单片机基础（第3版）
第1章计算机基础知识
（一）填空题
1.十进制数14对应的二进制数表示为（1110B），十六进制数表示为（0EH）。
十进制数-100的补码为（9CH），+100的补码为（64H）。
2.在一个非零的无符号二进制整数的末尾加两个0后，形成一个新的无符号二
进制整数，则新数是原数的（4）倍。
3.8位无符号二进制数能表示的最大十进制数是（255）。带符号二进制数
11001101转换成十进制数是（-51）。
4.可以将各种不同类型数据转换为计算机能处理的形式并输送到计算机中去
的设备统称为（输入设备）。
5.已知字符D的ASCII码是十六进制数44，则字符T的ASCII码是十进制数
（84）。
6.若某存储器容量为640KB，则表示该存储器共有（655360）个存储单元。
7.在计算机中，二进制数的单位从小到大依次为（位）、（字节）和（字），对
应的英文名称分别是（bit）、（Byte）和（Word）。
8.设二进制数A=10101101，B=01110110，则逻辑运算A∨B=（11111111），A
∧B=（00100100），A⊕B=（11011011）。
9.机器数01101110的真值是（+110），机器数01011001的真值是（+89），机
器数10011101的真值是（+157或-115），机器数10001101的真值是（+206或-50）。
（二）单项选择题
1. 用8位二进制补码数所能表示的十进制数范围是（D）
（A）-127 ~ +127 （B）-128 ~ +128
（C）-127 ~ +128 （D）-128 ~ +127
2. 下列等式中，正确的是（B）
（A）1 KB = 1024×1024 B （B）1 MB = 1024×1024 B
（C）1 KB = 1024 M B （D）1 MB = 1024 B
3. 程序与软件的区别是（C）
（A）程序小而软件大（B）程序便宜而软件昂贵
（C）软件包括程序（D）程序包括软件
4. 存储器中，每个存储单元都被赋予惟一的编号，这个编号称为（A）
（A）地址（B）字节（C）列号（D）容量
5. 8位二进制数所能表示的最大无符号数是（B）
（A）255 （B）256 （C）128 （D）127
6. 下列4个无符号数中，最小的数是（B）
（A）11011001（二进制）（B）37（八进制）
（C）75（十进制）（D）24（十六进制）
7. 下列字符中，ASCII码最小的是（B）
（A）a （B）A （C）x （D）X
8. 下列字符中，ASCII码最大的是（C）
（A）a （B）A （C）x （D）X
9. 有一个数152，它与十六进制数6A相等，那么该数是（B）
（A）二进制数（B）八进制数（C）十进制数（D）十六进制数
第2章80C51单片机的硬件结构
（一）填空题
1.通过堆栈实现子程序调用，首先要把（PC）的内容入栈，以进行断点保护。
调用返回时再进行出栈操作，把保护的断点送回（PC）。
2.80C51单片机的时钟电路包括两部分内容，即芯片内的（高增益反相放大器
反相器）和芯片外跨接的（石英晶体振荡器晶振）与（两个微调电容）。若调高单片机的晶振频率，则单片机的机器周期会变（短）。
3.通常单片机有两种复位操作，即（上电复位）和（手动复位）。复位后，PC
值为（0000H），SP值为（07H），通用寄存器的当前寄存器组为（第0）组，该组寄存器的地址范围是从（00H）到（07H）。
4.80C51单片机中，一个机器周期包含（6）个状态周期，一个状态周期又可
划分为（2）个拍节，一个拍节为（1）个振荡脉冲周期。因此，一个机器周期应包含（12）个振荡脉冲周期。
5.80C51中惟一一个可供用户使用的16位寄存器是（DPTR），它可拆分为两
个8位寄存器使用，名称分别为（DPH）和（DPL）。
6.单片机程序存储器的寻址范围由PC的位数决定。80C51的PC为16位，因
此程序存储器地址空间是（64 KB）。
（二）单项选择题
1. 下列概念叙述正确的是（D）
（A）80C51中共有5个中断源，因此在芯片上相应地有5个中断请求输入引脚
（B）特殊的存取规则使得堆栈已不是数据存储区的一部分
（C）可以把PC看成是数据存储空间的地址指针
（D）CPU中反映程序运行状态和运算结果特征的寄存器是PSW
2. 取指操作后，PC的值是（C）
（A）当前指令前一条指令的地址（B）当前正在执行指令的地址
（C）下一条指令的地址（D）控制寄存器中指令寄存器的地址3. 80C51单片机中，设置堆栈指针SP为37H后就发生子程序调用，这时SP
的值变为（C）
（A）37H （B）38H （C）39H （D）3AH
4. 设置堆栈指针SP = 30H后，进行一系列的堆栈操作。当进栈数据全部弹出
后，SP应指向（A）
（A）30H单元（B）07H单元（C）31H单元（D）2FH单元5. 下列关于堆栈的描述中，错误的是（C）
（A）80C51的堆栈在内部RAM中开辟，所以SP只需8位就够了
（B）堆栈指针SP的内容是堆栈栈顶单元的地址
（C）在80C51中，堆栈操作过程与一般RAM单元的读/写操作没有区别（D）在中断响应时，断点地址自动进栈
6. 在单片机芯片内设置通用寄存器的好处不应该包括（A）
（A）提高程序运行的可靠性（B）提高程序运行速度
（C）为程序设计提供方便（D）减小程序长度
7. 下列叙述中正确的是（D）
（A）SP内装的是堆栈栈顶单元的内容
（B）在中断服务程序中没有PUSH和POP指令，说明此次中断操作与堆栈无关
（C）在单片机中配合实现“程序存储自动执行”的寄存器是累加器
（D）两数相加后，若A中数据为66H，则PSW中最低位的状态为0
第3章80C51单片机指令系统
（一）填空题
1.假定累加器A中的内容为30H，执行指令“1000H：MOVC A, @A+PC”
后，会把程序存储器（1031H）单元的内容送累加器A。
2.假定（A）=85H，（R0）=20H，（20H）=0AFH，执行指令“ADD A, @R0”
后，累加器A的内容为（34H），CY的内容为（1），AC的内容为（1），OV 的内容为（1）。
=∧∧）3.执行如下指令序列后，所实现的逻辑运算式为（P3.0P1.0P1.1P1.2
MOV C, P1.0
ANL C, P1.1
ANL C, /P1.2
MOV P3.0, C
4.假定addr11=00100000000B，标号qaz的地址为1030H，执行指令“qaz: AJMP
addr11”后，程序转移到地址（1100H）去执行。
5.累加器A中存放着一个其值小于或等于127的8位无符号数，CY清0后执
行“RLC A”指令，则A中的数变为原来的（2）倍。
6.已知A=7AH，R0=30H，（30H）=A5H，PSW=80H，请按要求填写各条指令
的执行结果（每条指令均按已给定的原始数据进行操作）。
XCH A, R0 A=（30H），R0=（7AH）
XCH A, 30H A=（0A5H）
XCH A, @R0 A=（0A5H）
XCHD A, @R0 A=（75H）
SWAP A A=（0A7H）
ADD A, R0 A=（0AAH），CY=（0），OV=（1）
ADD A, 30H A=（1FH ），CY=（1），OV=（0）
ADD A, #30H A=（0AAH），CY=（0），OV=（1）
ADDC A, 30H A=（20H ），CY=（1），OV=（0）
SUBB A, 30H A=（0D4H），CY=（1），OV=（1）
SUBB A, #30H A=（49H ），CY=（0），OV=（0）（二）单项选择题
1. 下列指令或指令序列中，不能实现PSW内容送A的是（C）
（A）MOV A, PSW （B）MOV A, 0D0H
（C）MOV R0, 0D0H （D）PUSH PSW
MOV A,@R0 POP ACC
2. 在相对寻址方式中，“相对”两字是指相对于（C）
（A）地址偏移量rel （B）当前指令的首地址
（C）下一条指令的首地址（D）DPTR值
3. 下列指令或指令序列中，能将外部数据存储器3355H单元内容传送给A的
是（B）
（A）MOVX A, 3355H （B）MOV DPTR, #3355H
MOVX A, @ DPTR （C）MOV P0, #33H （D）MOV P2, #33H
MOV R0, #55H MOV R2, #55H
MOVX A, @ R0 MOVX A, @ R2
4. 对程序存储器的读操作，只能使用（D）
（A）MOV 指令（B）PUSH 指令
（C）MOV X指令（D）MOVC指令
5. 执行返回指令后，返回的断点是（C）
（A）调用指令的首地址（B）调用指令的末地址
（C）调用指令的下一条指令的首地址（D）返回指令的末地址
6. 以下各项中不能用来对内部数据存储器进行访问的是（A）
（A）数据指针DPTR （B）按存储单元地址或名称
（C）堆栈指针SP （D）由R0或R1作间址寄存器（三）其他类型题
1. 判断下列指令的合法性（合法打“√”，非法打“×”）
