当前位置:文档之家› 晶体三极管的三极判断教学案例

晶体三极管的三极判断教学案例

晶体三极管的三极判断教学案例
晶体三极管的三极判断教学案例

晶体三极管的三极判断

类别:职教专业编号:()

基极

②演示实验

实验结论:黑表笔接基极,红表笔接另外两个电极,两次测出的电阻大小相等,是NPN型三极管。(口诀:三颠倒,找基极,PN结,定管型)

(设计意图:通过利用虚拟仿真和真实演示,验证猜想,得出结论,调动学习

讨论结果:利用三极管放大特性测量,利用万用表和手的电阻连接电路放大时,电阻变小,C为集电极,E为发射极

观察实验现象

①仿真实验现象:

②演示真实实验

附:

参评教学案例:晶体三极管的三极判断类别:职教专业

电子技术实验课教学案例

电子技术实验课教学案例 引言: 模拟电子技术基础是电子技术应用专业的一门核心课程,也是电子信息类专业整个知识和能力体系的重要支柱之一,由于教学内容存在基本概念抽象,知识点分散,分析方法多样,器件和电路类型复杂等问题,加上学生学习基础较差,理解能力较弱,学生学习兴趣不高,教学效率不高,教学效果欠佳。围绕任何处理号教和学的关系,笔者尝试从淡化理论教学,加强实践(试验)教学入手,激发学生学习兴趣,增强教学的互动性,从而提高教学效果。 背景 按照教学计划的安排,第四周应该进行固定偏置式三极管放大电路的静态与动态工作过程的观察这个实验。这个实验的目的主要是结合理论知识,用仪器和仪表去测量电路的静态工作点和对比观察输入输出波形的大小和相位关系,验证理论教学的正确性。授课对象是五年制高职三年级学生,53人,男女生几乎各占一半。由于理论教学任务完成得较好,课前布置了学生预习实验内容,笔者估计这次实验应该能够顺利完成。 问题 可是,等到学生实验正式开始后,很多意想不到的事情发生了,教师的教学组织受到了很大的干扰,致使实验教学受到了很大的影响。 教学课程 教师:今天,我们在实验室上课,同学们分组做实验,研究固定偏置式三极管放大电路的静态与动态工作过程,课前布置了大家预习,相信大家对实验的过程,所有仪器,仪表的使用和操作已经有了比较全面的认识,我在教师台再把一些关键词强调一下。 学生:部分学生点头表示明白,小部分学生低头在摆弄实验教材。 教师:在实验台上接搭号电路,提醒大家注意:本次实验原理难度并不大,但测量项目较多,仪器仪表的接线也比较复杂,请务必注意测量放大电路的静态工作点时,万用表测量项目和量程的装换,红黑表笔极性要注意,不然很容易造成万用表损坏,影响实验的正常进行,信号发生器,示波器首先按照要求调试号,接线关系要弄清楚,正确接入电路,不然看不到波形,实验无法成功,也就无法对理论教学进行验证了。 学生:有的在思考老师讲的话,有的在小声议论,有的用万用表测量自身电阻大小。

三极管型号判断

一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义 晶体三极管的命名方法见图5-18,型号字母意义见表5-6 二、晶体三极管的种类 晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。详见表5-6。晶体三极管的种类划分如下。 ①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。 ②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。 ③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。 ④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。 三、三极管的主要参数 一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。 ①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 I CBO。此值越小说明晶体管温度稳定性越好。一般小功率管约 10μA左右,硅晶体管更小。 集电极-发射极反向电流I CEO, 也称穿透电流。此值越小说明晶体管稳定性越好。过大说明这个晶体管不宜使用。 ②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流I CM;集电极最大允许耗散功率I CM;集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO。 ③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用h FE表示。 为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。 表5-7 部分三极管β值色标表示 ④特性频率f T:晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f是当β下降到 1 时的频率值。也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。

课题三(三极管)

