本证书是信息产业部颁发的权威认证，通过全国电子技术水平考试相应级别的学员，成绩合格可获得信息产业部电子行业职业技能鉴定指导中心印制并颁发的证书和成绩单。
电子工程师
考试大纲
1．电子技术基础
1 ）电场与磁场：库仑定律、高斯定理、环路定律、电磁感应定律。
2 ）直流电路：电路基本元件、欧姆定律、基尔霍夫定律、叠加原理、戴维南定理。
3 ）正弦交流电路：正弦量三要素、有效值、复阻抗、单相和三相电路计算、功率及功率因数、串联与并联谐振、安全用电常识。
4） RC和RL电路暂态过程：三要素分析法。
5 ）变压器与电动机：变压器的电压、电流和阻抗变换、三相异步电动机的使用、常用继电-接触器控制电路。
6 ）二极管及整流、滤波、稳压电路
7 ）三极管及单管放大电路
8 ）运算放大器：理想运放组成的比例、加减和积分运算电路。
9）门电路和触发器：基本门电路 RS、D、JK触发器。
10）懂得电子产品工艺流程
11）了解计算机电路设计
了解EDA电路设计方法
会用Protel设计电路原理图
会用Protel设计印制电路板
了解其他的设计软件
12）了解电子产品的结构和装配
13）懂得调试和检修
2．模拟电子技术
1）了解半导体及二极管
2）了解放大电路
3）了解线性集成运算放大器和运算电路
4）了解信号处理电路
5）了解信号发生电路
6）了解功率放大电路
7）了解直流稳压电源
3．数字电子技术
1）懂得数字电路基础知识
2）了解集成逻辑门电路
3）懂得数字基础及逻辑函数化简
4）了解集成组合逻辑电路
5）了解触发器的工作原理
6）了解时序逻辑电路
7）理解脉冲波形的产生
7.1 了解TTL与非门多谐振荡器、单稳态触发器、施密特触发器的结构、工作原理、参数计算和应用
8）数模和模数转换
8.1 了解逐次逼近和双积分模数转换工作原理；R-2R网络数模转换工作原理；模数和数模转换器的应用场合
8.2 掌握典型集成数模和模数转换器的结构
8.3 了解采样保持器的工作原理
4．现代通信技术
1）软交换技术
了解软交换的概念
了解软交换的网络结构
了解软交换的应用
2）多协议标记交换（MPLS）
理解MPLS技术的主要特点
理解MPLS的工作原理及体系结构
3）通用多协议标记交换（GMPLS）
了解通用标记结构
理解通用标记交换路径
了解链路管理
4）现代宽带接入新技术
了解电信网接入技术
了解计算机网接入技术
了解有线电视网接入技术
了解其他网接入技术
5）非对称数字用户环路（ADSL）
理解ADSL的标准
理解ADSL网络结构
了解ADSL的传输
理解ADSL接入传输系统的特点
了解ADSL的应用及其存在的缺陷
5．单片机应用系统
1）了解单片机的分类及应用领域
2）单片机I/O口的特点及操作
了解89S（C）51单片机I/O口的特点
了解89S（C）51单片机I/O口的使用技巧
了解89S（C）51单片机I/O口在后向通道中的应用
3）显示及显示器接口
理解LED显示器的基本结构和原理
了解LED显示器与单片机的接口
懂得LED显示器与51单片机接口的软件实现方法
了解LED显示的串行接口方式
了解LED显示需要注意的问题
4）单片机串行通信软硬件的实现
了解89S（C）51单片机串口结构及其工作方式
了解RS-232接口电路和单片机通信程序设计
5） Windows环境下单片机与PC机串行通信的实现方法
了解下位机（单片机部分）串行通信的实现方法
了解Windows环境下上位机与单片机接口程序设计
6）了解看门狗及其软硬件实现方法
CMOS数字集成电路
1）理解MOS场效应管的制造
2）了解MOS晶体管
3）了解动态逻辑电路
4）了解半导体存储器
5）了解低功耗CMOS逻辑电路
6）了解芯片输入输出电路
7．信号与系统分析
1）了解信号与系统的基本概念
2）理解连续系统的时域分析
3）理解连续信号的频谱——傅立叶变换
4）理解连续系统的频域分析
5）理解连续时间信号与系统的复频域分析
6）理解离散时间信号与系统的时域分析
7）理解Z变换和离散时间系统的Z域分析
8）懂得状态变量分析法
主要课程:
电力电子器件模拟电子技术数字电子技术现代通信技术CMOS数字集成电路单片机应用系统信号与系统分析
主要教材:
《电力电子器件及其应用》机械工业出版社
单片机应用系统设计与仿真调试北京航天航空大学出版社CMOS数字集成电路电子工业出版社
信号与线性系统分析基础北京邮电大学出版社
《现代通信新技术新业务》北京邮电大学出版社
电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数，在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属
电子技术基础-考试大纲 参考书： 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可)；秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》（第三版或第四版）；童诗白主编，高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》（第四版）；阎石主编，高等教育出版社 考试时间：2小时（满分100分）。 一、本课程的地位、作用和任务 《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。 二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数；尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应 用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现 象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电 路。
(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理，判断电路能否产生正弦波振荡，掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简，分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方 法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方 法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。
