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简单收音机电路图集,收音机电路

简单收音机电路图集,收音机电路
简单收音机电路图集,收音机电路

简单收音机电路图集电路一:

电路二:

电路四:

电路五:

简单集成电路收音机电路七:

电路八:

场效应管功放

场效应管功放 场效应管功放以其温暖、甜润、松软而被发烧友推崇备至,然而,由于其输出电阻大、承受电流小而低频疲软、推力不足的毛病却挥之不去,如很多对管并联虽然改善了低频,但一方面造价成倍增长,二方面场效应管的配对在业内也是个难题。如金嗓子A-100每声道采用10对场效应管并联输出,虽然声音堪称完美,但其价格之高,也仅仅成为了一台概念机、形象机。 90年代末,一种新型的mos管诞生了,这就是被称为超大电流场效应管的UHC-mos,这种mos管的单管输出电流达30A以上,输出电阻约50毫欧以下。首先在天龙PMA-S1功放上使用,一经推出就好评如潮,发烧友称赞其高音的透明度高得惊人,低频强劲有力。而当时这种器件即便在日本本国也很难购买得到,而在国内就更加无法目睹其芳容了。天龙功放亦将其功放管的型号磨去、煞有其事的打上自己编制的型号,就更让人觉得高深莫测了。 然而,十几年过去了,当年高深莫测的UHC-mos而今已成了大路货,如2sk851、2sk2967等新的10多元一个、而拆机的才2、3元一个,已经沦落到白菜价的水平了,真的是此一时、彼一时啊。 为圆笔者一直的梦想,笔者踏破铁鞋,参阅众多电路,发现的确这种器件的成品电路不仅少,而且多有错漏,只得自己设计电路制作。为方便起见,用何庆华音乐传真E-10功放板改装而来。这是原电路 这是改的电路

下面接着有 这是制作完成图。 调试,通电后先检查输出端直流电位在10mv以下。将可变电阻调到最大,再逐步调小,让发射极0.22欧电阻电压为5mV左右,这时每管电流约25ma即可。再检查中点电位在10mv以下即可开声。声音评价: 机器一开声就有一种让人振奋的感觉,高音透明度极高,音场开阔、堂音丰富。人声极为亲切感人,而低频结实有力,硬度十足。花费才20元不到,而声音却提高了几个档次,内心激动啊。 主观感觉,音乐味、细腻度比日立、东芝场效应管有过之而无不及,特别是透明度高,而低音的力度比东芝管结实的多,和三肯管比感觉霸气少了点,但量感大,硬度足,控制力好。一对管可比美3、4对并联的效果。 这种管子看上去其貌不扬,但声音的确有惊人的表现,我买的k851是拆机的,开启电压在3.2V左右,2.5元一个。4个才10元,加上几个电阻,总成本不到20元。却享受到高级机种才有的效果,比我自己制作的所有功放以及家里的5000千多元的nad、sony功放都要好。 拆机的管子没有做配对工作,由于静态电流只有20ma已经很好声,目前室温15度,散热器即便在很大音量基本感觉不到热量。只有简单的温度补偿,暂时没感觉到问题。夏天温度可能高些,准备把温补管和大管固定在一起,只要不把静态电流调的很大,应该没问题。 已经准备好了秘密武器,三肯专用温度补偿管,放大倍数1500倍。 天龙DENON PMA-2000的电路 G极电阻原则上是越小越好,但场管电路太小容易自激,我选120欧很稳定,100欧应该也可以此功放电压放大部分采用两级差分电路、末级则为准互补输出,最大限度保持了偶次谐波因此极具

