一、实习目的
通过生产实习，了解芯片的生产过程，巩固所学专业知识，将所学知识联系实际的生产过程中，加深所学知识的掌握。了解半导体产业发展现状；熟悉半导体元器件和集成电路制造、测试技术；熟悉集成电路封装技术。
二、实习时间
2011年6月 27日～2009年7月8日
三、实习地点及单位情况
天水天光半导体有限责任公司、天水华天科技股份有限公司
单位简介：
华天电子厂
天水华天微电子有限公司座落于风景秀丽、人杰地灵的甘肃省天水市，是我国最早研制和生产集成电路的企业之一。公司主要产品有塑封集成电路、模拟集成电路、混合集成电路、DC/DC电源、集成压力传感器、变送器共五大类400多个品种，其中主导产品塑封集成电路年封装能力已达30亿块。公司产品以其优良的品质而广泛应用于航天、航空、军事工程、电子信息、工业自动控制等领域。许多产品曾荣获“省优”、“部优”以及“国家重点新产品”称号，其中SOP塑封电路被评为甘肃省名牌产品和“陇货精品”。通过有效合资、合作以及对外投资，相继参股和设立了厦门永红电子有限公司、深圳天麦特电子有限公司、兰州永红电子科技有限公司、天水华天机械有限公司、天水华天包装制品有限公司等。公司将通过持续不断的技术改造和科技创新以及不断提高管理水平等措施，使集成电路年封装能力尽快达到50亿块，将公司发展成为我国最大的微电子封装基地。
天光半导体有限责任公司
天水天光半导体有限责任公司（信息产业部国营第八七一厂,前身甘肃天光集成电路厂）位于甘肃省天水市秦州区，是信息产业部研制和生产集成电路的专业骨干企业，生产集成电路已有30多年的历史，目前公司总占地面积11.6万平方米，建筑面积6.6万平方米，其中生产用净化厂房面积3500平方米，现有职
工800人，其中各类专业技术人员150人，具有高级技术职称32人。
天水天光半导体有限责任公司是国家重点工程的配套生产研制单位，先后承担了亿次计算机、风云气象卫星、东方红3号、资源卫星、“神州”号飞船和其他重点工程和军事项目的配套任务，提供了大量高可靠的七专产品，以质量可靠、性能稳定而著称，为国家重点工程和军事项目的配套做出过重要贡献。1982年9月28日《人民日报》发表"发展电子工业的正确途径"的社论，对工厂作出的成绩予以肯定。党和国家领导人彭真为工厂题写了厂名。1992年8月13日江泽民总书记来工厂视察，为工厂题写了"拼搏、竞争、求实、创新" 的题词。
公司拥有一条5μm工艺水平4英寸前工序生产线、一条4μm工艺水平2
英寸/3英寸兼容的前工序生产线和一条后工序封装生产线，拥有先进的半导体生产生产设备和完善的质量监控能力，集成电路生产用设备均为国外引进，并拥有老化、温度循环、交变湿热、盐雾、高压蒸气、扫频振动、机械冲击、跌落碰撞、恒定加速度、氦质谱检漏、芯片剪切/拉力、PIND（颗粒碰撞）、ESD(静电敏感度)、超大规模集成电路测试系统等检测设备，工厂的ф100和ф50两条生产线通过了GJB597A B级生产线质量认证，可按GJB597A生产高质量的B级产品，并可根据用户需求，生产军品级、工业级和民用集成电路。工厂具有年产量150 0万块集成电路和20亿块半导体分立器件管芯的生产能力。
2001年与日商合资成立了中日天昊电子有限公司，2004年合资人共同成立天水天嘉电子有限公司，2003年与美国NDR公司合资成立了新天电子有限公司。2005年5月公司通过省保密资格认证，2005年8月公司通过GJB9001-2001认证并在12月份通过武器装备科研生产许可证现场审查认证。
工厂主要生产双极型数字集成电路和肖特基二极管，其中ECL系列118个品种，LSTTL系列186个品种，STTL系列60个品种，OM系列30个品种，肖特基二极管28个品种，其它专用电路20余个品种。
天水天光半导体有限责任公司真诚希望与各界人士建立合作关系，愿在半导
体集成电路领域为国内外广大用户提供产品设计、生产、销售、测试、筛选、封装、技术咨询等服务。
四、实习内容
2011年6月27日——2011年7月8日，跟随指导老师前往甘肃省天水市进行为期一个星期的生产实习，实习内容主要是参观学习。
6月27日，我们从西安前往天水，到达天水后主要先安排接下来几天的参观计划，为后面的参观学习做好铺垫。
6月28日，我们正式开始了参观学习，早晨我们参观的是天光半导体有限责任公司，根据安排，我们第一个参观车间是净化车间，里面分为测试间，生产车间，金属蒸发台，溅射台，表面颗粒测试仪，快速退火炉，激光打印机，清洗机，真空合金炉，扩散炉，离子注入机和环境监测设备等。测试间主要是分析合格/不合格产品的数据，全自动的/对应打点数据收集，生产车间主要保证车间净化，要保证车间温度基本一定，颗粒数要<10，金属蒸发台可以同时蒸发7种金属，主要可以用金属熔点低，制造比较厚的，而溅射台可以对难融金属，制造比较薄的，这种方法致密性好。表面颗粒测试仪主要监控生产线的污染程度，颗粒大小，数量等。快速退火炉可以在短时间内升/降温。激光打印机主要用来给芯片打标识。清洗机主要使用1、2、3号液对芯片进行清洁，保证芯片表面的清洁度。真空合金炉是天光厂自主设计的，比市面上销售的生产效率大大提高。温度检测包括在出风口加热加温等装置，进风口在屋顶，回风口在地面是为了能够保证风向是从上到下，因为光刻间的要求是100级的，所以光刻间进风口和回风口都是满布的。然后我们参观了制造工艺所需气体的分离厂房，在里面我们学到了如何在空气中分离所需气体，和分离气体时所需温度等的要求和净化。
物理式净化方式
1.吸附性过滤—活性炭活性炭是一种多孔性的含炭物质, 它具有高度发达的孔隙构造, 活性炭的多孔结构为其提供了大量的表面积，能与气体（杂质）充分接触，从而赋予了活性炭所特有的吸附性能，使其非常容易达到吸收收集杂质的目的。就象磁力一样，所有的分子之间都具有相互引力缺点：普通活性炭并
不能吸附所以的有毒气体，效率较低、易脱附。
2.机械性过滤—HEPA网HEPA(High efficiency particulate air Filter)，中文意思为高效空气过滤器，达到HEPA标准的过滤网，对于0.3微米的有效率达到99.998%，HEPA网的特点是空气可以通过，但细小的微粒却无法通过。HEPA 过滤网由一叠连续前后折叠的亚玻璃纤维膜构成，形成波浪状垫片用来放置和支撑过滤界质。
静电式净化方式
工作原理：采用高压静电吸附除尘工作原理。静电式是采用高压静电吸附除尘的工作原理。静电场中的阴极线在高压静电的作用下，产生电晕放电，电晕层中产生大量的负离子，负离子在静电场的作用下，不断地向阳极运动。当空气中粉尘通过电场时，粉尘受到负离子的碰撞带上电荷，带上电荷后的粉尘同样受到静电场的作用，向阳极（集尘极）运动，到达阳极后释放电荷。缺点：可去除飘尘（不能去除毒害气体），效能比机械式低、慢，而且易产生臭氧，此机型被美国市场评为最差净化器。
化学式净化方式
1光催化法工作原理：空气通过光催化空气净化装置时，光触媒在光的照射下自身不起变化，却可以促进化学反应的物质空气中的有害物质如甲醛、苯等在光催化的作用下发生降解，生成无毒无害的物质，而空气中的细菌也被紫外光除掉，空气因此得到净化。缺点：广谱但需要空气流速较低，净化速度比较慢并且对人体有一定的辐射，在欧美是被汰的净化方式。
2. 甲醛清除剂工作原理：是采用化学物质和甲醛进行化学反应，达到清除甲醛的目的1、化学反应类：与甲醛发生化学反应生成二氧化碳和水，如氨水等；2、生物类：由能与甲醛反应的生物制剂制成，如尿素、大豆蛋白、氨基酸等；3、植物类：由植物提取物制成，如芦荟、茶叶提取物等；4、封闭类：由成膜物质制成，形成一层薄膜阻止甲醛释放，如几丁聚糖、液体石蜡等缺点：一,化学反应过后生成的物质很可能带来二次污染. 实践过程中常常出现二次检测超标的现象二是是在不改变化学成分的基础上吸收甲醛，降低空气中的甲醛含量，但是这样的方式治标不治本，甲醛容易再次释放出来。
3.药剂、催化法---冷触媒精华工作原理：冷触媒,又称自然触媒，是继光触媒除臭空气净化材料之后的又一种新型空气净化材料，能在常温条件下起催化反应，在常温常压下使多种有害有味气体分解成无害无味物质，由单纯的物理吸附转变为化学吸附，边吸附边分解，祛除甲醛、苯、二甲苯、甲苯、TVOV等有害气体，生成水和二氧化碳，在催化反应过程中,冷触媒本身并不直接参与反应,反应后冷触媒不变化不丢失,长期发挥作用。冷触媒本身无毒、无腐蚀性、不燃烧，反应生成物为水和二氧化碳，不产生二次污染，大大延长了吸附材料的使用寿命。
其它净化方式
1.水洗法利用虹吸以及离心原理，将混合于水的净化剂通过虹吸原理吸入其电机底座的同轴离心涡轮下部的吸管中，通过交流罩极电机高速旋转，再利用离心原理，将混合于水的净化剂喷在瓶胆内形成一层水膜，将空气中的灰尘以及细菌吸入水中，同时将经过净化的空气吹入室内，快速有效地去除室内的有毒素生物、灰尘、烟味、臭味、病毒等，并产生大量的新鲜氧气。
2.负离子法羟基负离子与空气中漂浮的有害气体接触后，能还原来自大气的污染物质、氮氧化物、香烟等产生的活性氧（氧自由基）、减少过多活性氧对人体的危害；中和带正电的空气飘尘无电荷后沉降，使空气得到净化。
下午我们参观了集成电路的前道工序，在里面我们必须穿着防静电服，防止将所制造的芯片污染而造成浪费，在前道工序中我们学到了如何制造晶圆，晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC 产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再把此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
晶圆的基本原料
硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
晶圆制造工艺
表面清洗：晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
