偏光片材料原理工艺作
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Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】
浅谈偏光片的技术与发展趋势
摘要:文章针对我国平板显示产业快速发展过程中重要的上游配套关键原材料偏光片产品的原理、制造工艺、技术发展趋势进行了简要分析和介绍。全文力图以简洁的文字、借助相关资料来解析偏光片的有关知识，旨在让更多平板显示业界人士更多地了解偏光片产品的种类、工作原理及其制造过程，促进我国大陆地区偏光片产业的发展。
关键词:偏光片;原理;制造工艺;技术趋势。
一、引言
偏光片(Cpolarizer)是液晶面板的关键零件，是目前业界投资最为热门的行业之一，其成本约占面板原材料制造成本的7%左右。需说明的是偏光片的应用范围很广，不但能使用在LCD上作为偏光材料，亦可用于太阳眼镜、防眩护目镜、摄影器材的滤光镜、汽车头灯防眩处理及光量调整器等，其它还有偏光显微镜与特殊医疗用眼镜
由于目前偏光片的制造技术一直被日本、韩国、中国台湾等国家和地区所垄断，中国大陆生产偏光片的企业尚少，而目_主要产品为TN/STN型产品，目前内地上马的LCD生产线多为TFT型，相应的TFT型偏光片的市场缺口大，大部分产品主要依赖进口，极大影响了我国液晶产品的竞争能力。因而发展偏光片项目对完善我国液晶上游产业链，降低产品成本，提高市场竞争力有着重要意义。在深圳市政府的大力支持以及深超公司的推动下，深纺织集团日前确定投资上马宽幅TFT- LCD用偏光片项目(盛波光电)，预计2011年三季度投产，该项目的建成将填补我国大陆地区该产业的空白。
现就有关偏光片技术原理以及发展趋势做简要探讨，以飨读者。偏光片原理与制造工艺
二、偏光片原理及种类
（一）原理
目前最通用的偏光膜是兰特在1938年所发明的H片，其制法如下:首先把透明塑料板(通常用PVA)浸渍在I2 / KI的水溶液中，使碘离子扩散渗入内层的PVA，微热后拉伸，PVA板变长的同时也变得又窄又薄。PVA分子本来是任意角度无规则性分布的，受力拉伸后就逐渐一致地偏转于作用力的方向，附着在PVA上的碘离子也跟随着有方向性，形成了碘离子的长链。因为碘离子有很好的起偏性，
它可以吸收平行于其排列方向的光束电场分量，只让垂直方向的光束电场分量通过，制成具有偏光作用的偏光膜，如图1所示。
最早的偏光片主要由中间能产生偏振光线的PVA膜，再在两面复合上TAC
保护膜组成。为了方便使用和得到
不同的光学效果，偏光片供应商应
液晶显示器制造商的要求，又在两
面涂覆上压敏胶，再覆上离型膜，
这种偏光片是最常见到的TN普通
全透射偏光片。如果去掉一层离型膜，再复合一层反射膜，就是最普通的反射偏光片。使用的压敏胶为耐高温防潮压敏胶，并对PVA进行特殊浸胶处理（染料系列产品)，所制成的偏光片即为宽温类型偏光片;在使用的压敏胶中加入阻止紫外
线通过的成份，则可制成防紫外线偏光片;在透射原片上再复合上双折射光学补偿膜，则可制成STN用偏光片;在透射原片上再
图1 碘及其离子在偏光膜上的形态复合上光线转向膜，则可制成宽视角偏光片或窄视角偏光片;对使用的压敏胶、PVA膜或TAC膜着色，即为彩色偏光片。实际上随着新型的液晶显示器产品不断开发出来，偏光片的类型也愈来愈多。
（二）偏光片的种类
偏光膜的应用范围很广，不但能使用在LCD上作为偏光材料，也可用于太阳眼镜、防眩护目镜、摄影器材的滤光镜、汽车头灯防眩处理及光量调整器，其它还有偏光显微镜与特殊医疗用眼镜
（1）偏光片按功能分类如图所示
1.透射式偏光片
2.反射式偏光片
3.半透过半反
射式偏光片 4.补偿型偏片
（2）偏光片按染色方法分类
碘系偏光片：PVA与碘分子相结合，为现今生产偏光膜最主要的方法。容易获得高透过率、高偏振度的光学特性，但耐高温高湿的能力较差。
染料系偏光片：将具有二色性的有机染料吸着在PVA上，并加以延伸定向，使之具有偏旋光性能。不容易获得高透过率、高偏振度的光学特性，但耐高温高湿的能力较好。
（3）偏光膜按起偏材料的种类分类
金属偏光膜:将金、银、铁等金属盐吸附在高分子薄膜上，再加以还原，使棒状金属有起偏的能力，现在已不使用这种方法生产。
碘系偏光膜：PVA与碘分子所组成，为现今生产偏光膜最主要的方法。
染料系偏光膜:将具有二色性的有机染料吸着在PVA上，并加以延伸定向，使之具有偏旋光性能;
聚乙烯偏光膜:用酸为触媒，将PVA脱水，使PVA分子中含一定量乙烯结构，再加以延伸定向，使之具有偏旋光性能。
三、偏光片的结构及特性说明（如图所示）。
偏光层:是由PVA C聚乙烯醇)薄膜经染色拉伸后制成，该层是偏光片的主要部分，也称偏光原膜。偏光层决定了偏光片的偏光性能、透过率，同时也是影响偏光片色调和光学耐久性的主要部分;
TAC层:由PVA膜制成的偏光层易吸水、褪色而丧失偏光性能，因此需要在其两边用一层光学均匀性和透明性良好的TAC(三醋酸纤维素酷)膜来隔绝水分
和空气，保护偏光层。采用具有紫外隔离(UV CUT)和防眩(anti- glare)功能的TAC膜可制成防紫外型偏光片和防眩型偏光片;
粘着剂((adhesive):可分为反射膜侧粘着剂和剥离膜侧粘着剂。反射膜侧粘着剂的作用是将反射膜牢固地粘合在TAC膜上，其工艺要求不允许有再剥离性。剥离膜侧粘着剂是一层压敏胶，它决定了偏光片的粘着性能及贴片加工性能，其性能优劣是LCD偏光片使用者最为关心的问题之一;
剥离膜(Cseparatefilm):为单侧涂布硅涂层的PET(对苯二甲酸乙二醇醋)膜，主要起保护压敏胶层的作用，同时其剥离力的大小对LCD贴片时的作业性有一定影响;
保护膜(protective film):为单侧涂布EVA层(乙烯醋酸乙烯共聚物)的PEC聚乙烯)膜，具有低粘性，起保护TAC膜表面的作用;
反射膜((reflective film):为单侧蒸铝的PET膜，目前大多使用无指向反射型蒸铝膜。如将反射膜更换为半透半反膜，则可制成半透半反型偏光片，此外也可使用各种镀金、镀银膜、镭射膜作为反射膜，以获得各种底色和镜面反射等效果。
四、偏光片工作原理
偏光片的材料是掺杂碘分子的聚合物。由于碘分子沿同一方向排列时具有
不对称的电子(云)密度，因此不同方向的极化光吸收系数不同。若光线的极化方向与碘分子链长轴方向垂直时，则极化光可以完全通过。通常，把极化方向称为偏光片的吸收轴方向。如图4所示。只有与吸收轴方向同向的线性偏极光才能透过，否则透过光的强度随之减弱，直至完全遮蔽。
图4是偏光片的工作原理示意图。
五、偏光片制造工艺分析
偏光片的制作主要有延伸法及涂布法，延伸法是目前的主流工艺。目前，生产技术以PVA膜的延伸工艺划分，有干法和湿法两大类;以PVA膜染色方法划分，有碘染色和染料染色两大类。
干法拉伸工艺是指先在一定温度、湿度的条件下，在隋性气体环境中将PVA膜拉伸到一定倍率，而后进行染色、固色、复合、干燥等制备工艺。湿法拉伸工艺是指PVA膜先进行染色，而后在溶液中进行拉伸、固色、复合、干燥的生产方法，如图5所示。
