1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子
3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统
4. Acid：酸
5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）
6. Align mark(key)：对位标记
7. Alloy：合金
8. Aluminum：铝
9. Ammonia：氨水
10. Ammonium fluoride：NH4F
11. Ammonium hydroxide：NH4OH
12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog：模拟的
14. Angstrom：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）
18. Antimony(Sb)锑
19. Argon(Ar)氩
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher：去胶机
24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
27. Baseline：标准流程
28. Benchmark：基准
29. Bipolar：双极
30. Boat：扩散用（石英）舟
31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58. developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内
的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat：平边
79. flatband capacitanse：平带电容
80. flatband voltage：平带电压
81. flow coefficicent：流动系数
82. flow velocity：流速计
83. flow volume：流量计
84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap：禁带
86. four-point probe：四点探针台
87. functional area：功能区
88. gate oxide：栅氧
89. glass transition temperature：玻璃态转换温度
90. gowning：净化服
91. gray area：灰区
92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
93. hard bake：后烘
94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产
96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
97. host：主机
98. hot carriers：热载流子
99. hydrophilic：亲水性
100. hydrophobic：疏水性
101. impurity：杂质
102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
103. inert gas：惰性气体
104. initial oxide：一氧
105. insulator：绝缘
106. isolated line：隔离线
107. implant : 注入
108. impurity n : 掺杂
109. junction : 结
110. junction spiking n :铝穿刺
111. kerf :划片槽
112. landing pad n :PAD
113. lithography n 制版
114. maintainability, equipment : 设备产能
115. maintenance n :保养
116. majority carrier n :多数载流子
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩阵
120. mean n : 平均值
121. measured leak rate n :测得漏率
122. median n :中间值
123. memory n : 记忆体
124. metal n :金属
125. nanometer (nm) n ：纳米
126. nanosecond (ns) n ：纳秒
127. nitride etch n ：氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体
129. n-type adj ：n型
130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻
131. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向
132. overlap n ：交迭区
133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
134. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素
135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版
136. photomask, negative n：反刻
137. images：去掉图形区域的版
138. photomask, positive n：正刻
139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺143. pn junction n：pn结
144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构
147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。154. quartz carrier n :石英舟。
155. random access memory (RAM) n :随机存储器。
156. random logic device n :随机逻辑器件。
157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。
158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。
159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist n :光刻胶。
162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。
163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。
165. scribe line n :划片槽。
166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。
167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片
171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。
177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper: 步进光刻机（按BLOCK来曝光）
180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. titanium(Ti): 钛。
190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. tungsten(W): 钨。
193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD 中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。
196. watt(W): 瓦。能量单位。
197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。
198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。
199. well: 阱。
200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。
201. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。
202. via: 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。
203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。
204. torr : 托。压力的单位。
205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。
206. vacuum: 真空。
207. transition metals: 过渡金属
Yield 良率
Parameter参数
PAC感光化合物
ASIC特殊应用集成电路
Solvent 溶剂
Carbide碳
Refractive折射
Expansion膨胀
Strip 湿式刻蚀法的一种
TM: top mental 顶层金属层
WEE 周边曝光
PSG 硼硅玻璃
MFG 制造部
Runcard 运作卡
POD 装晶舟和晶片的盒子
Scratch 刮伤
Reticle 光罩
Sputter 溅射
Spin 旋转
Merge 合并
A/D [军] Analog.Digital, 模拟/数字
