《自测题、思考题与习题》参考答案
第1章
自测题
一、1.杂质浓度；温度。2.减小；增大。3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。4.0.5；0.7；0.1；0.2。5. 15V；9.7V；6.7V；1.4V；6V；0.7V。6.大；整流。
二、1.①；⑤；②；④。2. ②；①。3.①。4.③。5.③。6.③。
三、1、2、5、6对； 3、4错。
思考题与习题
1.3.1 由直流通路(图略)得I D=(10-0.7)/5.1×103≈1.82mA；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=14.3Ω。再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[14.3/(14.3+25)]u i≈3.6sinωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥1.7V时VD1导通，VD2截止，u o=1.7V；当u i≤-1.7V时VD2导通，VD1截止，u o= -1.7V；当-1.7V≤ u i≤1.7V时VD1、VD2均截止，u o=u i。故u o为上削顶下削底，且幅值为±1.7V的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图1.3.2(c)来表示。当-0.5V
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。截止。1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；-0.7V
1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。
第2章
自测题
一、1. 15；100；30。2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA；
(7)30mV。4.(1) 1mA，6V；(2)14.1kΩ，3.6kΩ；(3) -1.5。5.削底，削底，削底。6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。
二、1.②。2.④。3. ③。4.②；①；④。5.②④。6.④。
三、1、5对；2、3、4、6错。
思考题与习题
2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。
2.1.2 (a)放大状态。(b)截止状态。(c)因J C零偏，管子处于临界饱和状态。
2.2.1图(a)电路不能放大，因为静态I B=0。图(b)电路不能放大，因为V CC极性接反。图(c)、电路具有放大功能。
2.3.1 (1) 当S→A时，因R b<βR c，管子处于饱和区，I C=I CS ≈V CC/R c=3(mA)。(2) 当S→B 时，因R b>βR c，管子处于放大区，I B=(V CC-U BE)/R bB=0.0228 (mA)，I C=βI B=1.824 (mA)。(3) 当S→C时，截止，I C=0。
2.3.2 (1)由题图2.8(b)得V CC=10V，U CE=4V，I B=40μA，I C=2mA，所以R b=(V CC-U CE)/I B=232.5kΩ，R C=(V CC-U CE)/I C=3kΩ。又由图可知I C R'L=(6-4)=2V，故R'L=1kΩ。据R'L=R c//R L得R L=3/2kΩ。
(2)因I C R'L
A u=?βR'L/r be= ?55.5，故得U im=U om/ A u = ?36mV，即最大幅值为36 mV。(3)当U im继续加大时电路先产生截止失真，需减小R b直到消除失真为止。
2.3.3 由图(b)A点得V CC=12V；B点得R c+R E =12/2=6kΩ；C点得R'L=R c//R L=3kΩ。故R c=4kΩ，R E=6-4=2 kΩ。因I B=10μA时I C=1mA，得β=100。据图(a)知V CC=I B R B+0.7+(1+β)I B R E ，得R B=930kΩ。
2.3.4 (1)由?U BE+I B R B?V CC=0得I B≈0.49 mA，I C≈9.8mA。由?U CE+I C R c?V CC=0得U CE = ?7.1V。P C=|I C U CE|≈69.6mW
2.3.5 (1)I C≈βI B=β(V CC -U BEQ)/R1，U CE≈V CC -I C(R2+R3)。(2)A u=?β(R2//R L)/r be，R i=R1//r be；R o ≈R2 。(3) 若将C3开路，r be和R i不变，此时A u =?β[(R2+R3)//R L]/r be，R o ≈R2+R3 。
2.3.6 (1) I B=(V CC-0.7)/[R B1+R B2+ (1+β)R c]，I C=βI B，U CE=V CC-(1+β)I B R c。(2) A u= ?β(R B2//R c//R L)/r be，R i=R B1//r be，R o=R B2//R c 。
2.4.1 (1) U B ≈4V，I C≈1.65mA，I B=I C/β≈28μA，U CE ≈7.75V。(2)r be≈1.2 KΩ。(3) A u =?100。(4)U om=I C(R c//R L)=
3.3V。(5)若U CE=4V，则I C=(V CC-U CE)/ (R c+R e)=2.4V，U B=0.7+
I C R e=5.5V，R b1≈38.2kΩ。
2.4.2 (1) Q点在交流负载线的中点上时输出幅度最大，由此可得I C R'L=U CE，且U CE= V CC-I C(R c+R e)，故解得I C=1.5mA，U CE=3V。于是得U E=3V，U B =
3.7V，R b1≈11.4kΩ。(2) r be
=1.85kΩ，A u =?108。
2.4.3 因U B =
3.43V，U E = 2.73 V，I E=U E/(R e1+R e2)≈1.82 mA，故r be=0.951kΩ。R i=R b1//R b2//[r be+(1+β)R e1]≈5.19kΩ。A u =?β(R c//R L)/[r be+(1+β)R e1]≈-9.14，A us=－7.66。R o≈R c=3.3kΩ。当R e并一大电容，R i=R b1//R b2//r be=0.856kΩ。A u=?β(R c//R L)/r be≈-126.54。结果表明，R e被大电容短路后，R i减小而A u提高了。
2.4.4 (1)I C≈I E= (V CC-U E)/(R e1+R e2)≈1.35mA，U CE=?[10?I C(R C+R E1+R E2)]=?
