半导体物理基本概念: 离子晶体, 共价晶体, 晶胞, 肖脱基缺陷，费仑克尔缺陷，施(受)主杂质, 施(受)主电离能, 直(简)接复合, 复合率, 量子态密度, 状态密度, 有效状态密度, 绝缘体(半导体\导体)能带特点, 深(浅)杂质能级, 费米能级, 平衡态, 非平衡态, 载流子漂移运动，空穴，陷阱, 陷阱中心, 扩散系数, 扩散长度, 散射几率,电离杂质散射，迁移率, 复合中心，直接复合，间接复合, 简并半导体, 非简并半导体, 爱因斯坦关系 离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。 共价晶体：由共价键结合而成的晶体叫共价晶体。 (补充：晶体的分类（按原子结合力的性质分） 离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。 原子晶体：晶格格点上交替排列的是原子，依靠共价键结合而成。 分子晶体：占据晶格中格点位置的是分子，依靠范德瓦耳斯力结合而成。 金属晶体：晶格格点上排列着失去价电子的离子实，依靠金属键结合而成。) 晶胞：反映布拉菲点阵对称性的前提下，构成布拉菲点阵的平行六面体。除顶点上外，内部和表面也可以包含格点。 肖脱基缺陷:晶体结构中的一种因原子或离子离开原来所在的格点位置而形成的空位式的点缺陷 费仑克尔缺陷:指晶体结构中由于原先占据一个格点的原子（或离子）离开格点位置，成为间隙原子（或离子），并在其原先占据的格点处留下一个空位，这样的空位-间隙对就称为弗仑克尔缺陷 施主杂质：杂质在硅、锗等半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。 施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。 受主杂质：杂质在硅，锗等半导体中能接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。 受主电离能：使空穴挣脱受主杂质成为导电空穴所需要的能量。 直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合 间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合 载流子复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。 量子态密度：k空间单位体积内具有的量子态数目。 状态密度：能量E附近单位能量间隔内的量子态数。 有效状态密度： 绝缘体能带特点：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽度较大。 半导体能带特点：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。 导体能带特点: 深杂质能级：若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。 浅杂质能级：通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。这种能级称为浅能级，对应的杂质称为浅能级杂质。
范文最新推荐 常见的7个面试问题及回答思路 1、请你自我介绍一下？ 1）这是面试的必考题目。 2）介绍内容要与个人简历相一致。 3）表述方式上尽量口语化。 4）要切中要害，不谈无关、无用的内容。 5）条理要清晰，层次要分明。 6）事先最好以文字的形式写好背熟。 2、谈谈你的家庭情况？ 1）况对于了解应聘者的性格、观念、心态等有一定的作用，这是招聘单位问该问题的主要原因。 2）简单地罗列家庭人口。 3）宜强调温馨和睦的家庭氛围。 4）宜强调父母对自己教育的重视。 5）宜强调各位家庭成员的良好状况。 6）宜强调家庭成员对自己工作的支持。 7）宜强调自己对家庭的责任感。 3、请你简明地评价一下自己，你预备用哪些词形容？ 大半人答出的都在3?4个词之间，同时缺少关于缺点的表述。一个 较好的回答应该在8个词左右，这些词都应是词性比较强烈的，其中 也应包括1?2个可以被称为缺点的中性词，例如完美主义，太过随和显得 1 / 5
软弱等等。 4、你认为自己最大的弱点是什么？ 1）不宜说自己没缺点。 2）不宜把那些明显的优点说成缺点。 3）不宜说出严重影响所应聘工作的缺点。 4）不宜说出令人不放心、不舒服的缺点。 5）可以说出一些对于所应聘工作“无关紧要”的缺点，甚至是一些表面上看是缺点，从工作的角度看却是优点的缺点。 5、你最喜欢的大学课程是什么？为什么？ 说和你要应聘的职位相关的课程吧，表现一下自己的热诚没有什么坏处。 6、你最不喜欢的大学课程是什么？为什么？ “我不得不说是我们大学的主修课程，虽然我知道他们只是例行一 下公事，但课堂上死气沉沉，老师和学生都只不过想熬完这个学期”。 7、成绩单中你这门功课好像学得不太好，为什么？ 大半人会回答说那门功课太难了，或者那门课的老师很糟糕。不知道对方其实是在考验你面对问题时所表现出的态度：是从自身查找原因还是喜欢推卸责任？较好的回答是：“我这门功课成绩不是太好，但我相信这不会成为我拥有这份工作的障碍。” 面试中，考官问你三围，你说不说？考官问你妈 范文最新推荐 妈和女友同时掉入水中你先救谁，你怎么答？来自香港的沟通专家近日给在汉大学生传授了一些好玩又实用的求职经。