AC Magnitude 交流幅度
AC Phase 交流相位
Accuracy 精度
"Activity Model
Activity Model" 活动模型
Additive Process 加成工艺
Adhesion 附着力
Aggressor 干扰源
Analog Source 模拟源
AOI,Automated Optical Inspection 自动光学检查
Assembly Variant 不同的装配版本输出
Attributes 属性
AXI,Automated X-ray Inspection 自动X光检查
BIST,Built-in Self Test 内建的自测试
Bus Route 总线布线
Circuit 电路基准
circuit diagram 电路图
Clementine 专用共形开线设计
Cluster Placement 簇布局
CM 合约制造商
Common Impedance 共模阻抗
Concurrent 并行设计
Constant Source 恒压源
Cooper Pour 智能覆铜
Crosstalk 串扰
CVT,Component Verification and Tracking 元件确认与跟踪
DC Magnitude 直流幅度
Delay 延时
Delays 延时
Design for Testing 可测试性设计
Designator 标识
DFC,Design for Cost 面向成本的设计
DFM,Design for Manufacturing 面向制造过程的设计
DFR,Design for Reliability 面向可靠性的设计
DFT,Design for Test 面向测试的设计
DFX,Design for X 面向产品的整个生命周期或某个环节的设计DSM,Dynamic Setup Management 动态设定管理
Dynamic Route 动态布线
EDIF,The Electronic Design Interchange Format 电子设计交互格式EIA,Electronic Industries Association 电子工业协会
Electro Dynamic Check 动态电性能分析
Electromagnetic Disturbance 电磁干扰
Electromagnetic Noise 电磁噪声
EMC,Elctromagnetic Compatibilt 电磁兼容
EMI,Electromagnetic Interference 电磁干扰
Emulation 硬件仿真
Engineering Change Order 原理图与PCB版图的自动对应修改
Ensemble 多层平面电磁场仿真
ESD 静电释放
Fall Time 下降时间
False Clocking 假时钟
FEP 氟化乙丙烯
FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换
Float License 网络浮动
Frequency Domain 频域
Gaussian Distribution 高斯分布
Global flducial 板基准
Ground Bounce 地弹反射
GUI,Graphical User Interface 图形用户界面
Harmonica 射频微波电路仿真
HFSS 三维高频结构电磁场仿真
IBIS,Input/Output Buffer Information Specification 模型
ICAM,Integrated Computer Aided Manufacturing 在ECCE项目里就是指制作PCB IEEE,The Institute of Electrical and Electronic Engineers 国际电气和电子工程师协会IGES,Initial Graphics Exchange Specification 三维立体几何模型和工程描述的标准Image Fiducial 电路基准
Impedance 阻抗
In-Circuit-Test 在线测试
Initial Voltage 初始电压
Input Rise Time 输入跃升时间
IPC,The Institute for Packaging and Interconnect 封装与互连协会
IPO,Interactive Process Optimizaton 交互过程优化
ISO,The International Standards Organization 国际标准化组织
Jumper 跳线
Linear Design Suit 线性设计软件包
Local Fiducial 个别基准
manufacturing 制造业
MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片组件
MDE,Maxwell Design Environment
Nonlinear Design Suit 非线性设计软件包
ODB++ Open Data Base 公开数据库
OEM 原设备制造商
OLE Automation 目标连接与嵌入
On-line DRC 在线设计规则检查
Optimetrics 优化和参数扫描
Overshoot 过冲
Panel fiducial 板基准
PCB PC Board Layout Tools 电路板布局布线
PCB,Printed Circuit Board 印制电路板
Period 周期
Periodic Pulse Source 周期脉冲源
Physical Design Reuse 物理设计可重复
PI,Power Integrity 电源完整性
Piece-Wise-linear Source 分段线性源
Preview 输出预览
Pulse Width 脉冲宽度
Pulsed Voltage 脉冲电压
Quiescent Line 静态线
Radial Array Placement 极坐标方式的元件布局
Reflection 反射
Reuse 实现设计重用
Rise Time 上升时间
Rnging 振荡,信号的振铃
Rounding 环绕振荡
Rules Driven 规则驱动设计
Sax Basic Engine 设计系统中嵌入
SDE,Serenade Design Environment
SDT,Schematic Design Tools 电路原理设计工具
Setting 设置
Settling Time 建立时间
Shape Base 以外形为基础的无网格布线
Shove 元器件的推挤布局
SI,Signal Integrity 信号完整性
Simulation 软件仿真
Sketch 草图法布线
Skew 偏移
Slew Rate 斜率
SPC,Statictical Process Control 统计过程控制
SPI,Signal-Power Integrity 将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具SPICE,Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 集成电路模拟的仿真程序Split/Mixed Layer 多电源/地线的自动分隔
SSO 同步交换
STEP,Standard for the Exchange of Product Model Data
Symphony 系统仿真
Time domain 时域
Timestep Setting 步进时间设置
UHDL,VHSIC Hardware Description Language 硬件描述语言
Undershoot 下冲
Uniform Distribution 均匀分布
Variant 派生
VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架联盟
Victim 被干扰对象
Virtual System Prototype 虚拟系统原型
VST,Verfication and Simulation Tools 验证和仿真工具
Wizard 智能建库工具,向导
2. 专业术语
术语英文意义中文解释
LCD Liquid Crystal Display 液晶显示
LCM Liquid Crystal Module 液晶模块
TN Twisted Nematic 扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转90度
STN Super Twisted Nematic 超级扭曲向列。约180～270度扭曲向列
FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN，用于单色显示
TFT Thin Film Transistor 薄膜晶体管
Backlight - 背光
Inverter - 逆变器
OSD On Screen Display 在屏上显示
DVI Digital Visual Interface （VGA）数字接口
TMDS Transition Minimized Differential Singnaling
LVDS Low Voltage Differential Signaling 低压差分信号
Panelink -
IC Integrate Circuit 集成电路
TCP Tape Carrier Package 柔性线路板
COB Chip On Board 通过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上
COF Chip On FPC 将IC固定于柔性线路板上
COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上
Duty - 占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率
LED Light Emitting Diode 发光二极管
EL Elextro Luminescence 电致发光。EL层由高分子量薄片构成
CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光灯
