《电子技术2》复习习题
一、单项选择题
1．下列四个数中最大的数是( B )
A.(AF)16
B.(001010000010)8421BCD
C.(10100000)2
D.(198)10
2．将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为（B）
A.(01000011)2
B.(01010011)2
C.(10000011)2
D.(000100110001)2
3．N个变量的逻辑函数应该有最小项（C）
A.2n个
B.n2个
C.2n个
D. (2n-1)个
4．下列关于异或运算的式子中，不正确的是( B )
A⊕=0
A.A⊕A=0
B.A
C.A⊕0=A
D.A⊕1=A
5．下图所示逻辑图输出为“1”时，输入变量（C）
ABCD取值组合为
A．0000
B．0101
C．1110
D．1111
6．下列各门电路中，( B )的输出端可直接相连，实现线与。
A.一般TTL与非门
B.集电极开路TTL与非门
C.一般CMOS与非门
D.一般TTL或非门
7．下列各触发器中，图( B )触发器的输入、输出信号波形图如下图所示。
8．n位触发器构成的扭环形计数器，其无关状态数有( B )个。
A.2n-n
B.2n-2n
C.2n
D.2n-1
9．下列门电路属于双极型的是( A )
A.OC 门
B.PMOS
C.NMOS
D.CMOS 10．对于钟控RS 触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS 信号应为( A ) A.RS=X0 B.RS=0X C.RS=X1 D.RS=1X 11．下列时序电路的状态图中，具有自启动功能的是( B )
12．多谐振荡器与单稳态触发器的区别之一是( C ) A.前者有2个稳态，后者只有1个稳态 B.前者没有稳态，后者有2个稳态 C.前者没有稳态，后者只有1个稳态
D.两者均只有1个稳态，但后者的稳态需要一定的外界信号维持 13．欲得到D 触发器的功能，以下诸图中唯有图（ A ）是正确的。
14．时序逻辑电路的一般结构由组合电路与（ B ）组成。 A ．全加器 B ．存储电路 C ．译码器
D ．选择器
15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ B ） A.B A B A +++ B.B A B A +++ C.B A B A +
D. B A B A +++
16．图示触发器电路的特征方程Q n+1 =（ A ） A.T n
Q +n Q T B.Q T +TQ n C.n Q
D.T
17．图示ROM阵列逻辑图，当地址为A1A0=10时，该字单元的内容为（C ）
A.1l10
B.0111
C.1010
D.0100
18．多谐振荡器有（C）
A.两个稳定状态
B.一个稳定状态，一个暂稳态
C.两个暂稳态
D.记忆二进制数的功能
二、填空题
1．计算机内部使用的数字符号只有____0和1两个____ 。
2．将十进制数175转换成二进制数为___10101111__ 。
3．二进制数(111010010)2转换成十六进制数是_____（1D2）16____。
4．如采用奇校验传送的数据部分为0111001，则所加校验位应为__1___。
5．逻辑函数F=A+A B可化简为__A+B__。
6．写出题22图示电路输出函数F的表达式F=______A_______。
7．TTL门的输入端悬空，逻辑上相当于接_____高______电平。
8．逻辑电路按其输出信号对输入信号响应的不同，可以分为___组合逻辑电路与时序
逻辑电路___两大类。
9．由n个变量构成的任何一个最大项有_2n-1_____种变量取值使其值为1。
10．正逻辑的或门可以是负逻辑的__与__门电路。
11．钟控触发器按逻辑功能可分为_ RS,D,JK,T触发器_____等四种。
12．时序逻辑电路在任一时刻的稳定输出不仅与当时的输入有关，而且_ 还与过去时刻的电路状态有关___。
13．逻辑函数F=A+A B 可化简为__A+B__。
14．逻辑函数F=A B +A B 的对偶函数F ′=_))((B A B A ++__。
15．RS 、JK 、D 和T 四种触发器中，唯有__RS___触发器存在输入信号的约束条件。 16．构成一个模6的同步计数器最少要__3__个触发器。
17．门电路中衡量带负载能力的参数称为___扇出系数N 0_____ 。 18．正逻辑的或非门电路等效于负逻辑的__与非门____电路。 19．图示触发器的特征方程为
___A Q Q n n +=+1
_____ 。
20．n 位触发器构成的环形计数器，也是一个___n___ 分频电路。 21．存在空翻现象的触发器是_ 电位式__触发器。
22．组成一个模为60的计数器，至少需要____6____个触发器。
三、计算化简题
1.用卡诺图法化简函数F(A ，B ，C ，D)=BC+D+D B C (+)(AD+B),求出最简“与或”表达式。 解：
2.用卡诺图法化简函数F(A ，B ，C ，D)=∑m(1,5,6,7,11,12,13,15)，求出最简“与或”表达式。 解：
3．将逻辑函数F化简为最简“与或”表达式。
()C B A)C
F+
+
=
C,B,A
+
B
B
(A
A
C
()
解：
4．(1)用代数法将函数F化为最简与或式。
F=(A+B))(A+B)(A+B)+ABC(A+B+C)
(2)用卡诺图法化简函数P。
B(A
D
P+
+
=
+
+
A
D
A D)
D)
A
(C
B
C
解：
5．试写出图所示ROM阵列逻辑图输出函数F l、F2的表达式，并说明分别与什么门电路的逻辑功能等效。(3分)
解：
6.分析下列逻辑电路，写出输出函数F的表达式。a,b,c有哪些取值组合使F为1。
解：
四、分析设计题
1.分析下图所示逻辑电路的功能，并请用异或门完成该功能。
解：
2.分析下图所示的PLA阵列逻辑图，设A1A0，B1B0均为两位二进制数，写出输出函数
表达式，且说明该电路功能。
解：
3.分析下列ROM阵列逻辑图。请写出函数F1、F2的表达式。
解：
4.试用较少的与非门和非门设计一个两位二进制数平方器，并画出逻辑图。输入变量
AB表示一个两位二进制数，输出WXYZ为四位二进制数。输入端只提供原变量。
解：
状态转换图，说明逻辑功能。
6．已知输入信号A、B、C及输出函数P1，P2的波形如图所示。试列出函数P1，P2的真值表及表达式，并用3-8译码器74LSl38及必要的门电路产生函数P1、P2。(8分)
7．试分析图示时序逻辑电路，写出驱动方程、状态方程和输出方程。画出当X=l时的状态图。并说明此时该电路的功能。设触发器的初态为00。(8分)
解：
