SiC半导体材料和工艺的发展状况
崔晓英
【期刊名称】《电子产品可靠性与环境试验》
【年(卷),期】2007(025)004
【摘要】碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围.阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC 器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势.
【总页数】5页(58-62)
【关键词】碳化硅器件;器件工艺;半导体材料
【作者】崔晓英
【作者单位】信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,51610
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.2+4
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