第一章：
填空：
1.等比例缩小理论包括恒定电场（CE）等比例缩小定律、恒定电压（CV）等
比例缩小定律、准恒定电场（QCE）等比例缩小定律。
名词解释：
1.摩尔定律：Intel公司创始人之一Moore预测集成电路的集成度大约是每18个月翻
一番，称为摩尔定律。
2.CMOS集成电路要把NMOS和PMOS两种器件做在一个芯片里。
3.CMOS集成电路是利用NMOS 和PMOS的互补性来改善电路性能的，因此
叫做CMOS集成电路。在P型衬底上用N阱工艺制作CMOS集成电路。
第二章：
填空：
集成电路加工的三个基本操作为：1形成某种材料的薄膜，2在各种材料的薄膜上形成需要的图形，3通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。
名词解释：
闩锁效应：在n阱CMOS中PMOS管的源、漏区通过n阱到衬底形成了寄生的纵向PNP晶体管，而NMOS的源、漏区与P型衬底和n阱形成寄生的横向NPN晶体管。PNP晶体管的集电极和NPN晶体管的基极通过衬底连接，同时NPN晶体管的集电极通过阱和PNP晶体管的基极相连，从而构成交叉耦合形成的正反馈回路，一旦其中有一个晶体管导通，电流将在两支晶体管之间循环放大，使电流不断加大，最终导致电源和地之间形成极大的电流，并使电源和地之间锁定在一个很低的电压，这就是闩锁效应
CMOS版图设计规则：为了保证制作的集成电路合格并保证一定的成品率，不仅要严格控制各种工艺参数，而且要有设计正确合理的版图，在设计版图时必须严格遵守的某些限制称为版图设计规则。
浅沟槽隔离工艺：浅沟槽隔离是采用现代刻蚀技术实现很大的纵横比沟槽，然后采用CVD 方法淀积SiO2从而形成用于隔离的沟槽。
所示为MOS晶体管结构图，请写出图中字母A至F所对应部位的中文名称，并以NMOS 为例简述MOS晶体管的工作原理。（5分）
图 1 1． 请画出电路图并解释N 阱CMOS
由于N 阱CMO S 结构
中的横向寄生NPN 晶体管和纵向寄生PNP 晶体管形成正反馈电路结构，在特定的外部条件下，将发生N 阱CMOS 电路电源和地线之间的低电阻状态，即发生闩锁效应。
第三章
填空题
作为集成电路制作的基本工艺流程之一，掺杂方法主要有＿＿＿＿和＿＿＿＿。 2． 淀积的作用是把另一种物质淀积在硅片表面，目前普遍采用的是＿＿＿＿方法。
3
． 对于硅栅工艺是先做栅极，再做源、漏区掺杂，实现源-栅-漏自动对准，故硅栅工艺又叫做＿＿＿＿。
4． 集成电路的互连线存在寄生效应，这些效应包括＿＿＿＿，＿＿＿＿，＿＿＿＿。
5． 目前先进的CMOS 工艺是采用沟槽隔离的外延双阱技术，这种技术可以有效的防止体硅CMOS 出现＿＿＿＿效应。 参考答案： 一．填空题
1．高温扩散 离子注入 P64 2．化学气相淀积 P65 3．自对准工艺 P66
4．寄生电容，寄生电阻，寄生电感 P71 5．闩锁效应 P68
1.试说明MOS晶体管的阈值电压有哪些部分组成？
2.什么是MOS晶体管的本征阈值？
3.试说明体效应如何影响阈值电压？
4.MOS晶体管的三个工作区是什么？
5.区分MOS晶体管工作在线性区和饱和区的条件是什么？
6.什么是MOS晶体管的导电因子？
7.试说明MOS晶体管的亚阈值电流。
8.什么是MOS晶体管的瞬态响应？
9.试解释短沟道效应。
10.试解释饱和区沟道调制效应。
11.什么是迁移率退化和速度饱和？
12.什么是热电子效应？
13.试说明SPICE中MOS晶体管的各级模型Level=1、Level=2、Level=3、Level=4的特点。
14.试说明薄层电阻或方块电阻的含义。
15.什么是互连线的RC延迟？
第四章
一、填空题
3. CMOS逻辑电路的功耗由三部分组成：动态功耗P d、开关过程中的短路功耗P SC、静态功耗P s。
4. 用CMOS电路设计静态数字逻辑电路，如果设计与非逻辑下拉支路应该是串联，如果设计或非逻辑下拉支路应该是并联。
5. CMOS数字集成电路中，对于NMOS下拉网络的构成规律是：NMOS管串联实现与操作；NMOS管并联实现或操作。对于PMOS上拉网络则是按对偶原则构成，即PMOS管串联实现或操作；PMOS管并联实现与操作。
*6.富NMOS动态电路与富NMOS动态电路不能直接级联，但可以与富PMOS动态电路直接级联。
填空：
1. 电路的最高工作频率是指因此最高工作频率的公式为
2. 上升时间的定义下降时间的定义
3. 噪声容限的三个定义：
4. 画图说明导电因子和阈值电压对反向器电压传输特性的影响
5. 什么叫无比电路什么叫有比电路（用CMOS,E/E, E/D,E/R,反向器讨论）
6. 反向器的延时时间是如何定义的有何作用
7．画图解释NMOS传输们传高电平和低电平的过程
8. 画图解释PMOS传输们传高电平和低电平的过程
9. 画图解释CMOS传输们传高电平和低电平的过程
10. 如何得到传输门的导通电阻
11. 衬偏效应对CMOS传输门性能的影响
二、名词解释
*1. 传输门阵列逻辑：
答：用传输门串并联可以构成一个比较规则的电路形式，这种电路形式可以叫做传输门阵列。
*2. 多米诺（Domino）CMOS电路：
答：多米诺（Domino）CMOS电路由一级预充-求值的动态逻辑门加一级静态CMOS反相器构成。
3.可恢复逻辑电路：
答：当输入逻辑电平偏离理想电平时，能使偏离理想电平的信号经过几级电路逐渐收敛到理想工作点，最终达到合格的逻辑电平的电路。
4. CMOS反相器的输出上升时间
答：对CMOS反相器V L=V DD,上升时间是输出从0.1V DD上升到0.9V DD所需要的时间。
5. CMOS反相器的输出下降时间
答：对CMOS反相器V L=V DD,下降时间是输出从0.9V DD下降到0.1V DD所需要的时间。
简答题
1.描述如何得到一个反向器的稳态工作点
2.0.18um工艺下 Kn=3Kp, 设计一个反向器，说明器件尺寸
3.画出CMOS反向器的电路图，版图，电压传输特性曲线，并指出
NMOS,PMOS工作区
4.讨论CMOS反向器直流设计和瞬态设计的矛盾，并举例说明如何折衷。
三、画图题
根据管级电路图写出逻辑表达式
1．
C i V P 0P 1P 2P 3
四：根据逻辑表达式补齐版图，根据版图写出管级电路图 1． 逻辑为C AB Y +=，在版图上？ ● 标出输入信号 ● 补齐版图
● 再画出管级原理图
多晶硅
n
+p +
n 阱
接触孔
2．逻辑为B A B A Y +=，在版图上补齐版图？
多晶硅
1
n
+
p
+
n
阱
接触孔
A B
2
3．画出如下棍图的管级原理图
A
金属
B C
多晶硅
n+
p+
接触孔
根据逻辑表达式画出管级电路图和棍图
1．|)
(C
B
A
Y+
=
2．D
C
B
A
Y+
=
3．D ABC Y +=
1. 请画出用CMOS 电路实现Y=A(B+C)DE +逻辑功能的电路图。 (6分）
2. 请画出用CMOS 电路实现DE BC A Y ++=逻辑功能的晶体管级电路图。 (5分） 图例:
3. 请画出CMOS 反相器的直流电压传输特性曲线，标出5个工作区域，并写出两管在相应
区域的工作状态。（5分）
4. 请绘出NMOS I-V 特性曲线，说明其工作状态及不同状态的界线。（5分）
5．请画出用CMOS 电路实现DE C AB Y ++=逻辑功能的晶体管级电路图。 (5分） 图例:
1． 写出对称设计的CMOS 反相器逻辑阈值电平和由其定义的最大噪声容限？ 2． 为什么CMOS 反相器是可恢复逻辑电路？ 什么是动态CMOS 电路的预充-求值？ 3． 什么是多米诺CMOS 电路？
4． 什么是动态CMOS 电路的电荷分享
6. 已知某CMOS 反相器的输出上升时间和下降时间分别为15ns 和25ns ，试确定该反相器工作频率的上限。（5分）
解：f m =1/(2max(t r ,t f ))=1/(2×25ns)=1/50ns=2×10^7s 答：该反相器工作频率的上限是2×10^7s
7. 请画出CMOS 反相器的电路图和版图（5分）
图例：
*8.请画出一个静态CMOS 二输入或非门的晶体管级电路图及其版图（5分） 图例：
四、电路分析题
2． 假设有两个逻辑信号A 、B ，其中A 先于B 到达如图所示电路；为了使电路得到最好的
瞬态特性，请在图中标注出A 、B 接入方法，并解释为什么。
五、综合题
1. *请画出实现二输入与非逻辑功能Y A B =?的富NMOS （仅用NMOS 晶体管实现逻辑求值功能，而用PMOS 晶体管实现高电平预充功能）预充-求值动态逻辑电路图。简要说明电路中的电荷分享问题是如何形成的。（10分） 预充：Φ =“0”，M P 导通对C L 充电，输出V O =V DD
A
B
答：将先到达的逻辑信号A 接于靠近地线的NMOS 管M N1的栅极上，将有利于使先到达的信号A 对串联支路的中间结点寄生电容放电，其原因是只有中间结点的电容放电后，才能使输出结点寄生电容放电，这样有利于提高电路的响应速度。
求值：Φ =“1”，O L O V V ===”，则“若1B A ；
D D O V V ===”，则“”“若0B 1A ，但此时， C L 对C 1进行电荷分享会出现输出高
电平下降。
第五章
填空：
1．CMOS 逻辑门的特点（带非逻辑，NMOS 串与或并，n 个输入需要2n 个MOS 管，无比电路） 2．电路的总延迟时间与（每个逻辑门的具体结构和器件参数）有密切关系
3．减少每个逻辑门的输入端数有利于（减小面积和改善速度） 4．在CVSL 电路中交叉耦合的PMOS 负载管有（锁存）作用，使输出状态不易（翻转）
5．CPL 最有吸引力的优点是（简单而规则的电路形式） 6．DPL 比较适合于在 （低电源电压的VLSI ）中采用
简答题
1．如何设计CMOS 与非门或非门 106页
2．用静态CMOS 和类NMOS 逻辑门实现Y=AB+CD 的非 图5.5.1 3．类NMOS 电路的特点 118页
4．用传输门阵列实现4选一多路器 图5.7.2
第六章
简答题：
1、请举例加以说明预充-求值动态电路的级联问题及电荷分享问题；
答案：见书P142-144
2、请画出准静态D触发器的电路图，并说出D触发器和D锁存器的区别；
答案：准静态D触发器的电路图见书P163 图6.6.9，D触发器和D锁存器的区别：P165 触发器只在时钟的上升边或下降边翻转，无论输入信号如何变化，在一个时钟周期内输出状态只能变化一次，因此没有空翻的问题。对于锁存器，输出状态在时钟为高电平或者低电平的整个期间都随输入信号变化，如果输入信号变化多次，输出状态也会变化多次。另外，触发器还有建立时间和保持时间的要求。如果能够结合类似于P164 图6.6.11加以说明更好。
3、请设计一简单电路，使之能够产生近似相同延时的两相不交叠信号；
答案：P146 图6.2.12
4、以任意一纹波动态逻辑电路为例，请简述其预充-求值的工作过程；
答案：P141 图6.2.1，说明见P141第一段。
5、请说明电荷分享对多米诺CMOS电路造成的影响以及相应的解决措施；
答案：P149 电荷分享引起存储高电平结点的高电平下降，这将对多米诺CMOS电路造成两面的影响：（1）、（2）。解决措施增加反馈管和增加预充电管,详见P150。
填空题：
1、CVSL多米诺电路中增加的两个反馈管的作用是克服电荷分享与电荷泄露引起的存储电荷损失；
2、就上升时间和下降时间来讲，对于富PMOS电路上升时间将成为主要问题；
3、多米诺CMOS电路由一级预充-求值的动态逻辑门加一级静态CMOS反相器构成；
4、时钟CMOS电路采用的是求值-保持的工作方式；
5、NORA电路的基本原理是将预充-求值和求值-保持的工作方式结合起来，用来克服两相时钟信号偏移引起的信号竞争；
6、移位寄存器根据数据输入、输出方式可以分为串入-串出、串入-并出、并入-串出和并入-并出四种。
第七章
一、填空
1、输入缓冲器有两方面的作用，一是（），另一个是（）。答案：作为电平转换的接口电路；提高输入信号的驱动能力。（P177，7.1节）
2、为了使总线和所有接到总线上的电路都能正常工作，连接到总线上的电路必
须按照一定的时序向总线传送信号。这就要求电路的输出有三态控制，即电路可以有三种输出状态，即（）、（）、（）。
答案：输出高电平状态；输出低电平状态；高阻态。（p187）
3、对于要接到片外的最终输出级反相器的设计，要考虑三个方面的因素，即（）、（）、（）。
答案：输出要和TTL电路兼容；要有足够大的输出驱动能力；输出静电保护。（p184）
4、为了有效地减少管子占用的面积和多晶硅线的RC延迟时间，对于宽长比很大的输出级MOS管必须采用（）结构。
答案：梳状（p186）
5、在双二极管保护电路中，为了防止闩锁效应，在两个二极管周围都要增加（）。
答案：保护环（p180，图7.2.2）
二、选择
6、使用反相器链作输出缓冲器时，用几级反相器串联，应使反相器的尺寸（）
a、相同
b、逐级增大
c、逐级减小
d、不确定
答案：b （p181，7.3节）
7、用CMOS施密特触发器作为输入缓冲级，可以使输入噪声容限（）
a、提高
b、降低
c、不变
d、不确定
答案：a （p179，图7.1.5）
8、在一定的负载电容和逻辑摆幅情况下，要减小电路的延迟时间必须（）MOS 管的驱动电流，而要增大驱动电流只有（）输出级MOS管的宽长比。
a、增大，减小
b、减小，增大
c、增大，增大
d、减小，减小
答案：c（p181，7.3节第一段）
9、采用n级[n=ln（C L/C in）]反相器链作驱动器驱动大的负载电容C L，各个反相器逐级增大（）倍可以使驱动器总的延迟时间最短。
a、1/e
b、e2
c、e
d、1/ e2
10、一般要求CMOS IC的输出至少能驱动一个TTL门，也就是要求CMOS电路的输出和TTL电路的输入之间满足电平匹配和电流匹配的要求，试填写下列关系：
V OHmin（CMOS）（）V IHmin（TTL），
V OLmax（CMOS）（）V ILmax（TTL），
I OHmin（CMOS）（）N I IHmax（TTL），
I OLmin（CMOS）（）N I ILmax（TTL），
其中N是实际扇出系数。
a、≤≥≤≤
b、≥≤≤≤
c、≤≥≥≥
d、≥≤≥≥答案：d （p184）
三、问答
11、CMOS施密特触发器是实现电平转换的接口电路，试画出输入信号从高电平到低电平变化时的电压传输特性。
答案：p178，图7.1.3
12、为防止MOS IC中接到芯片输入端MOS晶体管出现栅击穿，必须在MOS IC 的输入端增加保护电路，试画出简单CMOS反相器的一种输入保护电路，试分析它的工作原理。
