https://www.doczj.com/doc/7815470644.html, 中国光学期刊网1引言硅材料在20世纪通过半导体集成电路垄断了数字电子工业，并改变了人们的生活方式以后，现在又成为光学及光电子学青睐的材料。成熟的大规模、低成本硅基半导体集成电路生产工艺是人们期望用硅材料来制备微纳光电子器件及系统的最主要原因之一。其目的就是要大幅度地降低目前基于III-V 族材料的微纳光电子器件及系统的成本。众所周知，硅在1.3~1.5m m 通信波段是非常好的低损耗传输介质。人们已经利用这种特性，开发出了微纳尺寸的光波导、分束器、耦合器、调制器以及
探测器等光通信用基础元器件[1,2]。锗硅探测器已达到40Gb/s 的指标[3]。如能实现硅基微纳放大器和激光器，与微电子集成类似的微光电子集成就不难实现了。然而，硅是一种间隙材料，单纯的体硅发光效率是非常低的。这也是目前硅基光电子学领域研究人员正
在集中攻关的重点之一。
为了能够将光源引入到单片硅基光电子系统中
去，人们采用了耦合、贴片及混合集成等方式[4,5]，但大部分的努力仍然是希望通过单片集成的方式将光源
硅基微纳光电子系统中光源的研究现状及发展趋势周治平王兴军冯俊波王冰
（北京大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室，北京100871）Zhou Zhiping Wang Xingjun Feng Junbo Wang Bing
（State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems Networks,Peking University,Beijing 100871,China ）
摘要综合了微电子学及微纳光学的优势，硅基微纳光电子学正在快速走向实用阶段。与微电子制造技术兼容
的微纳光子器件，包括调制器、探测器、分束器以及耦合器等均取得了重要的突破。但硅基微纳光源的研
究则仍处在探索阶段。外部光源在多大程度上能代替片上光源？片上光源的最佳选择是什么？介绍、分
析了目前硅基微纳光源的研究现状及进展，并对片上光源的研究趋势进行展望。
关键词微纳光电子学；集成光学；硅基光源
Abstract Si based micro -nano optoelectronics is rapidly moving toward commercial applications.Nano -
photonic devices compatible with the microelectronics manufacturing technology,including modulators,
detectors,splitter and coupler,etc.have made an important breakthrough.However,research on Si
light source is still in the exploratory stage.Is the external light source enough for chip size
optoelectronic systems?What will be the better choice as the on-chip light source?This article will
introduce the current research progress and development of Si based micro-nano light source,and
prospect further outlook on-chip light source development trends.
Key words micro-nano optoelectronic;integrated optics;Si based light source
中图分类号TN253doi ：10.3788/LOP20094610.0028
Research Progress and Development Trends of Light Source for Silicon Based Micro-Nano Optoelectronic Systems
激光与光电子学进展2009.10集成到硅基微纳光电子系统中去[6,7]。这就必须要对硅
材料本身的能带结构及辐射/吸收机理进行细致的研
究。
本文将对以上努力进行介绍分析，特别是针对硅
及以硅为基础的复合材料所作的努力进行阐述，希望
能够理清当前的研究重点及方向，探明硅基微纳光电
子系统中光源的研究现状及未来的发展趋势。
2外部光源及混合集成的片上光源
由于硅的载流子直接跃迁复合的发光效率很低，
因此用常规手段在硅上作出高效率的发光器件比较
困难。虽然目前已经有一些单片集成硅基光源的成果
报道[6,7]，但是在短期内真正实现高效的单片集成硅基
激光仍具有挑战性。目前使用的方式有外部光源和混
合集成的片上光源两种。其中，外部光源又分为芯片
外部光源和倒装焊外部光源两种，如图1所示。
2.1外部光源及其耦合问题
外部光源的方案回避了直接在硅材料上制备光
源的难题，利用比较成熟的外部光源作为系统的输
入。但这种方案使得系统无法大规模集成，而且必须
解决外部光源到集成光波导器件的耦合问题。
利用芯片外部光源，一般来说，激光从光纤中输
出，然后耦合进硅波导中。因此芯片外部光源要解决
光纤和硅基纳米波导的耦合问题。由于硅基波导，尤
其是绝缘体上硅（SOI ）波导，尺寸很小。为保证波导的
单模传输条件，其厚度一般要小于280nm ，宽度也要
小于500nm 。而单模光纤的纤芯直径约为9m m ，这
使得从光纤到硅基纳米波导的耦合非常困难，其耦合
损失主要来源于光纤与硅基纳米波导的模场失配，包
括模场大小失配和模场分布失配，以及耦合面的反射
和散射等。同时，耦合的未对准容差也是一个必须考
虑的因素，太小的未对准容差会给耦合器的封装带来
巨大的成本和困难。而且，一般来说，硅基波导器件都
是偏振相关的，正确的输入偏振态对器件的工作非常关键。因此，耦合方案的偏振性也是耦合器设计的一个重要方面。另外，系统希望获得大的带宽来满足大信息量的需要，要求耦合器具有一定的带宽。一个好的耦合方案应具有如下的特点：1）耦合效率高；2）带宽大，包括频谱带宽和角度带宽；3）未对准容差大；4）封装成本低；5）加工制备容易，最好与CMOS 工艺兼容。按照光纤与波导的耦合方式可以大致将其分为两类：端面耦合（如图2（a ））和平面耦合（如图2（b ））。端面耦合是光纤通过波导端面直接将光耦合进波导的方法，通常的方法有多层锥形结构、三维锥形结构和倒锥形结构等。但这些结构的制备非常困难，而且制作容差小，还需要侧面抛光，耦合封装困难。光栅耦合器作为一种面耦合器成为这方面研究的热点。它可以在系统的任何地方实现信号的上载下载，大大增强了系统的灵活性。比利时Gent 大学的R.Baets 小组[4,8]致力于这方面的研究，设计出了基于SOI 的紧凑型光栅耦合器，并提出了一系列的优化方案，如：衬底反射层法、侧面增加发射光栅、光纤模场匹配光纤等，大大改善了普通光栅耦合器在耦合效率和带宽方面的图2光纤与纳米波导的耦合方式。(a)端面耦合；(b)平面耦合（光栅耦合
）
图1
外部光源及混合集成的片上光源示意图
https://www.doczj.com/doc/7815470644.html, 中国光学期刊网性能。但由于普通对称光栅耦合效率的局限性，必须
采用倾斜入射的方法。垂直耦合在集成光路的应用方
面具有更大的吸引力，它能大大加强系统的灵活性和
降低对准封装难度。B.Wang 等[9,10]提出了一种倾斜
的光栅结构，可以用于垂直耦合。但是这种倾斜光栅
制备困难，与传统CMOS 工艺不兼容，无法进行大规
模批量生产。另外我们研究小组设计了一种二元闪耀
光栅耦合器[11,12]，能够实现高效率的完全垂直耦合，而
且只需一步刻蚀即可完成，并与CMOS 工艺兼容。利
用这种光栅的特殊偏振性质，还可以将其用作偏振分
束耦合器，在耦合的同时依据入射光的偏振态将两种
偏振态的光分别耦合到不同的波导中，具有很高的耦
合效率和偏振消光比。
对于倒装焊外部光源，其对准条件更为严格和苛
刻。通常有两种对准方案，“有源对准”和“无源对准”。
在有源对准的过程中，激光器接上电源并处于工作状
态，通过反馈来寻找最佳对准位置。这种方法对准精
度高，但是整个过程需要电连接，使得对准过程复杂
和困难。无源对准过程无需电连接，利用精确的对准
方法来实现光源与波导的对准。图3为倒装焊外部光
源及其对准方法。
2.2混合集成的片上光源
硅基（或SOI ）波导器件的最大优势之一是其紧凑
的结构和CMOS 兼容的工艺，然而一直缺乏一种紧凑
的高效的片上光源。一种变通的方法是混合集成的片上光源，利用键合等非CMOS 兼容工艺将III-V 族材料的器件与硅基光电子器件混合集成在同一个衬底上。图4所示为J.Van Campenhout 等[13]设计并制备出的混合集成的激光器。利用键合的方法将增益介质Ⅲ-V 族材料（InP ）制备在硅基衬底上，器件结构的制备以及与下层硅波导的对准依靠普通光刻来实现，具有较高的对准精度。利用电注入在InP 微盘内产生激光，然后利用倏逝波耦合进下层的硅波导中。图4（a ）所示为器件结构示意图，图4（b ）为制备出的这种混合集成激光器的照片。实验测得这种混合集成的电注入连续波激光器的阈值电流约为0.5mA ，阈值电压为1.5~1.7V ，发光效率为30μW/mA ，单向波导输出激光功率为10μW
。图5(a)混合集成的倏逝波硅基激光器结构示意图；(b)
激光器截面SEM
照片
图3倒装焊外部光源以及光源与硅波导的对准
图4利用InP 微盘与SOI 芯片键合方法的混合集成片上光源。(a)器件结构示意图;(b)一个样片上同时制备出的多个激光器
B.R.Koch小组[14]设计了一种利用倏逝波耦合的40GHz硅基混合集成激光器，如图5所示。该激光器也是利用键合的方法制备的，无需苛刻的对准，可以同时在一个硅衬底上集成多个激光器。
3单片集成的片上光源
外部光源和混合集成的片上光源具有较高的发光效率，容易实现连续或者可调激光输出的优点，但其缺点仍然很突出：集成度不高、制备工艺复杂、与CMOS工艺不兼容、系统成本昂贵，而且必须考虑到输出激光到波导的耦合对准问题。因此，将光源单片集成到硅基微纳光电子系统仍然是当前研究的重中之重。
3.1纯硅光源
由于硅发光的内量子效率很低，为10-6，一直以来都被认为不适合制备光源。但自2000年以来，一系列优秀研究成果正在逐渐出现，如体硅发光二极管（LED）[15~17]、富硅氧化硅[18,19]、硅拉曼激光器[6,7]等。
