Proxy Edition SG 硬件平台指标参数
Model CPU RAM HDD Included Option
Cards SWG
BW
WAN BW Concurrent
Connections
Max Simultaneous
IPs
Proxy SG210-5Single512M80GB (IDE)2xPT2512K1050 Proxy SG210-10Single1GB250GB IDE SSL, 2xPT6250150 Proxy SG210-25Single1GB250GB IDE SSL, 2xPT62Unlimited Unlimited
Proxy SG510-5Single1GB2x80GB SATA none20250200 Proxy SG510-10Single2GB2x350GB SATA SSL, 2xPT3412100500 Proxy SG510-20Single2GB2x350GB SATA SSL, 2xPT34123001200 Proxy SG510-25Single2GB2x350GB SATA SSL, 2xPT3412Unlimited Unlimited
Proxy SG810-5Single2GB2x73GB SCSI none45125002500 Proxy SG810-10Dual4GB2x300GB SCSI SSL, 2xPT90307003500 Proxy SG810-20Dual6GB4x300GB SCSI SSL, 2xPT1554510005000 Proxy SG810-25Dual6GB4x300GB SCSI SSL, 2xPT15545Unlimited Unlimited
Proxy SG8100-5Single4GB2x300GB SCSI2xGigE9030Unlimited Unlimited
Proxy SG8100-10Single6GB4x300GB SCSI SSL, 4xPT15552Unlimited Unlimited
Proxy SG8100-20Dual8GB8x300GB SCSI SSL, 4xPT25090Unlimited Unlimited
AV
AV510-A1x2.0Ghz P41Gb1x80Gb SATA 2 x 10/100/1000 Base-T1000
AV810-A1x2.8Ghz Xeon2Gb2x73Gb SCSI 2 x 10/100/1000 Base-T1000-4000
AV810-B2x2.8Ghz Xeon3Gb2x73Gb SCSI 2 x 10/100/1000 Base-T4000-8000
RA
RA510-A1x2.0Ghz P41Gb1x80Gb SATA 2 x 10/100/1000 Base-T1000
RA810-A1x2.8Ghz Xeon2Gb2x73Gb SCSI 2 x 10/100/1000 Base-T
RA810-B2x2.8Ghz Xeon3Gb2x73Gb SCSI 2 x 10/100/1000 Base-T
DIRECTOR
DIRECTOR-5101x2.0Ghz P41Gb1x80Gb SATA 2 x 10/100/1000 Base-T
注意：
1、表中的HTTP性能是正向代理性能，如果作为CDN或反向代理使用，通常性能会提升一倍
2、建议用户数为作Internet网关（正向代理情况下）单台设备支持的并发用户数
3、吞吐量指的是作Internet网关（正向代理情况下）典型的数据输出能力
4、如果在Internet网关上增加AV防病毒业务，用户数和吞吐量要按减少大约三分之一算.
5、如果在Internet网关上增加内容过滤业务，用户数要按减少大约三分之一算.
6、由于AV环境较复杂，建议咨询Bluecoat或者SINOGRID 战略产品部
7、Director是内容分发设备和集中网管设备
Blue Coat 若有不详之处请与我们联系。北京信诺瑞得信息技术有限公司 战略产品部。
MACH5 Edition SG 硬件平台指标参数
Model CPU RAM HDD Included
Option Cards SWG BW WAN BW Concurrent
Connections
Max Simultaneous
IPs
MACH5 SG210-5Single512M80GB (IDE)2xPT2512K1050 MACH5 SG210-10Single1GB250GB IDE SSL, 2xPT6250150 MACH5 SG210-25Single1GB250GB IDE SSL, 2xPT62Unlimited Unlimited
MACH5 SG510-10Single2GB2x350GB SATA SSL, 2xPT3412100500 MACH5 SG510-20Single2GB2x350GB SATA SSL, 2xPT34123001200 MACH5 SG510-25Single2GB2x350GB SATA SSL, 2xPT3412Unlimited Unlimited
