模拟电子线路教案
周鸣籁
说明：
1. 教学要求按重要性分为3个层次，分别以“掌握★、熟悉◆、了解▲”表述。学生可以根据自己的情况决定其课程内容的掌握程度和学习目标。
2. 作业习题选自教材：康华光《电子技术基础模拟部分》第五版。
3. 以图表方式突出授课思路，串接各章节知识点，便于理解和记忆。
1. 第一章绪论
第一节信号
第二节信号的频谱
第三节模拟信号和数字信号
第四节放大电路模型
第五节放大电路的主要性能指标
目的要求
1. 了解信号的频谱分析。
2. 熟悉信号的分类、模拟信号和数字信号的概念。
3. 熟悉放大电路的四种模型。
4. 掌握放大电路的主要性能指标。
讲授思路
1. 简述信号的频谱和分类，详述放大电路模型和性能指标:
信号源的等效（戴维宁/诺顿）
周期/非周期信号
频谱分析◆分类（4类）
模拟信号
（傅里叶级数/变换）
放大（模拟信号基本处理功能）
◆电路模型分类性能指标定义及测量
电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大★主要指标其它指标
★推导模型分析计算输入电阻、输出电阻、增益、最大输出功率、效率、
频率响应、带宽信噪比、抗干扰
作业布置
思考题：
1. 某放大电路输入信号为10pA时，输出为500mV，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？
2. 某放大电路开路输出电压为Voc，短路输出电流为Ios，试求其输出电阻Ro。
3. 对于一个正弦波信号，经有限带宽的放大电路放大后，是否有可能出现频率失真？为什么？
习题：
第21页题1.5.3 1.5.4 1.5.6
1. 第三章二极管及其基本电路
第一节半导体的基本知识
第二节 PN结的形成及特性
目的要求
1. 了解半导体的基本知识。
2. 掌握PN结的单向导电性、特性曲线和方程、反向击穿特性、结电容效应。
讲授思路
1. 简述半导体的基本知识:
按导电能力分类
导体半导体绝缘体
常用材料特点
元素半导体化合物半导体掺杂半导体
2.详述PN结的形成和特性、简述二极管的种类和参数：
本征半导体掺杂
P型半导体 N型半导体
PN结形成
◆性质二极管
单向导电反向击穿温度特性种类特性（同PN结）◆参数（整流）（稳压）（变容）（测温）
高频特性普通稳压光敏/发光
（单向导电性变差）
1. 第三章 二极管及其基本电路
第三节 二极管
第四节 二极管基本电路及其分析方法
第五节 特殊二极管
目的要求
1. 熟悉二极管的种类和参数。
2. 掌握二极管的四种等效模型和二极管电路的分析计算。
3. 熟悉稳压管电路的原理以及限流电阻的计算。
讲授思路
1. 详述二极管电路的分析方法：
二极管电路分析（非线性特性曲线）
图解 ★简化模型电路（特性曲线线性化） （二极管特性+外电路特性）
大信号 小信号
2. 详述稳压管电路的原理及计算：
◆稳压管工作条件
（max min z z I I I <<）
求I 最大和最小值
计算限流电阻范围
作业布置
思考题：
1. 空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?
2. 什么是N 型半导体? 什么是P 型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象?
3. PN 结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么具有单向导电性?在PN 结加反向电压时果真没有电流吗?
4. 二极管的极间电容主要影响它的什么工作特性？
习题：
第97页 题3.4.6 3.4.9 3.5.4
1. 第四章双极结型三极管及放大电路基础
第一节 BJT
第二节基本共射极放大电路
目的要求
1. 熟悉三极管的原理。
2. 掌握三极管的特性曲线和方程。
3. 熟悉三极管的主要参数。
4. 掌握基本共射极放大电路的组成原理
讲授思路
1. 简述三极管的工作原理：
三极管分类、结构、符号
内部载流子传输过程
★电流分配关系公式
2. 详述三极管的特性曲线和方程：
三极管放大电路组态
（共基极、共发射极、共集电极）
特性曲线图解分析
◆输入特性★输出特性（各区工作条件和特点）
截止区放大区饱和区
3. 三极管的主要参数:
▲主要参数定义
直流参数交流参数
4. 详述共射极放大电路的组成原理：
电路原理图各元件作用
静态
直流量直流量+交流量
★直流通路画法★交流通路画法
计算静态工作点计算交流性能指标
1. 第四章 双极结型三极管及放大电路基础
第三节 放大电路的分析方法
第四节 放大电路静态工作点的稳定问题
目的要求
1. 掌握H 参数小信号模型画法。
2. 掌握共射电路静态工作点和交流性能指标的计算
3. 熟悉用图解法分析静态和动态工作情况。
4. 熟悉饱和失真、截止失真概念，及最大不失真输出电压的计算。
5. 了解温度对共射放大电路工作点的影响及射极偏置电路的分析计算。
讲授思路
1. 简述用图解法分析静态动态工作情况和失真：
静态 动态
外电路特性（输入直流负载线） 外电路特性族（输入交流负载线）
+ BJT 输入特性曲线 + BJT 输入特性曲线
静态工作点BQ I CEQ V B i BE v 波形
外电路特性（输出直流负载线）
+ BJT 输出特性曲线 + BJT 输出特性曲线族
静态工作点CQ I CEQ V C i CE v 波形
失真（Q 点不合适+输入大） ◆最大不失真输出电压计算
▲饱和失真 ▲
Q 点高，CQ BQ I I 大 Q 点低，CQ BQ I I 小
2. 详述H 参数小信号模型：
输入输出回路方程
小信号（微分）
H 参数方程
H
H ★
H 参数的获得： be r ★
3. 详述共射电路静态工作点和交流性能指标的计算:
共射电路图
★静态工作点BE I CQ I （EQ I ）CEQ V
be r
★小信号模型电路
★按定义推导交流性能指标o i vs v R R A A )(公式