澳大利亚的M.A.Green等研究小组[15]在《Nature》上报道了他们在体硅发光方面的研究结果，首先把LED的硅表面设计成锯齿状光学图形，使入射角小于全反射角，光的输出效率可以达到100%;另外电极采用重掺杂和控制薄膜的厚度来减少自由载流子的吸收，制备的LED外量子效率大于1%，开启电压小于1 V。其主要缺点是器件制作与CMOS工艺不兼容。2005年，Sylvain等[17]在SOI的晶体硅上刻蚀了一种周期性的纳米孔阵列结构，孔直径为110nm。在连续1.5W 的514.5nm Ar离子激光抽运下获得了1.278μm的连续光。周期性的纳米孔阵列产生了高密度的A型陷阱中心[17]，这些缺陷中心作为光激活中心发生反转产生受激发射和光增益。但主要缺点是只有在低于80K 的温度才能产生受激发射。
富硅氧化硅中的纳米硅因为量子限制效应可以增加载流子的辐射跃迁几率，提高电子-空穴的注入效率，另外还可以通过控制纳米晶的尺寸控制受激发射的波长[18,19]。L.D.Negro等[18]采用等离子体化学气相沉积的方法制备不同纳米硅晶原子浓度的富硅氧化硅材料，并制备出LED，在850nm处观察到了很强的电致发光（EL）。富硅氧化硅材料发光特性和纳米硅晶的原子浓度、尺寸以及退火温度有很强的关系，而控制纳米硅晶的原子浓度和尺寸的工艺比较复杂，目前还没有实用化。
硅基拉曼激光器是利用受激拉曼辐射原理在硅基波导内实现连续受激拉曼光输出。但由于双光子吸收诱导自由载流子吸收产生损耗，使受激放大受到严重限制。Intel公司的H.Rong等[6]采用P-I-N二极管结构克服了上述技术瓶颈。利用紧密的全硅SOI波导微腔结构，在单晶硅芯片上实现了受激拉曼散射。紧接着，该小组又通过对器件结构进行合理改善,利用由多层介电薄膜覆盖的SOI光波导形成的光学微腔，实现了稳定的单模激光输出,研制成功了世界上第一台连续运行的全硅拉曼激光器,从而成为硅基激光器发展史上的一个重要里程碑[7]。但该拉曼激光器仅仅是光抽运的，电抽运的拉曼激光器目前还没有实现。
3.2掺铒（Er）硅光源
在硅中掺入一定浓度的稀土元素铒时，可以观察到在1.53μm处强的光致发光，由于该波长对应光纤通信中的石英玻璃吸收的最小值，且该波长的能量不受激发功率和所处环境温度的影响，因而，掺铒硅发光是一种很有发展前途的硅基发光材料。目前有两个方向正在开展：一个是掺铒富硅氧化硅（氮化硅）[20~22]；另一个是用铒的硅酸盐化合物（Er silicate）[23~27]。
富硅氧化硅中的硅纳米晶是一个很好的铒敏化剂，能量转移效率可以达到70%。目前报道的最好结果是韩国Shin教授研究小组[19]研发的掺铒富硅氧化硅结构，在1cm长的波导中获得了7dB的光增益。但该系统还存在一些问题，如铒和硅纳米晶的耦合仍然不完全，报道仅有5%的铒被耦合纳米硅晶，其他通过铒的直接吸收激发。而且，光增益和纳米硅晶的原子浓度密切相关，控制纳米硅晶尺寸和原子浓度的工艺较复杂；并且由于纳米硅晶的存在，它受载流子吸收的限制，即使通过精确控制铒和纳米硅晶原子的浓度，吸收仍很大，很难获得高增益。
在铒的硅酸盐化合物结构中，铒是化合物的阳离子，而不再是作为杂质掺杂进去，和以前掺杂方法相比，成功将铒离子浓度提高了2个量级，达到1022/cm3，而且由于铒离子是固溶在化合物中的，减少了Er离子之间的团聚现象。H.Isshiki等[23]采用溶胶-凝胶法制备了一种铒的硅酸盐化合物(Er2SiO5)。图6(a)为这种材料的高分辨TEM图和PL谱。由图可见，这种材料具有较少的缺陷，并有强的1.528μm室温光致发光。但这种材料由于具有非常高的铒离子浓度，合作上转换明显，所以采用Y共溶的方法分散铒，因为Y的离子半径和Er接近，所以可以使铒充分分散。结果显示当Er与Y的离子比为1：19时，光致发光强度提高了30倍[25]，另外，我们采用4能级模型，通过铒速率方程和传输方程数值计算了Er x Y2-x SiO5光波导放大器光增益与Er3+离子浓度、波导长度、抽运功率和信
激光与光电子学进展2009.10
https://www.doczj.com/doc/7815470644.html, 中国光学期刊网号功率的关系，如图6(b)所示。Er 3+离子浓度为0.5×
1022/cm 3，当抽运功率为70mW ，在1mm 波导长度下
可以获得10dB 以上的增益[25]。最近秦国刚院士的
研究组[26]将该材料制成LED ，观察到了电致发光。但
由于Er silicate 的形成机理比较复杂，对工艺参数的
依赖性很大，微小的氧分压、基体和温度等参数的差
别都会导致不用相结构的形成，目前国际上的主要工
作还只是停留在Er silicate 的发光机理和材料结构
优化方面，还没有真正制备出Er silicate 光源器件。
3.3掺铒发光效率的增强
掺铒发光效率的增强一直是人们关注的热点，最
近几年人们研究出了几种新的结构和方法来提高掺
铒发光效率，如表面等离子辅助增强铒发光[28,29]、掺铒
环形微腔激光器[30,31]、光子晶体增强铒发光[32]、槽型波
导(Slot waveguide)宽带发光增强效应[33]等。表面等离
子体的辅助作用可以有效改变铒离子的发光光谱，我
们采用二维金属光子晶体来提高铒离子的发光效率[29]。
由于金属光子晶体可以被局限在很小的范围内，例如
在金属光子晶体的能带边缘处，表面等离子体的群速
率接近零，因此相应的态密度较其他位置可提升数个量级。通过将处于能带边缘处的表面等离子体耦合为
光子并发射到远场，铒离子在特性波长的发光效率可
以显著增强，我们设计了一个掺铒发光器件模型，发
现二维金属光子晶体能带边缘的表面等离子体的态
密度较平面金属增强了40倍，发光效率也提高近40
倍[29]。
A.Polman 等[30]采用标准硅工艺结合高Q 腔来提
高铒的发光效率，并且制备出掺铒环形微腔激光器。
环形微腔直径为40μm,当抽运波长为1460nm 时出射的激光波长为1578nm ，阈值功率为4.5μW ，相应Q 值为3.9×107。2009年，他们又在上面实验的基础上考虑铒的上转换，报道了绿光激光器[31]。最近，M.Makarova 等[32]采用光子晶体纳米腔增强铒的发光效率。他们首先在SOI 基体沉积100nm 的掺铒富硅氮化硅，然后采用电子束曝光刻蚀掺铒富硅氮化硅以及SOI 的硅晶体，最后SOI 中的氧化层用HF 酸去除，形成光子晶体纳米腔和掺铒富硅氮化硅的复合结构，用473nm 激光器激发，通过改变光子晶体的孔径比可以提高PL 强度达到20倍以上，Q 值为6000。最近，槽型波导引起人们的关注，它包括一个纳米尺度的低折射率区域和两侧高折射率区域。由于电位移的连续性，低折射率区域可以获得高的电场强度。在高的电场强度下可以提高低折射率区域的光发图6(a)Er silicate 材料的高分辨TEM 图和PL
谱;(b)Er silicate 材料在不同波导长度的
光增益
图7槽型波导结构增强光发
射
激光与光电子学进展2009.10射效率。斯坦福大学Brongersma 小组[30]研究了硅的
槽型波导增强发光。图7为一个槽型波导的示意图，
当中间的低折射率层为20nm ，宽度为300nm ，高为
410nm 时，y 方向的自发辐射可以提高20~30倍，当
改变低折射率层到30和50nm 时，放大倍数降低。这
种新的结构开辟了一个提高发光效率的新途径。
3.4硅基外延锗光源
锗的直接带隙只比间接带隙高136meV ，早在
1978年人们就观察到了低温下高功率密度激光激发
产生的直接带隙发光。近年来，美国麻省理工学院
Kimerling 研究组[34]提出了通过能带工程获得外延锗
光源的理论，并获得了令人瞩目的实验结果。这一原
理为，在硅衬底上外延生长的锗薄膜由于热膨胀系数
失配，退火后锗薄膜内产生了张应变，使能带结构发
生变化。0.25%的张应变会使与L 谷的带隙差减小
到115meV ，这一差别可以通过n 型掺杂来进一步弥
补。1019的n 掺杂可以填满L 谷并使电子开始填充
谷，从而获得直接带隙跃迁发光和显著的增益，如图8
所示。
采用高真空化学气相沉积制备锗薄膜，其工艺与
CMOS 制造工艺完全兼容。观察到了室温下锗的直接
带隙的光致发光和电致发光，峰值波长位于1590nm ，
如图9所示[35,36]。与通常不同的是，锗的直接带隙发光
随着温度升高而有所增强，这是由于电子获得能量可
以更多地填充到谷，从而增强了直接跃迁。这些实
验表明锗是极具前景的光源材料，并极有可能实现硅
基片上集成的激光器。
3.5其他硅基光源
硅的三阶非线性可以用来将近红外光转变为可
见光，光子晶体波导所具有的慢光效应可以用来增强
非线性光学现象。最近，澳大利亚的一个研究组报道
了在二维光子晶体波导中实现的绿光发射[37]，如图10
所示。由于光子晶体波导对群速度的压缩，利用近红
外脉冲，只需约10W 的峰值功率即可产生三阶非线
性，比体材料硅中产生三次谐波所需的峰值功率低了
6个数量级。实验用1550nm 的脉冲光产生了波长为520nm 的绿光。光学非线性所产生的光的波长通常不位于1550nm 附近，考虑到器件结构、抽运方式等因素，未必适合于用作单片集成的光源，但是这些研究大大拓展了硅基光子学可实现的功能，并可用于传感探测等技术领域，同时可实现的波长也比较灵活，因此也是硅基光源的一个重要研究领域。另外，近年来，随着一维纳米材料及器件制备技术的进步，一维硅基纳米异质结构发光二极管及激光器也成为发展硅光源的一种新途径。北京大学秦国刚院士研究组[38,39]开展了这方面的研究，他们采用化学气相沉积法，通过改变温度、生长条件，成长出CdS,CdSe,CdS x Se 1-x 等多种单晶异质一维材料。其光致发
图8锗的带隙结构。(a)体材料；(b)0.25%张应变；(c)
0.25%张应变加n 掺杂
图9(a)锗的直接带隙光致发光谱；(b)锗LED 的直接带隙电致发光谱图10慢光光子晶体波导通过三次谐波产生的绿光发
射
https://www.doczj.com/doc/7815470644.html, 中国光学期刊网参考文
献
1L.Pavesi,D.J.Lockwood.Silicon Photonics[M].Berlin:Springer,2004
2G.T.Reed.Silicon Photonics:The State of the Art[M].U.S.:John Wiley,2008
3J.F.Liu,X.C.Sun,D.Pan et al ..Tensile-strained,n-type Ge as a gain medium for monolithic laser integration on Si[J].Opt.Exp .,2007,15(18):11272~11277