答案：p180，7.2.2节
要点：1、最简单的保护电路是由一个二极管D和一个电阻R组成的，只要设计二极管的击穿电压小于MOS管的栅击穿电压，则外界引起的高电压，就会首先使D击穿，产生的大电流在R上引起压降，从而使加在MOS管栅极的电压降低，防止了栅击穿。2、电阻R还有限流的作用，防止二极管击穿引起过大的电流而被烧坏。由于干扰信号包括静电引起的输入端的高电压都是瞬时的脉冲信号，只要电流不是非常大，二极管不会被烧坏，从而可以继续起保护作用。
13、试设计一个简单的三态输出电路，画出它的门级电路图。
参考答案：p188，图7.5.2、7.5.3、7.5.4、7.5.5。
一、填空（8、9、10三章）
1、MOS存储器分为随机存储器（RAM），只读存储器（ROM）。
2、MOS RAM存储器分两类：1：动态随机存储器（DRAM），2：静态随即存储器（SRAM）。
3、DRAM读出过程存在两个问题，一是电荷再分配的结果破坏了原来存储的信息，因此DRAM是破坏性读出；二是读出信号微弱，因为位线寄生电容一般比存储电容大得多。
4、SOI的中文意思是绝缘体上硅。
二、简答题
1、简述DRAM和SRAM各自的存储方式和优缺点。
答：动态随机存储器(DRAM)靠电容存储信息，即动态存储方式，单元面积小易于提高集成度。由于DRAM集成度高，功耗低，适于做计算机的内存。DRAM 的主要缺点是信息不能长时间保存，需要定时刷新。
静态随即存储器(SRAM),靠双稳电路存储信息，是静态存储方式，只要不断电，信息可以一直保存，不需要刷新。SRAM工作速度快，适合于作高速缓冲存储器。SRAM的缺点主要是单元面积大，集成度不如DRAM容易提高，另外SRAM有较大的功耗。
2、灵敏再生放大器的作用是什么？
答：由于DRAM单元存储电容的容量很小，读出信号非常微弱，另一方面，读出后单元原来存储的信息受到破坏。因此DRAM需要灵敏再生放大器（S/R），把从单元独处的微弱信号放大，然后再写回单元，恢复单元原来存储的信息。3、简述半电压虚单元设置和半电荷虚单元设置的原理图。
答：见书198页~200页
4、由版图画出电路图（图9.3.6 二输入与非门版图设计实例）
5、SOI技术的特点是什么？
答：SOI技术的特点是把制作器件的单晶硅层放置在绝缘体上，因而消除了体硅
CMOS 中器件的有源区和硅衬底之间的很多寄生效应。
第八章
3． 请简述集成电路设计过程中的六个抽象级别和每个级别的表现形式。
2请画出用CMOS 实现的异或非门电路图，并在 图 2所示的CMOS 门阵列版图中画出实现异或非门的连接方法，用实线表示连接。（8分）
图 2
3、 请在图3中补画实现CD AB Y +=逻辑功能的、采用N 阱工艺的CMOS 电路的棍
图和相应的版图。（10分）
《机械制造工艺基础》复习题 第1章 切削与磨削过程 一、单项选择题 1、金属切削过程中，切屑的形成主要是（ 1 ）的材料剪切滑移变形的结果。 ① 第Ⅰ变形区 ② 第Ⅱ变形区 ③ 第Ⅲ变形区 ④ 第Ⅳ变形区 2、在正交平面内度量的基面与前刀面的夹角为（ 1 ）。 ① 前角 ② 后角 ③ 主偏角 ④ 刃倾角 3、切屑类型不但与工件材料有关，而且受切削条件的影响。如在形成挤裂切屑的条件下，若加大前角，提高切削速度，减小切削厚度，就可能得到（ 1 ）。 ① 带状切屑 ② 单元切屑 ③ 崩碎切屑 ④ 挤裂切屑 4、切屑与前刀面粘结区的摩擦是（ 2 ）变形的重要成因。 ① 第Ⅰ变形区 ② 第Ⅱ变形区 ③ 第Ⅲ变形区 ④ 第Ⅳ变形区 5、切削用量中对切削力影响最大的是（ 2 ）。 ① 切削速度 ② 背吃刀量 ③ 进给量 ④ 切削余量 6、精车外圆时采用大主偏角车刀的主要目的是降低（ 2 ）。 ① 主切削力F c ② 背向力F p ③ 进给力F f ④ 切削合力F 7、切削用量三要素对切削温度的影响程度由大到小的顺序是（ 2 ）。 ① f a v p c →→ ② p c a f v →→ ③ c p v a f →→ ④ c p v f a →→ 8、在切削铸铁等脆性材料时，切削区温度最高点一般是在（ 3）。 ① 刀尖处 ② 前刀面上靠近刀刃处 ③ 后刀面上靠近刀尖处 ④ 主刀刃处 (加工钢料塑性材料时，前刀面的切削温度比后刀面的切削温度高，而加工铸铁等脆性材料时，后刀面的切削温度比前刀面的切削温度高。因为加工塑性材料时，切屑在前刀面的挤压作用下，其底层金属和前刀面发生摩擦而产生大量切削热，使前刀面的温度升高。加工脆性材料时，由于塑性变形很小，崩碎的切屑在前刀面滑移的距离短，所以前刀面的切削温度不高，而后刀面的摩擦产生的切削热使后刀面切削温度升高而超过前刀面的切削温度。) (前刀面和后刀面上的最高温度都不在刀刃上，而是离开刀刃有一定距离的 地方。切削区最高温度点大约在前刀面与切屑接触长度的一半处，这是因为切屑在第一变 形区加热的基础上，切屑底层很薄一层金属在前刀面接触区的内摩擦长度内又经受了第二 次剪切变形，切屑在流过前刀面时又继续加热升温。随着切屑沿前刀面的移动，对前刀面 的压力减小，内摩擦变为外摩擦，发热量减少，传出的热量多，切削温度逐渐下降。) 9、积屑瘤是在（ 1 ）切削塑性材料条件下的一个重要物理现象。 ① 低速 ② 中速 ③ 高速 ④ 超高速 10、目前使用的复杂刀具的材料通常为（ 4）。 ① 硬质合金 ② 金刚石 ③ 立方氮化硼 ④ 高速钢
一、填空题（30分=1分*30）10题/章 晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。 淀积 20．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 21．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。 22．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 23．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。
电子元器件基础知识考试试题及答案 部门：姓名得分： 1、填空题（每题5分，共30分） 1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单 位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）和兆欧（MΩ），各单位之间 的转换关系为1MΩ=103KΩ＝106Ω。 2. 电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。 3. 电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电 感线圈。 4. 二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5. 三极管按导电类型可分为PNP型和NPN型。 6. 碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技 术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋 纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示 电阻值愈大。 