电子科技大学 模拟电路实验报告01

模拟电路实验报告 实验一常用电子测量仪器的使用 1.实验目的 (1)了解双踪示波器、函数信号发生器、晶体管毫伏表、直流稳压电源的工作原 理和主要技术指标。 (2)掌握双踪示波器、晶体管毫伏表、直流稳压电源的正确使用方法。 2.实验原理 示波器是电子测量中最常用的一种电子仪器,可以用它来测试和分析时域信号。示波器通常由信号波形显示部分、垂直信道(Y通道)、水平信道(X通道)三部分组成。YB4320G是具有双路的通用示波器,其频率响应为0~20MHz。 为了保证示波器测量的准确性,示波器内部均带有校准信号,其频率一般为1KHz,即周期为1ms,其幅度是恒定的或可以步级调整,其波形一般为矩形波。在使用示波器测量波形参数之前,应把校准信号接入Y轴,以校正示波器的Y轴偏转灵敏度刻度以及扫描速度刻度是否正确,然后再来测量被测信号。 函数信号发生器能产生正弦波、三角波、方波、斜波、脉冲波以及扫描波等信号。由于用数字LED显示输出频率,读数方便且精确。 晶体管毫伏表是测量正弦信号有效值比较理想的仪器,其表盘用正弦有效值刻度,因此只有当测量正弦电压有效值时读数才是正确的。晶体管毫伏表在小量程档位(小于1V)时,打开电源开关后,输入端不允许开路,以免外界干扰电压从输入端进入造成打表针的现象,且易损坏仪表。在使用完毕将仪表复位时,应将量程开关放在300V挡,当电缆的两个测试端接地,将表垂直放置。 直流稳压电源是给电路提供能源的设备,通常直流电源是把市电220V的交流电转换成各种电路所需要的直流电压或直流电流。一般一个直流稳压电源可输出两组直流电压,电压是可调的,通常为0~30V,最大输出直流电流通常为2A。 输出电压或电流值的大小,可通过电源表面旋钮进行调整,并由表面上的表头或LED显示。每组电源有3个端子,即正极、负极和机壳接地。正极和负极就像我们平时使用的干电池一样,机壳接地是为了防止外部干扰而设置的。 如果某一电路使用的是正、负电源,即双电源,此时要注意的是双电源共地的接法,以免造成短路现象。 数字万用表可用于交、直流电压测量、交、直流电流测量,电阻测量,一般晶体管的测量等。一般的数字万用表交流电压挡的频率相应范围为45Hz~500Hz,用

场效应管特性及单端甲类功放制作全过程

场效应管特性及单端甲类功放制作全过程 场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样,要比普通晶体管简单得多,场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻,实际上是改变工作电流流通的通道大小,而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流,还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。场效应管的独特而简单的作用原理赋予了场效应管许多优良的性能,它向使用者散发出诱人的光辉。 场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性,即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼),一般的晶体管是不容易做到这一点的,电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性,对普通晶体管来说,就是发射极和集电极互换,对电子管来说,就是将阴极和阳极互换。 一、场效应管的特性 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件,有与电子管相似的传输特性,因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用,其特点有以下一些。 高输入阻抗容易驱动,输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容),输出端负载的变化对输入端影响小,驱动负载能力强,电源利用率高。 场效应管的噪声是非常低的,噪声系数可以做到1dB以下,现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右,这是一般晶体管和电子管难以达到的。 场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。 场效应管的输出为输入的2次幂函数,失真度低于晶体管,比胆管略大一些。场效应管的失真多为偶次谐波失真,听感好,高中低频能量分配适当,声音有密度感,低频潜得较深,音场较稳,透明感适中,层次感、解析力和定位感均有较好表现,具有良好的声场空间描绘能力,对音乐细节有很好表现。 普通晶体管在工作时,由于输入端(发射结)加的是正向偏压,因此输入电阻是很低的,场效应管的输入端(栅极与源极之间)工作时可以施加负偏压即反向偏压,也可以加正向偏压,因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时,它的输入电阻更高,高达100MΩ以上,场效应管的这一特性弥补了普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。 场效应管的防辐射能力比普通晶体管提高10倍左右。 转换速率快,高频特性好。 场效应管的电压与电流特性曲线与五极电子管输出特性曲线十分相似。 场效应管的品种较多,大体上可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两类,且都有N型沟道(电流通道)和P型沟道两种,每种又有增强型和耗尽型共四类。 绝缘栅场效应管又称金属(M)氧化物(O)半导体(S)场效应管,简称MOS管。按其内部结构又可分为一般MOS管和VMOS管两种,每种又有N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类。 VMOS场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管,是在一般MOS场效应管的基础上发展起来的新型高效功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(大于100MΩ)、驱动电流小(0.1uA左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1.5~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导线性好、开关速度快等优良特性。目前已在高速开关、电压放大(电压放大倍数可达数千倍)、射频功放、开关电源和逆变器等电路中得到了广泛应用。由于它兼有电子管和晶体管的优点,用它制作的高保真音频功放,音质温暖甜润而又不失力度,备受

20个常用模拟电路

一. 桥式整流电路 1二极管的单向导电性:二极管的PN结加正向电压,处于导通状态;加反向电压,处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型: 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V,锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程: 当u 2是正半周期时,二极管Vd1和Vd2导通;而夺极管Vd3和Vd4截止,负载R L 是的电流是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压;在u 2的负半周,u 2的实际极性是下正上负,二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止,负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析:电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变,因而负载两端的电压也不会突变,使输出电压得以平滑,达到滤波的目的。 波形形成过程:输出端接负载R L 时,当电源供电时,向负载提供电流的同时也

