SEMI发布2013中国光伏产业发展报告
SEMI近期发布《2013中国光伏产业发展报告》（下称白皮书），该报告由SEMI PV Group(光伏分会)、SEMI中国太阳能光伏顾问委员会和中国光伏产业联盟共同起草并完成。该白皮书重点为中国光伏行业提出了9点建议，涉及政策、产业标准、金融、技术、研发等多个方面。
回顾2012
——市场
2012年底，全球光伏新增装机容量达到31GW，相对于2011年的27.9GW增长11%，累计装机量达到98.5GW的历史新高。从近几年来较大幅度的增长率波动来看，光伏应用市场还处于政策驱动模式的主导下。但鉴于装机规模已接近100GW和全球的宏观经济形势，SEMI认为今后几年全球光伏应用难现前几年的爆发式增长。
光伏市场的中心也正从欧洲的德国、意大利、法国、西班牙向中国、美国和日本等新兴市场转移。德国光伏进入稳定发展阶段，连续三年维持在7.5GW左右，意大利、西班牙等国深受经济危机的影响，2012年光伏装机量大幅减少。以中国、美国和日本为代表的新兴市场成为新的增长点，2012年三国装机合计占全球的31%。
受2010年和2011年连续两年全球范围内制造产能非理性扩张的影响，在2011年底全球光伏制造产能突破79GW，产量40GW，而当年的装机量仅为27.7GW。供需的严重偏离导致了2012年组件价格延续了2011年下跌的趋势，从年初的0.9美元/瓦下降到年底的0.65美元/瓦。企业利润被挤压，破产倒闭的新闻也已让人些许麻木。经过2012年的洗礼，全球的光伏产能已降至70GW，产量39GW，但仍然高于31GW的新增装机。这标志着光伏制造整合大幕的拉开，也预示着整合的不断深入。
——技术
技术的提升始终是产业进步、发展的推动力。在SEMI看来，目前全球光伏市场供过于求的大背景下，技术突破显得尤为迫切。传统光伏技术遇到转换效率的瓶颈，非硅成本下降空间有限，高效电池技术在设计和材料选择上的突破，使非硅成本有较大下降空间；光伏产品转换效率的提升可以直接降低系统平衡成本，组件效率每提高一个百分点，系统平衡成本可下降5到7个百分点。以美国SunPower 和日本Panasonic为代表的高效电池组件制造商的光伏产品效率已达到24%，国内的电池组件商也在积极开发高效光伏产品。全球P型、N型单晶电池效率已分别达到18.5%—20%和21%-24%，多晶电池效率达到17%-17.5%。随着高效单晶、多晶技术的不断探索与应用，其成本不断下降，目前高效单晶组件产品的成本已低于传统单晶组件产品，但还高于多晶产品。高效电池技术在全球范围内蓄势待发，这将是下一轮产业扩张时的投资热点。
——“双反”的影响
2012年12月，美国国际贸易委员会终裁中国产光伏电池组件产品的倾销和补贴成立并征收高额的反倾销和反补贴税，导致2012年中国对美光伏组件出口额大幅下降。其中，2012年8月的对美出口额为0.85亿美元，较年初1月份的3.87亿美元下降80%。2012年，中国光伏产品最大的出口对象
欧盟和印度也分别对中国产光伏产品展开双反调查，中国也对原产欧洲、美洲和韩国的多晶硅展开双反调查，使全球的光伏产业弥漫着贸易战的硝烟。纵观国际贸易的历史和现状，我们不难发现，目前发生在我们眼前的光伏贸易之争，固然有经济危机背景下的客观因素，更重要的是，世界各主要大国都将光伏视为关系未来国家能源安全的战略性产业来做前瞻性的布局。这从另一个侧面让中国的光伏从业者更理性的对待光伏贸易摩擦的同时，也更坚定了发展产业的信念。
——下游电站的开拓
光伏制造产能在过去几年中快速扩张的同时，制造技术也越来越成熟，生产效率和管理水平都有了较大幅度的提升，光伏产业链从多晶硅原材料、组件到逆变器的生产成本和价格迅速降低。与此同时，通过大规模光伏电站的建设与维护，整个产业界积累了大量宝贵的电站设计、建设和运营管理经验，这也是电站系统价格得以下降的另一个原因。截止到2012年，投资国内大型地面电站的系统价格平均为1.5美元/瓦-1.8美元/瓦，光伏发电的度电成本也随之不断降低。在光照资源丰富地区，2012年大型光伏地面电站发电的度电成本已经接近0.6元/度。这是光伏产业快速发展带给包括中国人民在内的全球各国民众最直接的好处，也让光伏行业对光伏发电逐渐取代传统能源充满信心！
在SEMI看来，光伏产业的利润向下游转移的现实促使更多的光伏上游制造商向电站开发进军。根据SEMI的《全球光伏制造数据库》的统计结果，中国排名前20位的光伏组件和电池制造商均已涉足电站开发业务。而且，国际的先进光伏电站开发商也开始试水中国市场。但毕竟投资光伏电站资金占用量大，若依靠运营后发电回收成本需要5-8年时间，如果是屋顶电站还会涉及到25年或更长时间内电站运营商和屋顶业主的权益维护等问题。
总而言之，在前期电站投资、融资，中期建设和后期运营、出售过程中存在很大的不确定因素和风险，如何保障电站投资人的权益、降低电站投资、运营风险，吸引更多的资本进入光伏电站投资领域是个摆在光伏制造商、开发商和保险、金融从业者面前的难题。不过，我们已经欣喜的看到，国内的保险领域已经有人开始探索保险产品在光伏电站开发和运营中的应用。中国2012年的光伏电站投资总额在450亿元左右，到2015年预计达到1000亿元，这无疑是一个巨大的市场，配套的金融和保险服务大有希望争取到自己的市场份额，发挥重要的作用。
众所周知，中国目前是世界光伏制造的中心。2012年中国的多晶硅产能为15.8万MT，占全球的43%，产量为6.9万MT，占全球的32%；光伏组件产能为37GW占全球的51%，产量为22GW，占全球的54%。纵观2012年全年的产业整合，导致比2011年组件制造产能下降25%，由49GW降至37GW，下降了25%。然而，无论从国内还是全球供需关系来看，供过于求的状况难以在短期内改变。让我们欣慰的是国内组件产量排名前二十的企业占国内总产量的73%，但让我们不安的是，同质化的产品会成为那些落后、休眠产能将来死灰复燃的土壤吗？让我们始终保持警惕！
——成本控制效果明显，效率提升艰难前行
面对着光伏组件价格的不断下跌，国内的组件商都在积极应对，从成本控制和提升产品转换效率两个方面入手，保证利润的实现或亏损的减小。然而，技术的进步没有原、辅材料成本下降来得那么容易和顺利。
目前，国内一线组件厂商可以通过控制原材料采购成本和精益生产，保证制造成本低于售价。至于技术的提升，受制于转换效率提高幅度有限和产业化生产成本增加较大等因素，包括选择发射极（SE）、钝化发射极背面电池（PERC）和金属穿孔卷绕电池（MWT）在内的新型高效电池技术还没能广泛取
代改良金属浆料细栅线印刷技术大规模应用。大部分一线电池、组件制造商都在与领先的材料、设备供应商合作开发新技术、产品，或谨慎试用新技术、设备。虽然目前还没有令人眼前一亮的结果公布，但各主要厂家在技术储备上的投入还是持之不懈的。然而，国内的材料、设备供应商还没有显示出在下一轮的技术、设备投资中的潜在优势地位，这是全行业人士应当引起注意并投入精力加以改善的环节。
——来自半导体行业的经验
半导体产业起源于上世纪60年代的美国，经历50余年的发展，到2012年全球半导体产业总产值达到3500亿美元，年复合增长率在10%左右。半导体产业和光伏产业的共同特点有三：一是两者同属