2、判断题（每题5分，共25分） 1. 电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。 （正确） 2. 电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻 （敏感电阻）。（正确） 3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送 电流。（错误） 4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能 起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 （错误） 5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限 制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 （正确） 3、简答题（每题15分，共45分） 1. 读出右图两个色环电阻的阻值及误差,并根据电容的标识方法 读出贴片电容212J和104K的电容值及误差。
1 2 答： 1. 270Ω，5% 2. 200 KΩ，1% 3. 212J: 21*102 pF=2100 pF=2.1 nF , 5% 4. 104K: 10*104 pF=100 nF , 10% 2. 简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答：1. 普通二极管 2. 稳压二极管 3. 发光二极管 4. 光电二极管 3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答： 1. 电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3. 电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有 一定阻值为正常。 4. 二极管：用万用表测量正反向电阻，用万用表二极管档测量正 反向压降。 三极管：用万用表二极管档位判断三极管基极和类型，利用数字万用表h FE档可测出三极管的集电极C和发射极E，测出正反向压降。 拨动开关：将数显万用表转换开关拨至200或蜂鸣器档位,用万用表表笔分别接在开关不同的引脚上,检测开关相连接的两个触点之间的导通电 阻及不相通的绝缘电阻。
电子元器件识别考核试题 日期：部门：姓名：总分： 一、填空题：（每空1分，共60分） 1.电子设备的电子件主要包括____________ 、 _________ 、________ 、_________ 、________ 2?电阻是阻止_____________ 和_____________ 通过的一类电子元器件，电阻的字母代号. 3 ?电容的字母代号是_________ ，属于一种 ___________ 组件，国际单位通常用___________ 4 ?电容按极性可分为_____________ 和__________ ，基本单位_____________ ; 5?二极管由一个___________ 组成，字母代号为____________ ; 6 ?三极管由PN 组成，字母代号为_____________ ; 7?电感是能够把______________ 以 _____________ 形式储存起来的，是一种________________ 组件，字母代号__________ ，基本单位 ______________ ，国际单位 ___________ 、____________ ; & IC的字母代号___________ ，陶振的字母代号_____________ ； 9?电阻的基本单位是__________ ，国际单位有____________、___________ ,电阻的换算关系：________ 二 10.请写出以下各颜色代表的数字：棕_______ 、绿 _______ 、黄_________ 、紫 ________ 、白 ______ 金 _______ 、红 _________ 、橙 _________ 、蓝 __________ 、灰_________ 、黑________ 、银 _______ 11 ?请写出以下各颜色代表的误差值： 金 _____ 、银______ 、绿________ 、棕 _________ 、蓝________ 、紫________ 、无色_______ ; 12.二极管具有________________ ，所以在生产过程中，检验或插二极管时尤其加以注意，否则除本零 件___________ 还容易 _____________ ； 二、简答题（每题10分，共40分）
1．刀具后角是指后刀面与切削平面间的夹角。 3．精车铸铁时应选用（YG3）；粗车钢时，应选用（YT5）。 4．当进给量增加时，切削力（增加），切削温度（增加）。 8．机床型号由字母与数字按一定规律排列组成，其中符号C代表（车床）。 11．定位基准与工序基准不一致引起的定位误差称（基准不重合）误差，工件以平面定位时，可以不考虑（基准位置）误差。 12．机床制造误差是属于（系统）误差，一般工艺能力系数C p应不低于（二级）。 15．工艺过程是指用机械加工方法直接改变原材料或毛坯的形状、尺寸和性能，使之成为合格零件的过程。 一、简述切削变形的变化规律，积屑瘤对变形有什么影响（8分） 变形规律：ro↑，Λh↓；Vc↑，Λh↓；f↑, Λh↓; HB↑, Λh↓ 积屑瘤高度Hb↑,引起刀具前角增加，使Λh↓ ￥ 六、加工下述零件，以B面定位，加工表面A，保证尺寸10＋0.2mm，试画出尺寸链并求出工序尺寸L及公差。（8分） L＝mm 2201.0- 九、在六角自动车床上加工一批18 03 .0 08 .0 φ+-mm滚子，用抽样检验并计算得到全部工件的平均尺寸为Φ17.979mm，均方根偏差为0.04mm，求尺寸分散范围与废品率。 尺寸分散范围：－18.099mm 废品率：% 、 1．工序是指一个工人在一台机床上对一个（或多个）零件所连续完成的那部分工艺过程。 2．剪切角增大，表明切削变形（减少）；当切削速度提高时，切削变形（减少）。 3．当高速切削时，宜选用（硬质合金）刀具；粗车钢时，应选用（YT5）。 4．CA6140车床可加工公制，英制，模数和径节等四种螺纹。 5．不经修配与调整即能达到装配精度的方法称为（互换法）。 6．当主偏角增大时，刀具耐用度（减少），当切削温度提高时，耐用度（减少）。 11．定位基准面和定位元件制造误差引起的定位误差称（基准位置）误差，工件以平面定位时，可以不考虑（基准位置）误差。 12．测量误差是属于（随机）误差，对误差影响最大的方向称误差敏感方向。
常用术语翻译 active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性