3.5V。(2)图略。(3)因r be ≈1.2kΩ，故A u=?βR c/[r be+(1+β)R E1]≈?1
4.5，R i=R B1//R B2//[r be+(1+β)R E1]=4.6kΩ，R o =R c=3.3kΩ。(4)因A u=?β(R c//R L)/[r be+ (1+β)R E1]≈?11.4，故A us=－7.76。(5)当R B1调大时，A u减小、R i增大，而R o将保持不变。
2.4.5 (1)由图得I C=1.5mA，U CE=7.5V，V CC=15V；U CE+I C(R c//R L)=10.5V得R c=3KΩ；V CC/(R c+R e)=3mA得R e=2KΩ。(2)R b2=U B/I Rb2=(I C R e+0.7)/I Rb2=10KΩ；R b1=(V CC-U B)/ (I Rb2+I B)=28KΩ。(3)P om=U cem I cm/2=2.25mW，P Vcc=V CC I C=22.5mW，η=P om/P Vcc=10%，P c=P Vcc-P om=20.25mW。
2.4.6 (1)I C≈(U B-U BE)/R e≈1.8mA，I B=I C/β=18μA，U CE≈V CC-I C(R c+R e)=2.8V。(2)因r be≈1.66kΩ，故A u1≈?0.79；A u2≈0.8。(3)R i=R b1//R b2//[r be+(1+β)R e]≈8.2kΩ。
(4)R o1≈R c=2kΩ；R o2 =R e//[r be+(R b1// R b2//R s)]/(1+β)≈31Ω。
2.4.7 (1) I B=28μA，I C=1.4mA，U CE≈6.4V。(2)r be=1.25kΩ，A u=0.99，R i=76kΩ，R o≈22Ω。
2.4.8 (1)由于基极电流较大，故用戴维南定理得I B≈0.2mA，I C≈10mA，U CE≈10V。(2)A u=25，R i =19Ω，R o≈500Ω。
第3章
自测题
一、1.结型和绝缘栅型；电压控制；输入电阻高；不参与导电。2. 漏；源；源；漏；源。
3. 4mA；-3 V。
4. 16mA；+4V；8ms。
5.减小；减小；减小。
6. g m和R S。
二、1. ②。2. ③。3. ④。4. ④。5.③。6. ②。
三、3、4、5对；1、2、6错。
思考题与习题
3.1.1图(a)为N-DMOS，U P=-2V，I DSS=2mA；图(b)为P-JFET，U P=2V，I DSS=3mA；图(c)为P-DMOS，U P=2V，I DSS=2mA；图(d)为N-EMOS，U T=1V。
3.1.2图(a)为N-EMOS，U T=3V；图(b)为P-EMOS，U T=-2V；图(c)为P-DMOS，U P=2V，I DSS=-2mA；图(d)为N-DMOS，U P=-3V，I DSS=3mA。
3.1.3
习题3..1.3图解
3.1.4 (1)为N-DMOS；(2) U P=-3V；(3)I DSS≈6mA。
3.2.1(1)A u= -g m R D= -66。(2)A u= -g m R′L= -50。(3)R i=R g+R g1//R g2 R g=10MΩ，R o=R D=33kΩ。
(4)若C s开路，A′u= -g m R′L/(1+g m R s)= A u/5，即下降到原来的20%。
3.2.2(1)将U GS=9.3-11I D代入转移曲线方程得I D1=0.56mA，I D2=0.4mA；再分别代入U GS=9.2-11I D中可得U GS1=3.04V(舍去)和U GS2=
4.8V。故静态漏极电流I D=0.4mA，U GS=4.8V。并且U DS =V DD -I D(R d+R s1+R s2)= 9.6V。(2) R i =2.08MΩ，R o≈R d =10kΩ。(3)因g m=1mA/V，故A u= -g m(R d//R L)/(1+g m R s1)= -2.5 。
3.2.3(1)转移曲线方程得I D=1mA，由U GS=-I D R1得R1=2kΩ。(2)由U DS =V DD -I D(R d+R1+R2)得R2=4kΩ。(3)因g m=1mA/V，故A u= -g m R d/[1+g m(R1+R2)]= -1.43。
3.2.4(1)解方程得I D1=1.15mA，I D2=7.8mA(舍去)，进而得U GS=-1.15V，U DS = 5.05V。(2) 因
g m=1.23mA/V，A u1= -9.1，A u2=0.38。(3)R i =1MΩ，R o1≈R d =12kΩ，R o2≈R s//(1/g m)= 0.31kΩ。
3.2.5(1)解方程得I D1=0.82mA，I D2=0.31mA，再分别代入U GS=-8I D得U GS1=-6.56V(舍去)，U GS2= -2.48V，所以当I D=0.31mA，U GS=-2.48V时，U DS≈12.5V。(2) 因g m=0.4mA/V，A u=0.76，R i =1MΩ，R o≈R s//(1/g m)=1.9kΩ。
