846-电路
一、考试性质
《电路》是电气工程专业硕士学位研究生入学统一考试的科目之一。《电路》考试要力求反映电气工程专业硕士学位的特点，科学、公平、准确、规范地测评考生的基本素质和综合能力，以利于选拔具有发展潜力的优秀人才入学，为国家培养具有较强分析与解决实际问题能力的高层次、应用型电气工程专业人才。
二、考试要求
测试考生对于电路基本理论和基本分析方法的掌握情况，以及灵活运用电路理论和方法解决复杂的综合性电路问题的能力。
三、考试内容
1. 电路模型和电路定律
参考方向[参考方向的定义和表示方法；参考方向对电路方程的影响，实际方向的判定] 功率[功率的定义和计算，吸收或发出功率的判定]
电阻元件[元件的定义和电压电流关系，参考方向对关系式的影响]
电压源、电流源和受控源[元件的电压、电流关系，独立源与非独立电源的特点与差异] 基尔霍夫定律：KCL和KVL[定律的表述、应用范围及物理意义、相应方程的列写]
2.电阻电路的等效变换
电路的等效变换[等效变换的内涵及其在以后各章节中的体现]
等效电阻与输入电阻[两者的求解方法，适用条件及数值关系]
电源模型的等效变换[有源一端口的化简方法之一]
Δ－Y等效变换[记住RΔ=3RY]；线性电路的概念。
3.电阻电路的一般分析
支路电流法[构造方程的理论基础，方程列写规律]
回路（网孔）电流法[构造方程的理论基础，列写方程的规律与技巧]
结点电压法[构造方程的理论基础，列写方程的规律与技巧]
三种电路方程的比较
图论的基础知识
4. 电路定理
叠加定理和齐性定理[定理在电路中的应用]
等效发电机定理[等效电路的几种求法，定理在电路中的应用，最大功率传输]
特勒根定理、互易定理和电路定理的综合应用
对偶原理
5. 储能元件
电容和电感元件[元件的定义和电压电流关系，参考方向对关系式的影响]
6. 一阶电路和二阶电路的时域分析
零输入响应，零状态响应和全响应[换路定理与状态量的初始值；0+等效电路与非状态量的初始值；齐次微分方程的特征根与时间常数；非齐次微分方程的强制（稳态）分量和自由（暂态）分量；三种响应的关系]
三要素法[在一阶电路分析中的应用]
阶跃响应与冲激响应[两种响应的关系和求解方法]
状态方程[直观编写法列写状态方程的标准形式]
7. 相量法
电路定律的相量形式[KCL、KCL的相量形式；R，L，C元件电压电流有效值之间的关系和相位之间的关系]
相量法的基础
8.正弦稳态电路的分析
阻抗和导纳[阻抗和导纳的定义，两种表达式的互换，三角形关系，阻抗与导纳的等效互换以及它们的串联、并联、分压、分流等]
相量图[结合相量图进行正弦稳态电路分析]
功率[有功、无功、视在功率的定义，物理意义；复功率的定义，功率三角形及它们的相互关系运算；电压、电流的有功分量、无功分量及功率因数提高，功率守恒]正弦稳态电路的相量分析[直流电路的各种分析方法向交流电路的全面推广，注意相量分析的特殊规律性和多样性]
9. 含有耦合电感电路
含有耦合电感电路的计算[同名端的概念，根据同名端写出含互感电压的电路方程或者利用去耦等效电路分析计算]
空心变压器与理想变压器[空心变压器的等效电路；理想变压器的变压、变流特性] 10.电路的频率响应
RLC串(并)联谐振电路[谐振条件与谐振频率；谐振时电压、电流、功率的特点和电路的品质因数]
11.三相电路
线电压（电流）与相电压（电流）的关系
对称三相电路的一般计算方法[化成Y-Y系统，仅计算一相，其余两相可以根据对称性直接写出]
对称三相电路的功率[三相功率的计算与测量，两功率表法]
不对称三相电路的概念
12.非正弦周期电流电路和信号的频谱
非正弦周期电流电路的计算[有效值与平均功率的计算；谐波分析法的应用]频谱的概念
13.线性动态电路的复频域分析
运算形式的电路定律和元件约束[运算形式的基尔霍夫定律；R、L、C元件电压电流约束关系，运算阻抗、导纳和附加电源，注意与相量法类比]
用运算法分析线性电路[画运算电路，列写电路方程或应用电路定理求解，并将结果反变换得到时域解]
14. 电路方程的矩阵形式
电路的计算机辅助分析[矩阵方程与计算机辅助分析的关系]
电路关联性质和基尔霍夫定律的矩阵表示[关联矩阵A、回路矩阵B、割集矩阵Q及基尔霍夫定律的矩阵形式]
结点电压方程和回路电流方程的矩阵形式[无互感、无受控源的情况；含耦合电感的情况；含受控源的情况]
15. 二端口网络
二端口的方程与参数[ Y, Z, T的方程与参数，复合二端口的参数]
含参数已知二端口的电路计算[二端口的等效电路，有端接二端口的电路计算]
H参数方程
16. 非线性电路简介
非线性电路元件的性质和非线性电路方程的列写
小信号分析法[静态工作点、小信号等效电路、非线性电路的解]
四、考试方式与分值
本科目满分150分，考试时间180分钟，全国统一考试。
852《信息管理学》复习大纲
一、考试的基本要求
《信息管理学》是信息服务与创新管理专业的核心基础课程。本课程要求学生掌握与信息管理相关的基本概念，理解信息管理与信息系统之间的依存互动关系，理解信息管理的重要意义，把握信息度量、采集、存储、传输、处理及其用于决策的原理与方法，使他们具备运用其基本方法与主要技术进行信息管理的基本能力，能够在今后的学习和工作中懂得如何面向信息利用的实际需求，准确全面地获取信息和科学地管理信息资源，真正成为高质量的信息管理人才。