22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI） 第一章半导体产业介绍 1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分) 集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。集成电路芯片/元件数产业周期 无集成 1 1960年前 小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期 中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期 大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期 超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在 2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)
电子元件基础知识培训考试试 题及答案 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
电子元件基础知识考试试题 部门：姓名：分数： 一、单项选择题：（每题2分，共30分） 1、二极管在电路板上用( B ) 表示。 A、C B、D C、R 2.、一色环电阻颜色为：红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C )。 A、200Ω B、20K C、200K 3、47KΩ±1%电阻的色环为( C )。 A、黄-紫-橙-金 B、黄-紫-黑-橙-棕 C、黄-紫-黑-红-棕 4、电感线圈的单位符号是( B )。 5、下图所示的二极管，描述正确的是( B )图。 A、黑色端代表正极 B、黑色端代表负极 C、以上描述都不对 6、电容量的基本单位是（ C ） A.欧姆 B.亨利 C.法拉 7、电容器上面标示为107，容量应该是（ B ） μF μF μF 8、4环色环电阻第四环颜色是银色，对应的误差多少( B ) % % % 9、前四环为棕黑黑红的五环电阻标值为多少（ B ） 欧姆欧姆欧姆 10、贴片电阻的阻值为，那么上面的标号应该为( B ) 11 、电容的单位换算正确的是( C ) =1000000μF B. 1μF =1000000pF C.以上都是 12、电阻按照封装来分非为:( A ) A.贴片电阻，插件电阻 B.水泥电阻，功率电阻 C.色环电阻，标码电阻 13、电感的单位换算正确的是( A ) =1000,000uH =1000,000，000uH =1000,000uH 14、如何判断发光二极管的管脚极性( A ) A.发光二极管的长脚为正极 B.发光二极管的长脚为负极 C.有的二极管有环状标志的一端是正极 15、贴片电阻的封装是:( A ) 二、填空题：（每空1分，共30分) 1. 电阻用字母 R 表示，电阻的基本单位是Ω或者（欧姆） ,电容用字母 C 表示。 2. 电容的基本单位是 F 或者(法拉) ，二极管用字母 D 表示，IC用字母 U 表示。 3. 为保护静电敏感元件，在人接触静电敏感元件时要：穿防静电衣，戴防静电帽，戴防静电手环。 4、配戴静电环时必须戴紧。对静电敏感元件有 IC ， ,晶体管等。（至少写一种）
DIP电子元件基础知识考试试题 部门：姓名：工号：分数： 、单项选择题：（每题1分，共30分） 1、根据作业指导书或样板之要求，该焊元件没焊，焊成其它元件叫（ C ） A、焊反 B、漏焊C错焊 2、加锡的顺序是（A）o A、先加热后放焊锡 B、先放锡后焊 C、锡和烙铁同时加入 3、根据作业指导书或样板之要求，不该断幵的地方断幵叫（B ）o A、短路 B、幵路 C、连焊 4、二极管在电路板上用（B ）表示。 A C B、D C、R 5、电烙铁焊接完成后与被焊体约（B ）度角移开 A 30 B、45 C、60 6. 、一色环电阻颜色为：红-黑-黑-橙-棕其阻值为（ A 200 Q B、20K C、200K 7、烙铁海绵加应加多少水为合适（ A、不用加水 B、对折海绵, 水不流出为准 C、加水超过海绵顶面 8、47K Q 土1%电阻的色环为（ A、黄-紫-橙-金 B、黄-紫-黑-橙-棕 C、黄-紫-黑-红- 9、电烙铁短时间不使用时，应 A、给烙铁头加少量锡 B、关闭电烙铁电源C不用对烙铁进行
处理 10、元件引脚的剪脚高度为（B ） A 0.5MM以下B、0.5-2.5MM C、2.5MM以上 11、电感线圈的单位符号是（B ）。 A丄B.H C.R 12、连接器（插座）插件时，连接器底面与板面允许的最大间距为（ A ）。 A 0.4MM B、1MM C、1.5MM 13、用烙铁进行焊接时，速度要快，一般焊接时间应不超过（B ）。 A 1 秒 B 3秒C、5秒 14、焊接时，当烙铁头上有锡氧化的焊锡或锡渣，正确的做法是（C ）。 A、不用理会，继续焊接 B、在纸筒或烙铁架上敲掉 C、在烙铁架的海绵上擦掉 15、电容器容量与电荷关系是（B ） A、电容量越大，存储电荷越少 B、电容量越大，存储电荷越多 C、电容量越小, 存储电荷越多 16、下列所示（C ）不是造成虚焊的原因 、焊锡固化前，用其他东西接触过焊点B、加热过度、重复焊接次数过多C、烙铁的撤离方法不当 17、下图所示的不良焊点为（C ）o A、少锡 B、裂锡 C、假焊 18 、下图所示的电路板插件，插件正确的是（B ）图。 A B C 19、下图所示的二极管，描述正确的是（B ）图。
机械制造工艺基础（第六版）试题库 绪论 一、填空题(将正确答案填写在横线上) 1、_是应用广泛的工程材料. 2、机械制造包括从金属材料的制造到制成_后装配到产品上的全过程。 3、制造在制造业中占有非常重要的地位. 4、按照被加工金属在加工时的状态不同·机械制造通常分为加工和加工两大类。 5、电气设备和线路应符合国家有关规定。 二、判断题(正确的，在括号内打∨;错误的.在括号内打x) 1、机械制造技术的先进程度代表着制造业的水平，在一定程度上反映了国家工业和科技的整体实力( ) 2、在制造业中所采用的主要加工方法就是机械制造。( ) 3、利用各种特种加工设备，完成对普通金属、高硬度金属、有色金属、高精度金属零件的加工属于金属特种加工。( ) 4.在机械制造过程中，各类机床的操作必须严格遵守机床操作规程.避免发生人员、几床事故。( ) 三、选择题(将正确答案的序号填写在括号内) 1、下列属于高温职业(工种)的是( )。 A.磨工 B.铸造工C钳工 D.车工 2、利用各种手段对金属材料进行加工从而得到所需产品的过程称为 A.金属加工 B.产品制造 C.零件制造D机械制造 3.( )属于机械制造中的冷加工工种。