3.2.6(1)由已知U GS=-0.2V得I D1=0.42mA，U DS=15.8V。(2)A u=0.86，R i =1.4MΩ，R o≈R s//(1/g m)
=0.77k Ω。
第4章
自测题
一、1．105
；100。2．80；104
。3．负载电阻；信号源内阻。https://www.doczj.com/doc/797979926.html,l
100
1(100/)
A
j f -=
-&；ush
5100
1(/10)
A
j f -=
+&。
5.不变；下降；不变；减小；不变；增大。
6.窄；低。
二、1.(1) ③；(2) ③；(3) ③；(4) ②。2. (1) ③；(2) ④。3.(1) ③；(2) ①。4. ④。5.①。6.②。
三、2、5对；1、3、4、6错。
思考题与习题
4.1.1(1) I B1=20μA ，I C1=2mA ，U CE1≈10V 。U B2=
5.14V ，I C2≈I E2 =2.96mA ，U CE2≈7.64V 。(2)r be1=1.4k Ω；r be2=0.99k Ω。R i2≈9.8(Ω)，R i =R b0//[r be1+(1+β1)(R e1//R i2)]≈2.3k Ω。
R o ≈R c2=2k Ω。(3)A u = 0.43×168=72.4；A us =64。 4.1.2(1) U B1 =8V ，I B1= (U B1-0.7)/[R b3+(1+β)R e1]=0.0196(mA)，I C1=0.98mA 。U B2=3.75V ，I C2≈I E2 = 2.03mA 。r be1=1.65k Ω；r be2=0.95k Ω。因R ′L1=R e1//R i2=0.67k Ω。R i =[R b3+(R b1//R b2)]//[r be1+
(1+β)R ′L1]=31.57kΩ；R o =R c2=2k Ω。(2) A u =A u1×A u2= -78.9×0.953=
-75.2；A us = -70.7。 4.1.3 (1) 因VT 1管的U GS =0V ，所以I DQ =I DSS =2mA ，U DS =V CC –I DQ R 2=1.8V 。对于VT 1管，U B = R 4V CC /(R 3+R 4)=5.6V ，I C2≈I E2=(5.6–0.7)/0.62=7.9mA ，I B2≈7.9/60=0.13mA ，U CEQ =V CC -
I C2(R 5+R 6)=17.6V 。(2) A u1= -g m (R 2//R 3//R 4//r be2)= -0.41，A u2= -β(R 5//R L )/r be = -78.5；A u = A u1A u2=32.2。R i =R g =5.1M Ω。R o ≈R 5=0.7k Ω。 4.1.4 R b2=R 6+R 7//R 8=150k Ω，R i2=R b2//{r be2+(1+β2)[r be3+(1+β3)R 9]}≈R b2，A u1=-(β1R 3//R i2)/[r be1
+(1+β1)R 4]≈ -61.6，A u2≈1，A u ≈ -61.6。R o =R 9//{[r be3+(r be2+R b2//R 3)/(1+β2)]/(1+β3)}
≈57.6Ω。
4.1.5(1)R i ≈1.1M ?，R o = R c =2k ?。(2)m d be c L u u1u2
m f be
////1+g R r R R A A A g R r β-?-=?=?&&&≈62， A us = R i A u /(R i +R s ) ≈61.4。
4.1.6 (1) U B1=
4V ，I C1=1mA ，U CE1=V CC -I C1(R C1+R E1)=6.7V ，I C2= I E2=(I C1R C1-0.7)/R E2=2.2mA ，U CE2=-[V CC - I C2(R C2+R E2)]= -4.1V 。(2) r be1=2.3k Ω，r be2=1.2k Ω，A u =215，G=20lg215=46.6dB 。(3) R i =2k Ω，R o =R C2=3k Ω。
4.2.1 (1) A um = -103，60dB 。(2)f L =102Hz ，f H =105
Hz 。(3)参见图4.2.11。
4.2.2 (1) | A um | = 103，f L =102Hz ，f H =108Hz ，BW =108-102≈108
。(2)60-3=57dB 。 4.2.3 (1) r be =1k Ω，β=g m r b ′e =36，A ums = -36。(2)f L1=1/2π(R s +R i )C 1=40Hz ，f L2=1/2π(R c +R L )C 2 =3.5Hz ，故f L ≈40Hz ；f H =1/2π[r b ′e //(r bb ′ +R b //R s )]C ′π=0.64MHz 。(3)参见图4.2.11。 4.2.4 (1) U B =4V ，I E =1mA ，I B =10μA ，U CE =8.7V 。(2) r be =2.7k Ω，R i =2.2k Ω，R o = R c =6k Ω，