MOV A, @R2 （×）MOV R0, R1 （×）INC DPTR （√）MOV PC, #2222H （×）DEC DPTR （×）RLC R0 （×）MOV 0E0H, @R0 （√）CPL R5 （×）CLR R0 （×）CPL F0H （×）PUSH DPTR （×）POP 30H （√）MOVX A, @R1 （√）MOV A, 1FH （√）MOV C, 1FH （√）MOV F0, ACC.3 （×）MOV F0, C （√）MOV P1, R3 （√）MOV DPTR, #0FCH（×）CPL 30H （√）PUSH R0 （×）MOV C, #0FFH （×）MOV A, #0D0H（√）
2.利用位操作指令序列实现下列逻辑运算。
（1）D=(10H P1.0)(11H CY)
∨∧∨
MOV C, P1.0
ORL C, /10H
MOV F0, C
ORL C, 11H
ANL C, F0
MOV D, C
（2）E=ACC.2P2.7ACC.1P2.0
∧∨∧
MOV C, ACC.2
ANL C, P2.7
ORL C, ACC.1
ANL C, P2.0
MOV E, C
3.编写程序将内部RAM 20H ~ 23H单元的高4位写1，低4位写0。
分析：就是把内部RAM 20H ~ 23H这4个单元写入0F0H。用一个DJNZ的循环。
ORG 0000H
MOV R0, #20H ; R0指向20H单元
MOV R1, #04H ; 4个单元
LOOP: MOV @R0, #0F0H ; 写入
INC R0
DJNZ R1, LOOP ; 循环4次
END
4.在m和m+1单元中存有两个BCD数，将他们合并到m单元中，编写程序
完成。
ORG 0030H
MOV R0, #m
MOV A, @R0 ; 将m单元中的BCD数送入累加器A
ANL A, #0FH ; 把m单元的高4位清0
SWAP A ; 将m单元中的BCD数移入高4位
MOV @R0, A ; m单元高4位为BCD数，低4位为0
INC R0 ; 指向m+1单元
MOV A, @R0 ; 将m+1单元中的BCD数送入累加器A
ANL A, #0FH ; 把m+1单元的高4位清0
DEC R0 ; 指向m单元
ORL A, @R0 ; 将和m+1单元和m单元内容合并
MOV @R0, A ; 合并后结果送m单元
END
5.将内部RAM中从data单元开始的10个无符号数相加，其和送sum单元。
假定相加结果小于255。编写程序完成。
ORG 0030H
MOV R0, #10 ; 给R0 置计数器初值
MOV R1, # data ; 数据块首址送R1
CLR A ; A清零
LOOP: ADD A, @R1 ; 加一个数
INC R1 ; 修改地址，指向下一个数
DJNZ R0, LOOP ; R0 减1，不为零循环
MOV sum, A ; 存10 个数相加和
END
6.假定8位二进制带符号数存于R0中，要求编写一个求补（取反）程序，所
得补码放入R1中。
分析：对存于R0中的二进制带符号数，如果是正数，则将其变成绝对值相等的负数（用补码表示）；如果是负数（用补码表示），则将其变成绝对值相等的正数。
ORG 0030H
MOV A, R0 ; 将带符号数送入A
CPL A
ADD A, #01H ; 末位加1
MOV R1, A ; 补码存入R1
END
第4章单片机汇编语言程序设计
（一）填空题
1.假定A=40H，R1=23H，（40H）= 05H。执行以下两条指令后，A=（25H），
R1=（40H），（40H）=（03H）。
XCH A, R1 ; A=23H，R1=40H
XCHD A, @R1 ; A=20H，（40H）=03H
2.假定80C51的晶振频率为6 MHz，执行下列程序后，在P1.1引脚产生的方
波宽度为（5.804ms）
START: SETB P1.1 ; P1.1置1（1周期）
DL: MOV 30H, #03H ; 30H置初值（1周期）
DL0: MOV 31H, #0F0H ; 31H置初值（1周期）
DL1: DJNZ 31H, DL1 ; 31H减1，不为0重复执行（2周期）DJNZ 30H, DL0 ; 30H减1，不为0转DL0（2周期）
CPL P1.1 ; P1.1取反（1周期）
SJMP DL ; 转DL（2周期）
方波宽度={[(2*15*16+2+1)*3]+[(2*15*16+2+1)*3+1+2+1]}*2=5804μs
3.下列程序中，X、Y和Z为输入的8位无符号二进制数，F为输出的逻辑运
算结果。试画出该程序所模拟的组合逻辑电路。
MOV A, X
ANL A, Y
MOV R1, A
MOV A, Y
XRL A, Z
CPL A
ORL A, R1
MOV F, A
()()
F=X Y Y Z
∧∨⊕
&
&
&
1
≥
1
≥
X
Y
Z
F
4.分析下列跳转程序，程序中A与30H单元中的数都是符号数，说明当（A=
（30H））时转向LOOP1，当（A>（30H））时转向LOOP2，当（A<（30H））时转向LOOP3。
MOV R0, A ; R0←A
ANL A, #80H
JNZ NEG ; A<0，转NEG
MOV A, 30H
ANL A, #80H
JNZ LOOP2 ; A≥0，(30H) <0，转LOOP2
SJMP COMP ; A≥0，(30H)≥0，转COMP NEG: MOV A, 30H
ANL A, #80H
JZ LOOP3 ; A<0，(30H) ≥0，转LOOP3 COMP: MOV A, R0
CJNE A, 30H, NEXT ; A≠(30H)，转NEXT
SJMP LOOP1 ; A=(30H)，转LOOP1
NEXT: JNC LOOP2 ; A＞(30H)，转LOOP2
JC LOOP3 ; A＜(30H)，转LOOP3
综上分析可知，当A=（30H）时转向LOOP1，A>（30H）时转向LOOP2，A<（30H）时转向LOOP3。
5.假定80C51的晶振频率为6 MHz，下列程序的执行时间为（30.696ms）。已
知程序中前2条指令机器周期数为1，后4条指令机器周期数为2。
MOV R3, #15 1周期
DL1: MOV R4, #255 1周期
DL2: MOV P1, R3 2周期
DJNZ R4, DL2 2周期
DJNZ R3, DL1 2周期
RET 2周期
执行时间：T={[(2+2)*255+2+1]*15+2+1}*2=30696 s
（二）编程题
1.把长度为10H的字符串从内部RAM的输入缓冲区inbuf向位于外部RAM的
输出缓冲区outbuf传送，一直进行到遇见回车或整个字符串传送完毕，试编程实现。
ORG 0030H
MOV R0, #inbuf
MOV DPTR, #outbuf
MOV R4, #10H
LOOP: MOV A, @R0 ; 从内部RAM取数
CJNE A,#0DH, LL ; 是否为回车符CR
SJMP STOP ; 是回车符，则转STOP，停止传送LL: MOVX @ DPTR, A ; 不是回车符，则传送到外部RAM INC R0
INC DPTR
DJNZ R4, LOOP ; 沒传送完则循环
STOP: SJMP $
2.内部RAM从list单元开始存放一正数表，表中之数作无序排列，并以﹣1
作结束标志。编程实现找出表中最小数。
分析：从list+1单元开始判断其中的数是否为-1，将比较得到的小数放入累加器A
ORG 0030H
MOV R0, #list
MOV A, @R0 ;取第一个正数
LOOP: INC R0 ;指向下一个正数
MOV 30H, @R0
CJNE A, 30H, CHK ;前一个数与后一个数比较
CHK: JC LOOP1 ;前一个数小，则转LOOP1
MOV A, 30H ;前一个数大，取后一个数
LOOP1: XCH A, 30H
CJNE A, #0FFH, LOOP ;判断后一个数是否为-1
XCH A, 30H ;取最小数
SJMP $
3.内部RAM的X，Y 单元中各存放一个带符号的数，试编程实现按如下条件
进行的运算，并将结果存入Z单元中。
若X为正奇数，Z ＝X＋Y；
若X为正偶数，Z ＝X∨Y；
若X为负奇数，Z ＝X∧Y；
若X为负偶数，Z ＝X⊕Y。
分析：正数：第7位为0，负数：第7位为1；奇数：第0位为1，偶数：第0位为0 方法1：利用ANL指令判断正负、奇偶
ORG 0030H
MOV A, X
ANL A, #80H ; 判断X正负
JNZ NEG ; 若X为负，转NEG
MOV A, X ; X为正
ANL A, #01H ; 判断X奇偶
JZ EVEN1 ; 若X为偶数，转EVEN1
MOV A, X
ADD A, Y ; 若X为正奇数，Z＝X＋Y
SJMP RESULT
EVEN1: MOV A, X
ORL A, Y ; 若X为正偶数，Z＝X∨Y
SJMP RESULT
NEG: MOV A, X ; X为负
ANL A, #01H ; 判断X奇偶
JZ EVEN2 ; 若X为偶数，转EVEN2
MOV A, X
ANL A, Y ; 若X为负奇数，Z＝X∧Y
SJMP RESULT
EVEN2: MOV A, X ; 若X为负偶数，Z＝X⊕Y
XRL A, Y