MACH5 SG810-10Dual4GB2x300GB SCSI SSL, 2xPT90307003500 MACH5 SG810-20Dual6GB4x300GB SCSI SSL, 2xPT1554510005000 MACH5 SG810-25Dual6GB4x300GB SCSI SSL, 2xPT15545Unlimited Unlimited
MACH5 SG8100-10Single6GB4x300GB SCSI SSL, 4xPT15552Unlimited Unlimited
MACH5 SG8100-20Dual8GB8x300GB SCSI SSL, 4xPT25090Unlimited Unlimited
ProxySG新平台选型指南
Model
Concurrent Users
Memory
Power Supply
Max Bandwidth
Total Desktops
Suggested ProxyAV
Max Bandwidth
Simultaneous Unique
Client IPs
Drives
Total Storage
(GB)
210-52Mbps 501x510-A 512K 10180512MB 2xPT Single 210-106Mbps 2501x510-A 2Mbps 5011371GB 2xPT, SSL Single 210-256Mbps Not Limited 1x510-A 2Mbps Not Limited 11371GB 2xPT, SSL Single 510-512Mbps 2501x510-A 2Mbps 5021601GB None Single 510-1025Mbps 5001x510-A 12Mbps 10027002GB 2xPT, SSL Single 510-2025Mbps 15001x810-A 12Mbps 30027002GB 2xPT, SSL Single 510-2525Mbps Not Limited 1x810-A 12Mbps Not Limited 27002GB 2xPT, SSL Single 810-545Mbps 25001x810-A 12Mbps 50021442GB None Single 810-1045Mbps 35001x810-B 30Mbps 70026004GB 2xPT, SSL Single 810-2090Mbps 50001x810-B 45Mbps 1000412006GB 2xPT, SSL Single 810-2590Mbps Not Limited 1x810-B 45Mbps Not Limited 412006GB 2xPT, SSL Single 8100-590Mbps 50001x810-B 30Mbps 100026004GB 2xGigE Redundant 8100-10155Mbps 75002x810-B 52Mbps 1500412006GB 4xPT, SSL Redundant 8100-20155Mbps 115003x810-B 90Mbps 2300824008GB 4xPT, SSL Redundant 8100-25
155Mbps
Not Limited
3x810-B
90Mbps
Not Limited
8
2400
8GB
4xPT, SSL
Redundant
15002300Not Limited
1000Not Limited 1000Forward Proxy
WAN Optimization
Max Active Branch
Desktops
1050Not Limited 50100300Not Limited 500700Included Option Cards
Storage
新硬件与目前硬件的对应关系
Model
ProxySG MSRP
WAN Sizing
Replaced by
Model
WAN Sizing
Users
Proxy Ed.MSRP MACH5 Ed.MSRP
SG200-B 512kbps
210-5512kbps 50210-102Mbps 150
210-252Mbps Unlimited
SG510-A 510-52Mbps 200SG510-B 6Mbps 510-1012Mbps 500SG510-C
510-1012Mbps 500510-2012Mbps 1200
510-2512Mbps unlimited
SG810-B 810-512Mbps 2500SG810-C 810-1030Mbps 3500SG810-D 810-2045Mbps 5000SG810-E
810-2045Mbps 5000810-2045Mbps 5000
810-2545Mbps unlimited SG8100-A 8100-530Mbps unlimited SG8100-B 8100-1052Mbps unlimited SG8100-C
