第一章 习题与思考题
◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？
解：
二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
本题的意图是掌握二极管的单向导电性。
◇ 习题 1-2假设一个二极管在500C 时的反向电流为10μA ，试问它在200C 和800C 时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高100C,反向电流大致增加一倍。
解：
在20O C 时反向电流约为A A μμ25.11023=?-
在80O C 时反向电流约为A A μμ801023
=? 本题的意图是通过估算，理解二极管的反向电流将随温度的升高而急剧增大。
◇ 习题 1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示：
① 如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压，见图P1-3(b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少？
② 如将图P1-3(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电压各为多少？
提示：可用图解法。
解：
① 电源电压为1.5V 时，I=0.8mA, U=0.7V ；
② 电源电压为2.2V 时, I=2.2mA ，U=0.8V 。
图解结果见下图：
经过观察可进一步得出结论：当二极管工作在正向特性区时，如电源电压增大，二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
本题的主要意图是加深对二极管伏安特性的理解，并练习用图解法估算二极管的电流和电压。
◇题1-4已知在图P1-4中，u1=10sinωt(V)，R L＝1kΩ，试对应地画出二极管的电流i D、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：
波形见图。
本题的意图是通过画波形图，理解二极管的单向导电性。
◇习题1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z、动态内阻r Z以及温度系数a u等各项参数，大一些好还是小一些好？
解：
动态内阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大，则其动态内阻r Z愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能
愈好。
本题的意图是掌握稳压管的主要参数对稳压性能的影响。
◇ 习题 1-6 某稳压管在温度为200C ，工作电唁为5mA 时，稳定电压U Z =10V ，已知其动态内阻r Z ＝8Ω，电压的温度系数a u ＝0.009%/0C ，试问：
① 温度不变，工作电流改为20mA 时，U Z 约等于多少？
② 当工作电流仍为5mA ，但温度上升至500C 时，U Z 约等于多少？
解：
① V V U V A r I U Z Z Z Z 12.10)12.010(,
12.0810)520(3=+=Ω??-=?=?-则
②V V U C C T U U Z O O U Z Z 27.10%)7.21(10%,
7.2%/09.0)2050(/=+?==?-=?=?则α
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求：
① 稳压管中的电流I Z =?
② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？
③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？
解：
① mA mA mA k
V V V R U R U U I L Z Z Z 1462016200610=-=Ω
-Ω-=--= ② mA mA mA k V V V R U R U U I L Z Z Z 2463016200612=-=Ω
-Ω-=--= ③ mA mA mA k V V V R U R U U I L Z Z Z 1732026200610=-=Ω-Ω-=--=
本题的意图是说明当外加电压或负载电流变化时，通过调节稳压管的电流可保持稳压管两端电压基本不变。
◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
解：
如图所示，可有3种不同的串联方法。
稳压值分别为：（a ）12V
（b ）6.7V
（c ）1.4V
本题的意图是了解两个同型号的的稳压管可采用不同的串联方法以得到不同的稳压值。
◇ 习题 1-9 一个三极管的输出特性曲线见图 P1-9：
① 试在图上求出U CE =5V ，I C ＝6mA 处的电流放大系数－β、－α、β和α，并时行比较。 ② 设三极管的极限参数为I CM ＝20mA ，U (BR)CEO ＝15V ，P CM =100mW ，试在图 P1-9的特性曲线上画出三极管的安全工作区。
解：
① 993.004
.66,15004.06≈=≈==≈E C B C i i i i αβ 993.022
.306.92.39,14502.006.02.39≈--=??≈=--=??≈E C B C i i i i αβ ②三极管的安全工作区如下图所示。
本题的意图是训练在三极管的输出特性曲线上用作图的方法求上述4个电流放大系数，理解直流电流放大系数与对应的交流电流放大系数的定义不同，但数值接近。同时，训练在输出特性曲线上画出三极管的安全工作区。
◇ 习题 1-10 有两个三极管，已知第一个管子的991=β，则?1=α当该管的I B1=10μA 时，其I C1和I E1各等于多少？已知第二个管子的95.02=α，则其?2=β若该管的I E2=1mA ，则I C2和I B2各等于多少?