湿法拉伸其拉伸倍率较易提高、着色均匀。过去存在PVA膜在液体中较难控制延伸的稳定性，即生产条件不易控制，在制作过程中较易产生断膜，同时膜收缩率大，产率较低等问题。随着工艺技术的不断改进，目前已克服了幅宽等限制，工艺条件也得到优化，采用湿法拉伸工艺制作的偏光片，在色调均匀性和耐久性方面均优于干法拉伸工艺。干法拉伸虽具有可使用较大幅宽的PVA 膜进行加工、生产效率较高等优点，但对偏光片的色调均匀性和耐久性有影响，易产生延伸不匀及造成膜表面粗糙等弊端。日、韩、台湾和大陆偏光片制作厂家均采用湿法拉伸工艺，湿法拉伸工艺技术已成为全球LCD用偏光片生产的基本生产工艺技术。
偏光片生产工艺中的染色方法有碘染色法和染料染色法两种工艺。碘染色法是指在偏光片染色、拉伸过程中，使用碘和碘化钾作为二向性介质使PVA膜产生极性化偏光特性。这种染色方法的优点是比较容易获得%以上的高偏光度和42%以上高透过率的偏光特性。所以在早期的偏光材料产品或需要高偏光、高透过特性的偏光材料产品中大多都采用碘染色工艺进行加工。但这种工艺的不足之处就是由于碘的分子结构在高温高湿的条件下易于破坏，因此使用碘染色工艺生产的偏光片耐久性较差。
随着LCD产品使用范围的扩大，对偏光产品湿热工作条件的要求越来越苛
刻，已经出现要求在100℃和90% RH条件下工作的偏光片产品需求，对这种工作条件要求，碘染色工艺无法满足。为满足这种技术要求，首先由日本化药公司发明了偏光片生产所需的染料，并由日本化药的子公司日本波拉公司生产了染料系的高耐久性偏光片产品。利用二向性染料进行偏光片染色工艺所生产的偏光片产品，目前最高可以满足干温1050C x 500HR，湿热900C x 95%RHx 500HR以下工作条件的使用要求。但这种工艺方法所生产的偏光片产品一般偏
光度和透过率较低，其偏光度一般不超过90%、透过率不超过40% } }_价格昂贵。
六、国内外偏光片的研究动向
偏光片自193 8年被发明以来，制造原理和材料并无太大改变，在制造流程中染色、延伸、贴合、干燥仍为主要步骤。近年来因为应大型化、车用以及中小型尺寸等不同需求，别在偏光膜上附上不同的功能膜，以追求的目的主要可分为广视角和高清晰度等，分别叙述如下。
（一）广视角
随着LCD的广泛应用，人们对其视场角特性的要求越来越高。为了达到该目的，人们从两个为一向进行了研究:1)在原有的结构基础上通过附加几层光学补偿膜，即扭曲向列型加上光学补偿膜，有人将其称为补偿膜模式，.2)开发新的液晶驱动方式，如平面驱动模式、垂直取向模式和光学补偿弯曲技术等，其中前二者已经实用化。不管是哪种广视角技术，都需要有各种光学补偿膜作配合，以达到更好的效果。而平面驱动模式由于其特殊的液晶驱动方式，必须在偏光片上添加防静电功能，以防止液品分子的误动。这些附加的功能膜都与偏光片贴附在一起，形成所谓的椭圆偏光片等。
利用补偿膜补偿视角的目的有两个:1)补偿互为正交的偏光片的斜向暗态漏光;2)补偿液晶层本身在斜向角度观察下出现的暗态漏光。前者的补偿很简单，可在两偏光片的某一片加上α一板即可;后者在理论上可用层层向上对称于液晶层的补偿膜来补偿。如今在550 nm附近的视角，能够很容易就实现在显示面板的全方位达到800以上。而，当达到这种视角时，黑色显示中带红色的问题就不可回避。且仅仅采用使550 nm处的相位差板的光程差优化或使在正面卜的波
长分散一致的方法很难解决这个问题。日木柯尼卡公司发明了一种带有光学补偿膜的偏光片，用在垂直取向的ECB型显示装置上，不仅使视角在所有方向上实现了800以上，而且在黑色显示时的带红色现象显着降低。
（二）高清晰度
（1）抗眩
光线被过度集中使得观看时感觉不适，抗眩处理就是利用偏光片表面的凸凹形状来扩散反射图像，使其轮廓模糊不清。一般的处理方法有以下几种:
1)将SiO
等无机微粒子或者丙烯酸类树脂等有机微粒子分散到粘合剂中，
2
然后将此溶液均匀地涂敷到PET或三醋酸纤维素等基材上;
2)利用喷砂处理或腐蚀处理等使基体材料自身凸凹不平;
3)在膜表面进行压花处理，以形成精细的花纹。要实现抗眩功能，膜的表面粗糙度需在 um的范围内。若小于这个范围，就不能满足抗眩功能，而大于这个范围时，图象清晰度反而会下降，且常被外部光线白化。
（2）硬涂层
在偏光片表面涂上硬涂层，可加强偏光片硬度以防山日常生活中的无意刮伤，一也可以增强偏光膜与贴附其上的其它膜层的粘附。般情况下，偏光片的表面硬度要求为3H。日本富士胶卷开发了一种由丙烯酸聚合物、氨基甲酸脂聚合物、环氧聚合物和硅化合物制成的反射膜硬涂层。
（3）防反射
在光线下观看面板时，由于外部光线的反射会在面板上留卜影像而影响面板的清晰度，因此需将偏光片做增透/低反处理，以防止或降低外部光线的反射。防反射有两种方法:
1)在基片上贴附一层或多层具有一定折射率的膜，利用从膜的上下两个界面反射回来的光所产生的相位差而发生相消干涉，从而防止光的反射;
2)在基片上贴附一层折射率呈梯度变化的膜，使基片与空气界面的折射率突变有一个过渡，也可达到防反射的目的。
第一种方法需要严格控制各膜层的厚度和折射率，尤其是膜层比较多时，会提高生产成本。而第二种方法中要实现折射率梯度同样也比较困难，基本上还处于实验室研究阶段。不管是哪一种方法，都存在如何获得具有不同折射率
的问题。一般的方法就是在折射率相刘一高的材料中加人另一种折射率低的材，达到使所得膜材折射率可以控制的目的。而现今研究热点就是制作多孔膜。表1是台湾力特光电的增透与低反技术比较。
（4）抗污处理
抗污处理是要减少膜的表面白由能，从而减小表面张力，使水、油等污渍在表面的粘力减小，使其容易去掉或不粘。在偏光片中一般不会有单独的抗污膜，它常常是在其它功能膜的基础上经过改进而赋予的附加功能。
（5）增亮膜
为增加面板的亮度和节约能耗，可在偏光板中贴上增亮膜。日前实际使用的增亮膜为3M公司的DBEF与日东的PCF两种，此外还有台湾的精迈科技发明的利用胆固醇液晶的CBEF增亮膜，但是尚未量产。当光通过下层偏光片时，有50%的光被吸收而浪费掉。而3M公司的DBEF就是将原本被吸收的50%偏振光重复利用。背光源发出的光可分解成偏振方向垂直的两束光线，分别称为P光和S光，该膜可允许P光通过，而将S光反射回来重复利用再变成P光和S光，如此反复循环可增加亮度至60%;李乐介绍了一种通过分子工程，利用胆甾相液晶制成单层超宽带反射型偏光片:这项新技术的基础依据聚合诱导分子再分布的机理，实现胆街相液晶在空间的非线性螺距分布，从而使与液晶螺旋方向一致的偏振光被反射回去重新利用，而相反方向的偏振光则可完全通过。