8100-1052Mbps unlimited 8100-2090Mbps unlimited 8100-25
90Mbps
unlimited
SG8100-G
90Mbps
OR
SG810-F 30Mbps OR SG510-D 12Mbps OR SG200-C 2Mbps OR
MACH5版与PROXY版的差异功能
主要技术性能指标及参数 序号项目名称项目特征描述计量 单位 数量 1 水平输送机1.带宽550，长10m， 2.输送功率4kw，升降，线速度≤s， 3.处理能力：50t/h。 台 1 2 升降输送机1.带宽550，长15m 或18m， 2.输送功率，升降，线速度≤s， 3.处理能力：50-80t/h 台 1 3 卸粮机1.带宽550，8S+4D， 2.输送功率4kw，线速度≤s， 3.处理能力：50-100t/h 台 1 4 电动行走装仓 机 1.带宽550，12+6、含电动行走，新式方向盘， 2.输送，升降3kw，伸缩，行走 台 1 5 探粮器1.主机功率:1800w； 2.电源：220 50hz； 3.不锈钢管直径28mm。。 台 1 6 分样器适用于小麦、玉米、大豆等颗粒粮食样品的等量分样台 1 7 快速水分检测 仪 1.测量范围：3～35%（因样品种类而异） 2.显示分辨率：%， 3.测量精度：水分：干燥法的标准误差为％以下（水 分低于20%的全部样品）， 4.测量品种：小麦、玉米等多个品种； 5.重复性误差：≤±%，重量：内置电子天平， 6.温度：自动温度补偿。 台 1 8 小麦容重器1.容重器大工作称重：1000±2g ; 2.容重器小工作称重：100g ; 3.容重器分辨力：1g ; 4.容重筒容积：1000± ; 5.供电电源:220v; 6.工作条件环境温度5℃-40℃ 7.相对湿度＜90%RH ; 台 1
8.测量方式：组合式测量 9 玉米容重器1.容重器大工作称重：1000±2g ; 2.容重器小工作称重：100g ; 3.容重器分辨力：1g ; 4.容重筒容积：1000± ; 5.供电电源:220v; 6.工作条件环境温度5℃-40℃ 7.相对湿度＜90%RH ; 8.测量方式：组合式测量 台 1 10 天平1.称量范围0-200g； 2.读取精度； 3.重复性±； 4.线性误差±； 5.称盘尺寸Ф80mm； 6.输出接口RS232C； 7.外型尺寸34cm××35cm（长*宽*高）； 8.电源AC 110-240V； 台 1 11 害虫显微镜1.产品倍数：40-1600倍； 2.产品材质：全金属材质； 3.产品光源：LED上下电光源； 4.供电方式：电池； 5.产品配置：广角目镜、倍增镜、标本移动卡尺； 6.具有精细调节及微调功能 台 2 12 地磅1.称台规格：宽米、长16米、10mm-12mm(+， 2.称重量：100t； 3.数字高精度30吨桥式传感器； 4.不锈钢外壳数字仪表； 5.不锈钢防浪涌10线接线盒；衡器专用?4#主线；5H 防水外显屏； 6.称重管理软件一套； 7.附件含台式电脑、打印机； 8.含称台基础。 台 1
现代传感器在原理与结构上千差万别，如何根据具体的测量目的、测量对象以及测量环境合理地选用传感器，是在进行某个量的测量时首先要解决的问题。当传感器确定之后，与之相配套的测量方法和测量设备也就可以确定了。测量结果的成败，在很大程度上取决于传感器的选用是否合理。 1、根据测量对象与测量环境确定传感器的类型 要进行—个具体的测量工作，首先要考虑采用何种原理的传感器，这需要分析多方面的因素之后才能确定。因为，即使是测量同一物理量，也有多种原理的传感器可供选用，哪一种原理的传感器更为合适，则需要根据被测量的特点和传感器的使用条件考虑以下一些具体问题：量程的大小；被测位置对传感器体积的要求；测量方式为接触式还是非接触式；信号的引出方法，有线或是非接触测量；传感器的来源，国产还是进口，价格能否承受，还是自行研制。 在考虑上述问题之后就能确定选用何种类型的传感器，然后再考虑传感器的具体性能指标。 2、灵敏度的选择 通常，在传感器的线性范围内，希望传感器的灵敏度越高越好。因为只有灵敏度高时，与被测量变化对应的输出信号的值才比较大，有利于信号处理。但要注意的是，传感器的灵敏度高，与被测量无关的外界噪声也容易混入，也会被放大系统放大，影响测量精度。因此，要求传感器本身应具有较高的信噪比，尽员减少从外界引入的厂扰信号。 传感器的灵敏度是有方向性的。当被测量是单向量，而且对其方向性要求较高，则应选择其它方向灵敏度小的传感器；如果被测量是多维向量，则要求传感器的交叉灵敏度越小越好。 3、频率响应特性 传感器的频率响应特性决定了被测量的频率范围，必须在允许频率范围内保持不失真的测量条件，实际上传感器的响应总有—定延迟，希望延迟时间越短越好。 传感器的频率响应高，可测的信号频率范围就宽，而由于受到结构特性的影响，机械系统的惯性较大，因有频率低的传感器可测信号的频率较低。 在动态测量中，应根据信号的特点(稳态、瞬态、随机等)响应特性，以免产生过火的误差。 4、线性范围 传感器的线形范围是指输出与输入成正比的范围。以理论上讲，在此范围内，灵敏度保持定值。传感器的线性范围越宽，则其量程越大，并且能保证一定的测量精度。在选择传感器时，当传感器的种类确定以后首先要看其量程是否满足要求。 但实际上，任何传感器都不能保证绝对的线性，其线性度也是相对的。当所要求测量精度比较低时，在一定的范围内，可将非线性误差较小的传感器近似看作线性的，这会给测量带来极大的方便。 5、稳定性