《模拟电子技术》复习试题一 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式， T接成共基 1 组态， T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏 2 置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ， 相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极 1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601.06===B C I I β， 985.01≈+=β βα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R应如何接入？（在图中连接） f 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
1．硅二极管的导通电压为 伏；锗管死区电压是 伏。 2．为了消除乙类互补功率放大器输出波形的______________失真，而采用________________ 类互补功率放大器。 3．晶体三级管中有两个PN 结，其中一个PN 结叫做 ；另一个叫做 。 4．按照组合方式的不同，三极管可以分为 和 两类。 5．十进制数35转换成二进制数为 。二进制数10110010转换成八进制数为 。 6．晶体三极管共发射极交流放大系数β的定义表达式为 ，直流电流放大系数β的定义表达式为 ；晶体三极管I E 、I C 、I B 之间的关系式是 。 7．下图中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别是7V 和13V ，稳定电流是10mA ，允许的最大工作电流是30 mA ，正向导通压降0.7V ，图中的输出电压为______V 。 4 32DZ1 DZ2 V 2K + _ Uo (a) DZ1DZ2 V 2K + _Uo DZ1DZ2 40V 2K + _ Uo (c) (d) DZ1 DZ2 40V 2K + _ Uo (b) 8．单相半波可控整流电路，电阻性负载，控制角α=600 ，则晶闸管导通角θ等于 。 9．门电路中，最基本的逻辑门是 、 和 。 10. RC 微分电路的作用是把矩形波变成 ，RC 积分电路的作用是把矩形波变 成 。 11．P 型半导体中空穴为_________载流子，自由电子为________载流子。 12．PN 结正偏时_______，反偏时________，所以PN 结具有________导电性。 13．当双极型晶体三极管工作在放大区时，偏置电压应满足发射结________，集电结_______________。 14．为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用_______________负反馈，为了稳定交流 输出电流采用______________负反馈。 15．为了消除乙类互补功率放大器输出波形的______________失真，而采用 ________________类互补功率放大器。 16．某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的放大倍数为_______。 17．十进制数67转换成二进制数为 。二进制数11111010转换成八进制数为 。 18．门电路中，最基本的逻辑门是 、 和 。 A =100 X o F =0.09 X i
第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
《电路与电子技术基础》参考解答 习题一 1-1 一个继电器的线圈，电阻为48Ω，当电流为0.18A 时才能动作，问线圈两端应施加多大的电压？ 答：根据欧姆定律可得：U=IR=0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 答：由电路的功率计算公式可知：P=UI ，所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解：（1）图(a)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周，电压方程式为： -6+4I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =2(-I)=-2V （或者U ac =-6+4I=-2V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =4V # 所以：U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # （2）图(b)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，与(a)同理在回路中列出电压方程为： -3+1I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =1(-I)=-1V （或者U ac =-3+2I=-1V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =8V 所以：U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示，求 （1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程； （2）求出电流 （3）求U ab 及U cd 解：（1）假设电流的参考方向如图所示，对于db 支路，因为不构成回路，支路电流等于零， U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为：2I+12+1I+2I+2I+1I-8+2I=0 得：10I+4=0 # （2）求电流 由上面得回路电压方程式得： )A (4.010 4 -=- =I # 6V I 2Ω a 4Ω b c 4V 2Ω (a) I 1Ω 2Ω 3V c a 8V 5Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 I 12V 1Ω 2Ω 10V 2Ω a b c d 4Ω 2Ω 2Ω 8V 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图
