1.笔记本电脑内存的结构特点内存的全称为内部存储器，英文为DRAM（Dynamic RAM.动态随机存储器），是电脑用于暂存当前待处理信息和常用信息的半导体芯片。内存的读写速度非常快，但是存储的数据无法永久保存，一旦断电，数据就台丢失。
图3-18所示为笔记本电脑内存条的实物外形。可以看到，笔记本电脑内存条的尺寸较台式机小得多。内存条上整齐排列的集成电路芯片就是内存芯片。值得一提的是，在内存条上还有一个较小的贴片式芯片，它是SDP芯片。它是内存中不可缺少的芯片，其作用是保存内存条的性能参数。如容量，芯片厂商、工作速度、是否具备ECC校验功能等，在系统启动后。主扳芯片组就会根据这个芯片提供的信息自动在主板BIOS中设置好有关的参数，以保证内存条的正常使用。
此外。还有一些笔记本电脑的内存条是集成在主楹中的。图3_19所示为楹裁集成内存的实物外形。
目前。笔记本l电脑市场上常见的内存有SDRAM、DDR SDRAM 和DDRII SDRAM。
（1）SDRAM
SDRAM的英文全称为S）nachronous Dynamic Random Access Memow，即同步动态随机存储器。图3-20所示为笔记本电脑中SDRAM的实物外形。
SDRAM的带宽为64bit，依据运行频率可分为DDR66（PC66）、DDRl00（PCI00）、DDRl33（PCI33）等几种规格。PC I33就是指运行频率为l33MHz的SDRAM。
（2）DDR SDRAM
DDR的英文全称为Double Data Rate，即双倍数据传输的意思，也就是说在一个脉冲信号内读取两次数据。这种内存的效率是SDtL—klVl的2倍，而且较SDRAM更加省电，单条容量更大。
图3-21所示为笔记本电脑DDR SDRAM的实物外形。这种内存广泛应用于Pentium4.M、Pentium M、P4核心的赛扬笔记本电脑中。DDR SDRAM按运行频率可分为DDR200（PCI600）、DDR266（PC2 100）、DDR333（PC2700）、DDR400（PC3200）等几种规格。
（3）DDRIISDRAM
笔记本电脑DDRII SDRAM的实物外形如图3—22所示。这种
内存是DDR SDRAM的升级产品，它的频率为400MHz（PC34200）。井支持533MHz（PC3.4300），667MHz
（PC3—5300）的频率。值得一提的是。虽然DDR II SDRAM 与DDR SDRAM在外形上差别不大，但这两种内存并不能相互兼容。
2.笔记本电脑内存的工作原理
（1）内存数据和地址的关系
图3-23为内存地址与数据选择示意图。内存是由很多横坚捧列的内存单元组成的。每个内存单元实际上就是一个半导体存储器，能够存储数据。在图3-23中。有小球的地方就表示有数据，用1表示：没有小球的地方就表示没有数据。用0表示。这些数据存储的位置就是地址。根据集成电路的制造工艺，每一个数据存到存储器中时。都要存储到相应的单元当中去。而不是随便乱存的。
例如，数据存在第6行第8列。确定了行和列的序号就确定了它的位置（地址），就可以选择出所在坐标位置的数据。所以，从存储器当中存入数据或者取出数据时，必须锁定坐标位置，才能将相应的数据取出来或者存进去。存储器一般都可以存入数据，
也可以取出数据，在地址信号的选择下进行控制。
在图3-23中，将RAS这个信号送入行地址锁存电路①中时，先通过行地址寻找行坐标，将行地址选择信号送入行选择电路②中，送出控制信号去选择第6行的驱动信号端。然后将CAS信号送入列地址锁存电路③中，通过CAS信号来选择列地址，将列地址选择信号送入列选择电路④中，选择第8列的驱动信号端。此时就将第6行第8列的这个数据锁定了，再根据控制指夸的不同去写入数据或读出数据。经过列控制后，这个数据被选中，然后经过读取放大器⑤进出。
从内存中读取一个数据。不但需要控制信号。同时还要有地址信号。这样才能将相应的数据读取出来，并根据需要送到CPU 或其他芯片组中。
（2）内存数据的调用
CPU从内存中调用数据的过程如图3.24所示。CPU芯片要谓用内存中的数据时。首先输出内存的数据地址信号，数据地址信号经过北桥芯片（存储器控制芯片）转换后再送给内存电路。北桥芯片的功能是将CPU输出的地址信号转换成行信号和列信号。经过这个控制芯片以后，内存中的行信号与列信号的位置就确定
了。确定位置后，就可以将存储单元中的数据从内存中取出。数据取出以后经过缓冲放大嚣送回北桥芯片。北桥芯片收到这个数据以后，再将其根据程序指令传输给CPU。这样就可以通过数据总线将数据内容传送过来t满足了CPU调用数据的要求。这也是CPU与存储器之间的地址和数据传输的关系。本文来自：黑龙江皮肤病研究所https://www.doczj.com/doc/737527559.html,/。