4. 简述温度对共射放大电路工作点的影响，详述射极偏置电路的分析计算：
◆CEO BE I V 随温度变化
静态工作点和交流性能指标变化
★
（分析过程同共射电路）
1. 第四章 双极结型三极管及放大电路基础
第五节 共集电极放大电路和共基极放大电路
第六节 组合放大电路
目的要求
1. 熟悉共集、共基电路静态工作点和交流性能指标的计算。
2. 了解复合管的组成。
3. 了解组合放大电路的形式、特点及分析方法。
讲授思路
1. 详述共集、共基电路静态工作点和交流性能指标的计算◆:
分析过程同共射电路。
2. 简述组合放大电路的形式、特点及分析方法：
三种基本组态电路 改善性能（o i v R R A ）
复合管 组合放大
组成原则 分析方法（o i v R R A 计算）
1. 第四章 双极结型三极管及放大电路基础
第七节 放大电路的频率响应
2. 第一、三章作业讲解和答疑
3. 第一、三章复习和习题练习
目的要求
1. 熟悉三极管混合π模型。
2. 熟悉单级共射电路上限和下限截止频率的计算、增益带宽积的概念。
讲授思路
1. 详述三极管混合π模型：
H 参数模型 c b C 'e b C 'β
◆混合π模型 β高频特性
混合π模型参数的获得 βf T f
（低频时H 参数、混合π模型相同）
2. 详述放大电路的频率响应分析：
v A 频率响应
低频响应 中频 高频响应 （耦合
低频等效电路：H e b '）
H f
3. 第一、三章作业讲解和答疑
4. 第一、三章复习和习题练习：
提问学生、要求学生在黑板上解答
作业布置
思考题：
1. 既然BJT 具有两个PN 结，可否用两只二极管背靠背地相连以构成一只BJT ，试说明其理由。
2. 能否将BJT 的发射极、集电极交换使用？为什么？
3. 有哪几个参数确定BJT 的安全工作区？
4. 什么是放大? 放大的对象是什么？负载上获得的功率来自何处？
5. 为什么晶体管的输入输出特性说明它有放大作用?如何将晶体管接入电路才能使其起放大作用?组成放大电路的原则是什么?有几种接法?
6. 用估算法计算放大电路静态工作点Q 的思路是什么？为什么要设置Q 点？什么是动态？如何画放大电路的交流通路？
7. 放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同？什么情况下这两条负载线是重合的？
8. 如何确定放大电路的最大动态范围？如何设置Q点才能使动态范围最大？
9. 试比较图解分析法和小信号模型分析法的特点及应用范围。
10.设放大电路的输入信号为正弦波，问在什么情况下，电路的输出出现饱和截止失真？在什么情况下出现交越失真？用波形示意图说明这两种失真的区别。
11.引起放大电路静态工作点不稳定的主要因素是什么？
12.试列举几种稳定静态工作点的措施，并说明理由。
13.为什么可以称共集电极放大电路为电压跟随器？
14.三种组态的放大电路各有什么特点？如何根据它们的特点组成派生电路?
15.什么是放大电路的通频带？哪些因素影响通频带？如何确定放大电路的通频带？
16.一个阻容耦合放大电路的幅频响应曲线一般只有在中频区是平坦的，而在低频区或高频区，其频响则是衰减的，这是由哪些因素引起的？
17.为什么要讨论频率响应？如果放大电路的频率响应不满足要求，应该怎么办？
18.如何将多个单级放大电路连接成多级放大电路？各种连接方式有什么特点？
19.对于一个参数已知的放大电路，是通频带愈宽愈好吗？
20.晶体管的h参数等效模型在较高信号频率下还适用吗？为什么？
习题：
第185页题4.1.1
第188页题4.3.5 4.3.9
第190页题4.4.3
第195页题4.7.2
1. 第五章 场效应管放大电路
第一节 金属氧化物半导体场效应管
第二节 MOSFET 放大电路
目的要求
1. 了解场效应管的种类、参数。
2. 熟悉MOS 管的特性曲线和方程。
3. 掌握MOS 管共源和共漏电路的静态工作点和交流性能计算。
讲授思路
1. 简述场效应管的种类： 场效应管分类
MOSFET JFET
增强型 耗尽型 P 沟道 N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道 N 沟道
2. 详述N 沟道增强型MOSFET 的特性曲线和方程：
N 沟道增强型MOSFET 结构
工作原理（GS v DS v 对D i 的影响）
◆输出特性曲线及方程
可变电阻区 饱和区 截止区
◆转移特性曲线
3. 简述场效应管的主要参数:
▲主要参数定义
直流参数 交流参数
4. 详述N 沟道增强型MOSFET 共源电路的静态工作点和交流性能计算：
共源电路图
两种偏置电路形式
★静态工作点GSQ V DQ I DSQ V
◆m g （计算或图解）
★小信号模型电路
★按定义推导交流性能指标o i vs v R R A A )(公式
5. 详述N 沟道增强型MOSFET 共漏电路静态工作点和交流性能指标的计算:
分析过程同共源电路。
1. 第五章场效应管放大电路
第三节结型场效应管
第五节各种放大器件电路性能比较
2. 第四章作业讲解和答疑
3. 第四章复习和习题练习
目的要求
1. 熟悉JFET管的特性曲线和方程。
2. 熟悉JFET管共源和共漏电路的静态工作点和交流性能计算。
3. 了解各种放大器件电路的优缺点。
讲授思路
1. 简述N沟道JFET的特性曲线和方程：
分析过程同N沟道增强型MOSFET。
2．简述N沟道JFET共源电路的静态工作点和交流性能计算：分析过程同N沟道增强型MOSFET。
3. 简述各种放大器件电路的优缺点。
4. 第四章作业讲解和答疑
5. 第四章复习和习题练习：
提问学生、要求学生在黑板上解答
作业布置
思考题：
1. 为什么MOSFET的输入电阻比BJT高？
2. 与BJT放大电路比较，MOSFET偏置电路有什么特点？
3. 为什么JFET的输入电阻比MOSFET低？
4. 在低噪声电路的设计中，试说明为什么选用JFET而不用BJT？
5. 场效应管放大电路与晶体管放大电路有哪些不同之处?
