浸渗胶
什么是行业研究报告
行业研究是通过深入研究某一行业发展动态、规模结构、竞争格局以及综合经济信息等，为企业自身发展或行业投资者等相关客户提供重要的参考依据。
企业通常通过自身的营销网络了解到所在行业的微观市场，但微观市场中的假象经常误导管理者对行业发展全局的判断和把握。一个全面竞争的时代，不但要了解自己现状，还要了解对手动向，更需要将整个行业系统的运行规律了然于胸。
行业研究报告的构成
一般来说，行业研究报告的核心内容包括以下五方面：
行业研究的目的及主要任务
行业研究是进行资源整合的前提和基础。
对企业而言，发展战略的制定通常由三部分构成：外部的行业研究、内部的企业资源评估以及基于两者之上的战略制定和设计。
行业与企业之间的关系是面和点的关系，行业的规模和发展趋势决定了企业的成长空间；企业的发展永远必须遵循行业的经营特征和规律。
行业研究的主要任务：
解释行业本身所处的发展阶段及其在国民经济中的地位
分析影响行业的各种因素以及判断对行业影响的力度
预测并引导行业的未来发展趋势
判断行业投资价值
揭示行业投资风险
为投资者提供依据
2017-2022年中国浸渗胶市场监测及发展战略研究报告
【出版日期】2015年
【交付方式】Email电子版/特快专递
【价格】纸介版：7000元电子版：7200元纸介+电子：7500元【报告超链】https://www.doczj.com/doc/749452840.html,/report/201607/136245.html
报告摘要及目录
《2017-2022年中国浸渗胶市场监测及发展策略研究报告》由智研咨询公司领衔撰写，在大量周密的市场调研基础上，主要依据了国家统计局、国家商务部、国家发改委、国家经济信息中心、国务院发展研究中心、国家海关总署、知识产权局、智研数据中心提供的最新行业运行数据为基础，验证于与我们建立联系的全国科研机构、行业协会组织的权威统计资料。
报告揭示了浸渗胶行业市场潜在需求与市场机会，报告对中国浸渗胶行业做了重点企业经营状况分析，并分析了中国浸渗胶行业发展前景预测。为战略投资者选择恰当的投资时机和公司领导层做战略规划提供准确的市场情报信息及科学的决策依据。
报告目录：
第一章浸渗胶行业相关概述
第一节浸渗胶行业定义及分类
第二节浸渗胶行业管理体制
第三节浸渗胶行业生命周期
第四节浸渗胶行业在国民经济中地位
第五节浸渗胶行业投资特性分析
一、赢利性
二、成长速度
三、附加值的提升空间
四、进入壁垒／退出机制
五、风险性
六、行业周期性
七、竞争激烈程度指标
八、行业成熟度分析
九、盈利因素分析
十、盈利模式分析
第二章2016年中国浸渗胶行业经济、政策、技术环境分析
第一节2016年中国宏观经济环境分析
一、GDP历史变动轨迹分析
二、固定资产投资历史变动轨迹分析
三、消费价格指数CPI、PPI
四、全国居民收入情况
五、恩格尔系数
六、工业发展形势
七、财政收支状况
八、2016-2022年中国宏观经济发展预测分析
第二节中国浸渗胶行业主要法律法规及政策
第三节2016年中国浸渗胶产业社会环境发展分析
一、国内社会环境发展现状
二、社会环境发展分析
1、人口环境状况
2、教育、科学技术和文化
3、卫生和社会服务
4、资源、环境和安全生产
5、中国城镇化率
6、居民的各种消费观念和习惯
三、2016年浸渗胶行业市场环境分析
第四节2016年中国浸渗胶产业技术环境发展分析
第五节2016年中国浸渗胶产业技术发展现状及未来发展趋势分析第三章2011-2016年世界浸渗胶行业发展状况分析
第一节2011-2016年全球宏观经济发展回顾
第二节2011-2016年世界浸渗胶行业消费数据
第三节2011-2016年世界浸渗胶行业市场规模分析
第四节2011-2016年世界主要地区浸渗胶行业运行情况分析
一、美国
二、西欧
三、日本
第五节2011-2016年世界浸渗胶行业进出口贸易分析
第六节2016-2022年世界浸渗胶行业发展趋势分析
第四章2011-2016年中国浸渗胶市场供需分析
第一节中国浸渗胶市场供给状况
一、2011-2016年中国浸渗胶供给分析
二、中国浸渗胶供给相关因素分析
第二节中国浸渗胶市场需求状况
一、2011-2016年中国浸渗胶市场需求分析
二2011-2016年中国浸渗胶市场规模情况
三、中国浸渗胶市场细分领域分析
第三节2011-2016年中国浸渗胶市场价格回顾
第四节中国浸渗胶市场价格影响因素
第五章2011-2016年中国浸渗胶行业发展概况及竞争策略分析
第一节2011-2016年中国浸渗胶行业发展态势分析
第二节2011-2016年中国浸渗胶行业发展特点分析
第三节2011-2016年中国浸渗胶行业相关产品进出口分析第四节行业竞争结构分析
一、现有企业间竞争
二、潜在进入者分析
三、替代品威胁分析
四、供应商议价能力
五、客户议价能力
第五节浸渗胶市场竞争策略分析
一、浸渗胶市场增长潜力分析
二、浸渗胶产品竞争策略分析
三、典型企业产品竞争策略分析
第六章中国浸渗胶行业产业链分析
第一节浸渗胶行业产业链概述
第二节浸渗胶上游产业发展状况分析
一、上游原料市场发展现状
二、上游原料生产情况分析
三、上游原料价格走势分析
第三节浸渗胶下游应用需求市场分析
一、行业发展现状分析
二、行业生产情况分析
三、行业需求状况分析
四、行业需求前景分析
第七章2016年中国浸渗胶行业竞争格局分析
第一节中国浸渗胶行业竞争格局综述
一、浸渗胶行业竞争概况
二、中国浸渗胶行业竞争力分析
三、中国浸渗胶产品（服务）竞争力优势分析
四、浸渗胶行业主要企业竞争力分析
第二节2015- 2016年浸渗胶行业竞争格局分析
一、2015-2016年国内外浸渗胶竞争分析
二、2015-2016年我国浸渗胶市场竞争分析
三、2015-2016年我国浸渗胶市场集中度分析
四、2015-2016年国内主要浸渗胶企业动向
五、2015-2016年国内浸渗胶企业拟在建项目分析
第三节浸渗胶市场竞争策略分析
第四节2016年我国浸渗胶行业SWOT分析
第八章2010-2015年中国浸渗胶所属行业数据监测分析第一节2010-2015年中国浸渗胶所属行业规模分析
一、企业数量分析
二、资产规模分析
三、销售规模分析
四、利润规模分析
第二节2010-2015年中国浸渗胶所属行业产值分析
第三节2010-2015年中国浸渗胶所属行业成本费用分析
一、成本费用结构变动趋势
二、销售成本分析
三、销售费用分析
四、管理费用分析
五、财务费用分析
第四节2010-2015年中国浸渗胶所属行业运营效益分析
一、资产收益率分析
二、销售利润率分析
三、总资产周转率分析
四、流动资产周转率分析
五、销售增长率分析
六、利润增长率分析
七、资产负债率分析
第九章中国浸渗胶行业区域市场分析
第一节华北地区浸渗胶行业发展现状及趋势分析
一、华北地区区域特征及经济现状
二、华北地区浸渗胶行业发展现状及规模统计
三、华北地区浸渗胶行业发展前景预测
第二节东北地区浸渗胶行业发展现状及趋势分析
一、东北地区区域特征及经济现状
二、东北地区浸渗胶行业发展现状及规模统计
三、东北地区浸渗胶行业发展前景预测
第三节华东地区浸渗胶行业发展现状及趋势分析
一、华东地区区域特征及经济现状
二、华东地区浸渗胶行业发展现状及规模统计
三、华东地区浸渗胶行业发展前景预测
第四节华南地区浸渗胶行业发展现状及趋势分析
一、华南地区区域特征及经济现状
二、华南地区浸渗胶行业发展现状及规模统计
三、华南地区浸渗胶行业发展前景预测
第五节华中地区浸渗胶行业发展现状及趋势分析
一、华中地区区域特征及经济现状
二、华中地区浸渗胶行业发展现状及规模统计
三、华中地区浸渗胶行业发展前景预测