高科技产业，光伏产业的基础原材料、核心设备和运营管理模式均来源于半导体产业，受到其深刻的影响，光伏产业高速发展期急需的高端制造业运营、管理人才、科研人才、有经验的工艺、设备工程师大都来自半导体产业；二是两者产业链较长，涉及上下游的原材料、设备、制造和应用配套企业众多；三是两者都是社会发展的战略支柱产业，产品涉及能源、电力、电子、通讯、交通运输等诸多应用，产业发展关系国家经济安全。
中国的光伏产业经过10余年的发展，尤其是经历了2006年后两次类似过山车的起落，所有的光伏从业者对这个行业都有了更深刻的认识，也有各自不同的见解。市场是永远的老师，当我们用真金白银付出了学费后，希望能把宝贵的经验和教训在行业里广泛传播，也可以给想进入行业的观望者一些启示。这些经验教训有的与市场经济普遍规律相关，另外则和光伏行业的特性相关。
为光伏行业柬言
SEMI光伏顾问委员会自从2011年成立以来，已连续两年向全行业的同仁发出建议和倡导，旨在能推动行业健康发展。
——注重技术研发
光伏制造业是新兴的高技术产业，这无疑是政府和产业界都广泛认同的事实。但与半导体、通信和平板显示等其他高科技产业不同的是，光伏真正全球性的产业化仅仅十余年，尤其是在中国，这个产业为普通老百姓知晓更是最近两三年的事。可以说，本来出身于半导体大家庭的光伏产业在中国经历了真正的“野蛮”生长。是2010年德国政策驱动型市场的突然爆发，是2007年多晶硅470美元/公斤现货价格的高高在上，让中国的投资人、企业家蜂拥而至。“拥硅为王”和“拥产能为王”的时代，技术创新和产品差异化的声音几乎淹没在新厂建设工地上隆隆机器轰鸣的浪潮中。
2011年、2012年两年剧烈的产业整合后，那些真正注重科技创新、成本控制和运营管理的企业依然屹立不倒，显示出中国光伏制造中流砥柱的本色。根据SEMI《全球光伏制造数据库》的统计，国内前20大电池片厂商都在与材料、设备供应商合作，致力于开发高效率、低成本的新技术。虽然在短时间内，还很难预见某种高效电池技术会脱颖而出占据主流地位，但所有致力于长期发展光伏产业的企业都在提前布局下一代光伏制造技术！
SEMI光伏顾问委员会通过总结国际光伏技术路线图项目（ITRPV）的主要研究结论，向产业界呼吁重视并积极推广以下技术，推动光伏产业的技术提升与成本降低。这些技术包括：
1.流化床法（Fluidized Bed Reactor）多晶硅制备技术
流化床技术与传统的钟罩式反应器制备多晶硅技术相比，转换效率和沉积速度大为提高。如果用硅烷替代三氯氢硅作为被还原气体，可以使多晶硅的沉积温度从1100摄氏度降低至800摄氏度，可以大大节约能耗。流化床法生产多晶硅单位能耗为30kWh/kg(三氯氢硅)和10kWh/kg（硅烷），为钟罩式生产多晶硅电耗的四分之一。根据SEMI《全球光伏制造数据库》的统计显示，2012年全球多晶硅总产量29万公吨，其中流化床法产量近2万公吨，且都集中在美国与德国的多晶硅生产商。国内先进多晶硅制造商的成本在20美元/kg,与国际顶尖制造商的12美元/kg还有一定差距，所以提升国内多晶硅制造的技术水平、降低成本刻不容缓。
2.金刚石线切割技术
由于近几年来，多晶硅硅材料的价格大幅下挫，硅材料占光伏组件总成本的比例也随之降低，但截止2012年，仍然占20%。目前硅片厚度在180微米-200微米之间。硅片厚度的下降无疑是降低光伏组件成本乃至光伏发电成本的出路之一，预计到2020年，硅片厚度将下降到140微米，切割技术和材料的进步无疑将促进硅片厚度下降。当前，硅片加工企业广泛使用的是钢丝线配合碳化硅砂浆的切割方式，而金刚石线切割是把金刚石磨料附着在钢线表面，其切割速度是钢线切割的2倍，切割精度和材料损耗也都低于前者，单位硅片产量的折旧、人工和能源消耗都降低一半。
3.低成本金属浆料与金属化技术
目前，在硅片到电池制造过程的成本构成中，46%来自耗材成本，而金属浆料又是耗材的主要组成部分。当前电池生产中广泛应用的金属化技术是以丝网印刷银、铝等金属浆料为基础的，每片电池的银浆料消耗量在0.2g左右，到2020年前后，银浆料的消耗量有望降低到0.05g/片。这一结果的实现，主要依靠新型的金属化技术（包括电镀和光诱导镀）和低成本的铜电极材料的研发与应用。但目前，铜电极在电池中的应用还处于研发状态，最早有望于2015年开始实现部分应用。
4.其它关键光伏制造技术
除了上面提到的三项技术，还有背接触电池技术、双面发电电池技术、组件前板玻璃减反射技术、组件前板玻璃减薄技术、无边框组件技术都是将来光伏电池、组件提高转换效率、降低制造成本的重要途径，需要产业界和科研机构不断关注与探索。
——自律与公平竞争
SEMI倡导的行业自律与公平竞争存在于两个层面上。一个层面是指国家法律、法规明文规定，另一个层面则是指有利于行业长远发展的经营理念，SEMI更注重后者。在这几年的产业实践当中，中国的本土企业经历了光伏产业的大起大落，切身体会到了供需关系、价格杠杆对市场和产业发展的平衡作用，尝过甜头，也吃到了苦头。每个企业都曾在长期发展与短期利益面前抉择，在产品品质和成本、交货期之间平衡。自律与公平竞争的行为短期内是政府监管的结果，但长期来讲是企业从自律、公平竞争的理念出发指导经营，并由此收益后的自发选择。
——产业内外的合作交流
光伏制造、发电产业集电子加工制造与能源开发于一体，涉及材料、设备、制造加工、工程、电力应用等多个环节，是一个系统工程。产业链材料、设备供应商与制造商之间的合作对新产品的开发、生产起着至关重要的作用。在光伏制造业，原材料、设备供应商与制造商共同开发产品和解决方案也是一个趋势，在高效电池的开发过程中表现尤为明显。合作开发，在减小双方投入的同时，分散了风险，使需求迅速反馈，提高了新技术、产品开发的效率。
光伏产品在电站中的应用既涉及到标准问题，又会遇到维护的细节。在不同地区和环境下，准确、合理的评定光伏产品的发电性能需要制造商、开发商和第三方检测机构紧密配合。制造商提供的产品维护手册需要在实践中检验，更需要电站运行维护者的反馈。目前，国内光伏电站装机规模已接近8GW，而且主要是在2011和2012年安装，各方的实践经验都很缺乏，这也加大了产业链上下游各方密切合作的必要性。
——产业标准
鉴于产业标准在半导体产业发展中扮演的重要角色和起到的强大推动作用，SEMI一直以来大力呼吁光伏产业的标准化进程。在制造端，产品的设计、检验需要标准，材料与产品、生产的衔接需要标准，设备与工艺的配合需要标准，产品质量和生产管控需要标准。面对提高光伏产品转换效率和耐久性的需求，适应不断出现的新设计、材料、设备和产品，制造业需要有效的标准规范，节约产业资源，提高生产效率。
SEMI中国光伏标准委员自2011年成立以来，已建立从多晶硅到晶体硅组件的8个工作组，在研的11项标准涵盖了硅材料、其它辅材、核心制造设备和组件产品的规格与测试方法。其中晶体硅组件用减反射玻璃规格等5项标准已经进入SEMI标准委员会全球投票表决的阶段。在应用端，简单、有效的评定组件实际发电性能和电站系统效率的标准流程是解决光伏产品供应商与电站开发商纠纷和
