MEMS 硅膜电容式压力传感器的基本原理和结构设
计
基本原理和结构
电容式压力传感器的基本结构如图1 所示。式中：ε0 为真空中的介电常数;t 为绝缘层的厚度;εr 为绝缘层的相对介电常数;g 为零载荷时电容器两极板之间的初始距离;ω（x，y）为极板膜的中平面的垂向位移。
由公式可知，外界压力通过改变电容的极板面积和间距来改变电容。随着压力慢慢增大，电容因极板间距减小而增大，此时电容值由非接触电容来决定;当两极板接触时，电容的大小则主要由接触电容来决定。
传感器的设计与制造
敏感薄膜是传感器最核心的部件，其材料、尺寸和厚度决定着传感器的性能。
目前敏感薄膜的材料多采用重掺杂p 型硅、Si3N4、单晶硅等。这几种材料都各有优缺点，其选择与目标要求和具体工艺相关。硅膜不破坏晶格，机