、并联负反馈 B 、串联负反馈 C 、电压负反馈 D 、电流负反馈 81. 为稳定静态工作点，应选择的负反馈组态为（ A ） a 、直流负反馈 b 、交流负反馈 c 、电压负反馈 d 、电流负反馈 82. 要求提高输入电阻，应选择负反馈组态为（ C ） a 、交流负反馈 b 、并联负反馈 c 、串联负反馈 d 、电流负反馈 83. 要求提高输出电阻，应选择负反馈组态为（ A ） a 、电流负反馈 b 、串联负反馈 c 、并联负反馈 d 、电压负反馈 84. 负反馈放大电路只须满足下述条件就将产生自激振荡（ B ） a 、反馈量与净输入量幅值相等 b 、d X f X -= c 、反馈量与净输入量同极性 d 、以上均否 85. 负反馈放大电路中，当AF= -1，则该电路将处于（ C ） a 、开环状态 b 、深度闭环状态 c 、自激状态 d 、无法确定 差分放大电路 86. 电流源电路是一个（ D ） a 、四口网络 b 、三口网络 c 、二口网络 d 单口网络 87. 差分放大电路的主要性能指标仅与（ B ） a 、输入方式有关 b 、输出方式有关 c 、两者均有关 d 、两者均无关 88. 共模抑制比KcMR 越大，表明电路（ C ） a 、放大倍数越稳定 b 、交流放大倍数越大 c 、抑制温漂能力越强 d 、输入信号中差模成分越大 89. 集成运放内部是直接耦合放大电路，因此能放大（ C ） a 、直流信号 b 、交流信号 c 、交直流信号 d 、两者均否 90. 为了减小温漂，减小输出电阻，大多输入级和输出级分别采用（ D ） a 、共集或共漏 b 、互补对称和电流源 c 、差分和电流源 d 、差分和互补对称 91. 差分放大电路双端输出时的差模电压增益与半边差模等效电路 的电压增益应是（ B ） a 、1倍 b 、相等 c 、2倍 d 、一半 92. 差模输入电阻不论双端输入还是单端输入方式，应是半 边差模等效电路输入电阻的（ D ） a 、一半 b 、相等 c 、1倍 d 、2倍 93. 在采用正反馈的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相 移为фf ，放大电路的相移为фa ，那么满足相位的平衡条件是 （фa+фf ）为（ B ） a （2n-1）π b 、2n π c 、（2n+1）π d 、无法确定 94. 要使电路振荡，只要满足相位条件，且︱AF ︱应（ A ） a 、大于 1 b 、等于0.5 c 、小于 1 d 、等于零 95. 正弦波振荡电路为正反馈电路，产生正弦波振荡的条件是（ C ） A 、??F A =-1 B 、??F A =0 C 、??F A =1 D 、|1+??F A |≥1 96. RC 串并联桥式震荡电路（文氏电桥震荡电路）A=（ A ） A 、3 B 、-3 C 、1/3 D 、-1/3 97. 下列传递函数哪个为二阶低通滤波电路的传递函数（ B ） A 、12)(22 ++=s s s s A B 、121)(2++=s s s A C 、s s s A +=1)( D 、s s A +=11)( 98. 在图示方波发生器中，已知A 为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为12V ；稳压管 和二极管的正向导通电压均为0.7V 。正常工作时，输出电压峰-峰值为（ C ）。 a 、4.6V b 、 6V c 、 12V d 、24V e 、9.2V 99. 正弦波振荡电路如图所示，集成运放A 具有理想特性，电阻R2 ＝10k ，R1＝4.7k （可调）＋18k 时，试选择正确答案填空： ( A ) a 、能振荡，且u O 波形较好； b 、能振荡，且u O 波形不好； c 、不振 d 、无法判别 100. 在图示电路中，已知A 为理想运算放大器，其输出电 压的两个极限值为12V ；稳压管和二极管的正向导通电压均为0.7V 。正常工作时，输出电 压峰-峰值为12V 的（ B ）。 A 、三角波 Ｂ、 方波 Ｃ、 正弦波 D 、以上均不对 101. 正弦波振荡电路为正反馈电路，产生正弦波振荡的条件是-+R1R2R3R4 C VD1~VD4A VDz Uz=4.6V -+ R1R3R4C VD1~VD4A VDz U2 U1 C Vo R U2 U1 C Vo R A、F A =-1 B、F A =0 C、F A =1 D、ＡＦ＝１ 102.图示电路中（二极管为理想），若U2=20V，则 VL=( A ) A、18V B、20V C、24V D、28.28 上图中将RL换成电容C输出电压平均值Uo(AV)=( D )。 A、18V B、20V C、24V D、28.28 V 103.图示电路中（二极管为理想），若U2=20V(有效值，50Hz)、Ｒ=110Ω，输出电压Vo(平均值)=24V。 试求C=( B ) a、2200μF b、470μF c、1000μF d、220μF 104.若要组成输出电压可调、最大输出电流为1A的小功率直流稳压电源，则应采用。( C ) a、电容滤波稳压管稳压电路 b、电感滤波稳压管稳压电路 c、电容滤波串联型稳压电路 d、电感滤波串联型稳压电路 105.图示电路中（二极管为理想），若U2=20V(Vo= ( D )。 A、28.28V B、20V C、18V D、24V 106.电感滤波与电容滤波相比，哪一个整流管的导电角较大（A ） a、电感滤波 b、电容滤波 c、相等 d、不能确定 107.串联反馈式稳压电路，指的是( B ) 。 A、电路采用电压串联负反馈放大电路 B、电路采用的BJT与负载串联 C、电路采用串联反馈电路 D、以上均不景 一．选择题 1．在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为__C___反馈。 A. 电流 B. 串联 C. 电压 D. 并联 2．在下图所示的硅三极管放大电路中，虚线表示短路故障，×表示断路故障。当用电压表测量图中各故障电路的集电极对地静态电压时，电压读数分别约为 ① ___-12_______V，② 3．