初次氧化：热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术：干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和湿法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)+2H2。干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si 的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10-- 10E+11/cm ?2.eV-1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。
热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)：此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜，且附着强度极强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等，故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD 法将SiH4或Si2H。气体热分解（约650oC）淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750oC 左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者，在淀积的同时导入PH3 气体，就形成磷硅玻璃（ PSG：phosphor silicate glass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro ? phosphor silicate glass)膜。这两种薄膜材料，高温下的流动性好，广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。
热处理：在涂敷光刻胶之前，将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上，把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面，然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用，光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉，获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶，是对光、电子束或X线等敏感，具有在显影液中溶解性的性质，同时具有耐腐蚀性的材料。一般说来，正型胶的分辩率高，而负型胶具有感光度以及和下层的粘接性能好等特点。光刻工艺精细图形(分辩率，清晰度)，以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定，
因此有良好的光刻胶，还要有好的曝光系统。
去除氮化硅：此处用干法氧化法将氮化硅去除
离子注入：离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断，调整阀值电压用的沟道掺杂， CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化，然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速，注入基片中。
退火处理：去除光刻胶放高温炉中进行退火处理以消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。使植入的掺杂原子扩散到替代位置，产生电特性。去除氮化硅层：用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱，并使原先的SiO2 膜厚度增加，达到阻止下一步中n 型杂质注入P 型阱中。
去除SIO2层：退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层。
干法氧化法：干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅。此时P 阱的表面因SiO2 层的生长与刻蚀已低于N 阱的表面水平面。这里的SiO2 层和氮化硅的作用与前面一样。接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。
光刻技术和离子刻蚀技术：利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
湿法氧化：生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区。
生成SIO2薄膜：热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。
氧化：LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。
形成源漏极：表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
沉积：利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
沉积掺杂硼磷的氧化层：含有硼磷杂质的SiO2 层，有较低的熔点，硼磷氧化层
(BPSG) 加热到800 oC 时会软化并有流动特性，可使晶圆表面初级平坦化。
深处理：溅镀第一层金属利用光刻技术留出金属接触洞，溅镀钛+ 氮化钛+ 铝+ 氮化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构，并用PECVD 在上面沉积一层SiO2 介电质。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦，加热去除SOG 中的溶剂。然后再沉积一层介电质，为沉积第二层金属作准备。（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。有绝缘膜、半导体薄膜、金属薄膜等各种各样的薄膜。薄膜的沉积法主要有利用化学反应的CVD(chemical vapor deposition) 法以及物理现象的PVD(physical vapor deposition) 法两大类。CVD 法有外延生长法、HCVD ， PECVD 等。PVD 有溅射法和真空蒸发法。一般而言， PVD 温度低，没有毒气问题； CVD 温度高，需达到1000 oC 以上将气体解离，来产生化学作用。PVD 沉积到材料表面的附着力较CVD 差一些， PVD 适用于在光电产业，而半导体制程中的金属导电膜大多使用PVD 来沉积，而其他绝缘膜则大多数采用要求较严谨的CVD 技术。以PVD 被覆硬质薄膜具有高强度，耐腐蚀等特点。（2）真空蒸发法（ Evaporation Deposition ）采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。蒸发原料的分子（或原子）的平均自由程长（ 10 -4 Pa 以下，达几十米），所以在真空中几乎不与其他分子碰撞可直接到达基片。到达基片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面，所以，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。但若可将Crambo真空抽至超高真空（ <10 – 8 torr ），并且控制电流，使得欲镀物以一颗一颗原子蒸镀上去即成所谓分子束磊晶生长（ MBE ： Molecular Beam Epitaxy ）。（3）溅镀（ Sputtering Deposition ）所谓溅射是用高速粒子（如氩离子等）撞击固体表面，将固体表面的原子撞击出来，利用这一现象来形成薄膜的技术即让等离子体中的离子加速，撞击原料靶材，将撞击出的靶材原子淀积到对面的基片表面形成薄膜。溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点：台阶部分的被覆性好，可形成大面积的均质薄膜，形成的薄膜，可获得和化合物靶材同一成分的薄膜，可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜，形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。因而，电极和布线用的铝合金（ Al-Si, Al-Si-Cu ）等都是利用溅射法形成的。最常用的溅射法在平行平板电极间接上高频
（ 13.56MHz ）电源，使氩气（压力为1Pa ）离子化，在靶材溅射出来的原子淀积到放到另一侧电极上的基片上。为提高成膜速度，通常利用磁场来增加离子的密度，这种装置称为磁控溅射装置（ magnetron sputter apparatus ），以高电压将通入惰性氩体游离，再藉由阴极电场加速吸引带正电的离子，撞击在阴极处的靶材，将欲镀物打出后沉积在基板上。一般均加磁场方式增加电子的游离路径，可增加气体的解离率，若靶材为金属，则使用DC 电场即可，若为非金属则因靶材表面累积正电荷，导致往后的正离子与之相斥而无法继续吸引正离子，所以改为RF 电场（因场的振荡频率变化太快，使正离子跟不上变化，而让RF-in 的地方呈现阴极效应）即可解决问题。