PDP Plasma Display Panel 等离子显示屏
CRT Cathode Radial Tude 阴极射线管
VGA Video Graphic Anay 视频图形陈列
PCB Printed Circuit Board 印刷电路板
Composite video - 复合视频
component video - 分量视频
S-video - S端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输
NTSC National Television Systems Committee NTSC制式。全国电视系统委员会制式Phase Alrernating Line PAL制式（逐行倒相制式）
SEquential Couleur Avec Memoire SECAM制式（顺序与存储彩色电视系统）
Video On Demand 视频点播
DPI Dot Per Inch 点每英寸
3. A.M.U 原子质量数
4. ADI After develop inspection显影后检视
5. AEI 蚀科后检查
6. Alignment 排成一直线，对平
7. Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
8. ARC：anti-reflect coating 防反射层
9. ASHER: 一种干法刻蚀方式
10. ASI 光阻去除后检查
11. Backside 晶片背面
12. Backside Etch 背面蚀刻
13. Beam-Current 电子束电流
14. BPSG: 含有硼磷的硅玻璃
15. Break 中断，stepper机台内中途停止键
16. Cassette 装晶片的晶舟
17. CD：critical dimension 关键性尺寸
18. Chamber 反应室
19. Chart 图表
20. Child lot 子批
21. Chip (die) 晶粒
22. CMP 化学机械研磨
23. Coater 光阻覆盖（机台）
24. Coating 涂布，光阻覆盖
25. Contact Hole 接触窗
26. Control Wafer 控片
27. Critical layer 重要层
28. CVD 化学气相淀积
29. Cycle time 生产周期
30. Defect 缺陷
31. DEP: deposit 淀积
32. Descum 预处理
33. Developer 显影液；显影（机台）
34. Development 显影
35. DG: dual gate 双门
36. DI water 去离子水
37. Diffusion 扩散
38. Doping 掺杂
39. Dose 剂量
40. Downgrade 降级
41. DRC: design rule check 设计规则检查
42. Dry Clean 干洗
43. Due date 交期
44. Dummy wafer 挡片
45. E/R: etch rate 蚀刻速率
46. EE 设备工程师
47. End Point 蚀刻终点
48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
49. ET: etch 蚀刻
50. Exhaust 排气（将管路中的空气排除）
51. Exposure 曝光
52. FAB 工厂
53. FIB: focused ion beam 聚焦离子束
54. Field Oxide 场氧化层
55. Flatness 平坦度
56. Focus 焦距
57. Foundry 代工
58. FSG: 含有氟的硅玻璃
59. Furnace 炉管
60. GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性
61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S
62. HCI: hot carrier injection 热载流子注入
63. HDP：high density plasma 高密度等离子体
64. High-Voltage 高压
65. Hot bake 烘烤
66. ID 辨认，鉴定
67. Implant 植入
68. Layer 层次
69. LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏
70. Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污
71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
72. Loop 巡路
73. Lot 批
74. Mask (reticle) 光罩
75. Merge 合并
76. Metal Via 金属接触窗
77. MFG 制造部
78. Mid-Current 中电流
79. Module 部门
80. NIT: Si3N4 氮化硅
81. Non-critical 非重要
82. NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
83. NW: n-doped well N阱
84. OD: oxide definition 定义氧化层
85. OM: optic microscope 光学显微镜
86. OOC 超出控制界线
87. OOS 超出规格界线
88. Over Etch 过蚀刻
89. Over flow 溢出
90. Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度
91. OX: SiO2 二氧化硅
92. P.R. Photo resisit 光阻
93. P1: poly 多晶硅
94. PA; passivation 钝化层
95. Parent lot 母批
96. Particle 含尘量/微尘粒子
97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师2、等离子体增强
98. PH: photo 黄光或微影
99. Pilot 实验的
100. Plasma 电浆
101. Pod 装晶舟与晶片的盒子
102. Polymer 聚合物
103. POR Process of record
104. PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂
105. PR: photo resist 光阻
106. PVD 物理气相淀积
107. PW: p-doped well P阱
108. Queue time 等待时间
109. R/C: runcard 运作卡
110. Recipe 程式
111. Release 放行
112. Resistance 电阻
113. Reticle 光罩
114. RF 射频
115. RM: remove. 消除
116. Rotation 旋转
117. RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火
118. RTP: rapid thermal process 迅速热处理
119. SA: salicide 硅化金属
120. SAB: salicide block 硅化金属阻止区
121. SAC: sacrifice layer 牺牲层
122. Scratch 刮伤
123. Selectivity 选择比
124. SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜
125. Slot 槽位
126. Source-Head 离子源
127. SPC 制程统计管制
128. Spin 旋转
129. Spin Dry 旋干
130. Sputter 溅射
131. SRO: Si rich oxide 富氧硅
132. Stocker 仓储
133. Stress 内应力
134. STRIP: 一种湿法刻蚀方式
135. TEOS –(CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。
136. Ti 钛
137. TiN 氮化钛
138. TM: top metal 顶层金属层
139. TOR Tool of record
140. Under Etch 蚀刻不足
141. USG: undoped 硅玻璃
142. W (Tungsten) 钨
143. WEE 周边曝光
144. mainframe 主机
145. cassette 晶片盒
146. amplifier 放大器
147. enclosure 外壳
148. wrench 扳手
149. swagelok 接头锁紧螺母
150. clamp 夹子
151. actuator激励
152. STI shallow trench isolantion 浅沟道隔离层
153. SAB 硅铝块
154. UBM球下金属层镀模工艺
155. RDL金属连线重排工艺
156. RIE reactinv ion etch 反应离子etch
157. ICP inductive couple plasma 感应等离子体
158. TFT thin film transistor 薄模晶体管
159. ALD atomic layer deposition 原子层淀积
160. BGA ball grid array 高脚封装
161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱
162. AFM atomic force microscopy 原子力显微
163. ASIC 特定用途集成电路
164. ATE 自动检测设备
165. SIP self-ionized plasma 自电离电浆
166. IGBT 绝缘门双极晶体管
167. PMD premetal dielectric 电容
168. TCU temperature control unit 温度控制设备