定性判断图示各放大电路的基本结构是否有错误，若有错，则指出错误性质（从下面列出的错误性质中选择正确答案，用A、B、C…回答）。 A．极性不正确； B．栅、源间缺少必要的正向静态电压；； C．栅、源间缺少必要的负向静态电压；； D．输入信号被短路； E．输入信号开路.。 ①____C___ ②_____B_____ ③____C_____ 4．当图示电路中晶体管的从100降低到80（其它参数不变），电路的电压放大倍数将_B___，输入电阻将__C__，输出电阻将__C__。（A．增大， B．减小， C．变化不大）从括号中选择正确答案,用A、B、C填空。 二．判断题 1．甲、乙两同学在推导输出电压的表达式时，得到如 下不同的结果。你认为谁的结果正确？图示运算电路中，A 1、A 2 为理想运算放大器。 乙： 2．若已知，输 ，，你认为 出电压＝？ 3．放大电路和测得的信号电压波形如图所示，试问该放大电路产生了饱和失真还是截止失真，为了减小失真，应增大还是减小？ 三、计算题（） 1．微分运算电路如图（a）所示，图（b）为输入电压波形，A为理想运算放大器。试画出输出电压的波形图，并标明有关数值。 在如图所示全波整流滤波电路中，已知变压器副边中心抽头接地，，变压器内阻和二极管的正向电阻均可忽略不 计，电容C取值满足R L C＝（3～5）（T＝20ms）。 （1）．输出电压平均值? （2）．若P 1 开路，是否为原来的一半？ （3）．若P 3 开路，则？ （4）．若P 4 开路，则？ （5）．若P 1、P 3 均开路，则？ 3．在如图所示OCL电路中，VT 1的偏置电路未画出。已知输入电压为正弦波，VT 1 所构成的共射 放大电路的电压放大倍数，共集放大电路的电压放大倍数约为1。设输入电压有效值＝0.5V，试问： （1）．输出功率P o？ （2）．电源消耗的功率P V？设VT1的功耗和VT2、VT3的静态功耗可忽略。 （3）．VT 2、VT 3 集电极的功耗各为约多少？ （4）．电路的效率 4．已知图示电路中晶体管的 ＝110，，U BEQ ＝－0.3V ，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。 （1）．估算电路静态时的、、； （2）．求电压放大倍数、输入电阻 、输出电阻。 1. 如图所示电路，试用二极管折线模型求解下列问题 (设Vth=0.5V 、rD=200Ω)。 （1） 画该电路的电压传输特性曲线（即Vo=f(Vi)） Vi=0V 、4V 时相应的输处电压Vo 值（取两位有效数字 2. 放大电路A=1000，由于环境温度的变化使增益下降为900，引入负反馈后(F=0.099)，求闭环 增益AF 的相对变化量(△AF/AF)。 3. 如图所示电路，A 为理想运放，V1=0.1V 、V2=0.2V 、V3=0.3V ,R1=1k 、R2=2k 、R3=5k 、R4=10k ， 求Vo ＝？ 4. 对于乙类互补对称电路设Vcc=12V 、RL=4 Ω，三 极管极限参数为Icm=3.5A 、 |V （BR ）CEO|=30V 、Pcm=5W (1) 最大输出处(理想)功率Pom 及效率η。6% (2) 检验所给管子是否安全（判断过程3%，结论1%） A F Xi Xo V1V2Vo -+A R1R3R4R2R4V3 5.如图所示电路中，设Vcc=VEE=15V，Rc=RL=10K，Re=14.3K, β=50。求： (1)Vs1=10mv Vs2=20mv 求Vsd Vsc; (2)双端输出时的差模电压增益A vd; (3)当RL接在T1管的集电极与地之间时的差模电压增益A 、共模电 vd1 压增益Avc1和共模抑制比KCMR1: 6.如图所示电路，已知R1=100K、C=2uF且t=0时Vc(0)=0,Vs输入如图所示。试画出V o的波形， 并标出V o的幅值和回零时间。 7.负反馈对放大电路性能的 改善表现在那几方面？ 8.N沟道场效应管的种类及电路符号？ 9.画出串联反馈式稳压电路一般结构图，为什么称为串联式稳压电路？属于什么负反馈类型？为 什么该类型具有稳压作用？ 10.如图所示电路，A1、A2、A3为理想运级，V1、V2为输入，求Vo输出表达式 面对强大的对手，明知不敌，也要毅然亮剑，即使倒下，也要化成一座山 15-16学年第1学期模拟电子技术A期末试卷（B）一、判断题 1.直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。 2.从能量控制和转换的角度看，功率放大器和电压放大器没有本质的区别。 3.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 4.在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。 5.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 6.任何单管放大电路的输入电阻都与负载电阻无关。 7.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 8.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功率管的集电极最大耗散功率应大于1W。 二、单项选择题 1.P型掺杂半导体的多数载流子是（） A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2.场效应管本质上是一个（） A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 3.测得某放大电路中某晶体管三个电极对地电位分别为-1.4V、-0.7V和 -6.7V，则该三极管的类型为（） A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 4.下列四图为NPN管共射基本放大电路输出电压u o波形，则截止失真的波形和消除失真的主要措施均正确的是（） A.增大V BB B.减小V BB C.减小V BB D.增大V BB 5.