RAM工作原理 实际的存储器结构由许许多多的基本存储单元排列成矩阵形式，并加上地址选择及读写控制等逻辑电路构成。当CPU要从存储器中读取数据时，就会选择存储器中某一地址，并将该地址上存储单元所存储的内容读走。 早期的DRAM的存储速度很慢，但随着内存技术的飞速发展，随后发展了一种称为快速页面模式(Fast Page Mode)的DRAM技术，称为FPDRAM。FPM内存的读周期从DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地址所指位置的第一列并触发，该位置即包含所需要的数据。第一条信息需要被证实是否有效，然后还需要将数据存至系统。一旦发现第一条正确信息，该列即被变为非触发状态，并为下一个周期作好准备。这样就引入了“等待状态”，因为在该列为非触发状态时不会发生任何事情(CPU必须等待内存完成一个周期)。直到下一周期开始或下一条信息被请求时，数据输出缓冲区才被关闭。在快页模式中，当预测到所需下一条数据所放位置相邻时，就触发数据所在行的下一列。下一列的触发只有在内存中给定行上进行顺序读操作时才有良好的效果。 从50纳秒FPM内存中进行读操作，理想化的情形是一个以6-3-3-3形式安排的突发式周期(6个时钟周期用于读取第一个数据元素，接下来的每3个时钟周期用于后面3个数据元素)。第一个阶段包含用于读取触发行列所需要的额外时钟周期。一旦行列被触发后，内存就可以用每条数据3个时钟周期的速度传送数据了。 FP RAM虽然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出现了EDO RAM和SDRAM等新型高速的内存芯片。 介绍处理器高速缓存的有关知识 所谓高速缓存，通常指的是Level 2高速缓存，或外部高速缓存。L2高速缓存一直都属于速度极快而价格也相当昂贵的一类内存，称为SRAM(静态RAM)，用来存放那些被CPU频繁使用的数据，以便使CPU不必依赖于速度较慢的DRAM。 最简单形式的SRAM采用的是异步设计，即CPU将地址发送给高速缓存，由缓存查找这个地址，然后返回数据。每次访问的开始都需要额外消耗一个时钟周期用于查找特征位。这样，异步高速缓存在66MHz总线上所能达到的最快响应时间为3-2-2-2，而通常只能达到4-2-2-2。同步高速缓存用来缓存传送来的地址，以便把按地址进行查找的过程分配到两个或更多个时钟周期上完成。SRAM在第一个时钟周期内将被要求的地址存放到一个寄存器中。在第二个时钟周期内，SRAM把数据传送给CPU。由于地址已被保存在一个寄存器中，所以接下来同步SRAM就可以在CPU读取前一次请求的数据同时接收下一个数据地址。这样，同步SRAM 可以不必另花时间来接收和译码来自芯片集的附加地址，就“喷出”连续的数据元素。优化的响应时间在66MHz总线上可以减小为2-1-1-1。 另一种类型的同步SRAM称为流水线突发式(pipelined burst)。流水线实际上是增加了一个用来缓存从内存地址读取的数据的输出级，以便能够快速地访问从内存中读取的连续数据，而省去查找内存阵列来获取下一数据元素过程中的延迟。流水线对于顺序访问模式，如高速缓存的行填充(linefill)最为高效。 什么是ECC内存 ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的缩写，它代表具有自动纠错功能的内存。目前的ECC存储器一般只能纠正一位二进制数的错误。 Intel公司的82430HX芯片组可支持ECC内存，所以采用82430HX芯片的主板一般都可以安装使用ECC 内存，由于ECC内存成本比较高，所以它主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计算机
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
?屏幕尺寸：14英寸1366x768 ?CPU型号：Intel 赛扬双核B815 ?CPU主频：1.6GHz ?内存容量：2GB DDR3 1333MHz ?硬盘容量：500GB 5400转，SATA ?显卡芯片：NVIDIA GeForce GT 610M ?操作系统：DOS ?摄像头：集成30万像素摄像头 ?光驱类型：DVD刻录机支持DVD SuperMulti... ?无线网卡：支持802.11b/g/n无线协议 ?笔记本重量：2.44Kg ?有线网卡：1000Mbps以太网卡 ?笔记本主机 x1 ?电池 x1 ?电源适配器 x1 ?说明书 x1 ?保修卡 x1 ?鼠标 x1 ?保修政策： 全球联保质保期为2年（2年全球联保，1年电池保修（需产品注册）） ?客服电话： 400-600-6655 （24小时电话服务） ?具体内容： 华硕笔记本电脑自用户购买之日起2年内，于正常操作使用状况下主机发生硬件故障可享受免费售后维修服务。搭配的电池自购买之日起6个月内，提供免费保修服务（购买1个月之内完成注册动作，保修期延长至12个月）。当用户提供正规购机发票时，将以发票开具日期开始计算；若用户无法提供正规发票，则产品保修期起算日将以笔记本序列号对应的出厂日期为准。进入官网>>
华硕A43EB815SD-SL（2GB/500GB）详细参数 切换到传统表格版 基本参数 处理器 存储设备 显示屏 显卡
多媒体设备 网络通信 I/O接口 输入设备 电源描述 外观 其他
笔记本附件 保修信息 基本参数?上市时间：2012年02月 ?产品类型：家用 ?产品定位：全能学生本，时尚丽人本?操作系统：DOS ?主板芯片组：Intel HM65 处理器?CPU系列：英特尔赛扬双核 ?CPU型号：Intel 赛扬双核B815 ?CPU主频：1.6GHz ?三级缓存：2MB ?核心类型：Sandy Bridge ?核心/线程数：双核心 ?制程工艺：32nm ?指令集：64bit ?功耗：35W
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.doczj.com/doc/737527559.html,
目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)
摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao
内存的物理结构和工作原理 内存也叫主存，是PC系统存放数据与指令的半导体存储器单元，也叫主存储器（Main Memory），通常分为只读存储器（ROM-Read Only Memory）、随机存储器（RAM-Red Access Memory）和高速缓存存储器（Cache）。我们平常所指的内存条其实就是RAM，其主要的作用是存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及与外部存储器交换信息时做缓冲之用。 下面是结构： 1、PCB板 内存条的PCB板多数都是绿色的。如今的电路板设计都很精密，所以都采用了多层设计，例如4层或6层等，所以PCB板实际上是分层的，其内部也有金属的布线。理论上6层PCB板比4层PCB板的电气性能要好，性能也较稳定，所以名牌内存多采用6层PCB板制造。因为PCB板制造严密，所以从肉眼上较难分辩PCB板是4层或6层，只能借助一些印在PCB板上的符号或标识来断定。 2、金手指 黄色的接触点是内存与主板内存槽接触的部分，数据就是靠它们来传输的，通常称为金手指。金手指是铜质导线，使用时间长就可能有氧化的现象，会影响内存的正常工作，易发生无法开机的故障，所以可以隔一年左右时间用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。 3、内存芯片 内存的芯片就是内存的灵魂所在，内存的性能、速度、容量都是由内存芯片组成的。 4、内存颗粒空位 5、电容 PCB板上必不可少的电子元件就是电容和电阻了，这是为了提高电气性能的需要。电容采用贴片式电容，因为内存条的体积较小，不可能使用直立式电容，但这种贴片式电容性能一点不差，它为提高内存条的稳定性起了很大作用。 6、电阻 电阻也是采用贴片式设计，一般好的内存条电阻的分布规划也很整齐合理。7、内存固定卡缺口：内存插到主板上后，主板上的内存插槽会有两个夹子牢固的扣住内存，这个缺口便是用于固定内存用的。 8、内存脚缺口 内存的脚上的缺口一是用来防止内存插反的（只有一侧有），二是用来区分不同的内存，以前的SDRAM内存条是有两个缺口的，而DDR则只有一个缺口，不能混插。 9、SPD SPD是一个八脚的小芯片，它实际上是一个EEPROM可擦写存贮器，这的容量有256字节，可以写入一点信息，这信息中就可以包括内存的标准工作状态、速度、响应时间等，以协调计算机系统更好的工作。从PC100时代开始，PC100规准中就规定符合PC100标准的内存条必须安装SPD，而且主板也可
详解内存工作原理及发展历程 RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC 用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。 虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM 和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。 存储原理： 为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。 让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。如果已知这本书的编号87，
看参数知“本性”笔记本配置解读 处理器： Intel发布了基于Ivy Bridge架构的第三代智能酷睿i7、i5以及i3处理器，新品采用了最先进的22nm制造工艺。但从目前市场情况来说，旧的Sandy Bridge架构处理器并未退出历史舞台，新旧混杂。 命名规则： Ivy Bridge架构处理器只有i7、i5以及i3。以字母“U”结尾的属于超低电压版本，TDP仅为17W，即主流处理器的一半儿功耗，因此性能会相对弱一些。如酷睿i5-3217U处理器； 以字母M结尾的为标准电压处理器，其中四核处理器为“QM”结尾（Quard-Core Mobile），其余均为双核产品，如i7-3610QM是四核处理器，i7-3520M则是双核处理器。 性能差距： 性能方面，我们虽然没有找到IVB酷睿i3处理器的实际性能测试成绩，但从IVB酷睿i5与SNB酷睿i5相比提升不明显的情况来看，i3也应该如此。也就是说，新架构的酷睿i3与i5实际性能差别不是特别明显，后者性能略好一些。 而拥有四核心的酷睿i7在性能方面有了长足的进步，达到了酷睿i5的两倍以上。 酷睿i3、i5、i7的性能差距，并不是像命名中的3:5:7那样简单，而是基本达到了5:6:13，酷睿i7性能尤为突出。 超低电压处理器阵营，当前已基本全部升级至Ivy Bridge架构，从实际表现来看，由于最大睿频接近，新的低压酷睿i7性能表现基本与标压i5相当，低压i5也基本与标压i3持平甚至略有胜出，值得考虑。至于新的低压i3，它的性能虽然在这一批处理器当中属弱者，但拿来上网、看高清、Office文档处理也基本够用。