习题：
第251页题5.2.9 5.3.6
第253页题5.3.8
1. 第六章 模拟集成电路
第一节 模拟集成电路中的直流偏置技术
第二节 差分式放大电路
第三节 差分式放大电路的传输特性
第四节 集成电路运算放大器
第五节 实际集成电路运算放大器的主要参数和对应用电路的影响
第七节 放大电路中的噪声和干扰
目的要求
1. 了解电流源的工作原理和应用。
2. 熟悉差分放大电路四种不同接法的特点。
3. 掌握差分放大电路的静态工作点和交流性能的计算。
4. 了解差分式放大电路的传输特性。
5. 了解集成电路运算放大器的内部结构。
6. 了解运放的主要参数和应用。
7. 了解放大电路中噪声和干扰的来源和抑制的措施。
讲授思路
1. 简述集成电路运算放大器的内部结构： 集成运放内部结构 输入级 中间级 输出级 偏置电路（电流源） 差分放大克服温漂 电流源负载高增益 电压跟随器提高带负载能力 提供静态工作点
2. 简述电流源的工作原理和应用：
▲种类：镜像电流源（较大工作电流）+ 微电流源（微小工作电流）
BJT + FET
应用：有源负载 + 直流偏置
3. 详述差分放大电路分析计算：
差分放大电路结构（射极电阻或电流源）
差分放大电路四种接法
双端输入双端输出电路分析
★静态工作点计算
（021==i i v v 时EQ I 、CEQ V ）
be r
★交流性能指标推导
差模指标vd A id R o R 共模指标vc A ic R o R CMR K
◆差分放大电路其它接法分析
（对照双端输入双端输出）
4. 简述差分式放大电路的传输特性:
线性区 + 非线性区
5. 简述运放的主要参数和应用：
▲运放主要参数
直流参数交流参数
输入直流误差特性电源特性差模特性大信号动态特性
6. 简述放大电路中噪声和干扰的来源和抑制的措施
作业布置
思考题：
1. 什么是集成运算放大电路？将分立元件直接耦合放大电路做在一个硅片上就是集成运放吗？
2. 集成运放电路结构有什么特点？
3. 集成运放的电压传输特性有什么特点？为什么？
4. 集成运放由哪几部分组成？各部分的作用是什么？
5. 如何设置集成运放中各级放大电路的静态工作点？
6. 直接耦合放大电路的特殊问题是什么？如何解决？
7. 什么叫差模信号和共模信号？试从物理意义和数学定义来说明。
8. 从输入和输出关系来看，差分式放大电路有几种连接方式？试比较它们的性能指标。
9. 差分放大电路与其它基本放大电路有什么区别？为什么它能抑制零点漂移？
习题：
第316页题6.2.2 6.2.5
1. 第七章 反馈放大电路
第一节 反馈的基本概念与分类
第二节 负反馈放大电路的四种组态
目的要求
1. 掌握反馈的概念、分类和判别。
2. 掌握负反馈放大电路四种组态的分析。
讲授思路
1. 详述反馈的概念和分类★：
正反馈和负反馈、直流和交流反馈、电压和电流反馈、并联和串联反馈的概念
2. 详述反馈类型的判别★：
输出短路法：L R 或o v 两端短路
反馈消失 →电压反馈 反馈仍存在→电流反馈
输入、反馈在同一端：并联
输入、反馈在不同端：串联
标注瞬时极性：输入i x →输出o x →输入f x
（熟知BJT/FET 单级放大、差分放大、运放输入输出极性关系）
i x f x 极性相同：并联→正反馈，串联→负反馈
i x f x 极性相反：并联→负反馈，串联→正反馈
3. 详述负反馈放大电路四种组态分析▲：
电压串联、电压并联、电流串联、电流并联反馈框图及反馈系数分析
1. 第七章 反馈放大电路
第三节 负反馈放大电路增益的一般表达式
第四节 负反馈对放大电路性能的影响
第五节 深度负反馈条件下的近似计算
第六节 负反馈放大电路设计
第七节 负反馈放大电路的频率响应
第七节 负反馈放大电路的稳定性
2. 第五、六章作业讲解和答疑
3. 第五、六章复习和习题练习
目的要求
1. 熟悉反馈的方框图表示及增益的一般表达式。
2. 熟悉负反馈对放大电路性能的影响。
3. 熟悉深度负反馈下闭环放大倍数的计算、虚短和虚断的概念。
4. 了解产生自激的条件和稳定性判断方法。
讲授思路
1. 详述负反馈放大电路增益的一般表达式：
★负反馈放大电路框图
★推导闭环增益公式
◆反馈深度|1|F A &&+分析
1>:负反馈 1<:正反馈
1>>：深度负反馈 0=：自激振荡
2. 简述负反馈对放大电路性能的影响：
◆负反馈对放大电路性能的影响
增益 输入电阻 输出电阻 通频带 非线性失真 噪声
下降 串联：增大 电压：减小 H f 增大 减小 减小
提高稳定性 并联：减小 电流：增大 L f 减小
3. 简述深度负反馈下闭环放大倍数的计算：
深度负反馈电路特性
F A f /1= 虚短：0=id v 和虚断0=id i
先求F 后求f A 虚短、虚断+电路分析方法求f A
4. 简述产生自激的条件和稳定性判断方法：
负反馈+附加相移→正反馈（第九章信号产生）
▲自激的幅值和相位条件
稳定性判断（是否稳定）
稳定裕度（稳定程度）
5. 第五、六章作业讲解和答疑
6. 第五、六章复习和习题练习：
提问学生、要求学生在黑板上解答
作业布置
思考题：
1. 什么是反馈？为什么要引入反馈？
2. 什么是放大电路的开环状态和闭环状态？
3. 什么叫直流反馈和交流反馈？为什么要引入直流负反馈？
4. 什么叫正反馈和负反馈？如何判断引入的反馈是正反馈还是负反馈？若在放大电路中引入较强的交流正反馈，电路能正常工作吗？为什么？
5. 串联反馈与并联反馈有何区别？为了使负反馈的效果更佳，对信号源内阻应有什么要求？
6. 什么是电压反馈和电流反馈？如何判断引入的反馈是电压反馈还是电流反馈？
7. 交流负反馈有哪四种组态？如何判断？