是德科技 网络分析仪选型指南
目录 Keysight 矢量网络分析仪解决方案 (4) 有源器件评测 (5) 无源器件评测 (7) 通用、教育 (9) 制造 (12) 高速串行互连分析 (14) 安装和维护 (15) 相关的网络分析仪产品和附件 (16) 关键性能和功能比较 (18) 过渡和升级 (21) 相关文献 (22) 网络资源 (23)
获得更高的置信度 无论您是测试有源器件还是无源器件，速度和性能的适当组合可为您增添竞争优势。 在研发过程中，是德科技矢量网络分析仪（VNA）提供出色的测量完整性，帮助您把深 层次的理念转换为更出众的设计。产品线上经济高效的 VNA 提供您所需的吞吐量和 可重复性，并将部件转变为具有竞争力的元器件。每一个 Keysight VNA 都能很好地体 现是德科技在线性和非线性器件表征方面的专业水平。在工作台、机架上或在现场， 我们能够帮助您获得更高的信心。 物理测量生态系统 放大器 点对点通信雷达 雷达军事通信 诊断系统和元器件诊断 医疗和工业流程
Keysight VNA 解决方案是德科技提供各种不同测量频率范围、性能和功能的矢量网络分析仪，能够满足用户 不同的测量需求。 这份选型指南概要介绍了是德科技所有的网络分析仪产品，并提供同类产品间的比 较，以帮助用户选择最能满足解决方案要求的产品。此外，资料中还简要地介绍了网络 分析仪的典型应用、 各种测量需求以及是德科技网络分析仪如何满足这些需求。
有源器件的评测 测量挑战 是德科技网络分析仪能够用来表征和测试有源组件，例如放大器、混频器和频率转换器。它们可轻松进行放大器的常规参数测量，例如增益、增益和相位压缩、隔离度、回波损耗和群时延。谐波失真常用于了解放大器的非线性行为，接收机有时需要工作在与激励源不同的频率上。由于频率转换器件的输入频率和输出频率不同，例如混频器和频率转换器，因此，精确地对频率变换器件进行测量具有很大的挑战性。用于测量这些器件的网络分析仪必须具有频偏模式（FOM ），才能够胜任测量这种输入频率和输出频率不相同的器件的任务。有时，可能还需要使用其他仪器和信号调节器件来进行双音测量、大功率器件测量、噪声系数测量、ACP 和 EVM 等其他类型的测量。因此，测量系统变得越来越复杂或者完成一个放大器的测量需要多个不同的测量工位。 是德科技解决方案 是德科技提供广泛的使用灵活、价格经济的测试解决方案，对有源元器件进行矢量网络分析。Keysight VNA 专为线性和非线性表征而设计，具有极高的精度。除了高性能优势之外，多款测量应用软件可简化设置、缩短测试时间并提高测量精度。 主要特性 –放大器增益、匹配和隔离：S 参数测量 –AM-AM 和 AM-PM 转化：功率扫描，信号源和接收机校准 –大功率/脉冲可配置性：可配置的测试座、大输出功率、信号源和接收机衰减器、内置脉冲发生器、外部脉冲发生器控制、内置脉冲调制器 –频率转换器转换增益/损耗：FOM 、信号源和接收机校准、标量混频器校准 –频率转换器转换相位/群时延：FOM 、幅度和相位校准、矢量混频器校准 –LO 驱动/测量：第二个内部信号源、外部射频源控制、三端口校准和测量、LO 功率校准 –混频器拓扑：扫描射频、扫描/固定 LO （固定 IF/扫描 IF ）、双级变频器、配有内置 LO 的变频器 –精确的信号源输出功率和绝对功率测量：信号源和接收机校准、功率传感器失配校正、接收机电平调节 –谐波失真：FOM 、信号源和接收机校准、较低的信号源谐波、接收机衰减器 –互调失真（IMD ）：FOM 、第二个内部信号源、外部信号源控制、内置信号合成网络、扫描 IMD –噪声系数测量 –Hot-S22 测量：FOM 、第二个内置信号源、内置信号合成网络 –功率附加效率：直流输入和/或直流电表控制 –直流偏置：内部直流偏置源/直流源控制/内置直流偏置电路 –非线性矢量网络分析（NVNA ）：波形分析、X 参数
