模拟电路试卷一答案
一．填充题
1．深度反馈同相输入点接地 2. 稳定直流工作点抑制零点漂移 3．小 4. 截止 5. 180o90o 大于90o 小于180o 6. 效率低甲乙类 7. 0 500 100 8. 低 9. 晶体管结电容 10. 共集共集共射共集共基二．选择题
1．B 2. D 3. C 4. 5. D 6. C 7. D 8. A 9. D 10. A
三．分析计算题
1．解（1）
（2）（3）
（4）
2．解(1) ，
，
，=1.52mA ,
=0.535 ,
＞不合题舍去
=0.535mA，=3.2-0.535×8=-1.08V
（2）微变等效电路
（3）电压放大倍数
mA/V
(
∥)=-0.365×
=-3.65
(4)
∥
=1000+
，
3．解（1）如图所示的瞬时极性表示。该反馈电路是电流串联负反馈（2）串联电流负反馈使输入电阻增大，输出电阻减小。
（3）
，∥≈-
∥）
4．解（1）、
为电压跟随器，
为加减法运算电路
（2）=3V
=4V
=
5．解（1）选择整流二极管流过二极管的平均电流
取所以交流电的有效值二极管承受的最高反向工作电压
因此可以选用2CP21二极管4个（=300 mA,
=100V）。
（2）选择滤波电容 C
一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之
课题函数发生器设计 一、设计任务 设计一个能产生正弦波、方波和三角波的简易函数发生器，该发生器的输出频率可调，幅值可调。输出的信号波形完整不失真，输出阻抗不大于100欧。 二、课题要求 （1）输出波行：正弦波、方波和三角波 （2）输出频率：300HZ--10KHZ可调 （3）输出幅值：30mv-3v可调 （4）输出阻抗不大于100欧 三、电路设计参考结构 分析以上设计任务可知，该设计可以有多种实现方案，下面给出三种电路结构供参考。 参考方案一 该方案（图1.1）特点是：先产生正弦波，而后比较器产生方波；再通过积分器或其它电路产生三角波；最后通过幅值控制和功率放大电路输出信号。此电路的正弦波发生器的设计要求频率连续可调，方波输出要有限幅环节，积分电路的时间参数选择很重要，保证电路不出现积分饱和失真。 图1.1 简易函数发生器参考方案一
参考方案二 方案2见图1.2，其特点是先产生方波，而后通过积分器或其它电路产生三角波，再用有源滤波器产生正弦波；最后通过幅值控制和功率放大电路输出信号。此电路的方波发生器的设计要求频率连续可调，输出要有限幅环节，积分电路的时间参数选择保证电路不出现积分饱和失真。 有源滤波 图1.2 简易函数发生器参考方案二 参考方案三 方案3见图1.3，特点是也先产生方波，而后通过积分器或其它电路产生三角波，再用无源滤波器产生正弦波；最后通过幅值控制和功率放大电路输出信号。此电路的方波发生器的设计要求频率连续可调，输出要有限幅环节，积分电路的时间参数选择保证电路不出现积分饱和失真。 图1.3 简易函数发生器参考方案三
四、报告要求 1、课题的任务和要求。 2、课题的不同方案设计和比较，说明所选方案的理由。 3、电路各部分原理分析和参数计算。 4、测试结果及分析： （1）实测输出频率范围，分析设计值和实测值误差的来源。 （2）对应输出频率的高、中、低三点，分别实测输出电压的峰－峰值范围，分析输出电压幅值随频率变化的原因。 （3）频率特性测试，在低频端选定一个输出幅值，而后逐步调高输出频率，选12～15个测试点，用示波器观测输出对应频率下的输出幅值，填入自己预做的表格，画出电路的幅频特性。 注意：输出幅值一旦选定，在调节输出测试频率点过程中，不能再动！ （4）画出示波器观测到的各级输出波形，并进行分析；若波行有失真，讨论失真产生的原因和消除的方法。 5、课题总结 6、参考文献
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。
1、二极管电路如题图所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压V o。设二极管的导通压降为0.7V。 解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A、B两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下： ①在图（a）中，首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压V AB＝V A－V B＝－5V－（－10V）＝5V。显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D＝0V，则输出电压V O＝V A－V D＝－5V。若考虑二极管的正向压降V D(on)＝0.7V，则输出电压V O＝V A－V(on)D＝－5V－0.7V＝－5.7V。 ②在图（b）中，断开二极管V D,有V AB＝V A－V B＝－10V－（－5V）＝－5V。可见，二极管V D接入以后，将承受反向电压，D处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R上的电压降等于零，故V O＝V B＝－5V。 ③在图（c）中，首先将D1和D2断开，求两管将承受的电压为： V D1：V B1A=V B1－V A＝0V－（－9V）＝9V V D2：V B2A＝V B2－V A＝－12V－（－9V）＝－3V 二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则 V O＝V A＝V B1－V VD1＝0V－0.7V＝－0.7V 而V B2A＝－12V－（－0.7V）＝－11.3V，所以，V D2因反偏处于截止状态。 ④在图（d）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。 V D1：V AB1＝V A－V B1＝15V－0V＝15V V D2：V AB2＝V A－V B2＝15V－（－10V）＝25V 二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使A点的电位V A＝V B2＋V D2（on）＝－10V＋0.7V＝－9.3V。D1因承受电压而截止。故 V O＝V A＝－9.3V