光刻技术定出 VIA 孔洞：沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。
光刻和离子刻蚀：定出 PAD 位置。
最后进行退火处理：以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性。
6月29日，早晨我们还是去天光集团参观检验车间，在检验车间我们学习到了检验的重要性。首先，我们了解到检验必须做到细致认真，必须检验出不合格的产品，在晶圆和芯片成品的检验必须做到高温和低温都能够正常工作，还需要在失重和超重的作用下也能够正常工作的。这些都是需要多重检验才能投入使用。下午我们到天水华天科技股份有限公司，首先我们上的是理论课。我们学的是芯片制造流程（晶圆制造流程），主要以双极型IC工艺步骤，有：①衬底选择，对于典型的PN结隔离双极型集成电路，沉底一般选用P型硅②一次光刻N+埋层扩散孔光刻③外延层沉积④二次光刻——P+隔离层扩散孔光刻
⑤三次光刻——P型基区扩散孔光刻⑥四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
⑦五次光刻⑧六次光刻——金属化内连线光刻。CMOS工艺技术一般可分为三类，即：P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺、双阱CMOS工艺。
6月30日早上我们还是进行理论课程的教育，这节课我们主要学习的是封装的基础知识，封装主要是指把芯片上的焊点用导线接引到外部接头处，以保护芯片免受外部环境的影响，实现标准化的过程。封装的主要作用：①传递电能②传递电路信号③提供散热路径④电路的结构保护和支持。封装的过程有：①晶圆
的检验——主要对晶圆表面进行检验，看是否有划伤，蹭伤等②减薄——除去晶圆背面的硅材料，减到可以适合封装的程度，以满足芯片组装的要求③划片——利用划片机的切削技术，沿着晶圆的划道将晶圆割成单个集成电路单元（芯片）的过程④上芯——也称贴装，就是利用上芯机的拾片技术，使用导电胶将芯片与引线框架的载体粘接固定的工艺过程⑤固化——目的是将导电胶烘烤干燥，使芯片和载体牢固粘结⑥压焊——利用焊接机的键合技术，把芯片上的焊区与引线框架上的内引脚相连线，使两个金属间形成欧姆接触的工艺过程，分类为：热压焊（T/C）、超声压焊（U/S）、热压超声焊（T/S）、（金丝球焊线）
⑦塑封——装已完成压焊的半成品IC连接引线框架一起置于模具中，利用塑封料装芯片及部分引线框架“包裹”起来⑧后固化——目的是将塑封料烘烤硬化，防止扭曲变形。⑨打印——在封装模体上印上去不掉，字迹清楚的电路信息标识：打印技术主要有油墨盖印和激光打印，其中油墨盖印是先电镀后打印，而激光打印则没有完全先后顺序⑩电镀——主要包含去溢料/去毛边飞刺，主要是在电镀前去除塑封过程中在引线框架外引脚根部出现的一层薄薄的树脂膜。利用电化学技术，对引线框架表面镀一层锡（Sn）。目的是增强易焊接性；防止引线框架外引脚氧化；增加外观可视性。⒒切筋成形——包含切筋和成形，切筋是指切除引线框架上引脚之间的中筋以及与引线框架的边框，成形是指将引线框架的外引脚的外引脚弯成一定的形状，以符合行业规范装配的要求。下午我们主要学习压力传感器的基本原理及生产过程，中间还请了位老师给我们做了一个关于以后就业规划的讲座。压力传感器通常定义为：一种以一定的精确度把被测量转换为与之有确定对应关系的、便于应用的某种物理量的测量装置。主要压力分类有表压、绝压和差压三种。传感器主要有敏感元件和基本转换电路组成。敏感原件是直接感受被测量，并输出与被测量成确定关系的某一物理量的元件转换元件。基本转换电路可以将敏感元件的输出做输入，转换成电量输出，传感器完成被测参数至电量的基本转换，然后输入到测控电路，进行放大、运算、处理等进一步转换，以获得被测值或进行过程控制。基本参数包括：静态特征（非线性度、
迟滞、灵敏度、重复性、漂移）和动态参数（指传感器在输入变化时，它的输出特性）。生产工序主要有：①敏感元件封装②温度补偿及零点校准③信号放大及调试④封装、测试⑤校准及标定⑥包装、出厂。课程上完之后我们去参观了华天电子科技的传感器制造厂房，在里面我们看到了传感器从开始制造到最后封装检验出厂的全过程。传感器的制造是很严格的，要经过严格的检验才能出厂，所以检验人员都是很小心的进行检验。
7月1日，按照实习的安排，我们今天早上参观了华天电子科技的集成电路制造封装工艺厂房，首先我们参观的是制造工艺，在制造工艺厂房里面，我们看到了流水线的操作工艺，全自动化的，减少了认为的损坏，由于华天电子科技主要做来料加工，为了保证合作公司的利益，我们不能拍照，只能参观，所以大家都只是认真的用心记住所学的东西。然后我们参观了后道工序。在里面我们参观了芯片的切筋成形，电镀，打印等环节，看着切筋成形的机子在不停地运转，那些芯片就直接掉进了专门用来装芯片的管子里，也是全自动化的，减少了认为的污染和损坏。在最后的封装出厂时，看着他们将芯片和除氧剂一起压缩放在容器中，全面考虑了芯片的保护。根据安排我们的实习参观环节就到这里算完了。然后我们就到了后面的写实习报告的环节了。
五、实习总结
通过这次实习，我感受真的很多，以前都是在书本上看到芯片的制造过程，现在真正的走到芯片的制造产线上参观，使理论与实践联系的更加紧密。
生产实习是一个重要的理论联系实际的教学环节，在我们学习了部分专业课之后安排生产实习，可以使我们有以下好处：
?通过下工厂生产实习，深入生产第一线进行参观和调查研究，使我们能够全面的了解产品制造长的生产组织及生产过程，了解和掌握本专业的基本的生产实际知识，巩固和加深已学过的理论知识，并为后继课程的教学、课程设计、毕业设计打下坚实的基础。
?通过实习,我们广泛接触了在生产线上工作的工人和工程设计人员,听他们给我们讲解最基本的知识,学习他们的生产经验.技术更新和科研成果,学习他们在四化建设中的献身精神
?参观有关工厂，了解产品从刚开始到成品的生产过程，学习他们的生产经验，组织管理，设备选择及车间布置等方面的知识，扩大知识面。全面武装自己?在实习器件，通过典型芯片的加工工艺的分析，以及了解加工过程中所用的仪器，设备等工艺装备，把理论只是与实际的生产结合起来，使我们能够比较深入的了解如何保证芯片的生产效率和生产质量，降低生产成本，培养我们观察，分析和解决问题的能力。
?通过做实习日记，写实习报告等，锻炼了我们观察，分析问题及搜索整理技术资料等方面的能力.
在实习参观环节，我体会到了工人的辛苦，体会到了知识的力量，公司是一个整体，分工明确，参观过程中，我对自己所学专业的信心也增加了很多，以前一直认为自己学的专业不好，工作不好找，可是参观了天光和华天后我才发现我们微电子企业的发展虽然相对发达国家落后很多，但是我们需要更多的为微电子人才来将这些差距逐渐缩小，进而赶上其他国家先进的技术。这次实习我感觉到自己收获很多，以前学习的时候总感觉这个没有用，那个没有用，现在发现，我们学的全都是有用的，尤其是到实践中，每个细小的错误都会引起巨大的损失，而且那些工人给我们详细的说明了在制造过程中的注意事项等，并鼓励我们有不懂的问题要勤于向技术员提问，让我们在这次实习后，能够对我们所学专业有进一步的了解。
我们经过了三年的校内学习经验，掌握了一些电子与集成电路的基本理论和基本技术后，在走出校门到微电子行业进行实习是非常必要的，通过这词实习，我了解了微电子专业的基础只是，开阔了眼界，增加了见闻，知道了目前该行业的最新发展水平，把平时书本的只是应用在了实践中，同时也得到了很多宝贵的只是财富，另一方面也看见了自己的不足，还需要努力学习，了解更多相关知识，丰富自己的阅历，多请教老师，和有关人员通过各个渠道学习和了解微电子的有关知识。
实习日记
2011年6月27日——2011年7月8日，跟随指导老师前往甘肃省天水市进行为期一个星期的生产实习，实习内容主要是参观学习。
6月27日，我们从西安前往天水，到达天水后主要先安排接下来几天的参观计划，为后面的参观学习做好铺垫。
6月28日，我们正式开始了参观学习，早晨我们参观的是天光半导体有限责任公司，根据安排，我们第一个参观车间是净化车间，里面分为测试间，生产车间，金属蒸发台，溅射台，表面颗粒测试仪，快速退火炉，激光打印机，清洗机，真空合金炉，扩散炉，离子注入机和环境监测设备等。测试间主要是分析合格/不合格产品的数据，全自动的/对应打点数据收集，生产车间主要保证车间净化，要保证车间温度基本一定，颗粒数要<10，金属蒸发台可以同时蒸发7种金属，主要可以用金属熔点低，制造比较厚的，而溅射台可以对难融金属，制造比较薄的，这种方法致密性好。表面颗粒测试仪主要监控生产线的污染程度，颗粒大小，数量等。快速退火炉可以在短时间内升/降温。激光打印机主要用来给芯片打标识。清洗机主要使用1、2、3号液对芯片进行清洁，保证芯片表面的清洁度。真空合金炉是天光厂自主设计的，比市面上销售的生产效率大大提高。温度检测包括在出风口加热加温等装置，进风口在屋顶，回风口在地面是为了能够保证风向是从上到下，因为光刻间的要求是100级的，所以光刻间进风口和回风口都是满布的。然后我们参观了制造工艺所需气体的分离厂房，在里面我们学到了如何在空气中分离所需气体，和分离气体时所需温度等的要求和净化。
下午我们参观了集成电路的前道工序，在里面我们必须穿着防静电服，防止将所制造的芯片污染而造成浪费，在前道工序中我们学到了如何知道晶圆，如何光刻，如何进行扩散等，以及在进行这些工艺中所需要注意的细节，还有在晶圆加工时和芯片制造好以后都要进行检验，去除损坏的，以防将坏的晶圆进行加工，造成资源的浪费。
