１ 导体（ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）：容易传导电流的材料称为导体，如金属、电解液等。Ｅ５０６０１０１０１０１
２ 绝缘体（ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）：几乎不传导电流的材料称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、石英、塑料等
３ 半导体（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）：导电能力随外界条件发生显著变化的材料称为半导体，如硅（Ｓｉ）、锗（Ｇｅ）和砷化镓（ＧａＡｓ）等
４ 本征半导体（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）：不含杂质，完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
５ 杂质半导体（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）：在本征半导体中掺入微量的杂质元素，其导电性能就会发生显著的改变。掺有杂质的本征半导体称为杂质半导体。因掺入杂质的不同，杂质半导体分为Ｎ型半导体和Ｐ型半导体。
６ Ｎ型半导体（Ｎ－ｔｙｐｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）：在本征半导体中掺入微量五价元素（如磷（Ｐ）、砷（Ａｓ））的杂质后，自由电子成为多数载流子，而空穴成为少数载流子。这种主要依靠自由电子导电的杂质半导体称为Ｎ型半导体。Ｅ５０６０１０１０１０６
７ Ｐ型半导体（Ｐ－ｔｙｐｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）：在本征半导体中掺入微量三价元素（如硼（Ｂ）、铟（Ｉｎ））的杂质后，空穴成为多数载流子，而自由电子成为少数载流子。这种主要依靠空穴导电的杂质半导体称为Ｐ型半导体。
８ 空穴（ｈｏｌｅ）：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后所留下的空位称为空穴。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，通常可将空穴视为带正电的粒子。９ 载流子（ｃａｒｒｉｅｒ）：在半导体中，将能移动的电荷统称为载流子，包括电子和空穴。Ｅ５０６０１０１０１０９ １０ 扩散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）：在Ｐ型半导体和Ｎ型半导体的交界处，由于多数载流子浓度的差别，载流子将从浓度较高的区域向浓度低的区域运动，多数载流子的这种运动称为扩散。扩散和漂移产生方向相反的电流。
１１ 漂移（ｄｒｉｆｔ）：在扩散产生的内电场作用下，少数载流子有规则的运动，称为漂移运动，简称漂移。漂移和扩散产生方向相反的电流。
１２ ＰＮ结（ＰＮ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）：由于载流子的扩散和漂移，在Ｐ区和Ｎ区交界处的两侧形成一个空间电荷区（ｓｐａｃｅ－ｃｈａｒｇｅ ｒｅｇｉｏｎ），这个空间电荷区称为ＰＮ结。ＰＮ结也称为耗尽层或阻挡层。
１３ 耗尽层（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）：在空间电荷区中，多数载流子扩散到对方并被复合掉，或者说多数载流子被消耗尽了，所以这个空间电荷区也称为耗尽层。
１４ 阻挡层（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）：在空间电荷区中，由静止电荷所建立的内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，所以这个空间电荷区又称为阻挡层。
１５ 偏置（ｂｉａｓ）：在ＰＮ结上外加一定的电压，称为偏置。在ＰＮ结上加正向电压，称为正向偏置，简称正偏（ｆｏｒｗａｒｄ ｂｉａｓ）；在ＰＮ结上加反向电压，称为反向偏置，简称反偏（ｒｅｖｅｒｓｅ ｂｉａｓ）。
１６ 半导体二极管（ＰＮ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｄｉｏｄｅ）：在一个ＰＮ结的Ｐ区和Ｎ区分别加上相应的电极引线，外加管壳密封制成的器件，称为半导体二极管。
１７ 二极管导通压降（ｆｏｒｗａｒｄ ｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ ａ ＰＮ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｄｉｏｄｅ）：二极管正向导通时其两端所加的电压称为二极管导通压降，如硅管的导通压降为０．６Ｖ￣０．７Ｖ，锗管为０．２Ｖ￣０．３Ｖ，砷化镓为１．３ ￣１．５Ｖ等。
１８ 二极管的伏安特性（ｃｕｒｒｅｎｔ－ｖｏｌｔａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ａ ＰＮ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｄｉｏｄｅ）：二极管的端电压与流过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性。
１９ 死区（ｄｅａｄ ｚｏｎｅ）：当二极管所加的正向电压较小时，由于外部电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，因此这时的正向电流很小，二极管呈现较高的电阻。这段区域称为“死区”。
２０ 最大反向工作电压（ｍａｘｉｍｕｍ ｐｅａｋ ｒｅｖｅｒｓｅ ｖｏｌｔａｇｅ）：指二极管安全工作时所能承受的最高反向电压。一般规定最大反向工作电压为反向击穿电压的１／２￣２／３。
２１ 反向饱和电流（ｒｅｖｅｒｓｅ ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）：在二极管两端外加反向电压不超过一定范围时，由少数载流子的漂移形成很小的反向电流。在一定温度下，一定范围内增加反向电压不会使少数载流子的数目明显增加，即反向电流与反向电压基本无关，故此时的反向电流通常称为反向饱和电流。