电子技术月考 班级：姓名： 一、选择题（每题2分，共20分） 1．能稳定输出电流的是（）负反馈 A．电流 B．电压 C．串联 D．并联 2．串联负反馈使放大器的输入电阻发生的变化是 A．变大 B．变小 C．不变 D．可变大也可变小 ３．图1中N沟道增强型绝缘栅场效应管的符号为（）。 A. B. C. D. 图1 4．在共集极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（）。 A．相位相同，幅度增大B．相位相反幅度增大 C．相位相同幅度近似相等D．幅度增大 5．为了减轻信号源的负担，并使放大电路增强带负载的能力，放大电路应采用的反馈类型是（）。 A．电压串联负反馈 B．电流串联负反馈 C．电压并联负反馈 D．电流并联负反馈 6．理想运放工作在线性区时有两个重要特点，即（）。 A．虚短、虚断 B．虚地、虚短 C．虚断、虚地 D．虚地 7．利用放大电路的微变等效电路，可求（）。 A．放大倍数 B．输入电阻 C．电压放大倍数，输入电阻和输出电阻 D．输出电阻8．由晶体管组成的三种形式放大电路中，没有电压放大作用的是（）电路。 A．共集极B．共基极C．共射极 D．共集极和共基极 9. 把电动势是1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）。 A．电流为0 B．电流基本正常C．被击穿D．被烧坏 10．放大电路产生零漂的最主要原因是（）。 A．放大倍数太大 B．放大倍数太小 C．环境温度变化引起器件参数变化 D．外界存在干扰源 二、填空题（每题3分，共30分） １．PN结（二极管）具有。 2．放大电路的输入电阻越，越能减轻信号源的负担，输出电阻越越能提高带负载能力。 ３．晶体管有三个极限参数分别为、和。４．常用的半导体材料有和。 5．静态工作点不稳定的主要因素是的变化，为达到自动稳定静态工作点的目的，可采用放大电路。 ６．晶体管具有作用。 ７．晶体管有三种工作状态分别为、和状态。８．晶体管是控制型器件，而场效应管是控制型器件。 9 共集电极放大电路又称，它的电压放大倍数接近于，输出信号与输入 信号在相位上相，输入电阻较，输出电阻较。 10. 晶体管处于饱和状态时，集电结。 三、判断题（每题2分，共20分） 1．用两个PN结就能构成晶体管，它就具有放大作用。（） 2．放大电路的输出电阻与负载电阻有关。（） 3．晶体管的电流放大作用，其实只是用一较小电流去控制一个较大电流。（） G G G
成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表： 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数
C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。A．频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9．单稳态触发器的输出状态有（a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。
A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2＝6V，R1=12Ω，R2＝6Ω,R3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2．如图所示R－L串联电路，R=280Ω，R L=20Ω,L=1.65H，电源电压U=220V，电源频率为50H Z。(10分)
2、射极输出器电路中，输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是（ ）。 （a ） 两者反相，输出电压大于输出电压 （b ） 两者同相，输出电压近似等于输入电压 （c ） 两者相位差90 ，且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号，多级放大器级与级之间必须采 用（ ）。 （a ） 阻容耦合 （b ） 变压器耦合 （c ） 直接耦合 汁侶吗llTFF （咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅（签字） 试做教师（签字） 系、室土任（签字） ）匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填 入括号内（本大题共16小题，总32分） 1、 电 路如图 所 示， 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通，D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止， D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件，则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i
⑻L i、C i组成的电路 （b）L、C组成的电路 （c）L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示，为了获得频率可调的输出电压，则应该调节的电阻是（）。 ⑻R i （b）R F（c）R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于（）。 ⑻放大状态（b）开关状态（c）击穿状态 7、数字电路中的工作信号为（）。 ⑻随时间连续变化的电信号（b）脉冲信号（c）直流信号 8、逻辑电路如图所示，分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时，输出Q是“1”的瞬间为（）。 ⑻t i (b) t2 (c) t3
电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。