福建农林大学期末考试试卷（A）卷 2013 ——2014 学年第1 学期 课程名称：低频电子技术考试时间120分钟 专业年级班学号姓名 一、选择题（每小题1分，共10分） A的变1、某负反馈放大器3 10 A，由于外部因素影响，A的变化率为±10％，要求 f 化率±0.1％，则反馈系数F=（D）。 A．0.01 B．0.099 C．0.1 D．0.99 2、在长尾式差动放大电路中，两个放大管发射极公共电阻的主要作用是（D）。 A．提高差模输入电阻 B．提高差模电压放大倍数 C．提高共模电压放大倍数 D．提高共模抑制比 3、反映场效应管放大能力的一个重要参数是（D ） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 4、双端输出的差分放大电路主要（D ）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 5、典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（A ）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断
6、差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（D ） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 7、负反馈放大电路以降低电路的（C ）来提高电路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 8、为了使运放工作于线性状态，应（D ） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 9、在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（B ）。 A. àF=1 B. àF> C. àF<1 D. àF=1 10、振荡电路的振荡频率，通常是由（D ）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 二、填空题（每题2分，共20分） 结的基本特性是特性。 2．双极型晶体管（BJT）工作在放大区的偏置条件是。 3．射极跟随器具体、、等三个特性。 4．差分放大电路的基本功能是、。 5．在信号源内阻小，负载电阻大的场合，欲改善放大电路的性能，应采用反馈。6．为了消除基本共射极放大电路产生的饱和失真，应将静态工作电流。 7．乙类推挽放大电路主要失真是，要消除此失真，应改用。 8．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其反馈类型为。
武汉大学电子信息学院 2012—2013学年度第一学期期末考试试题 低频电子线路（A卷） 一．不定向选择题（每小题2分，共16分） 1．半导体的性质正确的说法有（） A、本征半导体在绝对零度时是绝椽体。 B、温度升高导电能力增强。 C、N型半导体的多子是电子。 D、掺入杂质导电能力提高。2． PN结在外加较大正向电压时（） A、直流电阻大于交流电阻。 B、直流电阻小于交流电阻。 C、扩散电流大于漂移电流。 D、漂移电流大于扩散电流。 3．温度升高时，共发射极放大器的描述中正确的有（） A、β值升高。 B、V 下降。 BE（ON） 降低。 C、集电极电流将下降。 D、饱合压降V CES 4．差分放大器的特点有（） A、放大倍数与输入方式无关。 B、可抑制零点漂移。 C、共模输入电阻很小。 D、共模放大倍数小。 5．负反馈放大器性能的影响或改善正确的说法有（） A、电压反馈使输出电阻减小。 B、电流反馈使输出电阻增大。 C、负反馈使放大器性能稳定。 D、负反馈可以减小放大器的失真。6．关于电流源的说法中正确有 A、具有较小的直流电阻和较大的交流电阻。 B、可作为负载使用。 C、具有较大的直流电阻和较小的交流电阻。 D、可用作偏置电路使用。7．放大器的非线性失真主要有：（） A、频率失真。 B、截止失真。 C、 饱合失真。 D、幅度失真。 8．图示为输出与输入信号电压的波 形。问该电路为（） A、过零比较器。 B、积分器。 C、微分器。 D、滞回电压比较器。 二、填空题（每空1分，共14分） 1．在N型半导体中，多数载流子的浓度主要取决于；少数载流子的浓度主要取决于。 2．已知晶体管的α值为0.98，则晶体管的β＝；若要得到9.8mA的集电极电流，基极电流I B＝。 3．晶体三极管用来放大信号时，应使发射结处于偏置，集电结处
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
高频电子线路（电子）试卷（期中） 一、填空题（共35分） 1．LC串联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈容性，LC并联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈感性（2分） 2. LC串联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈感性，LC并联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈容性。（2分） 3.衡量高频小信号放大器选择性的指标有矩形系数和抑制比。（2分） 4. 要观察调谐放大器的谐振曲线，需要的仪器是扫频仪。（1分） 5. 小信号调谐放大器的主要技术指标有增益、通频带、选择性、工作稳定性和噪声参数。（2分） 6. 单调谐放大器经过级联后电压增益增大、通频带变窄、选择性变好。（3分）7．丙类高频功率放大器空载时工作于临界状态，当加上10kΩ负载时，其电流 I c0和输出功率变化情况为I c0略有增大（基本不变），P o减小。（2分） 8. 发射机的中间级高频功率放大器，应工作于过压状态。因为过压状态输出电压平稳且弱过压时，效率最高。（2分） 9. 高频功率放大器的三种工作状态，分别为过压、临界、欠压。欲使功率放大器高效率地输出最大功率，应使放大器工作在临界状态；为了兼顾效率和功率，一般高频功率放大器的通角θ选为_700。（4分） 10. 发射机的末级高频功率放大器，应工作于临界状态，因为临界状态输出功率最大。（2分） 11. 丙类高频功率放大器原工作于临界状态，当其负载断开时，其电流I c0、I c1和功率变化情况为I c0减小，I cm1减小，P o减小。（3分）12．三端式振荡电路是LC正弦波振荡器的主要形式，可分为电容三端式和电感三端式两种基本类型。（2分） 13. 皮尔斯晶体振荡器中，石英晶体等效为电感元件。（1分）
