采购陶瓷电容器等多种电子元器件芯片物料，可以了解一下万联芯城，万联芯城为国内知名电子元器件分销商，坐拥大型现代化管理仓库，为全国各地多家终端生产企业提供一站式电子元器件服务。点击进入万联芯城
点击进入万联芯城
一、定义：由两金属极板加以绝缘物质隔离所构成的可储存电能的组件称为电容器。
二、代号：“C”
三、单位：法拉(F) 微法(uF) 纳法(nF) 皮法(pF)
1F=106 uF =109nF=1012 pF
四、特性：通交流、阻直流
因电容由两金属片构成，中间有绝缘物，直流电无法流过电容，但通上交流电时，由于电容能充放电所致，所以能通上交流
五、作用：滤波、耦合交变信号、旁路等
六、电容的串联、并联计算
1.串联电路中，总容量=1÷各电容容量倒数之和
2.并联电路中，总容量=各电容容量之和
七、电容的标示：
1.直标法：直接表示容量、单位元、工作电压等。如1uF/50V
2.代表法：用数字、字母、符号表示容量、单位元、工作电压等
如：“104”表示容量为“100000pF”
“Z”表示容量误差“+80% -20%”
“”表示工作电压“50V”
八、电容的分类
1.按介质分四大类
1).有机介质电容器(极性介质与非极性介质，一般有真合介质、漆膜
介质等)
2).无机介质电容器(云母电容器、陶瓷电容器、波璃釉电容器
3).电解电容器(以电化学方式形式氧化膜作介质，如铝Al2O3钽Ta2O5)
4).气体介质电容器(真空、空气、充气、气膜复合)
2.按结构分四大类
1).固定电容器2).可变电容器3).微调电容器(半可变电容器) 4).电解电容器
3.按用途分
1).按电压分低压电容器、高压电容器
2).按使用频率分低频电容器(50周/秒或60周/秒)和高频电容器(100K 周/秒)
3).按电路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干扰(X2)、储能、温度补偿等
电解电容(E/C)
一、概述
电解电容的构造是由阳箔、阴箔、电解纸、电解液之结合而成的，阳箔经化成后含有一高介电常数三氧化铝膜(Al2O3)，此氧化膜当作阳箔与阴箔间的绝缘层，氧化膜的厚度即为箔间之距离(d)，此厚度可由化成来加以控制，由于氧化膜的介电常数高且厚度薄，故电解电容器的容量较其它电容高。电解电容的实值阳极是氧化膜接触之电解液，
而阴箔只是将电流传屋电解液而已，电解纸是用来帮助电解液及避免阳箔、阴箔直接接触因磨擦而使氧化膜磨损。
即电解电容器是高纯度之铝金属为阳极，以阳极氧化所开氧化膜作为电介质，以液体电解液为电解质，另与阴极铝箔所构成之电容器。
二、基本结构：套管、铝壳、胶水或胶带、电解纸、电解液、阳极
箔、阴极箔、铝端子、封口橡胶盖。
三、特点：容量大、体积大、有极性。
四、用途：它且有极性，一般用于直流电路中作滤波、整流。
五、工作电压：6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、
160V、200V、300V、400V
工作温度：6.3V～100V(-40℃～+105℃)；100V 以上(-40℃～+85℃)
六、电气测试的四大参数：
1.静电容量(CAP)：电容器是用来储存电荷的组件，电容器所能
储存电荷之能力，称之为电容器的容量。
计算公式：C= εKS／1.8πd
式中：C表示容量；S表示金属片面积；K表示腐蚀系数；
d表示介质厚度(两金属片距离)；ε表示介电系数从公式可以看出：C与S成正比；C与d成反比。
测试条件：120HZ 0.25V 25℃单位“uF”或“F”“nF”
2.损失角(DF)：电容器在电场作用下，单位时间内因发热而消耗
的能量称之为DF。
测试条件：120HZ 0.25V 25℃一般用“%”表示
3.泄漏电流(LC)：阳箔化成膜如不遭破坏，则阳极与阴极间应没
有电流流过，而在实际生产中化成膜并非十分完整，常会受到
轻微的污染、磨损，致使两极间有一少许电流流通，此电流叫
泄漏电流。
计算公式：6.3V～160V 容量*电压*0.01 (单位uA)
160V以上容量*电压*0.03(不足3uA计算) 测试条件：加电压达到工作电压，充电1分钟，20℃环境
4.等效串联电阻(LOW ESR)：任何物体都存在一定的电阻
计算公式：ESR=DF/2πfc
公式中：ESR单位为Ω；f表示频率(100KHZ)；C表示容量(F)
测试条件：100KHZ 0.25V
七、电解电容的制作流程及流程中应注意事项
阳极箔使用厚度约50～100mm，纯度99.99%以上，阳极箔厚
20～60mm，纯度99.80%以上
(原箔不纯物含量过多时，氧
)
电蚀的目的在于增加铝原箔之有效面积，以增加其单位元面积
阳极电蚀铝箔置于化成液中，利用电气化学原理使阳极电蚀铝
箔表面生成气化膜，此过程称为化成。氧化膜厚度决定电容器两
极板间距离，故控制化成条件，可竿所容量，方式有：定电压化
成法及定电流上升定电压化成法。
硼酸化成液(适用于高电压化成) 化成液可分
磷酸系化成液(适用于150V 以下之低电压化成)
乙二酸系化成液(适用于低电压化成
)
氧化膜厚度与化成电压成正比，单位元面积电容量(化成电压成
反比)
不可有毛边(即毛刺)，会刺穿电解纸，发生短路或接触不良现
象
钉拉之铆钉花瓣应整齐规则，压紧应紧密，使铝箔与端子线间
(钉接阻抗)降至最低为理想，如钉接不良，会产生电容器
DF 值过大等严重不良后果(钉接阻抗需在0.5m Ω以
下)
阳极箔与阴极箔中间夹入宽度比铝箔稍宽之隔离纸，将其卷绕
大，卷钉应愈小愈好，否则会产生DF值偏大，CAP变小和不稳定等严重不良影响
电容器素子需保持适当而充分电解液量。含浸在制造过程中有
DF、LC、寿命试验等特性(含浸前素子先干燥)
铝壳组合，每利用封口机将
外观、静电容量、损失角、泄漏电流、等效串联电阻
陶瓷电容(C/C)
一、构造：在磁质电体及银电极所构成之素子电极上焊接导线而成，
以银面为两极，以银片为两极，以陶瓷为介质，以镀锡铜线为
引线，用绝缘涂料包封(主要材料为瓷片，绝缘涂料一般为酚醋
树脂)
二、特点：容量小、耐压高
三、按特性分类可分为四大类
I类：温度补偿类(DCT) II类：高诱电率类(DCH) III类：半导体类(DLS) IV类：中高压型(DHK)