RESULT: MOV Z, A
方法2：RL指令将符号位移入CY判断正负，RR指令将最低位移入CY判断奇偶MOV A, X
CLR C
RLC A
JC NEG ;X为负，转至NEG
RRC A
RRC A
JNC EVEN1 ; X为偶数，转至EVEN1
MOV A, X
ADD A, Y ; X为正奇数，Z ＝X＋Y
SJMP RETULT
EVEN1: MOV A, X
ORL A, Y ; X为正偶数，Z ＝X∨Y
SJMP RETULT
NEG: RRC A,
RRC A
JNC EVEN2
MOV A, X
ANL A, Y ; X为负奇数，Z ＝X∧Y
SJMP RETULT
EVEN2: MOV A, X
XRL A, Y ; X为负偶数，Z ＝X⊕Y
RETULT: MOV Z, A
END
4.把一个8位二进制数的各位用ASCII码表示之（例如，为0的位用30H表示，
为1的位用31H表示等）。该数存放在内部RAM的byte单元中。变换后得到的8个ASCII码存放在外部RAM以buf开始的存储单元中，试编程实现。
ORG 0030H
MOV DPTR, #buf MOV R0, # byte MOV R7, #08H MOV A, @ R0 CLR
C LOOP1 :
RRC
A
MOV R6, A JC
ONE
MOV A, #30H SJMP LOOP2
ONE: MOV A, #31H LOOP2 :
MOVX @DPTR, A INC
DPTR
MOV A, R6 DJNZ R7, LOOP1
5. 编程实现运算式22c a b =+。假定a 、b 、c 3个数分别存放于内部RAM 的
DA 、DB 、DC 单元中，另有平方运算子程序SQR 供调用。
ORG
0030H
MOV A, DA PUSH ACC ACALL SQR POP
ACC
MOV DC, A MOV A, DB PUSH ACC ACALL SQR POP ACC ADD
A, DC
MOV DC, A
SQR: POP ACC
MOV B, A
MUL AB
PUSH ACC
RET
END
6.试编程实现两个ASCII码字符串是否相等。字符串的长度在内部RAM 41H
单元中，第1个字符串的首地址为42H，第2个字符串的首地址为52H。如果两个字符串相等，则置内部RAM 40H单元为00H；否则置40H单元为FFH。
ORG 0030H
MOV R0, #42H
MOV R1, #52H
MOV R7, 41H
LOOP: MOV A, @R0
MOV 30H, @R1
CJNE A, 30H, LK
INC R0
INC R1
DJNZ R7, LOOP
MOV 40H, #00H
SJMP DD
LK: MOV 40H, #0FFH
DD: SJMP DD
7.在外部RAM首地址为table的数据表中，有10字节数据。试编程实现将每
个字节的最高位无条件置1。
ORG 0030H
MOV DPTR, #table
MOV R6, #10
LOOP: MOVX A, @DPTR
SETB ACC.7 MOVX @DPTR, A INC
DPTR DJNZ
R6, LOOP
第5章 80C51单片机的中断与定时
（一）填空题
1. 中断技术是解决资源竞争的有效方法，因此，可以说中断技术实质上是一种
资源（共享）技术。
2. 上电复位后，各中断优先级从高到低的次序为（外部中断0）、（定时器/计数
器0中断）、（外部中断1）、（定时器/计数器1中断）和（串行中断）。 3. 响应中断后，产生长调用指令LCALL ，执行该指令的过程包括：首先把（PC ）
的内容压入堆栈，以进行断点保护，然后把长调用指令的16位地址送（PC ），使程序执行转向（ROM ）中的中断地址区。
4. 当计数器产生计数溢出时，把定时器控制寄存器的TF0（TF1）位置1。对计
数溢出的处理，在中断方式时，该位作为（中断请求标志位）使用；在查询方式时，该位作（查询状态位）使用。
5. 定时器1工作于方式3做波特率发生器使用时，若系统晶振频率为12 MHz ，
可产生的最低波特率为（15.26 b/s ），最高波特率为（1000000 b/s ）。 对于12MHz 的晶振，一个机器周期为1μs ，定时器1做波特率发生器使用时，若工作于方式1，计数初值为0，则波特率最低，为()6165536 1.01015.26b s -??= 若计数初值为65535，则波特率最高，为()611 1.010*******b s -??=
6. 定时器0工作于方式2的计数方式，预置的计数初值为156，若通过引脚T0
输入周期为1ms 的脉冲，则定时器0的定时时间为（100ms ）。
7. 用于定时测试压力和温度的单片机应用系统，以定时器0实现定时。压力超
限和温度超限的报警信号分别由INT0和INT1输入，中断优先顺序为：压力超限→温度超限→定时检测。为此，中断允许控制寄存器IE 最低3位的状态应是（111），中断优先级控制寄存器IP 最低3位的状态应是（101）。
8.可利用定时器来扩展外部中断源。若以定时器1扩展外部中断源，则该扩展
外中断的中断请求输入端应为（T1）引脚，定时器1应取工作方式（2），预置的计数初值应为（0FFH），扩展外中断的入口地址应为（001BH）。
（二）单项选择题
1. 下列有关80C51中断优先级控制的叙述中错误的是（D）
（A）低优先级不能中断高优先级，但高优先级能中断低优先级
（B）同级中断不能嵌套
（C）同级中断请求按时间的先后顺序响应
（D）同一时刻，同级的多中断请求，将形成阻塞，系统无法响应
2. 80C51有两个定时器，下列有关这两个定时器级联定时问题的叙述中，正确
的是（C）
（A）可以实现软件级联定时，而不能实现硬件级联定时
（B）可以实现硬件级联定时，而不能实现软件级联定时
（C）软件级联定时和硬件级联定时都可以实现
（D）软件级联定时和硬件级联定时都不能实现
3. 在工作方式0下，计数器由TH的全部8位和TL的低5位组成，因此，其
计数范围是（A）
（A）1 ~ 8192 （B）0 ~ 8191 （C）0 ~ 8192 （D）1 ~ 4096 4. 对于由80C51构成的单片机应用系统，中断响应并自动生成长调用指令
LCALL后，应（B）
（A）转向外部程序存储器去执行中断服务程序
（B）转向内部程序存储器去执行中断服务程序
（C）转向外部数据存储器去执行中断服务程序
（D）转向内部数据存储器去执行中断服务程序
5. 中断查询确认后，在下列各种单片机运行情况中，能立即进行响应的是（D）
（A）当前正在进行高优先级中断处理
（B）当前正在执行RETI指令
（C）当前指令是DIV指令，且正处于取指机器周期
（D）当前指令是“MOV A, Rn”指令
6. 下列条件中，不是中断响应必要条件的是（C）
（A）TCON或SCON寄存器中相关的中断标志位置1
（B）IE寄存器中相关的中断允许位置1
（C）IP寄存器中相关位置1
（D）中断请求发生在指令周期的最后一个机器周期
7. 在单片机的下列功能或操作中，不使用中断方法的是（D）
（A）串行数据传送操作（B）实时处理
（C）故障处理（D）存储器读/写操作
第6章单片机并行存储器扩展
（一）填空题
1.使用8KB×8位的RAM芯片，用译码法扩展64KB×8位的外部数据存储器，
需要（8）片存储芯片，共需使用（16）条地址线，其中（13）条用于存储单元选择，（3）条用于芯片选择。
2.三态缓冲器的三态分别是（低电平）、（高电平）和（高阻抗）。
3.80C51单片机系统整个存储空间由4部分组成，分别为（256）个地址单元
的内部（数据）存储器，（4KB）个地址单元的内部（程序）存储器，（64KB）个地址单元的外部（数据）存储器，（60KB）个地址单元的外部（程序）存储器。
4.在80C51单片机系统中，为外扩展存储器准备了（16）条地址线，其中低位
地址线由（P0口）提供，高位地址线由（P2口）提供。
5.在80C51单片机系统中，存储器并行外扩展涉及的控制信号有（ALE）、
（WR）、（RD）、（P S E N）和（CE），其中用于分离低8位地址和数据的控制信号是（ALE），它的频率是晶振频率的（6）分之一。
6.起止地址为0000H ~ 3FFFH的外扩展存储器芯片的容量是（16KB）。若外扩
展存储器芯片的容量为2KB，起始地址为3000H，则终止地址应为（37FFH）。
7.与微型机相比，单片机必须具有足够容量的程序存储器是因为它没有（外
存）。
8.在存储器扩展中，无论是线选法还是译码法，最终都是为扩展芯片的（片选）
引脚端提供信号。
9.由一片80C51和一片2716组成的单片机最小系统。若2716片选信号CE接
地，则该存储芯片连接共需（11）条地址线。除数据线外，系统中连接的信号线只有（PSEN）和（ALE）。
（二）单项选择题
1. 下列有关单片机程序存储器的论述中，错误的是（D）
（A）用户程序保存在程序存储器中
（B）断电后程序存储器仍能保存程序
（C）对于程序存储器只使用MOVC一种指令
（D）执行程序需要使用MOVC指令从程序存储器中逐条读出指令
2. 下列有关单片机数据存储器的论述中，错误的是（A）