压力传感器选型的三大要素 为新项目或设备选择压力传感器时，设计师通常比较关注关键设计参数，如压力范围、电流输出、介质兼容性以及环境条件等。然而，若要根据不同的应用选出合适的传感器，除以上参数外，还需考虑其它因素，常常被忽略的设计因素：压力传递介质（充油式和非充油式）、结构和传感技术类型。这也是压力传感器选型的三大要素。 一压力传递介质（充油式vs非充油式）在压力传感行业存在多种不同的传感技术，但所有传感器都可分为两大类：充油式和非充油式。充油式传感器是指在膜片和传感元件之间采用油液作为压力传递介质的传感器，例如基于微机电系统(MEMS)的电子传感器。 充油式传感器具有材料相容性(好)、成本低、易于集成到成套传感器系统中等特点，对许多制造应用都极具吸引力。虽然应用日益普遍，但相较于非充油式传感器，仍有不少缺点。 充油式设计的缺点是故障成本高。一旦传感膜片因过压或制造缺陷而破裂，那么油液就会泄漏至应用中并污染系统。油液进入系统会损坏关键的部件，造成成数千乃至数百万美元的损失，损失程度视具体应用而异（如，代价昂贵的燃料电池系统）。更糟的是，许多系统一旦被油液污染，几乎就没有修复的可能。相比之下，非充油式设计不仅能消除因故障导致污染的可能性，而且还可承受更高的过压冲击。 二结构压力传感器在应用中的服役时间是挑选传感器的关键指标之一。一般而言，全焊接结构的传感器，设计更坚固、耐用，在许多苛刻应用中的使用寿命都较长。另外，还要考虑接头在外壳上的焊接牢固度。要知道，在应用现场，这些装置常常会暴露在影响传感器工作的非理想环境下。 确保制造商不仅能够提供多种压力接头，包括1/4”和1/8”NPT等标准口径，而且还能够视需要量身定制过程接头。即使再坚固耐用的设计也有可能受潮湿环境影响，因此部分传感器需防潮保护以防止接头引脚的四周被腐蚀。 如果担心保护传感器受恶劣环境侵蚀，则选择IP防护等级满足安装需求的传感器。传感器可提供多种IP防护等级。其中，IP65级防护的型号可提供抵御粉尘渗入和喷嘴喷水的全面保护。 IP67级防护的传感器能够防护灰尘侵入以及短暂浸泡。IP69K级防护则适用于高
技术指标参数及要求 货物名称技术指标参数及要求数量备注 1 软件1应用范围（或用途）：。 2配置（或系统组成） 2.1 软件1套 3 技术指标 *3.1 软件必须是国际通用、技术成熟的商用软件，所有功能模 块为原厂商开发并整合在统一的软件图形界面下使用。 *3.2 软件必须为标准“客户端 - 服务器”结构，两端可同时支 持Windows和Linux操作系统，所有模块都支持工作流技术。 *3.3 所有模块必须能实现数据共享，同时能够在局域网上浮动 运行。为保证全部软硬件系统的安全性、可维护性和保密 性，所有模块在运行时只允许使用一个许可证加密文件。 3.4 软件为永久使用权，首次安装须一次性提供大于80年的许 可加密文件，自安装之日起提供为期壹年的软件免费升级。 *3.5 提供核心基础模块包，实现基本的分子结构显示、分子构 建、结果分析、Perl编程、任务管理等工具，基于Pipeline Pilot技术实现软件所有模块之间的无缝操作链接流程。核 心基础模块包主要功能包括： *3.5.1 Standalone：可视化界面，服务器/客户端安装在 同一台机器上，提供化学/生物学数据显示、模拟/分析、 构建三维分子、展示动态变化、三维作图及许多其它功能。 提供该模块1个使用许可。 *3.5.2 CHARMm：来自Harvard大学Dr. Martin Kaplus的 经典的分子力学和动力学模拟工具，要求商业版本且与上 述可视化界面完美结合、通过Standalone可视化界面或者 命令行两种方式提交并完成计算任务，包括基于CHARMm 力 场的柔性对接工具CDOCKER。提供该模块1个使用许可。 *3.5.3 Biopolymer：蛋白质、肽类和核酸结构搭建、修 改和分析的工具，包括著名的静电分布计算工具DelPhi以 及基本的X-Ray工具。提供该模块1个使用许可。 *3.5.4 Protein Refine：针对MODELER的模建结果，基于 CHARMm 进行蛋白质氨基酸侧链和loop区的优化，提高模建 结果的合理性。提供该模块1个使用许可。 3.5.5 Analysis：动力学计算结果图形分析工具，能够分 析和显示蛋白质、蛋白质与配体复合物的分子动力学轨迹 文件。提供该模块1个使用许可。 3.5.6 Catalyst Score：化合物和药效团叠合并打分，为 结构修饰和改造提供信息。提供该模块个使用许可。 3.5.7 Catalyst Conformation：多样、完全且快速的构 想模型生成工具，可产生化合物的多构象模型，可选择采 用Polling或CAESAR算法，也可采用系统搜索或随机方法生 成构象。提供该模块1个使用许可。 3.5.8 QUANTUMm：QM/MM计算工具，结合CHARMm 和DMol3的 功能完成受体-配体结合能计算。提供该模块1个使用许可。 1 / 3
品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