4D.Taillaert,W.Bogaerts,P.Bienstman et al ..An out-of-plane grating coupler for efficient butt-coupling between compact planar waveguides and single-mode fibers[J].Quantum Electron .,2002,38(7):949~955
5W.Bogaerts,D.Taillaert,B.Luyssaert et al ..Basic structures for photonic integrated circuits in silicon-on-insulator
[J].Opt.Exp .,2004,12(8):1583~1591
6H.Rong,A.Liu,R.Jones et al ..An all-silicon Raman laser [J].Nature ,2005,7023(427):292~294
7H.Rong,R.Jones,A.Liu,et al..A continuous-wave Raman silicon laser [J].Nature ,2005,7027(433):725~7288D.Taillaert,P.Bienstman,https://www.doczj.com/doc/7815470644.html,pact efficient broadband grating coupler for silicon -on -insulator waveguides[J].Opt.Lett .,2004,29(23):2749~2751
9B.Wang,J.H.Jiang,https://www.doczj.com/doc/7815470644.html,pact slanted grating couplers[J].Opt.Exp .,2004,12(15):3313~3326
10B.Wang,J.H.Jiang,D.M.Chambers et al..Stratified waveguide grating coupler for normal fiber incidence [J].Opt.Lett .,2005,30(8):845~847
11J.Feng,Z.Zhou.Polarization beam splitter using a binary blazed grating coupler[J].Opt.Lett .,2007,32(12):1662~1664
12J.Feng,Z.Zhou.High efficiency compact grating coupler for integrated optical circuits [C].SPIE ,2006,6351:63511H
13J.Van Campenhout,P.Rojo Romeo,P.Regreny et al..Electrically pumped InP-based microdisk lasers integrated with a nanophotonic silicon-on-insulator waveguide circuit[J].Opt.Exp .,2007,15(11):6744~6749
14B.R.Koch,A.W.Fang,H.-H.Chang et al..A 40GHz mode locked silicon evanescent laser [C]4th International Conference on Group IV Photonics ,Tokyo Japan,Sep.2007
15M.A.Green,J.Zhao,A.Wang et al ..Efficient silicon light-emitting diodes[J].Nature ,2001,412(6849):805~80816J.Zhao,M.A.Green,A.Wang.High-efficiency optical emission,detection,and coupling using silicon diodes [J].J.Appl.Phys .,2002,92(6):2977~2979
光波长可以从510~712nm 转换。在此基础上，制备出
了多种单根CdS x Se 1-x 纳米带/硅异质发光二极管。4挑战及趋势虽然硅基微纳光源近年来取得了很大进展，但所面临的挑战仍是多方面的。首先，外部光源和混合集成的片上光源的优点是具有高的发光效率，容易实现连续或者可调的激光输出。但其缺点是集成度不高，制备工艺复杂，与CMOS 工艺不兼容，系统成本昂贵，还必须考虑到输出激光到波导的耦合对准问题；第二，单片集成硅基光源的优点是集成度高，成本低，但目前最大的困难是发光效率低，电致发光困难。其中，
在掺铒硅光源所面临的困难是：如何克服自由载流子吸收实现净增益，这既需要深入了解电激发的能量传输机制，又需要仔细的设计器件结构；锗作为间接带隙材料，其直接带隙发光与Ⅲ-Ⅴ族材料有很大不同，这些特点对制造激光器所可能产生的影响尚不清楚，再者，锗的高折射率(4.3)对输出光的耦合是一个很大
的挑战。
综合分析各种硅基光源的优缺点和近年来国际上研究动向，可以看到，硅基材料掺铒仍然是重要的甚至是主流的研究方向，槽型波导是电注入激光器的一种有前景的结构，而基于槽型波导的宽带发光增强效应则是另一个较新的物理现象。另外，锗光源也是能够尽快取得突破的途径之一，一旦锗激光器得以实现，硅基光电子学必定会进入一个高速发展期。收稿日期：2009-08-19
作者简介：周治平，男，教授，博士生导师。主要研究方向为硅基光
电子器件及集成。E-mail:zjzhou@https://www.doczj.com/doc/7815470644.html,
17S.G.Cloutier,P.A.Kossyrev,J.Xu.Optical gain and stimulated emission in periodic nanopatterned crystalline silicon[J].Nature Mater.,2005,4(12):887~891
18L.D.Negro,M.Cazzanelli,N.Daldosso et al..Stimulated emission in plasma-enhanced chemical vapour deposited silicon nanocrystals[J].Physica E,2003,16(3~4):297~308
19G.Franzo,A.Irrera,E.C.Moreira et al..Electroluminescence of silicon nanocrystals in MOS structures[J].Appl.
Phys.Lett.,2002,74(1):1~5
20P.G.Kik,A.Polman.Gain limiting processes in Er-doped Si nanocrystal waveguides in SiO2[J].J.Appl.Phys., 2002,91(1):534~536
21J.L.J.Shin,N.Park.Optical gain in Si-nanocrystal sensitized,Er-doped silica waveguide using top-pumping 470nm LED[C].Proceedings of Optical Fiber Communication Conference,Los Angeles,Calif,USA,Feburary2004. 22V.Toccafondo,F.D.Pasquale,S.Faralli et al..Study of an efficient longitudinal multimode pumping scheme for Si-nc sensitized EDWAs[J].Opt.Exp.,2007,15(22):14907~14913
23H.Isshiki,M.J.A.de Dood,T.Kimura.Self-assembled infrared-luminescent Er-Si-O crystallites on silicon[J].
Appl.Phys.Lett.,2004,85(19):4343~4345
24R.L.Savio,M.Miritello,A.M.Piro et al..The influence of stoichiometry on the structural stability and on the optical emission of erbium silicate thin films[J].Appl.Phys.Lett.,2008,93(2):021919
25X.J.Wang,T.Kimura,Z.Zhou,Enhanced Er3+luminescence of Er silicate by Y and Yb co-doping[C].California: 6th International Conference on Group IV Photonics,San Francisco,2009
26Y.Yin,K.Sun,W.J.Xu.1.53滋m photo-and electroluminescence from Er3+in erbium silicate[J].J.Phys.: Condens.Matter,2009,21:012204~012207
27X.J.Wang,T.Nakajima,T.Kimura.Fabrication and characterization of Er silicates on SiO2/Si substrates[J].Appl.
Phys.Lett.,2009,95(04):041906
28J.Kalkman,C.Strohhfer,B.Gralak.Surface plasmon polariton modified emission of erbium in a metallodielectric grating[J].Appl.Phys.Lett.,2003,83(1):30~32
29Y.Wang,Z.Zhou.Strong enhancement of erbium ion emission by a metallic double-grating[J].Appl.Phys.Lett., 2006,89(25):18~20
30A.Polman,B.Min,J.Kalkman et al..Ultralow-threshold erbium-implanted toroidal microlaser on silicon[J].Appl.
