表示符号：RT 表示符号：RT 表示符号：RZ,VAR 表示符号：RT 光敏电阻CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容（无极性电容）表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器表示符号：X 晶振石英晶体振荡器表示符号：X 石英晶体滤波器 表示符号：X 双列集成电路 表示符号：IC或U 单列集成电路 表示符号：IC或U AND gate 非门
发热器件(电加热) FH照明灯(发光器件) EL空气调节器EV 电加热器加热元件EE感应线圈,电抗器L 励磁线圈LF消弧线圈LA滤波电容器LL 电阻器,变阻器R电位器RP 热敏电阻RT光敏电阻RL压敏电阻RPS接地电阻RG 放电电阻RD启动变阻器RS 频敏变阻器RF限流电阻器RC 光电池,热电传感器B压力变换器BP温度变换器BT速度变换器BV 时间测量传感器BT1、BK液位测量传感器BL温度测量传感器BH、BM 电子元件符号及字母表示电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM
电器元件符号大全 序号元件名称新符号旧符号 1 继电器K J 2 电流继电器KA LJ 3 负序电流继电器KAN FLJ 4 零序电流继电器KAZ LLJ 5 电压继电器KV YJ 6 正序电压继电器KVP ZYJ 7 负序电压继电器KVN FYJ 8 零序电压继电器KVZ LYJ 9 时间继电器KT SJ 10 功率继电器KP GJ 11 差动继电器KD CJ 12 信号继电器KS XJ 13 信号冲击继电器KAI XMJ 14 继电器KC ZJ 15 热继电器KR RJ 16 阻抗继电器KI ZKJ 17 温度继电器KTP WJ 18 瓦斯继电器KG WSJ 19 合闸继电器KCR或KON HJ 20 跳闸继电器KTR TJ 21 合闸继电器KCP HWJ 22 跳闸继电器KTP TWJ 23 电源监视继电器KVS JJ 24 压力监视继电器KVP YJJ 25 电压继电器KVM YZJ 26 事故信号继电器KCA SXJ 27 继电保护跳闸出口继电器KOU BCJ 28 手动合闸继电器KCRM SHJ 29 手动跳闸继电器KTPM STJ 30 加速继电器KAC或KCL JSJ 31 复归继电器KPE FJ 32 闭锁继电器KLA或KCB BSJ 33 同期检查继电器KSY TJJ 34 自动准同期装置ASA ZZQ 35 自动重合闸装置ARE ZCJ 36 自动励磁调节装置A VR或AA VR ZTL 37 备用电源自动投入装置AA TS或RSAD BZT 38 按扭SB AN 39 合闸按扭SBC HA 40 跳闸按扭SBT TA 41 复归按扭SBre或SBR FA 42 试验按扭SBte Y A
各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D
肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
复合三极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS
电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT
光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形
文字符 仪表P 电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表PAR 信号灯H 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接X 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 母线W 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM 熔断F 避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容C 电容器 C 电力电容器 CE 接触开关S 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流U 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电机M 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机MW鼠笼型电动机 MC 执行器Y 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPA,YA 电动执行器 YE 电阻R 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD 启动变阻器 RS 频敏变阻器 RF 限流电阻器 RC 电感L 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电热E