电站资产评估的前提。当然，这需要组件商、系统平衡部件供应商、电站开发商和第三方检验、检测机构的通力合作。
另外，光伏建筑一体化的应用是分布式发电中重要组成部分，但目前遇到最大的问题是设计和施工方法的空白，所以现有标准更不会涉及。当务之急是需要建筑设计单位、组件商和工程单位的更多创新和实践，添补设计型式、施工方法的空白，为标准的制定奠定基础。
光伏产业是高技术产业，是朝阳产业，更是国家战略性重点产业，需要政府和业界乃至全社会的关注和爱护。其中，政府的指导与监管作用最关键。这体现在：产业发展初期，产品应用经济性比较差，市场的有效需求需要政府战略性规划和财政补贴；光伏产品的同质化程度比较高，维护良好的市场竞争秩序需要政府严格有效的监管；跨产业链标准需要政府出面协调、推动；对产业起到支撑作用的国家科技创新体系需要政府的组织，提供人力、物力和财力。
光伏电力是优质清洁的能源，用好用足这个优质资源无论从能源安全、产业安全、节能环保诸多方面都有重要意义，这应当是出台各项政策启动光伏应用市场的根本出发点。分布式光伏发电在国内还属新生事物，需要不断跟踪和仔细研究，针对不同的情况，应该使用不同的机制进行激励。就目前已经看到的各类分布式项目，可粗略的分为三类:
第一类，发用平衡型，屋顶墙面总发电能力与建筑物内部电力负荷基本匹配的，应鼓励自发自用，节省电费是利益驱动点，住宅、商业建筑多属于这一类；
第二类，用多发少型，屋顶墙面总发电能力有一定规模，但是仍然大大低于建筑物内部电力负荷的，节省电费对业主而言没有吸引力，就要从优先用电的奖惩制度着手，重工业企业多属于这一类，它们对供电连续性的要求较高；
第三类，用少发多型，屋顶墙面总发电能力有一定规模，远远超过建筑物内部电力负荷，增加卖电收益是关键的利益驱动点，物流园区、仓库多属于这一类。
SEMI的白皮书为此建议到：
1、将光伏发电列为城镇化进程中建筑节能减排的首要举措
中国未来要走新型城镇化道路，这将是中国经济又一轮强劲增长的信号。中国目前的城镇化率只有51.27%，落后于许多同等水平国家，而城镇化率每提高一个百分点将会带动几万亿元的GDP增长，这将是我国未来经济增长的主引擎。建议国家从宏观层面出台指导意见，地方政府根据当地经济和自然条件，城镇化在规划阶段，充分考虑光伏利用的可能性：投资主体多样性设计与分布式光伏发电设计（光电建筑设计、智能电网设计），在城镇化的前期电力供应规划中系统的引入光伏发电作为城镇的电力补充。例如，利用有条件的公共建筑发展光电建筑一体化应用；利用新型社区住宅的屋顶等。
2、通过用电奖惩制度激励用电量大的企业率先安装屋顶光伏电站
在开发工业厂房屋顶光伏电站的过程中，很多拥有大屋顶而且用电量大的业主不积极，因为光伏电站发电带来的电费收益与业主的生产活动收益相比微不足道。但是对于这些用电大户来说，在用电紧张的月份能否得到优先供电权就非常有价值。地方政府及电网应该出台光伏发电与用电优先的联动政策，凡是在屋顶安装了光伏发电系统的用电企业，其供电优先级别应得到提高，优先供电、不限电或少限电，反之，拥有大屋顶资源，但是不安装屋顶光伏发电系统的企业，供电优先级应当调低。这一举措将极大的刺激这些企业安装光伏发电系统的积极性。同时，这些新增的光伏屋顶电站，将成为距离电力负荷中心最近的调峰电源，将大大降低电网调峰的复杂度。
3、提高兆瓦级屋顶电站的电价补贴标准，激励大屋顶业主安装光伏电站
目前，国家对于分布式发电的政策鼓励方向是“自发自用”，多余电量以当地脱硫燃煤标杆上网电价收购（全国不同地区电价大约在0.35元/度-0.4元/度）。对于兆瓦级以上的物流仓库或厂房屋顶电站，日发电量在几千度至上万度之间，
许多仓库或工厂不具备这样高的用电负荷。而在这些大屋顶周边，往往又有工厂商贸城等用电负荷中心，而这些负荷中心的用电价格可高达1元/度以上。提高兆瓦级屋顶电站的电价补贴标准，并通过
政府以及电网的调配向附近的电力负荷中心供电，将极大的提高大屋顶电站售电的经济性，业主和投资人的积极性都将得到极大提升。所以，建议国家进一步细化分布式发电补贴政策，按照装机规模区分上网电价，对于兆瓦级以上的大规模屋顶电站提高上网电价的补贴价格。
4、明确上网电价的补贴年限和补贴价格变动机制，推动电站投资主体多元化
投资人需要的是明确可以预期的收益，收益率低不是问题，但是不能有不确定性。如果以出售电价为赢利机制，明确的收购电价和可持续年限是电站投资人投资电站决策时的重要依据。在美国投资屋顶光伏电站，由于补贴年限和规则明确，即便系统投资成本高达每瓦5美金以上，投资人依然认为是好的投资项目，而在中国，系统投资成本已经降到每瓦9元人民币以下，但还是没有几个投资人敢投。
国内民营电站投资者目前的主流赢利模式是开发电站然后出售给国有电力公司。民营投资人不长期持有电站资本的主要原因除了售电模式资金回收期较长之外，就是担心电价补贴能持续的时间。如果国家出台明确的电价补贴年限或电价补贴变动的明确规则，就可以让更多民营投资者看到稳定的电站售电收益，这有利于鼓励多元化资本进入电站投资和运营领域。
除了打开资金的大门，电站投资主体的多元化，尤其是长期持有电站资产的主体实现多元化，将加速电站建设领域的市场化竞争。不同的投资人出于不同的投资策略和风险把控能力差异，在供应商选择、项目尽职调查、项目建设与运行监管等方面将会提出许多新的更高的要求，这将有助于转变目前国内市场低价中标之风横行的局面，让质量过硬、服务优质的企业获得更大的市场空间。
5、完善电站验收、评价标准，推进电站资产的证券化
电站运行后，光伏产品的实际表现受到以下两方面因素影响：一是组件发电性能因不同光照条件和气候的变化不同而波动；二是需要电站持续运行1年以上积累数据，与电站设计水平、系统平衡部件性能和运行维护管理相关。所以推进电站验收、运行后发电性能评价标准的制定是一个更复杂的过程。鉴于在建和已运行电站规模的不断加大，电力监管部门、电力企业有必要牵头并联合组件、系统平衡部件和第三方检验机构制定全国范围内统一的标准，直接规范电站建设、运行，制定电站验收和评价的标准。
电站验收、评价标准的制定不但能规范光伏产品性能、提升电站运行发电品质，也为电站资产的证券化，为金融和保险资本进入电站投资领域、提供配套服务奠定了技术基础，使电站资产价值度量有据可依。
6、面向光伏生产企业的银行信贷不能“一刀切”
中国光伏产业已经步入了整合阶段，大浪淘沙，许多技术落后、规模小、管理水平低、没有核心竞争力的企业大多已经倒下，很多在产业扩张期稳扎稳打、不太冒尖的优质企业也出现在大家眼前。这些有潜力的、且稳健的企业需要得到银行信贷的继续支持，在产业整合期做大、做强，带动中国光伏制造业走出暂时的低谷，更上一层楼。光伏行业是长期向好的，银行需要注重单个企业的投资价值，针对整个行业的信贷“一刀切”，过去加重了行业虚火，现在将加速行业的冰封。对于那些负债水平合理、订单充足、管理规范、经营稳健的企业，应当继续给予信贷支持。光伏产业的健康和可持续发展需要全社会各行各界的关心和帮助。
7、加强政策对技术创新和产品差异化的引导作用