《电子技术》培训项目 培训课题4 半导体三极管的识别与检测 1、培训目的和任务 ⑴、了解三极管的类型及型号。 ⑵、会用万用表识别三极管的极性。 2、培训课时:10课时 3、培训原理和技术 晶体三极管是应用最广的电子器件之一,它有NPN和PNP两种类型。材料上分为Ce和Si,但是其检测方法基本一致。 型号及外观的识别 第一部分为3,代表三极管,第二部分是A、B、C、D等字母,表示材料和特性,由此便可知其材料和类型。 如:3AX32 3BX75 锗材料 3CG25 3DG75 硅材料 封装形式有两种:塑料和金属封装 塑料封装一般都为低频三极管,金属封装的都为高频三极管。 4、培训仪器和器材 指针式万用表一只 数字万用表一只

不同型号的三极管若干 5、培训内容和步骤 用数字万用表二极管档测量晶体三极管,判断管型方法: (1)先找b(基极),测2次,2次都导通就为b,如果正(红)表笔接的为b,且是NPN型三极管;如果是负(黑)表笔接的为b,是PNP 型三极管。如果显示是0.4V(400mv)以上为硅材料,0.4V以下为锗。(2)找e(发射极),c(集电极),仔细对比基极和其它两个引脚之间的两次电压大小,电压大的一次为e脚,PNP型(负)黑表笔接的为B,NPN型(正)红表笔接的为B。 ⑴、根据测量所得相关数据,说明硅材料和锗材料三极管其正反向电

⑵、测试数据 6、考核评价 (1)三极管的读识法:(15分)(2)读法:(20分) (3)元件的读识:(20分)(4)万用表测试元件:(20分)

(5)操作总体效果:(15分)(6)使用设备和工具:(10分)

第二章晶体三极管和场效晶体管

课题第一章晶体=极管和场效晶体管 2.1.1—2.1.3三极管的基本特性 课型 新课 投课班级17机电授课时数2课时 教学目标 1.掌握三极管的结构、分类和符号 2.理解三极管的工作电压和基本连接方式 3.理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用 教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用 学情分析学生已经了解了PN结及特性学生已熟练掌握晶体二极管的基本特性 教学方法讲授法、引导法、图示法、对比法、多媒体演示法 教后记 通过对本次课的学习,学生了解了三极管的基本特性,了解三极管中的PN结与二极皆中PN结的区别,同时掌握了三极管的基本连接方式和放大倍数的讣算方法,并能进行实际应用,利用査表法说出三极管的型号

A.引入 在电子线路中,经常用的基本器件除二极管外,还有三引脚的三极管。B?新授课 2.1,1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1?观察外形 2.三极管的结构图 (1〉发射区掺杂浓度较大,以利于发射区向基区发肘载流子。(2)基区很薄,掺杂少,载流子易于通过。 <3)集电区比发射区体枳大且掺杂少,收集载流子。 注意:三极管并不是两个PN结的简单组合,不能用两个二极管代替。 二、图形符号 a. NPN 型 三.分类 1?内部三个区的半导体分类:NPN型、PNP型 2.工作频率分类:低频管和高频管 3.以半导体材料分:错、硅 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、三极管的工作电压 1?三极笛工作时,发射结加正向电压?集电结加反向电压。 2?偏置电压:基极与发射极之间的电压。 二.三极管在电路中的基本连接方式 1?共发射极接法(讲解) 三极:发射极、 两结:发射结、基极、集电极 集电结 基区、集电区 (引导: 比较两种符 号,箭头说 明发射结导 通的方向) C b V e b. PNP 型 集 C电 极 集 C电 极 b V

如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断

如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多,下面结合例题来进行分析。 一、三种工作状态的特点 1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后,C、E 间的饱和电阻RCE=UCES/ICS,UCES 很小,ICS 最大,故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E 间视为短路,饱和状态的NPN 型三极管等效电路如图1a 所示。 2.三极管截止状态下的特点要使三极管处于截止状态,必须基极电流IB=0,此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO 为穿透电流,极小),根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压UCE≈EC。 三极管截止时,基极电流IB=0,而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见,UBE≤0,UBC1V 以上,UBE>0,UBC 二、确定电路中三极管的工作状态 下面利用三极管三种工作状态的特点和等效电路来分析实际电路中三极管的工作状态。 例题:图2 所示放大电路中,已知EC=12V,β=50,Ri=1kΩ,Rb=220kΩ,Rc=2kΩ,其中Ri 为输入耦合电容在该位置的等效阻抗。问:1.当输入信号最大值为+730mV,最小值为-730mV 时,能否经该电路顺利放大?2.当β=150 时,该电路能否起到正常放大作用?