为了满足各种需求，需要在原偏光片上贴附许多其它功能膜，这样就会出现偏光片变厚、透过率下降、工序复杂、成本上升等问题。因此，现在偏光片的发展趋势就是研究多功能膜，即将多种功能集于一身，使偏光片向薄膜化方向发展。美国公司研制了一种防反射膜fuel，其首先在基体上涂布一层硬涂层，然后在其上制备一层防反射层。由于防反射层的材料为硅氧烷低聚物与具有氟烷基结构和聚硅氧烷结构的化合物，使其在具有防反射功能的同时，也具有优越的抗刮擦性能和防污性能。同时，通过在硬涂层中加人微粒子而形成凹凸不平的表面而具有抗眩功能。
七、结束语
从世界范围来看，液晶显示行业方兴未艾，发展势头正旺。预计今后十年、二十年液晶显示器都将是平板显示的主流产品。我国液晶显示行业尽管也走过了二十多个年头，有了一定的基础。但与先进国家和地区相比差距还很
大，要迎头赶上，还只能算刚刚开始。俗话说:兵马末动，粮草先行。液晶显示相关材料对于器件产业的发展至关重要。我们在这方面总体讲，还很落后，还有许多薄弱环节，应当引起各力一重视。如今有国家相关优惠政策的大力支持，有地方政府相关配套政策的大力扶持，有良好的市场及外部环境的机遇，加上我们自身艰苦创业的传统，我相信中国偏光片行业会迎来腾飞的春天。
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全国2012年4月高等教育自学考试 创新思维理论与方法试题课程代码:03298 一、单项选择题（本大题共15分小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.复合命题的组成部分是（） A.联言命题和选言命题 B.假言命题和负命题 C.逻辑联结词和简单命题 D.直言命题和联言命题 2.依据知识分类的标准可将创新思维方法分为（） A.立体思维方法和平面思维方法 B.纵向思维方法和水平思维方法 C.顺向思维方法和逆向思维方法 D.一般方法、特殊方法和专门方法 3.爱因斯坦的相对论对牛顿物理学的超越是一种（） A.意志超越 B.自身超越 C.逻辑超越 D.前提超越 4.形成假说的常规步骤中，第一个步骤是（） A.设定初步假说 B.认定问题 C.运用推理 D.搜集事实 5.“逻辑思维方法”与“超逻辑思维方法”这两个概念外延间的关系是（） A.全同关系 B.真包含于关系 C.交叉关系 D.全异关系 6.“哈桑借据”的故事体现的是一种（） A.实践能力 B.思辨能力 C.学习能力 D.想象能力 7.“头脑风暴法”的创始人是（） A.戈登 B.吉尔福特 C.奥斯本 D.帕尼斯 8.没有固定的答案且答案数量一般是无限的问题是（） A.开放性问题 B.封闭性问题 C.认知性问题 D.评价性问题 9.以抽象主题寻求卓越设想为特征的头脑风暴法变式是（） A.戈登法 B.七乘七法 C.逆头脑风暴法 D.特性列举法 10.人们利用头脑中的具体形象来解决问题的思维是（） A.收敛性思维 B.形象性思维 C.集中性思维 D.抽象性思维 11.下列属于发散性思维方法的是（） A.删繁就简法 B.提问法 C.集中法 D.相关联想法 12.归纳方法和类比方法类似于心理学中的（） A.想象思维 B.直觉思维 C.发散性思维 D.收敛性思维 13.人们对鲁迅的作品和金庸的作品有完全不同的看法。这属于（） A.价值问题 B.识记问题 C.科学问题 D.语言问题 14.想象是直觉和灵感产生的（） A.生理条件 B.心理条件 C.客观条件 D.物理条件 15.“智商临界说”认为，在一定的智商等级中，一个人的智商和他的创新能力的关系是（）
1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2
3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就
材料连接原理与工艺复习大纲 一、熔化焊连接原理 1、熔化焊是最基本的焊接方法，根据焊接能源的不同，熔化焊可分为电弧焊、气焊、电渣焊、电子束焊、激光焊和等离子焊等。 2、获得良好接头的条件：合适的热源、良好的熔池保护、焊缝填充金属。 3、理想的焊接热源应具有：加热面积小、功率密度高、加热温度高等特点。 4、焊件所吸收的热量分为两部分：一部分用于熔化金属而形成焊缝；另一部分使母材近缝区温度升高，形成热影响区。 5、热能传递的基本方式是传导、对流和辐射，焊接温度场的研究是以热传导为主，适当考虑对流和辐射的作用。熔化焊温度场中热能作用有集中性和瞬时性。 6、当恒定功率的热源作用在一定尺寸的焊件上并作匀速直线运动时，经过一段时间后，焊件传热达到饱和状态，温度场会达到暂时稳定状态，并可随热源以同样速度移动，这样的温度场称为准温度场。 7、在焊接热源的作用下，焊件上某点的温度随时间的变化过程称为焊接热循环。决定焊接热循环的基本参数有四个：加热速度、最高加热温度、在相变温度以上的停留时间和冷却速度。常用某温度范围内的冷却时间来表示冷却速度，冷却速度是决定热影响区组织和性能的最重要参数。 8、焊接热循环的影响因素：材质、接头形状尺寸、焊道长度、预热温度和线能量。 9、正常焊接时，焊条金属的平均熔化速度与焊接电流成正比。 10、熔滴：焊条端部熔化形成滴状液态金属。药皮焊条焊接时熔滴过渡有三种形式：短路过渡、颗粒过渡和附壁过渡。其中碱性焊条：短路过渡和大颗粒过渡；酸性焊条：细颗粒过渡和附壁过渡。 11、药皮溶化后的熔渣向熔池过渡形式：①薄膜形式,包在熔滴外面或夹在熔滴内；②直接从焊条端部流入熔池或滴状落入。 12、熔池形成： ①熔池为半椭球，焊接电流I、焊接电压U与熔池宽度B和熔池深度H的关系：I↑，H↑，B↓；U↑，H↓，B ↑。 ②熔池温度不均匀，熔池中部温度最高，其次为头部和尾部。 ③焊接工艺参数、焊接材料的成分、电极直径及其倾斜角度等都对熔 池中的运动状态有很大的影响。 ④为提高焊缝金属质量，必须尽量减少焊缝金属中有害杂质的含量和 有益合金元素的损失，因此要对熔池进行保护。保护方式：熔渣保护、 气体保护、熔渣气体联合保护、真空保护和自保护。 13、熔化焊焊接接头的形成过程：焊接热过程、焊接化学冶金过程和 熔池凝固和相变过程。 14、在一定范围内发生组织和性能变化的区域称为热影响区或近缝区。故焊接接头主要由焊缝和热影响区构成，其间窄的过渡区称为熔合区。如下图所示： 1——焊缝区（熔化区） 2——熔合区（半熔化区） 3——热影响区 4——母材 15、熔化焊接头形式：对接、角接、丁字接和搭接接头等。待焊部位预先加工成一定形状，称为坡口加工。 16、熔合比：局部熔化母材在焊缝金属中的比例。用来计算焊缝的化学成分。 17、金属的可焊性属于工艺性能，是指被焊金属材料在一定条件下获得优质焊接接头的难易程度。包括接合性能和使用性能。金属的可焊性主要与下列因素有关：①材料本身的成分组织；②焊接方法；③焊接工艺条件。 18、焊接热过程贯穿整个焊接过程，对焊接接头的形成过程（化学冶金、熔池凝固、固态相变、缺陷）以及接头性能具有重要的影响。 19、焊接材料的类型：焊条、焊剂、焊丝、保护气。焊条由焊芯和药皮组成，焊芯起到导电和填充金属的作用，药皮作用为①机械保护作用；②冶金处理作用；③工艺性能良好。药皮的组成分为稳弧剂、造渣剂、造气剂、