6月29日，早晨我们还是去天光集团参观检验车间，在检验车间我们学习到了检验的重要性。首先，我们了解到检验必须做到细致认真，必须检验出不合格的产品，在晶圆和芯片成品的检验必须做到高温和低温都能够正常工作，还需要在失重和超重的作用下也能够正常工作的。这些都是需要多重检验才能投入使用。下午我们到天水华天科技股份有限公司，首先我们上的是理论课。我们学的是芯片制造流程（晶圆制造流程），主要以双极型IC工艺步骤，有： 衬底
选择，对于典型的PN结隔离双极型集成电路，沉底一般选用P型硅②一次光刻N+埋层扩散孔光刻③外延层沉积④二次光刻——P+隔离层扩散孔光刻
⑤三次光刻——P型基区扩散孔光刻⑥四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
⑦五次光刻⑧六次光刻——金属化内连线光刻。CMOS工艺技术一般可分为三类，即：P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺、双阱CMOS工艺。
6月30日早上我们还是进行理论课程的教育，这节课我们主要学习的是封装的基础知识，封装主要是指把芯片上的焊点用导线接引到外部接头处，以保护芯片免受外部环境的影响，实现标准化的过程。封装的主要作用：①传递电能②传递电路信号③提供散热路径④电路的结构保护和支持。封装的过程有：①晶圆的检验——主要对晶圆表面进行检验，看是否有划伤，蹭伤等②减薄——除去晶圆背面的硅材料，减到可以适合封装的程度，以满足芯片组装的要求③划片——利用划片机的切削技术，沿着晶圆的划道将晶圆割成单个集成电路单元（芯片）的过程④上芯——也称贴装，就是利用上芯机的拾片技术，使用导电胶将芯片与引线框架的载体粘接固定的工艺过程⑤固化——目的是将导电胶烘烤干燥，使芯片和载体牢固粘结⑥压焊——利用焊接机的键合技术，把芯片上的焊区与引线框架上的内引脚相连线，使两个金属间形成欧姆接触的工艺过程，分类为：热压焊（T/C）、超声压焊（U/S）、热压超声焊（T/S）、（金丝球焊线）
⑦塑封——装已完成压焊的半成品IC连接引线框架一起置于模具中，利用塑封料装芯片及部分引线框架“包裹”起来⑧后固化——目的是将塑封料烘烤硬化，防止扭曲变形。⑨打印——在封装模体上印上去不掉，字迹清楚的电路信息标识：打印技术主要有油墨盖印和激光打印，其中油墨盖印是先电镀后打印，而激光打印则没有完全先后顺序⑩电镀——主要包含去溢料/去毛边飞刺，主要是在电镀前去除塑封过程中在引线框架外引脚根部出现的一层薄薄的树脂膜。利用电化学技术，对引线框架表面镀一层锡（Sn）。目的是增强易焊接性；防止引线框架外引脚氧化；增加外观可视性。⒒切筋成形——包含切筋和成形，切筋是指切除引线框架上引脚之间的中筋以及与引线框架的边框，成形是指将引线框架
的外引脚的外引脚弯成一定的形状，以符合行业规范装配的要求。下午我们主要学习压力传感器的基本原理及生产过程，中间还请了位老师给我们做了一个关于以后就业规划的讲座。压力传感器通常定义为：一种以一定的精确度把被测量转换为与之有确定对应关系的、便于应用的某种物理量的测量装置。主要压力分类有表压、绝压和差压三种。传感器主要有敏感元件和基本转换电路组成。敏感原件是直接感受被测量，并输出与被测量成确定关系的某一物理量的元件转换元件。基本转换电路可以将敏感元件的输出做输入，转换成电量输出，传感器完成被测参数至电量的基本转换，然后输入到测控电路，进行放大、运算、处理等进一步转换，以获得被测值或进行过程控制。基本参数包括：静态特征（非线性度、迟滞、灵敏度、重复性、漂移）和动态参数（指传感器在输入变化时，它的输出特性）。生产工序主要有：①敏感元件封装②温度补偿及零点校准③信号放大及调试④封装、测试⑤校准及标定⑥包装、出厂。课程上完之后我们去参观了华天电子科技的传感器制造厂房，在里面我们看到了传感器从开始制造到最后封装检验出厂的全过程。传感器的制造是很严格的，要经过严格的检验才能出厂，所以检验人员都是很小心的进行检验。
7月1日，按照实习的安排，我们今天早上参观了华天电子科技的集成电路制造封装工艺厂房，首先我们参观的是制造工艺，在制造工艺厂房里面，我们看到了流水线的操作工艺，全自动化的，减少了认为的损坏，由于华天电子科技主要做来料加工，为了保证合作公司的利益，我们不能拍照，只能参观，所以大家都只是认真的用心记住所学的东西。然后我们参观了后道工序。在里面我们参观了芯片的切筋成形，电镀，打印等环节，看着切筋成形的机子在不停地运转，那些芯片就直接掉进了专门用来装芯片的管子里，也是全自动化的，减少了认为的污染和损坏。在最后的封装出厂时，看着他们将芯片和除氧剂一起压缩放在容器中，全面考虑了芯片的保护。根据安排我们的实习参观环节就到这里算完了。然后我们就到了后面的写实习报告的环节了。
中国集成电路产业研究报告 一、产业现状 根据魏少军教授在早前于珠海举办的ICCAD 2018公布的数据显示，从事集成电路设计的1698家中国企业中，有783家是从事消费类产品的研发的;然后有307家是从事通信相关的;模拟相关的则有210家。 但从营收上看，拥有最多集成电路设计公司的消费类芯片领域，却只贡献了整体营收的23.95%，远远落后于以智能手机为代表的通信领域的营的1046.75亿元。再看模拟和功率方面，这两个领域加的公司总数量其实是超过通信芯片公司的，但是营收却仅仅为通信芯片的21%。再看计算机芯片方面，虽然这个领域公司贡献的营收同比暴增了180.18%，但是营收与通信芯片领域相去甚远。 二、产业链 集成电路作为半导体产业的核心，市场份额达83%，由于其技术复杂性，产业结构高度专业化。随着产业规模的迅速扩张，产业竞争加剧，分工模式进一步细化。目前市场产业链为IC设计、IC制造和IC封装测试。 在核心环节中，IC设计处于产业链上游，IC制造为中游环节，IC封装为下游环节。 全球集成电路产业的产业转移，由封装测试环节转移到制造环节，产业链里的每个环节由此而分工明确。 由原来的IDM为主逐渐转变为Fabless+Foundry+OSAT。 （一）IC设计企业： 1、 EDA设计：三星、英特尔、SK海力士、美光、博通、高通、东芝、 德州仪器、英伟达、西部数据； 2、 IP设计：华为海思、展讯、RDA、华大半导体、大唐电信、国民技
术、汇顶科技、中星微电子、北京君正； （二）IC制造企业 台积电、美国格罗方德、台湾联华电子、韩国三星、上海中芯国际、力晶科技、TOWER JAZZ、台湾Vanguard、华虹宏力； （三）IC封测 1、封装企业，台湾日月光、美国安靠、江苏长电科技、台湾力成科技、甘肃天水华天、江苏南通通、富微电子、京元电子、联测 2、测试企业：台湾颀邦科技、富士通微电子、韩国Nepes、马来西亚Unisem、苏州晶方半导体科技、深圳气派科技、无锡华润安盛、广东风华芯电 三、产业规模 据中国半导体行业协会（CSI A）公布数据，2018年中国集成电路产业销售收入达6532亿元，同比增长20.7%，增速较2017年回落4.1个百分点，属较快的增长。 2014-2018年中国集成电路产值（亿元） 四、竞争格局 中国集成电路芯片设计企业的营收分布(按照产品领域划分)
集成电路测试员实习报告 篇一：测控技术与仪器专业生产实习报告 测控技术与仪器专业 《生产实习报告》 一、实习概况 实习时间：XX.7.28-XX.8.8 实习地点：无锡市公共实训基地 实习要求：掌握如下的专业知识和技能并通过考核。 1.集成电路及测试常识 2.模拟集成电路测试原理、方法及设备详细构成； 3.集成电路主要参数及测试设备框架构成； 4.评估集成电路的具体技术指标； 5.集成电路测试实际操作。 二、实习企业介绍 北京信诺达泰思特科技股份有限公司成立于XX年11月，注册资本为632万人民币，主要从事集成电路测试系统的研发。在集成电路测试领域具有深厚的技术实力与市场储备，同时承接集成电路测试服务、电路板测试维修业务。公司是集研制、开发、销售、服务于一体的高新技术企业。由研发人员发明了“一种快速获取DSP测试向量的方法及装置”并取得国防专利证书。公司核心研发团队多年来一直从事半导体测试系统的研发工作，参与并完成的项目包括国家六.五
重点科技攻关项目“大规模/超大规模存储器集成电路测试系统研制”；国家“七五”、“八五”重点科技攻关项目“测试程序库的开发与实 用化”；北京市科学院“100M超大规模数字电路测试系统研制”项目等，以上项目均顺利通过验收。公司所研发的产品涵盖数字集成电路测试、模拟集成电路测试、数模混合集成电路测试、存储器测试、继电器测试、电源模块测试等，曾为多家封装测试企业、军工企业及科研院所提供产品及服务，广泛应用于航空、航天、铁路、船舶、兵器、电子、核工业等领域。还可以针对用户实际需求，量身为客户提供最优的测试解决方案。公司秉承“敬业、奉献、协同、创新”的精神，为客户提供高质高效的测试展品和服务。 三、实习内容 第一周： 7月28日上午我们来到无锡公共实训基地学习集成电路测试的相关知识。下午基地领导带我们参观了公司、介绍了相关产品。 产品描述： ST5000是一款高精度的半导体分立器件测试系统，该系统采用了标准的PXI总线，能够兼容CPCI和PXI设备。它是一款浮动资源的测试工作站，这种特殊的架构方式使得用户可以最有效的利用系统资源，配置出最经济、高效的测试
芯片行业品牌企业紫光国微调研分析报告