半导体三极管——教学设计

半导体三极管——教学设计 一、教学目标 1、知识与技能: (1)知道半导体三极管的内部结构及类型; (2)了解半导体三极管的工作过程; (3)知道半导体三极管的三种工作状态并能分析简单的电路。 2、过程与方法: 培养学生自主、探究学习的能力。 3、情感态度价值观: 培养学生善于发现,仔细观察,勤于动脑,感受技术魅力。 二、教学方法 讲授法、讨论法 三、教学重点 三极管的三种工作状态 四、教学难点 三极管的内部工作原理 五、学情分析 学生在这之前学习过二极管,知道二极管的单向导电性,正向偏置与反向偏置的区别,也知道二极管的导通压降。但是对二极管的内部结构原理没有做深入的了解。所以学生对二极管尤其是三极管是非常陌生的,可以说重来没有接触过,所以在学习的过程中难免有惧怕的心理。而我上课的班级据我了解基础比较薄弱。所以在进行教学设计的难度必须要有所把控。 六、教学过程 1、引入 展示如图所示的电路图,让学生找图中一共有几种类型不同的电子元器件?考察学生的观察力 继续询问学生认识其中的哪几种?引出这堂课的主角——半导体三极管 2、正课 (1)回顾

二极管的相关知识:二极管的符号、单向导电性、导通压降、正向偏置、反向偏置等,最后指出二极管是由一个PN结,两个电极和管壳组成。导出三极管的内部结构。 (2)三极管的内部结构的介绍来总结三极管的特点 推出另一种三极管PNP,让学生观察二者的区别,进一步总结三极管的特点 (3)重点讲解三极管的三种工作状态 1、截止状态 2、放大状态 3、饱和状态 以NPN为例,从表面上看三极管可以简单的看出两个背靠背的二极管,但它并不具备放大功能,三级管若要实现放大功能,必须从三极管的内部结构和外部所加的电源极性来保证。

三极管的判断方法

三极管的判断方法一,三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是):先假定一个管脚是b,把 红表笔接这个b,用黑表笔分别接触另两个管脚,测得或者都是高阻值时,说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极,所以 当测得都是低阻值时,b是N型材料, 两端是P型材料,就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时,b是P型材料, 两端是N型材料,就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c 极,红表笔接假设的e极,万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce;之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致,所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e,红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量:先转动开关至晶体管调节 Adj位置上,将红黑测试笔短接,调节欧姆调零电位器,使指针对准300hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座,P型插入P型插座。 5.

三极管工作状态 有图

NPN:放大,集电结反偏,发射结正偏; 截止,集电结反偏,发射结反偏; 饱和,集电结正偏,发射结正偏; PNP:放大,集电结正偏,发射结反偏; 截止,集电结正偏,发射结正偏; 饱和,集电结反偏,发射结反偏; 这是我脑子里的东西,你自己看一下是不是相反吧 简单的办法就是判断他们的电位变化的情况。以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反。(1)截止,Ube<0.7V,也就是发射结反偏,Ube<0的时候是可靠截止。(2)放大,Ube>0.7V,Uce>Ube,Ubc<0,也就是发射结正偏,集电结反偏。(3)饱和,Ube>0.7V,UceUon,UbUB,极电结正偏UC>UB,饱和 截止状态: 当“≤0时,集电极电流很 小,三极管相当于截止,电源电 压丘几乎全部加在管子两端 放大状态: “从O逐渐增大,集电极电流 J。也按一定比例增加,很小的 I变化引起很大的,;变化,三 极管起放大作用 饱和状态: 三投管饱和时,管子两端压降很 小,电源电压E几乎全部加在集电 极负载电阻磁两端I口越大,控制越 灵敏