8. 电压负反馈和电流负反馈各有什么特点？
9. 负反馈放大电路增益的一般表达式是在什么条件下推导出来的？
10.什么是深度负反馈？什么是环路增益？在深度负反馈条件下，如何估算放大倍数？
11.深度负反馈条件下，如何估算放大电路的增益及电压增益？
12.设计何种类型的反馈放大电路才能使其既可以从信号源获得尽可能大的电流，又能稳定输出电流？
13.引入负反馈后，放大电路的上、下限频率有何变化？带宽有何变化？
14.什么是自激振荡？负反馈放大电路产生自激振荡的原因是什么？
15.负反馈愈深愈好吗？什么是自激振荡？什么样的反馈放大电路容易产生自激振荡？如何消除自激振荡？
习题：
第374页题7.1.2 acdf 7.3.1
课次：13 课时：3
教学内容
1. 第八章 功率放大电路
第一节 功率放大电路的一般问题
第二节 射极输出器——甲类放大的实例
第三节 乙类双电源互补对称功率放大电路
第四节 甲乙类互补对称功率放大电路
第五节 集成功率放大器
目的要求
1. 了解功率放大电路的特点。
2. 了解甲放的结构和工作原理。
3. 掌握乙类双电源互补对称功放电路的原理和性能计算。
4. 熟悉交越失真的概念。
5. 熟悉甲乙类单电源互补对称功放电路的原理和性能计算。
6. 了解集成功放的应用。
讲授思路◆▲
1. 简述功率放大电路特点： 功率放大电路特点
输出功率大 效率高 失真小 器件安全
甲类放大效率低
乙类双电源互补对称功放
（交越失真）
甲乙类双电源互补对称功放
甲乙类单电源互补对称功放（简化电源）
2. 详述乙类双电源互补对称功放电路的原理和性能计算：
OCL 功放电路组成（共集电路）
◆工作原理分析（交越失真）
★推导o P T P V P 计算公式（一般情况和最大输出功率时）
★推导Tm P （不在最大输出功率时）
★功率管选择（根据CM P CM I CEO BR V )(）
3. 简述甲乙类单电源互补对称功放电路的原理和性能计算◆：
参照乙类双电源互补对称功放电路，计算公式中以2/CC V 代替OCL 公式中的CC V 。
4. 简述MOS 管功放和集成功放的应用▲
作业布置
思考题：
1. 所谓功率放大是放大功率吗？
2. 电压放大电路和功率放大电路有什么区别？
3. 什么是晶体管的甲类、乙类和甲乙类工作状态？
4. 与甲类功率放大电路相比，乙类互补对称功率放大电路的主要优点是什么？
5. 乙类互补对称功率放大电路的效率在理想情况下可达到多少？
6. 晶体管的最大耗散功率是否是电路的最大输出功率？晶体管的耗散功率最大时，电路的输出功率是最大吗？
7. 扩音机的输出功率是交流功率、还是直流功率？若输出电压的最大幅值为10V，负载电阻为4?，则输出功率是25W吗？
习题：
第407页题8.3.4
第408页题8.4.1
1. 第二章 运算放大器
第一节 运算放大器的电路模型
第二节 理想运算放大器
第三节 基本线性运放电路
目的要求
1. 熟悉理想运放的电路模型。
2. 掌握理想运放工作在线性区的特点和虚短、虚断的概念。
3. 掌握同相和反相放大电路原理及计算。
讲授思路
1. 详述理想运放电路模型及虚短虚断概念：
理想运放电路模型（VCVS ）
★理想运放特性：∞→vo A ，∞→i r ，0→o r
★线性区： ◆非线性区：第九章 比较器
n p v v ≈虚短 n p v v >时，+=+V V om
0≈≈n p i i 虚断 n p v v <时，-=-V V om
2．详述同相和反相放大电路原理及计算★：
放大电路
同相放大电路图 反相放大电路图
虚短虚断推导v A 虚短虚断推导v A
∞→i R ，大 i R 取决于输入端电阻，小
0→o R 0o R
i ic v v =，对CMR K 要求高 0=ic v ，对CMR K 无要求
模拟电子技术基础中的常用公式 第7章半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章集成运算放大器
主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。
第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
第13章Multisim模拟电路仿真本章Multisim10电路仿真软件， 本章节讲解使用Multisim进行模拟电路仿真的基本方法。 目录 1. Multisim软件入门 2. 二极管电路 3. 基本放大电路 4. 差分放大电路 5. 负反馈放大电路 6. 集成运放信号运算和处理电路 7. 互补对称（OCL）功率放大电路 8. 信号产生和转换电路 9. 可调式三端集成直流稳压电源电路 13.1 Multisim用户界面及基本操作 13.1.1 Multisim用户界面 在众多的EDA仿真软件中，Multisim软件界面友好、功能强大、易学易用，受到电类设计开发人员的青睐。Multisim用软件方法虚拟电子元器件及仪器仪表，将元器件和仪器集合为一体，是原理图设计、电路测试的虚拟仿真软件。 Multisim来源于加拿大图像交互技术公司（Interactive Image Technologies，简称IIT公司）推出的以Windows为基础的仿真工具，原名EWB。 IIT公司于1988年推出一个用于电子电路仿真和设计的EDA工具软件Electronics Work Bench（电子工作台，简称EWB），以界面形象直观、操作方便、分析功能强大、易学易用而得到迅速推广使用。 1996年IIT推出了EWB5.0版本，在EWB5.x版本之后，从EWB6.0版本开始，IIT对EWB进行了较大变动，名称改为Multisim（多功能仿真软件）。 IIT后被美国国家仪器（NI，National Instruments）公司收购，软件更名为NI Multisim，Multisim经历了多个版本的升级，已经有Multisim2001、Multisim7、Multisim8、Multisim9 、Multisim10等版本，9版本之后增加了单片机和LabVIEW虚拟仪器的仿真和应用。 下面以Multisim10为例介绍其基本操作。图13.1-1是Multisim10的用户界面，包括菜单栏、标准工具栏、主工具栏、虚拟仪器工具栏、元器件工具栏、仿真按钮、状态栏、电路图编辑区等组成部分。