1. 紫光国微：紫光集团芯片王冠上的明珠 (5) 1.1. 2012年后多次注入，智能卡芯片+高端集成电路双龙驱动 (5) 1.2. A股稀缺芯片资产：布局五大业务板块，FPGA国产替代唯一 (7) 2. FPGA——芯片产业最高殿堂之一，将成为国产替代的里程碑 (9) 2.1. 5G将带来FPGA的大量需求，基站建设近在咫尺，新终端持续接力 (9) 2.2. 5G商用初期，国内FPGA价值占比高于全球，总体价值量将远超过4G (11) 2.3. FPGA在芯片行业中门槛最高，国产化程度最低 (13) 2.4. 紫光同创FPGA+EDA能力国内领先，未来国产化替代空间最大 (13) 2.4.1. 中国FPGA产业被美国4巨头垄断，国产化率低于其他半导体器件 (14) 2.4.2. 紫光同创实现国内EDA及FPAG双突破 (14) 2.4.3. 攻坚FPGA器件专用EDA的“上甘岭” (15) 3. 特种集成业务，行业壁垒极高，仍将稳定贡献业绩 (15) 4. 安全IC卡国产化及eSIM/超级SIM，智能卡主业夯实，布局多个热点领域 (16) 4.1. 收购智能卡芯片“隐形冠军”Linxens，持续创造新动能 (16) 4.2. eSIM卡和超级SIM卡领域领先者，有望分享5G新终端红利 (17) 4.2.1. 公司最早参与联通eSIM项目，推出国内首款产品 (17) 4.2.2. 下一个新亮点：超级SIM卡 (18) 4.3. 传统产品：金融安全芯片国产化+多卡类升级换卡潮，景气度持续 (19) 4.4. 以社保卡、交通卡、护照和港澳通行证为代表的其他卡类换卡高潮将至，智能化、电子 化方向是发展趋势，换卡高潮有望到来 (20) 5. 投资建议 (20) 图1：公司发展历史沿革 (5) 图2：2011~2018公司整体营业收入及增速 (6) 图3：2011~2018公司整体归母净利润及增速 (6) 图4：2013~2018产品营业收入占比 (6) 图5：2013~2018产品毛利率对比 (6) 图6：2011~2018净利率与毛利率对比 (6) 图7：2013年以来国微电子和紫光同芯的净利率变化 (6) 图8：公司股权结构及旗下业务平台一览 (7) 图9：紫光同芯微电子近年的营业收入及增速 (8) 图10：紫光同芯微电子近年的净利润及增速 (8) 图13：FPGA主要由三部分构成 (9) 图14：FPGA与传统ASIC的差异 (9) 图15：2025年全球FPGA市场价值将达到近125.21亿美元 (10) 图16：2025年电子通信领域FPGA需求将会占40% (10) 图17：2017和2025年FPGA分地区的市场收入和预测 (10) 图18：2017和2025年FPGA分细分市场的市场价值及预测 (10) 图19：2017年全球FPGA市场的市占率 (13) 图20：2016年全球FPGA市场的市占率 (13) 图21：2017年中国区FPGA市场的市占率 (14) 图22：紫光国微的芯片产业分布 (14)
2019年集成电路设计行业分析报告 2019年12月
目录 一、行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策 (5) 1、行业主管部门及监管体制 (5) 2、行业主要法律法规和产业政策 (5) 二、行业整体发展情况 (7) 1、集成电路行业 (7) （1）全球集成电路行业发展情况 (8) （2）我国集成电路行业发展情况 (9) 2、集成电路设计行业 (10) （1）全球集成电路设计行业发展情况 (10) （2）我国集成电路设计行业发展情况 (12) 3、集成电路存储芯片行业 (13) （1）全球存储芯片发展情况 (14) （2）我国存储芯片发展情况 (15) 4、行业发展趋势 (16) （1）行业发展趋势概况 (16) （2）行业发展的驱动力 (17) ①汽车电子的推动 (17) ②物联网市场的推动 (19) 5、国际经济环境、行业竞争格局、行业供需情况对产品价格及成本的影响 (20) （1）国际经济温和增长，发展中国家增速较快 (20) （2）行业发展进入复苏，竞争格局保持稳定 (21) （3）行业供需周期变化，未来增长因素可期 (24) 二、行业进入壁垒 (26)
2、资金和规模壁垒 (26) 3、人才壁垒 (27) 4、客户壁垒 (27) 三、影响行业发展的因素 (28) 1、有利因素 (28) （1）国家产业政策大力扶持 (28) （2）我国集成电路产业链日趋成熟 (28) （3）市场需求的有利推动 (29) 2、不利因素 (30) （1）行业竞争激烈，国内集成电路存储设计领域基础薄弱 (30) （2）设计人才匮乏，研发投入巨大 (30) 四、行业区域性、周期性和季节性特征 (30) 1、区域性 (30) 2、周期性 (31) 3、季节性 (31) 五、行业经营模式 (31) 1、IDM (31) 2、Fabless (32) 六、行业上下游之间的关系 (32) 1、上游行业对本行业的影响 (33) 2、下游行业对本行业的影响 (34) 七、行业主要企业及竞争格局 (34)
精品范文-省集成电路产业发展调研报告_调研报告 省集成电路产业发展调研报告 集成电路（ic）产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础，是调整产业结构、保障国家信息安全的重要支撑。现代经济发展的数据表明，集成电路每1元的产值，可以带动电子工业10元、gdp100元的产值，对国民经济的发展有很高的贡献率。在欧、美、日等发达国家，以集成电路为核心的电子信息产业对gdp增长的贡献率大多在30%以上，成为国民经济的支柱。经过多年发展，我国已经成为世界最大、增长最快的集成电路市场，xx年集成电路进口额高达2271亿美元，为进一步加快产业发展，尽快实现确保国家信息安全的战略目标，xx年起，国家连续出台重大政策措施，全力支持集成电路产业发展壮大，国内各省市也竞相上马集成电路项目。在这种形势下，辽宁集成电路产业也迎来了历史性发展机遇。为进一步贯彻落实《中国制造2025辽宁行动纲要》，增添工业发展新动能，加快产业结构转型升级，我们对全省集成电路产业发展情况进行了专题调研，并结合实际提出相关建议，仅供参考。（一）、集成电路产业发展概况 （一）全球集成电路产业发展现状 xx年，全球集成电路市场规模为3389亿美元，同比增长（1）、62%。全球集成电路产业主要分布在北美、欧洲、日本和亚太地区，美、日、韩、荷兰和中国台湾仍然占据着产业高端地带。其中，美国、日本分别是全球第（一）、第二大集成电路强国，热门思想汇报美国在芯片设计、晶元制造和封装测试等全产业链发展上全面领先，日本在基础材料和ic设备（集成电路装备）方面优势明显；荷兰在核心设备光刻机方面已形成技术垄断；韩国是全球主要的集成电路制造国；台湾则在晶圆代工规模和设计方面有一定优势。当前，集成电路生产水平已达7nm，接近摩尔定律极限，但阶段性技术瓶颈的出现，并未制约产业发展。伴随芯片设计和制造模式不断创新，芯片应用范围已由简单的机电和pc设备，实现了向人工智能和物联网等领域的无限拓展，全球集成电路产业迎来了又一轮发展浪潮。（二）国内集成电路产业发展现状 为推动国内集成电路产业加快发展，xx年6月，国务院正式批准发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，成立了以国家领导人为组长的国家集成电路产业发展领导小组，同年9月设立了规模超过1300亿元的国家集成电路产业发展专项基金，自此我国集成电路产业进入高速发展的新阶段。xx 年，全国集成电路产业完成销售额433（5）、5亿元，同比增长20.1%。在规模上，形成以长三角、珠三角、环渤海和中西部地区为主的四大发展区域。其中，以上海、江苏、浙江为重点的长三角地区，TOP100范文排行占全国产业比重约为5（5）、4%；以北京、天津为重点的环渤海地区，占全国产业比重约为1（9）、1%；以广州、深圳为重点的珠三角地区，占全国产业比重约为xx.9%；湖北、四川、安徽等中西部地区，占全国产业比重约为（10）、6%。在技术上，北京是设计实力强大的综合性基地；上海是拥有完备产业链的制造基地；深圳则依托庞大市场，聚焦设计和应用；武汉在专项资金、税收、人才引进等方面制定了优惠政策，初步形成了从设计到封装测试的全产业链。上述地区都把加快发展集成电路产业作为抢占新兴产业战略制高点的重要举措，以提升区域核心竞争能力。 （三）我省集成电路产业发展现状 全省集成电路产业主要集中在沈阳、大连两市，截至目前，全省拥有集成电路相关企业近100家，产业涵盖集成电路设计、制造、封装测试、装备制造以及相关材料等领域。预计2xx年实现主营业务收入xx0亿元，同比增长120%以上，形成了一定的产业规模，具备进一步发展的产业基础和条件。集成电路芯片制造业。英特尔12英寸65纳米芯片厂是我省目前最大的芯片制造项目，该芯片厂晶圆年产能60多万片(按2500块/片折算，集成电路产能超过15亿块)。今年全年，预计英特尔产值同比增长190%左右。此外，中国电科集团四十七所拥有完备的集成电路制版、芯片加工等技术和手段，以小批量军品为主要市场，产品包括微控制器/微处理器及其接口电路、专用集成电路、存储器电路、厚膜混合集成电路等；沈阳仪表科学研究院拥有一条完整的4英寸硅基力敏传感器芯片中试生产线。罕王微电子（辽宁）正在建设8英寸mems高端智能传感器芯片生产线，工作总结现设备已全部到位，正进行产线安装调试。 ic设备制造业。我省ic设备与北京、上海形成三足鼎立，关键零部件制造技术全国第一。在ic装