Phys.Lett.,2004,84(7):1037~1039
31T.Lu,L.Yang,R.V.Loon et al..On-chip green silica upconversion microlaser[J].Opt.Lett.,2009,34(4):482~484 32M.Makarova,V.Sih,J.Warga et al..Enhanced light emission in photonic crystal nanocavities with erbium-doped silicon nanocrystals[J].Appl.Phys.Lett.,2008,92(16):161107
33Y.C.Jun,R.M.Briggs,H.A.Atwater et al..Broadband enhancement of light emission in silicon slot waveguides [J].Opt.Exp.,2009,17(9):7479~7490
34J.F.Liu,X.C.Sun,D.Pan et al..Tensile-strained,n-type Ge as a gain medium for monolithic laser integration on Si[J].Opt.Exp.,2007,15(18):11272~11277
35X.C.Sun,J.F.Liu,L.C.Kimerling et al..Direct gap photoluminescence of n-type tensile-strained Ge-on-Si[J].
Appl.Phys.Lett.,2009,95(1):011911
36X.C.Sun,J.F.Liu,L.C.Kimerling et al..Room-temperature direct bandgap electroluminescence from Ge-on-Si light-emitting diodes[J].Opt.Lett.,2009,34(8):1198~1200
37B.Corcoran,C.Monat,C.Grellet et al.,Green light emission in silicon through slow-light enhanced third-harmonic generation in photonic-crystal waveguides[J].Nature Photonics,2009,3(4):206~210
38C.Liu,P.C.Wu,T.Sun et al..Synthesis of high quality n-type CdSe nanobelts and their applications in nanodevices[J].J.Phys.Chem.C.,2009,113(32):14478~14481
39R.M.Ma,X.L.Wei,L.Dai et al.Light coupling and modulation in coupled nanowire ring-fabry-perot cavity[J].
Nano Lett.,2009,9(7):2679~2703
激光与光电子学进展2009.10
1、体液是一种缓冲溶液，它的缓冲作用是： A.维持PH值不变 B.增加阴阳离子的浓度 C.增强人体的抵抗能力 D.扩大PH的范围 2、下列哪组物质不能组成缓冲液： A.醋酸和醋酸钠 B.盐酸和氯化钠 C.碳酸和碳酸氢钠 D.氨水和氯化铵 3、作为缓冲对的是 A.醋酸一醋酸钠 B.盐酸一醋酸钠 C.盐酸一氯化钠 D.氢氧化钠一氯化钠 4、缓冲溶液的一个例子是： A.氢氧化钠和氯化钠 B.氨水和醋酸钠 C.醋酸和醋酸钠 D.醋酸和氯化铵 5、下列离子既能水解又能电离的是： A.N03- B.NH+4 C.HCO- D.I1C00- 6、设弱酸HA的电离度为u , 0. lmol/L溶液中的氢离子的浓度是: A.a mol/L B.0. 1 a mol/L C.0. 01 a mol/L D.0. 001 a mol/L 7、下列关于酸碱的叙述中，正确的是： A.盐酸和氨水等体积混和的水溶液显中性 B.某弱酸的水溶液浓度越小，该酸的电离度越大 C.磷酸比盐酸的酸性强 D.因为氨分子不含氢氧根，所以不是碱 8、同离子效应使弱电解质电离度 A.增大 B.不变 C.减小
D.在酸性溶液屮増大 9、在0. lmol/L的氨水中加入阀体氯化铵后溶液的氢离子浓度 A.增大 B.减小 C.不变 D.先减小后增大 10、100毫升0.6mol/L的盐酸加到等体积的0.4mol/L的氢氧化钠溶液中，所得的PH 值是 A.0.2 B.0.7 C.1.0 D.2. 0 11、相同浓度的下列溶液按其PH值由小到大排列的是： 八.氢氧化钠、盐酸、醋酸钠、氯化钠、氯化铵 B.氢氧化钠、醋酸钠、氯化钠、氯化铵、盐酸 C.盐酸、醋酸钠、氯化铵、氯化钠、氢氧化钠 D.盐酸、氯化铵、氯化钠、醋酸钠、氢氧化钠 12、血清清蛋白的MM.66,血浆PH=7.4,清蛋白在血浆中存在状态为： 八.正离子 B.负离子 C.兼性离子 D.不解离 13、100亳升0.6mol/L的氢氧化钠溶液加入等体积的0.4mol/L的盐酸溶液，所得到的溶液的PH值为： A.11.0 B.12.0 C.13.0 D.12. 7 14、蛋白质在等电点条件下，其中的氨基与羧基 A.全部不解离 B.解离数相等 C.氨基解离〉羧基解离数 D.氨基解离〈羧基解离数 15、以醋酸纤维素薄膜为支持物进行血清蛋白电泳，使用PH8. 6巴比妥缓冲液，各种蛋0质的荷电状态是 A.清蛋白和球蛋白都带负电荷 B.清蛋白带负电荷，球蛋白带正电荷 C.清蛋白和a 1--球蛋白带负电荷，其他蛋白带正电荷 D.清蛋白、al、a 2-球蛋白带负电荷人，其他蛋白带正电荷 16、醋酸纤维素薄膜电泳可把血淸蛋G分成五条带，由正极数它们的顺序是 A. A 、a 1、、丫、 a 2 B. A 、e a 1 、 a 2、丫 C. A 、 a 1 、a 2、丫、P
微纳光子学主要研究在微纳尺度下光与物质相互作用的规律及其光的产生、传输、调控、探测和传感等方面的应用。微纳光子学亚波长器件能有效提高光子集成度，有望像电子芯片一样把光子器件集成到尺寸很小的单一光芯片上。纳米表面等离子体学是一新兴微纳光子学领域，主要研究金属纳米结构中光与物质的相互作用。它具有尺寸小，速度快和克服传统衍射极限等特点，有望实现电子学和光子学在纳米尺度上的完美联姻，将为新一代的光电技术开创新的平台。金属-介质-金属F-P腔是最基本的纳米等离子体波导结构，具有良好的局域场增强和共振滤波特性，是制作纳米滤波器、波分复用器、光开关、激光器等微纳光器件的基础。但由于纳米等离子体结构中金属腔的固有损耗和能量反射，F-P腔在波分复用器应用中透射效率往往较低，这给实际应用带来不利。 最近，科研人员提出了一种提高表面等离子体F-P腔波分复用器透射效率的双腔逆向干涉相消法。该方法能有效避免腔的能量反射，使入射光能完全从通道端口出射，极大增强了透射效率。此设计方法还能有效的抑制噪声光的反馈。同时，科研人员利用耦合模方法验证了这种设计方法的可行性。这种波分复用器相比目前报道的基于F-P单腔共振滤波的波分复用器的透射效率提高了50%以上。相关的成果于2011年6月20日发表在Optics Express上，论文题目为：Enhancement of transmission efficiency of nanoplasmonic wavelength demultiplexer based on channel drop filters and reflection nanocavities。 “新兴光器件及集成技术专题报告会”上发布《纳米光子学对光子技术更新换代的重要作用》精彩演讲。报告摘要;从上世纪70年代开始，光子学进入微光子学阶段，经过40年的研究，现在已经比较成熟。以半导体激光器为重点的研究已经逐渐转向对激光控制问题的研究和激光应用的研究。同时，光子技术已经进入光电子技术阶段，其特点是研究开发以电控光、光电混合的器件和系统。光电子技术已经逐步占领了电子技术原有的阵地。它的应用领域已经扩大到人类社会生活的各方面，如光通信与光网，平板显示、半导体照明、光盘存储、数码相机等。光电子产业迅速发展壮大起来。在经济发达国家，光电子产业的总产值已经可以与电子产业相比，甚至超过电子产业。近十年来，国际学术界开始大力发展纳光子学及其技术，使光电子技术与纳米技术相结合，对现有光电子技术进行升级改造。 与国际上科技发达的国家相比，目前我国微纳光子学的研究还不算落后，这从我国在微纳光子学领域发表的论文数量和投稿的杂志级别就可看出。但是我国的光子学研究论文大部分是理论方面的，大多数是跟踪国外的。由于国内缺乏先进的科学实验平台，特别是缺乏制备微纳光子学材料和器件的工艺条件，实验方面的论文比较少（除了少数与国外合作研究的论文），创新的思想无法得到实验验证。微光子学方面的情况尚且如此，在纳光子学方面，由于对仪器、设备、工艺和技术的要求更高，与国外的差距正在加大。 在光电子技术方面，由于国际经济的全球化和我国的改革开放形势，吸引跨国公司将制造、加工基地向我国转移。21世纪初光电子企业的大公司纷纷落户我国。而且大量资金投向我国沿海经济发达地区（如广东、上海和京津地区），建立起一大批中外合资或独资企业。但是这些外国企业或技术人员，控制着产业的高端技术，对我国实行技术垄断，使我国的光电子技术至今还处于“下游”，成为外向加工企业。大多数光电子企业采用这样的生产模式：购买国外的芯片进行器件封装，或者购买国外的器件进行系统组装。目前我国光电子企业严重缺乏核心技术和自主知识产权，无法抵御国际经济危机，面临着很大的风险。 为了加快我国的微纳光子学与相关光子技术的发展，我国应该集中投入一部分资金，凝聚一批高水平研究人才，在某些光电子企业集中的地区，依托光子学研究有实力的单位，采用先进的管理模式，建设我