技术参数指标 : 1.全自动生化分析仪: (1)、仪器系统：原装进口全自动生化分析仪，生化比色检测速度≥320测试/小时； (2)、试剂系统：试剂全开放，仪器所有生化检测通道均可同时满足使用国产和进口试剂； (3)、进样方式：圆盘式进样，一次性装载样本≥100个； (4)、仪器基本性能：样品最小加样量≤1.5微升，加样精度0.1微升步进；试剂针最小吸取量≤5微升，精度1微升步进； (5)、最小生化试剂反应量≤100微升，最大生化试剂添加数≥3种； (6)、最大生化比色反应时间≥10分钟； (7)、可同时检测双试剂生化项目≥40项； (8)、温控精度：反应系统水浴恒温，温控精度达到37℃±0.1℃； (9)、样品针堵塞检测功能：样品针采用压力变化检测血凝块和纤维丝堵塞；(10)、反应杯：UV塑料比色杯； (11)、搅拌装置：所有生化比色反应采用非接触式超声波搅拌功能； (12)、急诊功能：具有急诊位，随时加入优先检验； (13)、前稀释功能：仪器必须同时具有样品和校准品的前稀释功能； (14)、仪器具有全反应过程检测功能及反应曲线测试、探针防撞和防震的保护功能、异常标本自动复检功能，能连接中文计算机，并可直接出中文报告； (15)、分光系统：凹面蚀刻后分光系统、吸光度范围0-3.0；波长范围340- 800nm；(16)、远程服务功能：仪器必须具有并免费开放远程服务功能；
(17)、样本条形码扫描功能：仪器必须具有样本条形码扫描功能； (18)、售后服务： (18.1)、安装调试及保修：厂方在本地有常驻工程师，仪器免费上门安装及现场培训（包括仪器的基本原理、操作应用及仪器的维护保养知识），保修期是从仪器验收后12个月或发货后15个月（以先到日期为准）。接到用户维修仪器邀请后，在48小时内给予应答。 (18.2)、认证：该系统可由专业服务工程师采用经过校准的仪器以及验证工作手册为用户提供验证服务支持。 2、超纯水机： (1)、应用范围：系统以自来水为进水，同时连续生产用于玻璃器皿的最后冲洗、化学/生化试剂配制、分析试剂及药品配制、稀释等的分析级纯水（II级水）和用于细胞培养、Q-PCR、肽谱分析等生物工程实验所需超纯水及高精密分析设备(AAS,IC,HPLC,LC,GC-MS等)配液所需超纯水（I级水）。 (2)、供货要求： (2.1)、仪器类型：纯水/超纯水一体化智能系统； (2.2)、数量：一套 (3)、技术指标： (3.1)、仪器工作环境: (3.1.1)、电源:AC220V±10%, 50Hz (3.1.2)、温度：5-35℃ (3.1.3)、相对湿度：20%-80% (3.2)、系统总体组成：系统包括一台主机、两个独立取水器（分别取纯水和超纯水）、全自动水箱、以及必需的耗材等
传感器选用的基本原则 现代传感器在原理与结构上千差万别，如何根据具体的测量目的、测量对象以及测量环境合理地选用传感器，是在进行某个量的测量时首先要解决的问题。当传感器确定之后，与之相配套的测量方法和测量设备也就可以确定了。测量结果的成败，在很大程度上取决于传感器的选用是否合理。 1、根据测量对象与测量环境确定传感器的类型 要进行—个具体的测量工作，首先要考虑采用何种原理的传感器，这需要分析多方面的因素之后才能确定。因为，即使是测量同一物理量，也有多种原理的传感器可供选用，哪一种原理的传感器更为合适，则需要根据被测量的特点和传感器的使用条件考虑以下一些具体问题：量程的大小；被测位置对传感器体积的要求；测量方式为接触式还是非接触式；信号的引出方法，有线或是非接触测量；传感器的来源，国产还是进口，价格能否承受，还是自行研制。 在考虑上述问题之后就能确定选用何种类型的传感器，然后再考虑传感器的具体性能指标。 2、灵敏度的选择 通常，在传感器的线性范围内，希望传感器的灵敏度越高越好。因为只有灵敏度高时，与被测量变化对应的输出信号的值才比较大，有利于信号处理。但要注意的是，传感器的灵敏度高，与被测量无关的外界噪声也容易混入，也会被放大系统放大，影响测量精度。因此，要求传感器本身应具有较高的信噪比，尽员减少从外界引入的厂扰信号。 传感器的灵敏度是有方向性的。当被测量是单向量，而且对其方向性要求较高，则应选择其它方向灵敏度小的传感器；如果被测量是多维向量，则要求传感器的交叉灵敏度越小越好。 3、频率响应特性 传感器的频率响应特性决定了被测量的频率范围，必须在允许频率范围内保持不失真的测量条件，实际上传感器的响应总有—定延迟，希望延迟时间越短越好。 传感器的频率响应高，可测的信号频率范围就宽，而由于受到结构特性的影响，机械系统的惯性较大，因有频率低的传感器可测信号的频率较低。 在动态测量中，应根据信号的特点(稳态、瞬态、随机等)响应特性，以免产生过火的误差。 4、线性范围 传感器的线形范围是指输出与输入成正比的范围。以理论上讲，在此范围内，灵敏度保持定值。传感器的线性范围越宽，则其量程越大，并且能保证一定的测量精度。在选择传感器时，当传感器的种类确定以后首先要看其量程是否满足要求。 但实际上，任何传感器都不能保证绝对的线性，其线性度也是相对的。当所要求测量精度比较低时，在一定的范围内，可将非线性误差较小的传感器近似看作线性的，这会给
ENA射频网络分析仪 Agilent E5071C 9 KHz至8.5 GHz 详细说明: Agilent E5071C ENA系列网络分析仪 频率范围： 频率范围端口选件 E5071C 9KHz-4.5GHz 2/4 240/440 9KHz-8.5GHz 2/4 280/480 100KHz-4.5GHz 2/4 245/445 100KHz-8.5GHz 2/4 285/485 系统动态范围： 频率IF 带宽技术指标 SPD