集成电路的检测方法 现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能常工作，影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，首先要根据故障现象，判断出故障的大体部位，然后通过测量，把故障的可能部位逐步缩小，最后找到故障所在。 要找到故障所在必须通过检测，通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断，但这只能判断出故障的大致部位，而且有的引脚反应不灵敏，甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下，也包含外围元件损坏的因素，还必须将集成块内部故障与外围故障严格区别开来，因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的，必须依赖综合的检测手段。现以万用表检测为例，介绍其具体方法。 我们知道，集成块使用时，总有一个引脚与印制电路板上的“地”线是焊通的，在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合，因此，集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻，这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻，简称R内。当我们拿到一块新的集成块时，可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻来判断其好坏，若各引脚的内部等效电阻R内与标准值相符，说明这块集成块是好的，反之若与标准值相差过大，说明集成块内部损坏。测量时有一点必须注意，由于集成块内部有大量的三极管，二极管等非线性元件，在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏，必须互换表笔再测一次，获得正反向两个阻值。只有当R内正反向阻值都符合标准，才能断定该集成块完好。 在实际修理中，通常采用在路测量。先测量其引脚电压，如果电压异常，可断开引脚连线测接线端电压，以判断电压变化是外围元件引起，还是集成块内部引起。也可以采用测外部电路到地之间的直流等效电阻(称R外)来判断，通常在电路中测得的集成块某引脚与接地脚之间的直流电阻(在路电阻)，实际是R内与R外并联的总直流等效电阻。在修理中常将在路电压与在路电阻的测量方法结合使用。有时在路电压和在路电阻偏离标准值，并不一定是集成块损坏，而是有关外围元件损坏，使R外不正常，从而造成在路电压和在路电阻的异常。这时便只能测量集成块内部直流等效电阻，才能判定集成块是否损坏。根据实际检修经验，在路检测集成电路内部直流等效电阻时可不必把集成块从电路上焊下来，只需将电压或在路电阻异常的脚与电路断开，同时将接地脚也与电路板断开，其它脚维持原状，测量出测试脚与接地脚之间的R内正反向电阻值便可判断其好坏。 例如，电视机内集成块TA7609P瑢脚在路电压或电阻异常，可切断瑢脚和⑤脚(接地脚)然后用万用表内电阻挡测瑢脚与⑤脚之间电阻，测得一个数值后，互换表笔再测一次。若集成块正常应测得红表笔接地时为8.2kΩ，黑表笔接地时为272kΩ的R内直流等效电阻，否则集成块已损坏。在测量中多数引脚，万用表用R×1k挡，当个别引脚R内很大时，换用R ×10k挡，这是因为R×1k挡其表内电池电压只有1.5V，当集成块内部晶体管串联较多时，电表内电压太低，不能供集成块内晶体管进入正常工作状态，数值无法显现或不准确。 总之，在检测时要认真分析，灵活运用各种方法，摸索规律，做到快速、准确找出故障 摘要：判断常用集成电路的质量及好坏 一看: 封装考究,型号标记清晰,字迹,商标及出厂编号,产地俱全且印刷质量较好,(有的 为烤漆,激光蚀刻等) 这样的厂家在生产加工过程中,质量控制的比较严格。 二检: 引脚光滑亮泽,无腐蚀插拔痕迹, 生产日期较短,正规商店经营。 三测: 对常用数字集成电路, 为保护输入端及工厂生产需要,每一个输入端分别对VDD
集成电路制造生产实习报告 一．工艺原理 1.氧化 在集成电路工艺中，氧化是必不可少的一项工艺技术。自从早期人们发现硼、磷、砷、锑等杂质元素在SiO2的扩散速度比在Si中的扩散速度慢得多， SiO2膜就被大量用在器件生产中作为选择扩散的掩模，并促进了硅平面工艺的出现。同时在Si表面生长的SiO2膜不但能与Si有很好的附着性，而且具有非常稳定的化学性质和电绝缘性。因此SiO2在集成电路中起着极其重要的作用。 在平导体器件生产中常用的SiO2膜的生长方法有:热生长法、化学气相沉积法、阴极溅射法,HF一HNO3气相钝化法、真空蒸发法、外延生长法、阳极氧化法等。在深亚微米IC制造中，还发展了快速加热工艺技术。选择何种方法来生SiO2层与器件的性能有很大关系。 SiO2在器件中可以起到的作用有作为MQS器件的绝缘栅介质；作为选择性掺杂的掩模；作为缓冲层；作为绝缘层；作为保护器件和电路的钝化层等。 Si的氧化过程是一个表面过程，即氧化剂是在硅片表面处与Si原子 起反应，当表面已形成的SiO 2 层阻止了氧化剂与Si的直接接触，氧化剂 就必须以扩散的方式穿过SiO 2层、到达SiO 2 一Si界面与Si原子反应，生 成新的SiO 2层，使SiO 2 膜不断增厚，同时SiO 2 一Si界面向Si内部推进. 2.扩散 在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在
其中做缓慢的迁移运动。 扩散的形式有：替代式扩散和间隙式扩散；恒定表面浓度扩散和再分布扩散。 扩散方式：气态源扩散、液态源扩散、固态源扩散。 扩散方式：气态源扩散、液态源扩散、固态源扩散 扩散工艺主要参数：1.结深：结距扩散表面的距离叫结深。2.薄层电阻3.表面浓度：扩散层表面的杂质浓度。 .结深：x R j s ρ= 浓度：][),(21 )(20Dt x erfc N t x N =（余误差） 费克第一定律：x t x N D t x J ??-=),(),(（扩散粒子流密度，D 粒子的扩散系数） 杂质扩散方程（费克第二定律）：22),(),(x t x N D t t x N ??=?? 费克定律的分析解：1.恒定表面浓度扩散，在整个过程中杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度s N 始终保持不变。余误差：][),(21 )(20Dt x erfc N t x N =
２０１８年芯片行业深度分析报告
核心观点 半导体景气度依旧高涨，芯片产业向大陆转移趋势不可阻挡 根据WSTS的数据，2017年全球半导体销售额同比增长21.6%，首次突破4000 亿美元，截至18年1月全球半导体销售额已连续18个月实现环比增长，景 气度依旧高涨。芯片从上世纪50年代发展至今，大致经历了三大发展阶段：在美国发明起源-在日本加速发展-在韩国台湾成熟分化。前两次半导体产业 转移原因分别是：日本在PC DRAM市场获得美国认可；韩国成为PC DRAM新 的主要生产者和台湾在晶圆代工、芯片封测领域成为代工龙头。如今中国已 成为全球半导体最大的市场，在强大的需求和有力的政策推动下，芯片行业 正迎来第三次产业转移，向大陆转移趋势不可阻挡。 制造、封测环节相对易突破，芯片国产替代需求强烈 集成电路产业链主要包括芯片的设计、制造、封装测试三大环节，除此之外还包括各个环节配套的设备制造、材料生产等相关产业。其中，设计环节由于投资大、风险高，主要被三星、高通、AMD等领先的科技巨头垄断。中游和下游的制造、封测领域相对来说属于劳动密集型，我国芯片行业更适合从这两个方向实现突破，目前已经涌现出像中芯国际、长电科技等优秀本土企业。但整体来看我国芯片行业仍处于发展初期，关键领域芯片自给率很低。近期中兴通讯被美国商务部制裁事件亦反映出我国在芯片领域的脆弱地位。推动集成电路发展已经上升至国家重中之重，芯片国产化率亟待提高。 政策与需求驱动产业崛起，国产芯片未来“芯芯”向荣 随着PC、手机产品销量的逐渐放缓，集成电路产业发展的下游推动力量已经开始向汽车电子、AI、物联网等新兴需求转变。此外中国将成为全球新建集成电路产业投资最大的地区，大陆晶圆厂建厂潮有望带动本土产业链实现跨越式发展。在政策方面，国家先后出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》等鼓励文件，“大基金”二期也已经在紧锣密鼓的募集当中，预计筹资规模在1500-2000亿元，最终有望撬动上万亿资金。国内芯片行业将在资金、政策、人才和需求的全方位配合下，以燎原之势迅猛发展，发展前景“芯芯”向荣。 相关上市公司 建议关注具有核心竞争力和受益逻辑确定性较高的细分行业龙头，相关标的有：长电科技（封装领域全球第三）、兆易创新（NOR Flash+MCU+NAND三大芯片领域协同发展）、江丰电子（国内高纯靶材龙头）、晶盛机电（晶体生长设备领域全方位布局）、富瀚微（国内领先的视频监控芯片设计商）。 风险提示：半导体行业景气度不及预期；技术创新对传统产业格局的影响。
大陆本土IC设计业SWOT分析上海科学技术情报研究所吴磊2005-08-02 关键字：IC设计 SWOT 竞争情报浏览量：52 随着近几年半导体产业在中国大陆地区的快速发展，本土IC设计业受到日益广泛的重视。IC设计业是一个国家半导体业的关键一环，也是如今信息技术时代提升国家竞争力的重要推动力。不论政府、企业，都对这个在国内真正发展不到十年的新兴行业，表现出了热切的期盼、积极的参与以及极大的投资兴趣。十年间，大陆本土IC设计产业逐步发展，到2004年约有IC设计公司近600家，主要分布于北京、上海、深圳、江苏、浙江、西安等地。数量上来说，已经超过了美国硅谷和中国台湾地区，但是，本土IC设计公司在质的成长上还远远不够。 从全球范围看，相较于拥有几十年IC设计产业发展经验的美国和中国台湾地区，大陆本土IC设计产业成长时间太短，还只处在从初创向理性发展过渡的时期。 从产业规模看，据全球IC 设计与委外代工协会（FSA）2005年3月报告统计：2004年全球IC设计产业规模达到330亿美元，比2003年增长32%。其中，美国IC设计业产值占全球比重75%，中国台湾地区居次，占20%。相比之下，大陆本土IC设计业仅占全球份额的约2%，非常少。 从公司个体看，全球IC设计第一的高通公司（Qualcomm）2004年销售收入约268亿元（约32.24亿美元），比上年增长30.7%；全球第七、中国台湾地区第一的联发科公司（MediaTek）2004年销售收入约104亿元（约12.53亿美元），比上年增长10.5%；全球排名第44位，大陆本土第一的大唐微电子公司2003年销售收入约6.2亿元，2004年估计倍增至约13亿元。三家公司的销售收入比约为21:8:1。不得不说，大陆本土IC 设计公司的竞争力还太弱。 那么，大陆本土IC设计产业的前景如何？只能说：前景是美好的，现实是残酷的。能否利用优势（Strength）、改变劣势（Weakness）、把握机会（Opportunity）、正视威胁（Threat），实现更准确的定位和制定更有利的发展战略，是把美好前景变为眼前现实的关键所在。 一、存在优势和支持 1. 巨大市场，本土比非本土更多机会 中国大陆地区经济实力持续提高、人均消费水平不断增强以及信息化浪潮大力推动等多项积极因素的影响，大陆IC市场销售规模从2000年的945亿元快速增长到2004年的约2900亿元，年复合增长率达32.4%，而且预计这种增长速度至少还将持续到2008年。其中，2004年消费电子IC约占整个市场份额的28%，即812亿元。