A2/O工艺是Anaerobic-Anoxic-Oxic的英文缩写，它是厌氧-缺氧-好氧生物脱氮除磷工艺的简称。该工艺处理效率一般能达到：BOD5和SS为90%~95%，总氮为70%以上，磷为90%左右，一般适用于要求脱氮除磷的大中型城市污水厂。但A2/O工艺的基建费和运行费均高于普通活性污泥法，运行管理要求高，所以对目前我国国情来说，当处理后的污水排入封闭性水体或缓流水体引起富营养化，从而影响给水水源时，才采用该工艺。 工艺流程及工艺原理 1、A2/O工艺流程 A2/O工艺是Anaerobic-Anoxic-Oxic的英文缩写，它是厌氧—缺氧—好氧生物脱氮除磷工艺的简称。A2/O工艺于70年代由美国专家在厌氧—好氧磷工艺（A~/O）的基础上开发出来的，该工艺同时具有脱氮除磷的功能。 该工艺在好氧磷工艺（A/O）中加一缺氧池，将好氧池流出的一部分混合液回流至缺氧池前端，该工艺同时具有脱氮除磷的目的。 A2/O工艺流程图如图4.4.1所示。 2.工艺原理 首段厌氧池，流入原污水及同步进入的从二沉池回流的含磷污泥，本池主要功能为释放磷，使污水中P的浓度升高，溶解性有机物被微生物细胞吸收而使污水中的BOD5浓度下降；另外，NH3-N因细胞的合成而被去除一部分，使污水中的NH3-N浓度下降，但NO3-N含量没有变化。 在缺氧池中，反硝化菌利用污水中的有机物作碳源，将回流混合液中带入大量NO3-N和NO2-N还原为N2释放至空气，因此BOD5浓度下降，NO3-N浓度大幅度下降，而磷的变化很小。 在好氧池中，有机物被微生物生化降解，而继续下降；有机氮被氨化继而被硝化，使NH3-N浓度显着下降，但随着硝化过程使NO3-N的浓度增加，P随着聚磷菌的过量摄取，也以较快的速度下降。 A2/O工艺它可以同时完成有机物的去除、硝化脱氮、磷的过量摄取而被去除等功能，脱氮的前提是NO3-N应完全硝化，好氧池能完成这一功能，缺氧池则完成脱氮功能。厌氧池和好氧池联合完成除磷功能。 城市污水中主要污染物质在A2/O工艺中变化特性如图4.4.2所示
1. 使用STC算子方法重新思考问题时，物体的（）方面不在考虑范围内。(单选 B资源 2. （）是指用富氧化的空气代替普通的空气，用纯氧代替富氧化的空气。(单选 B强氧化剂原理 3. 为了解决技术矛盾，TRIZ理论总结了（）个通用工程参数对技术的性能进行标准化描述。(单选) C39 4. 实现分解混合物的功能，其功能代码是（）。(单选) DF10 5. 茨维基把形态分析法的步骤分为（1234 ）。(多选) A明确所要解决的问题，并加以解释 B建立一个包含所有基本组成部分的多维矩阵 C检查这个矩阵中所有的总方案是否可行 D对各个可行的总方案进行比较，从中选出一个最佳的总方案 6. 使用强氧化剂原理的具体措施包括（123 ）。(多选) A用富氧空气代替普通空气 B用纯氧替换富氧空气 C用电离射线处理空气或氧气 7. 使用预先作用原理的具体措施包括（）。 C预先对物体进行特殊安排，使其在时间上有准备或已处于易操作的位置 D在操作开始前，使物体局部或全部产生所需的变化 8. 技术发明对人类进步和社会发展起着巨大的推动作用。(判断) 正确 9. 任何技术系统，在其生命周期之中，是沿着提高其理想度向最理想系统的方向进化的，提高理想度法则代表着所有技术系统进化法则的最终方向。(判断) 正确 10. 预先作用原理是指如果采取的某一项措施会产生好的影响和不好的影响，那么这个措施就应该被反措施或预应对措施所代替，以控制其不好的影响。(判断错误 11. 空间维数变化原理是指使一个物体或者系统产生振动。(判断)错误 技术发明的准备阶段、构思阶段、物化阶段，是整个发明过程的三个最主要的连续的环节。 收敛式发明方式包括检验表法和形态学分析法。 增加集成度在简化的路径包括增加集成度、简化路径、双系统与多系统和子系统分离。 是指如果采取的某一项措施会产生好的影响和不好的影响，那么这个措施就应该被反措施或预应对措施所代替，以控制其不好的影响。(单选) B预先反作用原理 （）是指将一个物体或者一个系统分解成可动但相互联系的几个部分。(单选 C动态特性原理 3. （）是指制作一个多孔的物体或者添加多空的元素（镶嵌件，涂料等等）。(单选 D多孔材料原理 4. （）是指从统一的事物转变为复合材料（多种材料）和系统。(单选 D复合材料原理 （）是根据自然或生物结构和功能的启发获得创新思路和方法。(单选) B仿生类比 使用反向作用原理的案例包括（123 ）。(多选) A用慢餐去代替快餐 B在家里工作而不是增加去公司路途的时间 C在大衰退时期实行扩张而不是压缩 6. 使用气压和液压结构原理的具体案例包括（234 ）。(多选) B机动车上用的液压减振器
关于铆接技术 一、 铆接技术原理与工艺特点 常见的铆接技术分为冷铆接和热铆接，冷铆接是用铆杆对铆钉局部加压，并绕中心连续摆动或者铆钉受力膨胀，直到铆钉成形的铆接方法。冷铆常见的有摆碾铆接法及径向铆接法。摆碾铆接法较易理解，该铆头仅沿着圆周方向摆动碾压。 而径向铆接原理较为复杂，它的铆头运动轨迹是梅花状或者说是以圆为中心向外扩展的，铆头每次都通过铆钉中心点。冷铆接最常见的铆接工具有铆接机，压铆机，铆钉枪和铆螺母枪，铆钉枪和铆螺母枪是最常见单面冷铆接所用的工具。这是冷铆接工艺中最具代表性的冷铆接方法，因为使用方便，也只需在工件的一侧进行铆接，相对双面铆接的铆钉锤来说更方便。 就两种铆接法比较而言，径向铆接面所铆零件的质量较好，效率略高，并且铆接更为稳定，铆件无须夹持，即使铆钉中心相对主轴中心略有偏移也能顺利完成铆接工作。而摆碾铆接机必须将工件准确定位，最好夹持铆件。然而径向铆接机因结构复杂，造价高，维修不方便，非特殊场合一般不采用。相反地，摆碾铆接机结构简单，成本低，维修方便，可靠性好，能够满足90％以上零件的铆接要求，因而受到从多人士的亲睐。此外，利用摆碾铆接的原理，还可以制造适宜于多点铆接的多头铆接机，在现代工业生产中有其独特的优势。 热铆接是将铆钉加热到一定温度后进行的铆接。由于加热后铆钉的塑性提高、硬度降低，钉头成型容易，所以热铆时所需的外力比冷铆要小的多；另外，在铆钉冷却过程中，钉杆长度方向的收缩会增加板料间的正压力，当板料受力后可产生更大的摩擦阻力，提高了铆接强度。热铆常用在铆钉材质塑性较差、铆钉直径较大或铆力不足的情况下。