向电容C充电,充电时间常数为τ 充=(Ri∥R L C)≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响,电容上电压将随u 2迅速上升,当ωt=ωt 1 时,有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0,所有二极管截止,这时电容C通过R L 放电,放电时间常数为R L C,放 电时间慢,u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时,u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大,又开始充电过程,u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0,ωt 3 后,电容通 过R L 放电。如此反复,周期性充放电。由于电容C的储能作用,R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大,要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间,输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧(3~5)T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中,经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ,每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器 1信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度,但同时必须让有用信号顺利通过。 与电源滤波器的区别和相同点:两者区别为:信号滤波器用来过滤信号,其通带是一定的频率范围,而电源滤波器则是用来滤除交流成分,使直流通过,从而保持输出电压稳定;交流电源则是只允许某一特定的频率通过。 相同点:都是用电路的幅频特性来工作。 2LC串联和并联电路的阻抗计算:串联时,电路阻抗为Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC) 并联时电路阻抗为Z=1/jωC∥(R+jωL)= 考滤到实际中,常有R<<ωL,所以有Z≈

模拟电子技术基础中的常用公式必备

- 70 - 模拟电子技术基础中的常用公式 第7章 半导体器件 主要内容:半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点:半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。 难点:双极型晶体管。 教学目标:掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章 基本放大电路 主要内容:放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点:放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点:放大电路的工作原理。 教学目标:掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章 集成运算放大器

主要内容:运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点:基本运算电路。难点:放大电路中的反馈。 教学目标:掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容:直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点:整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标:掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容:集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点:集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点:组合逻辑电路的设计。 教学目标:掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 - 71 -

- 72 - 第12章 时序逻辑电路 主要内容:双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点:双稳态触发器。 难点:寄存器、计数器。 教学目标:掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示: )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中,i D 为流过二极管的电流,u D 。为加在二极管两端的电压,V T 称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度,单位是K ;q 是电子的电荷量,q=1.602×10-19 C ;k 为玻耳兹曼常数,k = 1.381×10-23 J /K 。室温下,可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比,即

超外差式收音机原理图及电路仿真

超外差式收音机原理及电路仿真 一、实习目的: 1、掌握收音机的原理与组成 2、识别各种电子元器件 3、掌握焊接技术 4、学会超外差收音机的安装与调试 二、原理 1、最简收音机原理 图1中LC谐振回路是收音机输入回路,改变电容C使谐振回路固有频率与无线电发射频率相同,从而引起电磁共振,谐振回路两端电压V AB最大,将该电波接收下来。经高频放大电路放大后,通过由二极管D和滤波电容C1构成的检波电路,将调幅信号包络解调下来,得到调制前的音频信号,再将音频信号进行低频放大,送到喇叭,就完全还原成可闻的声波信号。 图1 最简单的收音机组成框图 这就是最简AM收音机(也称高放式收音机)的工作原理,它简单,但可行性、可使用性太差,不适合日常使用。由于高放式收音机中高频放大器只能适应较窄频率范围的放大,要想在整个中波频段525kHZ—1605kHZ获得一致放大是很困难的。因此用超外差接收方式来代替高放式收音机。 2、超外差式收音机原理 所谓超外差式,就是通过输入回路先将电台高频调制波接收下来,和本地振荡回路产生的本地信号一并送入混频器,再经中频回路进行频率选择,得到一固定的中频载波(如:调幅中频国际上统一为465KHz或455KHz)调制波。超外差的实质就是将调制波不同频率的载波,变成固定的且频率较低的中频载波。如图2所示。

在超外差的设计中,本振频率高于输入频率。用同轴双联可变电容器,使输入回路电容C1-A和本振回路电容C1-B同步变化,从而使频率差值始终保持近似一致,其差值即为中频465KHZ,即:如接收信号频率是600kHz,则本振频率是1055kHz;若接收信号频率是1000kHz,则本振频率是1465kHz;若接收信号频率是1500kHz,则本振频率是1965kHz; 图2 超外差收音机组成框图 由于谐振回路谐振频率,f 与C不成线性变化,因此必须有补偿电容对其特性进行修正,以获得在收听范围内f与C近似成线性变化,保证f本振-f信号=f 中频为一固定中频信号。超外差方式使接收的调制信号变为统一的中频调制信号,在作高频放大时,就可以得到稳定且倍数较高的放大,从而大大提高收音机的品质。 3、电路的工作原理(HX108-2七管半导体收音机) 图3 收音机原理图