《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日
目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)
一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。
电子线路设计软件课程设计报告 实验内容：实验八multisim电路仿真 一、验目的 1、进一步熟悉multisim的操作和使用方法 2、掌握multisim做电路仿真的方法 3、能对multisim仿真出的结果做分析 二、仿真分析方法介绍 Multisim10为仿真电路提供了两种分析方法，即利用虚拟仪表观测电路的某项参数和利用Multisim10 提供的十几种分析工具，进行分析。常用的分析工具有：直流工作点分析、交流分析、瞬态分析、傅立叶分析、失真分析、噪声分析和直流扫描分析。利用这些分析工具，可以了解电路的基本状况、测量和分析电路的各种响应，且比用实际仪器测量的分析精度高、测量范围宽。下面将详细介绍常用基本分析方法的作用、分析过程的建立、分析对话框的使用以及测试结果的分析等内容 1、直流工作点分析 直流工作点分析也称静态工作点分析，电路的直流分析是在电路中电容开路、电感短路时，计算电路的直流工作点，即在恒定激励条件下求电路的稳态值。在电路工作时，无论是大信号还是小信号，都必须给半导体器件以正确的偏置，以便使其工作在所需的区域，这就是直流分析要解决的问题。了解电路的直流工作点，才能进一步分析电路在交流信号作用下电路能否正常工作。求解电路的直流工作点在电路分析过程中是至关重要的。 执行菜单命令Simulate/Analyses，在列出的可操作分析类型中选择DC Operating Point，则出现直流工作点分析对话框，如图所示。直流工作点分析对话框包括3页。
Output 页用于选定需要分析的节点。 左边Variables in circuit 栏内列出电路中各节点电压变量和流过电源的电流变量。右边Selected variables for 栏用于存放需要分析的节点。 具体做法是先在左边Variables in circuit 栏内中选中需要分析的变量（可以通过鼠标拖拉进行全选），再点击Plot during simulation 按钮，相应变量则会出现在Selected variables for 栏中。如果Selected variables for 栏中的某个变量不需要分析，则先选中它，然后点击Remove按钮，该变量将会回到左边Variables in circuit 栏中。Analysis Options页 点击Analysis Options按钮进入Analysis Options页，其中排列了与该分析有关的其它分析选项设置，通常应该采用默认的 Summary页
Multisim10仿真软件简介与使用 Multisim10.0是加拿大交互图像技术公司推出的最新电子仿真软件，是Multisim系列的改进版。该版使文件管理和操作更方便，元件调用更便捷，元件的标注更加直观实用，增加了仿真的真实感，使虚拟的电子实验平台更加接近实际的实验平台。Multisim10.0是一种在电子技术界广为应用的优秀计算机仿真设计软件，被誉为“计算机里的电子实验室”。 1．Multisim10.0的基本操作界面 Multisim10.0软件以图形界面为主，具有一般Windows应用软件的风格，可以使用户自如使用。启动Multisim10.0后，出现如图3-4-1界面。 仪器仪表栏菜单栏工具栏 仿真电源开关元器件栏 状态栏 电路工作区 图3-4-1 主界面窗口 （1）菜单栏 Multisim10.0的菜单包括主菜单、一级菜单和二级菜单，通过菜单可以对Multisim10.0的所有功能进行操作。如图3-4-2所示。 图3-4-2 主菜单 （2）工具栏 Multisim10.0提供了多种工具栏，如系统工具栏、主工具栏、元件工具栏、仪表工具栏。 ①系统工具栏提供了文档常用的新建文件、打开文件、保存文件、打印、放大、缩 小等操作。如图3-4-3所示。 图3-4-3 系统工具栏 ②元件工具栏提供了从Multisim元件数据库中选择、放置元件到原理图中的按钮。如图3-4-4所示。从左到右元件库依次为电源库、基本元件库、二极管库、晶体管库、模拟元件库、TTL库、CMOS库、其它数字元件库、数模混合元件库、指示器库、电源器件库、混合项元件库、高级的外设器件库、射频元件库、电气元件库、MCU器件库、设置层次库、放置总线库。
二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED
光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT
接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT
光敏电阻CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容（无极性电容）表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器 表示符号：X
Multisim7仿真分析命令介绍 1. 直流工作点分析（DC Operating Point Analysis） 直流工作点分析是对电路进行直流分析，分析完毕后给出电路中所有结点的电压和所有直流电压源中的电流。 进行直流工作点分析时，系统会自动假定电路的交流信号为0，且电路中的电容开路，电感短路。 以单管共射放大电路为例介绍如何用直流工作点分析得到电路中部分结点的电压和流过元器件内部结点的电流。 单管共射放大电路 （1）电路结点标注 点击主菜单Options->Preferences，选中circuit页show区中，点击OK按钮返回电路图窗口。
Preferences窗口的Circuit页 （2）仿真方式选择 点击主菜单Simulate->Analysis-> DC Operating Point Analysis。 DC Operating Point Analysis窗口
（3）输出变量选择 Output Variables页用来选定输出分析的变量。 在DC Operating Point Analysis窗口的Output variables页窗口中，左边Variables in circuit区中给出了针对电路中已标注的所有结点，该分析方法能够分析计算的所有变量。可以通过选中需要分析计算的变量点击Add的方法将想要观测的变量添加到右边Select variables for区中，用于软件后台的分析计算。 选择输出变量 其中，$1表示结点1的电压，vv2#branch表示流经电源V2的电流。（4）内部结点添加 有些情况下，元器件有内部结点的存在（如：三极管），若想分析计算元器件内部结点的电流电压参数，可选择左边Variables in circuit区下边的 ，在more options中选择添加元器件模型和想要分析计算的参数。
各种电子元件符号 普通的二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管注：单向型 TVS瞬态电压抑制二极 管也是这个符号表示符 号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管 光敏二极管或光电接 收二极管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收 三极管 表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二 极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型 三极管 表示符号：Q,VT
带阻 尼二极管及电阻 NPN型三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场 效应管 表示符号：Q,VT 双向型 TVS瞬态电压 抑制二极管 接面型场效应管 P-JFET 接面型场效应管 N-JFET 场效应管增强型 P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型 P-MOS 场效应管耗尽型 N-MOS 电阻电阻器或固定电 阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻 表示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻 表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT
常用电气元件文字符号表 发电机的缩写符号是什么？电压小母线的符号又是什么，通过下表即可了解，感谢开关114提供。
各种配电箱的符号 civilcn高压开关柜AH高压计量柜AM高压配电柜AA高压电容柜AJ低压电力配电箱柜AP低压照明配电箱柜AL应急电力配电箱柜APE应急照明配电箱柜ALE低压负荷开关箱柜AF低压电容补偿柜ACC或ACP直流配电箱柜AD 操作信号箱柜AS控制屏台箱柜AC继电保护箱柜AR计量箱柜AW励磁箱柜AE低压漏电断路器箱柜ARC双电源自动切换箱柜AT多种电源配电箱柜AM 刀开关箱柜AK电源插座箱AX建筑自动化控制器箱ABC火灾报警控制器箱AFC设备监控器箱ABC住户配线箱ADD信号放大器箱ATF分配器箱AVP 接线端子箱AXT这个定义很不错。 矿用铠装控制电缆； MKVV22,MKVV322*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5mm铠装控制电缆；KVV22,KVV32,KVVR222*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5mm铠装屏蔽控制电缆 KVVP-22,RVVP-22,KVVRP-22,KVVP2-22,KVVRP2-222*0.5,3*0.75,4* 4,------37*1.5mm铠装阻燃控制电 缆;ZR-KVV22,ZR-KVV32,ZR-KVVR222*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5 mm铠装阻燃屏蔽控制电 缆;ZR-KVVP22,ZR-KVVRP22,ZR-KVVP2-22,ZR-KVVRP2-222*0.5,3*0. 