四、陶瓷电容的表示：
1.如：Y5P－102/1KV－K
1).“Y5P”是指在使用温度范围内它的容量变化率
“Y”：表示温度范围为-30℃～+85℃
“5”：表示温度上限85℃
“P”：表示容量变化率±10%
那么，“Y5P”就表示在-30℃～+85℃使用温度范围内，容量变化率为±10%
A.温度特性使用范围及变化率
代号使用温度范围变化率
Z5V：+10℃～+85℃+22%～82%
Z5U：+10℃～+85℃+22%～56%
Y5V：-30℃～+85℃+22%～82%
Z5V：-30℃～+85℃+22%～56%
X7R：-55℃～+125℃±15%MAX(一般为积层电容)
B.SL：-25℃～+85℃+350～1000PPM/℃
(此类为温度补偿类，是以静电容在温度系数公称值及此公称值的容许误差来表示的。)
2).“102”是指容量：在25℃温度下所测出的容量，“102”即表
示“1000pF”
3).“1KV”指工作电压：是指规定之温度范围条件内能持续加诸
于电器而不致产生任何异常现象之最高电压而言。
4).“K”指容许误差：标称容量与实际容量之间有一定差别，这
偏差在容许范围内称容许误差，“K”表示“±10%”。另外常用的有“M”表示“±20%”、“Z”表示“+80% -20%”。
五、制作流程：
压片→烤瓷片→清洗→烘干→涂银→烘干→TEST.C.DF→引脚与瓷片组合→焊锡→涂装→烘干→烘烤→打印MARK→TEST.C.DF.耐压→打腊→包装入库
六、我司常用陶瓷电容有常说有一般陶瓷电容、Y电容、积层电容、
SMD电容
1.一般陶瓷电容有湿式与干式两种
湿式：瓷粉+水密度低低压颜色为土黄色
干式：中高压耐压好颜色为蓝色接近Y电容
干式陶瓷电容与Y电容的区别：
Y电容本体标示有安规符号；干式陶瓷电容未标示安规符号。
2.Y电容：即交流陶瓷电容，属于安规电容。特点是：安全性好
(对地跨接过高压时，对后面线路起保护作用)。
我厂所使用Y电容等级分Y1与Y2等级，区别首先看本体标示，一般Y1电容本体φ径较Y2本体φ径大。
3.积层电容：属陶瓷电容，不同之处：内部结构分层且紧密，目
的增大容量，温度特性为“X7R”
4.SMD电容：即为多层陶瓷电容器
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。 一、陶瓷电容器基础知识简介 1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。 2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。高频瓷介电容器适用于高频电路。 3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。 Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22% X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15% X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%
贴片电容贴片电容(单片陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 封装DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下 Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
陶瓷电容器的特性及选用 陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右，但由于许多人对其特性了解不足导致在使用上缺乏应有的重视。为达到部品使用的规范化和标准化要求，下面对陶瓷电容器的特性及我司使用中需要注意的事项做一概况说明： 一、陶瓷电容器特性分类： 陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用。陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器（1KV DC以上）和低压瓷介电容器（500V DC以下），现分述如下： 1．高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器） 该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压），目前我司常用的温度特性组别有CH（NP0）和SL 组，其常规容量范围对应如下： 表中温度系数α C =1/C（C 2 -C 1 /t 2 -t 1 ）X106（PPM/°C），是指在允许温度范围内，温度每变 化1°C，电容量的相对变化率。由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材
料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。因此当需要更高容量值的电容时，则只能在下面介绍的2类瓷介电容中寻找。 2、低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器） 该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压），其常用温度特性组别和常规容量范围对应如下： 中2R组为低损耗电容，由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。 对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器（亦称半导体瓷介电容器），例如：我司大量使用的26-ABC104-ZFX，但该类电容温度特性更差，绝缘电阻较低，只是因高介电材料，体积可以做得很小。因此只适用要求较低的工作电路。如选用较大容量电容，而对容量和温度特性又有较高使用要求，则应选用27类有机薄膜电容器。 3、交流瓷介电容器 根据交流电源的安全性使用要求，在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器，亦称Y电容，按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列，其用途和特性分类如下：