冷铆接法是以连续的局部变形便铆钉成形，其所施压力离铆钉中心越远越大，这恰恰符合材料变形的自然规律。因此，采用冷铆接技术所需设备小，节省费用。能提高铆钉的承载能力，强度高于传统铆接的80%。铆钉材料具有特别好的形变性能，铆杆不会出现质量问题，寿命较高，同时，只要改变铆头（不同的接杆和不同的铆接配件铆螺母铆钉等）的形状，就可以铆接多种形状。 二、 按工作方式分，铆接可分为手工铆接和自动钻铆。手工铆接由于受工人熟练程度和体力等因素的限制，难以保证稳定的高质量连接。而自动钻铆是航空航天制造领域应自动化装配需要而发展起来的一项先进制造技术。自动钻铆技术即利用其代替手工，自动完成钻孔、送钉及铆接等工序，是集电气、液压、气动、自动控制为一体的，在装配过程中不仅可以实现组件溅部件)的自动定位，同时还可以一次完成夹紧、钻孔、送钉、铆接／安装等一系列工作。它可以代替传统的手工铆接技术，提高生产速率、保证质量稳定、大大减少人为因素造成的缺陷。随着我国航空航天产业在性能、水平等方面的不断提高，在铆接装配中发展、应用自动钻铆技术，己经势在必行。具体原因如下： (1)自动钻铆技术减少操作时间。 ①减少成孔次数，一次钻孔完成； ②自动夹紧，消除了结构件之间的毛刺，节约了分解、去毛刺和重新安装工序； ③制孔后在孔边缘的毛刺可以得到控制： ④送钉、定位、铆接。 (2)自动钻铆机提高制孔质量。 ①制孔孔径公差控制在士0．015mm之内； ②内孔表面粗糙度最低为Ra3．2urn； ③制孔垂直度在士0．50以内； ④制孔时结构件之间无毛刺，背部毛刺控制在0．12ram之内； ⑤孔壁无裂纹。 (3)与手工铆接相比，在成本上有大幅度降低，通过比较人工与自动钻铆机安装相同数量的紧固件，所耗费的工时上，可以看出，对于大量同种类的紧固件的安装，自动钻铆机可以节约的工时成倍数增长。
除铁锰设备工艺原理及流程简介地下水中常含有过量的铁和锰，而长期饮用含铁、含锰高的水对人体不利。水中含铁较高时，水有铁腥味，影响水的口味，作为造纸、纺织、印染、化工和皮革等生产用水，会降低产品质量;洗涤衣物会出现黄色或棕黄色斑渍;铁质沉淀物会滋长铁细菌，阻塞管道，有时会出现红水。而含锰量较高的水所发生的问题与含铁量较高的情况相类似，并且在工业领域中，水中的铁、锰含量过高对设备具有一定的腐蚀从而缩短设备的使用寿命。 根据我国生活饮用水质标准规定，凡是生活饮用水中铁含量大于0.3毫克/升，锰含量大于0.1毫克/升的必须进行净化处理。除铁锰设备主要应用于地下水高铁,高锰地区经处理后的水符合国家饮用水标准。 ●工艺原理 地下水中的溶解性铁、锰，一般以低价Fe2+、Mn2+形态存在，在pH值为6.8～7.2的条件下，高价铁锰化合物呈胶凝聚沉降，用过滤的方法即可去除。本设备采用天然锰砂为过滤介质。除铁原理为地下水中二价铁离子，经曝气后，流经滤层过滤时，被覆盖在滤料表面的生物膜吸附并在催化的作用下被溶解氧所 氧化，并吸附在滤料上，氧化生成三价铁的氧化物，作为新的滤
膜参与新的催化反应，待产水运行一个周期反洗将过剩的氧化物冲掉。除锰原理同上。滤层由于离子选择吸收原理，先除铁后除锰。 当含铁地下水经天然锰砂滤层过滤时，锰砂滤层对水中铁质起着两方面作用： 1. 催化与氧化作用，加速水中二价铁氧化为三价铁。 2. 截留分离作用，将铁质从水中分离出去，并截留于滤层之中，这两个作用在锰砂滤层中一般是同时完成的。 ●工艺流程 1.当地下水中含铁浓度在5~10mg/l，含锰浓度在1~ 2mg/l 时，或地下水中仅含铁而不含锰时，含铁浓度在10mg/l左右时，可采用曝气――单级除铁除锰过滤。工艺流程：地下水→深井泵→曝气装置→水箱→过滤泵→除铁除锰装置→蓄水池→用水单位。 2.若地下水中含铁、锰较高时，即铁大于10mg/l、锰大于2mg/l时，宜采用曝气――双级除铁除锰过滤。 典型工艺流程：地下水→深井泵→曝气装置→水箱→过滤泵→一级除铁除锰装置→二级除铁除锰装置→蓄水池→用水单位
第一章思维与创新思维 思维：人脑的机能，是人类认知的高级阶段，是人的大脑对客观世界的的间接和概括的能动反映。 思维定义的三方面：①思维是人脑的技能②思维是人类认知的高级阶段③思维是人脑对客观世界的能动反应 作为具有能动性的思维：思维是人在提出问题、解决问题过程中的内在心理活动；思维是促成人的行动的决定因素；思维的主要特征是间接性和概括性。 思维的本质特征：间接性、概括性和内隐性 思维的功能特征：逻辑性、批判性和创新性 思维功能特征之间的关系：思维的逻辑性是基础功能，批判性是触发功能，创新性是超越功能。思维的逻辑性支持思维过程测进行。思维的批评性促成思维的发散和跳出常规。思维的创造性使我们超出常规、实现超越。 思维的分类：①形象性思维和抽象性思维②收敛性思维和发展性思维③常规性思维和创新性思维④直觉性思维和逻辑性思维 思维的历史发展线索：经历了古代思维、中世纪思维、近代思维和现代思维四个历史时期。从一般性思维到创新思维：20世纪60年代认知心理学的兴起，引发了对创造的认知基础的研究? 20世纪60年代后，创造性思维的研究成果首先应用于美国工商界?20世纪70年代后，出现了创新技巧、创新能力测量，推动了美国创造性思维教育 中国思维研究：20世纪80年代，我国学者开始关注思维，并力图建立一门跨学科的思维科学?20世纪90年代，创造性思维首先受到工商界的重视，同时，为了适应对国民和学生进行素质教育的形势，创新思维的研究和教育也受到了教育界的极大关注。 创新：创新是对既往的超越，是人类独创力、扩张力和智慧力的一种表现形式 创新的表现方式：①新产品和新服务②老产品的新用途③新的研究方法④新观念和新理论⑤纯粹的思想结晶 创新定义的四个方面：①创新是一种超越②创新是一种独创力③创新是一种扩张力④创新是一种智慧力 创新的特征：智能性、社会性、团队性 创新智能特征的2个方面：①创新是人类智能活动的产物②创新的智能性扩展了我们对创新的认知范围，让我们领悟到还可能有更为广阔的创新天地 创新社会性的三个方面：①创新是社会需求的结果，社会需求推动着创新②创新产生于人类交往活动③创新具有竞争性 创新的种类：（1）按领域分类：①科技创新②社会创新③人文创新（2）按主体分类：①个体创新②团队创新 创新思维：是一种超越性智慧，它表现为思维的跳跃，它是在人的思考中实现超越。 创新思维含义的两个方面：①创新思维寻求思维的跳跃②创新思维是一种能动思维模式的选择 创新思维的本质：创新思维的超越是无止境的，创新思维中的异质增加过程也是无止境的。人类就是在这样无止境的思维过程中不断丰富自身，完善自身。 创新思维的自身超越：创新思维首先是对自身障碍的超越，超越我们的心理障碍，超越于我们既定的思维模式。 ①超越思维的惯性②超越思维的惰性③意志的超越 创新思维的境界超越：创新思维需要对思维对象、思维对象条件有所超越。①前提超越②逻辑超越③关系超越
偏光片的基本原理 偏极光与偏光膜的基本原理 偏极光 人类对光的了解依序可分成以下四个重要阶段： 1.十七世纪中，牛顿首先开始对光做有系统的研究，他发现到所谓的白光(White Light)是由所有的色光(Colored Light)混合而成。为了要解释这个现象，就有许多不同的理论衍生出来。 2.十九世纪初，杨氏(Thomas Young)利用波动理论成功的解释了大部分的光学现象如反射、折射和绕射等。 3.1873年，马克斯威尔发现光波是电磁波，其中它的电波和磁波是相依相存不能分开的，电场(E)、磁场(H)与电磁波进行的方向(k)这三者是呈相互垂直的关系。 4.二十世纪初，爱因斯坦发现光的能量要用粒子学说才能解释，因而衍生出量子学。换言之，光同时具有波动及粒子两种特性。 因为偏极光的理论是用波动学来解释的，所以往后的讨论都将光视为电磁波，并且为了简化易懂，我们只考虑其电场向量E。非偏极光的E可以用图2表示，图2中许多对称等长的辐射线表示E在E、H所组成的平面上振动，并且在各方向振动的机会均等。当E的分布不均时就称之为偏极化(Polarization)，如图3所示为部份偏极光，当E只在一个方向振动时则称之为线性偏极光(图4)。从向量的观点来看，当图2中各方向的向量投影到X和Y两个相互垂直的坐标轴上后，非偏极光可以分解为两条相垂直的线性偏极光(图5)。