临床医学检验事业单位招聘考试三基试题1 医学检验三基试题及答案一．A1 型选择题(共25 分) 各题选项可能多个正确，只能选择其中最佳的一项。 1．蛋白质在等电点条件下，其中的氨基与羧基：A．全部不解离B．全部解离C．解离数相等D．氨基解离＞羧基解离数E．氨基解离＜羧基解离数C 2．传染性单核细胞增多症的血清学诊断是根据病人血清含有一种抗体能与以下物质发生凝集：A．ⅪⅤ型肺炎球菌B．人"O" 型红细胞C．绵羊红细胞D．非洲淋巴细胞瘤病毒（EB 病毒）E．MG 株链珠球菌C 3．用于分离肠杆菌细菌的选择培养基，都含有一种共同的成分，它是：A．胆盐B．中性红C．乳糖D．蛋白胨E．氯化钠C 4．血钾、钠、氯、钙测定时，标本应置于A．石蜡油试管B．普通抗凝管C．胆汁培养基D．肝素抗凝管E．干燥清洁试管E 5．含LDH 丰富的组织是A．肝组织B．心脏C．红细胞D．肾组织E．脑组织A 6．精子能活动，但方向不定，常有回旋，应判为A．活动力良好B．活动力较好C．活动力不良D．无活力E．以上都不是B 7．混浊酸性尿加热后变清可能是A．草酸盐B．硫酸盐C．胱氨酸盐D．尿酸盐E．以上都不是D 8．间日疟原虫成熟裂殖体的裂殖子数目是A．6～12 个B．12～24 个C．24～36 个D．36～48 个E．＞48 个B 9．微生物学检查中常要求采集双份血清行血清学检查是因为A．早期血清分离病原体阳性率较高，可用以证实恢复期血清中抗体的特异性B．假如一份血清因污染等意外原因无法检查，还有另一份备用以保证得出结果C．相互验证，作为对照，以保证结果的可靠性D．观察抗体水平的消长，以排除非特异回忆反应E．只有采集双份血清才可能既检查抗原又检查抗体D 10．下列离子既能水解又能电离的是：A．NO3B．NH4+ C．HCO3D．HCOOE．SO42C 11．下列关于酸碱的叙述中，正确的是：A．盐酸和氨水等体积混和的水溶液显中性B．某弱酸的水溶液浓度越小，该酸的电离度越大C．磷酸比盐酸的酸性强D．因为氨分子不含氢氧根，所以不是碱B 12．寄生虫学免疫诊断皮内试验，24 小时后局部出现阳性反应属于A．Ⅰ型变态反应B．Ⅱ型变态反应C．Ⅲ型变态反应D．Ⅳ型变态反应E．非变态反应D 13．诊断日本血吸虫病最可靠的依据是A．疫水接触史B．粪便孵化毛蚴阳性C．血中嗜酸性粒细胞增多D．肝大左叶超过脐剑线中点E．脾大B 14．同离子效应使弱电解质电离度：A．增大B．不变C．减小D．在酸性溶液中增大C 15．100 毫升0.6mol／L 的氢氧化钠溶液加入等体积的0.4mol／L 的盐酸溶液，所得到的溶液的pH 值为：A．11.0 B．12.0 C．13.0 D．12.7 C 16．下列各盐水解后溶液显酸性是：A．硫化钠B．磷酸氢二钠C．硫酸亚铁D．醋酸钠C 17．关于抗凝概念，下列哪项最确切A．除掉或抑制血液中某些凝血因子B．结合钙离子C．减少纤维蛋白原D．加入抗凝血活酶E．加入抗凝血酶A 18．将0.23 克金属钠溶于水配成100 毫升溶液，其溶液pH 值为：A．1 B．2 C．7 D．13 D 19．血清学诊断最基本的原理是根据抗原抗体结合的A．可逆性B．表面性C．阶段性D．特异性E．比例性D
第二章光的干涉作业 1、在杨氏干涉实验中，两个小孔的距离为1mm，观察屏离小孔的垂直距离为1m，若所用光源发出波长为550nm和600nm的两种光波，试求： （1）两光波分别形成的条纹间距； （2）两组条纹的第8个亮条纹之间的距离。 2、在杨氏实验中，两小孔距离为1mm，观察屏离小孔的距离为100cm，当用一片折射率为1.61的透明玻璃贴住其中一小孔时，发现屏上的条纹系移动了0.5cm，试决定该薄片的厚度。 3、在菲涅耳双棱镜干涉实验中，若双棱镜材料的折射率为1.52，采用垂直的激光束（632.8nm）垂直照射双棱镜，问选用顶角多大的双棱镜可得到间距为0.05mm 的条纹。 4、在洛埃镜干涉实验中，光源S1到观察屏的垂直距离为1.5m，光源到洛埃镜的垂直距离为2mm。洛埃镜长为40cm，置于光源和屏的中央。（1）确定屏上看见条纹的区域大小；（2）若波长为500nm，条纹间距是多少？在屏上可以看见几条条纹？ 5、在杨氏干涉实验中，准单色光的波长宽度为0.05nm，
平均波长为500nm ，问在小孔S 1处贴上多厚的玻璃片可使P ’点附近的条纹消失？设玻璃的折射率为1.5。 6、在菲涅耳双面镜的夹角为1’，双面镜交线到光源和屏的距离分别为10cm 和1m 。设光源发出的光波波长为550nm ，试决定光源的临界宽度和许可宽度。 7、太阳对地球表面的张角约为0.0093rad ，太阳光的平均波长为550nm ，试计算地球表面的相干面积。 8、在平行平板干涉装置中，平板置于空气中，其折射率为1.5，观察望远镜的轴与平板垂直。试计算从反射光方向和透射光方向观察到的条纹的可见度。 9、在平行平板干涉装置中，若照明光波的波长为600nm ，平板的厚度为 2mm ，折射率为 1.5，其下表面涂上高折射率（1.5）材料。试问：（1）在反射光方向观察到的干涉圆环条纹的中心是亮斑还是暗斑？（2）由中心向外计算，第10个亮环的半径是多少？（f=20cm ）（3）第10个亮环处的条纹间距是多少？ P P ’
临床检验三基试卷 一、A1型题（共34题，共34分） 1.下列病原物与输血感染无关的是 A.梅毒螺旋体 B.疟原虫 C.弓形虫 D.HTLV E.钩端螺旋体 答案:E 2.溶血性输血反应主要是 A.由HLA抗原抗体反应所致 B.由Ig聚合体或抗原抗体反应所致 C.由红细胞血型不合所致 D.由输入HLA不合的T细胞所致 E.由于血浆蛋白过敏所致 答案:C 3.保存温度对血小板活性影响很大，适宜温度为 A.4～6℃ B.8～10℃ C.室温 D.18～22℃ E.20～24℃ 答案:E 4.血小板输注无效的最重要原因是 A.患者有发热 B.免疫性破坏 C.患者有严重感染 D.患者脾大 E.患者有消化道疾病 答案:B 5.ABO血型不合的新生儿溶血病患儿换血首选 A.O型红细胞＋AB型血浆 B.与患者同型的全血 C.AB型红细胞＋O型血浆 D.与母亲同型的全血 E.O型洗涤红细胞＋AB型血浆 答案:E 6.输全血不适宜于A.大手术 B.大创伤 C.大出血 D.粒细胞严重减少 E.换血 答案:D 7.非溶血性发热性输血反应首先考虑 A.Rh血型不合 B.ABO血型不合 C.血小板抗原抗体所致 D.白细胞抗原抗体所致 E.血浆蛋白所致 答案:D 8.弥散性血管内凝血（DIC）指的是 A.心、肝、肾等重要器官中有较多的血栓形成 B.全身小动脉内有广泛性的血栓形成 C.全身小静脉内有广泛的血栓形成 D.小动脉和小静脉内均有广泛性的血栓形成 E.微循环内有广泛的微血栓形成 答案:E 9.细菌性痢疾通常属于哪类炎症 A.纤维素性炎症 B.化脓性炎症 C.卡他性炎症 D.浆液性炎症 E.出血性炎症 答案:A 10.代偿性高血压心脏病的特点是 A.左心室扩张 B.左心室（向心性）肥大 C.肉柱变扁 D.心肌弥漫性纤维化 E.以上都不是 答案:B 11.良性肿瘤的异型性主要表现在 A.瘤细胞大 B.瘤细胞核大
硅基MEMS技术Ξ TECHNOLOG Y OF SI LICON2BASED MEMS 郝一龙1 张立宪1,2 李 婷1 张大成1 (1.北京大学微电子学研究所,北京100871) (2.中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室(LNM),北京100080) H AO Y ilong1 ZH AN G Lixian1,2 LI T ing1 ZH AN G Dacheng1 (1.Institution o f Microelectronics,Peking Univer sity,Beijing100871,China) (2.LNM,Institute o f Mechanics,Chinese Academy o f Sciences,Beijing100080,China) 摘要 结合ME MS技术的发展历史,概括了当今硅基ME MS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基ME MS加工技术的两条发展主线;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力以及三维加工。S OI技术是新一代的体硅工艺发展方向;标准化加工是ME MS研究的重要手段。 