２２ 整流（ｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）：将交流电转变为直流电的过程叫整流。
２３ 滤波（ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）：将交流电转变为直流电的过程叫整流。将整流输出的单向脉动电压变换为脉动程度小的平滑直流电压的过程称为滤波。
２４ 参数（ｐａｒａｍｅｔｅｒ）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范围的一些数据称为参数。参数一般可从手册中查到。
２５ 稳压管（Ｚｅｎｅｒ ｄｉｏｄｅ）：稳压管又称齐纳二极管，是工作在反向击穿区的特殊硅二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性构成简单的稳压电路。
２６ 温度系数（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）：表征元器件温度敏感性的参数。通常用某个电压变化的百分数与元器件工作环境温度的变化量的度数之比来表示，由元器件生产厂提供。当环境温度上升时，元器件的有关参数值也上升，称为正温度系数；反之为负温度系数。例如稳压管，稳定电压在６伏以上时，温度系数为正； ６伏以下时，温度系数为负。
２７ 双极型晶体管（ ｂｉｐｏｌａｒ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ，ＢＪＴ）：双极型晶体管是一种具有两种载流子（自由电子和空穴）参与导电，并有三个电极的电流控制型器件。
２８ 场效应晶体管（ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ，ＦＥＴ）：场效应晶体管是一种具有一种载流子（自由电子或空穴）参与导电、并有三个电极的电压控制型器件。场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类，绝缘栅型场效应晶体管（ｉｎｓｕｌａｔｅｄ ｇａｔｅ ｔｙｐｅ ＦＥＴ）又称为ＭＯＳ场效应晶体管（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＭＯＳ ＦＥＴ）。
２９ 共发射极电路（ｃｏｍｍｏｎ－ｅｍｉｔｔｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当发射极作为信号的输入、输出回路的公共端，基极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共发射极电路。
３０ 共集电极电路（ｃｏｍｍｏｎ－ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当集电极作为信号的输入、输出回路的公共端，基极是输入端、发射极是输出端所组成的电路就称为共集电极电路，也称为射极输出器、射极跟随器。
３１ 共基极电路（ｃｏｍｍｏｎ－ｂａｓｅ ｃｉｒｃｕｉｔ）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当基极作为信号的输入、输出回路的公共端，发射极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共基极电路。
３２ 输入特性（ｉｎｐｕｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）：输入电压与输入电流之间的关系，称为输入特性。一般用曲线表示，称为输入特性曲线。
３３ 输出特性（ｏｕｔｐｕｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）：输出电流与输出电压之间的关系，称为输出特性。一般是以某一输入量为参变量的一族曲线。
３４ 电流放大系数（ｃｕｒｒｅｎｔ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）：表征ＢＪＴ电流控制作用的参数，例如共基极接法时的电流放大系数α、共射极接法时的电流放大系数β。
３５ 集电极—基极反向饱和电流ＩＣＢＯ（ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ –ｂａｓｅ ｒｅｖｅｒｓｅ ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）：集电极—基极反向饱和电流指发射极开路时，集电结在反向电压的作用下，集电区的少数载流子向基区漂移而形成的反向电流。
３６ 集电极—发射极反向饱和电流ＩＣＥＯ（ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ－ｅｍｉｔｔｅｒ ｒｅｖｅｒｓｅ ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）：集电极—发射极反向饱和电流又称穿透电流，是指当基极开路时，集电极和发射极之间流过的电流。
３７ 集电极最大允许电流ＩＣＭ（ｍａｘｉｍｕｍ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ ｐｅｒｍｉｔｔｅｄ ｃｕｒｒｅｎｔ）：集电极最大允许电流是指晶体管参数的变化不超过规定允许值时（功率与电压未超过额定值，一般指β值没有下降到正常参数的 时）集电极电流的最大值。
３８ 集电极最大允许耗散功率ＰＣＭ（ｍａｘｉｍｕｍ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ ｐｅｒｍｉｔｔｅｄ ｐｏｗｅｒ ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ）：晶体管安全工作时，集电结的功率最大值，如果超过此值，器件就可能损坏。
３９ 放大（ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）：输出信号（电流、电压或功率）比输入信号大，称为放大。其实质是通过电子器件的控制作用，将直流电源的能量转化为负载所需要的电能形式。Ｅ５０６０２０００００１