169. arc chamber 起弧室
170. vaporizer 蒸发器
171. filament 灯丝
172. repeller 反射板
173. ELS extended life source 高寿命离子源
174. analyzer magnet 磁分析器
175. post accel 后加速器
176. quad rupole lens 磁聚焦透镜
177. disk/flag faraday 束流测量器178. e-shower 中性化电子子发生器179. extrantion electrode 高压吸极180. disk 靶盘
181. rotary drive 旋转运动
182. liner drive 直线往复运动183. gyro drive 两方向偏转184. flat aligener 平边检测器185. loadlock valve 靶盘腔装片阀186. reservoir 水槽
187. string filter 过滤器
188. DI filter 离子交换器
189. chiller 制冷机
190. heat exchange 热交换机
锂离子电池技术英文词句 2.3 assembly line process(5/15)流水线工艺 film loading-vacuum on-film folding-sliding jig backward-top cutting-sliding jig forward- vacuum off-film unloading 放上包装膜—抽真空—包装膜折叠-分切夹心的后端-剪掉顶部-分切夹心的前段-释放真空-拿下包装膜station 岗位two station 两个岗位 folding 折叠guide type 指导方式 top cutting 顶部剪切knife 刀片 2.3 assembly line process(6/15)流水线工艺 j/r loading-vacuum on-j/r jig backward-bottom former up-upper former down- 放极组-抽真空-极组夹具放在后端-模板末端在上面-顶端在下面- heating forming-former up,down-j/r jig forward-vacuum off-j/r unloading 加热模板-模板上下翻转-极组夹具朝前-释放真空-取下极组 station two station 岗位两个岗位 heating forming pressing time,preset timer 加热模板施压时间施压次数 temperature thermocouple 温度热电耦 time:mmin,2~max.3sec 时间： press force :40~50kg 压力 temperature:150℃ 温度 2.3 assembly line process(7/15)流水线工艺 film loading-fim clamp-sliding jig backward-edge pushing-tab clamp-tab unclamp- 放上包装膜-包装夹具-分切极组末端-整边-放极耳夹具-卸下极耳夹具 sliding jig forward-cell unloading 分切极耳前端 station two station heat sealing top 热封 sealing thickness control(micrometer) 热封厚度控制（毫米） sealing control pressing time,preset timer 热封控制施压时间施压次数 precision regulator 精度校准 temperature, thermocouple 温度热电耦 time :min.2~max.3sec时间 press force:250kg 压力 temperature:180~250℃ 温度
锂电池专业英语精编 W O R D版 IBM system office room 【A0816H-A0912AAAHH-GX8Q8-GNTHHJ8】
盖板 cover board 底板 solepiece 钢珠 steel ball 压钢珠 press steel ball 防爆阀 valve preventing explosion 大电流(倍率)放电 discharge in high rate current 标称电压 Normal voltage 标称容量 normal capacity
放电容量 discharge capacity 充电上限电压 limited voltage in charge 放电下限电压 terminating voltage in discharge 恒流充电 constant current charge 恒压充电 constant voltage charge 恒流放电 constant current discharge 放电曲线 discharge curve 充电曲线 charge curve
放电平台 discharge voltage plateau 容量衰减 capacity attenuation 起始容量 initial discharge capacity 流水线 pipelining 传送带 carrying tape 焊极耳 welding the current collector 卷绕 wind 叠片 layer
贴胶带 stick tape 点焊 spot welding 超声焊 ultrasonic welding The terminating voltage in discharge of the battery is 3.0 volt. The limited voltage in charge of the battery is 4.2 volt. 三元素 Nickle-Cobalt-Manganese Lithium Oxide three elements materials 钴酸锂 Cobalt Lithium Oxide 锰酸锂 Manganese Lithium Oxide 石墨
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
1.英语学术论文的语言风格特点就（知人方能论世） 为什么我们会读不懂SCI上面的文章呢？ 第一，由于SCI里面出现的专业词汇一般都是出现在特定领域，一类是一词对应于一意，另外一类则是一词多义。 其次，名词化结构则是另外另外一个普遍出现的现象，可以看到，复合名词，加前缀和后缀，以及省略现象可谓是漫山遍野，因为文体要求行文简洁、表达客观、内容确切、信息量大、强调存在的事实，一般文章不会夹杂着太多主观看法。 最后，大量使用长句和定语从句SCI论文发表中大量使用长句和定语从句，在论证上起到连接信息和强调信息的作用。广泛使用被动语态SCI论文发表中侧重叙事推理，强调客观准确，第一、二人称使用过多，会造成主观臆断的印象。因此尽量使用第三人称叙述，采用被动语态。名词作定语和缩写词使用频繁SCI论文发表中要求结构紧凑、行文简炼，缩写词和名词作定语的频繁使用，增大了信息密度，简化了句型。 如果我们能逆向思维，转换个角度去看文章，如果你要发表一篇SCI论文，你会怎么去构造你的行为，你如何组织你文章的逻辑，特别是用词方面，口语和一些狸语在一般
情况不应该出现在文章中。还有些中式英语也会极大地影响我们的阅读，例如说足球比赛，可不是我们想象中的football match （之前有次演讲说，英语里面不能有2个名词的情况，在此就举了个例子bicycle man），而应该做football play亦作soccer play。 2.翻译是一门艺术，从某种意义上来讲是没有标准答案的。 这里本人想要想要阐述这样一种观点，翻译是一个不断精进的过程，翻译最初的目的即是为了实现语言之间的一个互相沟通，然而不同的人对一句话，应该会有着不同的理解。这也就有了译者极大的自由发挥性，但是译者必须准确理解原文的基础之上的。 有三个字可以高度概括翻译的精髓“信，达，雅”，想必大家都应该听过。”“信”指意义不背原文,即是译文要准确,不歪曲,不遗漏,也不要随意增减意思；同样可以举个例子？This is a pan in my hand （请问如何翻译呢？） “达”指不拘泥于原文形式,译文通顺明白;这里就涉及到一个直译和意译的关系啦，否则就会出现像bicycle
MFG 常用英文单字 Semiconductor半导体 导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。 导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导容易 绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易 半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类似。 Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。 ID Identification的缩写。用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。 Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。 Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。 Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。 WIP Work In Process，在制品。从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。 一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片， 称为Stage WIP。 Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。 Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lot在 上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot Run。 Hot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。 Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则，或 视常班向生产指令而定。 Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。 Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。Spec. 规格Specification的缩写。产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。 机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格 内。若超出规格﹝Out of SPEC﹞，必须通知组长将产品Hold，并同时通知 制程工程师前来处理，必要时机台要停工，重新monitor，确定量测规格， 藉以提升制程能力。 SPC Statistics Process Control统计制程管制；透过统计的手法，搜集分析资料，然后调整机台参数设备改善机台状况或请让机台再处理每一批产品时，都