高压陶瓷电容知识大全 本文摘至网络，原作者不详，如原作者不愿公开请联系本人（hlg-1@https://www.doczj.com/doc/8714111855.html,）删除。 高压陶瓷电容、简介： 高压陶瓷电容器，即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，一般如电力系统的计量，储能，分压等产品中，都会用到高压陶瓷电容器。高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位，高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。 高压陶瓷电容、作用： 高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。 高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。 在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。 高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 因为电力系统的特殊性：交流电压高，高频，处于室外环境中(-40度到+60度)，雷击电压/电流大，等等各种因素，造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣，要求电容具有超强的稳定性，即变化率要小；同时，计量，储能，分压等产品要求高精密度，这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局部放电量有着极为苛刻的要求：局放为
零。 高压陶瓷电容、优点： 1.容量损耗随温度频率具高稳定性 2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性 3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构. 高压陶瓷电容、差别： ·高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比： 高压陶瓷电容的特点 1.不需要认证 2.超高压可以达到7KV在高就罕见了， 3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面， 4电压最低可以到16V 5，耐压最高2.5倍一般生产是1.5倍的标准测 A型材料的交流击穿电压特性外面用环氧树脂模压包封的陶瓷电容器的击穿电压厂。与间隙长G(圆片半径与电极半径之差)的关系。电容器的直径为18mm,材料介电常数为1460‘以下简称A材),电极为银电极。试验条件为25℃,施加50Hz交流电压,电压上升率为ZkV/s 高压瓷片电容特点： 常用于高压场合。 陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分， I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大； II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好； III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。 瓷片电容器一般体积不大。
陶瓷电容器 陶瓷电容器又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器，根据陶瓷材料的不同，这种电容器可分为容量为1～300 pF的低频瓷介电容器和容量为300～22000 pF的高频瓷介电容器两类。按结构形式分类，又可分为图片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。 陶瓷电容器的发展史 1900年意大利人L.隆巴迪发明了陶瓷介质电容器。30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容器。 1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将陶瓷电容器应用于既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。 而陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发，到了1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件。现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。 陶瓷电容器的特点
1、由于陶瓷电容的介质材料为陶瓷介质，所以耐热性能好，不易老化。 2、陶瓷电容能耐酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好。 3、低压陶瓷电容的介电常数大，体积小，容量大。 4、陶瓷电容绝缘性能好，耐高压。 5、陶瓷电容基本不随温度，电压，时间等变化而变化。 陶瓷电容器的分类 1、半导体陶瓷电容器 电容器的微小型化即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个：①使介质材料的介电常数尽可能提高；②使介质层的厚度尽可能减薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。 （1）表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度，根据形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案。