授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。
2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F
怎样利用电路仿真软件进行模拟电路课程的学习电路分析实验报告 实验二 学习用multisim软件对电路进行仿真 一．实验要求与目的 1.进一步熟悉multisim软件的各种功能。 2.巩固学习用multisim软件画电路图。 3.学会使用multisim里面的各种仪器分析模拟电路。 4.用multisim软件对电路进行仿真。 二、实验仪器 电脑一台及其仿真软件。 三．实验内容及步骤
（1）在电子仿真软件Multisim 基本界面的电子平台上组建如图所示的仿真电路。双击电位器图标，将弹出的对话框的“Valve”选项卡的“Increment”栏改成“1”，将“Label”选项卡的“RefDes”栏改成“RP。 ” 2）调节RP大约在35%左右时，利用直流工作点分析方法分析直 流工作点的值。直流工作点分析（DC Operating Point Analysis）是用来分析和计算电路静态工作点的，进行分析时，Multisim 自动将电路分析条件设为电感、交流电压源短路，电容断开。 单击Multisim 菜单“Simulate/Analyses/DC operating Point…”,在弹出的对话框中选择待分析的电路节点，如2图所示。单击Simulate 按钮进行直流工作点分析。分析结果如图3所示。列出了
单级阻容耦合放大电路各节点对地电压数据，根据各节点对地电压数据，可容易计算出直流工作点的值,依据分析结果，将测试结果填入表1中，比较理论估算与仿真分析结果。 表1 静态工作点数据 电压放大倍数测试 （1）关闭仿真开关，从电子仿真软件Multisim 10基本界面虚拟仪器工具条中，调出虚拟函数信号发生器和虚拟双踪示波器，将虚拟函数信号发生器接到电路输入端，将虚拟示波器两个通道分别接到电路的输入端和输出端，如图4所示。 （2）开启仿真开关，双击虚拟函数信号发生器图标“XFG1”，将打开虚拟函数信号发生器放大面板，首确认“Waveforms”栏下选取的是正弦信号，然后再确认频率为1kHZ”；再确认幅度为 10mVp，如图5所示。 四．仿真分析 动态测量仿真电路
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 第五章Simulink模拟电路仿真 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 §5.1 电路仿真概要 5.1.1 MATLAB仿真V.S. Simulink仿真 利用MATLAB编写M文件和利用Simulink搭建仿真模型均可实现对电路的仿真，在实现电路仿真的过程中和仿真结果输出中，它们分别具有各自的优缺点。 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 ex5_1.m clear; V=40;R=5;Ra=25;Rb=100;Rc=125;Rd=40;Re=37.5; R1=(Rb*Rc)/(Ra+Rb+Rc); R2=(Rc*Ra)/(Ra+Rb+Rc); R3=(Ra*Rb)/(Ra+Rb+Rc); Req=R+R1+1/(1/(R2+Re)+1/(R3+Rd)); I=V/Req 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 ex5_1 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 注意Simulink仿真中imeasurement模块 /vmeasurement模块和Display模块/Scope模块的联合使用 Series RLC Branch模块中R、C、L的确定方式 R：Resistance设置为真实值Capacitance设置为inf（无穷大）Inductance设置为0 C：Resistance设置为0 Capacitance设置为真实值Inductance设置为0 L：Resistance设置为0Capacitance设置为inf Inductance设置为真实值 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 《模拟电路》课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：模拟电路； 所属专业：微电子科学与工程专业； 课程性质：专业基础课； 学分：4学分。 （二）课程简介、目标与任务； 《模拟电路》是微电子专业本科生在电子技术方面入门性质的基础课，具有自身的体系和很强的实践性。