４０ 微变等效电路（ｓｍａｌｌ－ｓｉｇｎａｌ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｃｉｒｃｕｉｔ）：输入微小信号时放大电路的等效电路称为微变等效电路。
４１ 微变等效电路分析法（ｓｍａｌｌ－ｓｉｇｎａｌ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ）： 指放大电路输入信号较小（微变信号）时，可将非线性电路等效为线性电路，借助线性电路的分析方法进行分析，这种特定的分析方法称为微变等效电路分析法。
４２ 静态（ｑｕｉｅｓｃｅｎｔ ｓｔａｔｅ）：在放大电路中，输入端未加输入信号（ ）时的工作状态称为放大电路的静态。
４３ 静态工作点（ｑｕｉｅｓｃｅｎｔ ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）：静态时，在晶体管的输入特性和输出特性上所对应的工作点，用Ｑ表示。
４４ 静态分析（ｑｕｉｅｓｃｅｎｔ ｓｔａｔｅ ａｎａｌｙｓｉｓ）：确定放大电路的静态工作点，即确定电路中静态的相关参数。
４５ 动态（ｄｙｎａｍｉｃ ｓｔａｔｅ）：在放大电路中，输入端加入输入信号（ ）时的工作状态称为放大电路的动态。
４６ 动态分析（ｄｙｎａｍｉｃ ｓｔａｔｅ ａｎａｌｙｓｉｓ）：确定放大电路的相关动态参数，如电压放大倍数 、输入电阻 和输出电阻 等。
４７ 输入电阻 （ｉｎｐｕｔ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）：放大电路对信号源（或对前级放大电路）来说是一个负载，它可以用一个等效电阻来替代，这个等效电阻就是放大电路的输入电阻。输入电
阻 是一个动态电阻。Ｅ５０６０２０３０１０１
４８ 输出电阻 （ｏｕｔｐｕｔ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）：放大电路对负载（或对后级放大电路）来说，可以等效为一个电源模型，该电源模型的内阻定义为放大电路的输出电阻。输出电阻 是一个动态电阻。
４９ 电压放大倍数 （ｖｏｌｔａｇｅ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）：电压放大倍数是衡量放大电路放大输入信号能力的基本参数，定义为输出电压与输入电压之比，即 。
５０ 开环（ｏｐｅｎ－ｌｏｏｐ）：输出信号对输入不存在任何作用时电路所处的状态称为开环。
５１ 闭环（ｃｌｏｓｅｄ－ｌｏｏｐ）：输出信号对输入存在作用时电路所处的状态称为闭环。
５２ 增益（ｇａｉｎ）：输出信号与输入信号之比的模量称为增益。包括电流增益、电压增益和功率增益等。工程上常用以１０为底的对数表达，其单位为分贝（ｄＢ）。
５３ 失真（ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）：输出信号的波形未能完全复现输入信号的波形的现象称为失真。 ５４ 非线性失真 （ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）：由元器件的非线性引起的失真称为非线性失真，其特点是产生新的频率。在放大电路中，非线性失真主要指由于静态工作点不合适或者信号太大，使放大电路的工作范围超出了晶体管线性区所产生的失真，包括截止失真和饱和失真。
由于晶体管的截止引起的非线性失真称为截止失真（ｃｕｔ－ｏｆｆ ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）。
由于晶体管的饱和引起的非线性失真称为饱和失真（ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）。
５５ 交越失真（ｃｒｏｓｓｏｖｅｒ ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）：在乙类互补功放电路里，两个功放管交替工作，在信号过零前后功放管静态工作电流接近零，功放管进入截止区，由此造成的输出波形失真称为交越失真。
５６ 效率（ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）：输出功率与输入功率之比的百分数称为效率。
５７ 图解法（ｇｒａｐｈｉｃａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ）：在晶体管输入、输出特性曲线上，通过图解分析放大电路的工作状态和性能参数的方法，称为图解法。
５８ 输入失调电压 （ｉｎｐｕｔ ｏｆｆｓｅｔ ｖｏｌｔａｇｅ）：在理想运算放大器中，当输入电压 时，输出电压应为零。但在实际运算放大器中， 时，一般 。如果要使 必须在输入端加入一个很小的电压来补偿，这个电压就是输入失调电压。
５９ 输入失调电流 （ｉｎｐｕｔ ｏｆｆｓｅｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）：静态时，流入运算放大器两个输入端的基极静态电流之差称为输入失调电流。６０ 输入偏置电流 （ｉｎｐｕｔ ｂｉａｓ ｃｕｒｒｅｎｔ）：当输入信号为零时，两个输入端的基极静态电流的平均值称为输入偏置电流。
６１ 耦合（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间的连接称为耦合。
６２ 阻容耦合（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间通过电阻、电容连接的方式称为阻容耦合。
６３ 变压器耦合（ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间通过变压器传递信号的方式称为变压器耦合。
６４ 直接耦合（ｄｉｒｅｃｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间直接连接的方式称为直接耦合。
６５ 光电耦合（ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）：利用光电效应进行放大器之间信号传递的方式称为光电耦合。