通过上网电价政策可以实现对低度电成本的光伏技术和制造的促进。但是对于发电效率高或差异化应用的电池技术、产品，还是要通过有区别的补贴标准来促进其产业规模化和进一步降低成本。比如，在以装机容量为补贴依据的金太阳和光电建筑一体化应用项目中，提高针对高效率电池、光电建筑一体化紧密结合产品及其配套产品的补贴金额，与一般产品加以区分。又如，通过设定阶梯化上网电价，鼓励效率高、品质好和实际单瓦发电量高的光伏产品的应用和规模化。
另外，从产能规模的角度很难甄别不同企业由技术、管理所带来的差异，难免误伤业绩良好、有发展潜力的小企业。建议避免简单的以产能作为进入门槛，可以与产品的效率挂钩。目前，国内主流的多晶硅组件标称效率在15%以上，单晶硅组件标称效率在16%以上。建议区分不同应用场合的标准，比如区分屋顶电站和地面电站使用产品的标称效率，建立产品准入标准。
8、政府部分出资、牵头成立不依附于单个企业的“光伏工业技术研究院”
技术进步是推动光伏发电成本持续下降的根本动力，这已经是产业界的共识。但是，技术复杂度的不断提升，技术路线的不确定性，使得研发的经费投入和风险不断提高，已经高到单个企业无法承担的地步。半导体产业近50年的发展历程已经为光伏行业摸索出政府牵头、行业联合研发，均担风险，共享成果的研发联合体运作模式，这是高度工业化的必然产物。
研发联合体的核心是共担风险，共享资源。在这个平台上，通过对所有可能的技术路线的评估，找出相对较优的几条路线提供给参与企业。各企业再根据各个企业自己的市场定位、技术实力，选择对自
己风险最低的技术路线进行产业化。材料和设备企业也要参与其中，产业链上各段的厂家就可以实现研发时间表的匹配，使得新技术的产业化周期大大缩短。
建议国家通盘考虑光伏制造技术进步的续性需求，出资50%、牵头成立“光伏工业技术研究院”。这个研究院必须以独立的实体存在、聘请专业化的管理以及科研团队。单个光伏企业只能以部分入股的方式参加，并需要派出技术团队参与研究院的项目研发。该研究院必须由多个光伏产品生产企业入股参与，决不可以变成单个企业的自留地。项目研发成果可以专利使用权的形式免费或低价提供给参股企业，非参股企业如想获得相关专利的使用权，必须支付高价。
9、加大科技计划经费投入，成立技术创新扶持基金
有科学的研发机制作为前提，加大经费的投入是必不可少的。建议国家在现有科技计划（863计划、支撑计划、专项等）中，加大对光伏科研项目的经费投入，并向光伏工业技术研究院倾斜；经费投向必须同时兼顾基础研究和产业化应用，严格评审流程。
与此同时，在条件成熟的高科技园区示范成立技术创新扶持基金，并在全国范围内推广。通过基金专业化的融资、投资运作，为中小企业的科研、创新及产业化提供资金支持，同时也可以提高资金的使用效率，实现风险控制。
一.半导体材料的简介及种类 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体、和绝缘体三大类。半导体的电导率在10-3～109欧·厘米范围。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰半导体材料好相反,凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。元素半导体在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、
展会总结报告 参加展会总结华南城电子展开始于20**年4 月22 日结束于25 日，历时4 天。在这次的展会中我做出了如下总结：一.展位评价：1.展位的 位置：本次展位的位置在周边的走道上，属于中等偏下的档次。但是由于旁边有货梯和卫生… 参加展会总结 华南城电子展开始于20**年4 月22 日结束于25 日，历时4 天。在这次的展会中我做出了如下总结： 一.展位评价： 1.展位的位置：本次展位的位置在周边的走道上，属于中等偏下的档次。但是由于旁边有货梯和卫生间，让人流量增加了不少。所以我觉 得稍好的位置是主人流的入口处，比如客梯出口，服务台周边。然后展台尽量在路口处，两面靠走道。 2.展位的光线：本次展位的光线比较差，四周没有太阳光照射，基本光源都是租用的小功率灯泡支持。所以我觉得在布置展位的时候，要着重考虑光线的效用。第一，光线要适中，即要保证良好的亮度，又 不能影响到客户试玩机器时，屏幕的显示。如果展位的阳光过强，应适当的阻挡一些。 3.展位的布置：本次展位的布置如图 从视觉上来看，似乎很不错。但实际上是有很多不足之处：第一，墙壁上的宣传图，需要做成连体较好。比如说一面墙一张，做三张，每
张有三幅图，每幅图都必须上下顶边。图片的内容需要反复审核，型号，图片，重点标识，排版等。最好有自己的创新。第二，产品摆放。展品的位置过于集中，不利于客户的试用。产品的摆放需要突出重点产品，比如说新产品，热销产品，经典产品，高档产品等。第三，标识卡，每款产品需要做标识卡，对相应产品进行介绍。要突出它的特点。这样就与之前的宣传画冲突。那么就需要在宣传画上做一些改动，减少产品的介绍，增加企业的宣传，以人为本的图画等等，最好有自己创新的理念。第四，服务台的摆放。服务台的最终目的，不是服务而是吸引。从她的位置摆放到台面布置，都是为了让客户走进来而准 备的。而服务只是它的一个附属功能。如何去布置服务台，是需要大家一起讨论的。 4.环境的评价：现场最好有音乐陪伴。音乐是用我们的产品接通外响 来播放的。 二.材料的评价： 1.样品的要求：本次参展的样品只能用惨不忍睹来形容。所以我又如 下几点建议： 第一，每个样品的功能必须齐全，需要包括所有的可选功能。第二，每个样品必须有检测ok 的配套充电器。以保证在展会的现场，每个 试玩的机型都能够正常工作。第三，每个样品必须是质量良好的。第 四，高意向客户很可能要求带样品回去测试，所以需要多准备样品。 2.宣传册的要求：第一，宣传册产品需要更新，图片需要重新制作。
半导体材料 概要 半导体材料（semiconductor material） 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电阻率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。2.化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。3.无定形半导体材料用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。这类材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力，主要用来制造阈值开关、记忆开关和固体显示器件。4.有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用。 特性和参数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利