班级学号姓名分数 2015-2016学年第2学期电子专业 《电子线路CAD》试卷 一、选择题（共30分，每题2分） 1. 在进行电原理图编辑时，双击“Schematic Document”图标后，在“Document”文档下自动创建一个文件，其名为A A、Sheet B、Sheet C、Sheet D、Sheet 2. 原理图文件、印制板文件一般放在C文件夹内 A、Design Team B、Recycle Bin C、Documents 3. 在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是B A、移动元件 B、使选定对象沿逆时针方向旋转90度 C、左右对称 D、上下对称 4. 在画电原理图时，用于连线的只能用A工具栏中的导线 A、Wiring Tools B、Drawing Tools C、 Main Tools 5. 多层板的顶层或底层通过 B 与内部的导电层相连 A、导线 B、过孔 C、网络标号 6. 单面板中用来放置元件的工作层是A A、顶层（ Top Layer） B、底层（Bottom Layer） C、禁止布线层（Keep Out Layer） D、多层（Multilayer） 7. Protel99 SE在初次启动时没有以下 C菜单 A、File B、View C、Design 8. 在Preferences对话框的Schematic选项卡中，如果取消选择Auto-Junction复选框，当原理图中出现T字形连接的时候，表面上连在一起的导线实际上并没有电气意义上的连接，需要用C命令才能将交叉的导线连接起来 A、Place菜单下的Bus Entry命令 B、Place菜单下的Wire命令 C、Place菜单下的Junction命令 D、Place菜单下的Text Frame命令 9. 执行 B命令操作，元件将按顶端对齐 A、Align Right B、Align Top C、Align Left D、Align Bottom
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为 。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于 状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压u id为μV，共模输入信号 u ic为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最； 组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受 最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小 C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A.变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号V im 为5mV ，问输出交流电压V om 为多少？设电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。 【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2） 具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即Ω25电阻上无直流电 压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。 【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a ）所示。 （a ）题图1-4在V im =0时的电路图 （b ）直路分析图 （c ）二极管分析模型 图1-8-1 题图1-4的直流通路获取 在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c ）的模型了。据此，得V 3.57.06直o =-=V ，mA 04.11.5/3.5直D ==I ；管子处于 导通状态。 （2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a ）所 示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c ）。 （a ）令原图直流源为零时的电路 （b ）整理后的交流通路 （c ）小信号等效图 图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取 题图1-4