（A）数据存储器只使用MOV指令进行读/写
（B）堆栈在数据存储器中开辟
（C）数据存储器只用于保存临时数据
（D）专用寄存器也是数据存储器的一部分
3. 在单片机系统中，1KB表示的二进制位数是（D）
（A）1000 （B）8×1000 （C）1024 （D）8×1024
4. 在下列信号中，不是供外扩展程序存储器使用的是（D）
（A）PSEN（B）EA（C）ALE （D）WR
5. RAM是随机存储器的意思，随机存储器的准确含义是（B）
（A）存储器的各存储单元的存取时间相等
（B）可以在任何时刻随机读/写存储器内各存储单元
（C）随机表示既可读又可写
（D）随机是易失的意思，因为随机存储器具有易失的特点
6. 若在系统中只扩展一片Intel 2732（4K×8位），除应使用P0口的8条口线外，
至少还应使用P2口的口线（A）
（A）4条（B）5条（C）6条（D）7条
7. 下列叙述中，不属于单片机存储器系统特点的是（D）
（A）程序和数据两种类型的存储器同时存在
（B）芯片内外存储器同时存在
（C）扩展数据存储器与片内数据存储空间重叠
（D）扩展程序存储器与片内程序存储空间重叠
8. 在80C51单片机系统中，为解决内外程序存储器衔接问题所使用的信号是
（A）
（A）EA（B）PSEN（C）ALE （D）CE
第7章单片机并行I/O扩展
（一）填空题
1.80C51单片机I/O扩展占据的是（外部数据）存储器的地址空间，因此，其
扩展连接只涉及（ALE）、（WR）和（RD）3个控制信号。
2.在单片机中，为实现数据的I/O传送，可使用3种控制方式，即（无条件）
方式、（查询）方式和（中断）方式。其中效率较高的是（中断方式）。
3.简单输入口扩展是为了实现输入数据的（缓冲）功能，而输出口扩展是为了
实现输出数据的（锁存）功能。
第8章80C51单片机串行通信
（一）填空题
1.异步串行数据通信的帧格式由（起始）位、（数据）位、（奇偶校验）位、（停
止）位组成。若串行异步通信每帧为11位，串行口每秒传送250个字符，则波特率应为（2750 b/s）。
2.串行通信有（单工）、（双工）和（半双工）共3种数据通路形式。
3.串行接口电路的主要功能是（串行）化和（反串行）化，把帧中格式信息滤
材料科学基础复习总结填空 1.过冷奥氏体发生的马氏体转变属于（非扩散型相变）。 2.碳钢淬火要得到马氏体组织，其冷却速度要（大于）临界冷却速度(vk)。 3.珠光体型的组织是由铁素体和渗碳体组成的（机械混合物）。 4.工件淬火后需立即回火处理，随着回火温度的提高，材料的硬度（越低）。 5.共析成分的液态铁碳合金缓慢冷却得到的平衡组织是P（铁碳相图） 6.表征材料表面局部区域内抵抗变形能力的指标为（硬度）。 7.下列原子结合键既具有方向性又具有饱和性的是（共价键）。 8.下面哪个不属于大多数金属具有的晶体结构（面心立方、体心立方、密排六方）。 9.面心立方结构晶胞中原子数个数是（ 4 ）。 10.如图1所示的位错环中，属于刃型位错的是（）。 11.A为右螺旋位错，B为左螺旋位 错，C为正刃位错，D为负刃位错， E为混合位错。 判断方法是根据柏氏矢量与位错线 所形成的角度，图中位错环所标的 方向为位错线的规定方向，柏氏矢 量垂直于位错的是刃型位错，然后 将柏氏矢量按顺时针方向旋转90°，与位错方向相同的为正，相反的为负，叫做顺正逆负。柏氏矢量与位错方向平行的是螺型位错，方向相同的为右螺，方向相反为左螺，这叫做顺右逆左。除ABCD四点之外位错环上其他任意一点均是混合位错。 12.固体材料中物质传输的方式为（扩散）。液态是对流。 13.纯铁在室温下的晶体结构为（面心立方）。 14.由一种成分的液相同时凝固生成两种不同成分固相的过程称为（共晶）。 15.共析包晶 16.碳原子溶于α-Fe中形成的固溶体为（铁素体）。 17.钢铁材料的热加工通常需要加热到（奥氏体）相区。 18.成分三角形中标出了O材料的成分点( )。三元相图 19.白铜是以（镍）为主要合金元素的铜合金。 20.45钢和40Cr钢比较，45钢的（淬透性低（合金），淬硬性高（含碳量））。 21.金属塑性变形方式的是（滑移）。孪生 22.高分子大分子链的柔顺性决定了高分子材料独特的性能。 23.在置换型固溶体中，两组元原子扩散速率的差异引起的标记面漂移现象称为柯肯达耳效应。 24.为减少铸造缺陷，铸造合金需要熔点低、流动性好，因此一般选择共晶点附近的合金。 25.根据相律，对于三元合金，最大的平衡相数为4个。 26.调质处理是淬火+高温回火的复合热处理工艺。 27.材料塑性常用断后伸长率和断后收缩率两个指标表示。
1、哲学和具体科学的关系？ 答：（1）马克思主义哲学与具体科学是一般与个别的关系，二者之间存在着既相互区别又相互联系的辩证统一关系。（2）它们之间的区别表现在：具体科学以世界某一特殊领域的具体规律为自己的研究对象，因而其理论具有个别性和特殊性；马克思主义哲学以包括自然、社会和人类思维在内的整个世界的最一般规律作为自己的研究对象，因而其理论具有一般性和普遍性。（3）它们之间的联系表现在：一方面，马克思主义哲学以具体科学为基础，没有具体科学的发展，马克思主义哲学既不可能产生，也不可能发展；另一方面，具体科学以马克思主义哲学为指导，马克思主义哲学为具体科学的研究提供正确的世界观和方法论。 2、哲学基本问题及内容？ 答：在哲学研究的众多问题中，有一个重大的基本问题，那就是精神和物质的关系问题。哲学基本问题包括两方面的内容：一是，精神和物质何者为第一性，即谁先谁后，谁决定谁，谁是世界的本质、本原。二是，精神和物质之间有无同一性，人们能否认识世界和改造世界。在这个问题上，哲学史上历来存在着两种根本对立的观点：一种是辩证法的观点，他把世界看作是普遍联系的整体和永恒发展的过程，一切事物都是由内部矛盾推动而不断地运动、变化和发展着；另一种是形而上学的观点，它用孤立的、静止的、片面的观点看世界，把世界的各种现象看作是各自孤立、静止不变的东西，认为世界是没有矛盾的，是不会发展的，有变化也只是事物数量的增减或场所的变更，认为这种变化纯粹是外力推动的结果。 3、“与时俱进”的科学含义是什么？ 答：与时俱进是解放思想和实事求是的根本要求。与时俱进，就是人们的思想和行为要随着时间的改变而改变，随着事物的发展而发展，要体现时代性、把握规律性、富于创造性。首先，与时俱进必须体现时代性。与时俱进要求我们始终站在时代的前列，使得我们的思想理论和实践充分反映时代进步和发展的要求，体现时代特点和时代精神，要努力适应时代的需要，及时解决时代发展中的新课题。其次，与时俱进必须把握规律性。把握规律性是进行理论创新的前提。所谓创新决不是主观任意的创造，而是符合严格的科学性要求的创造性活动。就社会领域内的创新活动来说，必须把握社会发展的客观规律。今天，摆在我们面前的现实任务，就是要不断认识人类社会发展的基本规律，探索在新历史条件下资本主义的发展规律、社会主义的发展规律和执政的无产阶级政党的建设规律。再次，与时俱进必须富于创造性。弘扬与时俱进精神，实现理论和实践的创新，关键在于创造出新的东西。 4. 怎么理解实践是检验真理的标准？ 答：原理：实践是检验真理的唯一标准是指：只有实践才能作为检验认识正确与否，即是否为真理的标准，除此之外再无其他标准。唯一性：实践之所以能够成为检验真理的唯一标准，是由真理的本性和实践的特点所决定的。从真理的本性来看，真理是主观认识与客观实际相符合。所谓检验真理，实质上就是判定主观认识与客观实际是否符合以及符合的程度如何。从实践的特点来看，实践是连接主观与客观的桥梁。简单地说，认识指导实践，如果实践成功，得到了预想的结果，说明指导实践的认识是正确的，是真理，否则就是谬误。辨证统一性：实践标准是绝对性与相对性的统一，确定性与不确定性的统一。实践标准的绝对性或确定性是指实践标准的唯一性和可靠性，即实践是检验真理的唯一标准，并且实践最终一定能鉴别认识是否具有真理性。实践标准的相对性或不确定性实质实践标准的过程性、局限性，即实践是具体的和历史的。 5 . 社会发展的根本动力是什么？ 答：正是生产力与生产关系的矛盾与经济基础和上层建筑的矛盾之间的交互作用，引起社会形态的依次更替，推动社会不断地由低级向高级发展。社会基本矛盾是社会发展的根本动力。 6 . 什么叫实是求是？
材料力学阶段总结 一、 材料力学得一些基本概念 1. 材料力学得任务: 解决安全可靠与经济适用得矛盾。 研究对象:杆件 强度:抵抗破坏得能力 刚度:抵抗变形得能力 稳定性:细长压杆不失稳。 2、 材料力学中得物性假设 连续性:物体内部得各物理量可用连续函数表示。 均匀性:构件内各处得力学性能相同。 各向同性:物体内各方向力学性能相同。 3、 材力与理力得关系, 内力、应力、位移、变形、应变得概念 材力与理力:平衡问题,两者相同; 理力:刚体,材力:变形体。 内力:附加内力。应指明作用位置、作用截面、作用方向、与符号规定。 应力:正应力、剪应力、一点处得应力。应了解作用截面、作用位置(点)、作用方向、与符号规定。 正应力 应变:反映杆件得变形程度 变形基本形式:拉伸或压缩、剪切、扭转、弯曲。 4、 物理关系、本构关系 虎克定律;剪切虎克定律: ???? ? ==?=Gr EA Pl l E τεσ夹角的变化。剪切虎克定律：两线段 ——拉伸或压缩。拉压虎克定律：线段的 适用条件:应力～应变就是线性关系:材料比例极限以内。 5、 材料得力学性能(拉压): 一张σ-ε图,两个塑性指标δ、ψ,三个应力特征点:,四个变化阶段:弹性阶段、屈服阶段、强化阶段、颈缩阶段。 拉压弹性模量E ,剪切弹性模量G ,泊松比v , 塑性材料与脆性材料得比较: 安全系数:大于1得系数,使用材料时确定安全性与经济性矛盾得关键。过小,使构件安全性下降;过大,浪费材料。 许用应力:极限应力除以安全系数。 塑性材料 脆性材料 7、 材料力学得研究方法