二、考试方式和考试时间
闭卷考试，总分150，考试时间为3小时。
三、参考书目（仅供参考）
马费成、赖茂生、孙建军著，《信息资源管理》第2版，高等教育出版社, 2014.06
四、试题类型：
主要包括选择题、填空题、名词解释、简答题、论述题（材料题）等类型，并根据每年的考试要求做相应调整。
五、考试内容及要求
全面系统掌握信息管理的基本概念、基本理论、基本方法等基础知识；具有信息管理相关知识的综合能力；初步具备运用信息管理理论认识、分析和解决实际问题的能力。考生应关注信息管理领域的热点问题。
第一章绪论
掌握：信息、信息资源、信息资源管理相关概念，信息资源的特征与特殊性，信息资源管理的目标与任务、层次与内容、手段和方法。
熟悉：信息资源管理的重要意义，信息资源管理的沿革与发展，信息资源管理的主要观点与演进。
第二章信息资源管理中的内容管理
掌握：信息资源划分标准及其种类，信息采集的原则，信息采集的策略与方
式，信息分类的作用和分类法的主要类型，主题标引的作用和方法，信息检索系统的主要结构，搜索引擎的结构和工作原理，情报分析研究工作的基本流程，竞争情报的类型、来源以及工作流程。
熟悉：信息采集技术，信息表示语言，信息资源编目主要内容，信息检索的定义和主要类型，内容分析的技术和工具，数据挖掘的概念、功能及应用领域，信息资源开发利用的意义、原则、策略、模式和关键技术。
第三章信息系统的管理
掌握：信息技术与信息系统在信息资源管理中的地位和作用，信息系统的开发方法及各自的特点，信息资源标准化的含义及其对信息系统建设的作用。
熟悉：信息系统的内涵、功能与类型，信息系统战略规划的概念和作用、内容和程序以及制定信息系统战略规划的方法，信息系统的运行维护所包括的内容，信息资源标准的内容，信息系统建设项目管理的过程。
第四章企业信息资源管理
掌握：企业信息资源管理的发展过程及主要阶段的特点，企业信息资源管理的目标、任务与工作模式，信息审计的原因、作用和方法，企业信息化的内涵与基本任务，理解企业信息化规划的主要内容。
熟悉：企业信息资源管理产生的背景，企业信息资源的内涵和分类，企业信息化的发展过程，企业信息化的发展趋势。
第五章政府信息资源管理
掌握：政府信息资源管理的原则、目标、任务、内容，电子政务的含义与类型，电子政务的系统构成，政府信息化的含义与内容。
熟悉：政府信息资源管理的产生背景与演变历程。
第六章知识管理
掌握：知识的含义，知识管理的对象、核心、目标、特征、意义，知识管理的主要内容。
熟悉：知识管理的技术体系，知识管理系统的模式、知识管理系统的主要功能，CIO和CKO的含义、地位、要求与职责。
第七章信息资源优化配置
掌握：信息资源配置、信息福利的概念，信息资源配置的原则、信息资源配
置的机制，信息资源配置效率的层次及衡量方法，信息资源共享模式。
熟悉：信息资源配置的经济理论，政府在信息资源配置中的作用，市场配置与政府配置的边界。
第八章信息政策与法规
掌握：信息政策的涵义，信息政策制定的目标与原则，信息政策的体系构建，信息法规及其体系构建。
熟悉：信息政策与法规的实施保障，知识产权与知识产权法概念，知识产权的性质与特征。
第九章信息资源质量评估
掌握：信息资源质量内涵，信息资源质量指标体系的设计，信息资源质量评估方法。
熟悉：信息资源质量评估的意义，信息资源质量评估的流程，信息资源质量评估的实施。
第十章信息资源规划
掌握：信息资源规划的概念、内容、任务、方法、模型。
熟悉：信息资源规划的组织与实施。
名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试： 16.即温度循环测试。 17.T/S 测试： 18.测试封装体抗热冲击的 能力。 19.TH测试： 20.是测试封装在高温潮湿 环境下的耐久性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿 环境能力的测试。 23.HTS测试： 24.是测试封装体长时间暴 露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长 时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电 路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过 程，测试产品的可靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因 为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触 从而产生短路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印 刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器 件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将 贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传 送带上。 1