三极管的基极判断和类型

判断基极和三极管的类型 三极管的脚位判断,三极管的脚位有两种封装排列形式,如右图: 三极管是一种结型电阻器件,它的三个引脚都有明显的电阻数据,测试时(以数字万用表为例,红笔+,黒笔-)我们将测试档位切换至二极管档(蜂鸣档)标志符号如右图: 正常的NPN结构三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的正向电阻是430Ω-680Ω(根据型号的不同,放大倍数的差异,这个值有所不同)反向电阻无穷大;正常的PNP 结构的三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的反向电阻是430Ω-680Ω,正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下,电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻,通常情况下,基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右(大功率管比较明显),如果超出这个值,这个元件的性能已经变坏,请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏,这个元件也可能不久就会损坏,大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。 尽管封装结构不同,但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的,不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。 要注意有些厂家生产一些不规范元件,例如C945正常的脚位是BCE,但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC,这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路,导致电路不能工作,严重时烧毁相关联的元器件,比如电视机上用的开关电源。 在我们常用的万用表中,测试三极管的脚位排列图: 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表

三极管的特性曲线

三极管的特性曲线 教学目标: 掌握共射级三极管的输入、输出特性曲线 掌握三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 会判断三极管的工作状态 教学重点: 三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 教学难点: 三极管的工作状态的判断 教学方法: 讲授、分析、练习法 教学过程: 一、新课引入 三极管在电路应用时,有三种组态(连接方式),以基极为公共端的共基极组态、以发射极为公共端的共发射极组态和以集电极为公共端的共集电极组态,如图所示。 共发射极 共集电极 共基极 由于三极管的接地方式不同,三极管的伏安特性也不同,其中共发射极(简称共射)特性曲线是最常用的。 u i

二、新课讲授 1.共射输入特性曲线 当U CE 为某一定值时,基极电流i B 和发射结电压 u BE 之间的关系曲线入下图所示。 当U CE =0时,输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相似,存在死区电压U on (也称开启电压),硅管U on ≈0.5V ,锗管约0.1V 。只有当U BE 大于U on 时,基极电流i B 才会上升,三极管正常导通。硅管导通电压约0.7V ,锗管约0.3V 。 随着U CE 的增大输入特性曲线右移,但当U CE 超过一定数值(U CE >1)后,曲线不再明显右移而基本重合。 2.共射输出特性曲线 在基极电流I B 为一常量的情况下,集电极电流i C 和管压降u CE 之间的关系曲线入下图所示。 BE 0 40 输入特性曲线

1)截止区 I B =0曲线以下的区域称为截止区。 2)饱和区 u CE 较小的区域称为饱和区。三极管饱和时的u CE 值称为饱和电压降U CES ,小功率硅管约为0.3V ,锗管约为0.1V 。 3)放大区 一族与横轴平行的曲线,且各条曲线距离近似相等的区域称为放大区。此时,表现出三极管放大时的两个特性:①电流受控,即Δi C =βΔi B ;②恒流特性,只要I B 一定,i C 基本不随u CE 变化而变化。 例:如图说示是某三极管的输出特性曲线,从曲线上可以大致确定该三极管在U CE =6.5V ,I B =60μA (b 点)附近的β和β值。 解:在图示的输出特性曲线上作U CE =6.5V 的垂线,与I B =60μA 的 输出特性曲线交于 b 点,由此可得该点对应的4160 105.23 B C =?= =I I β 4020 10)7.15.2(3 B C =?-=??=i i β