６６ 光电效应（ｐｈｏｔｏｅｆｆｅｃｔ）：指可见光、红外线或紫外线在某些物质上照射而引起的电子发射的过程。例如某些半导体材料受到光照时，其材料的电导率显著增加。
６７ 零点漂移（ｚｅｒｏ ｄｒｉｆｔ）：零点漂移是指在放大电路中，当输入端无输入信号时，输出端的电压受外界因素影响偏离初始值，在初值上下漂动的（不稳定的）现象，简称零漂。Ｅ５０６０３０１０１０１
６８ 共模输入信号（ｃｏｍｍｏｎ－ｍｏｄｅ ｉｎｐｕｔ ｓｉｇｎａｌ）：当差分放大电路的两个输入信号大小相等，极性相同，即 ，称为共模输入信号。
６９ 差模输入信号（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ－ｍｏｄｅ ｉｎｐｕｔ ｓｉｇｎａｌ）：当差分放大电路的两个输入信号大小相等，极性相反，即 ，称为差模输入信号。
７０ 虚短（ｖｉｒｔｕａｌ ｓｈｏｒｔ）：工作在线性区域的集成运算放大器，其两个输入端之间的电压通常接近于零，即同相端的电位近似等于反相端的电位，这种近似短接，其实并未短接的现象称为虚短路，简称“虚短”。
７１ 虚地（ｖｉｒｔｕａｌ ｇｒｏｕｎｄ）：工作在线性区域的反相输入运算放大器，因同相输入端接地，
根据“虚短”的结论，其反相输入端的电位接近于“地”电位，其实并未接地，将这种现象称之为“虚地”。
７２ 虚断（ｖｉｒｔｕａｌ ｂｒｅａｋ）：工作在线性区域的理想运算放大器，由于其输入电阻无穷大，同相输入端和反相输入端的输入电流几乎为零，这种相当于断路，其实并不能断路的状态称之为“虚断”。
７３ 共模抑制比 （ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）：表征差分放大电路对差模信号的放大能力和共模信号的抑制能力作用的量值，是差分放大电路的一个重要技术指标。其定义是放大电路对差模信号的电压放大倍数与对共模信号的电压放大倍数之比的绝对值，即 ，常用分贝（ｄＢ）数来表示。
７４ 集成运算放大器（ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）：一种增益极高的多级直接耦合放大器，是一种重要模拟集成电路。
７５ 理想运算放大器（ｉｄｅａｌ ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）：当运算放大器的参数与工程技术指标相比满足理想化条件时，即
开环电压放大倍数 ；
输入电阻 ；
输出电阻 ；
共模抑制比 ；
运算放大器就被视为理想运算放大器。
７６ 电压传输特性（ｖｏｌｔａｇｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）：放大器的输出电压与输入电压之间的关系称为电压传输特性。
７７ 同相输入（ｎｏｎｉｎｖｅｒｔｉｎｇ ｉｎｐｕｔ）：如果输入信号从同相输入端加入，称为同相输入。
７８ 反相输入（ｉｎｖｅｒｔｉｎｇ ｉｎｐｕｔ）：如果输入信号从反相输入端加入，称为反相输入。 ７９ 差分输入（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｉｎｐｕｔ）：如果输入信号同时从反相输入端和同相输入端加入，称为差分输入。
８０ 反馈（ｆｅｅｄｂａｃｋ）：把放大电路的输出量（电流或电压）的一部分或全部，经过一定的电路（称为反馈电路）送回输入端和输入信号相互作用的过程。亦即输出量参与控制的过程。凡增强输入信号作用的反馈称正反馈（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ）；凡消弱输入信号作用的反馈称负反馈（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ）。
８１ 互补对称（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｓｙｍｍｅｔｒｙ）：两个极性相反的晶体管（如ＮＰＮ型和ＰＮＰ型ＢＪＴ管、Ｎ沟道和Ｐ沟道ＭＯＳ管）组成结构对称、参数一致的电路，由于两个管子交替工作、相互补充，使电路工作性能对称。这种工作状态称为互补对称。
８２ 反馈系数Ｆ（ｆｅｅｄｂａｃｋ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）：表征反馈强弱的物理量，定义为反馈信号 与输出信号 的比值，即 。
８３ 反馈深度Ｄ（ｆｅｅｄｂａｃｋ ｄｅｐｔｈ）：表达式ｌ＋ＦＡ称为反馈深度，即Ｄ ＝ ｌ＋ＦＡ 。负反馈对放大电路性能改善程度均与Ｄ有关。
８４ 复合晶体管（ｃｏｍｐｏｕｎｄ－ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）：将两只或多只三极管的电极通过适当连接，作为一个管子来使用，即组成复合晶体管，或称达林顿（Ｄａｒｌｉｎｇｔｏｎ）管。
８５ 自激振荡（ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ）：当放大电路的输入端无外加信号，而它的输出端仍有一定频率和幅度的信号输出，这种现象称为自激振荡。工程上常利用正反馈产生自激振荡。
８６ 选频网络（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ－ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｎｅｔｗｏｒｋ）：利用网络的谐振特性，将信号中与网络谐振频率相等的成分输出给负载，而将其他频率的信号加以抑制，具有该功能的网络称为选频网络。
８７ 夹断电压 （ｐｉｎｃｈ－ｏｆｆ ｖｏｌｔａｇｅ）：在漏源电压为某一定值的条件下，耗尽型ＭＯＳ管中，
使漏电流等于某一微小值时，栅—源极间所加的偏压就是夹断电压。增强型ＭＯＳ管无此参数。
８８ 开启电压 （ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔａｇｅ）：在漏源电压为某一定值的条件下，增强型ＭＯＳ管开始导通（漏电流出现）的最小的栅源电压值就是开启电压。耗尽型ＭＯＳ管无此参数。
８９ 饱和漏极电流 （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｄｒａｉｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）：耗尽型ＭＯＳ管在栅源电压为零（即 ）的条件下，管子发生预夹断时的漏极电流称为饱和漏极电流。增强型ＭＯＳ管无此参数。Ｅ５０６０１０４０３０３