毕业设计（论文）集成电路封装与测试
摘要 IC封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常强的新型高科技学科。 媒介传输与检测是CPU封装中一个重要环节，检测CPU物理性能的好坏，直接影响到产品的质量。本文简单介绍了工艺流程，机器的构造及其常见问题。 关键词：封装媒介传输与检测工艺流程机器构造常见问题
Abstract IC packaging is a challenging and attractive field. It is the integrated circuit chip production after the completion of an indispensable process to work together is a bridge device to the system. Packaging of the production of microelectronic products, quality and competitiveness have a great impact. Under the current popular view of the international community believe that the overall cost of microelectronic devices, the design of a third, accounting for one third of chip production, packaging and testing and also accounted for a third, it is There are one-third of the world. Packaging research at the global level of development is so rapid, and it faces the challenges and opportunities since the advent of electronic products has never been encountered before; package the issues involved as many as broad, but also in many other fields rare, it needs to process from the material, from inorganic to polymers, from the calculation of large-scale production equipment and so many seem to have no mechanical connection of the concerted efforts of the experts is a very strong comprehensive new high-tech subjects . Media transmission and detection CPU package is an important part of testing the physical properties of the mixed CPU, a direct impact on product quality. This paper describes a simple process, the structure of the machine and its common problems. Keyword: Packaging Media transmission and detection Technology process Construction machinery Frequently Asked Questions
电路基本分析电路基础期末考试试卷 1 A 卷 一、判断题 (每题 2 分) 1. 在换路瞬间，如果电感电流不跃变，则电感电压将为零。（） 2. 当电感元件在某时刻t 的电流i(t) = 0 时，电感元件两端的电压u(t)不一定为零；同样， 当u(t) = 0 时， i(t)不一定为零。 3.实际电源的两种模型，当其相互等效时，意味着两种模型中理想电压源和理想电流源对 外提供的功率相同。（） 4. 某三层楼房的用电由三相对称电源供电，接成三相四线制系统，每层一相。当某层发生 开路故障时，另二层电器一般不能正常工作。（） 5. 如图所示，当i 1 按图示方向流动且不断增大时，i2 的实际方向如图所示。（） M 分享于上学吧资料分享 课后答案 二、填空题 (每题 1 分) 1. 正弦量的三要素是指（）、（）、（）
2. 线性无源二端网络的阻抗与网络的结构、元件参数及（）有关。 3. 复功率~ ~ S 的定义为S 功率，它的模表示（ （），它的实部表示（）功率，它的虚部表示（）），它的辐角表示（）。 4. 对称三相电路中，电源线电压为220V，负载作三角形联结，每相阻抗Z = 22，则线电流为（）；三相总有功功率为（）。 5. 由q u 平面中一条曲线所确定的元件称为（）元件；由i 平面中一条曲线所 确定的元件称为（）元件。 6. 只具有单一节点对的电路的节点电压方程U =（），它称为（）定理。 7. n个节点、b条支路的连通图，其树支数为()，连支数为 ()。