锂离子电池常用专业英语 （一） 序号首字母英文中文 1 A aging 老化 2 B battery charger 充电器 3 black-fleck 黑斑 4 C cap 盖板 5 capacity density 能量密度 6 capacity grading 分容 7 cathode tab welding 极耳超焊 8 cell 电芯 9 charge(capacity) retention 荷电（容量）保持 10 checking code 检码 11 concave spot 凹点 12 constant current charge 恒流充电 13 constant current discharge 恒流放电 14 constant voltage charge 恒压充电 15 corrective measures 纠正措施 16 crack 裂纹 17 cut-off voltage 终止电压 18 cycle life 循环寿命 19 D dark trace 暗痕 20 degrade 降级 21 dent 凹痕 22 discharge depth 放电深度 23 distortion 变形 24 drape 打折 25 E Electrical and MechanicalServices Department 机电部 26 electrolyte 电解，电解液 27 empaistic 压纹 28 end-off voltage 放电截止电压 29 environmentally friendly 对环境友好 30 equipment first inspection 设备首检 31 erode 腐蚀 32 explosion-proof line 防爆线 33 F first inspection 首检 34 formation 化成 35 fracture 断裂 36 I inspection 检验 37 insulate 绝缘 38 internal resistance 内阻 39 J jellyroll 卷芯 40 joint 接缝，结合点
英语专业实习报告 ????实习学校.市二中学,上海市第二中学,自己初中,高中7年的母校,可以说是再熟悉不过,看到大学里对口的学校里有这所的时候,没有丝毫犹豫地就填进了志愿里,也如愿的在母校开始了大学必经的实习阶段,也是别有一番意义的.回学校实习,亲切万分,亲爱的老师们还在,接受教育的学生们却是一张张全新的面孔,想想自己离开学校3年来的进进出出,目前的3个年级都是我毕业后考进市二的学生.学校的操场,小花园,甚至是几间教室,都是充满回忆的地方,接下来实习的日子,走过这些地方的时候,过去的记忆就不断在脑海里回旋. ????初日.我们一行8位同学到达市二后,接待我们的是现任教导主任高萍老师,她向我们简单介绍了下学校目前的状况,以及实习期间需要注意的一些事项.接下来是认识带教老师,我与其他2位同学分到高一,其余5位同学到高二.英语学科的带教老师是王雅芬老师,教学经验丰富,还担任高一的年级组长;班主任唐虹老师,自己高三时,她教过我政治,算是相当熟悉,呵呵.带教老师和班主任都向我们简单介绍了一下所带班级的基本情况.第一天只是熟悉下校园,第二天正式到班级,当时想到就要面对40多个学生,不免还是有点担心和紧张. ????身份.实习老师,是个很特别的存在.还记得第一次被班级里学生叫老师好的时候的那种错愕,渐渐适应,然后自如反应,点头示意.开始的一个礼拜,日渐习惯起学校的生活,仿佛重回高中时代一般,只是是以一种全新的角度来看待学生,以老师的身份来要求自己了,这种感觉挺奇妙的,以往觉得“高高在上”的老师,突然间成了身边的“同事”,作为实习老师,又该以怎样的态度去面对高中的学生?身份的转变,是实习阶段第一个要跨越的坎吧,正确认识自己的身份:带教老师的学生,高中学生的老师. ????高一(X)班.担任实习班主任工作的班级是高一(7)班,高一年级两个理科班之一,与我那时的理科班大为不同,现在理科班的学生不像我们那时那么沉闷,就像班主任唐老师所说,对于老师来说是喜忧参半吧,毕竟调皮的学生太多,比较不容易控制.一进教室就看到教室后的墙壁上贴满了奖状,看的出来这个班级在学校里也是相当活跃的,学校里评选的各个之星,几乎7班也每个都有份.班上同学的性格很活泼,几天相处下来,就建立起了不错的关系,谈谈班级同学,日常琐事,甚至也有同学会来找我解答问题,谈谈理想,也让自己渐渐有了的确是个老师了的觉悟. ????听课.实习的必经阶段,听课不仅能够学习带教老师的教学方法,也能熟悉自己将要教学的班级.高中阶段的英语课程与大学里大不相同,尽管自己以前高中时也上过牛津的教材,现在的教学要求又有新的变化,也因老师的不同,教学方法上有很大的差异.带教的王老师教态相当严谨,备课很充分,听第一节课的时候就觉得整节课规划的很好,让学生知道这节课要完成的内容,就算有突发状况的发生,也能自行控制好时间等等.学校规定的听课是10节左右,自己基本上能去听的课都去了,为的是想了解整个章节上课的完整过程,每个部分都有不同的上课手段和形式,都是值得学习的地方.大学里所学的英语教学法课程,提及不少教学
SECTION 1. IDENTIFICATION OF THE SUBSTANCE/MIXTURE AND OF THE COMPANY/UNDERTAKING 1.1Product Identification:Secondary Lithium Ion Battery / EB-BG930ABE 1.2 Recommended Use:Lithium ion batteries contained in equipment 1.3 Applicant Name:/ 1.4 Applicant Address:/ 1.5 Manufacturer Name:/ 1.6 Manufacturer Address:/ 1.7 Manufacturer Tel / Fax :/ 1.8 Manufacturer Email :/ 1.9 Emergency Phone :/ SECTION 2. - HAZARDS IDENTIFICATIONS 2.1 Hazard Class: Class 9: Other dangerous goods- The battery 2.2 Pictograms: 2.3 Signal word: Warning 2.4 Hazard description: These chemicals are contained in a sealed can. Risk of exposure occurs only if the battery
is mechanically or electrically abused. 2.5 Precautionary description: Do not disassembly, do not exposed to fire or open flame or short circuit. Contact of electrolyte and extruded lithium with skin and eyes should be avoided. SECTION 3. HAZARDS IDENTIFICATIONS Substance name Conc. (%)CAS. Lithium cobaltate12190-79-335 Graphite7782-42-525~30 Polyvinylidene fluoride24937-79-9＜20 Carbon Black1333-86-40.5~3 Ethyl methyl carbonate623-53-05~15 SECTION 4. FIRST AID MEASURES 4.1 Following inhalation: Remove person to fresh air and keep comfortable for breathing. 4.2 Following skin contact: Remove contaminated clothes and rinse skin with plenty of water or shower for 15minutes. Get medical aid. 4.3 Following eye contact: Rinse cautiously with water for several minutes. Remove contact lenses, if present and easy to do. Continue rinsing. 4.4 Following ingestion: Give at least 2 glasses of milk or water. Induce vomiting unless patient is unconscious. Call a physician.