关键词 微电子机械系统 牺牲层 体硅工艺 深刻蚀 Abstract C oncerning the development history of ME MS technology,the present paper introduces a state2of2the2art developing direction of silicon2based ME MS machining,indicating that there are tw o main developing directions.One is sacrificial layers technology,and the other is bulk micromachining.Sacrificial layers technology is developing towards multiple layers and integration. Bulk2micromachining mainly includes combination of bonding and deep etching,pursuit to big mass and small stress,and three2 dimensional fabrications technology which is the developing direction of new body2silicon technology.S tandard process fabrication is becoming m ore and m ore im portant for ME MS study. K ey w ords Micro2electro2mech anical system;S acrificial layers;Bulk2microm achining technology;Deep etching Correspondent:H AO Yilong,E2mail:ylhao@https://www.doczj.com/doc/7815470644.html,,Fax:+86210262751789 The project supported by a subproject of“973Project”entitled M OE MS.C ontract(N o.G199********).And this project is als o supported by innovation project of C AS. Manuscript received20010610,in revised form20010828. 1 引言 微电子技术的巨大成功在许多领域引发了一场微小型化革命,以加工微米Π纳米结构和系统为目的的微米Π纳米技术(MicroΠNano T echnology)在此背景下应运而生。一方面利用物理化学方法将原子和分子组装起来,形成具有一定功能的微米Π纳米结构。另一方面利用精细加工手段加工出微米Π纳米级结构。前者导致了纳米生物学、纳米化学等边缘学科的产生,后者则在小型机械制造领域开始了新的一场革命,导致了微电子机械系统(micro2electro2mechanical system,缩写为ME MS)的产生。 制作ME MS的技术主要有三种。第一种是以美国为代表的利用化学腐蚀或集成电路工艺技术对硅材料进行加工,形成硅基ME MS器件。第二种是以日本为代表的利用传统机械加工手段,即利用大机器制造出小机器,再利用小机器制造出微机器的方法。第三种是以德国为代表的LIG A(德文Lithograpie———光刻、G alvanoformung———电铸和Abformung———塑铸三个词的缩写)技术,它是利用X射线光刻技术,通过电铸成型和铸塑形成深层微结构的方法。其中硅基加工技术与传统IC工艺兼容,可以实现微机械和微电子的系统集成,而且该方法适合于批量生产,已经成为目前ME MS的主流技术。 20世纪80年代美国U.C.Berkeley发明了表面牺牲层工艺,并采用该工艺制备了可动的微型静电马达(图1),引起了国际社会的极大轰动,人们发现集成电路技术的进一步发展可以制造可动部件。这一技术的发明使单片集成制作具有传感、信息处理、执行功能的新型芯片成为可能,ME MS技术的研究开始出现突飞猛进的发展。进入90年代,美国Analog Devices公司利用该技术实现了集成制作的微型加速度计的商品化,成功的应用于汽车中的防撞气囊控制,又一次产生极大反响,人们也充分认识到ME MS技术的巨大商业 Journal of Mechanical Strength机械强度2001,23(4):523～526Ξ20010610收到初稿,20010728收到修改稿。国家重点基础研究发展规划(973)项目———“集成微光机电系统研究”子项目(G199********)和中科院创新性研究项目资助。
三基考试试卷（检验科医师） 科室姓名分数 一、选择题 1、心肌梗塞时，血清中下列哪项的活性升高？（） A. LDH1 B.LDH2 C. LDH3 D. LDH4 2、在骨骼疾病的诊断酶学中最重要的酶是（） A．LDH B．CK C．ALP D．ACP 3、当严重创伤时，血钾（） A.无改变 B.明显降低 C.明显升高 D..变化随尿量而定 4、甲状腺功能亢进时下列说法正确的是？（） A、T3 T4下降TSH增高 B、T3 T4 TSH均下降 C、T3 T4TSH均增高 D、T3 T4增高TSH下降 5、在开展室内质控时,实验室应首先对实验方法进行下列哪项工作（） A.选择及评价 B.收集及分析 C.标准仪器 D.挑选最简便和实用的试剂 6、肠道病毒71型感染引起的少见而严重的并发症不包括（）病变： A. 中枢神经系统 B.肾脏 C. 肺脏 D. 心脏 7、新生儿在出生多少天后中性粒和淋巴大至相等？（） A 7-14 B10 C 14-21 D15 E6-9 8. 下列有关溶血反应结果判断的叙述中，错误的是（） A．试管内液体红色透明，静置后无细胞沉淀的为完全溶血 B．试管内液体浑浊，静置后有细胞沉淀的为不溶血 C．试管内液体红色透明，静置后有少量细胞沉淀的为不完全溶血 D．以产生完全溶血的最低稀释管作为最大有效反应管 9、关于毛细血管采血法,下列叙述中错误的是（） A.一般用三棱针或专用采血针 B.宜一人一针一管 C.针刺入皮肤深度以2~3mm为宜 D.如血流不畅可在刺处周围用力挤压 10、上消化道出血量至少多少才能使大便变黑？（） A 50-80ml B 100ml C 150ml D 500ml 二、填充题 1、“镜下血尿”是指红细胞每高倍视野超过（）个。 2、尿液检常一般须在（）小时内完成。 3、尿路结石最常见的成分是（）。 4、显微镜油镜的放大倍数和数值孔口径是（）×（）。
王楠 1032011322017 光学工程 微纳光学结构及应用 摘要：微纳光学结构技术是指通过在材料中引入微纳光学结构，实现新型光学功能器件。其中表面等离子体光学、人工负折射率材料、隐身结构，都是通过引入微纳结构控制光的衍射和传播，从而实现新的光学性能。从这个角度来讲，微纳光学结构的设计和制造是微纳光学发展的共性关键技术问题，微纳光学是新型光电子产业的重要发展方向。 关键字：微纳光学；纳米制造；微纳光学产业； Abstract：Micro-nano optical structure technology refers to through the introduction of micro-nano optical structure in the material, implement new optical functional devices. The surface plasmon optics, artificial negative refractive index materials, stealth structure, through the introduction of micro-nano structure control of light diffraction and transmission, so as to realize the new optical performance. From this perspective, micro-nano optical structure design and manufacture is the universal key technical problems in the development of micro-nano optics, micro-nano optics is a new important development direction of optoelectronic industry. Key words : micro-nano optics; nanofabrication; micro-nano optical industry 1微纳光学技术的多种应用 1）加工新型光栅 借助于大规模集成电路工艺技术，可以加工出新型的光栅。光栅是个实用性很强的基本光学器件，在23ARTICLE | 论文激光与光电子学进展2009.10光谱仪、光通信波分复用器件、激光聚变工程、光谱分析等领域中大量使用。传统的表面光栅不论是机械刻画光栅，还是全息光栅，其表面的光栅结构是很薄的。明胶或光折变体全息光栅的光栅厚度较厚，由于制造工艺的一致性、温度稳定性和长期稳定性问题，在实际应用时仍然有限制。 2）制作深刻蚀亚波长光栅 采用激光全息、光刻工艺和半导体干法刻蚀工艺可以加工出深刻蚀亚波长光栅。