75,4*4,------37*1.5mm铠装通信电 缆;HYA22,HYA23,HYA53,HYV22,HYV23 5对,10对------2400 对,0.4-0.5-0.6-0.7-0.8-0.9线径铠装充油通信电 缆;HYAT22,HYAT23,NYAT53 5对,10对------800对 0.4-0.5-0.6-0.7-0.8-0.9线径铠装阻燃通信电 缆;ZR-HYA22,ZR-HYA23,ZR-HYA53,WDZ-HYA23,WDZ-HYA535对,10对------2400对,0.4-0.5-0.6-0.7-0.8-0.9线径矿用铠装阻燃通信电 缆;MHYA22,MHYV22,MHYA32,MHYV325对,10对------200 对,0.5-0.6-0.7-0.8-0.9-1.0线径铠装计算机电缆； DJYVP22,ZR-DJYVP22,DJYVRP22,DJYPV22,ZR-DJYPV22DJYPVR22DJ
电子电路仿真应用手册 2009年6月 前言 本手册基于Multisim V7仿真环境，从最基本的仿真电路图的建立开始，结合实际的例子，对模拟和数字电路中常用的测试方法进行介绍。这些应用示例包括：常用半导体器件特性曲线的测试、放大电路静态工作点和动态参数的测试、电压传输特性的测试、波形上升时间的测试、逻辑函数的转换与化简、逻辑分析仪的使用方法等。 更高版本的Multisim仿真环境与之类似。此外，本手册侧重于测试方法的介绍，仅对主要步骤进行说明，如碰到更细节的问题，可参阅《Multisim V7教学版使用说明书》或其它帮助文档。 目录 1 Multisim主界面简介 (2) 2仿真电路图的建立 (2) 3常用半导体器件特性曲线的测试方法 (3) 3.1 晶体三极管特性曲线的测试 (3) 3.1.1 IV分析仪测试方法 (3) 3.1.2 直流扫描分析方法 (3) 3.2 结型场效应管特性曲线的测试 (4) 3.2.1 IV分析仪测试方法 (4) 3.2.2 直流扫描分析方法 (4) 3.3 二极管、稳压管伏安特性曲线的测试 (5) 4放大电路静态工作点的测试方法 (5) 4.1 虚拟仪器测试方法 (5) 4.2 静态工作点分析方法 (5) 5放大电路动态参数的测试方法 (6) 5.1 电压放大倍数的测试 (6) 5.1.1瞬态分析测试方法 (6) 5.1.2虚拟仪器测试方法 (6) 5.2 输入电阻的测试 (6) 5.3 输出电阻的测试 (7) 5.4频率响应的测试 (7) 5.4.1交流分析方法 (7) 5.4.2 波特图仪测试方法 (7) 6电压传输特性的测试方法 (8) 7上升时间的测试方法 (9) 8逻辑函数的转换与化简 (10) 8.1 逻辑函数转换为真值表 (10) 8.2 真值表转换为逻辑函数 (10) 9逻辑分析仪的使用方法 (11)
电气元件图形符号介绍_常用电气元件图形符号大全 电气图形符号是指用于各种设备上，作为操作指示或用来显示设备的功能或工作状态的图形符号，例如：电气设备用图形符号、纺织设备用图形符号等。网站数据库中收录现行的含有设备用图形符号的国家标准共26项，所含设备用图形符号共2902个。 图形符号的种类和组成： 图表符号一般分为：限定符号、一般符号、方框符号、以及标记或字符。 限定符号不能单独使用，必须同其他符号组合使用，构成完整的图形符号。 如交流电动机的图表符号，由文字符号、交流的限定符号以及轮廓要素组成。 延时过流继电器图形符号，由测量继电器方框符号要素，特性量值大于整定值时动作和延时动作的限定符号以及电流符号组成。 方框符号一般用在使用单线表示法的图中，如系统图和框图中，由方框符号内带有限定符号以表示对象的功能和系统的组成，如整流器图表符号，由方框符号内带有交流和直流的限定符号以及可变性限定符号组成。 常用电气元件图形符号： １、基本文字符号
２、辅助文字符号 图形符号大全：
开关 多级开关一般符号单线表示 多级开关一般符号多线表示 接触器 KM 接触器 负荷开关 具有自动释放功能的负荷开关 熔断器式断路器 断路器 QF 隔离开关 QS 熔断器一般符号 FU 跌落式熔断器 FF
熔断器式开关 熔断器式隔离开关 熔断器式负荷开关 当操作器件被吸合时延时闭合的动合触点 当操作器件被释放时延时闭合的动合触点 当操作器件被释放时延时闭合的动断触点电气图用图形符号 当操作器件被吸合时延时闭合的动断触点 当操作器件被吸合时延时闭合和释放时延时断开的动合触点 按钮开关 SB
电子元器件符号 电气符号大全 电路图符号大全 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-