处理器配套芯片组： 目前笔记本采用的Ivy Bridge架构处理器配套芯片组有HM70，HM75，HM76，HM77，QM77，QS77以及UM77七款。而最常见的则为HM76以及HM77，部分高端商务本上面还可以见到QM77以及QS77芯片组。 商用芯片组： 商用芯片组只有QM77以及QS77两款，持Intel针对商业用户推出的博锐技术、定向虚拟化技术、可信执行技术等等，可让笔记本拥有更高的安全性，更强的可靠性等等。 SRT固态硬盘加速技术： 只有HM77、UM77、QM77、QS77这四款“77”系列芯片组才支持SRT固态硬盘加速技术。目前市面上很多主流价位的超极本都使用了32GB固态硬盘与500GB机械硬盘的双硬盘方案，它们基本都使用这一技术，以达到极速的系统响应以及程序响应。 而对于混合硬盘的超极本，目前除了ZENBOOK以外，您只能选择那些采用“77”系列芯片组的型号。 内存： Ivy Bridge架构处理器整合北桥功能，均支持DDR3-1333以及DDR3-1600内存。内存频率提升了，性能自然也要比以往强一些。目前笔记本基本都使用了普通的内存，没有什么超频可言，时序、延迟，性能表现都基本差不多。 单根4GB为笔者推荐的最小容量，它基本可满足日常使用所需，也可以通过添加第二内存，方便升级至8GB并组建双通道。 显卡： 作为一款集显，Intel HD Graphics 4000核芯显卡性能已经达到了当前低端独显、上一代中低端独显的水平，而GCN架构A卡在笔记本上依旧只有Radeon HD 7970M一款，其余A卡在Kepler架构N卡面前又不值一提，因此A卡在笔记本上几乎全军覆没，在此重点说N 卡。 NVIDIA Kepler架构独显 NVIDIA推出了28nm制造工艺的Kepler架构独立显卡，针对笔记本的型号由GeForce GT 640M一直延伸到GTX 680M（这里面GTX 670M以及GTX 675M除外，编号小于640的N卡也几乎可以无视了），大体规格如下： 从规格上看，NVIDIA GeForce GT 640M LE到GTX 660M均基于GK107核心，384个CUDA 单元。它们的具体区别仅在于核心频率、显存类型、显存频率的不同，性能依次递增。经过测试，GT 640M可在主流画质下流畅运行当前绝大多数3D游戏，而配备GDDR5显存的GT 650M 显卡可以通过适当超频，达到甚至超过GTX 660M的性能（也就是说GTX 660M命名为“GT 655M”更加合适，具体超频文章点此阅读）。此外，它们都采用了板载的形势，不可更换！ GeForce GTX 670MX与GTX 675MX是最新推出的两款型号，我们没有进行过具体测试，因此不敢断言。从960个CUDA单元的特性，推测其核心代号应为GK106，且应该属于可插
DRAM内存原理 1. 内存基础 不管你信不信,RDRAM (Rambus、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它们在本质上讲是一样的。RDRAM、DDR RAM、SDRAM、EDO RAM都属于 DRAM(Dynamic RAM,即动态内存。所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图: 上图只是DRAM一个基本单位的结构示意图:电容器的状态决定了这个DRAM 单位的逻辑状态是1还是0,但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1,而“空”的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷,所以内存需要不断定时刷新,才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电——当然这个电流是有一定限制的,否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间,虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短,只有大约0.2-0.18微秒,但是这个期间内存是不能执行存取操作的。
DRAM制造商的一些资料中显示,内存至少要每64ms刷新一次,这也就意味着内存有1%的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题,而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变——所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新:执行一次回写操作,因为读取操作也会破坏内存中的电荷,也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms 刷新一次,每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期,当然潜伏期也就越长。 SRAM,静态(StaticRAM不存在刷新的问题,一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据,而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态——同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的,所以SRAM不存在刷新的问题。 SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上,而且潜伏期比DRAM短的多。SRAM仅仅需要2到3个时钟周期就能从CPU缓存调入需要的数据,而DRAM 却需要3到9个时钟周期(这里我们忽略了信号在CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间。