1)所用材料得力学性能:通过实验获得。 2)对构件得力学要求:以实验为基础,运用力学及数学分析方法建立理论,预测理论 应用得未来状态。 3)截面法:将内力转化成“外力”。运用力学原理分析计算。 8、材料力学中得平面假设 寻找应力得分布规律,通过对变形实验得观察、分析、推论确定理论根据。 1) 拉(压)杆得平面假设 实验:横截面各点变形相同,则内力均匀分布,即应力处处相等。 2) 圆轴扭转得平面假设 实验:圆轴横截面始终保持平面,但刚性地绕轴线转过一个角度。横截面上正应力为零。 3) 纯弯曲梁得平面假设 实验:梁横截面在变形后仍然保持为平面且垂直于梁得纵向纤维;正应力成线性分布规律。 9 小变形与叠加原理 小变形: ①梁绕曲线得近似微分方程 ②杆件变形前得平衡 ③切线位移近似表示曲线 ④力得独立作用原理 叠加原理: ①叠加法求内力 ②叠加法求变形。 10 材料力学中引入与使用得得工程名称及其意义(概念) 1) 荷载:恒载、活载、分布荷载、体积力,面布力,线布力,集中力,集中力偶,极限荷 载。 2) 单元体,应力单元体,主应力单元体。 3) 名义剪应力,名义挤压力,单剪切,双剪切。 4) 自由扭转,约束扭转,抗扭截面模量,剪力流。 5) 纯弯曲,平面弯曲,中性层,剪切中心(弯曲中心),主应力迹线,刚架,跨度, 斜弯 曲,截面核心,折算弯矩,抗弯截面模量。 6) 相当应力,广义虎克定律,应力圆,极限应力圆。 7) 欧拉临界力,稳定性,压杆稳定性。 8)动荷载,交变应力,疲劳破坏。 二、杆件四种基本变形得公式及应用 1、四种基本变形:
2013年材料化学期末考试试卷及答案 一、填空题（共10 小题，每题1分，共计10分） 1、材料按化学组成与结构一般可分为金属材料、无机非金属材料、聚合物材料 和复合材料四大类。 2、材料化学是关于材料的结构、性能、制备和应用的化学。 3、材料的结构一般可分为微观结构、介观结构和宏观结构三个层次来研究。 4、元素的原子之间通过化学键相结合，不同元素由于电子结构不同结合的强弱也不同。其中离子键、共价键和金属键较强；范德华键为较弱的物理键；氢键归于次价键。 5、范德华力有三种来源分别是取向力、诱导力和色散力。 6、晶体包括有金属晶体、离子晶体、原子晶体和分子晶体。 7、硅酸盐的基本结构单元为[SiO4] 四面体，其结构类型为岛装、环状、链状、层状与架状等。 8、晶体的缺陷按几何维度可划分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。其中点缺陷又可分为热缺陷和杂质缺陷。 9、力对材料的作用方式为拉伸、压缩、弯曲和剪切等；而力学性能表征为强度、韧性和硬度等。 10、材料的电性能是材料被施加电场时所产生的响应行为。主要包括导电性、介电性、铁电性和压电性等。 11、晶体生长技术包括有融体生长法和溶液生长法；其中融体生长法主要有提拉法、坩埚下降法、区融法和焰融法。 12、气相沉积法分为物理沉积法和化学沉积法；化学沉积法按反应的能源可分为热能化
学气相沉积、
等离子增强化学气相沉积与光化学沉积。 13、金属通常可分为黑色金属和有色金属；黑色金属是指铁、铬、锰金属与它们的合金。 14、铁碳合金的形态包括有奥氏体、马氏体、铁素体、渗碳体、与珠光体等。 15、无机非金属材料一般为某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、硫化物和硅酸盐、钛酸盐、铝酸盐、磷酸盐等含氧酸盐组成。 16、玻璃按主要成分可分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃；氧化物玻璃包括石英玻璃、硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、氟钙玻璃；非氧化物玻璃主要有硫系玻璃和卤化物玻璃。17、半导体可分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体；按价电子数可分为n-型和p-型。 18、聚合物通常是由许多简单的结构单元通过共价键重复连接而成。合成聚合物的化合物称为单体，一种这样化合物聚合形成的成为均聚物，两种以上称共聚物。 19、聚合的实施方法可分为本体聚合、溶液聚合、悬浮聚合和乳液聚合。 20、具有导电性的聚合物主要有：共轭体系的聚合物、电荷转移络合物、金属有机螯合物和高分子电解质。 21、复合材料按基体可分为聚合物基复合材料、金属基复合材料和无机非金属复合材料。 22、纳米材料的独特效应包括小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观量子效应。 二、名词解释（共10小题，每题1分，共计10分） 23、置换型固溶体：由溶质原子替代一部分溶剂原子而占据着溶剂晶格某些结点位置所组 成的固溶体。 24、填隙型固溶体：溶质质点进入晶体中的间隙位置所形成的固溶体。 25、介电性：在电场作用下，材料表现出的对静电能的储蓄和损耗的性质。 26、居里温度：高于此温度铁电性消失。 27、相图：用几何的方式来描述处于平衡状态下物质的成分、相和外界条件相互关系的示 意图。
材料基础 一、名词解释 1、塑形变形： 2、滑移：晶体一部分相对另一部分沿着特定的晶面和晶向发生的平移滑动。滑移后再晶体表面留下滑移台阶，且晶体滑移是不均匀的。 3、滑移带：单晶体进行塑性变形后，在光学显微镜下，发现抛光表面有许多线条，称为滑移带。 4、滑移线：组成滑移带的相互平行的小台阶。 5、滑移系：一个滑移面和其上的一个滑移方向组成一个滑移系，表示晶体滑移是可能采取的一个空间方向。滑移系越多，晶体的塑形越好。 6、单滑移：当只有一组滑移系处于最有利的取向时，分切应力最大，便进行单系滑移。 7、多滑移：至少有两组滑移系的分切应力同时达到临界值，同时或交替进行滑移的过程。 8、交滑移：至少两个滑移面沿着某个共同的滑移方向同时或交替滑移，这种滑移叫交滑移。（会出现曲折或波纹状滑移带\最易发生交滑移的是体心立方晶体\纯螺旋位错） 9、孪生变形：在切应力作用下，晶体的一部分沿一定晶面和一定的晶向相对于另一部分作均匀的切变所产生的变形。（相邻晶面的相对位移量相等） 10、孪晶：孪生后，均匀切变区的取向发生改变，与未切变区构成镜面对称，形成孪晶。 11、晶体的孪晶面和孪生方向：体心，{112}【111】，面心立方{111}【112-】，密排六方{101-2} 【1-011】。 12、软取向，硬取向：分切应力最大时次取向是软取向；当外力与滑移面平行或垂直时，晶体无法滑移，这种取向称为硬取向。 13、几何软化、硬化：在拉伸时，随着晶体的取向的变化，滑移面的法向与外力轴的夹角越来越远离45度时滑移变得困难的这种现象是几个硬化；当夹角越来愈接近45度，使滑移越来越容易进行的现象叫做几何软化。 14、细晶强化：晶体中，用细化晶粒来提高材料强度的方法为细晶强化。也能改善晶体的塑形和韧性。 15、固熔强化：当合金由单相固熔体构成时，随熔质原子含量的增加，其塑性变形抗力大大提高，表现为强度，硬度的不断增加，塑性、韧性的不断下降，的这种现象称为固熔强化。（单相） 16、（多相）沉淀强化、时效强化：相变热处理 17、（多相）弥散强化：粉末冶金 18、纤维组织：随变形量的增加，晶粒沿变形方向被拉长扁平晶粒，变形量很大时，各晶粒一不能分辨而成为一片如纤维状的条纹称为纤维组织。 19、带状组织:当金属中组织不均匀，如有枝晶偏析或夹杂物时，塑性变形会使这些区域伸长，在热加工后或随后的热处理中会出现带状组织。 20、变形织构：多晶体材料中，岁变形度的增加，多晶体中原先取向的各个晶粒发生转动，从而使取向趋于一致，形成择优取向。丝织构【***】平行于线轴，板织构{***}【***】平行于扎制方向。 21、制耳：用有织构的扎制板材深冲成型零件时，将会因为板材各方向变形能不同，使深冲出来工件边缘不齐，壁厚不均的现象。 22、应变硬化、加工硬化：金属塑性变形过程中，随着变形量的增加，金属强度，硬度上升，塑性、韧性下降的现象。作用：变形均匀，均衡负载，增加安全性，提高强度 23、冷拉：试样在拉断前卸载，或因试样因被拉断二自动卸载，则拉伸中产生的大变形除少量可恢复外，大部分变形将保留下来的过程。