A um=-148，A ums=-133。(3) C1、C2和C e各单独作用时的 f L1=6.4Hz，f L2=8.8Hz，f L3=185Hz，故f L≈185Hz。C′π和(1+1/k)Cμ各单独作用时的f H1=0.7MHz，f H2=9.9MHz，故f H≈0.7MHz。
(4)参见图4.2.11。
4.2.5 (1) A u1=-g m R'L1/(1+g m R S1)=-1.07。(2) R o=R e3//[(r be+R b3//R c3)/(1+β3)]=59Ω。(3)
f L=1/2π
(R c2+R i3)C3=36Hz。
4.2.6 (1)经计算只有C4起主导作用，f L≈96Hz。(2)用100μF电容替换C4能改善低频特性，此时f L≈48Hz。
第5章
自测题
一、1.3600；1800；大于1800而小于3600。2.图解。3.效率；78.5%；交越；甲乙。4. 2.5 W；3.2 W。5. 6.25 W；65.4%。6. 4。
二、1. ③。2. ⑥。3. ②③。4. ④。5. ①。6.abef。
三、1、2、3、6对；4、5错
思考题与习题
5.2.1 (1)由P om=V CC 2/2R L得V CC≥17.88V，故V CC取18V。(2) I CM ≥V CC/R L=1.125A，U(BR)CEO≥2V CC=36V。(3) P VCC=12.89W。(4)P CM1=P CM2≥0.2P om=2W。(5)U i =12.7V。
5.2.2 (1)U om≈，P o=12.5W；P Vcc=2V CC U om/πR L≈22.5W；P c =P Vcc-P o=10W；η≈55.6%。
(2)为尽限状态，P om=V CC2/2R L=202/2×8=25W；P Vcc=2V CC2/πR L≈31.85W；P c=P Vcc-P o=6.85W；效率为η≈78.5%。
5.2.3由P om=V CC 2/2R L得U om=16V，则I Lm=U om/R L=1A，故I CM >1A。因电源电压|V CC|>16V，故U(BR)CEO>2V CC=32V。由P CM>0.2P om=1.6W。
5.2.4(1)U o=0，调R1或R3可满足要求。(2)增大R2。(3)此时I B=(2V CC-2U BE)/(R1+R3)，则V1、V2上的静耗为P C=βI B U CE=βI B V CC=2325mW>>P CM，两管将烧毁。
5.2.5(1)U C2=5V，调R1或R3。(2)增大R2。(3)P C=β(V CC/2)(V CC-2U BE)/(R1+R3)=896mW>>P CM，两管将烧毁。
5.2.6(1)准互补OCL功放电路，工作在甲乙类状态。(2)P om=(V CC-U CE-U R5)2/2R L。
(3)U CEmax=U om+V CC= (V CC-U CES)R L/(R5+R L)+V CC=44.7V；I Cm=(V CC-U CES)/(R5+R L)=2.59A。
5.3.1因U om=18/2=9V，(1)P om=U om2/2R L=5.1W。(2)因20lg A u=40dB，则A u=100，U im=U om/A u=9/100=0.09V，U i=64mV。
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
第七章部分习题解答 7．1．1在图题7.1.1所示的各电路中，哪些元件组成了级间反馈通路？它们所引入的反馈是正反馈还是负反馈？是直流反馈还是交流反馈？（设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略）解：图题7.1.1a中，由电阻R2、R1组成反馈通路，引入负反馈，交、直流反馈均有；b图中，由R e1引入负反馈，交、直流反馈均有，由R f1、R f2引入直流负反馈；c图中，由R f、R e2引入负反馈，交、直流反馈均有；d图中，由R2、R1引入负反馈，交、直流反馈均有；e 图中，由A2、R3引入负反馈，交、直流反馈均有；f图中，由R6引入负反馈，交、直流反馈均有。
图题7.1.1 7．2.2 试指出图题7.1.5a、b所示电路能否实现规定的功能，若不能，应如何改正？ 解：图题7.1.5a电路不能实现规定的功能，因引入了正反馈。应将运放的同相端和反相端位置互换。图b电路也不能实现规定的功 能。应将R与R L位置互换。 图题7.1.5
7．2.4 由集成运放A 及BJT T 1、T 2组成的放大电路如图题7.1.7所示，试分别按下列要求将信号源v s 、电阻R f 正确接入该电路。 （1） 引入电压串联负反馈； （2） 引入电压并联负反馈； （3） 引入电流串联负反馈； （4） 引入电流并联负反馈。 图题7.1.7 解： （1）a-c 、b-d 、h-i 、j-f （2）a-d 、b-c 、h-I 、j-f （3）a-d 、b-c 、g-i 、j-e （4）a-c 、b-d 、g-i 、j-e 7．4．1 一放大电路的开环电压增益为A VO =104，当它接成负反馈放大电路时，其闭环电压增益为A VF =50，若A VO 变化10%，问A VF 变化多少？ 解： 因为 200 501014 ===+VF VO V VO A A F A 所以，当A VO 变化10%时，A VF 变化 %05.0%102001 =?=VF VF A dA
