品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
产品选型手册●本手册汇编设备保护仪表用传感器、 调理器、通用传感器调理器。 主要涉及汽机保护（TSI）、 水机保护（HSI） 电机保护（ESI） 共几十个品种、数百个型号。 ●新技术、 以及开发工作的进行 使传感器不断升级换代， 数百个型号的产品中总有一款让您满意。 ●解决用户的需要是瑞慈公司的追求， 您可以按我们的手册选型， ●
您也可配瑞慈公司的仪表。 只用一个电话，我们就可免费为您提供配套 仪表资料。 ●由于继续研究和生产的发展， 瑞慈公司保留在没有通知的 情况下修改本手册的权力。 目录 电涡流位移传感器.............................. 错误!未定义书签。 综述 (3) 电涡流传感器工作原理及特性 (5) RC系列电涡流传感器特点 (6) (8) 汽机保护传感器 (9) RC2100系列传感器(大位移、胀差、壳体膨胀) (9) RC2200系列传感器(振动、位移)..................... 错误!未定义书签。 RC2100、2200系列电涡流传感器选型指南 (14) RC2600系列水机保护(HSI)传感器 (28)
RC系列隔离信号调理器 (42) RC9210隔离位移信号调理器 (43) RC9220隔离轴振信号调理器 (46) RC系列速度、加速度传感器 (49) RC6110振动速度传感器 (49) RC6605/50加速度传感器 (53) RC8200磁电式转速传感器 (56) 校准设备 (58) RC21310静态位移校准器 (58) RC21320动态校准仪 (58) 订货一般准则： (60) 质量承诺: (61) 电涡流位移传感器 综述 轴振监测首选电涡流位移传感器 机器振动监测设备伴随着机器的出现而诞生。五十年代后期、六十年代初期的透平机振动监测装置(TSI)，通常是用安装在壳体或轴承座上的速度传感器和加速度传感器。随着大机组的出现，透平机轴承座和基础结构的刚度远大于轴承油膜的刚度,轴振动与轴承座振动的比值很大（20:1或更大）,从壳体（轴承座）
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
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公司简介 INTRODUCTION 哈尔滨溶智纳芯科技有限公司专从事微动与宏动类产品的研发和制造，产品覆盖科研，教学、工业等众多领域。 公司技术力量雄厚，专业技术人员占人员总数的比例超过百分之九十，且拥有丰富的相关工作经验。 公司制造工艺先进，专业技师加数控设备保证每一个零件的精度，互换性强，特殊表面外理工艺使你的产品美观耐用，赏心悦目。 公司质量管理严格，所有产品从研发到装调，每一个环节都纳入系统的管理，专业检测手段保证每一个产品完全做到质量要求。 公司售后服务完善，灵活机动的处理方式，使您的问题在第一时间得到解决，无后顾之忧。 雄厚技术，先进工艺，严格质检，及时售后，体现在您得到的任何一种产品上，把更多的时间还给您个人。
常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应
内容： 1 水冷冷水机空调系统 ☆主要设备 （1）制冷主机（2）冷冻水泵（3）冷却水泵（4）冷却塔 （5）电子水处理仪（6）水过滤器（7）膨胀水箱 （8）末端装置（组合式空调机组、柜式空调机组、风机盘管等） 2 冷、热源的选择 1. 冷、热源系统设计选型注意的几个方面 1.1 各种冷、热源系统的能效特性 1.2 冷、热源系统的部分负荷性能 1.3 冷、热源系统的投资费用 1.4 冷、热源系统的运行费用 1.5 冷、热源系统的环境行为 2. 冷源设备选择 2.1 冷水机组的总装机容量 冷水机组的总装机容量应以正确的空调负荷计算为准，可不作任何附加，避免所选冷水机组的总装机容量偏大，造成大马拉小车或机组闲置的情况。 2.2 冷水机组台数选择 制冷机组一般以选用2～4台为宜，中小型规模宜选用2台，较大型可选用3台，特大型可选用4台。机组之间要考虑其互为备用和切换使用的可能性。 同一机房内可采用不同 类型、不同容量的机组搭配的组合式方案，以节约能耗。并联运行的机组中至少应选择一台自动化程度较高、调节性能较好、能保证部分负荷下能高效运行的机组。 为保证运转的安全可靠性，当小型工程仅设1台时，应选用调节性能优良、运行可靠的机型，如选择多台压缩机分路联控的机组，即多机头联控型机组。 2.3 冷水机组机型选择 2.3.1水冷电动压缩式冷水机组的机型宜按制冷量范围，并经过性能价格比 进行选择。 2.3.2冷水机组机型选择
电机驱动压缩机的蒸气压缩循环冷水机组，在额定制冷工况和规定条件下，性能系数（COP）不应低于以下规 定。 2.3.3冷水机组的制冷量和耗功率 冷水机组铭牌上的制冷量和耗功率，或样本技术性能表中的制冷量和耗功率是机组名义工况下的制冷量和耗功率，只能作冷水机组初选时参考。冷水机组在设计工况或使用工况下的制冷量和耗功率应根据设计工况或使用工况（主要指冷水出水温度、冷却水进水温度）按机组变工况性能表、变工况性能曲线或变工况性能修正系数来确定。 2.4热源设备 2.4.1热源设备类型 提供空调热水的锅炉按其使用能源的不同，主要分为两大类：（1）电热水锅炉（2）燃气、燃油热水锅炉 电热水锅炉 电热水锅炉的优点是使用方便，清洁卫生，无排放物，安全，无燃烧爆炸危险，自动控制水温，可无人值守。 《公共建筑节能设计标准》（GB50189-2005）规定：除了符合下列情况之一外，不得采用电热锅炉、电热水器作为直接采暖和空气调节系统的热源：电力充足、供电政策支持和电价优惠地区的建筑； 以供冷为主，采暖负荷较小且无法利用热泵提供热源的建筑； 无集中供热与燃气源，用煤、油等燃料受到环保或消防严格限制的建筑； 夜间可利用低谷电进行蓄热、且蓄热电锅炉不在日间用电高峰和平段时间启用的建筑； 利用可再生能源发电地区的建筑； 内、外区合一的变风量系统中需要对局部外区进行加热的建筑.