电工电子基础 模拟电路分析及应用

项目四模拟电路分析及应用 任务 1 基本电子元件的识别 一、半导体 1.半导体:导电能力随着掺入杂质、输入电压(电流)、温度和光照条件的不同而发生很大变化,人们把这一类物质称为半导体。 2.载流子:半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。 (1)自由电子:带负电荷。 (2)空穴:带正电荷。 特性:在外电场的作用下,两种载流子都可以做定向移动,形成电流。 3.N型半导体:主要靠电子导电的半导体。 即:电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 4.P型半导体:主要靠空穴导电的半导体。 即:空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 PN结 1.PN结:经过特殊的工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面,称为PN结。 2.实验演示 (1)实验电路 (2)现象 所加电压的方向不同,电流表指针偏转幅度不同。 (3)结论 PN结加正向电压时导通,加反向电压时截止,这种特性称为PN结的单向导电性。 3.反向击穿:PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN结的反向击穿。 4.热击穿:若反向电流增大并超过允许值,会使PN结烧坏,称为热击穿。 5.结电容 PN结存在着电容,该电容称为PN结的结电容。 二、半导体二极管 利用PN结的单向导电性,可以用来制造一种半导体器件——半导体二极管。 1.半导体二极管的结构和符号 (1)结构:由于管芯结构不同,二极管又分为点接触型(如图a)、面接触型(如图b)和。)c 平面型(如图

(2)符号:如图所示,箭头表示正向导通电流的方向。 2.二极管的特性 二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定,这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。硅二极管的伏安特性曲线如图所示。

工程师应该掌握的20个模拟电路(详细分析与参考答案)

一、桥式整流电路 1二极管的单向导电性:二极管的PN结加正向电压,处于导通状态;加反向电压,处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型: 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V,锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程: 当u 2是正半周期时,二极管Vd1和Vd2导通;而夺极管Vd3和Vd4截止,负载R L 是的电流是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压;在u 2的负半周,u 2的实际极性是下正上负,二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止,负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器

1电源滤波的过程分析:电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变,因而负载两端的电压也不会突变,使输出电压得以平滑,达到滤波的目的。 波形形成过程:输出端接负载R L 时,当电源供电时,向负载提供电流的同时也 向电容C充电,充电时间常数为τ 充=(Ri∥R L C)≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响,电容上电压将随u 2迅速上升,当ωt=ωt 1 时,有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0,所有二极管截止,这时电容C通过R L 放电,放电时间常数为R L C,放 电时间慢,u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时,u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大,又开始充电过程,u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0,ωt 3 后,电容通 过R L 放电。如此反复,周期性充放电。由于电容C的储能作用,R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大,要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间,输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧(3~5)T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中,经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ,每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器

场效应管及其电路

第4章场效应管及其电路本章要点 ●MOS管的原理、特性和主要参数 ●结型场效应管原理、特性及主要参数 ●场效应管放大电路的组成与原理 本章难点 ●MOS管的原理和转移特性及主要参数 ●场效应管的微变等效电路法 场效应管(FET)是一种电压控制器件,它是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的。它具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、耗电省等优点,目前已被广泛应用于各种电子电路中。 场效应管按其结构不同分为结型(JFET)和绝缘栅型(IGFET)两种,其中绝缘栅型场效应管由于其制造工艺简单,便于大规模集成,因此应用更为广泛。 4.1 绝缘栅场效应管(MOSFET) 绝缘栅型场效应管简称MOS管,由于其内部由金属—氧化物—半导体三种材料制成,可分为增强型和耗尽型两大类,每一类中又有N沟道和P沟道之分。下面主要讨论N沟道增强型MOS管的工作原理,其余三种仅做简要介绍。 4.1.1 N沟道增强型场效应管(NMOS管) 1.结构 N沟道增强型MOS管的结构如图4-1(a)所示。它是在一块掺杂浓度较低的P型硅片(称为衬底)上,通过扩散工艺形成两个高掺杂的N+区,通过金属铝引出两个电极分别作为源极S和漏极D,再在半导体表面覆盖一层二氧化硅绝缘层,在源漏极之间的绝缘层上制作一铝电极,作为栅极G,另外从衬底引出衬底引线B(工作时通常与源极S接在一起)。在两个N+区之间的半导体区,是载流子从源极S流向漏极D的通道,把它称为导电沟道。由于栅极与导电沟道之间被二氧化硅所绝缘,故将此类场效应管称为绝缘栅型。 图4-1(b)是N沟道增强型MOS管的符号,其中箭头方向是由P(衬底)指向N(沟道), 由此可判断沟道类型。符号中的三条断续线表示 GS 0 = U不存在导电沟道,它是判断增强型MOS管的特殊标志。