主要特性： ?宽动态范围：在测试端口上的动态范围> 123 dB（典型值） ?极快的测量速度：39 ms（进行完全双端口校准，扫描1601点时） ?低迹线噪声：0.004 dB rms（70 kHz IFBW时） ?集成的2和4端口，带有平衡测量能力 选件： E5071C—008 频率偏置模式 E5071C—010 时域分析能力 E5071C—790 测量向导助手软件 E5071C—1E5 高稳定度时基 E5071C—240 双端口测试仪9KHz-4.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—245 双端口测试仪100KHz-4.5GHz 带偏置T型接头 E5071C—440 4端口测试仪9KHz-4.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—445 4端口测试仪100KHz-4.5GHz 带偏置T型接头 E5071C—280 双端口测试仪9KHz-8.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—285 双端口测试仪100KHz-8.5GHz 带偏置T型接头 E5071C—480 4端口测试仪9KHz-8.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—485 4端口测试仪100KHz-8.5GHz 带偏置T型接头 附件： 校准件 HP85033D/E (3.5mm) 校准件HP85032B (N型) ?宽动态范围：在测试端口上的动态范围> 123 dB（典型值） ?极快的测量速度：39 ms（进行完全双端口校准，扫描1601点时） ?低迹线噪声：0.004 dB rms（70 kHz IFBW时） ?集成的2和4端口，带有平衡测量能力 ?提供频率选件：从9 kHz/100 kHz（带有偏置T型接头）到4.5 GHz/8.5 GHz E5071C网络分析仪具有广泛的频率范围和众多功能，在同类产品中具有最高的射频性能和最快的测试速度。它是制造工程师和研发工程师测量9 kHz至8.5 GHz射频元器件和电路的最佳工具。
方案一压电传感器 压电传感器是一种典型的有源传感器，又称自发电式传感器。其工作原理是基于某些材料受力后在其相应的特定表面产生电荷的压电效应。 压电传感器体积小、重量轻、结构简单、工作可靠，适用于动态力学量的测量，不适合测频率太低的被测量，更不能测静态量。目前多用于加速度和动态力或压力的测量。压电器件的弱点：高内阻、小功率。功率小，输出的能量微弱，电缆的分布电容及噪声干扰影响输出特性，这对外接电路要求很高。 方案二电容式传感器 电容式传感器是将被测非电量的变化转换为电容变化的一种传感器。它有结构简单、灵敏度高、动态响应好、可实现非接触测量、具有平均效应等优点。电容传感器可用来检测压力、力、位移以及振动学非电参量。 电容传感器的基本工作原理可用最普通的平行极板电容器来说明。两块相互平行的金属极板，当不考虑其边缘效应（两个极板边缘处的电力线分布不均匀引起电容量的变化）时，其电容量为 （） 式（）中 d——两极板间的距离； A——两平行极板相互覆盖的有效面积； ε——介质的相对介电常数； r ε——真空中介电常数。 o ε三个参量中任一个发生变化，都会引起电容量的变化，若被测量的变化使式中d、A、 r 通过测量电路就可转换为电量输出。 虽然电容式传感器有结构简单和良好动态特性等诸多优点，但也有不利因素： （1）小功率、高阻抗。受几何尺寸限制，电容传感器的电容量都很小，一般仅几皮法 X=1/ωC很大，为高阻抗元件，负载能力差；又因其视在至几十皮法。因C太小，故容抗 C uωC ，C很小，则P也很小。故易受外界干扰，信号需经放大，并采取抗干扰措功率P=2 o 施。 （2）初始电容小，电缆电容、线路的杂散电路所构成的寄生电容影响很大。 方案三电阻应变式传感器 电阻应变式传感器是一种利用电阻应变效应，将各种力学量转换为电信号的结构型传感器。电阻应变片式电阻应变式传感器的核心元件，其工作原理是基于材料的电阻应变效应，电阻应变片即可单独作为传感器使用，又能作为敏感元件结合弹性元件构成力学量传感器。 导体的电阻随着机械变形而发生变化的现象叫做电阻应变效应。电阻应变片把机械应变信号转换为△R/R后，由于应变量及相应电阻变化一般都很微小，难以直接精确测量，且不