关于三极管工作于开关状态的原理解析

关于三极管工作于开关状态的原理解析 晶体三极管的实际开关特性决定于管子的工作状态。晶体三极管输出特性三个工作区,即截止区、放大区、饱和区,如图4.2.1(b)所示。如果要使晶体三极管工作于开关的接通状态,就应该使之工作于饱和区; 要使晶体三极管工作于开关的断开状态,就应该使之工作于截止区,发射极电流iE=0,这时晶体三极管处于截止状态,相当于开关断开。集电结加有反向电压,集电极电流iC=ICBO,而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时,iB并不是为0,而等于-ICBO。基极开路时,外加电源电压VCC使集电结反向偏置,发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时,晶体管并未进入截止状态,这时iE=iC =ICEO还是较大的。晶体管进入截止状态,晶体管基极与发射极之间加反向电压,这时只存在集电极反向饱和电流ICBO,iB =-ICBO,iE=0,为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值,当大于VBO时,发射结处于反向偏置而截止,流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO,这时晶体管进入截止状态iB = -(ICBO+ IEBO),iC= ICBO。发射结外加正向电压不断升高,集电极电流不断增加。同时基极电流也增加,随着基极电流iB 的增加基极电位vB升高,而随着集电极电流iC的增加,集电极电位vC却下降。当基极电流iB增大到一定值时,将出现vBE =vCE的情况。这时集电结为零偏,晶体管出现临界饱和。 如果进一步增大iB ,iB增大,使得集电结由零偏变为正向偏置,集电结位垒降低,集电区电子也将注入基区,从而使集电极电流iC随基极电流iB的增大而增大的速度减小。这时在基区存储大量多余电子-空穴对,当iB继续增大时,iC基本维持不变,即iB失去对iC的控制作用,或者说这时晶体管的放大能力大大减弱了。这时称晶体管工作于饱和状态。一般地说,在饱和状态时饱和压降VBE(sat)近似等于0.7V,VCE(sat)近似等于0.3V。由图4.2.1(a)可看出,集电极电流iC的增加受外电路的限制。由电路可得出iC的最大值为ICM= VCC/ RC。晶体管进入饱和状态,基极电流增大,集电极电流变化很小,即iC=ICS=(VCC-VBE(sat))/RC晶体管处于临界饱和时的基极电流为IBS=ICS/β=(VCC-VBE(sat))/βRC 基极电阻增大,驱动电流不足,特别是晶体管从放大区进入饱和区时时间太长,开关晶体管发热烧坏,因此此电阻的计算为:Rb《=Hfe*(Vb-0.7)/Icm 在简易自动控制电路中,将介绍一些模拟实验电路,利用一些物理现象产生的力、热、声、光、电信号,实现自动控制,以达到某种控制效果。

晶体三极管的三极判断

《晶体三极管的三极判断》说课稿 我说课的题目是:《晶体三极管的三极判断》。我主要从说教材、说教法、说学法、说教学过程从四个方面进行阐述。 一、说教材 1、教材分析 教材:中等职业教育规划教材 国防科技大学出版社《电子技术基础》 主编:侯寅珊教授 根据教育部颁发的中等职业教育《电子技术基础》教学大纲进行编写。同时参照电气类职业技能规范,同时从目前中等职业教育学生的实际出发,淡化了理论教学,着重培养学生的学习能力、问题的能力,应用知识解决问题的能力。本书作为中等职业学校电子技术的基础教材,将课程的理论知识与实践能力相结合。 2、教学重点与难点 重点:三极管类型、及用不同符号表示 难点:三极管的内部结构、如何判别三极管的三个极的极性 3、教学目标 知识目标:了解晶体三极管的分类、符号;明确三极管的三个极的判断方法; 能力目标:培养学生观察、分析等逻辑思维能力; 独立解决问题的能力; 培养和提高口头表达能力; 培养学生的团队意识; 锻炼学生的自学能力、设计能力、手工操作能力。 情感目标:培养学生参与、合作意识,激发学生学习兴趣和乐于探究的精神。 4、教学理念 摈弃简单的说教,以生为本,紧密联系生活,关注学生实际,引导学生积极参与学习实践,在合作学习中不断提升专业理论和专业技能。