解：
① A
A I I A
A I I
B E B
C μμβμμβββα100010)991()1(990109999.099
1991111111111=?+=+≈=?=≈=+=+= ② A mA mA I I mA mA I I E B E C μβββααβ5005.0119111195.0119
11911995
.0195.012222222222==?+=+≈
=?+=+≈=-=-= 本题的主要意图是掌握αβ与的含义及二者之间的关系。
◇ 习题 1-11 设某三极管在20O C 时的反向饱和电流30,1==βμA I CBO ；试估算该管在50O C 时
的I CBO 和穿透电流I CEO 大致等于多少。已知每当温度升高10O C 时，I CBO 大约增加一倍，而每当温度升高1O C 时，β大约增大1％。
解：
20O C 时，A A I I CBO CEO μμβ311)301()1(=?+=+=；
50O C 时，A
A I I A I CBO CEO CBO μμββμ3208)391()1(39%303030,
8=?+=+≈=?+≈≈
本题的意图时理解当温度升高时三极管的I CBO 将急剧增大，β也将增大，因而I CEO 将更为急剧增大。
◇ 习题 1-12 一个实际的PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线图P1－12(a)和(b)所示。 ① 查看该三极管的穿透电流I CEO 约为多大，输入特性的死区电压约为多大。
② 为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u CE 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管作比较。
解：
① 由图可见，该PNP 三极管的约为0.4mA ，死区电压约为-0.2V 。
② 无论NPN 或PNP 三极管，工作在放大区的外部直流偏置条件均为发射结正向偏置，急电结反向偏置。而对PNP 三极管来说，应为u BE <0，u BC >0。
本题的意图是了解PNP 三极管的特性曲线，以及PNP 三极管工作在放大区的条件。
◇ 习题 1-13 测得某电路中几个三极管的各极电位如图P1－13所示，试判断各三极管分别工作在截止区，放大区还是饱和区？
解：
(a) 在图(a)中，U BE =0.7V ，U BC =－4.3V ，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (b) 在图(b)中，U BE =－10V ，U BC =－10V ，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 (c) 在图(c)中，U BE =0.7V ，U BC =－5.3V ，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (d) 在图(d)中，U BE =0.75V ，U BC =0.45V ，即发射结、集电结均正偏，故三极管工作在饱和区。 (e) 在图(e)中，U BE =0.3V ，U BC =5.3V ，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 (f) 在图(f)中，U BE =－0.3V ，U BC =0，即U CE =U BE ，发射结正偏，集电结电压为0，故三极管工作在临界饱和状态。
(g) 在图(g)中，U BE =－0.3V ，U BC =8.7V ，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (h) 在图(h)中，U BE =－0.3V ，U BC =3.7V ，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。
本题的意图是训练根据各极电位判断三极管工作在什么区，深入理解三极管截止区、放大区和饱和区的特点。
◇习题1-14 已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的β均为50,U BE≈0.7V，试分别估算各电路中三极管的I C和U CE，判断它们各自工作在哪个区(截止区、放大区或饱和区)，并将各管子的工作点分别画在
图P1-14（g）的输出特性曲线上。
解：
（a ）V
mA k u mA mA i i mA V k V V i CE B C B 5.325.321025.3065.050065.0200003.1207.02=?Ω-==?=≈=Ω
=Ω-≈
β 三极管工作在放大区，见下图中的A 点。
（b ）V
mA k u mA mA i i mA V k V V i CE B C B 35.5325.2210325.20465.0500465.02000003.92007.010=?Ω-==?=≈=Ω
=Ω-≈
β 三极管工作在放大区，见下图中的B 点。
（c ）V
mA k u mA mA i i mA V k V V i CE B C B 5.3625.2321025.23465.050465.0200003.9207.010-=?Ω-==?=≈=Ω
=Ω-≈
β 以上计算出的iC 和uCE 的值是荒谬的，实质上此时三极管已工作在饱和区，故应为
V
U u mA k V i mA V k V V i CES CE C B 3.052/10465.0200003.9207.010≈==Ω≈=Ω
=Ω-≈
见下图中C 点。
（d ）V V u i i V u CC CE C B BE 10,0,0,2==≈≈-=
三极管工作在截止区，见下图中D 点。
（e ）V V u i i V u CC CE C B BE 10,0,0,0==≈==
三极管工作在截止区，见下图中E 点，E 点和D 点基本重合。
（f ）V
V u mA mA i i mA V k V V i CC CE B C B 10325.20465.0500465.02000003.92007.010===?=≈=Ω
=Ω-≈
β 三极管工作在放大区，见下图中的F 点。
本题的意图是根据电路参数判断三极管工作在什么区，并在输出特性曲线上画出工作点的位置，以便形象地建立工作点地概念。
◇习题1-15 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15(a)和(b)所示，试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型，还是PNP型，硅管还是锗管。
解：
（a）1－发射极e，3－基极b，2－集电极c，NPN型锗管；
（b）2－发射极e，3－基极b，1－集电极c，PNP型硅管。
本题的意图是训练根据放大电路中的三极管的各极电位识别引脚，并判断三极管的类型。
注意：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
习题 1-16 已知一个N 沟道增强型MOS 场效应的漏极特性曲线如图P1-16所示，试作出U DS =15V 时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压U GS(th)和I DO 值，以及当U DS =15V ，U GS =4V 时的跨导g m 。
解：
作图过程如下图所示。
由图可得 mA I V U DO th GS 2.2,
9.1)(=≈ mS mS u i g GS D m 8.25
.35.42.14=--=??≈ 本题的意图是加强对场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线的理解，并训练在场效应管的输出特性曲线上用作图法画转移特性，并求U GS(th)、I DO 和g m 的值。
◇ 习题 1-17 试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型)。如为耗尽型，在特性上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
解：
（a）N沟道增强型绝缘栅场效应管。
（b）P沟道耗尽型结型场效应管。
（c）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管。
（d）P沟道增强型绝缘栅场效应管。
本题的意图是根据转移特性识别场效应管的类型，并从转移特性上指认I DSS和U GS(th)或U GS(off)。