半导体制造基本概念 晶圆（Wafer） 晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8?? 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、??光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。 光学显影 光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。 干式蚀刻技术 在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。 电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。 晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。 基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：
1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。 2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。 化学气相沉积技术 化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时，包含有被沉积材料之原子的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。 CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有，不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括有： ■二气化硅（通常直接称为氧化层） ■氮化硅 ■多晶硅 ■耐火金属与这类金属之其硅化物 可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层（plasmas nitride dielectrics）是目前CVD技术最广泛的应用。这类薄膜材料可以在芯片内部构成三种主要的介质薄膜：内层介电层（ILD）、内金属介电层（IMD）、以及保护层。此外、金层化学气相沉积（包括钨、铝、氮化钛、以及其它金属等）也是一种热门的CVD应用。 物理气相沉积技术 如其名称所示，物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。制程反应室内部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再透过微影图案化（patterned）与蚀刻，来得到半导体组件所要的导电电路。 解离金属电浆（IMP）物理气相沉积技术
北大应届女生自曝面试经历 北大应届女生自曝面试经历 女生曹煜，北京大学历史系应届本科毕业生。 上个星期三参加广州日报的面试。我们系一共去了六个人，四名男研究生，一名女研究生，我是惟一的本科生。第一次得到面试机会，我有点紧张，事前想了很多问题，人家可能会怎么问，我该怎么回答，等等，又向一些朋友咨询了一下。去之前专门去洗了个头，认认真真梳洗了一把。 我去得比较早，不过到了那里发现已经有很多人了。一问，都是人民大学学新闻的学生，参加面试的总共有一百多人。 等了一会儿，面试正式开始了，大家一个一个轮流进去，由广州日报的社长、总编和副社长分头谈。给我面试的是广州日报的总编。 我进去了之后没大在意，心想：面试嘛，就是随便问两句，没什么大不了的。没想到总编看了一下我的简历，问题就来了。他说，你是学历史的呵，你们历史跟我们报纸好像不太对口吧，你觉得怎么样？我就跟他讲了一下，大概是说文史相通，我们学历史的做报纸编辑、记者没什么问题，等等。其实这些话都没什么意思，但是我当时很紧张，也找不出更好的解释。他就说：你能不能在短时间内给我证明一下，你确实适合干报纸。我想了半天，也没证实出来。不过我也不是完全乱了章法，大概还是表达了一下自己的才干，譬如学习能力强，学习速度很快，能很快熟悉报社的业务，等等。他又问了几个问题，面试就结束了，时间很短。我出来的时候，那个女研究生还没有面试完。后来听说，给她面试的人基本上不问问题，就让你自己说，风格跟我这个完全不一样。 我出来之后，跟那几个研究生探讨。我说这个总编很厉害嘛，提这么尖锐的问题。他们说这就是考你的应变能力。 全部面试完之后，大家都认为总编提的问题比较难回答，不像社长挺和气的。不过遇到这样的考官确实挺锻炼人的。我们总结经验的时候就说，其实那些问题有没有道理你先不去管他，就看你怎么反过来难倒他。譬如他问我们一个研究生陈林的问题是：你觉得你们历史系谁秀？陈林说：都优秀。他说：你是不是秀的？陈林说：各有各的长处嘛。他说：那我怎么知道我应该选择那个呢？陈林说：那你就看着办呗，我也没有办法。挺搞笑的。他们研究生跟我们不一样，他们有工作经验，对面试根本无所谓，就当成锻炼。他们跟我说，你不要怕，双向选择嘛，他不选你你还可以不选他呢！你一定不要怕，对自己要有绝对的自信，相信自己什么都能干。 通过面试，我觉得学到的东西挺多。一是积累了经验，懂得面对一些尖锐的问题怎么回答，我就跟他说我虽然没有上研究生，没有硕士文凭，但是我比他们年轻好几岁，这几年青春就很宝贵，对吧？二是要有自信，不怕那些人，对他们的态度要不卑不亢，不是说我求着他非要这个工作，也不是说他求着我，我们是平等的。我觉得当时我还不够自信，下次要注意这一点。三是可以做一些必要的准备，但是临场时一定要随机应变，轻松自如地表现自己。 跟那些研究生的交流，也增加了我的自信。不就是工作吗？！找不着满意的工作，还可以考研究生，出国，其实路子挺多的，并不是说现在找着一个好工作你将来就怎么着了，现在没有一个特别满意的工作，也不代表你的路就走不开了。更何况，现在看起来，去哪儿工作并不重要，不是说非要留在北京，关键是要找一个有发展前途，有挑战性的工作。生活过得丰富一点，很充实，但是也不要为了一点钱一天到晚拼死拼活的，还能有自己的生活空间。我相信我的要求不算太高，能找着一份有前途的工作就行了。 不管怎么说，我现在就是一颗平常心，没什么大不了的，一切顺其自然，对自己自信就行了。