模电测试题A 班别：姓名：学号： 一、填空题（每空1分，共24分） 1、晶体管放大电路常采用分压式电流负反馈偏置电路,因为它具有稳定静态工作点的作用。 2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数__为1____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗__低___, 3、三种不同耦合方式的放大电路分别为:___直接耦合__、___阻容耦合__和__变压器耦合__，其中__直接耦合__能够放大缓慢变化的信号。 4、三端集成稳压器CW7912的输出电压为____-12____ V，而CW7809的输出电压则为 5、如图所示是一个共射单管放大器的输出电压波形,假定晶体管是PNP 型,则该信号的削波属于____饱和_______失真,将偏流电阻Rb调__大 ______可以消除失真。 6、图中二极管为理想器件，V1工作在_截止_ 状态； V2工作在____导通_______ 状态；UA为____-3_______ V。 7、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为40dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_60__d B，总的电压放大倍数为_____1000_______。 8、在典型的差动放大电路是,Re对_共模信号呈现很强的负反馈作用,而对__差模___信号则无负反馈作用. 9、差动放大电路，若两个输入信号u I1 = u I2，则输出电压，u O = 0；若u I1 = 80 μV，u I 2 = 20 μV则差摸电压u Id =30μV；共摸电压u Ic = 50μV。 10、有一负反馈放大器，在闭环时，当输入电压为0.1V时，输出电压为2V，而在开环时，对于0.1V的输入电压其输出电 压则有4V。该反馈的深度等于__2_____，反馈系数等于____0.025____。 二、选择题（把正确答案的序号填入下表内，每题2分,共36分） 1、二极管两端加上正向电压时( )。 A．一定导通 B．超过 0.3V 才导通C．超过死区电压才导通 D．超过 0.7V 才导通 2、若要提高放大器带负载能力，并对信号源的影响小，可采用的反馈组态为（）。 A. 电压串联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 3、集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。 A.增大放大倍数 B．减小温漂 C．提高输入电阻 D.提高稳定性 4、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ，则负载两端的平均电压是（）。 A.100V B.90V C.45V D.141V 5、工作在反向击穿状态的二极管是( )。 A．一般二极管 B．稳压二极管 C．发光二极管 D 光敏二极管 6、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是( )。 7、如图所示电路中集成运算最大输出电压为±10V，则输出电压Uo=（）。 A.0V； B.5V； C.+10V； D. -10V 8、理想集成运放工作在线性区时有（）。 A. U + = U ? B. U + > U ? C. U + < U ? D. 无法确定 9、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 10、测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____ A. 80 B. 60 C. 75 D. 100 11、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。 A.增加一倍 B.为双端输入时的一半 C.不变 D.不确定 12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.3V，则这只三极管是( )。
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ )
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