第六节西南地区浸渗胶行业发展现状及趋势分析
一、西南地区区域特征及经济现状
二、西南地区浸渗胶行业发展现状及规模统计
三、西南地区浸渗胶行业发展前景预测
第七节西北地区浸渗胶行业发展现状及趋势分析
一、西北地区区域特征及经济现状
二、西北地区浸渗胶行业发展现状及规模统计
三、西北地区浸渗胶行业发展前景预测
第八节区域总结
一、中国浸渗胶行业区域市场规模结构分析
二中国浸渗胶行业区域市场规模结构未来变化趋势
第十章我国浸渗胶行业典型企业经营态势分析
第一节企业1
一、浸渗胶概况
二、浸渗胶竞争优势分析
三、浸渗胶经营状况分析
四、2016-2022年企业发展战略分析
第二节企业2
一、浸渗胶概况
二、浸渗胶竞争优势分析
三、浸渗胶经营状况分析
四、2016-2022年企业发展战略分析
第三节企业3
一、浸渗胶概况
二、浸渗胶竞争优势分析
三、浸渗胶经营状况分析
四、2016-2022年企业发展战略分析
第四节企业4
一、浸渗胶概况
二、浸渗胶竞争优势分析
三、浸渗胶经营状况分析
四、2016-2022年企业发展战略分析
第五节企业5
一、浸渗胶概况
二、浸渗胶竞争优势分析
三、浸渗胶经营状况分析
四、2016-2022年企业发展战略分析
第十一章2016-2022年中国浸渗胶行业发展趋势与前景分析第一节2016-2022年中国浸渗胶行业投资前景分析
一、浸渗胶行业投资现状
二、浸渗胶行业发展前景
三、浸渗胶发展趋势分析
第二节2016-2022年中国浸渗胶行业投资风险分析
一、产业政策分析
二、原材料风险分析
三、市场竞争风险
四、技术风险分析
第三节2016-2022年浸渗胶行业投资策略及建议
第十二章浸渗胶行业供需平衡预测分析
第一节2016-2022年中国浸渗胶行业产量预测
第二节2016-2022年中国浸渗胶行业需求量预测
第三节2016-2022年中国浸渗胶行业市场规模预测
第四节2016-2022年中国浸渗胶行业价格走势
图表目录：
图表：2013-2016年国内生产总值及其增长速度
图表：2013-2016年国内生产总值增长速度（累计同比）
图表：2013-2016年全社会固定资产投资及其增长速度
图表：2016年我国居民消费价格上涨情况（月度同比）
图表：2013-2016年我国城镇居民人均可支配收入实际增长速度
图表：2013-2016年我国农村居民人均收入实际增长速度（累计同比）图表：2013-2016年公共财政收入及其增长速度
图表：2016年末全部金融机构本外币存贷款余额及其增长速度
图表：2016年我国汇率变化情况
图表：我国人民币存贷款基准利率历次调整一览表
图表：2013-2016年我国存款准备金率调整一览表
图表：2008-2016年社会消费品零售总额及其增长速度
图表：2013-2016年我国货物进出口总额
图表：2016年末人口数及其构成
图表：2013-2016年城镇新增就业人数
图表：2013-2016年国内生产总值与全部就业人员比率
图表：2013-2016年农村居民人均纯收入
图表：2013-2016年城镇居民人均可支配收入
图表：2013-2016年高等教育、中等职业教育及普通高中招生人数
图表：2013-2016年研究与试验发展（R&D）经费支出
图表：2013-2016年卫生技术人员人数
图表：2010-2016年我国浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年我国华北地区浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国华北地区浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年我国东北地区浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国东北地区浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年我国华东地区浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国华东地区浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年我国华中地区浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国华中地区浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年我国华南地区浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国华南地区浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年我国西南地区浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国西南地区浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年我国西北地区浸渗胶行业市场规模走势图
图表：2016-2022年我国西北地区浸渗胶行业市场规模预测
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业企业数量增长趋势图
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业资产规模增长分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业销售规模增长分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业利润规模增长分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业产成品增长分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业总产值分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业成本费用结构变动趋势图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业销售成本分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业销售费用分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业管理费用分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业财务费用分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业资产收益率分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业销售利润率分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业总资产周转率分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业流动资产周转率分析图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业销售增长率分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业利润增长率分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业资产负债率分析