二、说教法 1、灵活多样的教学方法 对基本要了解的知识点采用直观教学法(如:三极管的分类)。 为落实重点采用开放活动式教学,引导思考法教法(如:三极管的类型和符号)。 为突破难点采用启发式,课堂互动式,多媒体辅助教学法,实践操作巩固法教法等等(三极管的极性判断)。 2、教学手段 情境导入式、活动式教学,引导思考法、实践操作巩固法。利用多媒体教学手段的优势,借助元器件实物图及使用万用表来判断三极管的极性等直观形象的画面,设计丰富有趣的课堂实践,创设宽松活泼的情景,为学生提供丰富的想象、表现、创新的空间,使学生在这种情境教学中深刻体会增强集体凝聚力、加强团队合作的重要性。 导入 话筒是将声音信号转换为电信号,经放大电路放大后,变成大功率的电信号,推动扬声器,再将其还原为声音信号。 放大电路又称放大器,是指能把微弱的电信号转换为较强的电信号的电子线路。放大器的核心元件(即放大元件)是半导体三极管。 这节课我们就来学习三极管的基础知识。 塑封型三极管大功率三极管 调整管中功率三极管 声音 图 1 扩音器示意图

晶体三极管的结构特性与参数(精)

一、三极管的结构类型与工作原理 半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由2个背靠背的PN结组成,分为NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。 NPN型三极管:c:collector 集电极;b:base 基极;e:emitter 发射极 采用平面管制造工艺,在N+型底层上形成两个PN结。 工艺特点:三个区,二个结,引出三根电极杂质浓度(e区掺杂浓度最高,b区较高,c 区最低);面积大小( c区最大,e区大,b区窄)。 PNP型三极管:在P+型底层上形成两个PN结。

NPN管的工作原理:为使NPN管正常放大时的条件:射结正偏(VBE>0),集电结反偏(VCB>0)。 发射区向基区大量发射电子(多子),进入基区的电子成为基区的少子,其中小部分与基区的多子( 空穴)复合,形成IB电流,绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘。因集电结反偏,这些少子将非常容易漂移到集电区,形成集电集电流的一部分ICN。而基区和集电区本身的少子也要漂移到对方,形成反向饱和电流ICBO。 ,, 晶体管的四种工作状态: 1、发射结正偏,集电结反偏:放大工作状态用在模拟电子电路 2、发射结反偏,集电结反偏:截止工作状态 3、发射结正偏,集电结正偏:饱和工作状态用在开关电路中 4、发射结反偏,集电结正偏:倒置工作状态较少应用 三种基本组态:集电极不能作为输入端,基极不能作为输出端。

1、共基组态(CB) 输入:发射极端:基极公共(此处接地) 。输出:集电极。 VBE>0,发射结正偏,VCB>0(∵VCC>VBB),集电结反偏。所以三极管工作在放大状态。 发射极组态(CE): 共集电极组态(CC):

三极管的工作原理

三极管的工作原理 对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。 但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改变,那么,完美的控制就完成了。在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候,阀门是完全关闭的,没有功耗。 结构与操作原理 三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,如图1所示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体,和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。 图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。

三极管教学案

【教材分析】【教材重组】【教学方法】 本节内容是中等职业技术学校电工类专业通用教材《电子技术基础》第一早第四节的内谷,是本早的重点,也是难点。 1、本节内容可分为二个部分,其中第一部分既包括了二极管的构造、结构特点、图形符号、分类等基本内容,又有各种三极管的识别和测试方法,体现了内容多、面广、理论性和操作实践性强的特点,既需要教师的精心组织,更需要学生的互动,应采取一体化教学的模式。 2、这一部分内容处理好了将有利于激发学生学习电子技术的兴趣,努力提高动手能力,这也是学生刚接触电子实践,有较强的刺激效应。 我有机地把本节内容的顺序打乱,经过精心地处理后再重组,再补充相应的课外知识。 晶体三极管的结构、符号、类型一普通晶体三极管的识别和简单测试一特殊晶体三极管的检测-在路三极管的检测。 这样编排使得内容更具连贯性,符合教学大纲的同时也提咼了学生学习的主动性和积极性,使得学生的接受能力得到相应的提高。 1、用PN结特性来解释以帮助学生更好地理解晶体三极管的内部结构,同时对PN结特性具有复习和加深理解的作用。 2、坚持以学生活动为主,教师诱导为辅的教学方式,努力培养学生的创新意识和发散性思维。 3、坚决贯彻“学做合一”或“做、学、做”的双向程序模式,使学和做有机地结合在一起,培养学生的智力、思维力、想象力、注意力和实操能力,让学生学会在实验过程中获取新知识的乐趣和能力,使他们的实践能力和创新能力得到迅速提咼。 4、坚持采用多媒体课件演示的教学方法,丰富教学手段,并增强教学的直观性,能够起到事半功倍的效果。 5、大胆地米用各种行之有效的教学方法,如行为导向法、大脑风暴法、启发法、演示法、项目法等。运用知识迁移、组合的规律,积极引导学生自发的去认识、掌握新的知识。