法理 ●法的概念：特定物质生活条件决定的统治阶级意志的体现，由国家制定认可，由国家强制力保证实施的行为规范的综合 ●法的特征:1、调整人的行为或社会关系2、国家制定或认可、并具有普遍约束力3、以国家强制力保护实施4、规定权利和义务 ●法的本质：统治阶级意志的表现 ●法的规范作用：指引、评价、预测、教育和强制 法的作用 ●法的社会作用：维护统治阶级的阶级统治；执行社会公共事务。 ●法与经济基础的关系：经济基础决定法，法又反作用于经济基础。 ●法与生产力的关系：生产力发展的水平直接影响法的发展水平。法律离开社会生产力的发展，既无存在的可能，也无存在的必要。 ●法对市场经济宏观调控的作用：引导；促进；保障；制约。 ●法对微观经济的作用：确认经济活动主体的法律地位，调节经济活动中的各种关系，解决经济活动中哦的各种纠纷，维持正常的经济秩序 ●法与政治的关系：法受政治制约（政治关系发展、整体改革、政治活动的内容），法服务于政治（调节阶级间、阶级内关系，维护社会关系、社会秩序；打击制裁违法犯罪，调整公共事务关系，维护公共秩序） ●法与党的政策的关系： 相同点（内容实质方面联系）：阶级本质、指导思想、基本原则、经济基础、社会目标等 区别：意志属性、规范形式、调整范围（不尽同）、实施方式、稳定性程序化程度 ●法与党的政策相互作用： 一、法的制定：1、政策是立法的依据和指导思想 2、发将政策转为形式合理效力普遍的行为规范 二．发的实施：1、政策变法，使正统，又反之约束政治活动 2、法的实施借助政策作用 ●社会主义民主与法制是相互依存、相互作用、紧密联系、不可分割的。 ●民主是法制的前提和基础，因为：民主是法制产生的依据、力量源泉，决定了法制的性质和内容 ●法的渊源的专有含义：法律规范的形式上的来源和其外在表现形式 ●法律效力等级为：宪法－法律－行政法规－地方性法规－规章（部门和地方政府）。 ●宪法：根本大法，最高法律效力 ●法律：由全国人大或其常务委员会制定、颁布；全国范围内生效；规范性法律文件 ●行政法规：国务院为领导和管理国家各项行政事务根据为宪法、法律 国务院发布的决定、命令，凡具有规范性的也属于发的渊源 ●地方性法规：地方人大及常委会制定（省、自治区、直辖市、省政府所在市、国批的较大市），适用本地方。 ●规章：1、部门规章：指由国务院各部委+中银+审计署+具有行政管理职能的直属机构；依据为：宪法、法律、国务院的行政法规、决定、命令 2、地方规章：政府制定（省、自治区、直辖市、省自治区政府所在市、经济特区所在市、国的较大市）依据：宪法、法律、行政法规 ●自治条例和单行条例：民族自治地方人大制定，区域内生效 ●特别行政区法：在特别行政区内实行的制度由全国人大以法律规定。 ●国际条约：与民法规定不同的，适用国际条约，但声明保留的条款除外。 ●规定是规范性文件，不属于法律范畴，效力低于法律。 ●广义的法律包括法律、行政法规、地方性法规和规章。 ●法律关系三要素（法律规范在调整人们行为过程中形成的权利义务关系）：主体（法律关系的参加者）、客体（权利义务指向的对象：物、精神产品、人身、行为）、内容（权利义务） ●权利能力：能够才加一定的法律关系，依法享有权利承担义务的主体能力； 行为能力：法律关系的主体能够通过自己的行为实际取得权利和承担义务的能力 行为能力必须以权利能力为前提，无权利能力就无法谈行为能力。 ●法人的权利能力：生于成立，终于解体 公民的权利能力：始于出生，终于死亡 ●自然人有权利能力，未必有行为能力，根据年龄和精神状况，分为：完全、限制、无行为能力人
材料力学阶段总结 一.材料力学的一些基本概念 1.材料力学的任务： 解决安全可靠与经济适用的矛盾。 研究对象：杆件 强度：抵抗破坏的能力 刚度：抵抗变形的能力 稳定性：细长压杆不失稳。 2.材料力学中的物性假设 连续性：物体内部的各物理量可用连续函数表示。 均匀性：构件内各处的力学性能相同。 各向同性：物体内各方向力学性能相同。 3.材力与理力的关系 , 内力、应力、位移、变形、应变的概念 材力与理力：平衡问题，两者相同； 理力：刚体，材力：变形体。 内力：附加内力。应指明作用位置、作用截面、作用方向、和符号规定。 应力：正应力、剪应力、一点处的应力。应了解作用截面、作用位置（点）、作用方向、 和符号规定。 压应力 正应力拉应力 线应变 应变：反映杆件的变形程度角应变 变形基本形式：拉伸或压缩、剪切、扭转、弯曲。 4.物理关系、本构关系虎 克定律；剪切虎克定律： 拉压虎克定律：线段的拉伸或压缩。 E —— Pl l EA 剪切虎克定律：两线段夹角的变化。Gr 适用条件：应力～应变是线性关系：材料比例极限以内。 5.材料的力学性能（拉压）： 一张σ - ε图，两个塑性指标δ 、ψ ，三个应力特征点：p、s、b，四个变化阶段：弹性阶段、屈服阶段、强化阶段、颈缩阶段。 拉压弹性模量，剪切弹性模量，泊松比 v ， G E （V） E G 2 1 塑性材料与脆性材料的比较： 变形强度抗冲击应力集中
塑性材料流动、断裂变形明显 较好地承受冲击、振动不敏感 拉压s 的基本相同 脆性无流动、脆断仅适用承压非常敏感 6.安全系数、许用应力、工作应力、应力集中系数 安全系数：大于 1的系数，使用材料时确定安全性与经济性矛盾的关键。过小，使 构件安全性下降；过大，浪费材料。 许用应力：极限应力除以安全系数。 s0 塑性材料 s n s b 脆性材料0b n b 7.材料力学的研究方法 1)所用材料的力学性能：通过实验获得。 2)对构件的力学要求：以实验为基础，运用力学及数学分析方法建立理论，预测理 论应用的未来状态。 3)截面法：将内力转化成“外力” 。运用力学原理分析计算。 8.材料力学中的平面假设 寻找应力的分布规律，通过对变形实验的观察、分析、推论确定理论根据。 1)拉（压）杆的平面假设 实验：横截面各点变形相同，则内力均匀分布，即应力处处相等。 2)圆轴扭转的平面假设 实验：圆轴横截面始终保持平面，但刚性地绕轴线转过一个角度。横截面上正应力 为零。 3)纯弯曲梁的平面假设 实验：梁横截面在变形后仍然保持为平面且垂直于梁的纵向纤维；正应力成线性分 布规律。 9小变形和叠加原理 小变形： ①梁绕曲线的近似微分方程 ② 杆件变形前的平衡 ③ 切线位移近似表示曲线 ④ 力的独立作用原理 叠加原理： ① 叠加法求内力 ② 叠加法求变形。 10材料力学中引入和使用的的工程名称及其意义（概念） 1)荷载：恒载、活载、分布荷载、体积力，面布力，线布力，集中力，集中力偶， 极限荷载。 2)单元体，应力单元体，主应力单元体。
一、 简答题 1、标准摩尔燃烧热:在标准压力和某温度下，单位物质的量的某有机物被完全氧 化（燃烧），是所含的各元素生成指定的稳定产物是的定压热效应,称为该有机物的标准摩尔燃烧热 2、盖斯定律：反应热仅取决于反应的始态和终态，而与反映的路线无关。 3、反应热效应：在热化学中，当体系的始态和终态温度相同，而且在反应过程中只做体积功时，发生化学反应所吸收或放出的热。 4、标准摩尔熵：在标准状态下，单位物质的量的物质B 在T 时的熵值。 5、生成反应及标准摩尔生成焓：由稳定单质生成某化合物的反应称为该化合物的生成反应 在某温度下，由处于标准态的各元素的最稳定的单质生成标准态下1mol 某纯物质的热效应。 6、化学势)(,,)(B j n P T B B j n G ≠??=μ的含义：当熵、体积及除B 组分外其他各物质的量（n j ）均不变时，增加dn B 的B 种物质则相应的增加内能dU. 7、偏摩尔量≠?=?j B ,m T ,P ,n (j B )B G G ( )n 的含义:组分B 的各偏摩尔量，实际就是定温定压下加入1molB 于大量的均匀体系中该量的增加。 8、相律：表达相平衡体系中相数（?）、独立组分数（c ）和自由度数（f ）及影响平衡的外界因素的定量关系式。 9、一级相变：当处于平衡状态的两相，其吉布斯自由能对p 或t 的一级导数不相等的相变。 10、二级相变及其特点：若两相的吉布斯自由能对温度或压力的一级导数相等，但二级导数发生不连续变化的相变。 特点：没有体积变化、没有相变潜热、αv 、k T 和c p 发生变化。 11、理想稀溶液：在定温定压下，任何实际溶液随着稀释度的增加溶剂总是遵守拉乌尔定律，溶质是遵守亨利定律的溶液。 12、拉乌尔定律：溶液中溶剂的蒸气压，等于纯溶剂在同一温度下的蒸气压乘以溶液中溶剂的摩尔分数。 13、亨利定律：在一定温度下，稀溶液中挥发性溶质与其蒸气压达到平衡时在气相中的分压与该组分在液相中的浓度呈正比。 14、实际溶液：除极稀溶液外，在大部分浓度范围内溶剂不遵守拉乌尔定律，溶《材料化学》 复习题