图表：2010-2016年中国浸渗胶所属行业流动比率分析
市场行业报告相关问题解答
1、客户
我司的行业报告主要是客户包括企业、风险投资机构、资金申请评审机构申请资金或融资者、学术讨论等需求。
2、报告内容
我司的行业报告内容充实，报告包括了行业产品定义、行业发展现状（产品产销量、产品生产技术等）、行业发展最新动态以及行业发展趋势预测等。对购买者认识和投资该行业起到初级作用。
3、报告重点倾向
我司的行业报告重点倾向主要包括：行业相关数据、行业企业数据、行业市场相关数据等。报告侧重点略有差异，具体情况看报告结构目录。
4、我们的团队
我们的团队人员组成各高校的知名导师、行业高管的人员和经验丰富的市场调查人员。
我们的团队人员对客户需求定位精准，能抓住项目精华，以合适的文字图表和图形展示项目投资价值。对行业或具体产品的投资特性、市场规模、供求状况、行业竞争状况（结构与主要竞争企业）、发展趋势等进行分析和论证，寻求规律、发展机会、现存问题的解决方案、做大做强的对策等等。
我司研究员在信息、理念、创新思维上具有开拓性给客户服务提高到一个新的层次。
5、报告数据来源
我司报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。
浸渗胶行业报告特点
浸渗胶行业环境：我们的环境分析主要包括国外相关行业发展现状和趋势、行业相关政策法规整理以及国内宏观经济发展现状等。
浸渗胶行业结构：我们行业结构分析主要包括产品市场消费需求结构、行业投资主体性质结构以及行业生产主体结构等等。
浸渗胶行业市场：我们的行业市场分析对行业产品整个供求状态以数据或文字方式表述、对行业市场现状呈现的特点进行概述，并对行业市场未来发展趋势进行科学预测。
浸渗胶行业企业：我们的行业企业分析主要包括行业企业发展历程、企业组织结构、企业相关财务数据和指标、企业竞争优劣势分析等。
浸渗胶行业成长性：我们的行业成长性分析主要包括行业所属生命周期的位置，行业投资增长性，行业近几年发展速度情况以及未来市场增长速度等。
我司报告特色：在研究内容上突出全方位特色，报告以本年度最新数据的实证描述为基础，全面、深入、细致地分析各行业的市场供求、进出口形势、投资状况、发展趋势和政策取向以及主要企业的运营状况，提出富有见地的判断和投资建议；在形式上，报告以丰富的数据和图表为主，突出文章的可读性和可视性，避免套话和空话。报告附加了与行业相关的数据、政策法规目录、主要企业信息及行业的大事记等，为投资者和业界人士提供了一幅生动的行业全景图。
公司介绍
北京智研科信咨询有限公司是一家专业的调研报告、行业咨询有限责任公司，公司致力于打造中国最大、最专业的调研报告、行业咨询企业。拥有庞大的服务网点，公司高覆盖、高效率的服务获得多家公司和机构的认可。公司将以最专业的精神为您提供安全、经济、专业的服务。
公司致力于为各行业提供最全最新的深度研究报告，提供客观、理性、简便的决策参考，提供降低投资风险，提高投资收益的有效工具，也是一个帮助咨询行业人员交流成果、交流报告、交流观点、交流经验的平台。依托于各行业协会、政府机构独特的资源优势，致力于发展中国机械电子、电力家电、能源矿产、钢铁冶金、服装纺织、食品烟酒、医药保健、石油化工、建筑房产、建材家具、轻工纸业、出版传媒、交通物流、IT通讯、零售服务等行业信息咨询、市场研究的专业服务机构。经过智研咨询团队不懈的努力，已形成了完整的数据采集、研究、加工、编辑、咨询服务体系。能够为客户提供工业领域各行业信息咨询及市场研究、用户调查、数据采集等多项服务。同时可以根据企业用户提出的要求进行专项定制课题服务。服务对象涵盖机械、汽车、纺织、化工、轻工、冶金、建筑、建材、电力、医药等几十个行业。
A. 北京智研科信咨询有限公司于2008年注册成立，是国内较早开展竞争情报、市场调研、产业研究及专项研究为主的调查研究机构之一，凭借其专业的研究团队，先进的研究技术在此领域一直处于绝对的优势和领先地位：
a）拥有全国百万家企业基础数据库
b）全国各地分支网络和严格的调查控制流程，使我们有足够的知识和能力向客户提供高质量服务。
c）超过200多个研究项目的成功案例
d）研究领域覆盖能源、化工、机械、汽车、电子、医疗等诸多行业
e）典型客户包括巴斯夫、杜邦、阿克苏诺贝尔、强生、福特、联想等国内外知名企业
B.智研咨询调研（行业研究）说明
a）行业研究部分智研咨询主要采用行业深度访谈和二手资料研究的方法：
b）通过对厂商、渠道、行业专家，用户进行深入访谈，对相关行业主要情况进行了解，并获得相应销售和市场等方面数据。
c）二手资料收集，对部分公开信息进行比较，参考用户调研数据，最终获得行业规模的数据。
d）智研科信具有获得一些非公开信息的渠道：
e）政府数据与信息
f）相关的经济数据
g）行业公开信息
h）企业年报、季报
i）行业资深专家公开发表的观点
j）精深严密的数理统计分析
我们的服务领域
行业研究报告范文（节选）
2015-2020年中国萤石行业市场分析与投资机遇研究报告报告目录：
第一章世界萤石采选加工产业运行态势分析
第一节世界萤石采选产业运行总况
一、世界萤石储量及分布情况
二、世界萤石消费分析
三、世界萤石国际贸易情况分析
第二节世界主要代表性国家萤石资源利用现状
一、北美（美国、墨西哥）
二、欧洲（俄罗斯、西班牙）
三、非洲（南非、肯尼亚）
第三节全球主要生产企业简介
一、墨西哥MEXICHEM
第三章中国萤石采选加工行业运行形势透析
第五节中国萤石市场需求消费情况分析
一、中国萤石市场容量
二、中国萤石需求结构
第六章2008-2013年中国萤石市场进出口数据分析
第一节2008-2013年中国按重量计氟化钙含量≤97%的萤石进出口统计
一、2008-2013年中国按重量计氟化钙含量≤97%的萤石进口统计
二、2008-2013年中国按重量计氟化钙含量≤97%的萤石出口统计
三、2008-2013年中国按重量计氟化钙含量≤97%的萤石进出口价格对比
四、2013年中国按重量计氟化钙含量≤97%的萤石进出口主要来源地及出口目的地
一、项目背景 光刻胶是一类利用光化学反应进行精细图案转移的电子化学品。光刻胶在曝光区域发生化学反应，造成曝光和非曝光部分在碱液中溶解性产生明显的差异，经适当的溶剂处理后，溶去可溶部分，得到所需图像。根据化学反应机理，分负性胶和正性胶两类。经曝光、显影后，发生降解反应，溶解度增加的是“正性胶”;发生交联反应，溶解度减小的是“负性胶”。 通常负性胶的灵敏度高于正性胶，而正性胶的分辨率高于负性胶，正性胶对比度高度负性胶。 二、项目特点 1)感光度，指在胶膜上产生一个良好图形所需一定波长的光的能量值，即曝光量。 2)分辨率，是光刻工艺的一个特征指标，表示在基材上能得到的立体图形良好的最小线路； 3)对比度，指光刻胶从曝光区域到非曝光区域过渡的陡度，对比度越好，得到的图形越好； 4)残膜率，经曝光显影后，未曝光区域的光刻胶残余量； 5)涂布性，光刻胶在基材表面形成无针孔、无气泡、无缺陷、膜厚均一； 6)耐热性，光刻工艺中，经过前烘使光刻胶中的溶剂蒸发，得到膜厚均一的胶膜；经过后烘，进一步蒸发溶剂，提高光刻胶在显影后的致密度，增强胶膜与基板的粘附性。这两个过程都要求光刻胶有一定的耐热性； 7)粘附性，蚀刻阶段，光刻胶有抗蚀刻能力； 8）洁净度，对微粒子和金属离子含量等材料洁净度的影响； 三、项目开发价值 a. 如何提高显影质量，光刻胶在显影过程中，通常会出现显影不足、不完全显影、过显影等问题，如何正确显影至关重要； b.如何提高对比度，光刻胶形成图形的侧壁越陡峭，对比度越好，质量越高； c. 如何进一步提高分辨率，光刻胶在集成电路的应用等级，分为普通宽普光刻胶、g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的EUV （＜13.5nm）线水平。等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度就越大，性能越好。 d.如何提高去胶率，无论是湿法去胶还是干法去胶，光刻胶去除工艺都需要在低材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶及其残留物去除效果之间取得平衡；
KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案 进入45/40nm技术节点以后，由于受到分辨率的限制，双栅极蚀刻光刻胶由之前通用的i-line （波长365nm）改成KrF（波长248nm）。另一方面，为减少栅极氧化层（Gate Oxide）去除后对硅表面的损伤，业界普遍将栅极氧化层湿法蚀刻药剂由蚀刻率较快的BOE （DHF+NH4F）改为DHF，导致蚀刻率极大的降低，从而导致湿法蚀刻工艺时间成几倍增加。而KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物（polymer）等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落（melt and peeling），在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面，从而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性最终影响器件良率。 又由于目前业界栅极氧化层湿法蚀刻普遍采用在酸槽(wet bench)中的成套工艺，即在同一个酸槽设备里连续经过去氧化层，去光刻胶和去polymer的工艺流程，最后得到清洁的wafer表面，即使在中间过程(去氧化层)中出现光刻胶脱落残留而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性，但由于栅极氧化层通常很薄(50～60A)不会形成色差，所以很难检查得到。
在栅极氧化层湿法蚀刻开发过程中，我们加入中间过程缺陷检测步骤，即在DHF去氧化层后的缺陷检测，结果发现大量的光刻胶脱落残留现象。 根据实验数据和材质特性，我们从不同层面进一步分析了产生光刻胶残留缺陷的机理。一方面是KrF光刻胶本身所具有的疏水性。光酸（PAG）在曝光的作用下产生助剂（Inhibitor），然后助剂经过烘焙产生可溶物最后被溶剂溶解，非曝光的部分也就是最终留下来的光刻胶将被当作湿法刻蚀的非蚀刻区阻挡层。最终这层作为阻挡层的KrF光刻胶含有甲基自由基等而形成疏水性。这种疏水性不利于被酸液浸泡后生成的光刻胶脱落残留的溶解。如前所述，KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落，在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面。
Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期 F i n e and Specialty Che m ica ls2006年8月21日市场资讯 光刻胶的发展及应用 郑金红* (北京化学试剂研究所,北京100022) 摘 要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。 关键词:集成电路;光刻胶;感光剂 D evelop m ent T rends and M arket of Photoresist Z HENG J in hong (Be iji ng Instit u te o f Che m ica l R eagents,Be iji ng100022,Chi na) Abstrac t:The deve l op m ent course and app licati on o f photoresist i n Chi na and abroad we re i ntroduced.The m arket sta t us and head i ng d irec tion o f pho toresist in Ch i na and abroad w ere also analyzed.T he research f o cuses and deve l op m ent trends of pho t o res i st i n Ch i na w ere descri bed. K ey word s:i n teg ra ted c ircuit;photoresist;photosensiti zer 光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。 现代微电子(集成电路)工业按照摩尔定律在不断发展,即集成电路(I C)的集成度每18个月翻一番;芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加1 5倍,芯片中的晶体管数增加约4倍,即每过3年便有一代新的集成电路产品问世。现在世界集成电路水平已由微米级(1 0 m)、亚微米级(1 0~0 35 m)、深亚微米级(0 35 m以下)进入到纳米级(90~65nm)阶段,对光刻胶分辨率等性能的要求不断提高。因为光刻胶的可分辨线宽 =k /NA,因此缩短曝光波长和提高透镜的开口数(NA)可提高光刻胶的分辨率。光刻技术随着集成电路的发展,也经历了从g线(436nm)光刻,i线(365nm)光刻,到深紫外248nm光刻,及目前的193nm光刻的发展历程,相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。随着曝光波长变化,光刻胶的组成与结构也不断地变化,使光刻胶的综合性能满足集成工艺制程的要求。 表1为光刻技术与集成电路发展的关系,其中光刻技术的变更决定了光刻胶的发展趋势。 1 国外光刻胶发展历程及应用 光刻胶按曝光波长不同可分为紫外(300~ 450nm)光刻胶、深紫外(160~280n m)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。根据曝 24 *收稿日期:2006 07 19 作者简介:郑金红(1967 ),女,北京化学试剂研究所有机室主任,教授级高工,主要从事微电子化学品光刻胶的研究工作。
《中国硅酮密封胶行业供需现状与市场渠道发展前景趋势分析》 更新日期：2020新版 【版本：2020新版】