8. 已知某无源网络的导纳Y = (2 + j2)S ，则该网络的阻抗为（），网络为（）性。 9. 选择u、i为关联参考方向时，50电阻元件的u、 i 关系为（），100 F电容元件的 u、 i 关系为（）,10mH电感元件的u、 i 关系为（）。 10. RLC串联电路中，R = 50，L = 50 mH，C = 10 F；电源电压U S =100V ，则谐振时电流 I = ()；品质因数Q = ()。 11.试为 (a)、(b) 两个图各选两种树，分别画在括号内。 （）,（）
集成电路封装考试答案 https://www.doczj.com/doc/6a2591600.html,work Information Technology Company.2020YEAR
名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯 片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基 板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀 和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复 合材料基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固 体）的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试： 16.即温度循环测试。17.T/S 测试： 18.测试封装体抗热冲击的能力。 19.TH测试： 20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久 性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测 试。 23.HTS测试： 24.是测试封装体长时间暴露在高温环境 下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过程，测试产品的 可靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因为金线偏移量 过大造成相邻的金线相互接触从而产生短 路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印 制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
UESTC-Ning Ning 1 Chapter 2 Chip Level Interconnection 宁宁 芯片互连技术 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 2 Wafer In Wafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆) Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬) Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型) Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装) 典型的IC 封装工艺流程 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 3 ? 电子级硅所含的硅的纯度很高，可达99.9999 99999 % ? 中德电子材料公司制作的晶棒( 长度达一公尺，重量超过一百公斤 )
UESTC-Ning Ning 4 Wafer Back Grinding ?Purpose The wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process. ?Process Methods: 1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光 )
命题人： 审批人： 试卷分类（A 卷或B 卷） A 大学 试 卷 学期： 2006 至 2007 学年度 第 1 学期 课程： 电路分析基础I 专业： 信息学院05级 班级： 姓名： 学号： (本小题5分) 求图示电路中a 、b 端的等效电阻R ab 。 1 R R ab =R 2 (本小题6分) 图示电路原已处于稳态，在t =0时开关打开， 求则()i 0+。 Ω
i(0+)=20/13=1.54A ( 本 大 题6分 ) 求图示二端网络的戴维南等效电路。 1A a b u ab =10v, R 0=3Ω (本小题5分) 图示电路中, 电流I =0，求U S 。 Us=6v