第四章部分习题解答 4.1.3 某 BJT 的极限参数 l cM =100mA P cM =150mW ，V （ BRCE O =3OV , 若它的工作电压 V ：E =10V,则工作电流l c 不得超过多大？若工作电流 I c =1mA 则工作电压的极限值应为多少？ 解：BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否 则将损坏。当工作电压 V 确定时，应根据P CM 及 I CM 确定工作电流l c , 即应满足 I C V:E W P CM 及 I c W I CM 。当 V:E =10V 时 P CM I C 15 mA V CE 此值小于I cM=100mA 故此时工作电流不超过15mA 即可。同理，当工 作电流I c 确定时，应根据I C V:E W P CM 及V CE W V （BR ） CEO 确定工作电压V:E 的 大小。当I c =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限 值应为30V 。 4. 3. 3若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3 所示电路，并设 V=12V, R=1k Q ,在基极电路中用 V BB =2.2V 和R=50k Q 串联以代替电流源i B 。求该电路中的I B 、I C 和 V CE 的值，设V B E =0.7V 。 fc/m A 图题 3.3.3 图题3.3.1
解 ： 由题3.3.1已求得p =200,故 V BB —V BE I B 0.03 mA R b I C = p I B =200X 0.03mA=6mA V C E =V CC -I C R C =6V 435 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中 BJT 的输出特 性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管 压降V CE 的值；（2）电阻F b 、R e 的值；（3）输出电压的最大不失真幅 度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多 少？ 解：（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即 V CC 值的大小，故V cC =6乂由Q 点的位置可知，I B =20卩A, I c =1mA V C E =3V 。 （2）由基极回路得 V cc & -------- I B 由集-射极回路得 RC =VC C 「 WE =32 I C （3）求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性的交点可知， 在输入信号的正半周，输 出电压V CE 从3V 到0.8V ，变化范围为2.2V ；在输入信号的负半周， 输出电压V CE 从 3V 到4.6V ，变化范围为1.6V 。综合起来考虑，输出 电压的最大不失真幅度为1.6V 。 =? 300 k 11 图题3.3.6
模拟电子技术 胡宴如（第3版）自测题 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
模拟电子技术习题答案 第二章 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时，则 O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+，即～。 。设二极管是理想的。 解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 D 被反偏而截止。 图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有
D被反偏而截止。 图c：将D断开，以“地”为参考点，有 D被正偏而导通。 ，D2为硅二极管，当 v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和 折线模型（V th＝ V，r D＝200Ω）分析输出电压 v o的波形。 解（1）恒压降等效电路法 当0＜|V i|＜时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥时；D1导通，D2截止，v o＝ 0.7V；当v i≤时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。v i与v o ＝0．5V，r D＝200Ω。当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i； v i≥0．5V th 时，D1导通，D2截止。v i≤－ V时，D2导通，D1 截止。因此，当v i≥0．5V时有 同理，v i≤－时，可求出类似结果。 v i与v o波形如图解2．4．7c所示。 二极管电路如图题 2．4．8a所示，设输入电压v I（t）波形如图 b所示，在 0＜t＜ 5ms的时间间隔内，试绘出v o（t）的波形，设二极管是理想的。 解 v I（t）＜6V时，D截止，v o（t）＝6V；v I（t）≥6V时，D导通 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。（a）画出它的传输特性；（b）若 输入电压v I =v i=20 sinωt V，试根据传输特性绘出一周期的输出电压 v o的波形。 解（a）画传输特性 0＜v I＜12 V时，D1，D2均截止，v o＝v I； v I≥12 V时，D1导通，D2截止 －10V＜v I＜0时，D1，D2均截止，v o＝v I； v I≤－10 V时，D2导通，D1截止