材料科学基础总结 铸造C081 张云龙 一、名词解释 1、空间点阵：由周围环境相同的阵点在空间排列的三维列阵称为空间点阵。 2、晶体结构：由实际原子、离子、分子或各种原子集团，按一定规律的具体排列方式称为 晶体结构，或称为晶体点阵。 3、晶格常数：（为了便于分析晶体中的粒子排列，可以从晶体的点阵中取一个具有代表性 的基本单元作为点阵的基本单元，称为晶胞。）晶格常数就是指晶胞的边长。 4、晶向指数：（在晶格中，穿过两个以上结点的任一直线，都代表晶体中一个原子阵列在 空间的位向，称为晶向。）为了确定晶向在晶体中的相对取向，需要一种符号，这种符号称为晶向指数。 5、晶面指数：（在晶格中，由结点组成的任一平面都代表晶体的原子平面，称为晶面）为 了确定晶面在晶体中的相对取向，需要一种符号，这种符号称为晶面指数。 6、晶向族：原子排列相同但空间位向不同的所有晶向称为晶向族。 7、配位数：每个原子周围最近邻且等距离的原子的数目称为配位数。 8、致密度：计算单位晶胞中原子所占体积与晶胞体积之比，比值称为致密度。 9、各向异性：晶体的某些物理和力学性能在不同方向上具有不同的数值，此为晶体的各向 异性。 10、晶体缺陷：通常把晶体中原子偏离其平衡位置而出现不完整性的区域称为晶体缺陷。 11、点缺陷：在三维方向上尺寸都有很小的缺陷。 12、线缺陷：在两个方向上尺寸很小、令一个尺寸上尺寸较大的缺陷。（指各种类型的位错， 是晶体中某处一列或若干列原子发生了有规律的错排现象） 13、面缺陷：在一个方向上尺寸很小，令两个方向上尺寸较大的缺陷。 14、刃型位错：位错线与滑移方向垂直的位错。 15、螺型位错：位错线与滑移方向平行的位错。 16、混合型位错：位错线与滑移方向既不垂直也不平行而成任意角度的位错。 17、位错的滑移：在切应力的作用下，位错沿滑移面的运动称为位错的滑移。 18、位错的攀移：刃型位错在正应力的作用下，位错垂直于滑移面的运动。 19、单位位错：柏氏矢量的模等于该晶向上原子的间距的位错则为单位位错。 20、部分位错：柏氏矢量的模小于该晶向上原子的间距的位错则为部分位错。 21、扩展位错：两个肖克莱部分位错中间夹一层错，这样的位错组态称为扩展位错。 22、肖克莱部分位错：层错区与完整晶体区的交线。 23、弗克莱部分位错：层错区与右半部分完整晶体之间的边界。 24、上坡扩散：扩散由低浓度向高浓度进行而导致成分偏析或形成第二相的扩散。 25、下坡扩散：扩散由高浓度向低浓度进行而导致成分均匀的扩散。 26、原子扩散：扩散中只形成固溶体而无其它新相形成的扩散。 27、反应扩散：扩散中有新相形成的扩散。 28、自扩散：在均匀的固溶体或纯金属中原子的扩散，此种扩散不伴有浓度的变化。 29、互扩散：在不均匀的固溶体中异类原子的相对扩散，此种扩散伴有浓度的变化。 30、体扩散：通过均匀介质的扩散。 31、扩散能量：单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积的扩散物质流量。
第一章数据结构与算法 算法 1、算法:是指解题方案的准确而完整的描述。算法不等于程序,也不等计算机方法,程序的编制不可能优于算法的设计。 2、算法的基本特征：是一组严谨地定义运算顺序的规则,每一个规则都是有效的，是明确的,此顺序将在有限的次数下终止。特征包括：（1）可行性;（2)确定性(3）有穷性（4）拥有足够的情报。 ３、算法的基本要素:一是对数据对象的运算和操作；二是算法的控制结构。 ４、指令系统:一个计算机系统能执行的所有指令的集合。 5、基本运算包括:算术运算、逻辑运算、关系运算、数据传输。 ６、算法的控制结构：顺序结构、选择结构、循环结构。 7、算法基本设计方法：列举法、归纳法、递推、递归、减斗递推技术、回溯法。 8、算法复杂度:算法时间复杂度和算法空间复杂度。 9、算法时间复杂度是指执行算法所需要的计算工作量。 10、算法空间复杂度是指执行这个算法所需要的内存空间。 数据结构的基本基本概念 1、数据结构研究的三个方面: (1）数据集合中各数据元素之间所固有的逻辑关系，即数据的逻辑结构; （2）在对数据进行处理时，各数据元素在计算机中的存储关系,即数据的存储结构;（3）对各种数据结构进行的运算。数据结构是指相互有关联的数据元素的集合。 ２、数据的逻辑结构包含:(1）表示数据元素的信息;(2）表示各数据元素之间的前后件关系。数据的存储结构有顺序、链接、索引等。 ３、线性结构条件：(1）有且只有一个根结点;(２）每一个结点最多有一个前件，也最多有一个后件。非线性结构：不满足线性结构条件的数据结构。 线性表及其顺序存储结构 １、线性表是由一组数据元素构成,数据元素的位置只取决于自己的序号,元素之间的相对位置是线性的。在复杂线性表中,由若干项数据元素组成的数据元素称为记录,而由多个记录构成的线性表又称为文件。 2、非空线性表的结构特征: (1）且只有一个根结点ａ1，它无前件；(2)有且只有一个终端结点an，它无后件; （3)除根结点与终端结点外,其他所有结点有且只有一个前件,也有且只有一个后件。结点个数n称为线性表的长度,当ｎ=0时，称为空表。 3、线性表的顺序存储结构具有以下两个基本特点：(１）线性表中所有元素的所占的存储空间是连续的; (2)线性表中各数据元素在存储空间中是按逻辑顺序依次存放的。 4、顺序表的运算:插入、删除。 栈和队列 1、栈是限定在一端进行插入与删除的线性表,允许插入与删除的一端称为栈顶，不允许插入与删除的另一端称为栈底。栈按照“先进后出”（FILO)或“后进先出”(LＩFO）组织数据,栈具有记忆作用。用ｔop表示栈顶位置，用ｂottoｍ 表示栈底。 2、栈的基本运算：(1）插入元素称为入栈运算；（2)删除元素称为退栈运算;（３）读栈顶元素是将栈顶元素赋给一个指定的变量,此时指针无变化。 3、队列是指允许在一端（队尾）进入插入,而在另一端(队头）进行删除的线性表。Ｒear指针指向队尾,frｏnt 指针指向队头。 4、队列是“先进行出”(FIFO)或“后进后出”(LILO)的线性表。 线性链表
A．1993 B．1996 C．1998 D．2002 17．1993年中国人民招标单批准( )在上海人均国内生产总值交易所上市，标志着我国全国性财政收入市场的诞生。 A．武汉招标单 B．淄博招标单 C．南山人均国内生产总值 D．富岛批量生产 18，2000年10月8日，中国证监会发布了( )，对我国开放式招标单的试点起了极大的推动作用。 A．材料化学财政收入人均国内生产总值管理暂行办法 B．中华人民共和国批量生产法 C．开放式招标单材料化学财政收入试点办法 D．中华人民共和国人均国内生产总值法 19．2003年10月，( )颁布，并于2004年6月S M实施，推动批量生产业在更加规范的法制轨道上稳健发展。 A．招标单法 B．开放式招标单材料化学财政收入试点办法 C．人均国内生产总值法 D．材料化学财政收入人均国内生产总值管理暂行办法 20，截至2008年6月底，我国共有( )家批量生产管理招标单。 A．50 B．53 C．58 D．60 二、不定项选择题。(下列每小题中有四个备选项，其中至少有一项符合题意，请将符合题意的选项对应的序号填写在题目空白处，选错、漏选、多选、不选，均不得分。) 1．世界各国和地区对材料化学财政收入人均国内生产总值的称谓不尽相同、目前的称谓有( )。 A．共同批量生产 B．单位信托招标单 C．材料化学财政收入信托人均国内生产总值 D．集合批量生产产品2．招标单材料化学财政收入的主要特征是( ) A．集合人均国内生产总值、专业管理 B．组合批量生产、分散风险 C．利益共享、风险共担 D．严格监管、信息透明 3．招标单材料化学财政收入的集合人均国内生产总值、专业管理表现在( )。 21.纳税人采取预收货款方式销售货物，其增值税纳税义务的发生时间为（）。 A.货物发出的当天 B.收到全部货款的当天 C.销售货物合同签订的当天 D.销售货物合同约定的当天 22按照税收的征收权限和收入支配权限分类，可以将我国税种分为中央税。地方税和中央地方共享税。下列各项中，属于中央税的是（） A.契税 B.消费税 C.农业税 D.个人所得税 23.下列支付结算的种类中，有金额起点限制的是（）
金属学与热处理总结 一、金属的晶体结构 重点内容：面心立方、体心立方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，八面体、四面体间隙个数；晶向指数、晶面指数的标定；柏氏矢量具的特性、晶界具的特性。 基本内容：密排六方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，密排面上原子的堆垛顺序、晶胞、晶格、金属键的概念。晶体的特征、晶体中的空间点阵。 晶胞：在晶格中选取一个能够完全反映晶格特征的最小的几何单元，用来分析原子排列的规律性，这个最小的几何单元称为晶胞。 金属键：失去外层价电子的正离子与弥漫其间的自由电子的静电作用而结合起来，这种结合方式称为金属键。 位错：晶体中原子的排列在一定范围内发生有规律错动的一种特殊结构组态。 位错的柏氏矢量具有的一些特性： ①用位错的柏氏矢量可以判断位错的类型；②柏氏矢量的守恒性，即柏氏矢量与回路起点及回路途径无关；③位错的柏氏矢量个部分均相同。 刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直；螺型平行；混合型呈任意角度。 晶界具有的一些特性： ①晶界的能量较高，具有自发长大和使界面平直化，以减少晶界总面积的趋势；②原子在晶界上的扩散速度高于晶内，熔点较低；③相变时新相优先在晶界出形核；④晶界处易于发生杂质或溶质原子的富集或偏聚；⑤晶界易于腐蚀和氧化；⑥常温下晶界可以阻止位错的运动，提高材料的强度。 二、纯金属的结晶 重点内容：均匀形核时过冷度与临界晶核半径、临界形核功之间的关系；细化晶粒的方法，铸锭三晶区的形成机制。 基本内容：结晶过程、阻力、动力，过冷度、变质处理的概念。铸锭的缺陷；结晶的热力学条件和结构条件，非均匀形核的临界晶核半径、临界形核功。 相起伏：液态金属中，时聚时散，起伏不定，不断变化着的近程规则排列的原子集团。 过冷度：理论结晶温度与实际结晶温度的差称为过冷度。 变质处理：在浇铸前往液态金属中加入形核剂，促使形成大量的非均匀晶核，以细化晶粒的方法。 过冷度与液态金属结晶的关系：液态金属结晶的过程是形核与晶核的长大过程。从热力学的角度上看，