Multisim使用手册 Multisim是一种EDA仿真工具，它为用户提供了丰富的元件库和功能齐全的各类虚拟仪器。 A1 Multisim 8 基本界面 启动Windows“开始”菜单“所有程序”中的Electronics Workbench/Multisim 8，打开Multisim 8的基本界面如图A1－1所示。 Multisim 8的基本界面主要由菜单栏、系统工具栏、快捷键栏、元件工具栏、仪表工具栏、连接https://www.doczj.com/doc/7d11416276.html,按钮、电路窗口、使用中的元件列表、仿真开关(Simulate)和状态栏等项组成。 图A1-1 Multisim 8的基本界面 A1.1 菜单栏 与所有Windows应用程序类似，菜单中提供了软件中几乎所有的功能命令。Multisim 8菜单栏包含着11个主菜单，如图A1-2所示，从左至右分别是File(文件菜单)、Edit(编辑菜单)、View(窗口显示菜单)、Place(放置菜单)、Simulate(仿真菜单)、Transfer(文件输出菜单)、Tools(工具菜单)、Reports（报告菜单）、Options(选项菜单)、Window（窗口菜单）和Help(帮助菜单)等。在每个主菜单下都有一个下拉菜单。
A1-2 菜单栏 1.File(文件)菜单 主要用于管理所创建的电路文件，如打开、保存和打印等，如图A1-3所示。 图A1－3 File菜单 New:提供一个空白窗口以建立一个新文件。 Open:打开一个已存在的*.ms8、*.ms7、*.msm、*.ewb或*.utsch等格式的文件。 Close:关闭当前工作区内的文件。 Save:将工作区内的文件以*.ms8的格式存盘。 Save As:将工作区内的文件换名存盘，仍为*.ms8格式。 Print..:打印当前工作区内的电路原理图。 Print Preview：打印预览。 Print Options：打印选项，其中包括Printer Setup（打印机设置）、Print Circuit Setup(打印电路设置)、Print Instruments（打印当前工作区内的仪表波形图）。 Recent Circuits:最近几次打开过的文件，可选其中一个打开。 New Project、Open Project、Save Project和Recent Projects命令是指对某些专题文件进行的处理，仅在专业版中出现，教育版中无功能。 2．Edit（编辑）菜单 主要用于在电路绘制过程中，对电路和元件进行各种技术性处理，如图A1－4所示。
电子元件符号及字母表示 电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM
避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容器 C 电力电容器 CE 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPA,YA 电动执行器YE 发热器件(电加热) FH 照明灯(发光器件) EL 空气调节器 EV 电加热器加热元件 EE 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL
Proteus电子元件符号大全及汉英对照表正弦交流电流的公式是i=Isin2πft i是交流电流的瞬时值， I是交流电流的最大值， f是交流电的频率， t是时刻 随着时刻的推移，交流电流能够从零变到最大值，从最大值变到零，又从零变到负的最大值，从负的最大值变到零。在三角函数中2πft相当于角度，它反映了交流电任何时刻所处的状态，是在增大依旧在减小，是正的依旧负的等等。因此把2πft叫做相位，或者叫做相。 二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管
隧道二极管 光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极 管 表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R
数字时钟具有“秒”、“分”、“时”的十进制数字显示，能够随时校正分钟和小时，当时钟到整点时能够进行整点报时，还能够进行定时设置。其涉及的电路由6部分组成。（1）能产生“秒脉冲”、“分脉冲”和“时脉冲”的脉冲产生和分频电路；（2）对“秒脉冲”、“分脉冲”和“时脉冲”计数的计数电路；（3）时间显示电路；（4）校时电路；（5）报时电路；（6）定时输入电路和时间比较电路。由脉冲发生器产生信号通过分频电路分别产生小时计数、分计数、秒计数。当秒计数满60后，分钟加1；当分满60后，时加1；当时计数器计满24时后，又开始下一个循环技术。同时，可以根据需要随时进行校时。把定时信号和显示信号通过比较电路确定能否产生定时报警信号。显示信号通过整点译码电路产生整点报警信号。 数字时钟设计与开发以及仿真分析： 系统具有“时”、“分”、“秒”的十进制数字显示，因此，应有计数电路分别对“秒脉冲”、“分脉冲”和“时脉冲”计数；同时应有时间显示电路，显示当前时间；还应有脉冲产生和分频电路，产生“秒脉冲”、“分脉冲”和“时脉冲”[5]。 系统具有校时功能，因此，应有校时电路，设定数字时钟的当前值。 系统具有整点报时功能，因此，应有译码电路将整点时间识别出来，同时应有报时电路。 系统具有定时功能，因此，应有定时输入电路和时间比较电路。 综上考虑，可如图2.1所示设计数字时钟的电路原理结构图。