场效应管放大器

实验四 场效应管放大器 一、实验目的 1、了解结型场效应管的性能和特点 2、进一步熟悉放大器动态参数的测试方法 二、实验原理 场效应管是一种电压控制型器件。按结构可分为结型和绝缘栅型两种类型。由于场效应管栅源之间处于绝缘或反向偏置,所以输入电阻很高(一般可达上百兆欧)又由于场效应管是一种多数载流子控制器件,因此热稳定性好,抗辐射能力强,噪声系数小。加之制造工艺较简单,便于大规模集成,因此得到越来越广泛的应用。 1、结型场效应管的特性和参数 场效应管的特性主要有输出特性和转移特性。图3-1所示为N 沟道结 图3-1 3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线 型场效应管3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线。 其直流参数主要有饱和漏极电流I DSS ,夹断电压U P 等;交流参数主要有低频跨导

常数U △U △I g DS GS D m == 表3-1列出了3DJ6F 的典型参数值及测试条件。 表3-1 2、场效应管放大器性能分析 图3-2为结型场效应管组成的共源级放大电路。其静态工作点 2 P GS DSS D )U U (1I I - = 中频电压放大倍数 A V =-g m R L '=-g m R D // R L 输入电阻 R i =R G +R g1 // R g2 输出电阻 R O ≈R D 式中跨导g m 可由特性曲线用作图法求得,或用公式 )U U (1U 2I g P GS P DSS m -- = 计算。但要注意,计算时U GS 要用静态工作点处之数值。 S D DD g2 g1g1 S G GS R I U R R R U U U -+= -=

最新收音机的电路原理及构成

收音机的电路原理及构成 摘要:超外差式收音机,是指输入信号和本机振荡信号产生一个固定中频信号的过程。如果把收音机收到的广播电台的高频信号,都变换为一个固定的中频载波频率(仅是载波频率发生改变,而其信号包络仍然和原高频信号包络一样),然后再对此固定的中频进行放大,检波,再加上低放级,就成了超外差式收音机。这种接收机中,在高频放大器和中频放大器之间须增加一级变换器,通常称为变频器,它的根本任务是把高频信号变换成固定中频。而由于中频频率(我国采用465千赫)较变换前的高频信号(广播电台的频率)低,而且频率是固定的,所以任何电台的信号都能得到相等的放大量。另外,中频的放大量容易做得比较高,而不易产生自激,所以超外差式收音机可以做得灵敏度很高。由于外来电台必须经过“变频”变成中频频率才能通过中频放大回路,所以可以提高收音机的选择性。 关键词:电路原理、构成构造 正文:一、变频级 超外差式收音机的变频级包括混频器和本机振荡器两个部分。接收天线收到的高频调幅信号经调谐输入回路的选择,送入变频级的混频器。本机振荡器(由变频级本身产生一个等幅的高频信号)产生的高频等幅振荡电流也送入混频器。通常本机振荡的频率高于外来信号的频率,而且高出的数值要保持一定值,即中频频率。两种信号在混频器中混频的结果,产生一个新的频率信号,也就是混频器的根本功用是把输入信号的载波频率同本机振荡器的载频频率进行差拍在其输出端得到一个“差频”信号,即“中频”信号。这就是“外差作用”。我国收音机中频频率规定为465千赫。465千赫的差频信号仍属高频范围,只是因为它比外来信号的载波频率低,才称为“中频”信号。外来的高频调幅信号,经过变频以后只是变了载波频率,要求原来信号的调制规律不能改变,仍然调制在新的中频信号,所以变频级输出的中频信号仍然是调幅信号。 变频电路是本实验套件的收音机线路中的变频电路。Lab是绕在磁性棒上的线圈,Lab、Ca、Cat组成了高频调谐回路,Lb、Cb、Cbt、C3组成本机振荡回路。磁性天线接收到的高频调幅信号,经高频调谐回路的选择,由耦合线圈Lcd加到变频管的基极和发射极之间;本机振荡器产生的高频等幅信号(比外来信号频率高一个固定中频)通过C2、C1和R2也加到变频管的基极和发射极之间。我们知道半导体三极管的发射结(发射极和基极之间的P-N结)是非线性元件,所以当外来信号和本机振荡信号加在发射极--基极回路时发生混频,产生了我们需要的差频(465千赫)。我们再通过接在集电极回路中的L3组成的中频谐振回路(俗称中周),将被放大了的中频信号选取出来,由L3次级输出送至中频放大器。为了使本机振荡的频率和调谐回路的高频谐振频率之差始终为一固定中频(465千赫),在改变调谐回路的谐振频率时(选择所要收听的电台时),必须同时调整振荡回路的振荡频率,这叫“统调”。为了简化使用时的调谐手续,在收音机中,上述两个回路是采用一只同轴双连可变电容(Ca、Cb)进行调整的。常用的双连可变电容是等容式的。例如有270PF×2、365PF×2等规格。使用等容双连可变电容时必须在本机振荡回路中的可变电容Cb上并联一个小电容Cbt,适当地选取Cbt,以便使两个回路得到较好的统调,C3是垫振电容用以补偿波段高低端的统调偏差。 电阻R1、R2组成偏置电路。L2是中波振荡线圈。L3是“中周”。