第一章 思考题与习题 1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成 的？ 1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的 二极管有何异同？ 1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？ 1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电 流放大倍数的关系是什么？ 1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？ 1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算 u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。 解： 由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0； 当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω ∵exp(U i / U T )>>1 ∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω (a) (b) 图 P1-1 图P1-2 ＋ － u i D i
1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ， U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：U ＝3.3V>>100mV ， I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA 1.1 2. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、 反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。 解： 1.13. 如图P1-5所示电路，设二极管为理 想二极管(导通电压U D =0，击穿电压U BR =∞ )，试画出输出u o 的波形。 解： 5V u 1 t u 2 t 5V 图P1-4(a) 图P1-4(b) ＋ D1 u 1 u o R u 2 D2 P1-5 R ＋ － u o D 2 D 1 D 3 D 4 图P1-3 ＋ － u i D R C U 4.7V u 0 t u o t
第10章电子电路中常用的元件习题参考答案 一、填空题： 1. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。 2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为0.7 V和0.3 V。 3. 晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域饱和区、放大区和截止区。晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。 4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。 5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。 6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体，其多子为空穴。 7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料PNP型三极管。 8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。 二、判断题： 1.在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（对） 2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错）
3. 用万用表测试晶体管好坏时，应选择欧姆档中比较大的量程。（错） 4. PNP管放大电路中，U CC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。（错） 5. 晶体管可以把小电流放大成大电流。（对） 6. 晶体管可以把小电压放大成大电压。（错） 7. 晶体管可用较小电流控制较大电流。（对） 8. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流I ，则该管被击穿。（错） CM 9. 二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 三、选择题： 1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（B）。 A、发射结正偏，集电结反偏； B、发射结反偏，集电结反偏； C、发射结正偏，集电结正偏； D、发射结反偏，集电结正偏。 2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3. 稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（B）。 A、PNP管，CBE； B、NPN管，ECB； C、NPN管，CBE； D、PNP管，EBC。 5. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
一、单项选择题（每题2分，共20分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．图示电路中，E 、I K 均为正值时，其工作状态是（ B ） A ．两者均输出功率 B ．电压源输出功率 C ．电流源输出功率 D ．两者均不输出功率 2．直流电路如图所示，下列求功率的式子中正确的是（ D ） A ．R 1的功率1 2 1R U P = B ．R 1的功率P 1=UI 1 C ．R 3的功率P 3=I 2R 3 D ．R 3的功率3 2 3R U P = 3.理想电流源的电流（ D ） A.与外接元件有关 B.与参考点的选取有关 C.与其两端电压有关 D.与其两端电压无关 4 .题4图所示电路中，a 点电位等于（ C ） A.1V B.11V C.4V D.6V 5.题5图所示电路中A 、B 两端的电压U 为（ B ） A.5V B.3V C.7V D.0V 6.已知某正弦交流电压：U=220V ，f=50Hz ，初相为60°，则其正确的瞬时表达式为（ D ） A.u=220sin(50t+60°)V B.u=220sin(314t+60°)V C.u=311sin(50t+60°)V D.u=311sin(314t+60°)V 7.在关联参考方向下，电容元件的电流与电压之间的伏安关系为（ A ） A.i=C dt du B.u=C dt di C.i=-C dt du D.u=-C dt di 8.题8图所示电路中ω=2rad/s ，ab 端的等效阻抗Z ab 为（ C ） A.(1-j1.5)Ω 4题图 5题图