半导体物理学基本概念 有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。 空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。 回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。 杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。 n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。 p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。 浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。 深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。 杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
女生面试：如何应对敏感问题 女性在求职时，常会碰到一些敏感的问题，总觉得如何回答都不妥，很难让自己和别人都满意。那么，究竟该如何应对这些让人感到尴尬的问题呢？ 问题一、你认为家庭与事业之间存在着难以调和的矛盾吗？ 这是一个老问题，也是一个难题。招聘单位自然非常希望你以事业为重，但也希望你拥有一个幸福美满的家庭。后院不失火，才会使人无后顾之忧，集中精力干工作，才能发挥出你的聪明才干。显然，直接回答事业与家庭之间存在难以调和的矛盾或根本不存在矛盾，都是不合适的。建议你这样回答：我以为无论在工作上还是在家庭中，女性的最大目标都是要使自己活得有价值。虽然我是一个很想通过工作来证实自己的能力、体现活着的意义的人，但谁能说那些
相夫教子培养出大学生、博士生的农家妇女就活得没有价值呢？这样回答，能恰到好处地体现出女性特有的刚柔相济的特征。 问题二、你如何看待晚婚、晚育 别以为这个问题与工作没有多大关联。你对此的回答是否得体，可能会直接关系到你的应聘能否通过。招聘者之所以提出这个问题，是想知道你在工作与生育的关系问题上持一种什么态度。女性求职为什么普遍比较难？这就是症结之一。为了工作晚结婚、晚生育，当然是用人单位所希望的，但如果真的这样做了，恐怕也会令人产生疑惑：一个连孩子都可以不要的人，如果再有其它利益驱动，会不会抛弃一切，包括她曾经为之自豪的工作呢？ 谁都希望鱼和熊掌能够兼得，当二者不能同时得到的时候，在一段时间内我会选择工作，因为拥有一份好的工作，将来培养孩子就会有更为坚实的经济基础。我想总会有合适的时候让我二者兼得。这样回答，或许真的能提醒上司在你生孩子休息时仍把原来的位置给你留着，而不让别人取而代之。
考官∶你有男朋友吗？ 应聘者∶有。 考官∶他在本地吗？ 应聘者∶不是，他在外地。 考官∶对不起，我公司不能用你。 应聘者∶为什么？ 考官∶你不会安心在这里长期工作的，另外，本公司也不希望因为你而使长途电话费大幅度增加。 （二） 考官∶你有女朋友吗？ 应聘者∶没有。 考官∶你追过女孩吗？ 应聘者∶追过，可是没追上。 考官∶你工作后准备再追女孩吗? 应聘者∶先努力工作，暂时不考虑个人问题。 考官∶对不起，本公司不能用你。 应聘者∶为什么？ 考官∶你公关能力欠佳，况且缺乏自信。 （三） 考官∶你有女朋友吗？ 应聘者∶有。 考官∶她漂亮吗？ 应聘者∶不算漂亮。 考官∶对不起，我们不能用你。
应聘者∶难道女朋友不漂亮也会影响贵公司的形象？ 考官∶那倒不会。不过，本公司是经营艺术品的，你的审美情趣似乎不适合本公司的业务需求。 （四） 考官∶你有女朋友吗？ 应聘者∶有。 考官∶她漂亮吗？ 应聘者∶很漂亮。 考官∶她是你的初恋吗？ 应聘者∶是的。 考官∶对不起，我们不能用你。因为你缺乏不断追求的进取心。 （五） 考官∶你有女朋友吗？ 应聘者∶有。 考官∶她是你的初恋吗？ 应聘者∶不是，以前还谈过几个。 考官∶对不起，我们不能用你。因为你很快会跳槽的。 （六） 考官∶你有男朋友吗？ 应聘者∶有。 考官∶他很有钱吗？ 应聘者∶不是。 考官∶对不起，我们不能用你。因为你的工作要和钱打交道，我担心你经不起诱惑。