模拟电子技术基础中的常用公式必备

word 资料 模拟电子技术基础中的常用公式 第7章 半导体器件 主要内容:半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点:半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。 难点:双极型晶体管。 教学目标:掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章 基本放大电路 主要内容:放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点:放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点:放大电路的工作原理。 教学目标:掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章 集成运算放大器

主要内容:运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点:基本运算电路。难点:放大电路中的反馈。 教学目标:掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容:直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点:整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标:掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容:集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点:集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点:组合逻辑电路的设计。 教学目标:掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 - 71 -

word 资料 第12章 时序逻辑电路 主要内容:双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点:双稳态触发器。 难点:寄存器、计数器。 教学目标:掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示: )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中,i D 为流过二极管的电流,u D 。为加在二极管两端的电压,V T 称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度,单位是K ;q 是电子的电荷量,q=1.602×10-19 C ;k 为玻耳兹曼常数,k = 1.381×10-23 J /K 。室温下,可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比,即

简易收音机的电路图

图3—30是简易收音机的电路图。 图3—30 简易收音机电路 L和C1组成调谐电路。改变可变电容器C1的容量,可选择到需要接收的电台信号。将选出的信号直接输入到集成电路7642的输入端第2脚。由7642对信号进行多级高频放大并检波后,由输出端第1脚输出音频信号,经三极管V1V2放大后,送至耳机放音。这个电路元件少、装调容易而且接收效果较好。 二、元件规格和检测方法 (一)LC调谐回路 L是磁棒线圈。磁棒采用长55mm的扁型中波磁棒。用?0.07×7多股纱包线绕制,共82圈。线圈的两端用胶纸带固定。如图3—31。C1采用270P小型单联可变电容器,检测方法见表3—12。 图3—31 磁棒线圈和7642集成电路 表3—12 元件检测 名称检测方法

可变电容器 用R×1K档测试,旋转转柄,万用表指针应始终指无限大。若有摆动说明电 容器内部碰片,不能使用 耳塞机 用R×1档测试,表笔碰触耳机插头时,耳机中应发出“喀喀”声 (二)集成电路7642外形跟晶体管9014相似。如图3-31。可用万用表R×1K档测输入端第2脚之间电阻, 正向电阻约为1千欧,反向电阻接近无限大。 (三)晶体管V1 V2采用9014,放大倍数大些较好。 (四)电阻器均采用1/8W碳膜电阻器。R4待调试后确定。 (五)电容器均采用小型瓷片电容器。C4为电解电容器。 (六)耳塞机采用8欧耳塞机。其测试方法见表3-12。耳机插孔采用?2.5毫米插孔,并按图3-32进行改造。改造后的插孔兼做电源开关。 插头插入后触点分离改为插头插入后触点接触 图3-32 插孔的改造 (七)电源采用1节1.5伏电池。 三、焊接电路 (一)简易收音机印刷电路板可参考图3-33。将各元件引脚镀锡后插入电路板。各引脚可尽量留短些。