目录 第一章2019-2020年中国硅酮结构密封胶行业生产分析 (4) 第一节2019-2020年中国硅酮结构密封胶生产总量分析 (4) 一、2019-2020年中国硅酮结构密封胶行业生产总量及增速 (4) 二、2019-2020年中国硅酮结构密封胶行业产能及增速 (4) 三、国内外经济形势对硅酮结构密封胶行业生产的影响 (5) 四、2020-2025年中国硅酮结构密封胶行业生产总量预测 (5) 第二节2019-2020年中国硅酮结构密封胶细分区域生产分析 (6) 第三节2019-2020年中国硅酮结构密封胶行业供需平衡分析 (7) 一、硅酮结构密封胶行业供需平衡现状 (7) 二、国内外经济形势对硅酮结构密封胶行业供需平衡的影响 (7) 三、硅酮结构密封胶行业供需平衡趋势预测 (7) 第四节2019-2020年中国硅酮结构密封胶行业发展现状 (8) 一、中国硅酮结构密封胶行业发展现状分析 (8) 二、硅酮结构密封胶技术已达到世界水平 (9) 三、中国硅酮结构密封胶行业需求市场现状 (10) 四、硅酮结构密封胶前景及未来发展趋势分析 (10) 第二章2019-2020年中国硅酮结构密封胶行业市场销售渠道分析 (11) 第一节2019-2020年中国硅酮结构密封胶市场销售终端的基本类型 (11) 一、硅酮结构密封胶的分布格局 (11) 二、硅酮结构密封胶市场的主要销售模式 (12) 第二节中国硅酮结构密封胶企业主要渠道模式分析 (13) 一、区域代理 (13) 二、厂家直销 (13) 第三节中国硅酮结构密封胶营销策略变化 (13) 一、传播策略 (13) 二、渠道策略 (13) 三、产品线组合策略 (14) 四、厂商关系 (15)
华飞微电子：国产高档光刻胶的先行者 光刻胶是集成电路中实现芯片图形转移的关键基础化学材料，在光刻胶的高端领域，技术一直为美国、日本厂商等所垄断;近年来，本土光刻胶供应商开始涉足高档光刻胶的研发与生产，苏州华飞微电子材料有限公司就是其中一家。 据华飞微电子总工程师兼代总经理冉瑞成介绍，目前华飞主要产品系列为248nm成膜树脂及光刻胶，同时重点
研发1Array3nm成膜树脂及光刻胶和高档专用UV成膜树脂及光刻胶。 冉瑞成表示，248nm深紫外光刻胶用于8-12英寸超大规模集成电路制造的关键功能材料，目前的供应商基本来自美国、日本，国内企业所用光刻胶全部依赖进口。华飞微电子从2004年8月创办以来，先后投入2000万元研制248纳米深紫外光刻胶及其成膜树脂产品。公司聘请了海内外的相关专家，建成了一支强有力的技术团队。经过两
年的努力取得了重大突破，其深紫外DUV光刻胶能够在248nm曝光下使分辨率达到0.25-0.18?，达到了国外最先进的第三代化学增幅型同类产品技术性能指标;2006年10月，华飞微电子248nm光刻胶及其成膜树脂的中试生产均通过了信产部的技术鉴定，成为目前中国唯一掌握该项技术的企业。 冉瑞成介绍说，华飞在苏州新区拥有一套500加仑/年、可年产20吨成膜树脂、100吨以上深紫外高分辨率光
刻胶的生产系统，已基本完成配方评价，可以进入生产程序;公司还研制出了生产光刻胶的核心材料成膜树脂，完成5个系列15个品种的中试，并具备了规模化生产的条件;厚胶主要应用于4-6英寸集成电路制造、先进封装和MEMS 的制造，业已和国内先进封装公司展开UV胶研制合作。目前，华飞公司还承担了国家863计划“1Array3纳米光刻胶成膜树脂设计及工程化制备技术开发”项目。 随着IC特征尺寸向深亚微米方向快速发展，光刻机的
应用科技 国外光刻胶及助剂的发展趋势 中国化工信息中心 王雪珍编译 光刻是半导体产业常用的工艺，借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程，不过其所用化学品不同。 每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中，硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里，光刻费用飞速上涨，其中最重要的花费在半导体领域。光刻工艺花费了硅片生产大约35%的费用，一个典型的例子是，在一个价格在50万欧元（合65万美元）的90nm 的光掩膜技术中，其光刻机花费是1000万欧元（合 1300万美元）。而这个费用比例在以后的生产装置和工艺中 还将不断提高。 在半导体产业中，常用的光刻胶有正型光刻胶与负型光刻胶两种。正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍，这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率，可以用于微小精细的电路，同时，正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。 光刻胶根据其辐照源进行分类，对于光致抗蚀技术来说，集成电路的最小特征尺寸受光源波长所限。由于集成电路越来越小，因此新光源和光刻胶联合使用以达到这一目的。一项联合了曝光波长为248nm 和193nm 的技术可以得到高分辨率的图案，其结果甚至比90nm 曝光波长的技术要来得好一些。一些光学技术可以扩大这个范围，但是其最终限制条件是光的频率。 光刻胶技术和制造 光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物，用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系，主要包括感光物质（PAC ）、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。 当光刻胶暴露在光源或者是紫外辐照源条件下时，其溶解度发生了改变：负型光刻蚀剂变为不溶，正型光刻胶变为可溶。大多数负型光刻蚀剂可以归为两种类型，一种是二元体系：大量的聚异戊二烯树脂和叠氮感光化合物；另外一种是一元体系：缩水甘油甲基丙烯酯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛树脂和重氮萘醌感光物质的基础之上的。使用248nm 曝光波长要求光刻胶使用乙酰氧基苯乙烯单体。通过4-乙酰氧基苯乙烯单体的自由基聚合，醋酸酯选择性地转换成酚醛，以及将其与其他反应性单体的化合，可以制备出许多用于远紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm 曝光波长时是相对透明的。 预计未来5年，使用聚羟基苯乙烯树脂的化学增幅抗蚀剂将成为主流。远紫外光刻胶也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。 通常说来，感光化合物例如二芳基叠氮和重氮萘醌是易爆化学制品。所以，光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性，以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且，其发展趋势是替换掉具有危害的溶剂，而选用对环境无污染的无毒产品。 在低密度远紫外辐照和其他替代i 线和g 线辐照源发展大趋势的刺激下，化学增幅抗蚀剂成为一个发展快速的热点领域。在化学增幅抗蚀剂领域，由于辐照源的匮乏，势必导致一种催化的东西产生，通常为中子源。在曝光的加热处理后，催化剂会引起树脂中组分发生复杂反应，这种反应将最终产生光刻图案。目前正型光刻胶体系和负型光刻胶体系都有了较好的发展。 集成电路 收稿日期：2009-04-23 作者简介：王雪珍（1983-），女，主要从事电子化学品、可降解塑料和食品添加剂的信息研究工作 。 12