９０ 低频跨导 （ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ）：在低频条件下，在漏源电压为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量（ ）与引起这个变化的栅源电压微变量（ ）之比称为跨导，即 。
９１ Ｎ沟道（Ｎ－ｃｈａｎｎｅｌ）：通常把Ｐ型衬底表面形成的Ｎ型薄层称为反型层，该反型层形成漏、源之间的Ｎ型导电沟道，简称Ｎ沟道。
９２ Ｐ沟道（Ｐ－ｃｈａｎｎｅｌ）：通常把Ｎ型衬底表面形成的Ｐ型薄层称为反型层，该反型层形成漏、源之间的Ｐ型导电沟道，简称Ｐ沟道。
９３ 增强型场效应管（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｔｙｐｅ ＦＥＴ）：指一种金属－氧化物－半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强。具有这种工作特点的场效应晶体管称为增强型场效应管。
９４ 耗尽型场效应管（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ ｔｙｐｅ ＦＥＴ）：指一种金属－氧化物－半导体场效应晶体管，在其栅压为零并且漏极电压一定时，就有较大的漏极电流，即存在导电沟道。随外加栅压的反向增加，漏极电流逐渐减小。这种导电沟道从有到无的性质称为耗尽。具有这种工作特点的场效应晶体管称为耗尽型场效应管。
９５ 转移特性（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）：转移特性表征了在一定的 下， 与 之间的关系：
它是栅源电压 对漏极电流 的控制作用的体现。
９６ 电力电子技术（ｐｏｗｅｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）：电力电子技术是一门介于电力、电子和自动控制三大技术领域之间的边沿学科，或者说是以电力为对象的电子技术。它是利用电力半导体器件进行电能变换和控制的技术，其应用已渗透到国民经济的各个领域。
９７ 晶闸管（ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）：又称可控硅整流器（ＳＣＲ），是一种大功率的四层三端半导体器件，习惯叫做可控硅。后又派生的器件如快速可控硅、双向可控硅、逆导可控硅。所有这些器件统称为晶体闸流管，简称晶闸管。通常所说的可控硅就是普通晶闸管，所有派生器件则属于特殊晶闸管。
９８ 可控整流（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）：在晶闸管承受正向电压的时间内，通过改变触发脉冲相位从而改变晶闸管的导通角来控制整流输出电压的大小，这种整流方式称为可控整流。
第10章模拟电子电路读图 10.1复习笔记 本章回顾了书中讲述的基本电路和基本分析方法，介绍了电子电路读图的一般方式。通过本章的学习，希望读者能够对本书前面所讲内容进行一个整体的回顾，将知识相互串联，温故知新。此外，希望读者能够对电子电路的读图有一个基本的掌握，将本章所介绍的方法内化于心，并勤加练习，积累经验，不断提高读图水平。 一、读图的思路和步骤 分析电子电路时，首先将电路分解成具有独立功能的几部分，进而弄清每一部分电路的工作原理和主要功能，然后分析各部分电路之间的联系，从而得到整个电路功能和性能特点，必要时可借助于计算机辅助。 详细思路和步骤见表10-1-1。 表10-1-1读图思路和步骤 二、基本分析方法回顾 基本分析方法中小信号情况下的等效电路法、频率响应的求解办法、反馈的判断和深度
负反馈条件下放大倍数求解方法、集成运放应用电路识别方法见表10-1-2。 表10-1-2基本分析方法其一
基本分析方法中运算电路运算关系的求解方法、电压比较器电压传输特性的分析方法、波形发生电路的判振方法、功率放大电路最大输出功率和转换效率的分析方法、直流电源的分析方法见表10-1-3。
表10-1-3基本分析方法其二 10.2课后习题详解 10.1电路如题10.1图所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。（1）求出微分方程；（2）简述电路原理。
题10.1图 解：（1）设A 1、A 2的输出电压分别为u O1、u O3。由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断”和“虚短”可得下列关系式及微分方程： u O1＝－R 3/R 1·u I －R 3/R 2·u O3 u O3＝R 6/（R 5＋R 6）·（－R 8/R 7·u O ） 336814412567 11d ()d O O I O R R R R u u t u u t R C R C R R R R R =-=--++?? 36832475614d 0d ()O O I u R R R u R u t R R R R R C R R C +-=+（2）选择合适参数，输入合适u I ，便可得到模拟解u O 。 10.2题10.2图所示为反馈式稳幅电路，其功能是：当输入电压变化时输出电压基本不变。主要技术指标为： （1）输入电压波动20%时，输出电压波动小于0.1%； （2）输入信号频率从50～2000Hz 变化时，输出电压波动小于0.1%；
20XX年复习资料 大 学 复 习 资 料 专业： 班级： 科目老师： 日期：
7.3 111 12m 2m ln 779REF CC BE REF C REF C T O E O E I R V U I A I I A I U I R I R ?=-=≈== =Ω 同理： 2 1.3k E R =Ω 7.5如图题7.5所示的放大电路。设所有三极管β＝50，U BE =0.6V ，r ce =20XXXX0k Ω， 同时要求输入为零时输出为零。（1）求R 4阻值。（2）放大电路的静态工作点。（3）求放大电路的源电压放大倍数、输入电阻及输出电阻。 u o u i +_ _ + +12V -12V R C1R 1R 2R 3 6.8k Ω 37k Ω 23k Ω 10k Ω +- R S U B =1V 500Ω R 4 T 1 T 2 T 3 图题 7.5 （1）对于VT3而言 1 312 333 3322=(12) 4.61m 1m B B BE EE B E C B C R U V R R U U V I A R I I I I A -=-+--= =≈≈≈= 对于VT1而言 11112110.008m 0.4m 8B BEQ B Q S C Q E Q B Q B Q CC C Q C U U I A R I I I A U V I R V β-= =≈===-?= 对于VT2而言