偏极光的制造 一般而言，制造偏极光的方法是由以下三个步骤： 1.制造普通非偏极光(图2)。 2.分解此非偏极光为两个相互垂直的线性偏极光(图5)。 3.舍弃一条偏极光，应用另一条偏极光(图4)。 能将非偏极光分解为两条偏极光，而舍弃其一的仪器称之为起偏器(Polarizer)，起偏器可以利用如吸收、反射、折射、绕射等光学效应来产生偏极光。 一般较常用的起偏器种类有以下数种： (1) 反射型 当光线斜射入玻璃表面时，其反射光将被部分偏极化。利用多层玻璃的连续反射效果即可将非偏极光转为线性偏极光。 (2) 复屈折型 将两片方解石晶体接合，入射光线会被分解为两道偏极光，称为平常光与非常光。 (3) 二色性微晶型 将具有二色性的微小晶体有规则地吸附排列在透明的薄片上，这是人工第一次做出偏光膜的方法。 (4) 高分子二色性型 利用透光性良好的高分子薄膜，将膜内分子加以定向，再吸着具有二色性的物质，此为现今生产偏光膜最主要的方法。这类吸收式的起偏器都是以膜(Film)或是板(Plate or Sheet)的形式存在，因此，通常又称之为偏光膜(Polarizing Film)或偏光板(Polarizing Plate or Sheet)。英文上另外一个更通俗的称呼是Polarizing Filter。
自考创新思维理论与方法试题2014年个人整理及答案 2.依据知识分类的标准可将创新思维方法分为（） A.立体思维方法和平面思维方法 B.纵向思维方法和水平思维方法 C.顺向思维方法和逆向思维方法 D.一般方法、特 殊方法和专门方法 3.爱因斯坦的相对论对牛顿物理学的超越是一种（） A.意志超越 B.自身超越 C.逻辑超越 D.前提超越 4.形成假说的常规步骤中，第一个步骤是（） A.设定初步假说 B.认定问题 C.运用推理 D.搜集事实 5.“逻辑思维方法”与“超逻辑思维方法”这两个概念外延间的关系是（） A.全同关系 B.真包含于关系 C.交叉关系 D.全异关系 6.“哈桑借据”的故事体现的是一种（） A.实践能力 B.思辨能力 C.学习能力 D.想象能力 7.“头脑风暴法”的创始人是（） A.戈登 B.吉尔福特 C.奥斯本 D.帕尼斯 8.没有固定的答案且答案数量一般是无限的问题是（） A.开放性问题 B.封闭性问题 C.认知性问题 D.评价性问题 9.以抽象主题寻求卓越设想为特征的头脑风暴法变式是（） A.戈登法 B.七乘七法 C.逆头脑风暴法 D.特性列举法 10.人们利用头脑中的具体形象来解决问题的思维是（） A.收敛性思维 B.形象性思维 C.集中性思维 D.抽象性思维 11.下列属于发散性思维方法的是（） A.删繁就简法 B.提问法 C.集中法 D.相关联想法 12.归纳方法和类比方法类似于心理学中的（） A.想象思维 B.直觉思维 C.发散性思维 D.收敛性思维 13.人们对鲁迅的作品和金庸的作品有完全不同的看法。这属于（） A.价值问题 B.识记问题 C.科学问题 D.语言问题 14.想象是直觉和灵感产生的（） A.生理条件 B.心理条件 C.客观条件 D.物理条件 15.“智商临界说”认为，在一定的智商等级中，一个人的智商和他的创新能力的关系是（） A.负相关 B.正相关 C.不相关 D.反比关系 二、多项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的五个备选项中至少有两个是符合题目要求的，请 将其代码填写在题后的括号内。错选、多选、少选或未选均无分。 16.创新的主要特征包括（） A.主观性 B.智能性 C.社会性 D.团队性 E.科学性
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
1.焊接热源有哪些共同要求？描述焊接热源主要用什么指标？(简05.07.09） 答：能量密度高、快速实现焊接过程、得到高质量的焊缝和最小的焊接热影响区。 主要指标：最小加热面积、最大功率密度和正常焊接规范条件下的温度。 2.试述焊接接头的形成过程及对焊接质量的影响。 答：（1）预压阶段；（2）通电加热阶段；（3）冷却结晶阶段。 对焊接质量的影响： 3.溶滴比表面积的概念及对焊接化学冶金过程的影响？ 答：熔滴的表面积Ag与其质量之比称为熔滴的比表面积S。 熔滴的比表面积越大，熔滴与周围介质的平均相互作用时间越长，熔滴温度越高，越有利于加强冶金反应。 4.焊条熔化系数、熔敷系数的物理意义及表达式？真正反映焊接生产率的指标是什么？答：焊条金属的平均融化速度：在单位时间内熔化的焊芯质量或长度； 损失系数：在焊接过程中由于飞溅、氧化和蒸发而损失的金属质量与熔化的焊芯质量之比； 平均熔敷系数（真正反映焊接生产率的指标），由于损失系数不等于零，单位时间内真正进入焊接熔池的金属质量称为平均熔敷速度。 5.试简述不锈钢焊条药皮发红的原因？有什么解决措施？（简05.08.10） 答：药皮发红的原因：不锈钢焊芯电阻大，焊条融化系数小造成焊条融化时间长，且产生的电阻热量大，使焊条温度升高而导致药皮发红。 解决措施：调整焊条药皮配方，使焊条金属由短路过渡转化为细颗粒过渡，提高焊条的融化系数，减少电阻热以降低焊条的表面升温。 6.熔合比的表达式和影响因素？多层焊时，如果各层间的熔合比是恒定的，试推导第n层焊缝金属的成分？ 答：表达式： 影响因素：焊接方法、焊接工艺参数、接头尺寸形状、坡口形状、焊道数目、母材热物理性能等。 7.从传热学角度说明临界板厚δcr的概念？某16Mn钢焊件，采用手工电弧焊，能量E=15KJ/cm求δcr？ 答：由传热学理论知道：在线能量一定的情况下，板厚增加冷却速度Wc增大，冷却时间t8/5变短，当板厚增加到一定程度时，则Wc和t8/5不再变化，此时板厚即为临界板厚δcr。 δ== 1.95 cr cm 8.手工电弧焊接厚12mm的MnMoNbB钢，焊接线能量E=2kj/cm,预热温度为50度，求t8/5?附λ=0.29J/(cm s℃) CP=6.7 J/(cm s℃)