2017年度医学检验三基试题及答案 姓名: 科室: 分数: 一、(共38分)题下选项可能多个正确,只能选择其中最佳的一项 1、β2-微球蛋白最主要的临床意义就是( ) A、肿瘤时增高 B、炎症时增高 C、监测肾小管功能 D、急性白血病增高 E、淋巴瘤有神经系统浸润时脑液中增高 2、静脉血的血浆(清)二氧化碳结合力正常值为( ) A、15～20mmol／L B、20～25mmol／L C、30～40mmol／L D、23～27mmol／L E、40～45mmol／L 3、欲配制0、1mol／L HCl溶液1000mL,应取12mol／L浓HCl多少mL( ) A、10mL B、12mL C、120mL D、83、3mL E、8、33mL 4、有关糖化血红蛋白的认识哪项有误( )A、HbA3为连接有己糖的HbA1称糖化血红蛋白B、在血红蛋白电泳的快动组分C、新发生的糖尿病病人糖化血红蛋白未见明显增高D、糖尿病被控制血糖下降后糖化血红蛋白亦迅速下降E、可作为糖尿病长期控制的良好指标 5、引起血小板减少的疾患就是( ) A、急性出血后 B、脾功能亢进 C、脾切除术后 D、真性红细胞增多症 E、急性化脓性感染 6、尿蛋白质定量测定不能用( ) A、丽春红S法 B、考马斯亮蓝法 C、艾氏法 D、双缩脲比色法 E、磺柳酸硫酸钠法 7、作为尿液生化自动分析仪的人工质控液不含( ) A、葡萄糖 B、尿胆原 C、蛋白质 D、酮体 E、血红蛋白 8、化脓细菌感染时,血常规不会出现( ) A、白细胞总数增多 B、中性粒细胞中度左移及毒性变化 C、嗜酸性粒细胞增加 D、淋巴细胞减少 E、中性粒细胞增多 9、影响电泳迁移率的因素有( ) A、电场强度 B、溶液pH值 C、溶液离子强度 D、电渗强度 E、溶液的氧饱与度 10、下列哪项不就是Westgard多规则质控方法的特点( ) A、12s就是警告规则,并启动Westgard多规则误差检查程序 B、13s就是失控信号,提示存在较大的随机误差 C、22s为失控信号,主要对系统误差敏感 D、41s主要对系统误差敏感 E、R4s与10X-主要对随机误差敏感 11、癌胚抗原的瞧法哪项不对( ) A、为糖蛋白B、恶性肿瘤时增高C、特异性高D、可用于手术后随访E、可用于监测化疗进展 12、基准物质不霉求( ) A、纯度高 B、组成恒定 C、低温储存 D、性质稳定 E、具有较大的摩尔质量 13、急性胰腺炎的生化检查指标为( ) A、肌酸激酶 B、肌酸激酶同工酶 C、乳酸脱氢酶 D、淀粉酶 E、碱性磷酸酶 14、混浊尿液加热后混浊消失就是( ) A、磷酸盐 B、碳酸盐 C、尿酸盐 D、草酸盐 E、无定形磷酸盐 15、下列哪一种指标对于肝、肾损坏,多发性骨髓瘤有一定的诊断及鉴别意义( ) A、血糖 B、血脂 C、血清蛋白质 D、血氨 E、淀粉酶 16、有关前清蛋白测定的意义哪项不对( ) A、作为组织修补的材料 B、与T6T3结合对T3亲与力更大 C、具有运载维生素A作用 D、急性炎症性肿瘤血浓度增加 E、肝硬化或肾炎时血浓度下降 17、属于生物源性的人体寄生线虫就是( ) A、蛔虫 B、钩虫 C、蛲虫 D、丝虫 E、鞭虫 18、血脂与脂蛋白测定常用于( ) A、心、脑血管疾病 B、泌尿系统疾病 C、肝脏疾病 D、心肌梗死 E、甲状腺功能亢进 19、下列哪项不正确( ) A、误差就是测量值与均值之间的差异 B、均值就是所有测量值的平均值 C、标准差就是指测定值与均值的离散程度 D、变异系数就是标准差与均值之比 E、误差有系统误差、偶然误差与过失误差3类 20、下列哪项不就是VIS特点( ) A、就是室间质评最常使用的计分方法 B、又称为变异指数得分 C、VI≤400时,VIS=VI D、VI>400时,VIS=400 E、无论VI 多大,VIS都等于VI 21、Ⅰ型糖尿病的特点不符合的就是( ) A、好发于青春期 B、需依赖补给胰岛素 C、很快出现"三多一少"症状 D、与组织相容性抗原有关 E、可能为自身免疫性疾病 22、丙氨酸氨基转移酶不就是( ) A、ALT B、GPT C、AST D、丙酮酸氨基转移酶 E、谷氨酸丙酮酸氨基转移酶 23、能引起志贺样腹泻(粘液脓血便)的大肠埃希菌就是( ) A、产肠毒素型大肠埃希菌(ETEC) B、肠致病性大肠埃希菌(EPEC) C、肠侵袭型大肠埃希菌(EIEC) D、肠出血型大肠埃希菌(EHEC) E、肠凝聚型大肠埃希菌(EaggEC) 24、下面哪个方法或试验不就是凝集反应( ) A、抗球蛋白试验 B、肥达试验 C、琼脂单向扩散 D、交叉配血 E、反向间接红细胞凝集试验 25、周围血液中不可能发现( ) A、血吸虫 B、弓形虫 C、微丝蚴 D、疟原虫 E、回归热螺旋体 26、NAD在340nm处的毫摩尔消光系数为( ) A、6、22×103 B、6、22×10-3 C、6、22 D、6、22×106 E、6、22×10-6 27、两差比值评价法评价白细胞计数常用于( ) A、集体考核 B、个人考核 C、对口检查 D、室内质量控制 E、白细胞分类的绝对值考核 28、MRSA的主要耐药机制就是( ) A、产生β-内酰胺酶 B、产生钝化酶 C、药物作用靶位的改变 D、抗菌药物渗透障碍 E、青霉素结合蛋白的改变
检验科“三基”训练考试试题及答案 检验科三基”训练考试试题及答案 一、A 型选择题（共60分）各题选项可能多个正确，只能选择其中最佳的一项 1. 检测尿中尿胆原时，加入氯化钡的作用是 A. 使尿胆原沉淀 B.使胆红素氧化 C.除去胆绿素 D.除去胆红素 E.使尿胆素沉淀 D 2. HCG 是哪一类蛋白质激素 A. 糖蛋白 B. 球蛋白 C. 粘蛋白 D. 白蛋白 E. 脂蛋白 A 3. 采用L-J 质控图进行质量控制，判断失控的标准是 A. X ± SD B. X ± 1.5SD C. X ± 2SD D. X ± 2.5SD E.X ± 3SD E 4. _ |X-X| 公式 X 100等于 X A. CV B. CCV C. OCV E 5. 关于复合半抗原的特点哪项不对 A. 单独刺激机体产生抗体 C. 能与抗体形成沉淀物 E. 能阻止完全抗原与相应抗体结合 A 6. 下列关于血浆白蛋白的叙述哪一项是正确的 ？ A. 是均一的蛋白质，只含有少量双硫键 D. RCV E. V B.能特异性结合抗体 D.能与载体结合成完全抗原
B.在生理pH条件下带负电荷 C.分子量小，故在维持血浆胶渗压中不起主要作用 D.在碱性介质中电泳时比所有球蛋白泳动慢 E.半饱和硫酸铵可使之从血浆中沉淀出来 B 7.不会引起CT延长的是 A.凝血因子缺乏 B.凝血酶生成障碍 C.抗凝物质增加 D.纤溶活性增强 E.纤维蛋白原浓度增加 E 8.下列试验中哪项是霍乱的快速诊断法： A.直接荧光抗体染色 B.环状沉淀试验 C.对流免疫电泳 D.霍乱红反应 E.COOmbs 反应 A 9?使用托盘天平的操作中，正确的作法是 A.用手直接拿砝码 B.将称量物直接放在托盘上 C.称量物放在右盘，砝码放在左盘 D.加砝码的顺序是先大后小 E.加砝码的顺序是先小后大 D 10.对于细菌，下列哪种说法是正确的 A.非细胞型微生物 B.原核细胞型微生物，有细胞壁 C.原核细胞型微生物，无细胞壁 D.真核细胞型微生物，有细胞壁 E.真核细胞型微生物，无细胞壁 B 11.免疫球蛋白分为五大类是根据： A.轻链的结构及抗原性不同 B.V区的结构及抗原性不同 C.轻链V区的结构及抗原性不同 D.重链的结构及抗原性不同 E.重链C区的结构及抗原性不同 E 12.血清抗体效价的平均水平计算常用 A.算术均数
武汉光电国家实验室分数 光电子微纳制造工艺平台2016年试卷 名称：超净间基本规范及安全培训考试时间：2016年 单位：机械科学与工程学院导师姓名黄永安学生姓名尹锋一．单选择题（60分） 1.化学试剂溅到身上，立即采用（喷淋头），用水冲洗15分钟。冲洗后，不要擦拭皮肤，必要时前往医院治疗。 2.穿着超净服时，（用脚套包住裤腿）。 3.超净间内使用（圆珠笔）。 4.从（风淋室）进入超净间。 5对超净间内各处的门，（轻轻）关门。 6.穿着（洁净鞋或者鞋套）进入更衣间。 7.清洗间清洗槽的排气风扇因故障停止，（继续）清洗。 8.冲洗容器的稀释液倒入（排水槽）。 9.手套破损，（立即更换）。 10.酸、碱及有机溶剂容器的盖子，使用后（立即锁紧盖子）。 11.超声清洗及其它清洗中，通风柜的门（处于半关闭位置）。 12. 废液待温度降至室温时，倒入（收集桶）。 13.稀释酸液时，（将酸慢慢倒入水中）。 14.化学试剂不小心溅到脸上或眼睛里，立即采用（洗眼池），用大量水冲洗15 分钟以上。联系平台领导及工程师协助立即前往医院就医，同时通知导师。 15.进清洗间，（戴）防护眼镜或面罩、耐酸碱手套。 16.发生火警时，从（安全门）跑出超净间，在A区北面广场集合，便于清点人