(本小题5分) 已知某二阶电路的微分方程为 d d d d 22 81210u t u t u ++= 则该电路的固有频率(特征根)为____-2________和___-6______。该电路处于___过_____阻 尼工作状态。 (本小题5分) 电路如图示, 求a 、b 点对地的电压U a 、U b 及电流I 。 U a =U b =2v, I=0A. ( 本 大 题10分 ) 试用网孔分析法求解图示电路的电流I 1、I 2、I 3。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A (本小题10分) 用节点分析法求电压U 。
U U=4.8V ( 本 大 题12分 ) 试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 3V 4A 单独作用时，u ’=8/3V; 3V 单独作用时，u ’’=-2V; 共同作用时，u=u ’+u ’’=2/3V 。 十、 ( 本 大 题12分 ) 试求图示电路中L R 为何值时能获得最大功率，并计算此时该电路效率
测控电路期末考试题 简答题（每小题6分，共48分） 1、什么是自举电路？说明图1所示电路是如何提高放大器的输入阻抗的？ 答：自举电路是利用反馈使电阻两端等电位，减少向输出回路索取电流，而使输入阻抗增大的一种电路。 2 2121R u u R u i i i i o i --= -= 31R u R u o i -=∴ 3 122R u R u o o -=i o o i u u u u 22 1 22=?= ∴ i i i u R R R R R u R u i 211221-=-= ∴1 221R R R R i u R i i -==当时，输入回路阻抗无穷大，达到了提高放大器输入阻抗的目的。21R R =2、如图2所示电路，N 1、N 2、N 3工作在理想状态， R 1=R 2=200K Ω，R P =20K Ω，R 3=R 4=10K Ω，R 5=R 6=20K Ω，试求该电路的差模增益。 解： R o i P i i i o I R u u R u u R u u =-=-=-1 1 112222 u i
)(121 11i i P i o u u R R u u -- =∴2121 2)(i i i P o u u u R R u +-= 13531 6642o o o o u R R R u u R R R u +?+-=?+ 5 31 536426R R u R u R R R u R o o o ++=+ 43R R = 6 5R R =))(1()(122 1351235i i P o o o u u R R R R R u u R R u -++=-= ∴42 20 22001(1020)1(213512=?+?=++=-= ∴P i i o d R R R R R u u u k 3、什么是隔离放大电路？就一种隔离方式简述其工作原理。 答：隔离放大电路是一种测量用的电路，它的输入，输出，隔离电路之间没有直接的电路耦合，即输入、输出没有公共接地端。 输入信号经放大进入耦合器，使LED 导通，通过光电耦合器件（晶体管）转换为电压或电流信号，经放大输出。 4、相敏检波电路与包络检波电路在功能、性能与电路构成上主要有哪些区别？答：相敏检波电路可以鉴别调幅信号与载波信号之间的相位关系，还可选频；而包络检波只是将调幅信号的包络线解调出来，但不具有鉴相选频特性。相敏检波电路除了输入调幅信号外，还需输入一个参考信号，一般选用载波信号来做参考信号；而包络检波则不是将调幅信号输入，进行解调。 5、180?导通型逆变器正常工作的必要条件是什么？ 答：180?导通型逆变器正常工作的必要条件是可靠换流。即每一相上、下桥臂主晶闸管交替导通时，须经过短暂的全关断状态，以保证可靠换流。6、PWM 控制电路在双极式工作时会不会发生电流断续现象？为什么？
一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、
光刻工艺。 10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上
电路分析期末考试答案 一．选择题 1．两个电阻，当它们串联时，功率比为4:9；若它们并联，则它们的功率比为：（B ）。 （A ）4:9 （B ）9:4 （C ）2:3 （D ）3:2 2. 如图1所示电路，I 1= D 。 （A ）0.5A （B ）－1A （C ）（D ）2A 3．由电压源、电流源的特性知,几个( B )的电压源可以等效 为一个电压源;几个( A )的电流源可以等效为一个电流源,电压源与任意二端元件( A ),可以等效为电压源;电流源与任意二端元件( B ),可以等效为电流源. A 、并联 B 、串联 C 、混合联接 D 、无法连接 4．用戴维南定理分析电路求端口等效电阻时，电阻为该网络中所有独立电源置零时的等效电阻。其独立电源置零是指（C ）。 A 、独立电压源开路，独立电流源短路 B 、独立电压源短路，独立电流源短路 C 、独立电压源短路，独立电流源开路 D 、以上答案都不对 5．在稳定的直流电路中，动态元件电容的( C )。