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模拟、数字和存储器测试等系统的介绍 负载板（Loadboards）、探测机（Probers）、机械手（Handlers）和温度控制单元（Temperature units） 一、晶圆、晶片和封装 1947年，第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始，从那时起，半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式，这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"（VLSI，Very Large Scale Integration）的集成电路，通常包含上百万甚至上千万门晶体管。 半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；一片晶圆上这种单个的电路被称为die（我前面翻译成"晶片"，不一定准确，大家还是称之为die好了），它的复数形式是dice.每个die都是一个完整的电路，和其他的dice没有电路上的联系。 当制造过程完成，每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"（即我们常说的CP测试）、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中，每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书，那么它会被测试过程判为失效（fail），通常会用墨点将其标示出来（当然现在也可以通过Maping图来区分）。 在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的晶圆锯解，所有被标示为失效的die都报废（扔掉）。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die，它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。
计算机专业生产实习报告 一、摘要 1、通过理论联系实际，巩固所学知识，提高实际动手能力，提高处理实际问题的能力。 2、了解实际工作的具体流程和需要掌握的知识以及应用方法。 3、发现自己知识缺乏的方面，及时进行补充，为将来顺利进入社会工作做好准备。 二、关键词 计算机组装CPU主板硬盘内存光驱机箱。 三、正文 1、实习日记 四月二十九号我们开始参加生产实习，老师安排了实习前的认识培训，让我们观看了关于硬件试验所必需了解的常识的录像带，比如说：台式组装计算机所具备的几大部件，各大部件的主要功能以及性能指标等等。实习中的笔记总结为： 4月29号-30号（硬件实习第一天、第二天） 这两天其实也没动手去拆机装机，只是先叫大家学习一下拆机装机的基本必备知识，所以，学院统一安排看拆机装机视频，当然，学到了很多东西，看不到的东西。平时虽说在这方面有积累，但归咎
是表面的，一些细节及一些原理自己是没有总结出来，而通过看这两次视频补充了自己在这方面的缺陷。让我看后得到最多的不是流程，而是原因，比如，在以前，只知道哪根线往哪插，那个设备该怎么样放置，完完全全的是靠死记硬背性的，可通过这两天的学习，不仅让我知道了这些，更让我知道了为什么要这样做，这样做的意义何在，利弊是什么，该怎么样去防止及保护等等以前看不到的知识，使我受益匪浅！ 5月8号-9号（硬件实习第三天、第四天） 说实话，只有这两的实习才真正的体验了一下拆机装机的过程，可这毕竟来自前两天的准备工作。虽然说拆机装机早在自己的机子上做过"实验"了，但在这里有不一样的地方。 一是拆机装机气氛不一样，大家也是讨论的很激烈，问同学，问老师，总要问个为什么，可见大家的兴趣及高。 二是这些古董机子几乎大家都没见过，就像我们这一组，CPU 还是卡插式的，整了半天才卸下来，大家也对这玩意很感兴趣，拿着到处研究，当然，给装机带来了好多麻烦，因为没见过，所以在以前的实习中没装过，也就造成了现在不会装的后果。 拆机装机分组，大约3-5人为一组，每组里有自己的"高手"带头，第一天的拆机装机先由每组中的高手示范，第二天才由剩下的人拆装。高手在示范时不光是头低下一直拧螺丝，还要讲解一些注意事项，而低手，在装机时要按照高手的指示去做，老实交待了，他会转着检查，还可能提问，如果哪一组有问题，对低手没什么处分，而
2018年DSP芯片行业 分析报告 2018年5月
目录 一、DSP芯片主要功能为数字信号处理，应用领域广泛。 (4) 1、上世纪80年代DSP芯片问世 (4) 2、DSP芯片的应用领域非常广泛 (6) 二、高端市场被国外公司垄断，DSP未来发展趋势为集成化和可编程 (8) 1、目前3家国际公司DSP芯片占据国际市场 (8) 2、集成化和可编程是DSP芯片发展趋势 (11) 3、FPGA芯片与DSP芯片是相爱相杀的一对 (11) 三、告别无“芯”之痛，国产DSP性能国际领先 (15) 1、华睿芯片是自主可控“核高基”成果 (15) 2、魂芯DSP芯片打破国外垄断 (17) 3、DSP芯片在民用信息领域市场空间巨大 (19) 四、相关企业 (21) 1、国睿科技 (21) 2、四创电子 (22) 3、振芯科技 (22) 4、杰赛科技 (22) 5、卫士通 (23)
DSP芯片主要功能为数字信号处理，应用领域广泛。DSP芯片是指能够实现数字信号处理技术的芯片，自从上世纪80年代诞生第一代DSP芯片TMS32010以来，已经有六代DSP芯片问世，并广泛应用于通信（56.1％）、计算机（21.16％）、消费电子和自动控制（10.69％）、军事／航空（4.59％）、仪器仪表（3.5％）、工业控制（3.31％）、办公自动化（0.65％）领域。 高端DSP市场长期被国外公司垄断，未来集成化和可编程为两大趋势。世界上DSP芯片制造商主要有3家：德州仪器（TI）、模拟器件公司（ADI）和摩托罗拉（Motorola）公司，其中TI 公司占据绝大部分的国际市场份额。未来集成化和可编程是DSP发展的两大趋势。首先，DSP芯核集成度越来越高，并且把多个DSP芯核、MPU 芯核以及外围的电路单元集成在一个芯片上，实现了DSP系统级的集成电路。其次，DSP的可编程化为生产厂商提供了更多灵活性，满足厂家在同一个DSP芯片上开发出更多不同型号特征的系列产品。 华睿、魂芯DSP芯片逐步打破国外垄断。我国成熟的军用DSP芯片中，具有代表意义的是华睿和魂芯芯片，华睿芯片代表国内DSP芯片工艺最高水平，处理能力和能耗具有明显优势；而魂芯芯片与美国模拟器件公司（ADI）TS201芯片新能相近。在实际运算性能与德州仪器公司产品相当的情况下，“魂芯二号”功耗下降三分之一，在可靠性、综合使用成本等方面全面优于进口同类产品。华睿、魂芯已应用于雷达等军事装备中。 DSP芯片在民用信息领域市场空间巨大。DSP芯片支持通信、计
集成电路行业分析 集成电路产业的技术水平和产业规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。 行业概述： 从1958年第一块集成电路发明开始，至今近60年的发展历程中，全球IC 产业经历了起源壮大于美国，发展于日本，加速于韩国以及我国台湾地区的过程，目前整个产业又有向中国大陆地区转移的迹象。 狭义集成电路行业产业链包括芯片设计、制造、封装和测试等环节，各个环节目前已分别发展成为独立、成熟的子行业。按照芯片产品的形成过程，集成电路设计行业是集成电路行业的上游。集成电路设计企业设计的产品方案，通过代工方式由晶圆代工厂商和封装测试厂商完成芯片的制造和封装测试，然后将芯片产成品作为元器件销售给电子设备制造厂商。芯片加工处于芯片产业的中游，封装测试属于芯片行业的体力活。 广义的集成电路行业产业链包括集成电路制造设备（北方华创）、加工时用的特种材料（如强力新材：专业生产晶圆生产过程用的光刻胶引发剂），以及制造本身要用的材料（如：宁波江丰电子材料股份有限公司（非上市公司）专门从事超大规模集成电路芯片制造用超高纯金属材料及溅射靶材的研发生产，南大光电主要从事光电新材料MO源的研发、生产和销售，是全球主要的MO源生产商。MO 源即高纯金属有机源，是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料）。
