西安科技大学
高新学院
微电子专业实验报告
专业：微电子
班级：1001
：黄升
学号：1001050120
指导老师：王进军
设计软件：tanner软件
实验目的和要求：
1、掌握L-edit软件的基本设定和集成电路工艺和版图的图层关系。
2、根据性能和指标要求，明确设计要求和规则。
3、电路版图实现过程中电源线的走法。
4、掌握L-edit和S-edit仿真环境，完成异或门的仿真。
5、掌握LVS环境变量。
异或门版图的设计方法：
1、确定工艺规则。
2、绘制异或门版图。
3、加入工作电源进行分析。
4、与LVS比较仿真结果。
实验容：
完成COMS异或门版图设计，COMS异或门原理如下，要求在S-edit 中画出每一电路元件，并给出输入输出端口及电源线和地线。（一）异或逻辑关系式及真值表：F=A⊕B=A′B+ AB′
（二）原理图：
（三）版图：
（四）仿真分析：
Main circuit:Module0
.include“E:\ProgramFiles\tannerEDA\T-Spice10.1\models\m12_125.md M1 N3 A Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u
M2 F B N3 Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u
M3 F N3 B Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u
M4 N3 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u
M5 F B A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u
M6 F A B Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u
v7 Vdd Gnd 5.0
v8 B Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 200n)
v9 A Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 400n)
.tran In 800n
.print tran v(A) v(B) v(F)
End of main circuit:Module0
上升沿下降沿均10n
v8 B Gnd pulse(0.05.00 10In 10In 100n 200n) v9 A Gnd pulse(0.05.00 10In 10In 100n 400n)
*NODE NAMEALASES
* 1=Gnd(10.5,-12)
* 2=Vdd(12,37)
* 4=B(15,12)
* 5=A(5,13)
* 6=F(72,13)
.include“E:\ProgramFiles\tannerEDA\T-Spice10.1\models\m12_125.md M1 F B A Vdd PMOS L=2u W=22u $（68.5 25 70.5 30）
M2 3 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u $（44.5 25 46.5 30）
M3 F A M4 F B Gnd NMOS L=2u W=22u $（20.5 25 22.5 30）
M4 F B Gnd NMOS L=2u W=22u $（68.5 -3.5 70.5 1.5）
M5 3 A Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u $（44.5 -3.5 46.5 1.5）
M6 F 3 B Gnd NMOS L=2u W=22u $（21 -3.5 23 1.5）
v5 Vdd Gnd 5.0
v6 B Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 400n)
v7 A Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 200n)
.tran In 800n
.print tran v(A) v(B) v(F)