本课程通过对常用半导体器件、模拟电路的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 （三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接； 本课程应开设在高等数学、电路分析（未开设）课程之后，是微电子专业本科生系统学习电子技术知识的基础课程之一。也是后续数字电路、模拟电路实验、集成电路分析与设计等课程的先修课程。 （四）教材：《模拟电子技术基础》童诗白华成英主编（第四版） 高等教育出版社 参考书目：《模拟电子技术基础简明教程》清华大学电子学教研室编 高等教育出版社 《电于技术基础》(模拟部分)康华光主编 高等教育出版社 《电子线路线性部分》谢嘉奎主编 高等教育出版社 二、课程内容与安排 第一章常用半导体元器件（要求列出章节名） 第一节半导体基础知识 第二节半导体二极管 第三节双极型晶体管 第四节场效应管 第五节晶闸管 （一）教学方法与学时分配 课堂教学，8学时 （二）内容及基本要求 主要内容：半导体基础知识；二极管的结构、伏安特性及主要参数；双极型晶体管的结构、 伏安特性及主要参数；场效应管的结构、伏安特性及主要参数；晶闸管的结构、 伏安特性及主要参数。 【重点掌握】：PN结特性及PN结方程；二极管、晶体管、场效应管、晶闸管的伏安特性。 【了解】：二极管、晶体管、场效应管、晶闸管的结构及主要参数。 【难点】：二极管、晶体管、场效应管、晶闸管的伏安特性。 第二章基本放大电路 第一节放大电路的组成及工作原理 第二节放大电路的分析方法 第三节放大电路静态工作点的稳定 第四节共集电极放大电路和共基极放大电路 第五节场效应管放大电路 （一）教学方法与学时分配 课堂教学，12学时 （二）内容及基本要求 主要内容：放大的概念；放大电路的组成及工作原理；放大电路的性能指标；放大电路的分析方法：直流通路与甲流通路，图解法，微变等效电路法； 放大电路静态工作点的稳定；晶体管共集电极放大电路和共基极放大 电路；场效应管放大电路。 【重点掌握】：放大电路的分析方法：直流通路与交流通路，图解法，微变等效电路法。 【掌握】：放大电路的组成及工作原理；放大电路的性能指标；放大电路静态工作点的稳定；晶体管共集电极放大电路和共基极放大电路；场效应管放大 电路。 【了解】：放大的概念。 【难点】：图解法，微变等效电路法。 第三章多级放大电路 第一节多级放大电路的耦合方式 第二节多级放大电路的动态分析 （一）教学方法与学时分配 课堂教学，4学时 （二）内容及基本要求 模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处 第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。 《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日 目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19) 一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 《电工电子技术》课程电子教案 教师：宋静序号：05 知识引导 图7-22 温度对静态点的影响 2.基极分压式偏置电路 具有稳定工作点功能的典型分压式偏置电路如图 7-23所示。 a)电路原理图 b)直流通路图 图7-23压式偏置放大电路 1）稳定静态工作点的原理 温度的变化会导致三极管的性能发生变化，致使放 大器的工作点发生变化，影响放大器的正常工作。如图 7-23 所示电路中是通过增加下偏置电阻和射极电阻来 改善直流工作点的稳定性的，其工作原理如下： （1）利用R B1和R B2的分压作用固定基极电压U B。 由图 7-23可知，当R B1、R B2选择适当，满足I2远 大于I B时，则有 PPT、动画演 示、图片 知识引导 中R B1、R B2和U CC都是固定的，不随温度变化，所以基极电位基本上为一定值。 （2）通过I E的负反馈作用，限制I C的改变，使工作点保持稳定。具体稳定过程如下： 从上述稳定过程可以看出,R E愈大,则在R E上产生的压降愈大,对I C变化的抑制能力愈强,电路稳定性愈好。 2）动态分析 首先画出7-23所示的射极偏置电路的微变等效电路如图7-24 a)交流通路图 b) )微变等效电路 图7-24分压式偏置电路交流通路图及微变等效电路 CC B B B B U R R R U 2 1 2 + = E BEQ B E CQ R U U I I - = ≈ ) ( E C C CC CEQ R R I U U+ - =β/ CQ BQ I I= 1. 求电压放大倍数Au 与单偏置共射极放大电路的公式一样. 2.求输入电阻 3.求输出 教学步骤教学内容学生活动时间分配操作训练 仿真练习分压式偏置共射放大电路的静态值及电压 放大倍数 仿真验证：运行Multisim9.0软件制作仿真电路，如图 7-25所示，启动仿真，所得静态值为：I BQ＝ 10.223uA,I CQ=1.398mA,U EQ=2.535V。由测量值可算出 三极管的放大倍数约为140。从示波器上可得输入与 输出电压波形，如图所示。输入电压的幅值约为l0mv， 输出电压的幅值约为 2.15V，并且两者相位相反，电 压放大倍数约为215 Multisim9.0 仿真软件的 使用 5 be ' L i o r R U U A u β - = =& & & be b2 b1 i r R R R∥ ∥ = c o R R= 模拟电子线路教案 周鸣籁 说明： 1. 教学要求按重要性分为3个层次，分别以“掌握★、熟悉◆、了解▲”表述。