（1）集成电路设计：集成电路设计企业处于产业链上游，主要根据电子产品及设备等终端市场的需求设计开发各类芯片产品。集成电路设计水平的高低决定了芯片产品的功能、性能和成本。 （2）晶圆制造：晶圆制造是指晶圆的生产和测试等步骤。 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC 产品。 晶圆生产是指晶圆制造厂接受版图文件（GDS 文件），生产掩膜（Mask），并通过光刻、掺杂、溅射、刻蚀等过程，将掩膜上的电路图形复制到晶圆基片上，从而在晶圆基片上形成电路。一款芯片由晶体管、电容、电阻等各种元件及其相互间的连线组成，这些元件和互连线通过研磨、抛光、氧化、离子注入、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上逐层制造而成。 晶圆测试（CP 测试）是指在测试机台上采用探针卡（Probe Card）并利用测试向量对每一颗裸片的电路功能和性能进行测试的过程。 （3）集成电路封装测试：经过CP 测试的晶圆再经过减薄、切割后，可以进行封装、成品测试从而形成芯片成品。 芯片封装包括包括晶圆切割、上芯、键合、封塑、打标、烘烤等过程。芯片封装使芯片内电路与外部器件实现电气连接，在芯片正常工作时起到机械或环境保护的作用，保证芯片工作的稳定性和可靠性。 成品测试是利用测试向量对已封装的芯片进行功能和性能测试的过程。经过成品测试后，即形成可对外销售的芯片产品。
我国集成电路行业分析报告 一、行业概述 （一）行业定义 根据《国民经济行业分类》，集成电路业（Integrated Circuit，英文缩写为IC，行业分类代码4053）是指单片集成电路、混合式集成电路和组装好的电子模压组件、微型组件或类似组件的制造，包括半导体集成电路、膜集成电路、集成电路芯片、微型组件、集成电路及微型组件的零件。 （二）行业分类 集成电路行业分类方法很多，从制造流程来看，集成电路的制造流程主要经过集成电路设计、制造、封装测试等环节，因此集成电路行业也分为集成电路设计、集成电路制造、集成电路封装测试等三个子行业。 （三）行业特点 1、产业规模迅速扩大，行业周期波动趋缓 集成电路作为信息产业的基础和核心，具有很高的渗透性和高附加值特性，由于其倍增效应大，各国对该行业都极为重视，发达国家和许多新兴工业化国家和地区竞相发展，使得这一行业的规模迅速扩大。 全球集成电路产业一直保持着周期性的上升与下降，主要特点是：平均每隔四至五年一个周期，国际集成电路市场呈现周期性的繁荣与下降衰退，几乎每隔十年出现一个大低谷或者大高峰。人们称这种周期性变化为“硅周期”。供求关系的变化是硅周期存在的主要原因，全球经济状况也强烈影响着集成电路产业的周期变化。 2、技术密集度高，工艺进步疾速如飞 技术进步是推动集成电路产业不断发展的主要动力之一，工艺技术持续快速发展，带动了芯片集成度持续迅速的提高，单元电路成本呈指数式降低。集成电路技术进步遵循摩尔定律，即集成电路芯片上的晶体管数目，约每18个月增加1倍，性能也提升1倍，而价格降低一半；集成电路晶体管技术的特征尺寸平均每年缩小到0.7倍或每两年0.5倍。 3、资本密集度不断加大，规模经济特征明显 集成电路行业的投资强度和技术门槛越来越高，设备费用和研发费用都非常大。一条12英寸集成电路前工序生产线投资规模超过15亿美元，产品设计开发成本上升到几百万美元乃至上千万美元。企业的资金实力和技术创新能力成为竞争的关键。集成电路的芯片产量和性能飞速提高，而芯片的平均成本却在不断下降，因此只有依靠大规模生产，实现规模经济，才能降低单位成本，实现盈利。随着技术不断进步，集成电路行业的资本密集度将不断增强。 4、专业分工是方向，竞争与协作并存 在集成电路发展早期，主要是由一些大的公司和研究机构参与，因此商业模式上以IDM （Integrated Device Manufacturers，即集成设备制造商）为主，其特征是经营范围覆盖IC设计、芯片制造、封装测试，甚至下游的终端产品制造。如三星、英特尔、德州仪器、东芝、意法半导体等，全球前二十大半导体厂商大多为IDM厂商。 随着行业的发展，产业链上IC设计、芯片制造、封装、测试各环节的技术难度不断加大，进入门槛不断提升，产业链开始向专业化分工方向发展。专业分工带来三大优势：第一、成本更省（台积电成本可以做到英特尔的一半）；第二、协助行业内公司专注于擅长的环境（规模效应）；第三、解决巨额投资门槛（更多公司进入上游芯片设计环节）。 二、政策环境 集成电路产业作为国防安全和经济发展的支柱产业，国家从政策上给予了高度重视和大力支持，推动加大资金投入力度，加快行业创新与发展，对集成电路行业实施税收优惠等，主要法规、政策及内容见下表：
第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测，通过测量对于集成电路的输出回应和预期输出比较，以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程，是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入Y 被测电路DUT（Device Under Test）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入x 和网络功能集F（x），确定原始输出回应y，并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。 3.集成电路故障与测试 集成电路的不正常状态有缺陷（defect）、故障（fault）和失效（failure）等。由于设计考虑不周全或制造过程中的一些物理、化学因素，使集成电路不符合技术条件而不能正常工作，称为集成电路存在缺陷。集成电路的缺陷导致它的功能发生变化，称为故障。故障可能使集成电路失效，也可能不失效，集成电路丧失了实施其特定规范要求的功能，称为集成电路失效。故障和缺陷等效，但两者有一定区别，缺陷会引发故障，故障是表象，相对稳定，并且易于测试；缺陷相对隐蔽和微观，缺陷的查找与定位较难。 4.集成电路测试的过程 1.测试设备 测试仪：通常被叫做自动测试设备，是用来向被测试器件施加输入，并观察输出。测试是要考虑DUT的技术指标和规范，包括：器件最高时钟频率、定时精度要求、输入\输出引脚的数目等。要考虑的因素：费用、可靠性、服务能力、软件编程难易程度等。 1.测试界面 测试界面主要根据DUT的封装形式、最高时钟频率、ATE的资源配置和界面板卡形等合理地选择测试插座和设计制作测试负载板。
精选范文:半导体公司实习报告（共6 篇）为期第三个月的实习结束了，我在这三个月 的实习中学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，受益非浅。现在我就对这个月的实习做一个工作小结。实习是每一个大学毕业生必须拥有的一段经历，他使我们在实践中了解社会，让我们学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，也打开了视野，长了见识，为我们以后进一步走向社会打下坚实的基础。实习使我开拓了视野，实习是我们把学到的理论知识应用在实践中的一次尝试。实习时把自己所学的理论知识用于实践，让理论知识更好的与实践相结合，在这结合的时候就是我们学以致用的时候，并且是我们扩展自己充实自己的时候。实习期间，我利用此次难得的机会，努力工作，严格要求自己，遇到不懂的问题就虚心地向师傅们请教，搞清原理，找到方法，然后再总结经验，让自己能很快融入到工作中去，更好更快的完成任务。同时我也利用其他时间参考一些书籍、搜索一些材料来完善自己对策划管理工作的认识，这也让我收获颇多，让我在应对工作方面更加得心应手。格公司是在1997 年经历千辛万苦独立出来自主经营的公司，已经有十三多年的发展历史，成为集研制、生产、销售、技术培训于一体，拥有高精度电脑控制机械加工中心等全套加工设备的大型专业包装设备制造厂。目前主要生产驱动类集成ic 与光电鼠标等，产品包括：动和半自动轮转循环，机械有d/b 与w/b ，这些机械都是日本、美国高科技的技术。具有高精度、高效率、先进的自动模切机、dbing 机、wbing 机等。该半导体厂的组织机构设置很简练。主要是总经理副总经理主管管理各个部门。由于矽格公司的设备很先进，在生产线上不会像往常的工厂那样满布工人，主要是某三五个人负责工作流程。这对我了解该工厂的生产流程提供了方便。该厂生产的ic 依据季节可以算得上的需求稳定，是属于定单供货型的生产。由于产品的质量要求和技术含量要求都很高，因此，生产周期也比较长，单次产品需求的数量也不大。同时，每台产品的价格非常昂贵，在万元以上。生产部门主要包括，采购，技术，生产，供应。我被安排在技术生产部工作。但其工作并不是坐在办公室悠闲地搞技术，而是跟住生产随时跑，没得座，出现问题就及时解决。实习期间，刚好该厂正是定单最鼎盛时候，也就是历年来定单最多的一年，生产进行得如火如荼。我在跟随生产部门工作的时候，方才发现，生产这部门，在企业中极其重要。它是一个公司的根源，其他的管理基层都是辅助生产高效率生产。质量是企业的第一信誉，是产品的形象。公司严把质量关，这就掌握了企业的未来。该公司正是怀着这种信念，检验程序相当严格，不合格的产品严格反工甚至对员工、调试工、组长进行罚款等处分。通过这次实习，我学会了不少东西。实践出真知啊。 ［半导体公司实习报告（共6篇）］篇一：半导体公司实习报告 半导体公司实习报告 为期 ［半导体公司实习报告（共6 篇）］单次产品需求的数量也不大。同时，每台产品的价格非常昂贵，在万元以上。生产部门主要包括，采购，技术，生产，供应。我被安排在技术生 产部工作。但其工作并不是坐在办公室悠闲地搞技术，而是跟住生产随时跑，没得座，出现问题就及时解 决。 实习期间，刚好该厂 正是定单最鼎盛时候，也就是历年来定单最多的一年，生产进行得如火如荼。我在跟随生产部门工作的时 候，方才发现，生产这部门，在企业中极其重要。它是一个公司的根源，其他的管理基层都是辅助生产高效 率生产。 质量是企业的篇二： 半导体公司实习报告 实习时间： 2015.03.06~ 今