参展总结报告 2011年9月1日- 5日为期五天的沈阳制博会展在沈阳国际展馆隆重举行。参展商高达1000多家企业。作为公司参展人，我代表参展人员向公司领导参展情况做如下汇报：（一）展位介绍： 第一，我司展位位于W4馆A17号（与E4馆靠近主通道，位置一般）； 第二，本次参展展品内容与搭建的主题风格非常统一，主次分明，能最大化地彰显展品主题：如我司主要展出的是中国（沈阳）嘉泰工业装备博览城项目介绍。室内有6块项目介绍及项目业态分布图和室外5块项目地块和业态分布图，分立四周，中间是项目建筑图高大耸立非常吸引观众眼球；路灯和隧道灯的模拟道路和模型隧道正在主干道上，设计非常新颖巧妙，连一位外国观都情不自禁地都说：“I like the design of your company, very smart!”（我喜欢你们公司的设计，非常精巧。） 第三，我司展位搭建的最高建筑高达6米，是全展馆中最高的建筑，部分区域分上下两层，但并非特豪华搭建，这样既能通过恢弘的气势彰显我司的实力，又不至于拉开与观众的心里距离，恰如其分。 （二）人员安排： 本次展会全体赴广州参展人员为24位，其中协调1位，布、撤展7位，各部门领导及参展人员共计16位。为节省公司开支，参展期间，全体人员房间标准都是两人一床，早餐自理，中餐盒饭送到展馆，晚餐不超过15元每人次的标准（广州的饭、水消费水准普遍比聊城贵）。大家都发扬了艰苦奋斗的精神，开展前一天和开展第一天晚上，在显示部何海涛总经理的安排组织下，我们全体人员集合后召开了总结大会，从接待人员的布局到讲解内容及谈判技巧都有探讨；大家大力发扬了团队协作的精神，对领导提出的问题都有学习和改进，做到了理解、支持并协助协调人员的工作。 （三）协调工作： 24人分前后两批赴广州国际展会，第一批布展人员由海外事业部周能能带队，并负责全体人员的车票、饮食、酒店住宿及与主办方、搭建商、展品运输商的沟通和现场问题处理的工作。在10天的行程中公司内部无违反纪律、败坏公司声誉及懒散不听调动等现象发生，与搭建商、运输商的部分问题也得到了妥善的解决。第二批参展人员由显示事业部孙银霞带队，负责参展16人的往返乘车及路途饮食问题的工作，虽然是个女孩子，但是给予了总协调人周能能很好的协助，因全体人员达到步调一致才能听从统一指挥。我代表全体参展人员向其致一声：辛苦了，感谢！ （四）布展工作： 显示部4人，照明部2人，仅用了不到两天半的时间，就将P6屏49个箱体，P16屏48个箱体，总重约4吨多的显示屏，及上百盏照明灯具全部安装完毕，由于箱体太重，人员少，安装工作着实困难，全体安装人员都应该接受燎原全体员工的感谢和敬意。安装中还出现了两个小插曲，其一，当布展人员于2月26日清晨乘坐东莞东-广州的汽车抵达展馆后，展品运输商与搬运工私自达成协定，强制要求我司使用搬运工并支付600元搬运费才能将楼下的展品运至二楼的展位，我司搭建人员据理力争并拿到运输车辆进馆通行证，强制坐上运输商的车让司机进馆运至展位，此事件中表现最优秀的是照明工程师刘峰，最后重达5吨多的全部展品由我司6名搭建人员自行卸货，既维护了我们山东人的气节，又为公司节省了开支，为本次顺利参展讨了一个好头彩。其二，因我司展
半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代，并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势 1.硅单晶材料 硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展，还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料，也就是半导体/氧化物/绝缘体之意，这种材料在空间得到了广泛的应用。总之，从提高集成电路的成品率，降低成本来看的话，增大硅单晶的直径，仍然是一个大趋势；因为，只有材料的直径增大，电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律，每隔18个月它的集成度就翻一番，它的价格就掉一半，价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上，工艺加工条件相同，但出的芯片数量则不同；所以说，增大硅的直径，仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的
半导体材料的发展现状与趋势
半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构
的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，
模块六常用半导体材料测试卷 卷Ⅰ（客观题） 一、单项选择题：（本大题共85个小题，每小题2分，共170分） 1.在焊接过程中要使用助焊剂，关于助焊剂的作用，下列说法错误的是A．去除氧化物B．使焊点不出现尖角 C．防止工件和焊料加热时氧化 D．减小焊料熔化后的表面张力，增加其流动性，有利于浸润 2.钎焊分离电子元器件最合适选用的电烙铁是 A．25W B．75W C．100W D．150W 3.共晶焊锡的熔点为 A．327℃B．232℃C．183℃D．212℃ 4.焊接中焊点凝固前被焊元件移动容易形成 A．虚焊B．夹生焊C．漏焊D．预焊 5.焊接电子元件最适合的焊剂是 A．焊锡膏B．松香C．稀盐酸D．氯化锌 6.下面关于虚焊的说法错误的是 A．虚焊就是假焊B．焊料与被焊物的表面没有互相扩散 C．虚焊主要是由于焊件金属表面不干净和焊剂用量过少造成的 D．虚焊主要由于烙铁温度不够高和留焊时间太短造成的 7.下面关于镀锡的说法错误的是 A．上锡B．预焊C．搪锡D．焊件表面处理 8.下列关于焊接说法错误的是 A．电烙铁烧死是指焊头因氧化而不吃锡的现象 B．焊接时不能甩动电烙铁，以免锡液伤人 C．电烙铁的金属外壳必须接地 D．焊锡膏适用于电子器件的焊接 9.关于手工焊接，下列说法不正确的是 A．常用的焊锡丝的材料是锡铅合金 B．焊剂的作用是焊接时去除氧化物并防止金属表面两次氧化 C．焊接中要避免虚焊和夹生焊现象的发生 D．焊接时，先用烙铁头加热工件，然后把焊锡丝放在烙铁头上熔化 10.信号发生器的输出幅度每衰减20dB，输出信号的电压值即变为原来的A．0.5 B．0.1 C．31.6% D．1211.信号发生器输出信号时，输出衰减选40dB，当电压表示数值为5V 时，则输出为 A．5V B．0.5V C．0.05V D．50V 12.信号发生器的输出衰减有20dB和40dB，当按下20dB时，输出相对衰减10倍，当按下40dB 时，输出相对衰减为 A．10 B．100 C．20 D．40 13.用示波器观察某标准正弦波的电压波形，若一个周期的距离为4div，示波器的扫描时间选择开关置于50ms／div，且使用了“扩展×10”，则该电压的频率是 A．5Hz B．20Hz C．50Hz D．500Hz 14.要使示波器的显示波形向上移动，应调节旋钮 A．Y轴移位B．Y轴增幅C．X轴移位D．X轴增幅 15.要使示波器显示波形亮度适中，应调节旋钮 A．聚焦B．辉度C．辅助聚焦D．X轴衰减 16.若Y轴输入信号频率为200Hz，要在荧光屏上看到4个完整的波形，则扫描频率范围要置于A．10――100Hz B．1kHz C．10 kHz D．100 kHz 17.用示波器观察一正弦电压的波形，现屏中测出正弦波电压峰峰值为4div，档位为5V／div，探头不衰减，则正弦波电压的有效值为 A．20V B．10V C．52V D．102V 18.下列关于示波器的说法错误的是 A．调整示波器的辉度钮，光点亮度不能太亮 B．调节聚焦钮，使示波器的光点成为小圆点，如果不行，可用辅助聚焦钮配合 C．示波器长期不用时，会导致内部的电解电容器失效 D．为调整示波器的亮度和清晰度，可以让光点长时间停在屏幕中央 19.使示波器的显示波形稳定，只显示两个完整波形，除调整垂直方向之外，还要调整 A．扫描范围B．X轴衰减C．扫描范围和X轴衰减D．X轴位移 20.用示波器观察两个正弦信号如图1所示，已知X轴偏转因数置于0.5μs／div，Y轴偏转因数置于0.1V／div，则两信号的相位差 A．30o B．90o C．60o D．45o