（七） 考官∶你有男朋友吗？ 应聘者∶有。 考官∶他很有钱吗？ 应聘者∶是的，他有一家自己的公司。 考官∶对不起，你男朋友的公司都不用你，我们就更不能用你了。 应聘者∶可是，他的公司里没有适合我的职位呀。 考官∶那你是学什么专业的？ 应聘者∶秘书。 考官∶对不起，我们还是不能用你。漂亮姑娘会影响我们经理工作的。 应聘者∶可是，我并不漂亮呀？ 考官∶那就更不行了。如果你长得不漂亮，经理不会对你有兴趣的 问题：奔三大龄男在找工作中，如果面试者问“现在有没有女朋友”该怎么回答？ 82年的老男人，因为工作环境的问题还没找到女朋友，现在想跳槽但面试时老是被问这问题，然后就不了了之。 我一个哥们意见是说有女朋友，说没有的话面试者会认为你这么大龄了还没女朋友肯定心理有问题，所以会PASS你。 现在搞的我都不知道怎么回答了，大家有没有什么意见可以提供参考下？谢谢了 答案：我长期招聘面试别人,有一些自己的看法,供你参考. 说没有没关系,面试问的问题主要是看你诚实不诚实,还有你的反应能力,你的语言组织能力,你是否是个可以很快融入公司文化的人.至于答案没有多少人会关心,除了专业知识,一般问这种问题,都是随便问的,不要在意答案. 如果对方还追问,那就告诉他.,你现在没有,一是自己事业还没有成功,不能给对方一个良好的生活环境,男人要肩负自己的责任,你不忍心自己的爱人以及自己的孩子生活的清苦,还有你要表示,感情不是随便的,不是随便找个人就可以的,要找到一个适合自己的,可以过一辈子的人.这样面试的人就会觉得你有责任感,可以信赖,同时你不是个随便的人,是个坚持自己原则的人. 问题：我面试中被问到"你女朋友是成都的吗"该怎样回答？
半导体物理学基本概念 1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体中, 正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。 2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶体。共价晶体中共价键的方向性与饱与性规定了共 价晶体中原子间结合的方向性与配位数。由于共价键非常稳定,所以一般来说,共价晶体的结构很稳定,具有很高的硬度与熔点。由于所有的价电子都参与成键,不能自由移动,因而共价晶体通常不导电。 3.晶胞:晶格中最小的空间单位。一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。 4.弗仑克耳缺陷(肖特基缺陷):在一定温度下,晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动,而 且一部分原子会获得足够的能量,克服周围原子对它的束缚,挤入晶格原子间的间隙,形成间隙原子,原来的位置便成为空位。这时间隙原子与空位就是成对出现的,称为弗仑克耳缺陷。若只在晶体内形成空位而无间隙原子时,称为肖特基缺陷。 5.施主(受主)杂质及施主(受主)电离能:V族杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而产生导 电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。使多余的价电子挣脱束缚成为导 电电子所需的能量称为杂质电离能,用△表示。 Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心,称它们为受主杂质或p型杂质。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能, 用Δ、 6.直接(间接)复合:电子在导带与价带之间的直接跃迁,引起电子与空穴的直接复合。电子与 空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合。根据复合过程发生的位置,又可以把它区分为体内复合与表面复合。 7.复合率:n与p分别表示电子浓度与空穴浓度。单位体积内,每一个电子在单位时间内都有 一定概率与空穴复合,这个概率显然与空穴浓度成正比,可以用rp表示,那么复合率R就有如下的形式:R=rnp ,比例系数r 称为电子--空穴复合概率。 8.量子态密度:单位k空间中的量子态数,称为k空间的量子态密度。 9.状态密度:在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数,g(E)=、 10.有效状态密度:把导带中所有量子态都集中在导带底(把价带中所有量子态都集中在价 带顶)、 11.绝缘体(导体、半导体)能带特点:绝缘体的禁带宽度很大,激发电子需要很大能量,在通常 温度下,能激发到导带去的电子很少,所以导电性很差。 半导体禁带宽度比较小,数量级在1eV左右,在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去,所以具有一定的导电能力。半导体在热力学温度为零时,满带(价带)被价电子占满,在外电场作用下并不导电。当温度升高或有光照时,导带的电子与价带的空穴均参与导电。 导体原子中的价电子占据的能带就是部分占满的,在外电场作用下,电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去,形成了电流,起导电作用。 12.深(浅)杂质能级:非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生施主能级距离导带底较远,它们产 生的受主能级距离价带顶也较远,通常称这种能级位深能级。相应的杂质称为神能级杂