因为是零输入零输出的情况 224 4-=7.4k B Q BE E Q U U I R R ∴=Ω （2）由（1）可知 VT1： 120.008m 8B Q CEQ B Q I A U U V === VT2： 21m 4.6E Q CEQ I A U V == VT3: 3331m 12- 5.2E Q CEQ E Q I A U I R V ==?= (3)
《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 . 实验一晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1、学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响。 2、掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。 3、熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图2－1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R 和R组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R，以稳定放大器的静态工EB1B2作点。当在放大器的输入端加入输入信号u后，在放大器的输出端便可得到一i个与u相位相反，幅值被放大了的输出信号u，从而实现了电压放大。0i 图2－1 共射极单管放大器实验电路 在图2－1电路中，当流过偏置电阻R和R 的电流远大于晶体管T 的 B2B1基极电流I时（一般5～10倍），则它的静态工作点可用下式估算B教育资料．. R B1U?U CCB R?R B2B1 U?U BEB I??I EC R E ）R＋R＝UU－I（ECCCCEC电压放大倍数 RR // LCβA??V r be输入电阻 r R/// R＝R/beiB1 B2 输出电阻 R R≈CO由于电子器件性能的分散性比较大，因此在设计和制作晶 体管放大电路时， 为电路设计提供必离不开测量和调试技术。在设计前应测量所用元器件的参数，还必须测量和调试放大器的静态工作点和各要的依据，在完成设计和装配以后，因此，一个优质放大器，必定是理论设计与实验调整相结合的产物。项性能指标。除了学习放大器的理论知识和设计方法外，还必须掌握必要的测量和调试技术。消除干扰放大器静态工作点的测量与调试，放大器的测量和调试一般包括：与自激振荡及放大器各项动态参数的测量与调试等。、放大器静态工作点的测量 与调试 1 静态工作点的测量1) 即将放大的情况下进行，＝u 测量放大器的静态工作点，应在输入信号0 i教育资料． . 器输入端与地端短接，然后选用量程合适的直流毫安表和直流电压表，分别测量晶体管的集电极电流I以及各电极对地的电位U、U和U。一般实验中，为了避 ECCB免断开集电极，所以采用测量电压U或U，然后算出I的方法，例如，只要 测CEC出U，即可用E UU?U CECC??II?I，由U确定I（也可根据I），算出CCC CEC RR CE同时也能算出U＝U－U，U＝U－U。EBEECBCE为了减小误差，提高测量精度，应选用内阻较高的直流电压表。 2) 静态工作点的调试 放大器静态工作点的调试是指对管子集电极电流I（或U）的调整与测试。 CEC静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高，放大器在加入交流信号以后易产生饱和失真，此时u的负半周将被削底，O 如图2－2(a)所示；如工作点偏低则易产生截止失真，即u的正半周被缩顶（一 O般截止失真不如饱和失真明显），如图2－2(b)所示。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进行动态调试，即在放大器的输入端 加入一定的输入电压u，检查输出电压u的大小和波形是否满足要求。如不满Oi N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t 模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020 选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0 5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]= 《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题（每空1分，共32分） 1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。 4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。 9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。 10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（） 信号。 11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 模拟电子电路读图 习 题 1 电路如图1所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。 （1）求出微分方程； （2）简述电路原理。 