A.焊工B铸造工 C.钳工 D.车工 4.下列属于金属热加工职业(工种)的是( )。 A.钳工 B.车工 C.锻压工 D.镗工 第一章铸造 §1-1铸造基础 一、填空题《将正确答案填写在横线上》 1.铸造所得到的金属工件或毛坯称为。 2.按生产方法不同.铸造可分为和两大类. 3.铸造组织,晶粒，铸件的力学性能特别是冲击韧度，铸件质量不 4.铸造被广泛应用于机械零件的制造. 二、判断题(正确的.在括号内打∨;错误的，在括号内打x) ( ) 1.将熔融金属浇注、压射或吸人铸型型腔中，待其凝固后而得到一定形状和性能铸件的方法称为铸造. ( ) 2.铸件内部易产生缩孔、缩松、气孔等缺陷，会导致铸件的力学性能特别是冲击韧度低.铸件质量不够稳定。 ( )3.铸件的力学性能特别是冲击韧度低.但铸件质量很稳定。 ( )4.由子铸造易产生缺陷.性能不高.因此多用于制造承受应力不大的工件. ( ) 5.铁液包、钢液包和灼热件起重作业影响范甩内不得设置休息室、更衣室和人行通道不得存放危险物品.地面应保持干燥. ( ) 6.液态金属、高温材料运输设备要设置耐高温、防喷溅设施.不得在有易然、易爆物质的区域停留，离开厂区的应当发出警报信号。 ( )7.铸件可以直接着地.工具分类装人工具箱中.化学品需放入专用箱内并盖好。 三、选择题(将正确答案的序号填写在括号内)
一、填空题（每空1分，计31分） 1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有 吸附法 和 精馏法 。 2、在晶片表面图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有 湿法腐蚀 和 干法腐蚀 。 3、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括 下种 、 缩颈 、放肩、 等径生长 和收尾拉光等过程。 3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有 化学抛光 、 机械抛光 和 化学机械抛光 。 4、掺杂技术包括有 热扩散 、 离子注入 、合金和中子嬗变等多种方法。 5、晶片中的锂、钠、钾等碱金属杂质，通常以 间隙式 （空位式或间隙式）扩散方式在晶片内部扩散，并且这类杂质通常称为 快扩散 （快扩散或慢扩散）杂质。 6、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 高斯分布函数 ； 而在恒定表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 余误差分布函数 。 7、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于 R P 处。 8、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 电子束退火 、 离子束退火 、 激光退火 。 9、根据分凝现象，若K 0＞1，则分凝后杂质集中在 尾部 （头部或尾部）；若K 0＜1，则杂质分凝后集中在 头部 （同上）。 10、把硅片置于氯化氢和氧气的混合气体中进行的氧化，称为 掺氯氧化 。 11、在二氧化硅的热氧化方法中，氧化速度最快的是 干氧氧化 方法。 12、氢氧合成氧化设备中，两个重要的保险装置是 氢气流量保险装置 和 温度保险装置 。 13、工艺中常用的测量二氧化硅厚度的方法有 比色法 和 椭圆偏振光法 。 14、固态源硼扩散中常用的硼源是 氮化硼 ，常用的液态磷源是 三氯氧磷 。 15、箱法扩散在工艺中重要用来进行TTL 电路 隐埋层 的锑扩散。 二、选择题（每题2分，单项多项均有，计12分） 1、 在SiO 2网络中，如果掺入了磷元素，能使网络结构变得更（ A ） （A ）疏松 （B ）紧密 （C ）视磷元素剂量而言 2、 在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必须注意以下事项（A 、B 、C 、D ） （A ） 进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。 （B ） 进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。 （C ） 每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。 （D ） 与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。 3、离子注入设备的组成部分有（A 、B 、C 、D ） （A ）离子源 （B ）质量分析器 （C ）扫描器 （D ）电子蔟射器 4、CVD 淀积法的特点有（A 、C 、D ） （A ）淀积温度比较低 （B ）吸附不会影响淀积速度 （C ）淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 （D ）样品本身不参与化学反应 5、 工艺中消除沟道效应的措施有（A 、B 、C 、D ） （A ）增大注入剂量 （B ）增大注入速度 （C ）增加靶温 （D ）通过淀积膜注入 6、液态源硼扩散所选用的硼源有（A 、B 、C ） （A ）硼酸三甲脂 （B ）硼酸三丙脂 （C ）三溴化硼 （D ）三氯氧磷 三、判断（每题1分，计10分） 1、Ⅰ号液是碱性过氧化氢清洗液。 （ R ） 2、筛选器是用来去除杂质离子的设备。 （ R ） 3、石墨基座的清洁处理，首先用王水煮沸，再用去离子水冲洗。 （ R ） 4、注入窗口中淀积的二氧化硅薄层是起退沟道的作用。 （ R ） 5、以一般能量注入的重离子，在进入靶片中，以电子阻挡为主。 （ F ） 6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。 （ R ） 7、在二氧化硅氧化膜中，可动钠离子含量要求越高越好。 （ F ） 8、二氧化硅中的宏观缺陷是指用肉眼可以直接观察到的缺陷。 （ R ） 9、氮化硼（BN ）是常用的固态硼杂质扩散源。 （ R ） 10、用四探针法可以测试扩散后的结深。 （ R ） 四、名词解释（每题5分，计20分） 1、杂质分凝 答：杂质在晶体中有一定分布，在固态中和液态中的分布又不一样，在晶体提纯时，利用杂质在晶体固态和液态的分布不一样，进行提纯，将杂质集中在晶体的头部或尾部，达到提纯的 装 订 班级 姓名 学号 成绩 － 学年第 学期 半导 第 学期 半导体制造工艺 半 导体制造工艺
电子元件基础知识试题 姓名：分数： 一、填空（每空1分共60分） 1.电阻是在电路中起作用的一段。 2.电感是应用原理用导线一圈靠一圈饶制而成的元件。 3.电阻在电路中的作用：。 4.电解电容一般以脚的长短确定正负极,通常长脚为短脚为。 5.电阻的单位：电容的单位：电感的单位：。 6.二极管根据半导体材料可分为：和。 7.晶体二极管的主要作用有：等。 8.三极管有三个电极：，按材料分和两种，而每一种又有型和型两种。 9.通常三极管在电路中起和两种作用。 10.变压器的主要参数有：。 11.继电器在电路中具有：和的作用。 12.请画出下列电子元件的代表符号： 电阻；电容：电感：变压器： 二极管：三极管： 13.请写出下列大写字母所代表的电子元件。 L R D C T IC 14.单位换算： 1Ω= KΩ= mΩ1H＝mH＝μH 1F＝mF＝μF＝nF＝pF 15.请写出下列色环电阻和无极性电容的值及误差。 蓝灰红金红红橙棕棕棕黑黄红黄绿灰棕金682K 103J 259G 二、判断题（每题1分共10分） 1.色环电阻的表示方法是：每一色环代表一位有效数字。（） 2.变压器有变换电压和变换阻抗的作用。（） 3.二极管和三极管在电路上的作用相同。（） 4.电感的单位是用大写字母L表示。（） 5.电子元件在检验时只要功能OK，外观无关紧要。（） 6.发光二极管（LED）通常情况下脚长的为负极，脚短的为正极。( ) 7.我厂生产的M-800型和ET-1000型电动胶纸机使用的是直流电。（） 8.使用在调谐回路上的电感线圈对Q值要求较高。（） 9.两根长度相同的铜线，粗的一根电阻值较大。（） 10.贴片电容是没有极性的。（）