参观展会总结报告 参观展会总结报告 篇一： 展览会参观考察报告展览会学习考察报告时间： 201X年5月13至15日地点： 上海新国际展览中心（上海浦东龙阳路5号）内容： 一、 SIAL China 201X - 第十五届中国国际食品和饮料展览 SIAL 法国国际食品和饮料展览会创建于1964年，每两年一届，迄今已有近50年的历史，现已成为世界第一品牌的食品专业展会。自 201X 年SIAL展移植中国以来，SIAL China 中国国际食品和饮料展览会已成功举办了十四届。中食展SIAL China秉承其母展 - SIAL巴黎国际食品展国际性、专业性、贸易性的特点，依托国外和国内两个大市场，以全面推动进口贸易、出口贸易和国内贸易为着力点，规模不断扩大，现已发展成为亚洲国际食品第一大展，是国内外食品厂商开拓中国大陆市场、亚洲市场和海外市场的不二选择，是不容错过的贸易和合作交流平台。中食展SIAL China, 推动食品贸易的加速器亚洲最大国际食品饮料展，出口贸易、进口贸易和国内贸易的高效贸易平台. 海外参展商来自52个国家和地区，有47个海外参展团组。土耳其作为本届展会荣誉国，其参展团由34家企业组成。中国大陆地区参展商来自27个省市和10个集体组团机构。中国农业大省山东省连续八次参展，以质量和食品安全推动出口，全力打造山东地域品牌，展出了水海产品、蔬菜、肉食品、水果、花生等多种农产品和出口食品，是国内最大的地方参展团组！ 41,304专业观众参观201X中食展，40.06%的国内观众来自上海以外30个省市的554个城市； 1 3.1%的海外观众来自94个国家和地区。 201X年展览面积达10万平方米，来自90个国家和地区的2,400家展商参展，45,000名专业观众参观展会。 201X年中食展国内展区推介地方政府组团出口贸易和国内贸易的高效平台，得到多家政府机构的肯定并组团参展，如：
序号：3 半导体材料的发展现状及趋势 姓名：李霄 学号：1111044081 班级：电科1103 科目：微电子设计导论 二〇一三年12 月23 日
半导体材料的发展进展近况及趋向 引言：随着全球科技的飞速发展成长，半导体材料在科技进展中的首要性毋庸置疑，半导体的发展进展历史很短，但半导体材料彻底改变了我们的生活，从半导体材料的发展历程、半导体材料的特性、半导体材料的种类、半导体材料的制备、半导体材料的发展。从中我们可以感悟到半导体材料的重要性 关键词：半导体、半导体材料。 一、半导体材料的进展历程 20世纪50年代，锗在半导体产业中占主导位置，但锗半导体器件的耐高温和辐射性能机能较差，到20世纪60年代后期逐步被硅材料代替。用硅制作的半导体器件，耐高温和抗辐射机能较好，非常适合制作大功率器件。因而，硅已经成为运用最多的一种半导体材料，现在的集成电路多半是用硅材料制作的。二是化合物半导体，它是由两种或者两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类不少，主要的有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硫化镉(CdS)等。此中砷化镓是除了硅以外研讨最深切、运用最普遍的半导体材料。氮化镓可以与氮化铟（Eg＝1.9eV）、氮化铝（Eg＝6.2eV）构成合金InGaN、AlGaN，如许可以调制禁带宽度，进而调理发光管、激光管等的波长。三是非晶半导体。上面介绍的都是拥有晶格构造的半导体材料，在这些材料中原子布列拥有对称性和周期性。但是，一些不拥有长程有序的无定形固体也拥有显著的半导体特征。非晶半导体的种类繁多，大体上也可按晶态物质的归类方式来分类。从现在}研讨的深度来看，很有适用价值的非晶半导体材料首推氢化非晶硅（α－SiH）及其合金材料（α－SiC:H、α－SiN:H），可以用于低本钱太阳能电池和静电光敏感材料。非晶Se（α－Se）、硫系玻璃及氧化物玻璃等非晶半导体在传感器、开关电路及信息存储方面也有普遍的运用远景。四是有机半导体，比方芳香族有机化合物就拥有典范的半导体特征。有机半导体的电导特征研讨可能对于生物体内的基础物理历程研究起着重大推进作用，是半导体研讨的一个热点领域，此中有机发光二极管（OLED）的研讨尤为受到人们的看重。 二、半导体材料的特性 半导体材料是常温下导电性介于导电材料以及绝缘材料之间的一类功效材
常用的半导体材料有哪些？ 晶圆 初入半导体行业为了尽快入门，我们必须对这个行业的主要物料做一个详细的了解，因为制造业的结构框架是人机料法环测。物料是非常关键的一部分，特别是对于半导体这类被人家卡脖子的行业更要牢记于心，尽快摆脱西方的围堵，但是基础材料这块需要长时间的积累，短期我们很难扭转当下这种憋屈的局面。 在半导体产业中，材料和设备是基石，是推动集成电路技术创新的引擎。半导体材料在产业链中处于上游环节，和半导体设备一样，也是芯片制造的支撑性行业，所有的制造和封测工艺都会用到不同的半导体材料。 半导体材料一般均具有技术门槛高、客户认证周期长、供应链上下游联系紧密、行业集中度高、技术门槛高和产品更新换代快的特点，目前高端产品市场份额多为海外企业垄断，国产化率较低，寡头垄断格局一定程度制约
了国内企业快速发展。华为事件的发生发展告诉我们半导体材料国产替代已经非常紧迫了。 半导体材料细分行业多，芯片制造工序中各单项工艺均配套相应材料。按应用环节划分，半导体材料主要可分为制造材料和封装材料。在晶圆制造材料中，硅片及硅基材料占比最高，约占31%，其次依次为光掩模板14%，电子气体14%，光刻胶及其配套试剂12%，CMP抛光材料7%，靶材3%，以及其他材料占13%。 在半导体封装材料中，封装基板占比最高，占40%。其次依次为引线框架15%、键合丝15%、包封材料13%、陶瓷基板11%、芯片粘合材料4%、以及其他封装材料2%。封装材料中的基板的作用是保护芯片、物理支撑、连接芯片与电路板、散热。陶瓷封装体用于绝缘打包。包封树脂粘接封装载体、同时起到绝缘、保护作用。芯片粘贴材料用于粘结芯片与电路板。封装方面相对难度要低一点，所以我们国家的半导体企业主要集中在封测这一后工艺领域。 半导体材料中前端材料市场增速远高于后端材料，前端材料的增长归功于各种前端技术的积极使用，如极紫外(EUV)曝光，原子层沉积(ALD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)等。