目录 目录 (1) 一、什么是光刻胶 (3) 二、光刻胶的分类 (3) 三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3) 四、光刻胶的发展及应用 (6) 五、国内光刻胶的现状和应用 (8) 六、相关技术资料 (9) 1.液态光成像阻焊油墨（供借鉴） (9) 2.UV可剥性涂料（供借鉴） (9) 3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质（供借鉴） (10) 4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质（供借鉴） (10) 5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究（供借鉴） (11) 6.酚醛感光材料的研究材料（供借鉴） (12) 7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13) 8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13) 9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14) 10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14) 七、市场上的产品介绍 (14) 1.北京恒业中远化工有限公司 (15) 聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15) 双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂（环化橡胶类负型光致抗蚀剂） (15) 聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15) 邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15) 2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16) 3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16) 4.苏州锐材半导体有限公司 (17) 5.国外G,H,I线光刻胶 (17) 6.瑞士SU-8光刻胶 (17) 八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)
九、初步方案(待深入分析) (18) 1.丙烯酸基光刻胶 (18) 2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18) 3.聚酯类类负性光刻胶 (19) 4.环化橡胶类负性光刻胶 (19) 5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)
光刻胶行业现状分析 ▌国产光刻胶现状 光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，按应用领域可分为PCB（线路板）用、平板显示（LCD、LED）用和半导体用三类，目前国内市场上绝大多数厂商生产的产品为前两者。 在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，占芯片制造时间的40%~50%，光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。 为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向g线（436nm）→i线（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→F2（157nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 目前半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。 半导体用光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中，日美企业基本垄断了g/i线光刻胶、KrF/ArF光刻胶市场，生产商主要有JSR、信越化学工业、TOK、陶氏化学等。 国产光刻胶发展起步较晚，与国外先进光刻胶技术相比国内产品落后4代，目前主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品，虽然PCB领域已初步实现进口替代，但LCD 和半导体用光刻胶等高端产品仍需大量进口，正处于由中低端向中高端过渡阶段。 随着国家层面对半导体在资金、政策上的大力支持，国内光刻胶企业正在努力追赶，企业数量从2012年的5家增长到2017年15家，少数企业在中高端技术领域已取得一定突破。 其中半导体用光刻胶领域代表性企业有苏州瑞红和北京科华，两者分别承担了02专项i线（365nm）光刻胶和KrF线（248nm）光刻胶产业化课题。目前，苏州瑞红实现g/i线光刻胶量产，可以实现0.35μm的分辨率，248nm光刻胶中试示范线也已建成；北京科华KrF/ArF光刻胶已实现批量供货。 如今国际半导体产能正在逐渐向国内转移，受益于产业大趋势，国产光刻胶需求将日益提升，随着苏州瑞红、北京科华等企业在技术上的不断突破，国产化替代趋势愈加明显。
光刻胶参数及光刻工艺 1、正性光刻胶RZJ-304 ●规格 RZJ-304：25mpa·s，50mpa·s（粘稠度），配用显影液：RZX-3038 ●匀胶曲线 注：粉色为50cp，蓝色为25cp ●推荐工艺条件 ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.0～3.5μm ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：50～75mj/cm2（计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2，则60/40=1.5s） ④显影：23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑤后烘：热板120℃×120sec
●规格 S1813，配用显影液为ZX-238 ●匀胶曲线 ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.23um（1.1～1.9μm） ②前烘：热板115℃×60sec ③曝光：150mj/cm2 ④显影：21℃，ZX-238，65sec，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑥后烘：热板125℃×120sec
●规格 AZ-5214，配用显影液AZ-300 ●匀胶表格（单位：微米） ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.47um（1.14～1.98μm） ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：240mj/cm2 ④后烘：115℃×120sec ⑤泛曝光：>200mj/cm2 ⑥显影：21℃，AZ-300，60sec，喷淋或浸渍 ⑦清洗：去离子水30sec ⑧坚膜：热板120℃×180sec 注意： 紧急救护措施（对于光刻胶） ①吸入：转移至空气新鲜处，必要时进行人工呼吸或就医。 ②皮肤接触：肥皂水清洗后自来水清洗。 ③眼睛接触：流动清水清洗15分钟以上，必要时就医。
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地） 令狐文艳 1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀
剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN 系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额（%）2000年收益2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他122.2 18.5 171.6 20.0 总计662.9 100.0 859.4 100.0
````4、光刻胶 光刻胶主要由树脂（Resｉn)、感光剂(Ｓｅnsｉｔizｅｒ）、溶剂（Solveｎｔ)及添加剂（Aｄdｉtiｖｅ)等不同得材料按一定比例配制而成。其中树脂就是粘合剂（Biｎder），感光剂就是一种光活性（Ｐｈotｏactivity）极强得化合物，它在光刻胶内得含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用. 4、1 光刻胶得分类 ⑴负胶 1.特点 ·曝光部分会产生交联（Cross Lｉｎｋｉng)，使其结构加强而不溶于现像 液； ·而未曝光部分溶于现像液; ·经曝光、现像时,会有膨润现像，导致图形转移不良，故负胶一般不用于 特征尺寸小于３um得制作中。 2.分类(按感光性树脂得化学结构分类） 常用得负胶主要有以下两类: ·聚肉桂酸酯类光刻胶 这类光刻胶得特点,就是在感光性树脂分子得侧链上带有肉桂酸基感光性官 能团.如聚乙烯醇肉桂酸酯（KＰR胶）、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯（OSR胶)等。 ·聚烃类—双叠氮类光刻胶 这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂（主要就是环化橡 胶）、 双叠氮型交联剂、增感剂与溶剂配制而成。
3.感光机理 ①肉桂酸酯类光刻胶 KPR胶与OSR胶得感光性树脂分子结构如下： 在紫外线作用下，它们侧链上得肉桂酰官能团里得炭－炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间得交联，转变为不溶于现像液得物质。KPR胶得光化学交联反应式如下:
这类光刻胶中得高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联，而且在一定温度以上也会发生交联，从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘得温度与时间. ②聚烃类—双叠氮类光刻胶 这类光刻胶得光化学反应机理与前者不同，在紫外线作用下,环化橡胶分子中双键本身不能交联，必须有作为交联剂得双叠氮化合物参加才能发生交联反应.交联剂在紫外线作用下产生双自由基，它与聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键，变为三维结构得不溶性物质。其光化学反应工程如下： 首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应: 双叠氮交联剂分解后生成得双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成）与炭氢取代反应，机理如下：
硅酮密封胶的需求现状 硅酮胶是有机硅类产品，由于其粘接力强，拉伸强度大，同时又具有耐候性、抗振性、防潮、抗臭气、适应冷热变化大的特点，加之其较广泛的适用性，能实现大多数建材产品之间的粘合，因此应用价值非常大。硅酮建筑密封胶在我国大量使用始于20世纪80年代。在我国首先大量使用的是酸性硅酮封胶（俗称玻璃胶），目前也是用量最大的品种。后来由于玻璃幕墙、铝板幕墙及石材幕墙建筑的快速发展，对胶的要求也相应提高，从而中性硅酮密封胶也得到了大量使用。我国的硅酮密封胶经历了从国外进口、进口分装、国内生产几个阶段，目前国内市场上的硅酮密封胶主要为国内生产。 基于近些年我国门窗幕墙业的迅猛发展以及对硅酮密封胶需求的与日俱增，中国建筑金属结构协会铝门窗幕墙委员会副秘书长黄圻主任从产业链下游需求方的角度分析，让有机硅企业更多的了解门窗幕墙产业的发展现状以及其对硅酮密封胶的需求情况，帮助企业明确密封胶的发展前景。 1 2013年，受房产调控政策的影响，我国国内建筑用硅酮胶需求量总体呈下滑趋势，2014年，随着总体经济的缓慢复苏，硅酮胶行业将缓慢恢复，保持平稳增长。目前来讲，整个行业的生产厂家，生产规模及管理水平参差不齐，明年必将是一场业内洗牌的过程。设备先进、技术力量雄厚、管理体制完善的企业将逐步淘汰小规模的厂家，市场将会逐步被大的品牌所占据。行业的门槛也会越来越高。2013年中国门窗幕墙业的产值约为3500亿，据估计2014年产值将与2013年持平或略有增加。 从宏观角度来看，2013年中国一直在紧缩银根，压缩基本建设，抑制房地产泡沫，欧债危机又波及全球，市场低迷。在整体经济环境不景气的情况下，门窗幕墙产业势必受到了一定的负面影响。但是，门窗和幕墙企业所受影响的表象都有所不同。在国内市场，产品质量好、认可度高的企业，其产量和销量并没有减少，反而略有上升；部分运营不佳的小企业产值则有所下滑。产量和销量上升的主要原因是：国家对房地产的抑制，主要针对民用建筑，而幕墙建设多属于公共建筑，所以门窗幕墙企业并没有受到较大冲击。纵观国际市场，大部分在海外开展工程建设的中国企业，产值都有一定程度的下降，主要原因在于海外经济持续下滑，需求锐减，建筑行业发展处于低谷，没有抬头趋势。 从原材料的角度来看，门窗和幕墙的原材料之一铝材今年发展态势良好，建筑铝型材消费量需求旺盛，主要受益于国内城市化进程加快和旧有建筑改造更新。从中国有色金属工业协会了解到，今年我国的原铝产量达到了1700万吨，比去年有所增加，建筑用挤出铝型材的产量都有所增加，这也反映了国内建筑行业开工量较大，从而保证了铝材的销售量。门窗和幕墙的另一主要原料硅酮密封胶，由于其原材料价格持续下跌，成本下降，市场销售也较
紫外正型光刻胶及配套试剂 一．紫外正型光刻胶开发及应用 微细加工技术实际上就是实现图形转移整个过程中的处理技术，也就是将掩膜母版上的几何图形先转移到基片表面的光刻胶胶膜上，然后再通过从曝光到蚀刻等一系列处理技术把光刻胶膜上的图像复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理过程。在此过程中光刻工艺是IC生产的关键工艺，光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻并最终获得永久性的图形。在图形转移中需要10多次光刻才能完成。蚀刻的方式有多种，其中湿法蚀刻是应用最广、最简便的方法。而且超净高纯试剂、紫外光刻胶在电子工业的实际生产中应用最广。而光刻胶及蚀刻技术是实现微电子微细加工技术的关键。 所谓光刻胶，又称光致抗蚀剂(Photoresist)，是指通过紫外光、电子束、离子束、Ｘ—射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，经曝光和显影而使溶解度增加的是正型光刻胶，溶解度减小的是负型光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正型光刻胶、紫外负型光刻胶)、深紫外光刻胶、电子束胶、Ｘ—射线胶、离子束胶等。光刻胶与IC发展的关系见下表：