三极管的检测及其管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了,它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时,它不如指针式的万用表,如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验,我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确,如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管,假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极(B极)。

图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点,NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。对于PNP管,当黑表笔(连表内电池负极)在基极上,红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8),如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1)。对于NPN表来说则是红表笔(连表内电池正极)连在基极上。从图4,图5可以得知,手头上的BC337为NPN管,中间的管脚为基极。

图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)

图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后,就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌,可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档(hFE 测量三极管直流放大倍数)去测就方便多了,当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上,B极对上面的B字母。读数,再把它的另二脚反转,再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母,这时就对着字母去认BC337的C,E 极。学会了,其它的三极管也就一样这样做了,方便快速。 图5万用表上的hFE档

三极管基础知识练习(3)教学文案

三极管基础知识练习 (3)

晶体三极管与单级低频小信号放大器章节练习(2015.6) 一、判断题(对的打“√”,错的打“×”) 1、为使三极管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压; () 2、无论是哪种三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位;() 3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体(N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互换使用;() 4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化;() 5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减小;() 6、对于NPN型三极管,当V BE ﹥0时,V BE ﹥V CE ,则该管的工作状态是饱和状态;() 7、已知某三极管的发射极电流I E =1.36mA,集电极电流I C =1.33mA,则基极电流I B =30μ A;() 8、某三极管的I B =10μA时,I C =0.44mA;当I B =20μA时,I C =0.89mA,则它的电流放大系 数β=45; 9、三极管无论工作在何种工作状态,电流I E =I B +I C =(1+β)I B 总是成立;() 10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结,因此可以用两个背靠背连接的二极管替换;() 11、三极管是一种电流控制器件;() 12、同一只三极管的β和 数值上很接近,在应用时可相互代替;() 13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相;() 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大,是由于三极管提供了较大的输出信号能量;()

15、放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响; ( ) 16、在单管放大电路中,若V G 不变,只要改变集电极电阻R C 的值 就可改变集电极电流I C 的值;( ) 17、三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量用来表示静态工作点,交流分量用来表示信号的变化情况;( ) 二、选择题 1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ,V E =3V ,V B =3.7V ,则该管工作在( ) A .饱和区 B .截止区 C .放大区 D .击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V , 则该三极管是 ( ) A .硅材料的NPN 管 B .硅材料的PNP 管 C .锗材料的NPN 管 D .锗材料的PNP 管 3、三极管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管( ) A .发射结为反向偏置 B .集电结为正向偏置 C .始终工作在放大区 4、在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压可表示为( ) A .0c c v i R = B .0c c v i R =- C .0c c v I R = D .0c c v I R =- 5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示,则a 、b 、c 三个电极分别为( ) A 、集电极、发射极、基极 B 、集电极、基极、发射极 C 、发射极、集电极、基极 D 、基极、集电极、发射极 6、采用分压式偏置电路可以( )。

三极管状态判断

三极管状态判断 NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0 PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态VbUce. 当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介 晶体三极管的结构和类型 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种, 从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律, 底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。 目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。