中高压电容器HIGH VOLTAGE MLCC 中高压多层片状陶瓷电容器是在多层片状陶瓷电容器的工艺技术、设备基础上，通过采用特殊工艺制作的一种具有良好高压可靠性的产品，该产品适合于表面贴装，适合于多种直流高压线路，可以有效的改善电子线路的性能。●应用范围 ※模拟或数字调制解调器 。※局域网/广域网接口界面。※日光灯启动辉器照明电路。※倍压电器。※直流变送器。※背光源驱动电路。 Middle & high voltage MLCC is a kind of special design 、special technology MLCC that bases on the technology of general MLCC. This kind of MLCC has stable high voltage reliability and suitable to SMT. Middle & high MLCC is widely applicable for many direct high voltage circuits in which it can improve the performance of the circuit. ●APPLICATIONS ※Analog & Digital Modems ※LAN/WAN Interface ※Lighting Ballast Circuits ※V oltage Multipliers ※DC-DC Converters ※Back-lighting Inverters 容量范围及其电压 单位/unit: pF 尺寸规格容量范围Capacitance Size Code 工作电压Rated V oltage NPO X7R Y5V 100V 0.5～820 150～10,000 2,200～68,000 200V 0.5～470 150～6,800 ---------- 0603 250V 0.5～470 150～6,800 ---------- 100V 0.5～1,500 150～33,000 10,000～100,000 200V 0.1～1,500 150～22,000 10,000～56,000 250V 0.1～1,500 150～22,000 10,000～56,000 500V 0.1～560 150～10,000 --------- 0805 1000V 0.1～100 --------- --------- 100V 0.5～3,300 150～100,000 15,000～330,000 200V 0.1～2,700 150～47,000 10,000～150,000 250V 0.1～2,700 150～33,000 10,000～150,000 500V 0.1～1,500 150～22,000 ---------- 1000V 0.1～1,000 150～5,600 ---------- 1206 2000V 0.1～270 150～1,500 -----------
哪些原因导致陶瓷高压电容器被击穿 作为高压电容家族中的重要成员，陶瓷高压电容器是目前被广泛应用的电容器种类之一。但是，这种高压电容却非常容易出现被击穿的情况。其实，造成陶瓷高压电容器被击穿的因素有很多，按照其导致的因素，可以将击穿情况分为电压击穿、热击穿、过电流击穿、电磁场强击穿等情况。在今天的文章中，我们就来与大家一起分析一下，导致陶瓷高压电容器击穿的现像是怎样产生的。 新晨阳电子 首先来看电压击穿情况。这是高压电容最容易出现的一种击穿情况，在应用中通常会表现为电容器表面破碎，陶瓷芯片出现开裂。导致这种击穿情况出现的原因，就在于高压电容器的承受电压的能力不够。往往是技术人员对电容器的电压安全余量把握不够，也就是说如果把电压降低一点，或者采用更高电压的高压电容器，这个问题就解
决了。以国家电网来讲，一般电压的安全余量会超过4倍。比如在10KV的电站里，所用到的电容器的电压，按国家标准，就必须能达到42KVAC保压2分钟，凡是低于这一标准的都是不合格产品。 新晨阳电子 接下来我们再来看一下高压电容中第二大高发的击穿现象，那就是热击穿。这种击穿情况一般多发生在高频脉冲电路中。一颗频率级别不够的陶瓷高压电容器用到了承受能力以外的电源里，明显会出现热击穿。这种击穿没有先兆，往往是一击即穿，或者脉冲几次很快就击穿了。导致这一问题的根本原因在于，电容器本身与电路设计要求的HZ级别不符，例如原本应该用2GHZ的电容器，却使用了2KKHZ 的电容器。甚至更低档次的产品。这样的后果直接是电容器一上机机即击穿。这种击穿很直接，因为脉冲频很强大，电容器往往被击得粉
碎。因为这是在一种极短的时间内，陶瓷芯片发生极为急剧的温度变化，这种变化是因为陶瓷不耐受高频引起的。这种瞬间的高温让技术人员措手不及，往往还容易错误地判断为电压不够。因为升温时间太短，没有发现升温现像。其实这时芯片是烫的。 不过，在实际应用的过程中，陶瓷高压电容器发生热击穿时还有一种不容易分辨的假相，需要工程人员特别注意。比如在产品在环境温度提升过程中，到一定值时，突然断路了。这时发现电容器外观是好的，极少数可能出现击穿现像，更多的一部分，则表现为电容器并没有击穿，只是换效而已。在温度降低后，它还会恢复到初始值以下。 相比较上面所提到的陶瓷高压电容的两种击穿现象，磁场击穿尽管发生的频率要低一些，但同样是需要我们认真对待的。高压电容器在强磁场下，发生击穿的现像也比较多。这种现像往往采取有效措施后可得到控制。或者改变电路结构也同样能够加以控制。