A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。
电子技术基础考试必备十套试题,有答案 TTA standardization office【TTA 5AB- TTAK 08- TTA 2C】
电子技术基础试题（八）一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功 放，______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和 ___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分）
1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 3 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振 荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。
《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的瞬时值，分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_储能____元件，电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻，因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1，全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0，全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1，相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中，电流、电压随时间按正弦规律变化的，称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V，则此电压的最大值为 311V ，频率为 50HZ ，初相位为 0 。 16、在如图所示的电路，已知I1 = 1A，I2 = 3A ，I5 =4.5A，则I3 = 4 A，I4 = 0.5 A，则I6 = 3.5 A。
17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极，发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性 较为复杂，可分为放大区外，还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1、如图所示电路中，电压表的内阻Rv为20KΩ，则电压表的指示为（ B ）。 20KΩ 20KΩ A．5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中，当负载为对称且三角型连接时，线电流与相电流的 相位关系是（ D ）。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是（ C ）。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中，若电阻从2Ω变到10Ω，则电流i（ C ）。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路，电路的电流I=（ A ）。
电子技术基础月考试题 班级 2 7 8 姓名_________ 一、填空（40分） 1、半导体是一种电能力介于___________与___________之间的物体。 2、PN结具有_________导电性。 3、制作半导体器件时，使用最多的半导体材料是__________和__________，它们都是__________价元素。 4、硅二极管的死区电压约为_________伏，而锗二极管的死区电压约为________伏 5、在选用二极管时，要求导通电压低时应该选____________材料管；要求反向电流小时应选用_______________材料管。 6、2CP系列晶体二极管是_____材料制成的。 7、整流电路的作用是，滤波电路的作用是。 8、三级管的三个电极分别叫做、和。 9、三极管输出特性曲线可划分为区、区和 区。 10、三极管有两种类型分别为型和型。 二、选择题（20分） 1、硅二极管导通后，它的正向压降约为( )伏。 A、0.2 B、0.5 C、0.6～0.7 2、满足I C=βI B的关系时，三极管工作在（）。 A、饱和区 B、截止区 C、放大区 D、击穿区 3、滤波的主要目的是（）。 A、将交流电变为直流电 B、将高频信号变成低频信号 C、将脉动直流中的交流成分去掉
4、交流电源电压U2=20伏，如果采用半波整流电路，则输出的直流电压Uo约 为( )伏。 A、18 B、8 C、9 5．若把桥式整流电路中的一只二极管虚焊，则电路（） A、变成半波整流 B、仍为全波整流 C、负载被短路 D、变压器被短路 6、某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管 处在（） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．状态不能确定 7、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )。 A. 输出电压为原来的2倍 B. 变为半波直流 C. 整流管将因电流过大而烧坏 8、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA 变为2mA，那么它的β约为。 A. 83 B. 91 C. 100 9、在本征半导体中掺入( )就成为P型半导体。 A、3价元素 B、4价元素 C、5价元素 D、6价元素 10、对于桥式整流电路，正确的接法是( )
专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数