采用IRF250场效应管制作胆味功放及电路图

采用IRF250场效应管制作胆味功放及电路图 笔者用绝缘栅VMOS大功率场效应管IRF250制作纯甲类功率放大器。这类管子在音响界里是冷僻管,不大受人喜欢。该类管通常用于开关电源中,由于该类管高频区线性好、开关速度快、输出电流大、耐压高,让笔者很感兴趣,把它用于音频放大器中作功率输出管,在甲类输出状态下,声音极具"胆"味。该管的价位低廉,拆机品2元/只,便宜好找,适合工薪族发烧(IRF250电流30A,耐压220V,导通电阻0.8 5Ω,功率150W,IRF240电流40A耐压180V,导通电阻0.55Ω,功率150W),何乐而不为? 一、场效应管与电子管的原理比较有相似之处 场效应管与电子管的原理相比较如图1所示。场效应管的源极供应电子,相当于电子管的阴极,漏极泄漏电子,相当于电子管的屏极(阳极),栅极是控制电子流的大小,和电子管的栅极作用完全一样,都是通过栅极"G"来输入控制,开大或开小电流从漏极流向源极(电子管是阳极流向阴极)。它们都属于电压控制器件。 二、VMOS管的缺点与制作中的克服 对于电源开关管IRF250、IRF240而言,确与音频名管中的K135、J49等有差异,使众多的发烧友不大喜欢用这类管子。笔者认为其成了冷僻管的原因有两点,一是开启电压的差异,IRF250达到3V~5V不等,给推动级增加了极大的负担。二是该管的一致性差,不好配对,N沟道和P沟道的异极型就更难配对 了。 音频CMOS管在0.2V~1.5V的范围就能开启,并进入良好的线性工作区,对推动级的驱动能力要求低,且一致性好,容易配对。因此用IRF250给制作带来一定难度,工作中有时一部分管子已到甲类状态,而另一部分管子还在乙类状态,甚至有的工作在开启与夹断之间,劣化了音质。 针对IRF250这类管子的特点,笔者认为可以避开它的缺点,挖掘它潜在的优点,如高耐压、大电流和好 的高频放大线性等。 实际制作中,应将电路的重点放在推动级上,只要推动级能输出驱动末端场效应管所需的开启电压3V~5 V,也就克服了上述的一大难点。另一个是对差分电压放大管和中功率驱动管的配对误差要在2%的范围内(用数字表配对),每声道只用一对输出管,就不存在配对难的问题。IRF250管子的功率本身就大,没有必要采用多管并联。每声道使用一对输出管,纯甲类最大不失真输出功率在60W~100W,能胜任大多数 家庭的使用要求。 三、线路的选择和改进 笔者选用的是日本雅马哈(YAMAHA)功放的线路,把输出级进行了改造而成(见图2)。IRF250这类管子都是同极型N沟道,因为没有与之功率、耐压、栅偏压值相近的异极型P沟道管子,所以对同极型的管子 采用准互补推挽输出。

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求) 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。 半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是; 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流,而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器,Av2是( ) 放大器,Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下,得出两个重要结论他们是:( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题: 1、PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。

MOSFET功放电路

目录 场效应管功率放大电路 (1) 场效应管80W音频功率放大电路 (1) 一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2) 100W的MOSFET功率放大器 (2) 场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4) 一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6) 100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6) 100W场效应管功率放大电路 (8) 全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9) 场效应管功率放大电路 如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET,电流镜像电路采用2SK214。其工作电流为6mA,但电源电压较高(为±50V),晶体管会发热,因此要接人小型散热器。 场效应管80W音频功率放大电路

图 100W的MOSFET功率放大器

电路图 关于电路 电容C8是阻止直流电压,如果从输入源的输入直流去耦电容。如果畅通,将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。预设R1用于调整放大器的输出电压。电阻R3和R2设置放大器的增益。第二差的阶段是由晶体管,第三季度和Q6,而晶体管Q4和Q5形式电流镜,这使得第二个差分对漏一个相同的电流。这样做是为了提高线性度和增益。Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。预设R8可用于调整放大器的静态电流。电容C3和电阻R19组成的网络,提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。F1和F2是安全的保险丝。 电路设置 设置在中点R1开机前,然后慢慢调整为了得到一个最低电压(比50mV)输出。下一步是成立的静态电流,并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。 注意事项 质量好的印刷电路板组装的电路。 使用一个45 / -45 V直流,3A的双电源供电电路。 电源电压不得超过55 / -55 V直流。 连接扬声器前,检查零信号放大器的输出电压,在任何情况下不应该大于50mV。如果是大于50mV,检查电路中的任何错误。另一套更换Q1,Q2,也可以解决问题。 Q7和Q8适合2 °C / W的散热片。Q7和Q8都必须被隔离,使用云母片。很容易在市场上几乎所有的功率晶体管/几乎所有封装形式的MOSFET散热器安装包。 所有电阻R10,R11和R19的其他1 / 4瓦的金属膜电阻。R10和R11是5W线绕型,而R19是一个3W线绕类型。