金属工艺作业第二次 一．判断题：（对打√、错打╳） 1．纤维组织使金属在性能上出现了方向性，应使零件在工作中产生的最大正应力方向与纤维方向重合，最大切应力方向与纤维方向垂直。（） 2．“再结晶”就是从固态金属中重新结晶出一种新的晶格结构。（） 3．金属材料的塑性越好，变形抗力越低，则表示其可锻性越好。（） 4．经过加热的压力加工，称作热加工，相反常温下的压力加工称为冷加工。（）二．填空题 1．冲压生产的基本工序中，分离工序包括＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿等，而变形工序又包括＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿和＿＿＿＿等。 2．自由锻造工艺的基本工序包括＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿ 三、综合题 1．如题图2所示，均为2mm厚的Q235钢板冲压件，试说明其冲制过程并绘出相应的工序简图。 图2 2．如图所示锻件结构是否适合于自由锻造的工艺要求?试修改不合适的部位 班级学号姓名
一．判断题：（对打√、错打╳） 1．铸铁的流动性很好，因此其焊接时也较容易。（） 2．电弧焊焊接薄工件时，为保证焊接容易成功，应采用反接法。（）3．埋弧焊适用于平焊长焊缝，而电渣焊适用于竖焊厚大件。（） 4．金属的碳当量越低，则其焊接性能越好。（）二．填空题 1．焊接应力会引起焊件变形，变形的基本形式有＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿，要减少和防止变形，在焊件设计上可以采用＿＿＿＿和＿＿＿＿结构，焊缝分布要＿＿＿，施焊中可采用＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿法，消除变形的方法有＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿法。 2．在焊接中、高碳钢或结构刚度大的低碳结构件时，要保证焊接质量，可采用的措施有＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿等。 三、综合题 1．焊接15钢、45钢、15MnV钢和15MnTi钢结构时，各应选用什么牌号的焊条？为什么? 2．如题图所示两焊件的焊缝布置是否合理?若不合理，请加以更改。 图1 班级：学号：姓名：
晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。 2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。 氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。 15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。 16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积 19．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 20．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。21．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 22．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。 23．化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。 金属化 24．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。 25．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。 26．集成电路工艺中利用溅射现象主要用来（），还可以用来（）。 27．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 28．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铜），。 29．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。 30．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（W ）。 31．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。 32．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。 平坦化 33．缩略语PSG、BPSG的中文名称分别是（）、（）。 34．列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。 35．终点检测是指（CMP设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。 36．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。 37．传统的平坦化技术有（）、（）和（）。
电子元件基础知识考试试题 部门：姓名：分数： 一、单项选择题：（每题 2 分，共 30 分） 1、二极管在电路板上用( B )表示。 A、C B、D C、R 2.、一色环电阻颜色为：红 - 黑- 黑-橙- 棕其阻值为 ( C ) 。 A、 200Ω B、 20K C、 200K 3、 47KΩ± 1%电阻的色环 为A、黄-紫-橙-金( C ) 。 B、黄 -紫- 黑- 橙- 棕 C、黄-紫-黑-红-棕 4、电感线圈的单位符号是( B ) 。 5、下图所示的二极管，描述正确的是( B ) 图。 A、黑色端代表正极 B 、黑色端代表负极 C 、以上描述都不对 6 、电容量的基本单位是（ C ） A. 欧姆 B. 亨利 C. 法拉 7 、电容器上面标示为107，容量应该是（ B ） μF μF μF 8 、 4 环色环电阻第四环颜色是银色，对应的误差多少？( B ) % % % 9 、前四环为棕黑黑红的五环电阻标值为多少？（ B ） 欧姆欧姆欧姆 10 、贴片电阻的阻值为，那么上面的标号应该为( B ) 11 、电容的单位换算正确的是( C ) =1000000 μ F B. 1 μ F =1000000pF C. 以上都是 12 、电阻按照封装来分非为:( A ) A. 贴片电阻，插件电阻 B. 水泥电阻，功率电阻 C. 色环电阻，标码电阻 13 、电感的单位换算正确的是( A ) =1000,000uH =1000,000 ， 000uH =1000,000uH 14 、如何判断发光二极管的管脚极性？( A ) A. 发光二极管的长脚为正极 B. 发光二极管的长脚为负极 C. 有的二极管有环状标志的一端是正极 15 、贴片电阻的封装是 :( A ) 二、填空题：（每空 1 分，共30 分) 1. 电阻用字母 R 表示，电阻的基本单位是Ω或者（欧姆） , 电容用字母 C 表示。 2. 电容的基本单位是 F 或者 ( 法拉 ) ，二极管用字母 D 表示， IC 用字母 U 表示。 3. 为保护静电敏感元件，在人接触静电敏感元件时要：穿防静电衣，戴防静电帽，戴防静电手环。 4 、配戴静电环时必须戴紧。对静电敏感元件有IC ，, 晶体管等。（至少写一种） 5 、电阻换算： 1M Ω = 10 3 K Ω=106Ω。