陶瓷电容器的用途 依照电容器的特性，其用途可分成如下几个大类。 1. 利用电容器的直流充放电 1) 产生瞬间大电流：因电容器的短路电流很大，所以它有如下用途： a) 放电加工机 b) 电容式点焊熔接机 c) 闪光灯的电源，如汽车方向灯、照相用闪光灯 d) 着磁机内着磁电流电源部份，其功用系使永久磁铁着磁 2) 产生直流高电压：将多段配置的电容器予以充电，则能产生很高的 直流，如图3-1，能够一段一段地加压上去，而达到很高的电压。 图3-1 图3-2 图3-3 3) 积分及记忆用：计算机的记忆回路或比较回路，常用RC （如图3-2） 来构成回路，以积蓄脉波至某种输出电位（0v ）。 ??==dt v RC idt c v i 110 这种电容器绝缘电阻要高，并且时间常数很长。 4) 吸收涌浪电压（Surge voltage ）：涌浪电压发生时，其电压势必超 过电容器两端的电压，因此该电压就很地被电容器所吸收，做为一个绶衡 的作用。电压过去了，电容器再慢慢地放出电流，以免电路被该电压所破 坏，完成保护的功用。 5) 消除火花：将电容器加于开关或继电器（Relay ）接点的两端，一旦 这开关或继电器动作而发生火花时，则该火花即被电容器所吸收，因此对 继电器和开关产生保护作用，如图3-3。 2. 利用其阻抗特性达成选择性的滤波（Filtering ）效果 1) 一般的电子机器都要用直流电压电源，因此外来的交流电源经过整 流之后即成直流电压，但波形不平均整，若如图3-4加上电容器之后，就 会使波形变得较为平整，若再加上电感L ，及后面一段的电容C ，则波形即
呈平整的直流电压。 2) 耦合作用（Coupling ）：图3-5是一般的放大电路，为了使用两个电 晶体1r T 及2r T 能正常的动作，我们对其三极（C ：集极Collector ；B ：基集 Base ；E ：射集Emitter ）所加的直流电压都不相同，因此我们不能把1C 和 2B 直接连上来。于是加入耦合电容器C C ，因电容器的阻抗c C fC X π21=，直流电源的f =0，则C X →∞，所以直流电通不过，1C 及2B 对直流偏压（Bias ） 而言不能相通。但交流信号可以通过电容器，所以信号就可由第一级传到 第二级。 图3-4 图3-5 3) 旁路作用（By-pass ）：图3-6是一般的电晶体放大电路。通常在射 极处与射极电阻并联一电容器（p C ）使对交流信号0=e R ，以提高交流信 号的增益，此电容器称之为旁路电容器。 设若该回路未加入旁路电容器p C ，则e R 为一负回授元件，即如图 3-7所示，对直流，负回授提高了偏压的稳定性，但对交流，负回授却大大 地减少了该放大器的增益。即： EG BG G E BG BE V V V V V -=+= 此EG V 即为负回授成份。
采购陶瓷电容器等多种电子元器件芯片物料，可以了解一下万联芯城，万联芯城为国内知名电子元器件分销商，坐拥大型现代化管理仓库，为全国各地多家终端生产企业提供一站式电子元器件服务。点击进入万联芯城 点击进入万联芯城
一、定义：由两金属极板加以绝缘物质隔离所构成的可储存电能的组件称为电容器。 二、代号：“C” 三、单位：法拉(F) 微法(uF) 纳法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性：通交流、阻直流 因电容由两金属片构成，中间有绝缘物，直流电无法流过电容，但通上交流电时，由于电容能充放电所致，所以能通上交流 五、作用：滤波、耦合交变信号、旁路等 六、电容的串联、并联计算 1.串联电路中，总容量=1÷各电容容量倒数之和 2.并联电路中，总容量=各电容容量之和 七、电容的标示： 1.直标法：直接表示容量、单位元、工作电压等。如1uF/50V 2.代表法：用数字、字母、符号表示容量、单位元、工作电压等 如：“104”表示容量为“100000pF” “Z”表示容量误差“+80% -20%” “”表示工作电压“50V” 八、电容的分类 1.按介质分四大类 1).有机介质电容器(极性介质与非极性介质，一般有真合介质、漆膜
介质等) 2).无机介质电容器(云母电容器、陶瓷电容器、波璃釉电容器 3).电解电容器(以电化学方式形式氧化膜作介质，如铝Al2O3钽Ta2O5) 4).气体介质电容器(真空、空气、充气、气膜复合) 2.按结构分四大类 1).固定电容器2).可变电容器3).微调电容器(半可变电容器) 4).电解电容器 3.按用途分 1).按电压分低压电容器、高压电容器 2).按使用频率分低频电容器(50周/秒或60周/秒)和高频电容器(100K 周/秒) 3).按电路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干扰(X2)、储能、温度补偿等 电解电容(E/C) 一、概述 电解电容的构造是由阳箔、阴箔、电解纸、电解液之结合而成的，阳箔经化成后含有一高介电常数三氧化铝膜(Al2O3)，此氧化膜当作阳箔与阴箔间的绝缘层，氧化膜的厚度即为箔间之距离(d)，此厚度可由化成来加以控制，由于氧化膜的介电常数高且厚度薄，故电解电容器的容量较其它电容高。电解电容的实值阳极是氧化膜接触之电解液，
电容器应用发展趋势 电容器是电子电路中的基本元件之一，有重要而广泛的用途。按应用分类，大多数电容器常分为四种类型：交流耦合，包括旁路（通交流隔直流）；去耦（滤除交流信号或滤除叠加在直流信号上的高频信号或滤除电源、基准电源和信号电路中的低频成分）；有源或无源RC滤波或选频网络；模拟积分器或采样保持电路（捕获和存储电荷）。 现在高速高密度已成为电子产品的重要发展趋势之一。与传统的PCB设计相比，高速高密度PCB设计面临不少新挑战，对所使用的电容器提出很多新要求，很多传统的电容器已不能用于高速高密度PCB。本文结合高速高密度PCB的基本特点，分析了电容器在高频应用时 主要寄生参数及其影响，指出了需要纠正或放弃的一些传统认识或做法，总结了适用于高 速高密度PCB的电容器的基本特点，介绍了适用于高速高密度PCB的电容器的若干新进展。 大量的理论研究和实践都表明，高速电路必须按高频电路来设计。对高速高密度PCB中使用的电容器，基本要求是高频性能好和占用空间小。实际电容器都有寄生参数。对高速 高密度PCB中使用的电容器，寄生参数的影响尤为重要，很多考虑都是从减小寄生参数的影响出发的。 然而，研究表明：电容器在高频应用时，自谐振频率不仅与其自身的寄生电感有关， 而且还与PCB上过孔的寄生电感、电容器与其它元件（如芯片）的连接导线（包括印制导线）的寄生电感等都有关系。