图 1 解：（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断” 和“虚短”可得下列关系式及微分方程： )(d d )d (1 d 1) (I 41365742O 863O O 7 86 562 3I 1 34O1 4O O 786 56O3O32 3I 1 3O1=- ++ ?+? + - -=- =- += - -=??u C R R R C R R R R R u R R R t u t u R R R R R R R u R R C R t u C R u u R R R R R u u R R u R R u （2）当参数选择合适时，输入合适u I ，便可在输出得到模拟解u O 。 2图2所示为反馈式稳幅电路，其功能是：当输入电压变化时，输出电压基本不变。主要技术指标为 （1）输入电压波动20％时，输出电压波动小于0.1％； （2）输入信号频率从50～2000Hz变化时，输出电压波动小于0.1％； （3）负载电阻从10kΩ变为5 kΩ时，输出电压波动小于0.1％。 要求： （1）以每个集成运放为核心器件，说明各部分电路的功能； （2）用方框图表明各部分电路之间的相互关系； （3）简述电路的工作原理。 提示：场效应管工作在可变电阻区，电路通过集成运放A3的输出控制场效应管的工作电流，来达到调整输出电压的目的。 图 2 解：（1）A1：反相比例运算电路；A2：半波精密整流电路；A3：二阶低通滤波器；T：等效成可变电阻。 （2）图2所示电路的方框图如解图2所示。 解图2 一. 桥式整流电路 1二极管的单向导电性：二极管的PN结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型： 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V，锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程： 当u 2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载R L 是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止，负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。 波形形成过程：输出端接负载R L 时，当电源供电时，向负载提供电流的同时也 向电容C充电，充电时间常数为τ 充=（Ri∥R L C）≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响，电容上电压将随u 2迅速上升，当ωt=ωt 1 时，有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0，所有二极管截止，这时电容C通过R L 放电，放电时间常数为R L C，放 电时间慢，u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时，u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大，又开始充电过程，u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0，ωt 3 后，电容通 过R L 放电。如此反复，周期性充放电。由于电容C的储能作用，R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间，输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧（3~5）T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中，经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ，每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器 1信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度，但同时必须让有用信号顺利通过。 与电源滤波器的区别和相同点：两者区别为：信号滤波器用来过滤信号，其通带是一定的频率范围，而电源滤波器则是用来滤除交流成分，使直流通过，从而保持输出电压稳定；交流电源则是只允许某一特定的频率通过。 相同点：都是用电路的幅频特性来工作。 2LC串联和并联电路的阻抗计算:串联时，电路阻抗为Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC) 并联时电路阻抗为Z=1/jωC∥(R+jωL)= 考滤到实际中，常有R<<ωL,所以有Z≈ 《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D； 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2 模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏） 2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） （7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS 大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通 电子电路工程师必备的20种模拟电路 对模拟电路的掌握分为三个层次：初级层次：是熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟 电路。 中级层次：是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向，相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。高级层次是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要您愿意，受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。 