前面也提到了,SRAM需要的晶体管的数目是DRAM 的4倍,也就是说成本比DRAM高至少是4倍,在目前的售价SRAM每M价格大约是DRAM的8倍,是RAMBUS内存的2到3倍。不过它的极短的潜伏期和高速的时钟频率却的确可以带来更高的带宽。 结构和功能(SDRAM 内存最基本的单位是内存“细胞”——也就是我们前面展示给大家DRAM 基本单元示意图所示的部分,下面我们对这个部分通称为DRAM基本单元。每个DRAM 基本单元代表一个“位”——Bit(也就是一个比特,并且有一个由列地址和行地址定义的唯一地址。8个比特组成一个字节,它可代表256种组合(即2的八次幂,字节是内存中最小的可寻址单元。DRAM基本单元不能被单独寻址——否则现在的内存将会更加复杂,而且也没有必要。很多DRAM基本单元连接到同一个列线(Row line和同一个行线(Column line,组成了一个矩阵结构,这个矩阵结构就是一个Bank。大部
Flash 存储芯片工作原理: Flash 芯片并不是像光盘那样把信息刻上去的。为了更加清楚地说明，我首先让你知道计算机的信息是怎样储存的。计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与击，都可以表示0与1。硬盘就是采用磁性物质记录信息的，磁盘上的磁性物质被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因为磁性在断电后不会丧失，所以磁盘断电后依然能保存数据。而内存的储存形式则不同，内存不是用磁性物质，而是用RAM 芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”，就是画一个正方形再平均分成四份，这个“田”字就是一个内存，这样，“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了，这个储存空间极小极小，只能储存电子。。好，内存现在开始工作。内存通电后，如果我要把“1010”这个信息保存在内存（现在画的“田”字）中，那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的第一个空格你画一点东西表示电子，第二个空格不用画东西，第三个空格又画东西表示电子，第四个格不画东西。这样，“田”的第一格有电子，表示1，第二格没有，表示0，第三格有电子，表示1，第四格没有，表示0，内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质，必须有一个电源才能规则地运动，内存通电时它很安守地在内存的储存空间里，一旦内存断电，电子失去了电源，就会露出它乱杂无章的本分，逃离出内存的空间去，所以，内存断电就不能保存数据了。再看看U 盘，U 盘里的储存芯片是Flash 芯片，它与RAM 芯片的工作原理相似但不同。现在你在纸上再画一个“田”字，这次要在四个空格中各画一个顶格的圆圈，这个圆圈不是表示电子，而是表示一种物质。好，Flash 芯片工作通电了，这次也 是保存“1010”这个数据。电子进入了“田”的第一个空格，也就是芯片的储存空间。电子把里面的物质改变了性质，为了表示这个物质改变了性质，你可以把“田”内的第一个圆圈涂上颜色。由于数据“1010”的第二位数是0，所以Flash 芯片的第二个空间没有电子，自然里面那个物质就不会改变了。第三位数是1，所以“田”的第三个空格通电，第四个不通电。现在你画的“田”字，第一个空格的物质涂上了颜
一文详解SRAM特点和原理 基本简介SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM （Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 主要规格一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）;另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A STIck）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU 起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在PenTIum CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是PenTIum Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故PenTIum Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。 基本特点现将它的特点归纳如下： ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统： ○CPU与主存之间的高速缓存。 ○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 ○CMOS 146818芯片（RTCMOS SRAM）。