Ω≈=≈ 25mA 04.1mV 26DQ T d 常温 I V r () ()[] mV 5.225//105.125 //105.12533 im om ≈???+= V V 【结论】 在二极管直流压降V 3.5直D =V ，交流压降mV 5.2m d =交V 条件下，可知满足计 算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即mV 5.2om ≈V 。 1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。 1-10 在某电路保持不变的条件下，温度为20℃时测得二极管的电压V D =0.7V 。当温度上升到40℃时，则V D 的大小将增加还是减小。 1-11 如何用万用表来判断二极管好坏、极性。 1-12 电路如题图1-5所示，请在选用图1-3-7（b ）的二极管模型，以及on 0.6V V =时，画出电路输入输出电压关系曲线。 题图1-5 1-13 电路如题图1-6所示，已知稳压管VD Z 的稳压值V Z ＝10V ，稳定电流的最大值I Zmax = 20mA ，稳定电流的最小值I Zmin = 5mA ，负载电阻R L ＝2k Ω。要求当输入电压V I 由正常值发生±20%波动时，输出电压基本不变。试求：电阻R 和输入电压V I 的正常值。 解： 【分析思路】：根据精度选择的不同得到两种结果： 题图1-6
实验报告 实验课程：低频电子线路实验 学生姓名：付容 学号：6100212236 专业班级：电气信息I类126班 2013年12月26日
目录 实验一、仪器放大器设计与仿真 (3) 实验二、逻辑电平信号检测电路设计与仿真 (8) 实验三、三极管β值分选电路设计与仿真 (13) 实验四、宽带放大电路设计与仿真 (22)
南昌大学实验报告 学生姓名： 付容 学 号： 6100212236 专业班级：电一126班 实验类型：□ 验证 ■ 综合 □ 设计 □ 创新 实验日期： 2013.12 实验成绩： 实验一 仪器放大器设计与仿真 一、实验目的 1、 掌握仪器放大器的设计方法 2、 理解仪器放大器对共模信号的抑制能力 3、 熟悉仪器放大器的调试功能 4、 掌握虚拟仪器库中关于测试模拟电路仪器的使用方法，如示波器，毫伏表信号发生器等虚拟仪器的使用 二、实验原理 仪器放大器是用来放大差值信号的高精度放大器，它具有很大的共模抑制 比，极高的输入电阻，且其增益能在大范围内可调。 下图是由三个集成运放构成的仪器放大器电路。其中，集成运放U3组成减法电路，即差值放大器，集成运放U1和U2各对其相应的信号源组成对称的同相放大器，且 。 图中所示是有三个运放构成的仪器放大器。其中，集成运放U3组成差值方法器，集成运放U 1和U4组成对称的同相放大器，且R 1=R 2，R 3=R 5，R 4=R 6。由于v -错误！未找到引用源。v +，因而加在RG （即R1)两端的电压为错误！未找到引用源。，相应通过RG 的电流i G =错误！未找到引用源。，由于i -错误！未找到引用源。0，因而
一、单选题 １、Proｔｅｌ99SE就是用于（ B )得设计软件. A、电气工程 B、电子线路 C、机械工程 D、建筑工程 2、Pｒoｔel９9 SE原理图文件得格式为（ C )。 A、*、Ｓchlib B、＊、SｃhＤoc Ｃ、＊、ScｈD、＊、Sｄf 3、Protel9９ SE原理图设计工具栏共有（ C ）个。 A、 5 B、 6 C、7 D、 8 ４、执行（Ｃ)命令操作,元器件按水平中心线对齐。 A、Ｃenter B、Ｄｉstrｉbute Horiｚontallｙ Ｃ、Cｅnｔeｒ Horizontaｌ D、Ｈｏrizoｎtal 5、执行( B )命令操作,元器件按垂直均匀分布。 A、ＶerｔicalｌｙＢ、Distｒｉbute Vertｉcaｌly C、Ceｎtｅｒ Verticａlly Ｄ、Ｄisｔribｕte 6、执行(Ｂ）命令操作，元器件按顶端对齐. Ａ、Alｉｇn Ｒiｇht B、Ａlign Toｐ C、Ａlｉgn Leｆｔ D、Align Bottom ７、执行（D )命令操作,元器件按底端对齐。 A、Aｌigｎ Rigｈt Ｂ、Aliｇn Top Ｃ、Align Left D、Ａｌｉｇn Bottom 8、执行(C )命令操作，元器件按左端对齐. Ａ、Aｌｉｇn Right B、Align Top C、Alｉgｎ Left D、Ａｌign Botｔｏm风嗯
9、执行(A)命令操作，元气件按右端对齐。 A、Aliｇn Ｒight Ｂ、Aｌｉgｎ Top C、AligｎＬｅft D、Align Bottoｍ 10、原理图设计时,按下(B )可使元气件旋转90°。 A、回车键 B、空格键 C、X键 D、Y键 1１、原理图设计时，实现连接导线应选择（Ｂ）命令。 A、Ｐｌace/Drawing Tools/Lｉne B、Plaｃe/Wire C、WｉrｅＤ、Line 12、原理图编辑时,从原来光标下得图样位置，移位到工作区中心位置显示，快捷键就是( C )。 A、Pagｅ Uｐ B、Ｐaｇe Down C、Hｏｍe D、Eｎd 13、在原理图设计图样上放置得元器件就是( A）. A、原理图符号 B、元器件封装符号 C、文字符号Ｄ、任意 14、进行原理图设计，必须启动（Ｂ）编辑器. Ａ、PCB B、Sｃhemａｔic C、ScｈematｉｃＬiｂrarｙ D、PCB Ｌibrary 1５、使用计算机键盘上得（ B）键可实现原理图图样得缩小. A、Pａｇe Up Ｂ、Page Dｏwn Ｃ、Hoｍe D、End １6、往原理图图样上放置元器件前必须先(B )。 Ａ、打开浏览器 B、装载元器件库 Ｃ、打开PCＢ编辑器 D、创建设计数据库文件