女生面试的着装案例分析 面试，是每个求职者必须要面对的一个环节，尤其是女士面试，需要注意的事项也非常多，例如好多女士都不知道自己面试时该穿 什么好?什么样的面试着装更得体?下面是干货资源社小编给大家搜 集整理的女生面试的着装案例分析。希望可以帮助到大家! “我前几天去华夏银行面试被BS了，说我穿得太随意.郁闷了，在回来的路上下定决心去买套职业装。可后来查了很多资料却糊涂了。关于服装有的说最好穿套装，有的又说穿太正式了不好，毕竟 还是学生呢.我还特意看了金正昆的求职礼仪，他也说用不着穿得太 正式，说你比人家考官还专业可不行呀.再就是头好，有的说要扎起来，有的说无所谓.我现在是直发可以扎起来，原计划是开学弄卷的，想打扮成熟些找工作，现在又犹豫了，害怕弄卷了头发扎不起来了!唉.真不知道怎么弄了哦!” 根据上述女大学提出的问题，可想而知，面试着装在面试当中 的重要性。那么女生在面试时怎样才能给面试官一种好的第一印象呢?下面是鹏程万里汕头人才网的小编剖析的几点面试着装技巧，希 望可以帮助广大女生更自信的去面试。 第一点：套装成套不成套 女式套装在选配方面较男士西装更为讲究，也更为繁复。男装 要求同色配套，而女士套装可以在不同套之间进行搭配，不同颜色 之间也可以互相映衬。但总的原则是以深色为宜。不同季节和不同
的区域可以适当变通，秋冬季节宜选深色，春夏颜色可稍浅，南方 可穿浅色，北方深色更适宜，但不论什么季节和地区，如果只买一 套正装，深色套装是最稳妥、保险的。可以在招聘会及平时多观察 正规公司的职业女性如何穿着。 第二点：妆的浓淡 一般去正规中外企业面试，女性需要稍微化一些淡妆，显得更 有朝气，如果素面朝天地去面试，很容易因为“面黄肌瘦”、“灰 头土脸”的本色而丢分。通常，女性至少应该在眉、唇、颊三个部 位上稍下功夫。面色红润、朝气蓬勃才显得更有亲和力，更加干练，也更会受到同事及客户的尊敬。 切忌浓妆艳抹，那不是职业女性尤其是年轻女性应该有的精神 风貌。一来与崇尚效率的公司风格不相符，你很可能因为每早“刷墙”而在早上迟到个把小时;二来万一碰上挑剔的女上司，你的浓妆 艳抹加上青春的朝气有可能会招致她的嫉妒和排挤;三来作为尚未毕 业的学生，带有朴素学生气质的淡妆既符合自己身份，也与面试的 要求很吻合。 第三点：长发还是短发 近年来，在很多商业企业中都能够看到一些精明、干练的职业 女性，她们具有的共同特点之一就是“一头短发”。当然，也不是 所有的优秀职业女性都留短发。这里没有必要强调每一位准备参加 面试的女生都去剪断长发，只是将较为普遍的情况提供给大家作为
半导体物理学基本概念 1.离子晶体：由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体 中，正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。 2.共价晶体：主要由共价键结合而成的晶体。共价晶体中共价键的方向性和饱和性规定了 共价晶体中原子间结合的方向性和配位数。由于共价键非常稳定，所以一般来说，共价晶体的结构很稳定，具有很高的硬度和熔点。由于所有的价电子都参与成键，不能自由移动，因而共价晶体通常不导电。 3.晶胞：晶格中最小的空间单位。一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。弗仑克耳缺陷（肖特基缺陷）：在一定温度下，晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动，而且一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对它的束缚，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子，原来的位置便成为空位。这时间隙原子和空位是成对出现的，称为弗仑克耳缺陷。若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为肖特基缺陷。 施主（受主）杂质及施主（受主）电离能：V族杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。使多余的价电子挣脱束缚成为 导电电子所需的能量称为杂质电离能，用△表示。 Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，称它们为受主杂质或 p型杂质。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能，用Δ. 直接（间接）复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合。电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合。根据复合过程发生的位置，又可以把它区分为体内复合和表面复合。 复合率：n和p分别表示电子浓度和空穴浓度。单位体积内，每一个电子在单位时间内都有一定概率和空穴复合，这个概率显然和空穴浓度成正比，可以用rp表示，那么复合率R就有如下的形式：R=rnp ，比例系数r 称为电子--空穴复合概率。 量子态密度：单位k空间中的量子态数，称为k空间的量子态密度。 状态密度：在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数，g(E)=. 有效状态密度：把导带中所有量子态都集中在导带底（把价带中所有量子态都集中在价带顶）. 绝缘体（导体、半导体）能带特点：绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大能量，在通常温度下，能激发到导带去的电子很少，所以导电性很差。 半导体禁带宽度比较小，数量级在1eV左右，在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去，所以具有一定的导电能力。半导体在热力学温度为零时，满带（价带）被价电子占满，在外电场作用下并不导电。当温度升高或有光照时，导带的电子和价带的空穴均参与导电。