联想Thinkpad E325 129864C 详细参数指导价￥6799 基本参数 上市时间2011下半年 处理器Intel Core i5-2430M(2.4GHz/L3 3M) 核心/线程双核心/四线程 核心架构Sandy Bridge 处理器类型第二代酷睿i5 处理器主频 2.4GHz 加速技术支持Turbo Boost睿频技术,3.0GHz 三级缓存L3 3M 主板芯片组Intel HM65 产品定位商用办公本,轻薄便携本 操作系统Windows 7 Home Basic 存储设备 内存容量2GB 内存类型DDR3 硬盘类型机械硬盘 硬盘参数7200转 硬盘容量320GB 光驱类型无光驱 显示屏 屏幕尺寸13.3英寸 显示屏描述宽屏,LED背光,16:9比例 分辨率1366×768 音频视频 显卡类型独立 显卡芯片AMD Radeon HD 6630M 显存容量1GB 显存位宽128bit
戴尔V3350D-158(V3350D-378) 详细参数指导价￥6199 基本参数 上市时间2011下半年 处理器Intel Core i5-2430M(2.4GHz/L3 3M) 核心/线程双核心/四线程 核心架构Sandy Bridge 处理器类型第二代酷睿i5 处理器主频 2.4GHz 加速技术支持Turbo Boost睿频技术,3.0GHz 三级缓存L3 3M 主板芯片组Intel HM65 产品定位商用办公本 操作系统Windows 7 Home Basic 存储设备 内存容量4GB 内存类型DDR3 1333 最大支持内存最大支持8GB 硬盘类型机械硬盘 硬盘参数7200转 硬盘容量500GB 光驱类型DVD刻录机 光驱描述支持SuperMulti双层刻录 显示屏 屏幕尺寸13.3英寸 显示屏描述宽屏,LED背光,16:9比例 分辨率1366×768 音频视频 显卡类型独立 显卡芯片AMD Radeon HD 6490M
硬盘内部硬件结构和工作原理详解 一般硬盘正面贴有产品标签，主要包括厂家信息和产品信息，如商标、型号、序列号、生产日期、容量、参数和主从设置方法等。这些信息是正确使用硬盘的基本依据，下面将逐步介绍它们的含义。 硬盘主要由盘体、控制电路板和接口部件等组成，如图1-1所示。盘体是一个密封的腔体。硬盘的内部结构通常是指盘体的内部结构；控制电路板上主要有硬盘BIOS、硬盘缓存（即CACHE）和主控制芯片等单元，如图1-2所示；硬盘接口包括电源插座、数据接口和主、从跳线，如图1-3所示。 图1-1 硬盘的外观 图1-2 控制电路板 图1-3 硬盘接口 电源插座连接电源，为硬盘工作提供电力保证。数据接口是硬盘与主板、内存之间进行数据交换的通道，使用一根40针40线（早期）或40针80线（当前）的IDE接口电缆进行连接。新增加的40线是信号屏蔽线，用于屏蔽高速高频数据传输过程中的串扰。中间的主、从盘跳线插座，用以设置主、从硬盘，即设置硬盘驱动器的访问顺序。其设置方法一般标注在盘体外的标签上，也有一些标注在接口处，早期的硬盘还可能印在电路板上。 此外，在硬盘表面有一个透气孔（见图1-1），它的作用是使硬盘内部气压与外部大气压保持一致。由于盘体是密封的，所以，这个透气孔不直接和内部相通，而是经由一个高效过滤器和盘体相通，用以保证盘体内部的洁净无尘，使用中注意不要将它盖住。
1.2 硬盘的内部结构 硬盘的内部结构通常专指盘体的内部结构。盘体是一个密封的腔体，里面密封着磁头、盘片（磁片、碟片）等部件，如图1-4所示。 图1-4 硬盘内部结构 硬盘的盘片是硬质磁性合金盘片，片厚一般在0.5mm左右，直径主要有1.8in （1in=25.4mm）、2.5in、3.5in和5.25in 4种，其中2.5in和3.5in盘片应用最广。盘片的转速与盘片大小有关，考虑到惯性及盘片的稳定性，盘片越大转速越低。一般来讲，2.5in硬盘的转速在5 400 r/min～7 200 r/ min之间；3.5in 硬盘的转速在4 500 r/min～5 400 r/min之间；而5.25in硬盘转速则在3 600 r/min～4 500 r/min之间。随着技术的进步，现在2.5in硬盘的转速最高已达15 000 r/min，3.5in硬盘的转速最高已达12 000 r/min。 有的硬盘只装一张盘片，有的硬盘则有多张盘片。这些盘片安装在主轴电机的转轴上，在主轴电机的带动下高速旋转。每张盘片的容量称为单碟容量，而硬盘的容量就是所有盘片容量的总和。早期硬盘由于单碟容量低，所以，盘片较多，有的甚至多达10余片，现代硬盘的盘片一般只有少数几片。一块硬盘内的所有盘片都是完全一样的，不然控制部分就太复杂了。一个牌子的一个系列一般都用同一种盘片，使用不同数量的盘片，就出现了一个系列不同容量的硬盘产品。 盘体的完整构造如图1-5所示。
笔记本电脑参数
笔记本电脑 1、一般电脑主要参数有五大参数，CPU,内存，硬盘，显卡，屏幕。屏幕的大小一眼就能看出来，现在笔记本电脑主要分为，11.6寸、12.5寸、13.3寸、14.1寸、15.6寸。其中14.1寸也就是我们平常说的14寸，为最常见的尺寸，也是最主要的占比在90%销量尺寸。 NoteBook，俗称笔记本电脑，它的诞生源于人们对移动办公的需求，它的设计目的就是在保持便携性的前提下尽量的提高性能和易用性，以及提供多元化的功能。笔记本电脑诞生至今已经有19年的历史了，它的诞生带动了科技的发展。 CPU品牌 笔记本电脑专用的CPU英文称Mobile CPU（移动CPU），它除了追求性能，也追求低热量和低耗电，最早的笔记本电脑直接使用台式机的CPU，但是随CPU主频的提高, 笔记本电脑狭窄的机箱开始无法迅速的散发热量，笔记本电脑小得可怜的电池也无法负担台式CPU庞大的耗电量， Mobile CPU的制造工艺往往比同时代的台式机CPU更加先进，因为Mobile CPU中会集成台式机CPU中不具备的电源管理技术，而且往往比台式机CPU先采用更高的微米精度。主要生产厂家有Intel、AMD、IBM、VIA等。 CPU的厂商 1.Intel公司 Intel是生产CPU的老大哥，它占有80%多的市场份额，Intel生产的CPU就成了事实上的x86CPU技术规范和标准。最新的酷睿2成为CPU的首选。 2.AMD公司 目前使用的CPU有好几家公司的产品，除了Intel公司外，最有力的挑战的就是AMD公司，最新的Athlon64x2和闪龙具有很好性价比，尤其采用了3DNOW+技术，使其在3D上有很好的表现。 3.IBM和Cyrix