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
模电自测题 分析与计算（本题共60分）： 1．(本小题15分)放大电路如图1所示，电路中电容容量足够大，三极管的β＝50，r bb’＝200Ω，U BE＝0.6V，R B1＝120KΩ，R B2＝40KΩ，R C＝R L＝4KΩ，R E＝2.1KΩ，V CC＝12V，信号源内阻R S＝10KΩ， （1）估算电路的静态工作点I BQ、I EQ、U CEQ； （2）画出微变等效电路； （3）计算电路的放大倍数 A 、us A 、输入电阻R i和输出电阻R o的值。 u （4）去掉旁路电容C E，求电压放大倍数 A ，输入电阻R i。 u 2．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算深度负反馈的闭环电压增益A usf。 图1 图2 3．(本小题10分) 在图3中，已知u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o可能的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 图3 4．(本小题15分) 图4所示电路中，A1～A5都是理想运放。
（1）当开关S闭合时，计算： u、2o u、3o u、4o u及o u的值。 1 o （2）t＝0时，将S打开，则经过多少时间， u＝0V ？ o 图4 5．(本小题10分)电路如图5所示，Vcc＝20V，R L＝8Ω，则：（1）该电路是什么电路？T1，T2，T3以及D1，D2的作用是什么？（2）当U i＝1sinωt（V），A US＝－10倍时，计算电路的最大输出功率P om。 图5 答案 四、分析与计算（本题共60分）：
1．(本小题15分) 解:(1) V 9.22 1 2 B B B B =?+= CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U U mA 09.1E E E C == ≈R U I I mA 02.0E B == β I I V 46.5)(C E C CC CE =?+-=I R R V U Ω =+=k ..4109 12651 200r be （2）略 (3) 70 ) //(be L C -≈- =r R R A u β Ω ≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω ==k 9.3C O R R 8 17s i i s o s .A R R R u u A u u -≈+= = Ω ≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 9 01E be L C u .R )(r )R //R (A -≈++- =ββ 2．(本小题10分) 解：直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流，交流时通过R f 形成电流并联负反馈，R f 与R e2构成反馈网络，F ＝I f /I o ，A usf ＝Uo/Us ＝IoR C2/I f Rs ＝R C2/RsF ＝（1＋R f /R e2）R C2/Rs 3．(本小题10分) 解：（1）正常情况下，U o ＝U L ＝（1.1～1.2）U 2＝11～12V 。（2）电容虚焊时，成为单相桥式整流电路，U o ＝0.9U 2＝9V 。（3）R L 开路时，U o ＝ 2 U 2＝14.14V 。（4）一只整流管和电容C 同时开路 时，成为半波整流电路，U o ＝0.45U 2＝4.5V 。 4．(本小题15分) 解：（1）S 闭合时，U D ＝0，U B ＝1V ，uo1＝2V ，uo2＝－1V ，uo3＝0V ，uo4＝1V ，uo ＝－6V ；（2） o u ＝0V 时， 30 215 23-= +o u ，得uo3＝－3V ，S 打开时，由uo3＝－ ?t o dt u C R 0 121，得t ＝0.03秒。 5．(本小题10分) 解：（1）为功率放大电路，T3所在电路是电压放大，T1和T2组成互补对称甲乙类功率放大，D1和D2用来消除交越失真。（2）P om ＝6.25W 。
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。模电数电复习考试题(已整理)
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