专业英语结课报告翻译：基于AT89S51单片机的电子万年历的设计 班级：10级电子信息统本01班 姓名：席宇康 学号：101102010128
摘要 本文借助电路仿真软件Protues对基于AT89S51单片机的电子万年历的设计方法及仿真进行了全面的阐述。该电子万年历在硬件方面主要采用AT89C51单片机作为主控核心，由DS1302时钟芯片提供时钟、1602LCM点阵液晶显示屏显示。AT89C51单片机是由Atmel公司推出的，功耗小，电压可选用4～6V电压供电；DS1302时钟芯片是美国DALLAS公司推出的具有涓细电流充电功能的低功耗实时时钟芯片，它可以对年、月、日、星期、时、分、秒进行计时，还具有闰年补偿等多种功能，而且DS1302的使用寿命长，误差小；数字显示是采用的LED液晶显示屏来显示，可以同时显示年、月、日、星期、时、分、秒等信息。此外，该电子万年历还具有时间校准等功能。在软件方面，主要包括日历程序、时间调整程序，显示程序等。所有程序编写完成后，在Keil软件中进行调试，确定没有问题后，在Proteus软件中嵌入单片机内进行仿真。 论文主要研究了液晶显示器LED及时钟芯片DS1302，温度传感器DS18B20与单片机之间的硬件互联及通信，对数种硬件连接方案进行了详尽的比较，在软件方面对日历算法也进行了论述。 研究结果表明，由于万年历的应用相当普遍，所以其设计的核心在于硬件成本的节约软件算法的优化，力求做到物美价廉，才能拥有更广阔的市场前景。 关键词：单片机；DS1302；LED 绪论 随着社会、科技的发展，人类得知时间，从观太阳、摆钟到现在电子钟，不断研究、创新。为了在观测时间的同时，能够了解其它与人类密切相关的信息，比如温度、星期、日期等，电子万年历诞生了，它集时间、日期、星期和温度功能于一身，具有读取方便、显示直观、功能多样、电路简洁等诸多优点，符合电子仪器仪表的发展趋势。伴随着电子技术的迅速发展，特别是随大规模集
英语专业实习调查报告 在大学，英语专业的理论学习仅限于课本知识，同学们可以在实习中尝试把所学知识运用到实践中去。下面是小编为您收集整理的英语专业实习调查报告范文，欢迎阅读与参考。 英语专业实习调查报告(一) 实习的目的和意义: 对学生已学部份理论知识进行综合运用的培训,加强学生对社会和了解,培养和训练学生认识,观察社会以及分析解决问题的能力, 提高学生的专业技能,实习可以学到书本外的知识和能力,开阔视野, 是一扇认识和观察社会的窗口,可以提高听说能力,可以培养合作沟通能力,有助于发现自身专业及能力方面的不足,明确以后改进的方向. 社会实践方式: 学校组织. 社会实践的时间地点:20xx年.锦汉展览馆 实习对于大学生来说是非常有必要的,虽然自己在进入大学前也有过好几年的工作经验,但并没有这种有组织有目的的实践经历,所学商务英语专业和实习地为交易会对自己来说也都算是新的领域.于XX年秋在锦汉展览的实习虽然是短短的二十几天,但却经历了一个完整的工作历程.我觉得在这次实习中有很多新的体会和感受. 首先,对于交易会有了一个整体的认识.交易会在促进商品出口方面起着重大的作用.交易会这种活动的本身带动
了国内经济发展，尤其是广州经济.它作为一个窗口展现在国外人士面前,除了经济上的互动还有文化,技术,知识各方面的互动,商品附上了民族文化气息.此次实习,扩宽了我们的视野,扩展了知识面,更有利于我们之后学习各国文化的理论课程.不同肤色的人,不同的服饰带着不同的风情,兀自成为一道风景,又以汇合的笔墨构成一幅风景图.让我对世界融炉字样产生了遐想.我喜欢上了这流动的画面,这变换的色彩. 工作的总体职责是： 1. 按时参加班前(后)会，服从主管工作安排，及时汇报情况。 2.上岗前检查岗位设备设施是否正常运作，如发现设备有异常，应及时报告主管人员：提出前配备好所需物品，作好充分准备。 3.留意当天的特别事项，总结情况，与交班人员做好交接班工作，填写好意见登记本，并及时向小组长或主管人员反映。 4.同时每个人都应肩负起“八大员”职责： 1)导展员：正确介绍展览会信息。 2)客服员：及时准确的解决客户的问题。 3)消防员：及时消除火灾隐患。 4)保安员：随时肩负起展馆、人员及财务的安全责任。
Cell or Battery Related English Vocabulary prepared by Jackie, QQ:58805359 ID电池术语英文翻译备注1放电discharge 2极耳弯折tab bending 3解剖disassemble 4性能测试performance Testing 5倍率rate 6倍率放电discharge rate capabilities 7电流current 8电压voltage 9内阻impedance 10容量capacity 11循环寿命cycle Life 12半成品Semi-manufactured 13电池组pack 14电解液electrolyte 15废料flotsam 16负极片negative electrode 17钢芯pin 18极组jellyroll(J/R) 19铝箔aluminum foil 20冒盖cover board 21石墨graphite 22铜copper 23铜箔copper foil 24正极片positive electrode 25工艺科Technics Department 26机电科electromechanical Department 27品质科quality department 28生产科Production Department 29浆料桶slurry bucket 30碾压机compression rollers 31封口曲线crimping curve 32腐蚀erode 33供应商supplier 34控制方法control measures 35室温room temperature 36注释comments
Mixing(配料) Mix solvent and bound separately with positive and negative active materials. Make into positive and negative pasty materials after stirring at high speed till uniformity. Coating（涂布） Now, we are in coating line. We use back reverse coating. This is the slurry-mixing tank. The anode（Cathode）slurry is introduced to the coating header by pneumaticity from the mixing tank. The slurry is coated uniformly on the copper foil, then the solvent is evaporated in this oven. There are four temperature zones, they are independently controlled. Zone one sets at 55 degree