如果不注意到这一点，查资料或自己估算的自谐振频率可能 与实际情况相去甚远。另外，在高频应用时，集肤效应和分布参数使连接导线的电阻明显 变大，这部分电阻实际上相当于电容器等效串联电阻的一部分，应一并加以考虑。 2 适用于高速高密度PCB 的电容器的基本特点 在高速高密度PCB设计中，虽然不同的具体应用对电容器的具体要求不尽相同，但大 多要求电容器具有以下基本特点。 ? 2.1 片式化 ?片式电容器的寄生电感几乎为零，总的电感可以减小到元件本身的电感，通常只是传统电容器寄生电感的1/3~1/5，自谐振频率可达同样容量的带引线电容器的2倍（也有资 料说可达10倍）。所以，高速高密度PCB中使用的电容器，几乎都选择片式电容器。 ? 2.2 微型化 ?片式电容器的封装尺寸由1206、0805 向0603、0402、0201 等发展、主流已由0603 过渡到0402。Murata Manufacturing 公司已经生产出 01005 的微型电容器［8］。微型化不仅满足了高密度的需要，而且可以减小寄生参数和分布参数的影响。 ? 2.3 高频化 ?许多现代电子产品的速度越来越高，计算机的时钟频率提高到几百兆赫乃至千兆赫，无绳电话的频率从45MHz 提高到2400MHZ，数字无线传输的频率达到2GHZ以上。因而信号及其高次谐波引起的噪声也相应地出现在更高的频率范围，相应地对电容器的高频性能 提出越来越高的要求。Vishay Intertechnology 公司的基于硅片的表面贴装RF 电容器的 自谐振频率已达13GHZ[9]。微型化的片式微波单层瓷介电容器（SLC）的自谐振频率已达 50GHZ[10]。 2 多功能化
中高压高频片式瓷介电容器 □△J□ QJB(M)/K+、QJB/K □CAST C □SAST □QJ□ G 、J、工业级
产品特点 执行总规范GJB192。 产品应用实物照片示意图 适用于航天、航空、船舶、兵器等的电子 设备中，作谐振、滤波器耦合、高频放大器、 低噪声电路等。 选型示例 SAST- CCK41L- 1210- CG- 300V- 102J – Z – SASTYPS0601/0004-2015 ①②③④⑤⑥⑦⑧ ①②⑧ 质量等级产品型号执行标准 △J国军标CCK41L ZZR(Z)-Q/RQ26034B-2009 QJB(M)/K+企军标(M)/K+CCK41L Q/RQ26031-2012 CAST C 简写CC CC41L CASTPSW02/008B-2013 SAST SAST CCK41L SASTYPS0601/0004-2015 QJ 企军标CCK41L Q/RQ26021A-2014 G 七专CC41L Q/HK26013-2012+QZJ840624 J、工业级普军、工业级CC41L Q/HK26013-2012 CASS A CASS A CCK41L CASS/08.1-2015+ZZR(Z)-Q/RQ26034B-2009 CASS A CASS A CCK41L CASS/08.1-2015+CASTPSW02/008B-2013 CASS B CASS B CCK41L CASS/08.1-2015+SASTYPS0601/0004-2015 CASS C CASS C CCK41L CASS/08.1-2015+Q/RQ26021A-2014 CASS C CASS C CC41L CASS/08.1-2015+Q/HK26013-2012 SAST-G SAST-G CCK41L ASTG0601-2015-001+ Q/RQ26021A-2014 SAST-G SAST-G CC41L ASTG0601-2015-001+Q/HK26013-2012+QZJ840624
电解电容与陶瓷电容：两种电容的不同作用 电解电容与陶瓷电容一般用在IC的电源与地之间,起滤波作用，陶瓷电容单独使用去耦作用，它的使用一般在IC中会有说明，其电解值的大小与IC所需电流大小有关,陶瓷取0.01uf。 电解电容 陶瓷电容 ? 如果我要用别的电容替代某个电容的时候，是必须容量和耐压值都要满足吗有的时候，发现很难两全其美。这时候能不能舍弃其中之一呢
滤波电容范围太广了，这里简单说说电源旁路(去藕)电容。 滤波电容的选择要看你是用在局部电源还是全局电源。对局部电源来说就是要起到瞬态供电的作用。为什么要加电容来供电呢是因为器件对电流的需求随着驱动的需求快。 基于以上的理论，计算电容量就要按照电容能提供电流变化的能量去计算。选择电容的种类，就需要按照它的寄生电感去考虑--也就是寄生电感要小于电源路径的分布电感。 讨论问题必须从本质上出发。首先，可能都知道电容对直流是起隔离作用的，而电感器的作用则相反。所有的都是基于基本原理的。那这时，电容就有了最常见的两个作用。一是用于极间隔离直流，有人也叫作耦合电容，因为它隔离了直流，但要通过交流信号。直流的通路局限在几级间，这样可以简化工作点很复杂的计算，二是滤波。基本上就是这两种。作为耦合，对电容的数值要求不严，只要其阻抗不要太大，从而对信号衰减过大即可。但对于后者，就要求从滤波器的角度出发来考虑，比如输入端的电源滤波，既要求滤除低频(如有工频引起的)噪声，又要滤除高频噪声，故就需要同时使用大电容和小电容。有人会说，有了大电容，还要小的干什么这是因为大的电容，由于极板和引脚端大，导致电感也大，故对高频不起作用。而小电容则刚好相反。巨细据此可以确定电容量。而对于耐压，任何时候都必须满足，否则，就会爆炸，即使对于非电解电容，有时不爆炸，其性能也有所下降。讲起来，太多了，先谈这么多。 电解电容的作用和使用注意事项 一、电解电容在电路中的作用 1，滤波作用，在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中，为了防止电路各部分供电电压因负载变化而产生变化，所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有数十至数百微法的电解电容.由于大容量的电解电容一般具有一定的电感，对高频及脉冲干扰信号不能有效地滤除，故在其两端并联了一只容量为0.001--0.lpF的电容，以滤除高频及脉冲干扰. 2，耦合作用：在低频信号的传递与放大过程中，为防止前后两级电路的静态工作点相互影响，常采用电容藕合.为了防止信号中韵低频分量损失过大，一般总采用容量较大的电解电容。 二、电解电容的判断方法