B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。 A．频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（ b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 －＋∞ + u O u i 9．单稳态触发器的输出状态有（ a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2 ＝6V，R 1 =12Ω，R 2 ＝6 Ω,R 3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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2017-2018学年第一学期《电子技术基础》期中考试卷 班级：姓名：学号：得分： 一、填空题（每空格1分，共30 分） 1、半导体材料通常有、锗和砷等。 2、P型半导体中多数载流子是，少数载流子是。 3、PN结加正向电压时________，加反向电压时________，这种特性称为PN结的单向导电性。 4、硅二极管的死区电压约为左右，锗二极管的死区电压约为0.1V-0.2V。 5、已知三极管的发射极电流IE＝3000uA ，基极电流IB＝50uA，则集电极电流IC＝。 6、三极管有三个管脚，分别称为、、。 7、整流是指将变换为的过程，常见的整流电路有整流电路、 整流电路和单相全波整流电路三种。 8、稳压管二极管正常工作时须工作在状态。 9、三极管工作时通常有、、三种工作状态。 10、半导体三极管又称双极型三极管，它是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为 器件；场效应管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的半导体器件，称为器件。 11、放大器无信号输入时的直流工作状态称为________，给放大器设置合适的静态工作点是为了__ ______。 12、已知某三极管的IB1=10uA时，IC1=0.8mA，当IB2=30uA时，IC2=2.4mA，求该三极管的β值为，若IB3=60uA，那么IC3= 。 13、画交流通路时，是把较大的和视为短路，画直流通路时是把视为开路。 14、半波整流电路中，若变压器次级电压为V2=10V，那么负载两端电压V0= 。 15、在单向半波整流电路负载两端并接滤波电容时，输出电压平均值 = o V ________2 V；在桥式整流电路负载两端并接滤波滤波电容时，输出电压平均值= o V ________2 V。 二、判断题（每题2分，共10分） （）1、二极管是非线性器件。 （）2、将脉动直流电变换为平滑直流电的过程称为滤波。 （）3、PNP型三极管一定是硅管，NPN型三极管是锗管。 （）4、分压式偏置放大电路的静态工作点会随温度的变化而发生很大的变化。
电子技术基础试题（八） 一.填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有________ 性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 ______ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________ 和 _____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻rs ______ 时，负载获得的功率最 大，这种现象称为_______________ 。 5、运算放大器的输出是一种具有___________________ ■勺多级直流放大 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有： ______ 功放， ______ 类功放和 ______ 功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量___________ 以减少____________ 真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由_______________ 、—和___________ 个部分组成。 9 .逻辑代数的三种基本运算是_____________________ 、 ___________ 和 10.主从触发器是一种能防止___________ 象的实用触发器。 二.选择题（每题3分，共30分） 1. 晶体管二极管的正极的电位是—10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管
处于：（）。
A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A. 集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V C E上升 C.集电极电 流增大 3. 某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数：（）。 A. 3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4. 正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A. 保证电路满足振幅平衡条件 B. 提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C. 使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5. 甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是：（）。 A. 有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6 .有两个2CW15急压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为