第一章习题解答 题 电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。设二极管是理想的。 解： 分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为～。锗管的导通压降为～。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。 分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。 图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位 N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当 于短路。所以 V U AO 6-=； 图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N P U U < ∴ VD 处于反偏而截止 ∴ V U AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时 ∵ V U P 01= V U N 121 -= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U < ∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止 V U AO 0=； 或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起 ∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位 V U AO 0=，
试卷号2439 中央电大数控专业《电工电子技术》期末考试复习指导 重庆电大经贸学院韦济全整理 作业与自我检测题： 电工电子技术课程涉及面广泛，既包括强电又包括弱电，是数控技术专业重要的电类基础课。它不仅在电学基础知识方面对后续课程的学习奠定了基础，同时电工电子技能训练又是数控专业技能训练的重要铺垫，因此学好这门课程是极其重要的。为帮助同学们在学习过程中以基本教学要求为导向，突出重点内容的掌握，特编写作业与自我检测题。有关说明如下： （1）作业与自我检测题体现本课程的重点教学内容。 （2）作业与自我检测题，尽量避免不必要的求证题、推导题和繁复的计算题。 （3）题目形式与考试试题形式大致相同，其目的是使学生在掌握基本教学要求的前提下，增强应试能力。 （4）作业题均给出解题步骤和参考答案，帮助同学们自我检测。 复习题： 一、单项选择题 1、图1所示电路中电流I为( B )。 A．5A B．-15A C．-5A 2、图2所示是某电路中某一支路的电压“和电流i的波形，可以判断该支路（A）。 A．电阻电感串联电路 B．电阻电容串联电路 C．纯电感电路 3、已知交流信号源的内阻为1000Q，通过一个变压比可调的变压器接10Q的负载R要使负载获得最大功率，变压器的变压比走为(B )。 A．100 B．10 C．20 4、已知一电感性电路，功率因数为0．6。其两端并联一电容器后，功率因数提高到O．9，则其总电流( C )。 A．不变 B．增大 C．减小 5、在三相电路里，下列三种结论中，正确的是(C )。 A．当负载做星形连接时，必定有中线 B．凡负载作三角形连接时，其线电流必定是相电流的√可倍 C.三相四线制星形连接下，电源线电压必定等于负载相电压的万倍。 6、既要使放大电路具有稳定输出电压的作用，又要提高其输入电阻，应采用下列( C ) 种反馈形式。 A．电流并联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电压串联负反馈 7、描述逻辑功能的方法是(A )。 - A可用真值表、逻辑图、表达式三种方法中的任何一种 B．只能用真值表、逻辑图两种方法中的任何一种 C．只能用真值表、表达式两种方法中的任何一种’ 8、JK触发器具有( C )功能。 A．置位、复位、保持B．置位、复位、翻转C．置位、复位、保持、翻转
简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。
34.如图2.5所示的功率放大电路处于乙类工作状态；其静态损耗为0 ；电路的最大输出功率为L CC R V 2 2 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的0.2倍。 35.差分电路的两个输入端电压分别为U i1=2.00V，U i2=1.98V，则该电路的差模输入电压U id为0.02V，共模输入电压U ic 为1.99V。 36．直流通路是指在直流电源作用下直流电流流经的通路，交流通路是指在信号源作用下交流电流流经的通路。画直流通路时电容可视为开路，电感可视为短路；画交流通路时容量大的电容和无内阻的直流电压源可视为短路。 37.共射放大电路的特点是电压放大倍数较大，共集放大电路的特点是输入电阻较大。 三、问答题 1．什么是非线性失真？说明产生非线性失真的原因。分别说明静态工作点偏高和偏低时会产生什么失真。 答：（1）非线性失真是指由于三极管的非线性特性所引起的失真。 （2）产生的原因：静态工作点设置不合适。 （3）静态工作点设置偏高时会产生饱和失真。 （4）偏低时会产生截止失真。 2．什么是放大电路的直流通路？什么是放大电路的交流通路？说明画直流通路和交流通路的方法。 答：（1）直流通路：直流电流流过的通路。 （2）交流通路：交流电流流过的通路。 （3）画直流通路的方法：电容开路。（若有电感，则电感短路） （4）画交流通路的方法：电容短路，令直流电源电压=0。 3．负反馈能改善放大电路的哪些性能？ 答：负反馈改善放大电路的性能：稳定放大倍数；改善非线性失真；抑制环内干扰和噪声；改变输入电阻；改变输出电阻；展宽通频带；稳定被取样对象。 4. 判断图3.1所示电路级间反馈的反馈极性、反馈组态。 答：RF1——电压串联负反馈；RF2——电流并联负反馈 5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是什么？起振条件是什么? V 12 + i U + - F2 R Ω 7k 4 c1 R e1 R Ω .5k 1 + c2 R e2 R Ω k2 L R - o U 1 VT 2 VT + + F1 R Ω 0k 3 1 C 2 C 图3.1
【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示
3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????