晶体生长技术（直拉法（CZ）、区熔法（FZ））。 半导体：常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，如二极管、计算机、移动电话等。导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。 N型半导体（电子型半导体），自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。硅晶体中掺入五价元素（如磷），自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体（空穴型半导体）即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。硅晶体中掺入三价元素（如硼）。空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，导电性能就越强。区熔法（FZ）特点：硅片含氧量低、纯度高、成本高、主要用于高功率IC。难生长大直径硅晶棒。低阻值硅晶棒、掺杂均匀度较差。 CZ法：成本低、可做大尺寸晶锭、材料可重复使用。 CZ工艺工程：籽晶熔接，引晶和缩颈，放肩，收尾。 影响因素：拉伸速率、旋转速率。 硅片制备步骤：机械加工，化学处理，表面抛光，质量测量 制备流程：整形处理，去掉两端，径向研磨。 硅片制作流程： 磨片和倒角（防止产生缺陷），刻蚀（去除沾污和损伤层）腐蚀液：HNO3+HF+醋酸，抛光（去除表面缺陷），清洗（去除残留沾污） 晶体缺陷：点缺陷（空位缺陷；间隙原子缺陷；Frenkel缺陷）；位错；层错。 杂质的作用：调节硅原子的能级，由于晶体结构的原因，固体中的全部原子的各能级形成了能带，硅通常可以分为三个能带，导带，禁带，价带。如果所有的自由电子都在价带上就是绝缘体；如果所有的自由电子都在导带上就是导体。半导体的自由电子平时在价带上，但受到一些激发的时候，如热、光照、电激发等，部分自由电子可以跑到导带上去，显示出导电的性质，所以称为半导体。 施主能级杂质能级要么距离导带很近（如磷），是提供电子的； 受主能级要么距离价带很近（如硼），是接受电子的。
内容摘要:木文简要叙述了LCD偏光片的基本结构和工作原理、介绍了LCD偏光片生产的基本工艺方法和各种工艺方法的不同特点，对LCD偏光片的基本性能技术指标，以及影响偏光片技术性能的主要影响因素做了介绍。文章结合我国第一家从日本引进成套技术和生产线设备的LCD偏光片生产企业一一广东福地日合偏光器件有限公司的开发成果，对我国LCD偏光片产品的技术发展动态和市场前景作出了概要的叙述,同时介绍了几种国产的新型LGD偏光片产品。 从1996年，中国深纺集团盛波偏光器伴有限公司开始试制LCD偏光片为发端，到2001年广东福地日合偏光器件有限公司生产的普通型(PLN型)、中耐久、高对比型(PMN型)和半透过型(HR型)偏光片产品的批量投放市场，中国的LCD偏光片产业发展走过了一段艰辛的创业历程。在2001年LCD偏光片行业极为艰难的市场坏境下，以引进技术为基础，经过许多工程技术人员的艰苦努力，广东福地日合偏光器件有限公司已经初步掌握了TN和STN-LCD 偏光片的基本技术。截止2001午8月。广东福地日合偏光器件有限公司的日生产能力已经达到4000平方米，生产品种已包括通用型PLN产品、中耐久、高对此型PMN产品和半透过型HR产品三大系列的20个产品，并正在进行STN-LCD偏光片的试制工作。现根据我们了解的情况，对中国LCD偏光片产品的技术发展扣市场发展趋势做一个简要的报告。 LCD偏光片的基本结构和原理 偏光片的主要用途是使通过偏光膜二向色性介质的光线产生偏振性(见图1)，是影响LCD显示屏发光效率的一种重要部件。目前LCD常用的偏光片，大多是采用将聚乙烯醇(PVA)作为基材，用各类具有二向色性的有机染料进行染色，同时在一定的湿度和温度条件下进行延伸。使其吸收二向色性染料形成偏振性能，在脱水、烘干后形成偏光片原膜。由于PVA 膜具有极强的亲水性，为保护偏光膜的物理特性，因此要在偏光膜的两侧，各复合一层具有高光透过率、耐水性好又有一定机械强度的三醋酸纤维素(TAG)薄膜进行防护，这就形成了偏光片原板。在普通TN型LCD偏光片生产中，根据不同的使用要求，需要在偏光片原板的一侧涂复一定厚度的压敏胶，并复合上对压敏胶进行保护的隔离膜;而在另一侧要根据产品类型，分别复合保护膜、反射膜·半透半反胶层膜，由此形成偏光片成品。对STN型T.CD 偏光片产品，还要在压敏胶层一侧，根据客户的不同需要，按一定的补偿角度复合具有一定位相差补偿值的位相差膜和保护膜，由此形成STN型LCD偏光片产品，这就是LCD偏光片的基本结构和作用原理。 LCD偏光片生产的基本方法 目前偏光片生产技术以PVA膜的延伸工艺划分，有干法和湿发两大类;以PVA膜染色方法划分，有染料系和碘染色两大类。 偏光片的干法生产技术是指PVA膜是在具有一定温度和湿度条件的蒸汽环境下进行延
1.试简述焊条的工艺性能？ 焊接电弧的稳定性；焊缝成型；各种位置焊接的适应性；飞溅；脱渣性；焊条熔化速度；焊条药皮发红；焊接烟尘。 2.试简述药芯焊丝的特性？ (1) 熔敷速度快，因而生产效率高； (2) 飞溅小； (3) 调整熔敷金属成分方面； (4) 综合成本低。 3.试简述低氢焊条熔敷金属含氢量低的原因？ (1)药皮中不含有机物，清除了一个主要氢源； (2)药皮中加入了大量的造气剂CaCO3、降低了PH2； (3)CaF2的去氢作用； (4)焊条的烘干温度高。 4.试简述不锈钢焊条药皮发红的原因？有什么解决措施？ 药皮发红的原因：不锈钢寒心电阻大，焊条融化系数小造成焊条融化时间长，且产生的电阻热量大，使焊条温度升高而导致药皮发红。 解决措施:调整焊条药皮配方，使焊条金属由短路过渡转化为细颗粒过渡，提高焊条的融化系数，减少电阻热以降低焊条的表面升温。 5.CO2焊接低合金钢一般选用何种焊丝？试分析其原因？ 答：应选用Si、Mn等脱氧元素含量较高的焊丝，常用的如：H08Mn2SiA。 （1）CO2具有较强的氧化性，一方面使焊丝中有益的合金元素烧损，另一方面使熔池中【FeO】含量升高。 （2）如焊丝中不含脱氧元素或含量较低，导致脱氧不足，熔池结晶后极易产生CO气孔。（3）按一定比例同时加入Mn、Si联合脱氧，效果较好。 6.试分析说明钛钙型（J422）焊条与碱性低氢型（J507）焊条，在使用工艺性和焊缝力学性能方面有哪些差别？ 其他工艺性能如全位置焊接性，融化系数等差别不大 机械性能对比： 钛钙型（J422） （1）S、P、N控制较差，冷脆性、热裂纹倾向大 （2）【O】高，氧化夹杂多，韧性低 （3）【H】高，抗冷裂能力差 碱性低氢型（J507）