具研究表明，现在的职场普遍是女性成为高管，掌握职场的话语权，而仅有少部分男性是公司的创始人。 其实对于职场来说，女性一直处于劣势的，天生存在一些避免不了的劣势。 所以经常在面试的时候都会被问道的话题： 未婚的职场女性会被问的奇葩问题： 你有男朋友吗？ 你打算分手吗？ 已婚的女性会被问到：什么时候要baby？什么时候生二胎？ 这类奇葩的问题。 这些问题真的都奇葩吗？其实不然，这个是作为女性在职场生存无可避免的问题。 大学毕业，在你面试的时候经常会被hr很随意的问，你有男朋友吗？你这么漂亮肯定有男朋友了吧？ 如果你研究生毕业，毕业的时候都25岁以上了，被问道这么奇葩的问题的概率就更高了？ 如果你到了28岁，作为职场女性去面试的时候，基本都会被问这样的问题。 为什么面试官会问这样的奇葩问题，尤其是你的面试官还是一位女性的情况下？ 记住此时的“她”不在是跟你同类“女性”，千万不要被她随意、和蔼、亲和的“你有男朋友吗”就一脸小女人的状态甜蜜的回复“我有男朋友”。
记住作为面试官，他们不关心你的情感生活，你是不是有男朋友，你们感情如何，根你在不在一个城市，做什么工作。他们都不care的。 记住每位面试官所有提出的每个问题，都有她自己的关注点，它们关注的是背后的事情。 比如说对于应届毕业，其实企业是知道应届生没有经验的，能力是不可能跟工作几年的人来比的，之所以招聘应届毕业生。 他们看重的是什么？？ 你值不值得培养 但作为企业它也会担心，我培养了你，录用你，但会因为感情问题，不稳定，不值得培养。 毕竟我们女性天性比较感性，遇到一些感情问题会反应比较大。 如果出现问题的话很容易影响到工作；而男生在这些事情上处理则比较理性，多数会把工作和个人生活分开，不容易影响工作。” 更不用说“总有那么几天......”， 可以说这是所有“恋爱”女人的通病。 作为企业当然会把这方面作为考察我们“女性”的一个重要的要素的。
面试提问共性问题罗列 一、责任 1、家庭责任 以下必问： 请简单介绍一下你的家庭成员？（了解员工家庭背景） 以下选问： 父母的生日是什么时间？ 如果你有女朋友或老婆，请问你们平常沟通和交流最多的是什么？（了解家庭是否支持他的工作） 请问你配偶是做什么工作的？小孩多大了？ 平常是怎样辅导和教育小孩的？平常是怎样培养孩子的劳动习惯？ 2、企业责任 以下选问： ●团队意识 （团队管理）请说出你作为团队者所遇到的最困难的事情。是怎样解决这个困难的？你在解决这个困难中起了什么作用？ （团队成员）若某位员工经常迟到、早退、旷工，或不愿意干活，会给整个团队带来什么样的问题？这些问题该怎样解决？作为团队的一员，你是怎样改善这种情况的？
●自我评估（推荐问，性格决定服务） 你为什么认为你很胜任这个工作？ 你认为自己最大的优点是什么？最大的缺点是什么？ 你的好友怎样评价你？ ●目标 你为什么对我们的工作职位感兴趣？ 哪些原因导致你考虑离开你目前的公司？ 你想在我们公司找到哪些在你原来公司找不到的东西？ 对你来说，什么样的工作氛围才是非常适宜的？ 在什么情况下你才不会离开你现在的工作岗位？ ●是否追求上进，有进取心 你在工作中遇到困难是如何处理的？（就具体的一件事情讨论） 若你自己来写你的职位描述的话，你会写些什么？ 在原来公司提出过什么合理化建议？ 在这个公司，你个人希望取得什么样的成绩？ 请告诉我，你曾经从事的最好的工作是什么？你为什么认为那是最好的工作？你开始是怎样获得那份工作的？ 个人近期打算和长远打算是什么？ ●处理矛盾和冲突能力，能否和同事友好相处
请讲一个你和其他部门因部门间工作协调而发生冲突的经历。问题是怎样解决的？你在解决这个问题中起了什么作用？ 请讲一个这样的经历：为了完成某项工作，你需要另一个部门提供十分重要的信息；但另一个部门认为，为你的部门收集信息不是他们的工作重点。你该怎样解决这个问题？ 你和同事们怎样相处？（推荐问） ●服从意识 假如直接上级对你的工作进行了调整，但是在调整之前，直接上级并没有向你通气，假如调整后的工作很难做，你该怎么办？ 你认为和你未来的直接上级建立和保持良好关系的最主要的因素是什么？（推荐问） 3、社会责任 平常参加一些什么公益活动？ 有没有捐助过希望工程？ 对乞丐这种社会现象是怎么看的？（推荐问，价值观的体现） 二、习惯（以下选问） 1、学习习惯 你喜欢的一句话是什么？ 是否看过公司网站、宣传资料，了解到什么内容？（推荐问，特别是对行业的了解度） 2、工作习惯 ●计划性 你是怎样计划每天（每周）的工作的？（灵活多变性及工作是否有计划）
面试的13个经典问题及参考答案 选自《挑战500强面试官》 面试按其操作方式可分为结构化面试和非结构化面试两种。结构化面试是指面试时按照预先确定的程序和题目来进行，组织严密、层次分明、评价标准明确，面试官会根据事先拟好的提纲逐项向面试者提问。而在非结构化面试中，面试官可以自由决定提问的内容和方式，谈话层次交错，有很大的偶然性和不确定性。结构化面试涉及的问题，一般是常规性问题，比较容易准备；而非结构化面试的则往往是随机的，需要应聘者临场发挥多一些。 下面列出的是一些最常见的面试题，以及对这些题的分析和参考回答，希望能够起到抛砖引玉的作用（对答案的点评汇集了众多人力资源经理的智慧）。 1. 做一个简短的自我介绍好吗？ 这是在面试中出现频率最高的问题。通过这个问题，面试官可以在很短的时间内考察你的表达能力、性格特征和自我表现能力。自我介绍实际上就是一个自我推销广告，你应该把面试官当成你的"客户"，投其所好，将自己适合应聘职位的一面淋漓尽致地表现出来。 