电子技术基础考试试卷 一、填空题（每题2分，共20分） 1．实际使用的电源，按其外特性可以分为（）和（）。 2．有一种物质，它的导电性介于导体和绝缘体之间，这就是（），如硅、锗。 3．数字工程中，按存取方式分类，常用的存储器有顺序方向存储器，（）存储器，（）存储器三种。 4．电路的功能大致可以分为两类，一类是作为（）的传输和转换，如电力电路；一类是作为实现（）的传递和处理，如信号电路。5．如右图所示的电路中，B点的电位为（）V。 6．测得工作在放大区的晶体三极管三个电极的电位分别为+2.3V、+2V、+8V，则此管的三个电极先后为基极、（）极和（）极。7．存储器的（）和（）是反映系统性能的两个重要指标。_ 8．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V, 接入3KΩ的负载电阻后输出电压为3V,这说明放大电路的输出电阻为（）。 9．将十进制数18.625化为二进制数为（），化为十六进制数为（）。 10．设输入变量为A、B、C，判别当三个变量中有奇数个1时，函数F=1, 否则F=0, 实现它的异或表达式为F=（）。
二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1．PN结加上反向电压，自建电场与外加电场方向（），内电场（）。 A. 相反加强 B. 一致加强 C. 相反减弱 D. 一致减弱 2．下列电路中，（）不是时序电路。 A. 计数器 B. 触发器 C. 寄存器 D. 译码器 3．图示电路中，AB之间电压V对应的方程式为（）。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 4．右图是下面哪类场效应管的图符？ A. N沟道耗尽型场效应管 B. P沟道耗尽型场效应管 C. N沟道耗尽型MOS管 D. P沟道耗尽型MOS管 5．组合逻辑电路险象的消除方法不包括（） A. 多余项插入法 B. 改变电路结构 C. 加接惯性环节 D. 消除选通脉冲 三、分析计算题（共70分） 1．求图中电路中a、b、c各点的电位。（其中E1=5V, E2=10V,
课程名称：电子技术 闭卷 Ｂ卷 120 分钟 一、 单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填 入括号内(本大题共16小题，总32分) 1、 电 路 如 图 所 示, 所 有 二 极 管 均 为 理 想 元 件，则 D 1、D 2、D 3的 工 作 状 态 为（ ）。 (a) D 1导 通，D 2、D 3 截 止 (b) D 1、D 2截 止 ， D 3 导 通 (c) D 1、D 3截 止， D 2导 通 (d) D 1、D 2、D 3均 截 止 + 2、射极输出器电路中，输出电压 u o 与输入电压 u i 之间的关系是( )。 (a ) 两者反相，输出电压大于输出电压 (b ) 两者同相，输出 电压近似等于输入电压 (c ) 两者相位差90 ? ，且大小相等 3、为了放 大变化缓慢的信号或直流信号，多级放大器级与级之间必须采用( )。 (a ) 阻容耦合 (b ) 变压器耦合 (c ) 直接耦合
(a) L 1、C 1 组 成 的 电 路 (b) L 、C 组 成 的 电 路 (c) L 2、R 2组 成 的 电 路 2 CC + 5、正 弦 波 振 荡 器 如 图 所 示，为 了 获 得 频 率 可 调 的 输 出 电 压，则 应 该 调 节 的 电 阻 是( ) 。 (a) R 1 (b) R F (c) R -∞＋ 6、 模 拟 电 路 中 晶 体 管 大 多 工 作 于( ) 。 (a) 放 大 状 态 (b) 开 关状 态 (c) 击 穿状 态 7、 数 字 电 路 中 的 工 作 信 号 为( )。 (a) 随 时 间 连 续 变 化 的 电 信 号 (b) 脉 冲 信 号 (c) 直 流 信 号 8、 逻 辑 电 路 如 图 所示，分 析 图 中C ，J ，K 的 波 形 。当 初 始 状 态 为“0”时， 输 出 Q 是 “1” 的 瞬 间 为（ ）。 (a) t 1 (b) t 2 (c) t 3
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷五（本科）及其参考答案 试卷五 一、填空和选择题（每小题2分共16分） 1．半导体二极管的重要特性之一是。 （A）温度稳定性（B）单向导电性（C）放大作用（D）滤波特性2．在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生失真。 （A）截止失真（B）饱和v失真（C）双向失真（D）线性失真3．多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带。 （A）变宽（B）变窄（C）不变（D）与单级放大电路无关4．电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻。 （A）等于零（B）比直流等效电阻小 （C）等于直流等效电阻（D）远远大于直流等效电阻 5．放大电路产生零点漂移的主要原因是。 （A）采用了直接耦合方式（B）采用了阻容耦合方式 （C）采用了正、负双电源供电（D）增益太大 6．二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为。 （A）20dB/十倍频程（B）-20dB/十倍频程 （C）40dB十倍频程（D）-40dB/十倍频程 7．当有用信号的频率低于100Hz时，应采用滤波电路。 （A）低通（B）高通（C）带通（D）带阻 8．在图1-8所示电路中，稳压管D Z的稳定电压V Z = 6V，最小稳定电流I zmin = 5mA，输入电压V I = 12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下I L的数值最大不应超过。 （A）40mA （B）45mA （C）55mA （D）60mA 图1-8 二、（14分） 分压式射极置共射放大电路如图2所示，已知BJT的β =100，V BE = 0.7V。电路处于正常放大状态。 （1）估算电路的静态工作点； （2）画出简化的H参数小信号等效电路； （3）求放大电路通带内的电压增益、输入电阻和输出电阻。 图2 三、（12分） 放大电路如图3 a、b、c、d所示。