快速确定三极管工作状态的方法

快速确定三极管工作状态的方法 重庆易天龙 三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多,下面结合例题来进行分析。 一、三种工作状态的特点 1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即Is≥IBs。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(Uces)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式Uce=Ec-IcRc,所以 三极管饱和后,C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs/Ics,UcEs很小,Ics最大,故饱和电阻RcEs很小。所以说三极管饱和后C、E问视为短路,饱和状态的NPN型三极管等效电路如图1a所示。 2.三极管截止状态下的特点 三极管截止后,C、E间的截止电阻Rce=UcE/Ic,UcEs很大,等于电源电压,Ics极小,C、E间电阻RcE很大,所以,三极管截止后C、E间视为开路,截止状态的NPN型三极管等效电路如图1b。 3.三极管放大状态下的特点

要使三极管处于放大状态,基极电流必须为:0

晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断

晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断 晶体管是模拟电路中基础的器件,对于电子工程师来说,了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的,本文将带大家一起学习或回顾一下。 一、晶体管工作的条件 1、集电极电阻Rc: 在共发射极电压放大器中,为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号),需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来,当集电极电流Ic通过时,在Re上产生一电压降IcRc,输出电压由晶体管c-e之间取出,即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。 2、集电极电源Ec(或Vcc): Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置,使管子工作在放大状态,使弱信号变为强信号。能量的来源是靠Ec的维持,而不是晶体管自身。 3、基极电源Eb: 为了使晶体管产生电流放大作用,除了保证集电结处于反向偏置外,还须使发射结处于正向偏置,Eb的作用就是向发射结提供正向偏置电压,并配合适当的基级电阻Rb,以建立起一定的静态基极电流Ib。当Vbe很小时,Ib=O,只有当Vbe超过某一值时(硅管约0.5V,锗管约0.2V,称为门槛电压),管子开始导通,出现Ib。随后,Ib将随Vbe增大而增大,但是,Vbe和Ib的关系不是线性关系:当Vbe大于0.7V后,Vbe再增加一点点,Ib就会增加很多。晶体管充分导通的Vbe近似等于一常数(硅管约0.5V,锗管约0.5V)。 4、基极偏流电阻Rb: 在电源Eb的大小已经确定的条件下,改变Rb的阻值就可以改变晶体管的静态电流Ib,从而也改变了集电极静态电流Ic和管压降Vce,使放大器建立起合适的直流工作状态。二、晶体管工作状态的判断 晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7V,Vbc《0V(具体数值视电源电压

晶体三极管的结构及封装

晶体三极管的结构及封装 晶体三极管是各种电子设备中的核心器件。其突出特点是在一定条件下具有电流放大作用,可用做电子开关,在电子电路中被广泛应用。 晶体三极管由两个PN结和三个电极构成,用途及功率不同,封装尺寸也不同。常用的有平面型小功率、中功率及大功率三极管。 小功率三极管的封装尺寸及实物图如下图(a)所示。 中功率三极管的封装尺寸及实物图如下图(b)所示。 大功率三极管的封装尺寸及实物图如下图(c)所示。 贴片式三极管的封装尺寸及实物图如下图(d)所示。 常用的合金型小功率、中功率、大功率三极管有以下几种: 小功率合金型三极管实物图如下图(e)所示。 中功率合金型三极管实物图如下图(f)所示。 大功率合金型三极管实物图如下图(g)所示。

常见的三极管结构有平面型和合金型两类,分别如图5-15(a)和(b)所示。硅管主要是平面型,锗管主要是合金型。 不同类型的三极管虽然制造方法不同,但在结构上都分成PNP或NPN三层。因此又将三极管分为NPN型和PNP型两种。国产硅三极管主要是NPN型,锗管主要是PNP型下图是它们的结构示意图和电路符号。晶体三极管在电路中的表示方法有:国内最早用BG表示,彩色电视机电路中用Q和V表示。目前的电子电路中用VT来表示。 各种三极管都分为发射区、基区和集电区等三个区域。三个区域的引出线分别称为发射极、基极和集电极,并分别用E,B和C表示。发射区与基区之间的PN结称为发射结,基区与集电区之间的P-N结称为集电结。 NPN型三极管和PNP型三极管的工作原理相同,不同的只是使用连接电源的极性不同,管子各极之间的电流方向也不同。下面以NPN晶体三极管为例进行介绍。

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档