公司参加展会总结报告 一、展会前期准备要充分。 既然是新手，作为销售型企业的一员，对产品的熟悉是必不可少的。你充当着公司产品与客户的媒介，你介绍产品的得当与否直接影响客户是否愿意购买该公司产品。所以，我利用展会前几天的时光熟记公司产品种类及特点，陈总也给我们新员工做了产品培训，就当是临时抱佛脚也好，但是还是挺有效的。 二、形象&态度很重要 作为一家企业，员工形象及其精神面貌直接体现该企业的风貌，员工形象是一家公司的门面，只有维护好了个人的形象，公司的形象才能够有很好的表现。 而态度，这是一个很重要的问题，态度是对于一个销售人员来说是很重要的，因为客户第一眼所接触到的就是销售人员，若销售人员抱着一副无所谓的情绪，而恰恰摆出来的这副样貌又被客户看到，那么，客户就会认为我们不够专业，这样的话，就不能够有效地抓住客户，潜在客户的流失量就会增加。相反的，如果你对客户热情，接待有礼，让客户感受你的好客，并且在客人询问关于公司或其产品的问题时能给予正确、专业的回答，在如此和谐融洽的氛围中交谈，那么，相信合作的成交率也会事半功倍。所以态度问题绝对是一个首要的问题。
三、有效分析客户 参观的人分为几类人：参展人员、其他行业的人员、有购买意向的人、行业内想了解市场的人、想现场购买样品的人等，而对于我们来说要准确决定客户属于哪类，这就需要具备一种特殊的观察潜力。 认准客户类型，对于我们找准接待客户的方法及其谈判手段都能找到一个方向。如对想了解市场的同行人士，你不需要兢兢业业地向其详细介绍公司产品；对只想现场购买样品的人，你只需要简单介绍，因为，其购买量不高，通常只选自我喜欢的款式就好；但若要是碰上家具厂者，你则需要使出浑身解数，令其对公司的产品感兴趣，并建立合作关系。但是这通常需要一段时光的磋商才能达成。正如，要做大生意，不是一两秒就能搞定的事。其外，有些客户是开饰品店的，他们能直接在展会上下订单。此类客户你也不能放过，这也需要你有促单的潜力。还记得在展会上我就曾遇到一位这类型的客户，他看过我们的产品后表示满意，但不想直接下单，经询问后才明白他曾一次在展会上下了订单，之后才发现其价格高于外面的店面所出售的价格（产品是一样的）。所以不想再吃亏了。我了解到这个状况后，跟他解释道：我们是厂家直接批发销售，作为生意人你就应了解，在厂家与消费者之间每增加一个中间商，价格就要翻一翻。如今你应对厂家直接销售，机会难得。并且你此刻所看到的价格是批发价，或许你以后也能在我们公司的网站上订货，可你绝对看不到这样的价格了。经我的一番解说后，他最后下了1万多的订单，虽然数额不大，但却使我有一种满足感。
《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009
第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
展会总结报告 为期三天的2018世界制造业大会已经落下帷幕，参加本次展会对公司品牌推广起到了一定的促进作用，本次展会参展商基本上以安徽本地企业为主，在焊接打磨喷涂等领域的参展商屈指可数，其中打磨机器人只有易科和配天两家，焊接系统也就是埃夫特，东升，配天等少数几家，现对本次展览会加以总结，具体如下： 本次展会经过全体参展人员的努力还是比较顺利的，参展的效果也很明显在短短的三天时间里我们接触到数家有明确需求的潜在客户，了解到部分客户的真实需求，并且对公司的品牌也进行了很好的推广。总体来看这次参展算是比较成功的一次推广活动，基本上达到了我们所期望的效果。本次展会上我们也存在很多需要改进的细节下面我逐一列出； 首先因为这次是基地公司牵头组织的活动，分配给我们公司的场地太小，给人感觉很局促很压抑，格局不够大带来的直接后果就是客户在我们展台驻足停留的时间过短，而且因为我们没有会谈区域，大家都只能站着客户详细沟通的意愿不强都是简单交流几句他们就到其他公司展位去了，很多信息都收集不充分客户真实需求也了解不充分。 另外我们在展品设计时候细节上考虑的不是很充分，把观众想的太专业了，我们的产品演示的效果很抽象，焊接软件大部分人看不懂价值所在，很多人以为我们做不了焊接所以只能弄视频应付一下，基本上每家展台都有视频资料播放，但真的仔细看视频的观众很少，展会参展商相对密集观众选择的余地很大。 咱们打磨机器人展示的样品是电动车前罩塑料件喷塑成品，木质椅子也是上过清漆的成品，并不是金属或者木质材料打磨后的半成品。这样很多观众都误以为我们机器人的主要功能是清洁打磨抛光，所以有几个汽车修理店，洗车房的人倒是过来聊了一下。这次展会上的大部分观众都很业余，部分企业负责人对专业也不是很懂，他们只看最直观的展示效果，一眼看过去感觉跟他想得不一样他就走到其他公司展位去了，加之我们的展台狭小观众停留的时间过短，所以就流失了很多交谈沟通的机会。 建议以后我们选择展品的时候把设备使用效果和技术优势用最直观的方式表现出来，多放几种材质的和加工难度大一些的样品，这样更能体现公司的技术优势，焊接机器人一定要有样机，把软件系统跟焊接机器人连线，运行轨迹很直观的演示给观众，也可以考虑做部分高难度的焊接样品展示让他们一眼就可以看明白，这次有2个客户找激光焊接机器人，因为没有看到样机跟他解释也没用，很多老板就是不懂技术，但他们又是直接拥有决定权的关键人员，争取这部分观众是我们应该优先考虑的一个方向。 我们以后参加展会是不是可以考虑弄点纪念品，弄一些价格不高又实用的东西，这样既可以展示我们公司名称和商标图案的立体形象，展会结束后观众带回去可以经常使用又不会马上丢掉起到持续宣传的效果，成本也不会增加多少。 本次展会虽然有一些瑕疵，但取得的成果还是很明显的，收集到的意向客户有十几家，其中规模企业3-4家，涉及行业有钢构，环保设备，汽车部件等，因为此次展会基本上都是以安徽企业为主，客户也都集中在合肥周边，如果我们是
展会总结报告范文 为期两天的经贸系首届商品展销会已经取得圆满成功。在此，表示恭祝的同时，特对本次展销会加以了总结，具体如下：前期： 展销会的工作是按照小组的形式开展的，各个小组分工合作，统筹规划，共同交流实训。各个小组的任务形式就各个小组决定。展销会的商品出售形式可以是多种多样的，商家进驻直销、学生代销、商家和学生共同合作销售、学生直接购买销售。展销会的资金可以是商家直接赞助、学生代为宣传赞助、商家场地使用费用。那么，针对这些问题，展销会前期需要分组合作，在市场营销0611班同学的带领下，可以每组吸收×××个市场营销0711班的学生，共分为10大组。 在展销会前期，首先要考虑本组的工作任务和形式，以及任务分配。开会前期，决定的商品出售形式是代销、经费是赞助、工作采用人头制、活动过程采用轮班制。 商品代销：和乐仔玩具有限公司、宏大体育有限公司合作，通过《长江七号》和北京奥运会的影响，在高校里面打开潜在市场，以便公司取得更大的收益；再者，对学生而言，怎么样打开市场或者怎么样操作，便是最主要的先决任务市场调查与分析。 经费：一心一意餐厅×××元，八福书店×××元，奇奥美发沙龙×××元。