错误回答： 有的求职者喜欢把简历上的内容背诵一遍，其实这种做法是完全错误的，因为如果是一模一样的内容，面试官是没有兴趣再听一遍的。等到他（她）打断你的背诵，要你重来一遍时，面试已经失败一半了。另外，自我介绍要短小精悍。有些应聘者把准备的所有内容都一股脑地说出来，长篇大论，滔滔不绝，殊不知面试官已经在偷偷看表了。这样的自我介绍，即使感情丰富语言生动，也会让你的表达能力和沟通能力大打折扣。 正确的做法是，在介绍完自己的姓名、毕业院校和专业后，应该充分表达你对这个职位的理解和渴求，同时要让面试官看到你的自信心。 2．为什么来应聘我们公司？ 这是面试官非常关心的问题，主要考察应聘者对公司的兴趣及求职动机，所以你应该正面地、积极地阐述你对加入该公司的热切期盼。首先你可以提及该公司在业界的良好业绩和口碑，另外说明该公司的待遇、福利预计培训等发展机会对于你来说很有吸引力，同时加盟该公司完全契合自己的职业发展规划。总之，你在回答这一问题时表现出对公司的了解越清晰、深入，对方对你的印象就越深刻，评分也就越高。 错误回答： "公司的福利待遇很好啊。" --只想得到，人家会认为你不想付出。 "其实我也不是特别了解贵公司，是和同学一起来试试运气的。" --如果这样回答，面试官就会告诉你：很遗憾，你的运气不是太好。 3．你做得最成功的一件事是什么？ 这是外企面试中问得很多的问题之一。这个问题主要是想引导你描述自己在个人学业或者社会实践中的成功经历，从而考察你的领导才能以及分析、解决问题的能力；同时也可以考察你的价值观。 面试前，你应该充分准备几个自己经过拼搏取得成功的例子，在表述时要尽量贴近该公司的价值观。比如应聘销售类职位，可以陈述"经过千辛万苦推销出某些产品"的经历和心得；应聘管理培训职位，可以陈述作为学生会主席是如何策划、组织、协调某一大型学生活动的经历。 错误回答： "我成功的例子有很多，例如……例如……" --一大堆成功案例的堆积，会让人觉得你在炫耀成绩；陈述不分主次，也说明你对"成功"没有一个成熟的看法和明确的标准。 "我大学最成功的事情是追到了现在的女朋友。" --这可能是句大实话，但你的成功案例会让面试官觉得你胸无大志。 4．能谈谈你自己的缺点吗？ "你性格上有什么弱点？""你的缺点是什么？"这类问题在面试中屡见不鲜，相当多的求职者就是栽在了
一堂课求职辅导服务： ?公众号回复关键词“简历评估”，获取简历评估与优化建议服务； ?公众号回复关键词“简历模板”，获取优质简历模板； ?全程求职辅导咨询服务（职业选择+简历优化+面试辅导），详见内容平台或咨询课程助理 ?以下面试常见问题及应答思路整理自网络，仅供参考。更全面的面试方法及应答分析，详见平台《求职面试指南》课程。 面试常见问题及应答思路 1.请你做一下自我介绍？ 回答提示：一般人回答这个问题过于平常，只说姓名、年龄、爱好、工作经验，这些在简历上都有。其实，企业最希望知道的是求职者能否胜任工作，包括：最强的技能、最深入研究的知识领域、性格中最积极的部分、做过的最成功的事，主要的成就等，这些回答关于学习或者生活都可以，但要突出积极的个性和做事的能力，说得合情合理企业才会相信。 2.你觉得你最大的优点是什么？ 回答提示：沉着冷静、条理清楚、立场坚定、顽强向上、乐于助人和关心他人、适应能力和幽默感、乐观和友爱。要例举具体的优点，如：做事认真、抗压能力强、乐于助人、学习能力强等，然后要举实例证明这也是最重要的一点。 3.说说你最大的缺点？
回答提示：这个问题企业问的概率很大，通常不希望听到直接回答的缺点是什么，如果求职者说自己有强迫症、爱忌妒人、非常懒、脾气大、工作效率低，那么肯定不会被企业录用。绝对不要自作聪明地回答“我最大的缺点是过于追求完美”，有的人以为这样回答会显得自己比较出色，但事实上，他已经岌岌可危了。企业喜欢求职者从自己的优点说起，中间加一些小缺点，最后再把问题转回到优点上，突出优点的部分。回答样本：我平时比较爱忘事，然后我通过写便条来提醒我自己什么时候该做什么事。 4.请您介绍一下你的校园生活 考察点：自我接纳 对过去的接纳态度。一个有幸福感的人和一个自我接纳的人，会接受自己全部的经历。一个不幸福的人，基本等同于是一个不接纳自己的人，这样就不会接纳自己过去的经历。这个面试问题好的回答是：对自己的校园生活有积极的评价。 5.你在学校中最喜欢的课程是什么？ 考察点：自我明示、执行力 自我明示是一个心理学词汇，解释为：敢于表达自我真实感受的倾向。 自我明示性高的人，容易信任他人，也容易被他人所信任，在团队融入和协作方面的能力是杰出的。
面试题;有关男女朋友的陷阱 你的生日又到了，我不敢有与你共度的奢望，只好在远方为你遥寄我的一分祝福与牵挂，以此聊表我的思念。。。在远方的你能感觉到我的这一份祝福么? 布阵法： 脑筋急转弯是一种体现思维跳动的言语幽默，下面是为大家搜集的脑筋急转弯大全，供大家参考借鉴，希望可以帮助到有需要的朋友! 1.面试官：你有男朋友吗？应聘者：有。面试官：他在本地吗？应聘者：不是，他在外地。面试官：对不起，我公司不能用你。应聘者：为什么？面试官：你不会安心在这里长期工作的，另外，本公司也不希望因为你而使长途电话费大幅度增加。 2.面试官：你有男朋友吗？应聘者：有。面试官：他很有钱吗？应聘者：不是。面试官：对不起，我们不能用你。因为你的工作要和钱打交道，我担心你经不起诱惑。 3.面试官：你有男朋友吗？应聘者：有。面试官：他很有钱吗？应聘者：是的，他有一家自己的公司。面试官：对不起，你男朋友的公司都不用你，我们就更不能用你了。应聘者：可是，他的公司里没有适合我的职位呀。面试官：那你是学什么专业的？应聘者：秘书。面试官：对不起，我们还是不能用你。漂亮姑娘会影响我们经理工作的。应聘者：可是，我并不漂亮呀？面试官：那就更不行了。如果你长得不漂亮，经理不会对你有兴趣的。