陶瓷电容器的种类和应用特点 陶瓷材料具有优越的电学、力学、热学等性质，可用作电容器介质、电路基板及封装材料等。陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯体后，在接近熔融的温度下，经高温焙烧制得的材料。通常包括原料粉碎、浆料制备、坯件成型和高温烧结等重要过程。陶瓷是一个复杂的多晶多相系统，一般由结晶相、玻璃相、气相及相界交织而成，这些相的特征、组成、相对含量及其分布情况，决定着整个陶瓷的基本性质。 陶瓷材料做成的陶瓷电容器也叫瓷介电容器或独石电容器，根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类，按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。 陶瓷电容器的种类有哪些？ 1、半导体陶瓷电容器 电容器的微小型化即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个，即使介质材料的介电常数尽可能提高和使介质层的厚度尽可能减薄。 在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。 表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度，视形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案。 2、晶界层陶瓷电容器 晶粒发育比较充分的BaTiO3半导体陶瓷的表面上，涂覆适当的金属氧化物（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在适当温度下，于氧化条件下进行热处理，涂覆的氧
2019 年 中国陶瓷电容器行业概览
| 电子制造系列行业概览 报告摘要 中国陶瓷电容器行业属技术密集型、资金密集型行业，技术壁垒高，行业内参与者数量少，市场集中度较高。得益于国家科技政策 扶持及下游消费电子、工业领域、军事领域需求的快速增长，陶瓷电容器行业发展迅速，部分本土龙头企业技术水平同国际企业差距不断缩小。预计未来陶瓷电容器行业产能将不断扩大，国产替代进口速度有望加快，行业将迎来新一波强周期，预计在2023 年行业整体市 场规模将达到287.9 亿元。 热点一：汽车智能化和电动化带动行业规模扩大 新能源汽车陶瓷电容器用量远高于普通燃油汽车。随着车联网、无人驾驶、新能源汽车技术的不断发展，汽车电动化和智能化程度提升，汽车电子在整车成本中的占比持续提升，中国汽车电子整体市场规模不断扩大，前景广阔。 热点二：国产替代进口速度加快 中国国产陶瓷电容器逐渐替代进口陶瓷电容器的速度将会加快受益于两方面因素影响：一是日本村田、TDK 、太阳诱电等厂商进行战略调整，将逐渐退出中低端陶瓷电容器市场，为中国企业提供发展机遇；二是受中美贸易战影响，下游整机厂商对重要部件的国产化采购将会大幅增加。 热点三：行业产能扩张趋势明显 5G、物联网、电动汽车等新成长领域有望带来无源电子元器件需求量大幅增加，为陶瓷电容器生产企业带来新机遇，陶瓷电容器行业将迎来新一轮强周期的发展契机。中国本土企业加紧进行产能扩建，抢占新机遇，国际龙头企业在新领域扩产趋势明显。
目录 1 名词解释 (6) 2中国陶瓷电容器行业市场综述 (9) 2.1陶瓷电容器的定义与分类 (9) 2.2中国陶瓷电容器发展历程 (11) 2.3中国陶瓷电容器行业产业链分析 (14) 2.3.1上游分析 (15) 2.3.2中游分析 (17) 2.3.3下游分析 (17) 2.4中国陶瓷电容器行业市场规模 (18) 3中国陶瓷电容器行业驱动因素分析 (19) 3.1消费电子升级带动行业发展 (19) 3.2汽车电动化和智能化带动行业规模扩大 (22) 3.3技术升级促进行业持续发展 (24) 4中国陶瓷电容器行业制约因素分析 (25) 4.1产品结构落后制约行业向高附加值转变 (25) 4.2行业人才缺乏制约持续发展 (26) 5中国陶瓷电容器行业政策分析 (27) 3
高压陶瓷电容------基本常识学习 高压陶瓷电容：即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，一般如电力系统的计量，储能，分压等产品中，都会用到高压陶瓷电容器。高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位，高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。 高压陶瓷电容-----优点 1.容量损耗随温度频率具高稳定性 2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性 3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构 4.耐高压性能好，额定电压超过100kv，耐压值大于200kv. 高压陶瓷电容-------作用 1.高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。 2.在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。 3.高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 因为电力系统的特殊*流电压高，高频，处于室外环境中(-40度到+60度)，雷击电压/电流大，等等各种因素，造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣，要求电容具有超强的稳定性，即变化率要小；同时，计量，储能，分压等产品要求高精密度，这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局部放电量有着极为苛刻的要求：局放为零。 高压陶瓷电容---分类 1.螺栓圆柱型 2.引线瓷片型 3.板型无爪型 4.板型带爪型