工作形式：商品选购和赞助经费，全部采用人头制，直接落实到个人。 活动过程：采用轮班制，充分利用个人时间达到整体效率的最大化。 展销会期间： 展前商品的配送：商家直接送货上门、直接到门店提取，达到多重利用的效果； 商品的摆设问题：采用最显眼的地方摆，达到出售最大化的效果； 商品的存放：通过关系，存放在管理员的房间里面，达到存放安全、方便的效果； 商品出售：采用毛利的形式，以较低的价格出售，达到薄利多销的效果； 摊位布局：利用两个摊位，学生和商家一起合作，共同利用，达到资源利用最优化； 其间费用支出：采用回馈式模式，团体订购一心一意餐厅的套餐。饮料支出，场景布置支出等等； 主要的合作形式：2号摊位提供给八福书店供其出售书籍和宣传，3号摊位一半让学生组合出售体育用品和七仔，一半是奇奥美发沙龙的现场体验和模特现场美发演示； 最大的意外收获其一：八福书店和学生诚意邀请了广东省书法协会的书法大家沈渔老师和本院的古桂高、陈景书法指导老师，为本
半导体材料有哪些 半导体材料有哪些 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 延伸 半导体材料是什么？ 半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体半导体材料内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。 半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构，所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿（ZnS）的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物，例如方铅矿
参加展会后的总结报告 篇【一】 五月十号赴上海的包装展览会可谓是同学们期待已久的一次活动，特别是对于我们学包装的同学更是一次绝好的认识和了解世界包装的机会。 这次包装展览会虽说只有短短的五六个小时，但是收获颇多。 它是一个浓缩的世界包装展览会，让我们这些对包装感兴趣的人不出国门就能了解到世界各国的风土人情、美食及包装结构技术等。 同学们也是不虚此行，大家第一次参观大型的有各个国家参加的包装展，为了能更好地了解各种新型的包装结构和包装技术，大家都拍了很多照片儿。 我们是从N区5区开始参观，N区总共五个区，看得我们眼花缭乱，不仅尝到了很多国家的独特美食，各种新型的新鲜的包装也是让我们大饱眼福，也让自己了解到自己对包装的了解只是冰山一角，这也提醒我们要更努力地去学习我们的专业知识。 接下来还去参观了E区，里面是一些包装工业流水线，更是让我们大开眼界，也体会到当今这个工业社会科学技术的重要性。 我们也挑了几个包装工艺流程向工作人员详细了解了
工作原理及流程，学到了书本上学不到的知识，也让我们更加坚定了毕业后要从事包装行业以便为我国的包装事业献一份微薄之力。 总之，此次包装展我们都感受颇深，希望以后有机会可以再次参观类似的大型包装展览会，在如今的快节奏社会，大家都太浮躁，所以有类似的这种参观活动不失为一种放松心情而去好好欣赏去认真学习一些东西的好方法。 自己也只是走马观花，也只有一些初浅的认识，我相信每位同学都有自己的不同感受。篇【二】 新加入照明国内销售团队，就有幸参加了20**年*月*号到*号举办的“20**年光博会”，并且四天都在展会上作为常驻人员接待客户，为客户介绍我所了解的照明产品的信息。 在这四天当中，7点半准时来到公司，坐公司的车到达展会，整理着装、资料、名片，即开始一天紧张的展会工作。 由于是第一次作为讲解人员对客户进行产品介绍，刚开始的时候，还不知道以怎样的话语开头，只能说”您好，请问您需要了解什么的?”之类的话语，随着次数的增加，话语转为”您好，欢迎来到***照明专区”，然后看着客户的眼光盯在哪，我就由哪款产品开始介绍，遇到客户提到的一些不能解答的问题，就向研发请教，然后向客户回答，或者引荐研发与客户认识，让其进行更专业的交流，以专业性来
主持人： 观众朋友，欢迎您来到CETV学术报告厅，最近美国的一家公司生产出一千兆的芯片，它是超微技术发展史上的一个分水岭，个人电脑业的发展，也将步入一个新的历史阶段，对整个信息业来说，它的意义不亚于飞行速度突破音速的极限，当然整个技术上的突破，也要依赖于以硅材料为基础的大规模集成电路的进一步微型化，50年代以来，随着半导体材料的发现与晶体管的发明，以硅为主的半导体材料，成为整个信息社会的支柱，成为微电子、光电子等高技术产业的核心与基础，这个情况，将会持续到下个世纪的中叶，当然，面对更大信息量的需求，硅电子技术也有它的极限，将会出现新的、替补性的半导体材料。关于半导体材料的发展现状与发展趋势，请您收看中国科学院王占国院士的学术报告。 王占国： 材料已经成为人类历史发展的里程碑，从本世纪的中期开始，硅材料的发现和硅晶体管的发明以及五十年代初期的以硅为基的集成电路的发展，导致了电子工业大革命。今天，因特网、计算机的到户，这与微电子技术的发展是密不可分的，也就是说以硅为基础的微电子技术的发展，彻底地改变了世界的政治、经济的格局，也改变着整个世界军事对抗的形式，同时也深刻影响着人们的生活方式。今天如果没有了计算机，没有了网络，没有了通信，世界会是什么样子，那是可想而知的。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。 70年代超晶格概念的提出，新的生长设备，像分子束外延和金属有机化合物化学汽相淀积等技术的发展，以及超晶格、量子阱材料的研制成功，使半导体材料和器件的设计思想发生了彻底的改变。就硅基材料的器件和电路而言，它是靠P型与N型掺杂和PN结技术来制备二极管、晶体管和集成电路的。然而基于超晶格、量子阱材料的器件和电路的性质，则不依赖于杂质行为，而是由能带工程设计决定的。也就是说，材料和器件的光学与电学性质，可以通过能带的设计来实现。设计思想从杂质工程发展到能带工程，以及建立在超晶格、量子阱等半导体微结构材料基础上的新型量子器件，极有可能引发新的技术革命。从微电子技术短短50年的发展历史来看，半导体材料的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 现在，我来讲一讲几种重要的半导体材料的发展现状与趋势。我们首先来介绍硅单晶材料。硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。根据预测，到2000年底，它的规模将达到60多亿平方英寸，整个硅单晶材料的产量将达到1万吨以上。目前，8英寸的硅片，已大规模地应用于集成电路的生产。到2000年底，或者稍晚一点，这个预计可能会与现在的情况稍微有点不同，有可能完成由8英寸到12英寸的过渡。预计到2007年前后，18英寸的硅片将投入生产。我们知道，直径18英寸相当于45厘米，一个长1米的晶锭就有几百公斤重。那么随着硅单晶材料的进一步发展，是不是存在着一些问题亟待解决呢？我们知道硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