图2.1 数字时钟的电路原理结构图 如图2.1所示，数字时钟电路有3个开关，它们的功能如下。 （1）S1：S1为瞬态开关，手动输入计数脉冲。 （2）S2：校时/定时/校时选择电路输入选择开关，当开关切换到上触点，为定时输入；当开关切换到中间触点，为校时输入；当开关切换到下触点，为校时选择电路输入。 （3）S3：为计时/校时选择开关，当开关切换到右边触点时，数字时钟为计时状态；当开关切换到左边触点时，数字时钟为校时状态。 左边两个计数器（小时计数、分计数）接收手动输入脉冲，为定时功能设定定时时间。 右边3个计数器（小时计数、分计数、秒计数）接收手动输入或计时脉冲，实现校时和计时功能。 比较电路是将设定的定时时间和当前的时间进行比较，当两者时间相同时，产生定时报警信号，驱动报警电路。 整点译码电路识别整点时间，以产生整点报时信号。 脉冲产生和分频电路产生数字时钟所需的秒脉冲、分脉冲和小时脉冲。 时间显示电路显示当前时间和定时时间。 4.2 数字时钟设计 4.2.1 小时计时电路 小时计时电路如图4.1所示。
电路分析Multisim仿真实验二 验证欧姆定律 1．实验要求与目的 （1）学习使用万用表测量电阻。 （2）验证欧姆定律。 2. 元器件选取 （1）电源：Place Source→POWER_SOURCES→DC_POWER,选取直流电源,设置电源电压为12V。 （2）接地：Place Source→POWER_SOURCES→GROUND，选取电路中的接地。（3）电阻：Place Basic→RESISTOR,选取R1=10Ω,R2=20Ω。 （4）数字万用表：从虚拟仪器工具栏调取XMM1。 （5）电流表：Place Indicators→AMMETER，选取电流表并设置为直流档。 3. 仿真实验电路 图1 数字万用表测量电阻阻值的仿真实验电路及数字万用表面板
图2 欧姆定律仿真电路及数字万用表面板 4．实验原理 欧姆定律叙述为：线性电阻两端的电压与流过的电流成正比，比例常数就是这个电阻元件的电阻值。欧姆定律确定了线性电阻两端的电压与流过电阻的电流之间的关系。其数学表达式为U=RI，式中，R为电阻的阻值（单位为Ω）；Ｉ为流过电阻的电流（单位为Ａ）；Ｕ为电阻两端的电压（单位为Ｖ）。 欧姆定律也可以表示为Ｉ＝Ｕ／Ｒ，这个关系式说明当电压一定时电流与电阻的阻值成反比，因此电阻阻值越大则流过的电流就越小。 如果把流过电阻的电流当成电阻两端电压的函数，画出Ｕ（Ｉ）特性曲线，便可确定电阻是线性的还是非线性的。如果画出的特性曲线是一条直线，则电阻式线性的；否则就是非线性的。 5．仿真分析 （1）测量电阻阻值的仿真分析 ①搭建图1所示的用数字万用表测量电阻阻值的仿真实验电路，数字万用表按图设置。 ②单击仿真开关，激活电路，记录数字万用表显示的读数。 ③将两次测量的读数与所选电阻的标称值进行比较，验证仿真结果。 （2）欧姆定律电路的仿真分析 ①搭建图2所示的欧姆定律仿真电路。 ②单击仿真开关，激活电路，数字万用表和电流表均出现读数，记录电阻R1两
Multisim14电子电路仿真方法和样例 2019年9月
本手册基于Multisim14仿真环境，从最基本的仿真电路图的建立开始，结合实际的例子，对模拟和数字电路中常用的测试方法进行介绍。这些应用示例包括：常用半导体器件特性曲线的测试、放大电路静态工作点和动态参数的测试、电压传输特性的测试、波形上升时间的测试、逻辑函数的转换与化简、逻辑分析仪的使用方法等。 此外，本手册侧重于测试方法的介绍，仅对主要步骤进行说明，如碰到更细节的问题，可参阅《Multisim 14教学版使用说明书》或其它帮助文档。
1.MULTISIM14主界面简介 (4) 2.仿真电路图的建立 (4) 3.常用半导体器件特性曲线的测试方法 (5) 3.1晶体三极管特性曲线的测试 (5) 3.1.1 IV分析仪测试方法 (5) 3.1.2 直流扫描分析方法 (5) 3.2结型场效应管特性曲线的测试 (6) 3.2.1 IV分析仪测试方法 (6) 3.2.2 直流扫描分析方法 (7) 3.3二极管、稳压管伏安特性曲线的测试 (7) 4.放大电路静态工作点的测试方法 (7) 4.1虚拟仪器测试方法 (7) 4.2静态工作点分析方法 (8) 5.放大电路动态参数的测试方法 (8) 5.1电压放大倍数的测试 (8) 5.1.1瞬态分析测试方法 (8) 5.1.2 虚拟仪器测试方法 (9) 5.2输入电阻的测试 (9) 5.3输出电阻的测试 (10) 5.4频率响应的测试 (10) 5.4.1交流分析方法 (10) 5.4.2 波特图仪测试方法 (10) 6.电压传输特性的测试方法 (11) 7.上升时间的测试方法 (12) 8.逻辑函数的转换与化简 (13) 8.1逻辑函数转换为真值表 (13) 8.2真值表转换为逻辑函数 (13) 9.逻辑分析仪的使用方法 (14)