试剂所自70年代末80年代初开始从事紫外正、负型光刻胶及配套试剂的研究与开发工作，自“六五”以来，一直是国家重点科技攻关项目── 紫外光刻胶研究项目的组长承担单位。到目前为止，已经研制成功适用于5μm、2～3μm、0.8～1.2μm工艺技术用的系列紫外正、负型光刻胶及配套试剂。其中的BN-302、BN-303、BN-308、BN-310系列紫外负型光刻胶均获得了化工部的科技进步二等奖，北京市科技进步二等奖，BN-303被评为国家级新产品；BP-212、BP-213紫外正型光刻胶获得了化工部科技进步二
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地） 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR 系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%） Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm～0.18μm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅 片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT 模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广 泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用 防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发 单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合
中国光刻胶行业市场分析报告
目录 第一节光刻胶的概述 (4) 一、光刻胶的定义 (4) 二、光刻胶分类 (4) 三、光刻胶的技术参数 (9) 第二节光刻胶的应用 (10) 一、印刷电路板（PCB） (11) 二、液晶显示（LCD） (16) 三、半导体光刻胶 (21) 第三节新一代光刻技术 (23) 第四节中国光刻胶产业 (26) 第五节世界光刻胶产业 (28)
图表目录 图表1：光刻胶原理示意图 (5) 图表2：化学增幅型光刻的感光机理 (8) 图表3：2014年光刻胶下游应用格局分布 (11) 图表4：PCB应用类别及产值 (12) 图表5：PCB 行业产值 (12) 图表6：PCB 行业增速 (13) 图表7：中国PCB 光刻胶市场规模 (14) 图表8：中国PCB 光致抗蚀干膜进出口数量 (14) 图表9：STN-LCD原理 (16) 图表10：TFT-LCD原理 (17) 图表11：彩色滤光片结构简图 (18) 图表12：LCD产业链 (18) 图表13：中国LCD 电视机产量 (19) 图表14：全球LCD 光刻胶市场规模 (20) 图表15：半导体产业销售额 (21) 图表16：全球半导体光刻胶市场规模走势图 (22) 表格目录 表格1：光刻技术及其光刻胶的发展 (6) 表格2：光刻胶的分类 (10) 表格3：PCB光刻胶在华外国产商 (15) 表格4：光刻技术与集成电路发展关系 (24) 表格5：光刻胶国产化进程 (27) 表格6：世界主要光刻胶产商 (29)
第一节光刻胶的概述 电子化学品是电子工业中的关键性基础化工材料，电子工业的发展要求电子化学品与之同步发展，不断地更新换代，以适应其在技术方面不断推陈出新的需要。特别是在集成电路（IC）的细微加工过程中所需的关键性电子化学品主要包括：光刻胶（又称光致抗蚀剂）、超净高纯试剂（又称工艺化学品）、特种电子气体和环氧塑封料，其中超净高纯试剂、光刻胶、特种电子气体用于前工序，环氧塑封料用于后工序。这些微电子化工材料约占IC材料总成本的20%，其中超净高纯试剂约占5%，光刻胶约占4%。 一、光刻胶的定义 光刻胶又称光致抗蚀剂，又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。 *感光树脂：经光照后在曝光区能很快地发生固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲和性等发生明显变化，用适当的溶剂处理就可以得到图像。 *增感剂：使感色范围增大的材料。1873 年H.W. 福格尔发现：当感光乳剂中加入某种染料后可将其感色范围从蓝光区拓展至可见光的整个区域（400~700nm）和近红外区域（700~1300nm）。凡增感到绿光区的称为正色性；而增感到绿光区和红光区的称为全色性。加入增感燃料扩展乳剂感色范围的作用称为光谱增感作用。各种增感燃料随着结构的不同，有不同的光谱增感作用。 *溶剂：使光刻胶保持液体状态，使其具有良好的流动性。 二、光刻胶分类 根据其化学反应机理和显影原理，分为正像光刻胶和负像光刻胶。其中正像光刻胶，曝光区域的光刻胶发生光化学反应，在显影液中软化而溶解，而未曝光区域仍然保留在衬底上，将与掩膜版上相同的图形复制到衬底上。相反，负像光刻胶曝光区域
不得不看！硅酮密封胶市场现状普及篇（2014年） 硅酮胶是有机硅类产品，由于其粘接力强，拉伸强度大，同时又具有耐候性、抗振性、防潮、抗臭气、适应冷热变化大的特点，加之其较广泛的适用性，能实现大多数建材产品之间的粘合，因此应用价值非常大。硅酮建筑密封胶在我国大量使用始于20世纪80年代。在我国首先大量使用的是酸性硅酮封胶（俗称玻璃胶），目前也是用量最大的品种。后来由于玻璃幕墙、铝板幕墙及石材幕墙建筑的快速发展，对胶的要求也相应提高，从而中性硅酮密封胶也得到了大量使用。我国的硅酮密封胶经历了从国外进口、进口分装、国内生产几个阶段，目前国内市场上的硅酮密封胶主要为国内生产。 节能型建筑兴起加大硅酮密封胶使用需求 中国在建筑工程中所用的硅酮密封胶总量不如发达国家高，但节能型建筑的兴起将会加大硅酮密封胶的使用需求。 硅酮密封胶根据工程不同，可分为结构胶和普通密封胶。一直以来，建筑工程对结构胶的要求比较严格，由于结构胶主要用于粘结建筑主体结构，承受风荷载及玻璃的自重荷载，同时又要满足标准规定的弹性模量，所以其技术含量较高。硅酮密封胶的使用比例完全取决于使用者和使用量，总体而言，密封胶在幕墙建筑中使用率可达到10%，在门窗生产中所占比例更少。不过在整个建筑和建材中的使用量比较大。 中国在建筑工程中所用的密封胶总量不如发达国家高，包括防水、密闭、透气等。之所以用量相对较少，是因为中国建筑主要是钢筋混凝土的剪力墙，所需粘合的部分相对不多，所以需求量小。而发达国家如美国、日本等，其建筑多是轻质墙体结构，需粘合部分较多，所以需求量较大。 但是如今中国正在大力倡导建设节能型建筑，对节能的要求不断提高，而密封胶在节能中的应用非常重要。密封胶在接缝中承受接缝的变化及环境影响而不被破坏，今后的使用率势必不断增加，同时对其自身的质量要求也会越来越严格。 国内外产品技术遂平差别不大 国产硅酮密封胶和国外品牌差距不大，基本能达到国际标准。 近两年国产硅酮密封胶和国外品牌硅酮密封胶的差距已经越来越小。早些年我国在结构性用胶上还是空白，全部采用进口。近几年，中国企业经历了二三十年的崛起，兴建实验室，建立产品质量监控保障体系，完善售后服务等，尤其是初具规模的国内密封胶企业，产品质量已经能够达到国内标准，技术水平也在不停提高，产品价格和国外已没有大的差异。 目前，部分密封胶的国内标准和国际标准相差不大，只有和欧洲的几项标准不太一致，国内标准也在修订调整中。另外，国外企业在市场运作和企业管理上颇具优势，值得中国企业学习。
光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。