学生可以根据自己的情况决定其课程内容的掌握程度和学习目标。 2. 作业习题选自教材：康华光《电子技术基础模拟部分》第五版。 3. 以图表方式突出授课思路，串接各章节知识点，便于理解和记忆。 课次：1 课时：3 教学内容 1. 第一章绪论 第一节信号 第二节信号的频谱 第三节模拟信号和数字信号 第四节放大电路模型 第五节放大电路的主要性能指标 目的要求 1. 了解信号的频谱分析。 2. 熟悉信号的分类、模拟信号和数字信号的概念。 3. 熟悉放大电路的四种模型。 4. 掌握放大电路的主要性能指标。 讲授思路 1. 简述信号的频谱和分类，详述放大电路模型和性能指标: 信号源的等效（戴维宁/诺顿） 周期/非周期信号 频谱分析◆分类（4类） 若干正弦信号分量叠加模拟信号数字信号 （傅里叶级数/变换） 放大（模拟信号基本处理功能） ◆电路模型分类性能指标定义及测量 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大★主要指标其它指标 ★推导模型分析计算输入电阻、输出电阻、增益、最大输出功率、效率、 频率响应、带宽信噪比、抗干扰 作业布置 思考题： 1. 某放大电路输入信号为10pA时，输出为500mV，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 2. 某放大电路开路输出电压为Voc，短路输出电流为Ios，试求其输出电阻Ro。 3. 对于一个正弦波信号，经有限带宽的放大电路放大后，是否有可能出现频率失真？为什么？ 习题： 第21页题1.5.3 1.5.4 1.5.6 课次：2 课时：3 教学内容 1. 第三章二极管及其基本电路 第一节半导体的基本知识 第二节 PN结的形成及特性 目的要求 1. 了解半导体的基本知识。 2. 掌握PN结的单向导电性、特性曲线和方程、反向击穿特性、结电容效应。 讲授思路 1. 简述半导体的基本知识: 按导电能力分类 导体半导体绝缘体 常用材料特点 元素半导体化合物半导体掺杂半导体 2.详述PN结的形成和特性、简述二极管的种类和参数： 本征半导体掺杂 P型半导体 N型半导体 PN结形成 ◆性质二极管 单向导电反向击穿结电容温度特性种类特性（同PN结）◆参数（整流）（稳压）（变容）（测温） ★特性曲线和方程高频特性普通稳压变容光敏/发光 （单向导电性变差） 课次：3 课时：3 教学内容 1. 第三章二极管及其基本电路 第三节二极管 第四节二极管基本电路及其分析方法 第五节特殊二极管 目的要求 1. 熟悉二极管的种类和参数。 2. 掌握二极管的四种等效模型和二极管电路的分析计算。 3. 熟悉稳压管电路的原理以及限流电阻的计算。 讲授思路 1. 详述二极管电路的分析方法： 二极管电路分析（非线性特性曲线） 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。 《模拟电路》 教案 课程名称电子三年制《模拟电路》 授课学时64 主讲(责任)教师 参与教学教师________________________________ 授课班级/人数 专业（教研室）电子 课程名称：模拟电子技术基础 第讲 1 授课题目半导体基础知识、半导体二极管课型讲授使用教具多媒体 教学重点1、了解本征半导体、杂质半导体的导电机理 2、熟悉N型半导体，P半导体的基本特性 3、异形半导体接触现象 4、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型） 教学难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电； 2、掺杂半导体中的多子和少子 3、PN结的形成； 4、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的 优先导通问题； 教学内容教学组织过程 1 半导体的基本知识（10min） （1）半导体材料 （2）半导体的共价键结构 （3）本征半导体、空穴极其导电作用 （4）杂质半导体 2 PN结的形成及特性（25min） （1）PN结的形成 （2）PN结的单向导电性 （3）PN结的电容效应 3 二极管（25min） 1.3.1、二极管的结构 1.3.2、二极管的伏安特性 ?正向特性：死区电压、导通电压 ?反向特性：反向饱和电流、温度影响大 ?反向击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、 热击穿 1.3.3、主要参数(略讲) 4 二极管电路的简化模型分析方法（25min） 4.1理想模型 正向偏置管压降为零；反向偏置电阻无穷大，电流为零。 4.2恒压降模型 二极管导通后，管压降恒定，典型值硅管0.7V。 4.3折线模型 二极管导通后，管压降不恒定，用一个电池和一个电阻r d来作进一步近似。 小结（5min） 本讲宜教师讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。 课后小结 本科毕业设计（论文） 题目基于Multisim的 模拟电路仿真技术 部系地方生部 专业电子信息工程 学员郑怿 指导教员梁发麦 中国人民解放军海军航空工程学院 2007 年7 月 基于Multisim的模拟电路仿真技术 摘要：介绍了Multisim 软件的功能和特点，提出运用Multisim 实现模拟电路的仿真方法。通过几个电子原理性电路的仿真实例阐述了模拟电路建立、元器件的选用和仿真参数的设置方法等关健问题，同时得到了正确的仿真结果。 