制作频率为2MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应采用（） A.LC正弦波振荡电路 B.RC正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.多谐振荡器 6.要求将电流信号转换成与之成稳定关系的电压信号，应引入（） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 7.差分放大器中，若u I1=2.02V，u I2=l.98V，则u Id、u Ic分别为（） A.2V、0.02V B.2V、4V C.0.04V、2V D.0.02V、0.04V 8.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（） A.共漏电路、共射电路 B.共源电路、共射电路 C.共基电路、共漏电路 D.共源电路、共集电路 9.反应场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导 10.互补输出级采用共集形式是为了使（） A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.交越失真小 11.为防止50Hz的电网电压干扰，可以在电路中加一个（） .. .. 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2 模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大 模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;. 路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;. 2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;. 试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。 《模拟电子技术基础》题库 华成英主编高等教育出版社 一、判断下列各题是否正确，对的打“√”，错的打“×” 1．半导体中的空穴带正电。（√） 2．本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√） 3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×） 4．未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（√） 5．稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U Z。（×） 6．若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。（×） 7．多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。（×） 8．射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。（√） 9. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（√） 10. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 11.差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。（√） 12.零点漂移就是静态工作点的漂移。（√） 13.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√） 14．只有直接耦合放大电路才有温漂。（×） 15.不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用。（√） 16．利用两只NPN型管构成复合管只能等效为NPN型管。（√） 17．利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP管。（×） 18．差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。（×） 19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。（×） 20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（√） 21.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数。（√） 同时也可以增大共模抑制比。（√） 二、选择填空 1、型半导体中的多数载流子是_____B__,N型半导体的多数载流子是____A____. A.电子 B .空穴 C. 正离子 D.负离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度__ A ___本征半导体中的载流子的浓度。 A．大于 B.等于 C.小于 3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中_____ C __ 浓度明显增加。 A．载流子 B.多数载流子 C.少数载流子 D.离子 4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管______ A ___,反向饱和电流比锗二极管____ B ___. A.大 B.小 C. 等于 5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压___ B ___,反向电流_ A ______. A.增大 B.减小 C.不变 6、工作在放大状态的晶体管，流过发射极的是____ A __电流，流过集电结的是__ B ___电流。 A．扩散 B.