4.面试官：你有女朋友吗？应聘者：有。面试官：她漂亮吗？应聘者：很漂亮。面试官：她是你的初恋吗？应聘者：是的。面试官：对不起，我们不能用你。因为你缺乏不断追求的进取心。 5.面试官：你有女朋友吗？应聘者：有。面试官：她是你的初恋吗？应聘者：不是，以前还谈过几个。面试官：对不起，我们不能用你。因为你很快会跳槽的。 我知道错了,但你知道我是多么的爱你吗我提前挂电话,不是因为别的,是有特殊原因的(告诉他你有朋友叫你出去帮忙办事,或者是别老吗叫去帮忙等等,想不出来的时候写的在爱问里给我发信息我帮你想),你想想啊,你可是我最爱的宝贝啊,我挂你电话,每次都要泪流满面的,心肝啊,你知道我挂完以后,是什么心理吗我的心都要碎了,不是因为别的,我每次挂电话,都是慢动作啊,当电话落下的那瞬间,我的心都凉了,那时我想的满脑子都是你,是你那生气的表情,但我想到着,我的心如刀割,痛不欲生啊 6.面试官：你有女朋友吗？应聘者：没有。面试官：你追过女孩吗？应聘者：追过，可是没追上。面试官：你工作后准备再追女孩吗？应聘者：先努力工作，暂时不考虑个人问题。面试官：对不起，本公司不能用你。应聘者：为什么？面试官：你公关能力欠佳，况且缺乏自信。 China can easily avoid what is known as the middle income trap given its still rapidly growing productivity,said Frank Gong,managing director of JP Morgan Securities (Asia
1、三种重要的微波器件：转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET。 2、晶锭获得均匀的掺杂分布：较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯 度多晶硅，维持熔融液初始掺杂浓度不变。 3、砷化镓单晶：p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑 硅：p型掺杂材料是硼，n型是磷。 4、切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度（晶片直径决定）、晶面倾斜度（从 晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度（晶片中心到晶片边缘的弯曲程度）。5、晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和氧化 工艺）、线缺陷或位错（刃型位错和螺位错，金属易在线缺陷处析出）、面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续，出现在晶体生长时）、体缺陷（杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）。 6、最大面为主磨面，与<110>晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型。 7、半导体氧化方法：热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学汽相淀积法。 8、晶体区别于非晶体结构：晶体结构是周期性结构，在许多分子间延展，非晶体结构 完全不是周期性结构。 9、平衡浓度与在氧化物表面附近的氧化剂分压值成正比。在1000℃和1个大气压下， 干氧的浓度C0是5.2x10^16分子数/cm^3，湿氧的C0是3x10^19分子数/cm^3。
10、当表面反应时限制生长速率的主要因素时，氧化层厚度随时间呈线性变化 X=B(t+)/A线性区（干氧氧化与湿氧氧化激活能为2eV,）；氧化层变厚时，氧化剂必须通过氧化层扩散，在二氧化硅界面与硅发生反应，并受扩散过程影响，氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比，生长速率为抛物线X^2=B(t+)抛物线区（干氧氧化激活能是1.24Ev,湿氧氧化是0.71eV）。 11、线性速率常数与晶体取向有关，因为速率常数与氧原子进入硅中的结合速率和 硅原子表面化学键有关；抛物线速率常数与晶体取向无关，因为它量度的是氧化剂穿过一层无序的非晶二氧化硅的过程。 12、较薄的氧化层MOSFET栅氧化层用干氧氧化，较厚的用湿氧氧化，如MOS集成 电路中的场氧化层和双极型器件，以获得适当隔离和保护，20nm为界限。 13、给定氧化条件下，在<111>晶面衬底上生成的氧化层厚度大于<100>晶面衬底， 因为<111>方向线性速率常数更大。值得注意的是温度和时间相同时，湿氧氧化厚度是干氧的5~10倍。 14、氧化掩膜厚度一般用实验测量方法获得，主要取决于特定温度和时间下，不能 使低掺杂硅衬底发生反型，典型厚度为0.5um~1.0um。 15、二氧化硅中各掺杂杂质扩散常数依赖氧的密度、性能和结构。 16、MOS器件受氧化层中的电荷和位于二氧化硅-硅界面处势阱影响。 17、势阱和电荷的基本类别：界面势阱电荷Qit（由于二氧化硅-硅界面特性产生， 取决于这个界面的化学组分，势阱位于二氧化硅-硅界面处，能态在硅禁带中，界