关键词：模拟电路；Multisim ；仿真技术；EDA 从20 世纪80 年代以来，电子系统日趋数字化、复杂化和大规模集成化。同时深亚微米半导体工艺、B 表面安装技术的发展又支持了产品集成化程度的进步，使电子产品进入了片上系统（SOC ）时代。另外电子产品厂商不懈追求缩短产品设计周期，从而获取高收益。在这些因素的影响下，EDA 技术应运而生。EDA ( Electronic Design Automation ，电子设计自动化）技术是一门综合了现代电子与计算机技术，以计算机为平台对电子电路、系统或芯片进行设计、仿真和开发的计算机辅助设计技术。利用EDA 技术对电力电子电路进行仿真一直是研究电力电子技术的工程技术人员所期望实现的目标。Multisim 就为此提供了一个良好的平台。在这个平台上可以容易地实现了基本的电力电子电路的仿真，包括不控整流电路、可控整流电路、逆变电路等电路的仿真分析。仿真得到的结果与理论分析的结果基本一致，这对电子电路的设计具有重大的意义。本文主要介绍利用Multisim 10平台对基本电子电路进行仿真的方法，得出与理论相符合的结果，有利于实际的工程设计。 1 Multisim 的功能和特点 加拿大Interactive Image Technologie 公司在1958 年推出了一个专门用于电子电路仿真和设计的EDA 工具软件EWB ( Electronics Workbench ）。由于EWB 具有许多突出的优点，引起了电子电路设计工作者的关注，迅速得到了推广使用。但是随着电子技术的飞速发展，EWB 5 . x 版本的仿真设计功能已远远不能满足复杂的电子电路的仿真设计要求。因此IIT 公司将用于电路级仿真设计的模块升级为Multi sim ，并于2001 年推出了Multisim 的最新版本Multisim 2001 。 Multisim 2001 继承了 EWB 界面形象直观、操作方便、仿真分析功能强大、分析仪器齐全、易学易用等诸多优点，并在功能和操作上进行了较大改进。主要表现为：增加了射频电路的仿真功能；极大扩充了元器件库；新增了元件编辑器；扩充了电路的测试功能；增加了瓦特表、失真仪、网络分析仪等虚拟仪器，并允许仪器仪表多台同时使用；改进了元件之间的连接方式，允许任意走向；支持VHDL 和Verilo g 语言的电路仿真与设计；允许把子电路作为一个元器件使用，允许用户自定义元器件的属性等。 工程师们可以使用Multisim交互式地搭建电路原理图，并对电路进行仿真。Multisim提炼了SPICE仿真的复杂内容，这样工程师无需懂得深入的SPICE技术就可以很快地进行捕获、仿真和分析新的设计，这也使其更适合电子学教育。通过Multisim和虚拟仪器技术，PCB设计工程师和电子学教育工作者可以完成从理论到原理图捕获与仿真再到原型设计和测试这样一个完整的综合设计流程。 （一）模拟电路举例： 1.1 晶体管基本放大电路 共射极，共集电极和共基极三种组态的基本放大电路是模拟电子技术的基础，通过EWB对其进行仿真分析，进一步熟悉三种电路在静态工作点，电压放大倍数，频率特性以及输入，输出电阻等方面各自的不同特点。 “模拟电子电路实例”教案 ——单管放大电路的仿真实现 一、本节课的地位、作用： 模拟电子技术是电子信息专业与通信工程专业的专业必修课程，是进入电子与通信领域的基础理论和必备技能。该课程的核心内容就是研究如何将模拟信号不失真地放大与传输，所以放大电路是模拟电路中最基本也最重要的电路。 本节课重点讨论如何利用计算机仿真软件，实现带发射极稳定电阻的电容耦合型三极管单管放大电路的电路性能仿真，在基本原理讲解的基础上，配以形象的电路仿真和生动的互动交流，以期让学生更好的理解电路的工作原理与特性，并为后续差动放大电路的学习打下基础。 二、本节课的教学方法与手段： 在教学过程中，充分利用多媒体课件、软件仿真、人机互动等多种手段，提高学生学习兴趣与自觉性，发挥学生的主观能动性，力争做到“教、学、做”一体 三、视频特点介绍 本视频主要使用Ulead VideoStudio进行视频编辑，并配以Photoshop、Goldwave、Format Factory、屏幕录像大师、powerpoint等多种多媒体软件剪辑而成，片长15分43秒，在视频中使用了多种多媒体技术，如画中画、画外音、字幕、屏幕录像等等。由于课程内容主要以软件操作为主，所以PPT部分较为简单。另外，为便于学习与观看本视频全程附带字幕，共2646字。 四、本节课的教学组织与安排： 本节课分为基本介绍、工作界面介绍、电路图绘制、原理讲解、电路仿真、互动环节和课程总结七个部分，首先介绍实验所用的基本电路，然后简单介绍仿真软件，再在软件中绘制仿真电路图，并在绘制过程中逐步介绍各电器元件的功能与作用。在讲解、演示、实验的过程中强调各个部分的相互关系与重点、难点分析，用幽默诙谐的语言与生动形象的比喻加深学生对课程的理解与印象，并充分利用新型的多媒体软件进行演示，邀请学生参与到仿真中来，抓住学生的注意力和学习兴趣。Matlab第五章 Simulink模拟电路仿真
模拟电子技术基础全套教案
《模拟电路》课程教学大纲
模拟电路基础知识大全
模拟电路基础 教案
模拟电子技术课程设计(Multisim仿真)
模拟电子技术基础知识讲解
电子教案-《模拟电子技术》(冯泽虎)教学课件知识点5：分压偏置共射极放大电路-电子教案 电子课件
63学时模拟电路教案
模拟电路基础知识大全
模拟电子技术教案(课时).
基于Multisim的模拟电路仿真技术
“模拟电子电路实例”教案——单管放大电路的仿真实现
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