工艺原理 1、脱氢 从界区来的CO气体经CO缓冲罐（V101）与计量配比的氧气混合后，送入脱氢气换热器（E102）、预热器（E101）进行加热，加热后的CO进入两台串联的脱氢反应器（R101AB）脱出CO中少量氢气。脱氢后的CO经脱氢换热器（E102）与CO换热，一部分直接与干燥再生气并联，一部分经脱氢冷却器（E103）冷却后，进入脱氢气冷凝液罐，脱氢CO从脱氢后缓冲罐(V102)顶部排出。脱氢反应过程中副产生0.2MPa的低压蒸汽。 2、一次酯化 脱氢后的CO、来自合成压缩机（C201）的循环合成气(含NO)与计量配比的氧气、甲醇从一次酯化塔（T101）内混合、酯化，部分NO转化为亚硝酸甲酯。酯化后的合成气从一次酯化塔（T101）底部侧线引出，经一次酯化塔冷凝器（E104）冷凝后到一次酯化塔冷凝液罐(V103)分离，液相返回塔釜，气相送入水洗塔（T102）。一次酯化塔（T101）塔底液体（主要为甲醇）送入一次酯化闪蒸罐V104闪蒸，分离液体夹带的不凝气经不凝气压缩机加压，返回循环合成气系统。闪蒸后的液体通过一次酯化塔釜循环泵（P101AB）加压，一部分经一次酯化塔循环冷凝器（E105）和一次酯化塔循环后冷却器（E110）冷却后回到塔顶循环使用，一部分去中间原料罐区甲醇精馏塔前中间槽（V601）。酯化后的合成气从水洗塔（T102）塔釜进入，脱盐水从塔上部进入，进行洗涤。水洗塔（T102）在顶、中、底部设有三段循环喷淋洗涤系统，水洗后的合成气从塔顶引出送至干燥系统。 反应原理：4CH3OH+4NO+O2 = 4CH3ONO+2H2O 3、羰化合成 干燥后的气体进入反应预热器（E109）预热，预热后分别进入两套并联的羰化反应器（R201ABCDEF）每套三台反应器串联，上进下出。反应产物送至换热器（E203）、冷凝器（E204），经循环水冷却、降温后进入气液分离器（V203）分离。分离出的合成气送至草酸酯吸收塔（T201），分离出的草酸酯液体进入草酸酯贮槽（V204），并通过草酸酯输送泵（P201AB）加压至加氢系统。羰化反应过程中副产生0.2MPa的低压蒸汽。 反应原理：2CO+2CH3ONO = (COOCH3)2+2NO 4、尾气吸收 草酸酯吸收塔（T201）出来的循环气经尾气压缩机（C501）加压经尾气冷却器（E510）和来自界区压缩空气经空气压缩机（C102）同时进入吸收塔底部，来自甲醇高泵（P604）的新鲜甲醇加压后过甲醇冷却器（E511）进入塔顶反应。塔顶气体放空去火炬气，塔底甲醇送入一酯塔甲醇回收利用。 反应原理：4CH3OH+4NO+O2 = 4CH3ONO+2H2O 5、草酸酯吸收、精馏及合成压缩机 气液分离器（V203）来的合成气从塔釜进草酸酯吸收塔（T201），甲醇由草酸酯吸收塔（T201）顶部进入。洗涤后的塔顶合成气体去合成气循环压缩机（C201），塔釜吸收液由草酸酯吸收塔出料泵（P204AB）打入草酸酯精馏塔(T202)。草酸酯精馏塔塔顶气相甲醇经冷凝器（E207）冷凝后回到回流罐（V207），由回流泵(P205AB)加压，一部分打回流，一部分经冷却器（E208）冷却后去草酸酯吸收塔（T201）作吸收剂，塔顶不凝气经一次酯化闪蒸罐（V104）和不凝气压缩机（C101AB）返回循环合成气系统，塔釜草酸酯进入草酸酯贮槽（V204）。草酸酯吸收塔（T201）来的合成气体与NO制备来的亚硝酸甲酯气体进入合成循环气压缩机进口缓冲罐（V209)，经压缩、水冷后进入一次酯化塔（T101）循环使用。合成气循环压缩机(C201)进出口的凝液经泵打至草酸酯吸收塔（T201） 6、加氢反应 草酸酯输送泵(P201AB)来的草酸酯经草酸酯加热器(E306)加热，界外来的新氢经氢气预
材料成型加工思考题 1.给出HAZ的概念 HAZ定义：焊缝周围未熔化的母材在加热和冷却过程中，发生了金相组织和力学性能变化的区域称为热影响区（heat-affected zone, HAZ ）。 2.焊接热循环有哪几个参数？ 焊接热循环曲线可以分为加热与冷却两个阶段，采用四个参数描述其特征。 最高温度Tm：最高温度又称为峰值温度，它与HAZ中的点有对应关系，距离焊缝近的点峰值温度高。 相变温度以上的停留时间tH：可以分为加热停留时间t′及冷却停留时间t″。tH越长，奥氏体均质化越充分，但是，奥氏体晶粒长大也越严重。 冷却速度ωc或冷却时间tc：冷却速度ωc是指冷却至某一温度Tc时的瞬时冷却速度，可以在温度-时间曲线上在Tc点作切线求得。也可以采用一定温度范围内的平均冷却速度或者采用一定温度范围内的冷却时间tc （如t8/5，t8/3，t100）来反映冷却速度。 3.说明Tm、t8/5的含义。 最高温度Tm：最高温度又称为峰值温度，它与HAZ中的点有对应关系，距离焊缝近的点峰值温度高。焊接钢时，HAZ过热区的Tm可达1300 ℃～1350 ℃，奥氏体因严重过热而长大，冷却后组织粗大，韧性下降。 t8/5：焊接熔池的温度从800度降到500的时间，这个很重要，因为通过控制t8/5可以改变熔池的冷却速度，从而达到防止冷裂纹、控制组织以达到满意的性能。 4.说明易淬火钢与不易淬火钢HAZ组织分布。 （1）不易淬火钢HAZ组织分布 这类钢主要有低碳钢、普通低合金钢（16Mn、15MnV）等。按不同部位最高温度范围及组织变化可以将HAZ 分为四个区:熔合区、过热区、相变重结晶区、不完全重结晶区。
1 【判断题】《创新方法论》课程所介绍的知识只包含经典TRIZ理论。(×) 创新需要方法吗？ 1 【单选题】“最有用的知识是关于方法的知识。”这句话是（B）讲的。 A、贝尔纳 B、笛卡尔 C、奥斯本 D、吉尔福斯 2 【单选题】“中国没有科学的原因在于没有科学的方法”。这句话是（B）讲的。 A、贝尔纳 B、蔡元培 C、奥斯本 D、吉尔福斯 3
【判断题】通过《创新方法论》课程的学习，我们发现，采用不同的方法、选择不同的工具，完成同一实践活动的效果、效率、成本与代价常常会存在较大的差别。(√) 4 【判断题】通过《创新方法论》课程的学习，我们知道在创新实践的时候，只需要选择工具就可以了。(×) 5 【判断题】《创新方法论》课程告诉我们，创新不需要方法，本身没有规律可循。(×) 6 【判断题】《创新方法论》课程告诉我们，创新方法是人们在创造发明、科学研究或创造性解决问题的实践活动中，所采用的有效方法和程序的总称。(√) 7 【判断题】创新方法的根本作用在于根据一定的科学规律，启发人们的创造性思维，提升人们的创新效率。(√) 创新方法的演化 1 【单选题】创新方法按照发展历程分为（B）个阶段。
A、2 B、3 C、4 D、5 2 【单选题】创新方法按照发展历程划分，第二阶段是（B）。 A、尝试法 B、试错法 C、现代创新方法 D、设问法 3 【单选题】创新方法按照发展历程划分，第三阶段是（C）。 A、尝试法 B、试错法 C、现代创新方法 D、设问法 4
【单选题】《创新方法论》课程告诉我们，神农尝百草，日中七十毒”，便是（A）的生动写照。 A、尝试法 B、试错法 C、现代创新方法 D、设问法 5 【单选题】爱迪生以极大的毅力和耐心，先后实验了6000多种材料，做了7000多次实验，终于发现可以用棉线做灯丝，足足亮了45小时灯丝才被烧断。这使用的是（B）。 A、尝试法 B、试错法 C、现代创新方法 D、设问法 6 【单选题】屠呦呦发现青蒿素的主要途径是大量筛选、大量实验和灵感，主要采用了（B）。 A、尝试法