XX 中学XX 年XX 学期期末考试 电子电路基础试卷（XX 班） （试卷满分100分 考试时间120分钟） 班级 姓名 学号 得分 一、填空题（每空1分，共20分） 1.在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2.在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。 3.数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。 4.在逻辑关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5.十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制。 6.最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。 7.具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 8.两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。 9.组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 二、选择题（每题2分，共30分） 1.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2.十进制数100对应的二进制数为（ C ）。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3.和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4.数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5.所谓机器码是指（ B ）。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 6.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 7.下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。
低频电子线路复习题一 1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ] A. NPN 型硅管 B. PNP 型硅管 C. NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V 1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ] A. 饱和 B. 放大 C. 截止 图1.2 D. 已损坏 1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 图1.3 1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。当温度为20O C 时测得二极管的电压 U D =0.7V 。当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是 [ ] A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定 图1.4 1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ] A.I CBO B.I CES C.I CER D.I CEO 1.7二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性
C.单向导电特性 D.恒流特性 1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO 将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ] A.电流放大系数β B.最大整流电流I F C.集电极最大允许电流I CM D.集电极最大允许耗散功率P CM 1.10 温度升高时，三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和 电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ] A. 0.1 mA B. 2.5mA C. 5mA D. 15 mA 图 1.13 1.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[ ] A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]
电子线路CAD复习题 一、选择题 1、Computer Aided Design简称为（A） (A) CAD（B）CAM（C）EDA（D）PLD 2、运行Protel99 SE所要求的最低分辨率是（C） （A）800＊600（B）1000＊1000（C）1024＊768（D）1024＊678 3、在进行电原理图编辑时，双击”Schematic Doc u ment”图标后，在”Document”文档下自动创建一个文件，其名为（A） （A）Sheet n.Sch (B)Sheet n.Prj (C)Sheet n.Pcb (D)Sheet n.Doc 4、原理图文件、印制板文件一般放在C文件夹内 （A）Design Team （B）Recycle Bin （C）Documents 5、原理图编辑好后，为了获得较好的打印效果，应将图纸方向设置为（B） （A）Landscape（水平）（B）Portrain（垂直）（C）两种方向均可 6、设置SCH的工作环境时，”Visible”、”Snap”、”Electrical Grid”三者的取值大小要合理，否则连线时会造成定位困难或连线弯曲的现象。一般来说，可视栅格大小与锁定栅格大小相同，而“电气格点自动搜索”半径范围要A锁定栅格距离的一半。 （A）略小于（B）略大小（C）等于 7、在放置元件操作过程，按下键盘上的Tab键，其作用是（A） （A）修改元件属性（B）旋转（C）空一格 8、在元件属性设置窗中，元件的序号应在哪设置（B） （A）Footprint（B）Designator（C）Part(第一个) 9、在元件属性设置窗中，元件的型号或大小应在哪设置（C） （A）Footprint（B）Designator（C）Part(第一个) 10、在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是（B） （A）移动元件（B）使选定对象沿逆时针方向旋转90度（C）左右对称（D）上下对称 11、在画电原理图时，用于连线操作的只能用A工具栏中的导线 （A）Wiring Tools（B）Drawing Tools（C）Main Tools 12、A既可用于同一张电路图内任何两个引脚之间的电气连接关系，也可用于表示同一电路系统中各分电路图之间元件引脚的连接关系。 （A）I/O端口（B）网络标号（C）导线（D）总线 13、要删除多个对象时，可执行”Edit”菜单下的B命令后，将光标移到待删除的对象上，单击鼠标左键即可。 （A）Clear（B）Delete（C）Cut 14、对多个对象进行标记后，执行”Edit”菜单下的A命令即可一次性地删除已标记的多个对象。 （A）Clear（B）Delete（C）End 15、下面哪一项不是原理图电气检查的内容（D） （A）没有连接的网络标号（B）悬空的输入引脚（C）没有连接的电源及地线（D）没有标明元件的封装 16、下面哪一项不是网络表文件中的元器件基本信息（） （A）元件的序号（B）元件封装形式（C）注释信息（D）各元器件的连接关系
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P 。= 1000 W ，当集电极效率C 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？ 解： 当C1 = 40 时，P D1 = P o / C = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W 当C2 = 70 时，P D2 = P o / C =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 W P C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W 1- 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、C （运用图解法）：（1）R L = 10，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 ，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 ，Q 点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1 cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ， C = P L / P D = 24 (2) 当 R L = 5 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1 cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ， C = P L / P D = 12 (3) 当 R L = 5 ，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 - v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax - I CQ3 = 240 mA
电子线路试题及参考答案 试 题 一、单项选择题（在下列各题的四个选项中，只有一项是最符合题意的。本大题共35小题，每小题2分，共70分） 1．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ） A ．掺杂工艺 B ．温度 C ．杂质浓度 D ．晶体缺陷 2．在半导体材料中，其正确的说法是（ ） A ．P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。 B ．P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电。 C ．N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。 D ．N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电。 3．由理想二极管组成的电路如图1所示，其A 、B 两端的电压为（ ） A ．–12V B ．+6V C ．–6V D ．+12V 4．使用万用表直流电压挡，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示，从而可判断出该晶体管工作在（ ） A ．饱和状态 B ．放大状态 C ．截止状态 D ．倒置状态 5．对于图3所示复合管，设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻，则复合管的输入电阻r be 为（ ） A ．r be =r be1 B ．r be =r be2 C ．r be =r be1+(1+ )r be2 D ．r be =r be1+r be2 6．在图4电路中，设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。当输入f =1kHz 的正弦电压信号后，用示波器观察V i 和V o ，则二者相位关系为（ ） A ．相差90° B ．相差45° C ．同相 D ．相差180° 7．为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（ ） A ．共射电路 B ．差分放大电路 C ．OCL 电路（互补对称电路） D ．共集电路 8．差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了（ ） A ．提高共模电压放大倍数 B ．提高差模电压放大倍数 C ．提高差模输入电阻 图 1 图 2 图 3 图4