七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压 额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。 第三步为确定电流 确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。 对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
堡盟工业相机全面的产品组合
堡盟产品组合 ■ 紧凑型工业相机，分辨率从VGA 直至800万像素■ Gigabit 千兆以太网、FireWire TM 和 CameraLink ? 接口 ■ 创新技术改进，例如以太网供电、Dual GigE 、 IP67相机、多I/O 等 堡盟是创新型图像处理组件的全球领先制造商之一，提供广泛的适合各种应用的高品质工业相机。我们的核心能力涉及传感器集成、信号处理、接口和驱动程序等所有视觉应用领域，确保将相机集成在相应的视觉系统中。产品组合包括CCD 和CMOS 相机，分辨率从VGA 到800万像素不等。数字相机采用各种标准接口，例如：Gigabit 千兆以太网、CameraLink ? 和 FireWire TM . ■ 分辨率从VGA 直至500万像素 ■ 坚固型工业设计（尺寸：36 x 36 x 48 mm ）■ 宽范围供电设计：8-30 VDC 堡盟工业相机 技术不断创新，集成更加简单 采用CCD 传感器的紧凑型GigE 相机 在TXG 系列中，堡盟提供广泛的采用强大的CCD 传感器的GigE Vision ?相机。其它功能，诸如多点传送、触发延迟、计时器、防回跳器和序列发生器，也更能优化系统集成。 GigE Vision ? 相机 多 I/O 口GigE 相机 这类相机提供3个附加输入输出（I/O ），从而提高了视觉系统集成的灵活性。 T X G
以太网供电TXG 相机是满足GigE 网络应用要求的价格合理的单电缆解决方案。该款相机简化的机械设计，提高了可靠性， 同时降低了整个相机系统的安装和维护成本。 适于不同镜头的套管 由于相机的防护外壳上带有集成的C-Mount 接头，因此无论是相机的传感器及电子元件还是所有常见的标准镜头都可以得到安全保护。 ■ 通过同一根以太网电缆实现数据传输和供电■ 提供堡盟PoE 电源交换机、供电器和触发设备■ 降低了安装和维护成本 采用以太网供电（PoE ）和CCD 传感器的GigE 相机 ■ 同时为相机和镜头提供保护■ 防水防尘，适合恶劣的环境条件 ■ 多种套管长度，适用于不同的标准镜头 采用IP67外壳和CCD 传感器的GigE 相机 这款防护等级为IP67的相机是专为在恶劣及苛刻环境中的应用而开发的。根据该防护等级的要求，相机外壳具有防水和防尘性，能够保护相机的重要组件不受外部环境影响。 TXG IP 67 TXG PoE
MOS管常见型号 场效应管分类型号简介封装 1.MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 2.MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 3.MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 4.MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 5.MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 6.MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 7.MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 8.MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 9.MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 10.MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 11.MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 12.MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 13.MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 14.MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 15.MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 16.MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 17.MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 18.MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 19.MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 20.MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 21.MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 22.MOS FET IRF9520 TO-220 23.MOS FET IRF9540 TO-220 24.MOS FET IRF9610 TO-220 25.MOS FET IRF9620 TO-220 26.MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P 27.MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P 28.MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P 29.MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK 30.MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK 31.MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK 32.MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK 33.MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK 34.MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK 35.MOS FET IRFR9020TF D-PAK 36.MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F 37.MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 38.MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F 39.MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F 40.MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F