一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性：伏安特性曲线：理想开关模型和恒压降模型： 2、桥式整流电流流向过程：输入输出波形： 3、计算：Vo, Io,二极管反向电压。 二、电源滤波器 1、电源滤波的过程分析：波形形成过程： 2、计算：滤波电容的容量和耐压值选择。 三、信号滤波器1、信号滤波器的作用：与电源滤波器的区别和相同点：2、LC 串联和并联电路的阻抗计算，幅频关系和相频关系曲线。3、画出通频带曲线。计算谐振频率。 四、微分和积分电路 1、电路的作用，与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析，画出电压变化波形图。 3、计算：时间常数，电压变化方程，电阻和电容参数的选择。 五、共射极放大电路 1、三极管的结构、三极管各极电流关系、特性曲线、放大条件。 2、元器件的作用、电路的用途、电压 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 23.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。 A.放大差模抑制共模； B.输入电阻高； C.输出电阻低 24.差分放大电路R E 上的直流电流I EQ 近似等于单管集电极电流I CQ （B ）倍。 ； B. 2； C. 3 25.差分放大电路是为了（ C ）而设置的。 A.稳定Au ； B.放大信号； C.抑制零点漂移 26.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（C ） A.电阻阻值有误差； B. 晶体管参数的分散性； C. 晶体管参数受温度的影响 27.互补输出级采用共集接法是为了使（D ）。 A.电压放大倍数增大； B.抑制共模信号能力增强； C.最大不失真输出电压增大； D. 带负载能力强 28.功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（C ）。 A.都放大电压； B.都放大电流；C.都放大功率 29.当集成运放线性工作时，有两条分析依据（A ）（B ）。 ≈U+ ≈I+≈0 C . U0=Ui =1 30. 为了稳定静态工作点，应引入（B ）。 A.交流负反馈； B. 直流负反馈； C.电压负反馈； D.电流负反馈 31.为了展宽频带，应引入（A ）。 A.交流负反馈； B. 直流负反馈； C.电压负反馈； D.电流负反馈 32.为了稳定输出电压，应引入（C ）. A.交流负反馈； B. 直流负反馈； C.电压负反馈； D.电流负反馈 33. 为了稳定输出电压，应引入（D ）. A.交流负反馈； B. 直流负反馈； C.电压负反馈； D.电流负反馈 34．欲减小放大电路向信号源的索取流电，增大带负载能力，应在放大电路中引入（A ）负反馈。 A ．电压串联；B.电压并联；C.电流串联；D.电流并联 35.为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。 A.电压； B.电流； C.串联 36. 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入（A ）；为了展宽频带，应在放大电路中引入（D ）。 A.电流负反馈；B.电压负反馈；C.直流负反馈； D.交流负反馈 37.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（B ） 。 A.电流负反馈； B.电压负反馈； C.直流负反馈； D.交流负反馈 38.为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入（C ）。 A ．电压串联负反馈；B.电压并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈 39.为了实现电流-电压转换，应引入（ B ）。 A ．电压串联负反馈；B.电压并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈 40.欲将方波转换成三角波，应选用（C ）。 A.比例运算电路； B.求和运算电路； C.积分电路； D.模拟乘法器 41．为了防止50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用（D ）滤波电路。 A ．低通； B ．高通； C ．带通； D ．带阻 42. 欲将正弦电压叠加上一个直流电压，应选用（B ）电路。 A ．比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路 43. 已知输入信号的频率为10kHz ～20kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用（C ）滤波器。 A ．低通；B.高通；C.带通；D.带阻 44. 欲将矩形波变换成三角波，应选用（C ）电路。 A ．比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路 45. 能将输入的模拟信号转换为矩形波的电路是（A ）。 A ．电压比较器； B.乘法器； C. 除法电路； D.平方电路 46. 抑制频率高于20MHz 的噪声，应选用（A ）滤波器。 A ．低通； B.高通； C.带通； D.带阻 47. RC 桥式正弦波振荡电路的起振条件是（C ）。 A ．1u >A & B ．2u >A & C ．u A &>3 D ．3u =A & 48．在下列比较器中，抗干扰能力强的是（C ）。 A ．过零比较器；B.单限比较器；C.滞回比较器；D.双限比较器 49．单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则整流二极管承受的最大反向电压为(D)。 A ．5V ；B ．7V ； C ．10V ；D ．14V 50．下列三端集成稳压器输出直流电压为-5V 的是（C ）。 ；；；D. 7805完整版模拟电子电路实验报告
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