超外差式收音机电路分析

超外差式收音机 超外差式收音机,就是通过输入回路先将电台高频调制波接收下来,然后和本地振荡回路产生的本地信号一并送入混频器,再经中频回路进行频率选择,得到一固定的中频载波(如:调幅中频国际上统一为465KHz或455KHz、调频载波为10.7MHz)调制波。 中夏牌S 6 6D型收音机,采用典型六管超外差式电路,具有安装调试方便、工作稳定、灵敏度高、选择性好等特点,功放级采用无输出变压器的功率放大器,(OTL电路),有效率高、频率特性好、声音宏亮、耗电省等特色。是一款值得青少年无线电爱好者动手制作的套件。 一、电路的工作原理 图1是中夏S 66D型收音机的原理电路图,图2为为框图。 1、输入调谐电路 输入调谐电路由双连可变电容器的CA和T1的初级线圈Lab组成,是一并联谐振电路,Tl是磁性天线线圈,从天线接收进来的高频信号,通过输入调谐电路的谐振选出需要的电台信号,电台信号频率是f=l/2πLabCA,当改变CA时,就能收到不同频率的电台信号。 2、变频电路 本机振荡和混频合起来称为变频电路。变频电路是以VTl为中心,它的作用是把

通过输入调谐电路收到的不同频率电台信号(高频信号)变换成固定的465KHz的中频信号。 VTl、T2、CB等元件组成本机振荡电路,它的任务是产生一个比输入信号频率高465KHz的等幅高频振荡信号。由于Cl对高频信号相当短路,Tl的次级Lcd的电感量又很小,对高频信号提供了通路,所以本机振荡电路是共基极电路,振荡频率由T2、cB控制,CB是双连电容器的另一连,调节它以改变本机振荡频率。T2是振荡线圈,其初次绕在同一磁芯上,它们把VT 1的等电极输出的放大了的振荡信号以正反馈的形式耦合到振荡回路,本机振荡的电压由T2的初级的抽头引出,通过C2耦合到VT 1的发射极上。 混频电路由VT l、T3的初级线圈等组成,是共发射极电路。其工作过程是:(磁性天线接收的电台信号)通过输入调谐电路接收到的电台信号,通过Tl的次级线圈Lcd送到VT l的基极,本机振荡信号又通过C2送到VT l和发射极,两种频率的信号在T 1中进行混频,由于晶体三极管的非线性作用,混合的结果产生各种频率的信号,其中有一种是本机振荡频率和电台频率的差等于465KHz的信号,这就是中频信号。混频电路的负载是中频变压器,T3的初级线圈和内部电容组成的并联谐振电路,它的谐振频率是465KHz,可以把465KHz的中频信号从多种频率的信号中选择出来,并通过T3的次级线圈耦合到下一级去,而其它信号几乎被滤掉。 3、中频放大电路 它主要由VT2、VT3组成的两级中频放大器。第一中放电路中的VT2负载是中频变压器T4和内部电容组成,它们构成并联谐振电路,谐振频率是465KHz,与前面介绍的直放式收音机相比,超外差式收音机灵敏度和选择性都提高了许多,主要原因是有了中频放大电 路,它比高频信号更容易调谐和放大。 4、检波和自动增益控制电路 中频信号经一级中频放大器充分放大后由T4耦合到检波管VT3,VT3既起放大作用,又是检波管,VT3构成的三极管检波电路,这种电路检波效率高,有较强的自动增益控制 (AGC)作用。 AGC控制电压通过R3加到VT2的基极,其控制过程是: 外信号电压↑→Vb3↑—Ib3↑→Ic3↑→Vc3↓通过R3 Vb2↓→Ib2↓→Ic2↓→外信号电压↓ 检波级的主要任务是把中频调幅信号还原成音频信号,C4、C5起滤去残余的中频成分 的作用。 5、前置低放电路 检波滤波后的音频信号由电位器RP送到前置低放管VT4,经过低放可将音频信号电压放大几十到几百倍,但是音频信号经过放大后带负载能力还很差,不能直接推动扬声器工作,还需进行功率放大。旋转电位器RP可以改变VT4的基极对地的信号电压的大小,可达到控制音量的目的。 6、功率放大器(OTL电路) 功率放大器的任务是不仅要输出较大的电压,而且能够输出较大的电流。本电

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