◇习题1-18 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)＝+3V，I DO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。
◇习题1-19 已知一个P沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流I DSS＝－2.5mA,夹断电压U GS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。
解：
此二题的意图是根据给定的U GS(th)和I DO或U GS(off)和I DSS，示意画出场效应管的转移特性。
电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题]
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V；若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模 输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情 况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小
C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7．为了使运放工作于线性状态，应（） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（）。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9．振荡电路的振荡频率，通常是由（）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10．在串联型线性稳定电路中，比较放大环节放大的电压是（） A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9
第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。 2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。 13、PN 结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）
《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）
《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O
放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分 一（20分）、问答题 1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？ 2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？ 3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？ 4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？ 5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。 1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。 2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？ 图1 三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。 1．判断反馈类型； 2．画出A电路和B电路； 3．求反馈系数B； 4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。 图3
第 页 共 页 1 《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sin ωt,二极管导通压降U D =0.6V,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e 1～r b e 5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。
第 页 共 页 2 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f ,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f =190K Ω,计算合理连线后电路的增益A u . 3.简述D 1,D 2在电路中的作用.如果V CC =12V,R L =8Ω,T 1,T 2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL 所能获得的最大功率P Lmax =? 五、如图5为一运算放大器应用电路A 1、A 2、A 3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i 之间函数关系式和v o ~v o2之间函数关系式。2.图中v i (t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i (t)所对应v o2 与v o 信号波形。(20分)
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压为 V； 若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小 C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是 运载信息的工具，称为（）。 2
模拟电子技术 第 1 章半导体二极管及其基本应用 1． 1填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载 流子是空穴。 3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1． 2单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题 1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1． 4分析计算题 1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为 无穷，等效成断开； 4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用 串联负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL， 1+AF称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、 极性相反的两个信号，称为差模信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。 13、OCL电路是双电源互补功率放大电路； OTL电路是单电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所 以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工 具，称为载波信号。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是 （ C ），该管是（ D ）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A ）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ B ）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（ A ）、（ B ）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1