数。 17. 在工艺设备发生火灾时，如果火苗较小且没有过多烟雾时，同学们可使用 （CO2灭火器）灭火。 18.密闭房间内，氮气泄漏有（窒息）威胁。 19.光刻工艺在（黄色光）条件下进行。 20.（取得）操作许可证，才能独立操作设备 21.超净间级别由低到高依次为：（10000级、1000级、100级）。 22.进入超净间的个人动作顺序为： 2）脱一次鞋→穿上净化服→戴上净化帽→洗手→戴上口罩手套→进风淋室→入室； 23.要带入超净间的仪器、工具、硅片和掩模盒，请在（更衣室）进行清洁。 24.所有的瓶罐，不论有无冲洗过，若没有贴上危险物质标示贴，只能由（工作 人员）用水清洗。 25.（用镊子）拿硅片。 26.（N2O）为低毒类气体，发生泄漏时，在安全区域佩戴简易防护面罩手套，然 后前往特气室关闭钢瓶阀门及供气面板输出阀门。 27.（H2）为易燃易爆气体，为防止火星，操作时禁止使用手机，禁止穿化纤服 装，禁止穿铁掌皮鞋。同学们不得自行操作此类气体。 28.（PH3）为剧毒性气体，操作时需要戴放毒面具。同学们不得自行操作此类气 体。 29.光刻工艺对环境洁净度、温湿度要求高，在（百级）间进行。 30.金相显微镜、光刻机使用完毕后，在后续（没有人）使用情况下，一定要关
2017年三基理论知识竞赛试题 （考试时间：60分钟，满分：100分） 用题科室：临床科室 一、选择题（每一题下面有A、B、C、D、E五个备选答案。请从中 选择一个最佳答案，填写在题干后面的括号内，每题1分，共30分） 1．关于骨，下列哪项说法是正确的？（） A．成人骨内全是黄骨髓B．骺软骨终生不骨化 C．骨膜是由纤维结缔组织构成D．长骨的内腔容纳空气 E．颅骨的板障由骨密质构成 2．膈的三个裂孔（） A．腔静脉孔位于最前方B．主动脉裂孔位于最前方 C．食管裂孔仅有食管通过D．腔静脉孔中有下腔静脉和迷走神经通过 E．腔静脉孔位于膈的肌性部分 3．关于胆总管的叙述，下列哪项是正确的？（） A．由肝右管和肝左管汇合而成B．起始段在肝胃韧带内 C．经十二指肠上部的后方下行D．经胰头与十二指肠下部之间走行 E．直接开口于十二指肠大乳头 4．临床上进行腰穿是将针头刺入（） A．硬膜外隙B．硬膜下隙C．蛛网膜下隙D．马尾E．硬脑膜窦5．属于腹膜外位器官的是（） A．肝B．胆囊C．子宫D．十二指肠降部E．直肠上段 6．关于心尖的说法正确的是（） A．由左心室构成B．心尖切迹位于心尖的左侧C．由左、右心室构成D．在剑突左侧可摸到其搏动E．由右心室构成 7．关于肝门静脉的说法正确的是（） A．收集腹腔内全部不成对脏器的静脉血B．收集腹腔内成对脏器的静脉血C．多由肠系膜上、下静脉合成D．多由肠系膜下静脉和脾静脉合成E．多由肠系膜上静脉和脾静脉合成 8．参与提睾反射的神经是（）
A．阴部神经和闭孔神经B．阴部神经和股神经C．闭孔神经和生殖股神经D．股神经和生殖股神经E．生殖股神经和阴部神经 9．分泌的激素能控制碳水化合物代谢的是（） A．甲状旁腺B．松果体C．垂体后叶D．胸腺E．肾上腺皮质10．心肌正常收缩的起搏点是（） A．窦房结B．房室结C．房室束D．房室交点E．浦肯野纤维11．关节盘（） A．是连于两骨面之间的纤维软骨板B．附着于关节面周缘的骨面 C．表面覆盖有滑膜D．可将关节腔分成两部分 E．可减少关节的运动，增加关节的稳固性 12．阑尾的位置最多见的是（） A．回肠前位B．回肠后位C．盲肠下位D．盲肠前位E．盆位13．关于肝的叙述，下列哪项是正确的？（） A．位居右季肋区和腹上区B．全部被胸廓所掩盖 C．膈面后部没有腹膜被覆D．膈面借肝圆韧带分为左、右两叶 E．肝段的概念是依据肝静脉系统在肝内的分布情况提出的 14．关于卵巢的叙述，下列哪项是错误的？（） A．是女性生殖腺，又是一内分泌腺B．卵巢固有韧带内含有卵巢动、静脉C．被包于子宫阔韧带后层内D．呈内、外侧扁的卵圆形E．后缘游离15．哪个内分泌腺分泌的激素，能调节机体的基础代谢？（） A．垂体B．甲状腺C．甲状旁腺D．松果体E．肾上腺 16．下面哪项所列器官都不是腹膜内位器官？（） A．肾、肾上腺、乙状结肠、直肠B．直肠、盲肠、输尿管 C．肾、胰、脾、输卵管D．肝、胆囊、膀胱、子宫、十二指肠降部E．十二指肠和直肠 17．胸主动脉（） A．行于脊柱右侧B．在第10胸椎高度穿膈的主动脉裂孔 C．脏支较壁支粗，分布于气管、支气管和心包等 D．壁支较脏支粗，组成12对肋间后动脉 E．壁支有肋间后动脉、肋下动脉和膈上动脉 18．进入颅内并营养颅内结构的动脉有（） A．颈内、外动脉及锁骨下动脉B．颈内动脉及锁骨下动脉C．颈内、外动脉D．颈内动脉E．颈内动脉及椎动脉 19．静脉角位于（）
一、简答题： 1. 套准精度的定义,套准容差的定义。大约关键尺寸的多少是套准容差. 套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。 套准容差描述要形成图形层和前层的最大相对位移。 一般，套准容差大约是关键尺寸的三分之一。 2. 亚波长结构的光学特性。 亚波长结构的光学特性： -- 光波通过亚波长结构时，光的衍射消失，仅产生零级反射和透射，等效为薄膜，可用于抗反射元件和双折射元件； -- 采用空间连续变化的亚波长结构可获得偏振面的衍射，形成新型偏振器件； -- 表面等离子波亚波长光学利用表面等离子体波共振（SPR）原理：波导，小孔增强，局域增强等 4. 微电子的发展的摩尔定律是什么?何谓后摩尔定律？ 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律 5. 单晶、多晶和非晶的特点各是什么？
单晶：几乎所有的原子都占据着安排良好的规则的位置，即晶格位置；——有源器件的衬底 非晶：如SiO2, 原子不具有长程有序，其中的化学键，键长和方向在一定的围变化； 多晶：是彼此间随机取向的小单晶的聚集体，在工艺过程中，小单晶的晶胞大小和取向会时常发生变化，有时在电路工作期间也发生变化。 6. 半导体是导电能力介于___导体_____和___绝缘体_____之间的物质；当受外界光和热作用时，半导体的导电能力___明显变化______; _______往纯净的半导体中掺入某些杂质 _______可以使半导体的导电能力发生数量级的变化。 7. 在光滑的金属和空气界面，为什么不能激发表面等离子体波？ 对于光滑的金属表面，因为表面等离子体波的波矢大于光波的波矢，所以不能激发表面等离子体波。 8. 磁控溅射镀膜工艺中，加磁场的主要目的是什么？ 将电子约束在靶材料表面附近，延长其在等离子体中运动的轨迹，提高与气体分子碰撞和电离的几率 9. 谐衍射光学元件的优点是什么？ 高衍射效率、优良的色散功能、减小微细加工的难度、独特的光学功能
XXXXXX医院 临床三基三严试题 姓名:___________科室:__________得分：___________ 一、单选题：50分（每题2.5分） 1.外伤性气胸的病因，不包括：（） A.肺、支气管破裂 B.食管破裂 C.胸壁穿透伤 D.膈肌破裂 E.胸膜破损 2.患者发热时常出现：（） A.低渗性脱水 B.等渗性脱水 C.高渗性脱水 D.水中毒 E.水肿 3. 单或双人复苏时胸外按压与通气的比率为：（） A、30：2； B、15：2； C、30：1； D、15：1 4. 胸外按压的部位为：（） A、双乳头之间胸骨正中部 B、心尖部 C、胸骨中段 D、胸骨左缘第五肋间 5.鉴别心绞痛与急性心肌梗塞的主要依据是：（） A.胸痛部位及持续时间 B.心电图及血清酶学改变 C.心律失常 D.血压改变 E.硝酸甘油无效 6、尿毒症病人高血压最主要的原因是：（） A.肾素增多 B.促红素减少 C.水钠潴留 D.血管加压素增多 E.交感神经兴奋 7.医院感染与传染病的区别是:（） A.传染病的感染源主要是内源性 B.医院感染是由一种病菌引起一种特异性感染 C.医院感染的传播方式多见于食物、空气、水等 D.医院感染的易感者以健康人群为主 E.传染病的流行方式为人数多而明显 8.病程记录的书写下列哪项不正确：（） A.病程和体征的变化 B.检查结果及分析 C.各级医师查房及会诊意见 D.每天均应记录一次 E.临床操作及治疗措施
9.下列哪项属于甲类传染病:（） A.狂犬病 B.麻疹 C.肺结核 D.麻风病 E.霍乱 10.确定患者有无呼吸衰竭，下列指标中最有意义的是：（） A.血气分析 B.发绀 C.神志变化 D.呼吸困难 E.多汗 11.破伤风患者最常见的死因是：（） A.强烈痉挛引起的骨折 B.水、电解质平衡紊乱 C.急性肾衰竭 D.心力衰竭 E.窒息 12. 老年心力衰竭患者症状加重的最常见诱因是：（） A.过度劳累 B.摄入液体过多 C.心肌缺血 D.室性期前收缩 E.呼吸道感染 13.抢救急危患者，未能及时书写病历的，有关医务人员应当在抢救结束后几小时内据实补记，并加以注明：（） A.半小时 B.1小时 C.3小时 D.6小时 E、24小时 14.输入大量库存过久的血液容易导致：（） A.高钠血症 B.低钠血症 C.低钾血症 D.高钾血症 E.低镁血症 15.下列哪种疾病最易引起无痛性血尿:（） A.肾结核 B.肾结石 C.肾癌 D.肾母细胞瘤 E.肾脓肿 16.消除支气管哮喘气道炎症最有效的药物是：（） A.糖皮质激素 B.抗生素 C.抗组织胺药 D.p2受体激动剂 E.色甘酸钠 17.初期复苏的任务和步骤可归纳为：（） A.触大动脉确诊→进行人工呼吸→建立人工循环 B.胸外心脏按压→保持呼吸道通畅→进行人工呼吸 C保持呼吸道通畅→进行人工呼吸→胸外按压 D.心肺复苏→药物治疗→脑复苏 E进行人工呼吸→胸外按压→保持呼吸道通畅 18.确定心博呼吸骤停的诊断未：（） A. 意识突然丧失,颈动脉博动消失 B.点头呼吸 C.萎靡不振 D.口唇发绀 E.以上全不是 19.左侧面神经炎所致面神经麻痹的主要表现为：（） A、左眼睑不能闭紧，露齿时口角向右歪斜 B、右眼睑不能闭紧，露齿时口角向左歪斜