2019年多层陶瓷电容器MLCC行业分析报告 2019年7月
目录 一、MLCC：当前产量最大、发展最快的片式元器件之一 (5) 1、MLCC小型化、大容量、高压化及高频化是大趋势 (5) 2、MLCC产业链涵盖自上游陶瓷介电粉末、电极金属至下游消费电子、工业 等诸多领域 (6) 3、MLCC是当前产量最大、发展最快的片式元器件之一 (7) 二、军工MLCC上市企业多自产+代理商业模式，市场空间广 (8) 1、自产自销+代理销售为国内军工MLCC上市企业主要商业模式 (8) 2、行业景气度持续上升，看好国防、5G、汽车电子的应用前景 (10) （1）自产军用：国防信息化加速建设推动市场需求长期稳增长 (11) （2）自产民用&代理：成长性>周期性，5G、汽车电子未来可期 (12) （3）MLCC有望替代其他电容器，助整体市场规模进一步提升 (17) 三、军工MLCC上市企业，高毛利、稳格局、业绩存提升空间 (18) 1、国内军用近三分天下，鸿远电子、火炬电子、宏明电子居前列 (18) 2、军品业务高毛利率，具有可持续性并存在继续提升空间 (19) 四、巨头短期难被超越，以军为主、把握需求扩张品类是方向 (23) 1、全球MLCC巨头垄断优势：掌握核心陶瓷技术、供货快速响应 (23) （1）对电子陶瓷材料的理解是MLCC巨头村田等的核心竞争力 (24) （2）强大的制造能力及独特的供货体系是获取市场份额的关键 (27) 2、寡头垄断维系动力：高研发投入、产能扩张及贴近客户需求 (28) 3、巨头启示：坚持军用产品发展，把握需求变化实现品类扩张 (32) （1）直道超车，发挥壁垒优势，重研发、结合智能制造扩大利润空间 (33) （2）弯道超车，发挥核心技术优势、把握并购机遇实现军品品类扩张与集成化拓展 (36)
电容器的作用 这学期我学习了有关电容器的知识，我觉得这么一个小小的原件，这么简单的结构却蕴藏着这么多的原理，所以我的论文内容就是谈谈这么一个小小的电容器的不同作用，来体现在简单结构下的巨大价值。 首先在直流电路中，电容器就相当于断路，从电容器的结构上说，最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（有的是空气）构成的。通电后，极板带电，形成电势差，但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就坏了，不再是断路了。不过，这样的电压在电路中几乎是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。 其次是在交流电路中，因为电流的方向是随时间变化的，而电容器则有着充放电的过程是，这个过程，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化。实际上，电流是通过借助电场的“手”在电容器间通过的。有句话叫通交流，阻直流，说的就是电容的这个性质。下面说说电容的作用： 1）旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够
被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。 2）去耦 又称解耦。从电路来说，总是可以区分电源和负载的。如果负载电容比较大，电源要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足电源的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。 3）滤波 从理论上说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越不容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有人将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。 4）储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器
常用电容器分类 在市场应用中主要是三大类电容器：瓷片电容器、薄膜电容器、电解电容器。这三大类电容器占市场量的99%以上。 1、陶瓷电容（瓷片） 分类分类特点、应用 CC 高频 1类电介质(NP0,C0G) 2类电介质(X7R,2X1) 3类电介质(Y5V,2F4) MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用于高频电路中. MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。 CT 低频 按材质分类 材质特点温度应用 NPO NPO是一种最常用的具有 温度补偿特性的单片陶瓷 电容器。它的填充介质是由 铷、钐和一些其它稀有氧化 物组成的。 最稳定的电容器 从-55℃到+125℃容 量变化为 0±30ppm/℃， 电容量随频率的变 化小于±0.3ΔC 适合用于振荡器、谐 振器的槽路电容，以 及高频电路中的耦 合电容 X7R X7R电容器被称为温度稳 定型的陶瓷电容器 当温度在-55℃到 +125℃时其容量变 化为15%。 X7R电容器的容量 在不同的电压和频 率条件下是不同的 X7R电容器主要应用 于要求不高的工业 应用 Z5U 通用： Z5U电容器主要的是它的 小尺寸和低成本、大电容 量。 电容量受环境和工 作条件影响较大，它 的老化率最大可达 每10年下降5%。 等效串联电感（ESL） 和等效串联电阻 （ESR）低、良好的 频率响应，使其具有 广泛的应用范围。尤 其是在退耦电路的 应用中。 Y5V 有一定温度限制的通用电 容器 工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性+22% — -82% 介质损耗最大 5%