漂移 C.反向饱和 7、晶体管通过改变____ A __来控制____ C ___,而场效应管是通过改变__B ___控制___ D _____, 是一种__ E ____ 控制器件。 A．基极电流 B.栅—源电压 C.集电极电流 D.漏极电流 E．电压 F.电流 苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差 模电压增益 100vd =A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流， 则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 放大器，A u2是 放大器，A u3是 放大器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝ 。 5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为 滤波器， 其通带放大倍数为 ，截止频率为 。 6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。 2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分） B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____ 模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a， b。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大 电路的输入电阻。 4．一个 NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1 =u i2 , 则输出电压为V ； 若 u =1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压 u为μV，共模输入信号 u为μV。 i1id ic 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻 较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。A．β增加， I和 u减小 B.β和 I 增加， u 减小 CBO,BE CBO BE C．β和 u BE减小， I CBO增 加 D.β、 I CBO和 u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。A. 通过增加一级放大 B.利用两个 一、VD1,VD2为理想二极管，其导通电压为0V，电路如图所示，画出u O的波形。（15分） 二、判别题：（21分） 1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值，试确定它们的电极和三极管的类型。 （a）①5V ②1.2V ③0.5V （b）①6V ②5.8V ③1V （c）①-8V ②-0.2V ③0V 2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈，这些反馈是否能够 （1）稳定输出电压（） （2）稳定输出电流（） （3）增加输出电阻（） （4）增加输入电阻（） （5）增大静态电流（） （6）稳定静态电流（） 三、某两级阻容耦合放大电路如图所示，已知β1= β2=40，试求：（24分） （1）各级电路的静态工作点； （2）各级电压放大倍数Au1，Au2和总电压放大倍数Au； （3）放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro； （4）后级采用什么电路？有什么优点？ 四、OTL电路如图所示，电容C足够大，三极管的饱和压降U CES=1V，求：（15分） （1）电路中VT1、VT2工作在哪一种方式？ （2）R1、VD1、VD2的作用是什么？ （3）电位器RP的作用是什么？ （4）负载R L上能够得到的最大不失真输出功率P omax是多少？ 五、如图所示电路属长尾式差动放大器。已知VT1、VT2为硅管。β=100，试计算（15分） （1）电路静态工作点Q； （2）差模电压放大倍数A ud； （3）差模输入电阻R id和输出电阻R od。 六、判断图示电路中反馈是何种交流反馈类型，若满足深度负反馈条件，求电压放大增益。（15分） 七、运算放大器应用电路如图所示，图中运放均为理想运放，U BE=0.7V。（15分）（1）求出三极管c、b、e各极对地电位； （2）若电压表读数为200mV，试求出三极管的β值。 九、具有放大环节的串联型稳压电路如图所示，已知变压器副边u2的有效值为16V，三极管VT1、VT2的β1= β2 =50，U BE1=U BE2=0.7V, U Z=+5.3V，R1=300Ω，R2=200Ω，R3=300Ω，Rc2=2.5kΩ。（15分） （1）估算电容C1上的电压U1=？ （2）估算输出电压Uo的可调围。 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压 必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个 电极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（）、（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 三、分析计算题 1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析： ①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分）模电试卷+9道经典题型
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