习题十二 12-1 写出题图12-1所示逻辑电路输出F 的逻辑表达式，并说明其逻辑功能。 解：由电路可直接写出输出的表达式为： 301201101001301201101001D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A F +++==??? 由逻辑表达式可以看出： 当A 1A 0=00 F =D 0 A 1A 0=01 F =D 1 A 1A 0=10 F =D 2 A 1A 0=11 F =D 3 这个电路的逻辑功能是，给定地址A 1A 0以后，将该地址对应的数据传输到输出端F 。 12-2 组合逻辑电路如题图12-2所示。 （1）写出函数F 的表达式； （2）将函数F 化为最简“与或”式，并用“与非”门实现电路； （3）若改用“或非”门实现，试写出相应的表达式。 解：（1）逻辑表达式为：C A D B D C B A F += （2）化简逻辑式 C A D B D B C A C A D B D C A D B C A D C B BC A C A D B A C A D B D C B A C A D B D C B A F +=+++++=++++++=++++=+=?)1()1())(()( 这是最简“与或”表达式，用“与非”门实现电路见题解图12-2-1，其表达式为： C A D B F ?= （3）若用“或非”门实现电路见题解图12-2-2，其表达式为： C A D B C A D B C A D B C A D B F +++=+++=++=+=))(( 由图可见，对于同一逻辑函数采用不同的门电路实现，所使用的门电路的个数不同，组合电路的速度也有差异，因此，在设计组合逻辑电路时，应根据具体不同情况，选用不同的门电路可使电路的复杂程度不同。 A A 3210 题图12-1 习题12-1电路图
《电路与电子技术基础》参考解答 习题七 7-1 什么是静态工作点？如何设置静态工作点？若静态工作点设置不当会出现什么问题？估算静态工作点时，应根据放大电路的直流通路还是交流通路？ 答：所谓静态工作点就是输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些直流电流、电压的数值在三极管特性曲线上表示为一个确定的点，设置静态工作点的目的就是要保证在被被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。 可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点。 若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 估算静态工作点是根据放大电路的直流通路。 7-2 试求题图7-1各电路的静态工作点。设图中的所有三极管都是硅管。 解：图(a)静态工作点 V R I U U mA I I A mA I c c cc ce b c b 3.14101107.9247.9194.050194194.0101207.024333=???-=-==?===≈?-= -βμ 图(b)和图(c)的发射结反向偏置，三极管截止，所以I b =0，I c =βI b ≈0，三极管工作在截止区，U ce ≈U cc 。 图(d)的静态工作点 )1.3712(]10)212(1065.212[)]()6(6[65.226026.0165.21027.06333--=?+??--=+----≈=≈=≈+==?-=-e c c ce e c e b e R R I U mA I I A mA I I mA I μβ 依此I c 电流，在电阻上的压降高于电源电压，这是不可能的，由此可知电流要小于此值，即三极管工作在饱和状态。 图(e)的静态工作点 V R I U U mA I I I I mA I V U e e cc ce e b e c e B 3.161021085.3240475.01 8085.3185.31027.08810310)6030(2433333=???-=-==+=+=≈=?-==???+=-β +24V +12V +24V +6V -6V +24V R b R c R c R c 120k 1k 2k 2k R e R c R b 2 30k 2k 12k 60k β=50 β=20 β=100 R b β=100 β=80 3V 6V R e R b 1 R e 2k 30k 2k (a) (b) (c) (d) (e) 题图7-1 习题7-2电路图