C, zone two sets at 65 degree C, zone three sets at 80 degree C, zone four sets at 60 degree C. The speed of coating is 4 meters per minute. You see the slurry is dried. The electrode is wound to be a big roll and put into the oven. The time is more than 2 hours and temperature is set at 60 degree C. Throughout the coating, we use micrometer to measure the electrode thickness per about 15 minutes. We do this in order to keep the best consistency of the electrode. Vocabulary: coating line 涂布车间 back reverse coating 辊涂 coating header 涂布机头 Al/copper foil 铝/铜箔 degree C 摄氏度 temperature zones 温区 wind to be a（big）roll 收卷 evenly/uniformly 均匀 oven 烘箱 evaporate 蒸发 electrode 极片 Cutting Cut a roll of positive and negative sheet into smaller sheets according to battery specification and punching request. Pressing Press the above positive and negative sheets till they become flat. Punching Punching sheets into electrodes according to battery specification, Electrode After coating we compress the electrode with this cylindering machine at about 7meters per minute. Before compress we clean the electrode with vacuum and brush to eliminate any particles. Then the compressed electrode is wound to a big roll. We use micrometer to measure the compressed electrode thickness every 10 minutes. After compressing we cut the web into large pieces. We tape the cathode edge to prevent any possible internal short. The large electrode with edge taped is slit into smaller pieces. This is ultrasonic process that aluminum tabs are welded onto cathodes using ultrasonic weld machine. We tape the weld section to prevent any possible internal short. And finally, we clean the finished electrodes with vacuum and brush. Vocabulary: cylindering 柱形辊压 vacuum 真空 particle 颗粒 wound 旋紧卷绕 micrometer 千分尺 internal short 内部短路 slit 分切 ultrasonic 超声波 weld 焊接
实习报告 一、实习目的 以学习为主，理论联系实践。巩固应用英语专业的基本理论知识，提高口语表达能力以及随机应变能力，树立奋斗目标和规划将来。在实践中学习与人相处的技巧、团队协作精神、如何观察分析解决事情的能力等，综合提高个人素质以及实践能力，投入工作，融入社会。为梦想而拼搏。 同时，在实践中寻找自身不足之处以及改善的方法，找出书本知识同实践知识的共鸣点，不断的了解自我、改善自我、完善自我。以充分的准备正式踏入社会，锁定正确的方向进行远航。 二、实习内容 1、实习前期准备 根据自身树立的目标以及规划，寻找实习单位，分析单位的性质以及潜力，同时分析自身条件是否适合从事此份工作以及是否喜爱这份工作。通过对公司和个人的了解，在进入公司实习前，做好基本知识的巩固，调整好心态以及自身角色。 通过以上的准备，我确定我的目标是进入一家数码商务公司进行实习，从一个小员工做起，学习从小事做到大事。处理好客户、同事、上司的种种关系，不自欺自傲，以自身目标、道德为主。
我了解到我即将面试的这家公司是一家从事批发零售手机、笔记本、电脑周边配件、手机保护壳、移动电源的商务公司。属于小型商务公司，这家公司名为炬信科技，对员工要求比较特别，老板认为进入这家公司就像进入一个大家庭，要学会如何在家庭中寻找自己的位置以及价值。价值不一定是金钱的利益，还有亲情、友情。这也是我选择这家公司的重要点。因为团结才能成功，因为有爱才有价值。为了能顺利通过面试，进入这家公司，我也做了许多准备。首先，在大致了解公司的基础上，我也不断的复习英语专业中比较实用以及基础的知识。基础知识包括商务常用单词、句型的听写说，同时也加强自身的口语表达能力以及随机应变能力。做好一切前期准备，迎接面试。 2、实习面试 通过目标的确定以及对公司的了解，在面试前期需要准备相关材料以及简单的自我介绍，同时也要调整好心态，以最佳的状态回答面试官的种种问题。将自己最真实最优秀的一面在短短的几分钟展示出来。 此次面试分为三个阶段。第一个阶段是同公司主要管理人员进行一对一的面试，目的是了解面试者的基本常识能力、专业知识的学习情况以及工作应变能力，其中这项占据面试分数的30%，这一阶段通过后就进入下个阶段。第二阶段主要由公司部分员工，通过交流的形式进行面试，目的是了解
编号：YB-BG-0184 ( 实习报告) 部门：_____________________ 姓名：_____________________ 日期：_____________________ WORD文档/ A4打印/ 可编辑 英语专业见习报告精选(标准 版) The internship report allows us to understand the society in practice, open up our horizons, increase our knowledge, and lay a solid foundation for the society.