常用橡胶的技术性能指标参数 本文介绍了天然橡胶（NR）异戊橡胶（IR）丁苯橡胶（SBR） 顺丁橡胶（BR）氯丁橡胶（CR）丁基橡胶（IIR）丁腈橡胶（NBR）乙丙橡胶（EPR）橡胶品种（简写符号）化学组成性能特点主要用途 1．天然橡胶（NR）以橡胶烃（聚异戊二烯）为主，含少量蛋白质、水分、树脂酸、糖类和无机盐等。弹性大，定伸强度高，抗撕裂性和电绝缘性优良，耐磨性和耐旱性良好，加工性佳，易于其它材料粘合，在综合性能方面优于多数合成橡胶。缺点是耐氧和耐臭氧性差，容易老化变质；耐油和耐溶剂性不好，第抗酸碱的腐蚀能力低；耐热性不高。使用温度范围：约－60℃～＋80℃。制作轮胎、胶鞋、胶管、胶带、电线电缆的绝缘层和护套以及其他通用制品。特别适用于制造扭振消除器、发动机减震器、机器支座、橡胶－金属悬挂元件、膜片、模压制品。 2．丁苯橡胶（SBR）丁二烯和苯乙烯的共聚体。性能接近天然橡胶，是目前产量最大的通用合成鸾海涮氐闶悄湍バ浴⒛屠匣湍腿刃猿烊幌鸾海实匾步咸烊幌鸾壕取Ｈ钡闶牵旱越系停骨印⒖顾毫研阅芙喜睿患庸ば阅懿睿乇鹗亲哉承圆睢⑸呵慷鹊汀Ｊ褂梦露确段В涸迹?0℃～＋100℃。主要用以代替天然橡胶制作轮胎、胶板、胶管、胶鞋及其他通用制品。 3．顺丁橡胶（BR）是由丁二烯聚合而成的顺式结构橡胶。优点是：弹性与耐磨性优良，耐老化性好，耐低温性优异，在动态负荷下发热量小，易于金属粘合。缺点是强度较低，抗撕裂性差，加工性能与自粘性差。使用温度范围：约－60℃～＋100℃。一般多和天然橡胶或丁苯橡胶并用，主要制作轮胎胎面、运输带和特殊耐寒制品。 4．异戊橡胶（IR）是由异戊二烯单体聚合而成的一种顺式结构橡胶。化学组成、立体结构与天然橡胶相似，性能也非常接近天然橡胶，故有合成天然橡胶之称。它具有天然橡胶的大部分优点，耐老化由于天然橡胶，弹性和强力比天然橡胶稍低，加工性能差，成本较高。使用温度范围：约－50℃～＋100℃可代替天然橡胶制作轮胎、胶鞋、胶管、胶带以及其他通用制品。 5．氯丁橡胶（CR）是由氯丁二烯做单体乳液聚合而成的聚合体。这种橡胶分子中含有氯原子，所以与其他通用橡胶相比：它具有优良的抗氧、抗臭氧性，不易燃，着火后能自熄，耐油、耐溶剂、耐酸碱以及耐老化、气密性好等优点；其物理机械性能也比天然橡胶好，故可用作通用橡胶，也可用作特种橡胶。主要缺点是耐寒性较差，比重较大、相对成本高，电
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
:MMEMory:LOAD:PROGram 没有等效COM命令 语法 :MMEMory:LOAD:PROGram
这个命令将VBA编辑器上打开的VBA工程保存到文件中。该文件的扩展名为.vba。如果存在指定文件名的文件，重写其内容。 变量 参数 String 说明 要保存VBA工程的文件的名称 范围 254个字符或更少 预置值 “” 应用实例 10 OUTPUT 717;":MMEM:STOR:PROG ""Test1/Test1_01.vba""" 10 OUTPUT 717;":MMEM:STOR:PROG ""D:Test1_01.vba""" 相关命令 :MMEM:LOAD:PROG 等效键 Macro Setup > Save VBA Project 宏设置 > 保存VBA工程 :MMEMory:TRANsfer 没有等效COM命令 语法 :MMEMory:TRANsfer
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
一、传感器的定义 国家标准GB7665-87对传感器下的定义是：“能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成”。传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将检测感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动检测和自动控制的首要环节。 二、传感器的分类 目前对传感器尚无一个统一的分类方法，但比较常用的有如下三种： 1、按传感器的物理量分类，可分为位移、力、速度、温度、流量、气体成份等传感器 2、按传感器工作原理分类，可分为电阻、电容、电感、电压、霍尔、光电、光栅、热电偶等传感器。 3、按传感器输出信号的性质分类，可分为：输出为开关量（“1”和"0”
或“开”和“关”）的开关型传感器；输出为模拟型传感器；输出为脉冲或代码的数字型传感器。 三、传感器的静态特性 传感器的静态特性是指对静态的输入信号，传感器的输出量与输入量之间所具有相互关系。因为这时输入量和输出量都和时间无关，所以它们之间的关系，即传感器的静态特性可用一个不含时间变量的代数方程，或以输入量作横坐标，把与其对应的输出量作纵坐标而画出的特性曲线来描述。表征传感器静态特性的主要参数有：线性度、灵敏度、分辨力和迟滞等。 四、传感器的动态特性 所谓动态特性，是指传感器在输入变化时，它的输出的特性。在实际工作中，传感器的动态特性常用它对某些标准输入信号的响应来表示。这是因为传感器对标准输入信号的响应容易用实验方法求得，并且它对标准输入信号的响应与它对任意输入信号的响应之间存在一定的关系，往往知道了前者就能推定后者。最常用的标准输入信号有阶跃信号和正弦信号两种，所以传感器的动态特性也常用阶跃响应和频率响应来表示。
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应