笔记本电脑最大内存是多大 小编的笔记本电脑，配置是2GB内存和集成显卡，安装Vista系统，开启多个程序时感觉速度不够流畅，于是计划升级内存，考虑到笔记本只预留了一个内存插槽，笔者直接将内存升级到4GB，遗憾的是，系统却只能识别3.2GB内存容量，即便是集成显卡用掉了256MB内存，内存容量也不可能只有3.2GB，于是打电话咨询厂商售后人员。 此时才明白一个道理，WinXP或32位Vista系统最大只支持3.2GB内存，多余的内存被禁用了，而在升级最新的WinXP SP3或Vista SP1补丁后，尽管系统能正确识别4GB内存，但实际可用内存仍旧为3.2GB。 目前笔记本最大的内存只有4G。因为XP系统只能理论支持4G内存，实际支持3.25G，vista,win7是64位处理器，虽然支持4G以上，但是别忘了笔记本只有2个内存插槽，而目前单根内存最大只有2G。这一技术还没有突破。目前提高内存效率的办法是增加主频。 如果是4G内存的笔记本电脑，如何把剩余且禁用的800MB内存容量给挖掘出来呢？ 使用超级兔子软件可以将多余内存变成虚拟磁盘，之后再将虚拟磁盘设置为虚拟内存，这样可使禁用的内存得到利用，或者将IE缓存、临时目录及要频繁读写的程序设置在虚拟磁盘，以提升笔记本系统的运行速度，在软件主界面点“利用大内存加快系统运行”图标，点“下一步”按钮创建虚拟磁盘，由于只有800MB容量内存没有被识别，因此将虚拟磁盘大小设置为800MB，并将盘体类型设置为“硬盘驱动器”。 单击“下一步”按钮，然后根据需要设置虚拟磁盘，譬如对于每天必须上网的用户，建议将IE缓存大小设置为300MB以上（譬如400MB），以方便提升IE浏览器的运行速度，并点选下面两个选项即可，点击“下一步”确认无误后，点击“确定”按钮后重新启动系统，如果提示闪存盘装载失败，请确认系统已经停止使用IE缓存，然后再进行虚拟磁盘的设置，成功设置并重新启动系统后，原先被禁用的800MB内存就释放出来了，此时开机速度、浏览器运行效率会有所提升。 小编今天把关于笔记本电脑最大内存的知识记载在这里分享给大家，让大家对笔记本电脑内存大小知识有个常识性的了解。
内存工作原理及发展历程 RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。 虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM （asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM 进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。 存储原理： 为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。 让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8行，然后找到第7列就能准确的找到这本书了。在RAM存储器中也是利用了相似的原理。 现在让我们回到RAM存储器上，对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，所以我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。对于CPU来说，RAM就象是一条长长的有很多空格的细线，每个空格都有一个唯一的地址与之相对应。如果CPU想要从RAM中调用数据，它首先需要给地址总线发送地址数据定位要存取的数据，然后等待若干个时钟周期之后，数据总线就会把数据传输给CPU。下面的示意图可以帮助你很好的理解这个过程。
图1-1 硬盘的外观 图1-2 控制电路板 图1-3 硬盘接口 电源插座连接电源，为硬盘工作提供电力保证。数据接口是硬盘与主板、内存之间进行数据交换的通道，使用一根40针40线（早期）或40针80线（当前）的IDE 接口电缆进行连接。新增加的40线是信号屏蔽线，用于屏蔽高速高频数据传输过程中的串扰。中间的主、从盘跳线插座，用以设置主、从硬盘，即设置硬盘驱动器的访问顺序。其设置方法一般标注在盘体外的标签上，也有一些标注在接口处，早期的硬盘还可能印在电路板上。 此外，在硬盘表面有一个透气孔（见图1-1），它的作用是使硬盘内部气压与外部大气压保持一致。由于盘体是密封的，所以，这个透气孔不直接和内部相通，而是经由一个高效过滤器和盘体相通，用以保证盘体内部的洁净无尘，使用中注意不要将它盖住。 1.2 硬盘的内部结构 硬盘的内部结构通常专指盘体的内部结构。盘体是一个密封的腔体，里面密封着磁头、盘片（磁片、碟片）等部件，如图1-4所示。