英语专业见习报告精选(标准版) 备注：实习报告是每个大学生必须拥有的一段经历，它使我们在实践中了解社会，让我们学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，受益匪浅，也打开了视野，增长了见识，为我们以后进一步走向社会打下坚实的基础。 【篇一】英语专业见习报告精选 作为一名即将毕业踏入社会的大学生，这次实习就像是上台前 的最后一次彩排，当我走进公司时那种激动而又紧张的心情不言而 喻。生怕会在工作中出现差错，然而现在看来所有在实习中出现的 困难，都是一笔珍贵的财富，警示着我在今后的工作中做得更好。 一、实习过程 开始实习之前，我多少有些心虚。因为我的许多朋友都有过假 期打工的经历。而作为一名英语专业的学生，这次的实习却是我的 第一次工作经历。从工作那天开始，我过着与以往完全不一样的生 活，每天在规定的时间上下班，上班期间要认真准时地完成自己的 工作任务，不能草率敷衍了事，我们肩上扛着的责任，不再只是对 自己了，而是对一个公司，所以凡是都要小心谨慎。 学校换成了公司，同学换成了同事，不再有自由支配的时间，
Alkaline batteries ：碱性电池 Capacitor batteries：电容电池 Carbon zinc batteries ：碳锌电池 Lead acid batteries：铅酸电池 Lead calcium batteries：铅钙电池 Lithium batteries ：锂电池 Lithium ion batteries ：锂离子电池 Lithium polymer batteries：锂聚合物电池 Nickel cadmium batteries ：镍镉电池Nickel iron batteries ：镍铁电池 Nickel metal hydride batteries ：金属氧化物镍氢电池/镍氢电池 Nickel zinc batteries：镍锌电池 Primary batteries ：原电池 Rechargeable batteries ：充电电池Sealed lead acid batteries：密封铅酸电池 Silver cadmium batteries ：银钙电池 Silver oxide batteries ：银氧化物电池 Silver zinc batteries：银锌电池 Zinc chloride batteries：银氯化物电池 Zinc air batteries：锌空电池 Environmental Protection batteries:环保电池 Lithium batteries ：锂电池 Lithium ion batteries ：锂离子电池 Lithium polymer batteries：锂聚合物电池 铅酸蓄电池 Lead-acid battery 起动铅酸电池 Lead-acid starter batteries 摩托车用铅酸电池 Lead-acid batteries for motorcycles 内燃机车用铅酸电池 Lead-acid batteries for disel locomotive 电动道路车辆用铅酸电池 Lead-acid batteries for electric road vehicles 小型阀控密封式铅酸电池 small-sized valve-regulated lead-acid batteries 航空用铅酸电池 Aircraft lead-acid batteries固定型阀控密封式铅酸蓄电池 Lead-acid batteries for stationary valve-regulated 铅酸电池用极板 plate for lead-acid battery 铅锭 lead ingots 牵引用铅酸电池 Lead-acid traction batteies 电解液激活蓄电池electrolyte activated battery更多电池资讯：https://www.doczj.com/doc/8f18056704.html,/ 电池产品认证指导网站： https://www.doczj.com/doc/8f18056704.html,/ekeyword.php?ekeyid=6vent valve 排气阀 filling device for pleral cells 电池组填充装置 negative electrode 负电极 negative plate 负极板addition reagent for negative plate 负极板添加剂 indicator 指示器 top cover 上盖 vent plug 液孔塞 expanded grid 扩展式板栅
盖板 cover board 底板 solepiece 钢珠 steel ball 压钢珠 press steel ball 防爆阀 valve preventing explosion 大电流(倍率)放电 discharge in high rate current 标称电压 Normal voltage 标称容量 normal capacity 放电容量 discharge capacity 充电上限电压 limited voltage in charge 放电下限电压 terminating voltage in discharge 恒流充电 constant current charge 恒压充电 constant voltage charge 恒流放电 constant current discharge 放电曲线 discharge curve 充电曲线 charge curve 放电平台 discharge voltage plateau 容量衰减 capacity attenuation 起始容量 initial discharge capacity 流水线 pipelining 传送带 carrying tape
welding the current collector 卷绕 wind 叠片 layer 贴胶带 stick tape 点焊 spot welding 超声焊 ultrasonic welding The terminating voltage in discharge of the battery is 3.0 volt. The limited voltage in charge of the battery is 4.2 volt. 三元素 Nickle-Cobalt-Manganese Lithium Oxide three elements materials 钴酸锂 Cobalt Lithium Oxide 锰酸锂 Manganese Lithium Oxide 石墨 graphite 烘箱 oven 真空烘箱 vacuum oven 搅拌机 mixing device vacuum mixing device 涂布机 coating equipment 裁纸刀 paper knife ,,,,,,cutting knife 分条机 equipment for cutting big piece to much pieces 辊压机 roll press equipment 电阻点焊机 spot welding machine 超声点焊机 ultrasonic spot welding machine 卷绕机