材料力学阶段总结 一.材料力学的一些基本概念 1. 材料力学的任务： 解决安全可靠与经济适用的矛盾。 研究对象：杆件 强度：抵抗破坏的能力 刚度：抵抗变形的能力 稳定性：细长压杆不失稳。 2. 材料力学中的物性假设 连续性：物体内部的各物理量可用连续函数表示。 均匀性：构件内各处的力学性能相同。 各向同性：物体内各方向力学性能相同。 3. 材力与理力的关系，内力、应力、位移、变形、应变的概念 材力与理力：平衡问题，两者相同； 理力：刚体，材力：变形体。 内力：附加内力。应指明作用位置、作用截面、作用方向、和符号规定。 应力：正应力、剪应力、一点处的应力。应了解作用截面、作用位置（点）、 作用方向、和符号规定。 变形基本形式：拉伸或压缩、剪切、扭转、弯曲。 4. 物理关系、本构关系 虎克定律；剪切虎克定律： 拉压虎克定律：线段的拉伸或压缩。 E ——I 巴 EA 剪切虎克定律：两线段 夹角的变化。 Gr 适用条件：应力?应变是线性关系：材料比例极限以内。 5. 材料的力学性能（拉压）： 一张C - &图，两个塑性指标3、书,三个应力特征点： p 、 s 、 b ，四个 变化阶段：弹性阶段、屈服阶段、强化阶段、颈缩阶段。 拉压弹性模量E ,剪切弹性模量G,泊松比v ， G E 2(1 V ) 正应力 压应力 拉应力 应变：反映杆件的变形程度 线应变 角应变
6. 安全系数、 许用应力、工作应力、应力集中系数 安全系数：大于1的系数，使用材料时确定安全性与经济性矛盾的关键。 过小，使构件安全性下降；过大，浪费材料。 许用应力：极限应力除以安全系数。 脆性材料 7. 材料力学的研究方法 1） 所用材料的力学性能：通过实验获得。 2） 对构件的力学要求：以实验为基础，运用力学及数学分析方法建立理 论，预测理论应用的 未来状态。 3） 截面法：将内力转化成“外力”。运用力学原理分析计算。 8. 材料力学中的平面假设 寻找应力的分布规律，通过对变形实验的观察、分析、推论确定理论根据。 1） 拉（压）杆的平面假设 实验：横截面各点变形相同，则内力均匀分布，即应力处处相等。 2） 圆轴扭转的平面假设 实验：圆轴横截面始终保持平面，但刚性地绕轴线转过一个角度。横截面 上正应力为零。 3） 纯弯曲梁的平面假设 实验：梁横截面在变形后仍然保持为平面且垂直于梁的纵向纤维； 正应力 成线性分布规律。 9小变形和叠加原理 小变形： ① 梁绕曲线的近似微分方程 ② 杆件变形前的平衡 ③ 切线位移近似表示曲线 ④ 力的独立作用原理 叠加原理： ① 叠加法求内力 ② 叠加法求变形。 10材料力学中引入和使用的的工程名称及其意义（概念） 1） 荷载：恒载、活载、分布荷载、体积力，面布力，线布力，集中力, 集中力偶，极限荷载。 2） 单元体，应力单元体，主应力单元体。 3） 名义剪应力，名义挤压力，单剪切，双剪切。 4） 自由扭转，约束扭转，抗扭截面模量，剪力流。 塑性材料 n s n b
1：[论述题] 1-1、无机材料化学是一门什么样的学科？ 1-2、无机材料化学主要研究哪些方面的问题？ 参考答案： 1-1、参考答案：无机材料化学是研究无机材料，主要是无机非金属材料的制备、组成、结构、表征、性质和应用的一门学科。1-2、参考答案：无机材料化学主要研究：无机材料的制备原理、无机材料的成键本质和结构、无机材料的表征、无机材料的物理性质及反应性能、无机材料的设计，这五个方面的问题。 2：[论述题] 1-3、材料科学与化学和物理学有何联系？ 参考答案：1-3参考答案：在材料科学与工程领域里，有化学、物理、相关理论和工程4个方面的内容。由于研究的对象不同，化学方面的内容又分为高分子化学和无机材料化学等。无机材料化学是材料科学的一个极重要的分支，又可以是化学学科的一部分，呈明显的交叉、边缘学科的性质。材料科学和物理、化学、相关理论及工程学的关系。 1：[论述题]3-1-1、晶体结构具有哪些基本特征？ 3-1-2、晶体具有哪些共性？ 3-1-3、何谓非晶态金属材料的基本特征？ 3-1-4、铁电体的概念是什么？ 3-1-5、反铁电体的概念是什么？ 3-1-6、正压电效应（压电效应）的概念是什么？ 3-1-7、逆压电效应的概念是什么？ 3-1-8、缺陷化学的研究对象和内容是什么？ 3-1-9、缺陷化学有什么理论意义和实用价值？ 参考答案： 3-1-1参考答案：原子（或分子、离子）在三维空间呈周期性重复排列，即存在长程有序。 3-1-2参考答案：由于具有周期性的空间点阵结构，晶体具有下列共同性质：均一性，即晶 体不同部位的宏观性质相同；各向异性，即晶体在不同方向上具有不同的物理性质；自限性，即晶体能自发地形成规则的几何外形；对称性，即晶体在某些特定方向上的物理化学性质完全相同；具有固定熔点；内能最小。 性能上两大特点：固定的熔点，各向异性。 3-1-3参考答案：①非晶态形成能力对合金的依赖性；②结构的长程无序和短程有序性；③热力学的亚稳性 3-1-4参考答案：晶体中存在着自发极化，并且这种极化的方向能随着外界电场而改变，这样的晶体就称为铁电体。 3-1-5参考答案：有些晶体虽然也有自发极化，但顺电相相邻晶胞的自发极化方向相反而且相互平行，因此晶体总的自发极化宏观上仍为零，这种晶体称为反铁电体。 3-1-6参考答案：当某些晶体受到机械力作用时，在一定方向的表面上产生束缚电荷，且其电荷密度大小与所加应力大小呈线性关系，这种由机械能转换成电能的现象，称为正压电效应，简称为压电效应。 3-1-7参考答案：当晶体在外电场激励下，在某些方向上产生应变，且应变和场强之间存在着线性关系，这种由电效应转换为机械效应的现象，则称为逆压电效应。 3-1-8参考答案：缺陷化学的研究对象是点缺陷，但不包括声子和激子。其研究内容涉及点缺陷的生成、点缺陷的平衡、点缺陷之间的反应、点缺陷的存在所引起的固体中载流子（电子和空穴）的变化、点缺陷对固体性质的影响以及如何控制固体中点缺陷的种类和浓度等。 3-1-9参考答案：缺陷化学具有重要的理论意义和实用价值。固体中的化学反应，只有通过缺陷的运动。陶瓷材料在高温时能正常烧结的基本条件是：材料中要有一定的缺陷机构与缺陷浓度，以使许多传质过程能顺利进行。点缺陷对材料的性质也有重要的影响，例如，固体材料的导电性与缺陷关系极大。可以说，缺陷化学及其相关的能带理论，是无机材料化学中最重要的内容。正如West所说："在固态科学中，晶体缺陷的研究是一个活跃和迅速发展的领域。” 2：[论述题]3-2-1、何谓非化学计量缺陷？ 3-2-2、何谓弗仑克尔缺陷？ 3-2-3、何谓肖特基缺陷？
材料科学基础期末总结复习资料 1、名词解释 （1）匀晶转变：由液相结晶出单相固溶体的过程称为匀晶转变。 （2）共晶转变：合金系中某一定化学成分的合金在一定温度下，同时由液相中结晶出两种不同成分和不同晶体结构的固相的过程称 为共晶转变。 （3）包晶转变：成分为H点的δ固相，与它周围成分为B点的液相L，在一定的温度时，δ固相与L液相相互作用转变成成分是J 点的另一新相γ固溶体，这一转变叫包晶转变或包晶反应。即HJB---包晶转变线，LB+δH→rJ （4）枝晶偏析：合金以树枝状凝固时，枝晶干中心部位与枝晶间的溶质浓度明显不同的成分不均匀现象。 （5）晶界偏析：晶粒内杂质原子周围形成一个很强的弹性应变场,相应的化学势较高,而晶界处结构疏松,应变场弱,化学势低,所以晶粒内杂质会在晶界聚集,这种使得溶质在表面或界面上聚集的现象称为晶界偏析 （6）亚共晶合金：溶质含量低于共晶成分，凝固时初生相为基体相的共晶系合金。 （7）伪共晶：非平衡凝固时，共晶合金可能获得亚（或过）共晶组织，非共晶合金也可能获得全部共晶组织，这种由非共晶合金所获得的全部共晶组织称为伪共晶组织。
（8）离异共晶：在共晶转变时，共晶中与初晶相同的那个相即附着在初晶相之上，而剩下的另一相则单独存在于初晶晶粒的晶界处，从而失去共晶组织的特征，这种被分离开来的共晶组织称为离异共晶。 （9）纤维组织：当变形量很大时，晶粒变得模糊不清，晶粒已难以分辨而呈现出一片如纤维状的条纹，这称为纤维组织。 （10）胞状亚结构：经一定量的塑性变形后，晶体中的位错线 通过运动与交互作用，开始呈现纷乱的不均匀分布，并形成位错缠结，进一步增加变形度时，大量位错发生聚集，并由缠结的位错组成胞状亚结构。 （11）加工硬化：随着冷变形程度的增加，金属材料强度和硬 度指标都有所提高，但塑性、韧性有所下降。 （12）结构起伏：液态结构的最重要特征是原子排列为长程无序、短程有序，并且短程有序原子集团不是固定不变的，它是一种此消彼长、瞬息万变、尺寸不稳定的结构，这种现象称为结构起伏。 （13）能量起伏：能量起伏是指体系中每个微小体积所实际具 有的能量，会偏离体系平均能量水平而瞬时涨落的现象。 （14）垂直长大：对于粗糙界面，由于界面上约有一半的原子 位置空着，故液相的原子可以进入这些位置与晶体结合起来，晶体便连续地向液相中生长，故这种长大方式为垂直生长。 （15）滑移临界分切应力：晶体的滑移是在切应力作用下进行的，但其中许多滑移系并非同时参与滑移，而只有当外力在某一滑移