电子元器件基础知识考试试题及答案 部门： 姓名 得分： 一、 填空题（每题5分，共30分） 1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）和兆欧（MΩ）， 各单位之间的转换关系为1MΩ=103KΩ＝106Ω。 2. 电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。 3. 电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线圈。 4. 二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5. 三极管按导电类型可分为PNP 型和NPN 型。 6. 碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。 二、 判断题（每题5分，共25分） 1. 电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。 （正确） 2. 电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻）。 （正确） 3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送电流。 （错误） 4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 （错误） 5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 （正确） 三、 简答题（每题15分，共45分） 1. 读出右图两个色环电阻的阻值及误差,并根据电容的标识方法读出贴片电容212J 和104K 的电容值及误差。 答： 1. 270Ω，5% 2. 200 KΩ，1% 3. 212J: 21*102 pF=2100 pF=2.1 nF , 5% 4. 104K: 10*104 pF=100 nF , 10% 2. 简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答： 1. 普通二极管 2. 稳压二极管 3. 发光二极管 4. 光电二极管 3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答： 1. 电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3. 电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有一定阻值为正常。 4. 二极管：用万用表测量正反向电阻，用万用表二极管档测量正反向压降。 5. 三极管：用万用表二极管档位判断三极管基极和类型，利用数字万用表h FE 档可测出三极管的集电 极C 和发射极E ，测出正反向压降。 1 2
机械加工工艺基础练习题 一、选择题 1.刀具标注角度时，主剖面参考系不包括下列哪个平面？（B） A 基面 B 前刀面 C 主剖面 D 切削平面 2.数控机床按运动轨迹分类，不包括下列哪种类型？（C） A 点位控制系统 B 直线控制系统 C 开环控制系统 D 轮廓控制系统 3.下列哪种加工方式不是外圆表面的主要加工方法？（B） A 车削 B 铣削 C 磨削 D 光整加工 4.下列哪种孔的加工方法精度最高？（D） A 钻孔 B 扩孔 C 拉孔 D 研磨孔 5.螺纹三要素不包括下列哪种几何要素？（A） A 大径 B 中径 C 螺距 D 牙形半角 6. 下列哪种齿形加工方法属于展成法？（B） A 铣齿 B 滚齿 C 拉齿 D 成型磨齿 7.下列哪种齿形加工方法精度最高？（D） A 铣齿 B 插齿 C 滚齿 D 磨齿 8.下列哪一项不是成形刀具加工的特点？（D） A 加工质量稳定 B 生产效率高 C 刀具寿命长 D 刀具费用低 9.工件上一个自由度同时被两个定位元件限制时称为（A） A 过定位 B 欠定位 C 完全定位 D 不完全定位
10.下列哪种方法利用电化学反应原理达到加工目的？（B） A 激光加工 B 电解加工 C 超声加工 D 电火花加工 二、填空题 1.刀具磨损的主要原因有_______ ___、_______ ___、_______ ___和_______ ___。 磨料磨损、粘结磨损、相变磨损、扩散磨损。 2.切削加工时，由于被加工材料性质与切削条件的不同，得到不同形态的切屑，常见的切屑类型有__________、_______ ___和_______ ___。 带状切屑、挤裂切屑、崩碎切屑。 3.外圆表面的技术要求有_______ ___、_______ ___、_______ ___和_______ ___。 尺寸精度；形状精度；位置精度；表面质量。 4.研磨是一种常用的光整加工方法，研磨剂由_______ ___和_______ ___混合而成。 磨料和研磨液 5.孔是各类机械中常用零件的基本表面，其技术要求有_______ ___、_______ ___、_______ ___和_______ ___。 尺寸精度；形状精度；位置精度；表面质量。 6.平面磨削的方法有_______ ___和_______ ___两种。 周磨和端磨。 7.螺纹根据不同用途分类可分为_______ ___和_______ ___两种。 联接螺纹和传动螺纹。 8.螺纹根据截形分类可划分为_______ ___、_______ __和_______ ___三种。 三角螺纹、梯形螺纹和方牙螺纹。 9.根据齿轮传动的特点和不同用途，对齿轮精度提出不同的要求，将齿轮各项公差分为_______ ___、_______ ___、和_______ ___三组。
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或
是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离） ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