图1-4 硬盘内部结构 硬盘的盘片是硬质磁性合金盘片，片厚一般在0.5mm左右，直径主要有1.8in （1in=25.4mm）、2.5in、3.5in和5.25in 4种，其中2.5in和3.5in盘片应用最广。盘片的转速与盘片大小有关，考虑到惯性及盘片的稳定性，盘片越大转速越低。一般来讲，2.5in硬盘的转速在5 400 r/min～7 200 r/ min之间；3.5in硬盘的转速在4 500 r/min～5 400 r/min之间；而5.25in硬盘转速则在3 600 r/min～4 500 r/min之间。随着技术的进步，现在2.5in硬盘的转速最高已达15 000 r/min，3.5in硬盘的转速最高已达12 000 r/min。 有的硬盘只装一张盘片，有的硬盘则有多张盘片。这些盘片安装在主轴电机的转轴上，在主轴电机的带动下高速旋转。每张盘片的容量称为单碟容量，而硬盘的容量就是所有盘片容量的总和。早期硬盘由于单碟容量低，所以，盘片较多，有的甚至多达10余片，现代硬盘的盘片一般只有少数几片。一块硬盘内的所有盘片都是完全一样的，不然控制部分就太复杂了。一个牌子的一个系列一般都用同一种盘片，使用不同数量的盘片，就出现了一个系列不同容量的硬盘产品。 盘体的完整构造如图1-5所示。
重要参数屏幕尺寸：14英寸1366x768 CPU型号：Intel 酷睿i5 3230M CPU主频：2.6GHz 内存容量：4GB（4GB×1）DDR3 1600MHz 硬盘容量：1TB 显卡芯片：NVIDIA GeForce GT 650M＋Intel ... 操作系统：预装Windows 8 摄像头：集成摄像头 光驱类型：内置DVD刻录机支持超级DVD刻录 无线网卡：Intel 2200 BGN 笔记本重量：2.2Kg 蓝牙：支持蓝牙功能 标准配件 售后服务联想Y480N-IFI（i5 3230M）详细参数 切换到传统表格版 基本参数上市时间：2013年01月 产品类型：家用 产品定位：游戏影音本，家庭娱乐本 操作系统：预装Windows 8 主板芯片组：Intel HM76 处理器CPU系列：英特尔酷睿i5 3代系列 CPU型号：Intel 酷睿i5 3230M CPU主频：2.6GHz 最高睿频：3200MHz 总线规格：DMI 5 GT/s 三级缓存：3MB 核心架构：Ivy Bridge 核心/线程数：双核心/四线程 制程工艺：22nm 指令集：AVX，64bit 功耗：35W 存储设备内存容量：4GB（4GB×1）
内存类型：DDR3 1600MHz 插槽数量：2xSO-DIMM 最大内存容量：8GB 硬盘容量：1TB 光驱类型：内置DVD刻录机 光驱描述：支持超级DVD刻录 显示屏触控屏：不支持触控 屏幕尺寸：14英寸 显示比例：16:9 屏幕分辨率：1366x768 屏幕技术：LED背光，超薄炫彩屏 显卡显卡类型：双显卡（性能级独立显卡＋集成显卡） 显卡芯片：NVIDIA GeForce GT 650M＋Intel GMA HD 4000 显存容量：2GB 显存类型：GDDR5 显存位宽：128bit 流处理器数量：384 DirectX：11 多媒体设备摄像头：集成摄像头 音频系统：JBL品牌音响，杜比认证音效 扬声器：内置扬声器 麦克风：内置麦克风 网络通信无线网卡：Intel 2200 BGN 有线网卡：1000Mbps以太网卡 蓝牙：支持蓝牙功能 I/O接口数据接口：2×USB2.0+2×USB3.0 视频接口：VGA，HDMI 音频接口：耳机输出接口，麦克风输入接口 其它接口：RJ45（网络接口），电源接口 读卡器：6合1读卡器（SD，SD-pro，MMC，MS，MS-pro，XD）
Windows7内存管理机制Superfetch介绍 关键字: superfetch 在了解Superfetch 内存管理机制之前。我们要弄清楚一些概念。下面我就来讲解一下什么叫做“工作集”。 一、 首先，我们从内存讲起。我们可以简单的将内存理解为“数据结构”+“工作集”。 也就是说，在内存这个大房子里面有两个房间，一个是“数据结构”房间，另一个是“工作集”房间。那么我们就开始讲什么是“工作集”房间。 我们可以将每一个程序的运行占用的内存当做一个员工，而这些 员工要工作的话就必须要走进他们的办公室，然后才能开始工作，那么这些“办公室”就可以理解为工作集了。引用森木的话就是“简单的说，应用程序在运行过程 中进程所占用的内存中的工作空间就叫做工作集”。 那工作集的作用是什么呢？就如我刚才说的，是各个员工办公的 场 所，我们可以想象这些员工来自他们的“家”，也就是硬盘，工作集的作用就是让这些员工从家进入到大厦里（也就是内存里），也可以说，在这个大厦里，门口就 是工作集房间，员工进入了工作集才能进入大厦。再次引用森木的话就是“工作集的作用是为了应用程序在运行时将硬盘当中对应的文件引入物理内存中”。 可是我们知道，大厦不能只有工作集一个房间，所有的员工在这 个房间里面占用的地方并不是整个大厦（内存）。而工作集房间的面积大小就要看你这个大厦有多大了。如果大一点的大厦工作集房间肯定大，那小的大厦这个房间 自然就小了。我在前面也提到过，这个大厦还有一个房间，就是“数据结构”。 二、 物理内存的数据结构 在数据结构这个房间里，还分有五个小房间。他们分别是： Free Page List 自由页面列表（房间） Modified Page List已修改页面列表（房间） Standby Page List备用页面列表（房间） Zero Page List清零页面列表（房间） Bad Page List坏损页面列表（房间） 那下面我就结合工作集的工作原理来一起讲解数据结构这个房间 了。 三、 工作集的工作原理