产品选型手册 ●本手册汇编设备保护仪表用传感器、 调理器、通用传感器调理器。 主要涉及汽机保护（TSI ）、 水机保护（HSI ） 电机保护（ESI ） 共几十个品种、数百个型号。 ●新技术、 新器件、新材料、新工艺引入， 以及开发工作的进行 使传感器不断升级换代， 数百个型号的产品中总有一款让您满意。 ●解决用户的需要是瑞慈公司的追求， 您可以按我们的手册选型， 也可以委托瑞慈公司合作开发新品。 ● 您也可配瑞慈公司的仪表。 仪表资料。 ●由于继续研究和生产的发展， 瑞慈公司保留在没有通知的
情况下修改本手册的权力。 目录 电涡流位移传感器 (3) 综述 (3) 电涡流传感器工作原理及特性 (4) RC系列电涡流传感器特点 (7) 传感器基本配置 (9) 汽机保护传感器 (10) RC2100系列传感器(大位移、胀差、壳体膨胀) (10) RC2200系列传感器(振动、位移) (12) RC2100、2200系列电涡流传感器选型指南 (13) RC2600系列水机保护(HSI)传感器 (20) RC系列隔离信号调理器 (31) RC9210隔离位移信号调理器 (31) RC9220隔离轴振信号调理器 (34) RC系列速度、加速度传感器 (36) RC6110振动速度传感器 (36) RC6605/50加速度传感器 (40) RC8200磁电式转速传感器 (42) 校准设备 (44) RC21310静态位移校准器 (44) RC21320动态校准仪 (44) 订货一般准则： (46)
质量承诺: (47) 电涡流位移传感器 综述 轴振监测首选电涡流位移传感器 机器振动监测设备伴随着机器的出现而诞生。五十年代后期、六十年代初期的透平 机振动监测装置(TSI)，通常是用安装在壳体或轴承座上的速度传感器和加速度传感器。 随着大机组的出现，透平机轴承座和基础结构的刚度远大于轴承油膜的刚度,轴振动与轴 承座振动的比值很大（20:1或更大）,从壳体（轴承座）获取机器振动信息效果很差,某 些故障(如叶片损坏引起的轴动不平衡)使轴振突变（它们使轴的总振动加剧并可能导致 危险）,可能只使轴承座发生很小的变化；而被错误的认为安全现象。 美国BNC公司针对上述原因发明了轴振测量传感器—非接触电涡流位移传感器。经 过近四十年的发展，透平机监测装置（TSI）,特别是大透平机无一例外的安装了电涡流 位移传感器用于测量轴振。这完全依赖于电涡流位移传感器在工业环境下,可持久、连续、 可靠工作的性能，使其成为TSI系统中永久安装、性能优越的传感器。 在国内TSI和压缩机保护仪表中，国外产品占领着大部分市场；用户大量使用美国 BNC公司7200、3300系列传感器、philips公司PR系列传感器、Schenck 公司SD系列 传感器、日本新川公司（SHINKAWA）VK系列传感器。中国TSI起步较晚，但近年来 国内产品取得了可喜发展，已经可以替代进口产品，市场也在不断扩大。 瑞慈公司推出走向国际化的新一代产品RC系列电涡流位移传感器。RC系列是由 国内最早从事电涡流传感器研究开发和产业化工作并有二十多年经验的专家开发成功
有源电力滤波器选型指南 晏祥彪孟庆振刘淮涛 摘要：本文主要介绍了南京亚派科技实业有限公司有源电力滤波器（APF）的特点、设计院上图以及不同行业APF的选型方法等内容。 关键词：有源电力滤波器选型上图符号 注释：文中所有英文“APF”均指“有源电力滤波器” 引言 近年来，随着电力电子技术的广泛应用，电能得到了更加充分的利用。由于电力电子装置自身所具有的非线性特点，会诱发电网的电压和电流发生畸变，且这些高度非线性设备数量和额定容量的日益增大，导致了电力系统谐波污染问题日益严重。可见，谐波污染不仅严重影响了电能质量，而且对电力系统的安全及经济运行造成极大的威胁；另一方面，由于供电方及其电力系统设备、用户方及其用电设备对电能质量的要求越来越高，这一矛盾使得人们对谐波污染问题越来越重视。 有源电力滤波器，作为一种新型的谐波治理装置，凸显出了无源滤波装置无可比拟的优势。它是应用可关断电力电子器件，产生与负荷电流中谐波分量大小相等、相位相反的电流来抵消系统谐波的滤波装置，既实现了动态跟踪补偿，又可以补偿谐波和无功。 有源电力滤波器可广泛应用于工业、商业和机关团体的配电网中，如：电力系统、电解电镀企业、水处理设备、石化企业、大型商场及办公大楼、精密电子企业、机场港口的供电系统、医疗机构等。有源电力滤波器的广泛应用，将会有力地保障供电可靠性、降低干扰、提高产品质量、增长设备寿命以及减少设备损坏等。 随着有源电力滤波器的逐渐广泛使用，针对不同行业，能够快速进行上图、选型等就显得尤为重要。为了方便广大设计人员和用户的选型，本文特别针对有源电力滤波器的选型及上图方法等进行了着重介绍。 1、有源电力滤波器介绍 1.1 有源电力滤波器的工作原理 A-APF有源电力滤波器对负载电流i L 进行实时检测，由谐波提取算法将i L 中的谐波电流 成份i Lh 分离出来后，进行取反，并控制电力电子器件动作产生谐波补偿电流i C ，从而保证 公用电网流入的电流为纯正波形。如图1所示：
KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302 KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7A KD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306 KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308 KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310 KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P KD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303 KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、 KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305 KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307 KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309 KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、