A 、电压不一定为零 B 、电压一定为零 C 、电流一定为零 D 、电流不停变动 6．正弦电路中，感抗与角频率成（A ），容抗与角频率成（）。 A 、正比反比 B 、正比正比 C 、反比反比 D 、反比正比 7．三相对称电路中，三相对称负载Y 形连接，则电路的线电压与相电压的关系为( C ) A 、线电压与相电压相等； B 、线电压是相电压的3倍，并超前30度； C 、线电压是相电压的3倍，并滞后30度； D 、线电压与相电压数值相等，并且线电压超前相电压30度。8．三相四线制电路，已知?∠=?3020A I A ，?-∠=?9020B I A ，?∠=?15020C I A ，则中线电流N ?I 为（D ） A 、10A B 、20A C 、30A D 、0A
测控电路期末试题二以及答案 一、简答题（每小题6分，共48分） 1、什么是自举电路？说明图1所示电路是如何提高放大器的输入阻抗的？ 答：自举电路是利用反馈使电阻两端等电位，减少向输出回路索取电流，而使输入阻抗增大的一种电路。 2 2121R u u R u i i i i o i -- = -= 31R u R u o i -=∴ 3 122R u R u o o -= i o o i u u u u 22 1 22=?= ∴ i i i u R R R R R u R u i 211221-=-= ∴ 1 221R R R R i u R i i -== 当21R R =时，输入回路阻抗无穷大，达到了提高放大器输入阻抗的目的。 2、如图2所示电路，N 1、N 2、N 3工作在理想状态，R 1=R 2=200K Ω，R P =20K Ω，R 3=R 4=10K Ω，R 5=R 6=20K Ω，试求该电路的差模增益。 解： R o i P i i i o I R u u R u u R u u =-=-=-1 1 112222 )(12111i i P i o u u R R u u -- =∴ 21212)(i i i P o u u u R R u +-= u i
135316642o o o o u R R R u u R R R u +?+-=?+ 5 31 536426R R u R u R R R u R o o o ++=+ 43R R = 65R R = ))(1()(122 1351235i i P o o o u u R R R R R u u R R u -++=-= ∴ 42)20 22001(1020)1(213512=?+?=++=-= ∴P i i o d R R R R R u u u k 3、什么是隔离放大电路？就一种隔离方式简述其工作原理。 答：隔离放大电路是一种测量用的电路，它的输入，输出，隔离电路之间没有直接的电路耦合，即输入、输出没有公共接地端。 输入信号经放大进入耦合器，使LED 导通，通过光电耦合器件（晶体管）转换为电压或电流信号，经放大输出。 4、相敏检波电路与包络检波电路在功能、性能与电路构成上主要有哪些区别？ 答：相敏检波电路可以鉴别调幅信号与载波信号之间的相位关系，还可选频；而包络检波只是将调幅信号的包络线解调出来，但不具有鉴相选频特性。相敏检波电路除了输入调幅信号外，还需输入一个参考信号，一般选用载波信号来做参考信号；而包络检波则不是将调幅信号输入，进行解调。 5、180?导通型逆变器正常工作的必要条件是什么？ 答：180?导通型逆变器正常工作的必要条件是可靠换流。即每一相上、下桥臂主晶闸管交替导通时，须经过短暂的全关断状态，以保证可靠换流。 6、PWM 控制电路在双极式工作时会不会发生电流断续现象？为什么？ 答：PWM 控制电路在双极式工作时不会发生电流断续现象。因为双极式电路中的四个大功率晶体管分为两组，同一组中的两个晶体管同时导通，关断，每一组晶
2008/2009学年 第2学期 电力系统分析 期末考试试题卷（A ） 适用班级： 考试时间： 一、 填空题(每空2分，共30分) 1 电力网络主要由电力线路和 变压器 组成 2．电能生产最基本首要的要求是 保证安全可靠持续供电 。 3. 在我国110kV 以上电力系统的中性点运行方式一般为 直接接地 。 4．电压降落指元件两端电压的 相量差 。 5. 采用分裂导线的目的是 减少电晕和线路电抗 。 6．挂接在kV 10电网上的发电机的额定电压应为 11 kV ，该电压等级的平均标称电压为 10.5 kV 。 7. 一次调频和二次调频都是通过调整 原动机 的功率来实现的。 8 一般通过调节 发电机励磁 来改变发电机的机端电压。 9. 双绕组变压器的分接头在 高压 侧。 10．从发电厂电源侧的电源功率中减去变压器的功率损耗，得到的直接连接在发电厂负荷测母线上的电源功率称为 运算功率 。 11.简单系统静态稳定依据为 。 12.减少原动机出力将 提高 系统的暂态稳定性。 13．一台额定电压13.8kV ，额定功率为125MW 、功率因数为0.85的发电机，其电抗标幺值为0.18（以发电机额定电压和功率为基准值），如果以13.8kV 和100MVA 为电压和功率基准值，这台发电机的电抗标幺值为 0.122 。 14. 在电力系统计算中，节点注入电流可理解为 节点电源电流与负荷电流之和 。 二、选择题( 每题1分，共15分) 1．手算潮流时，将变电所母线上所联线路对地电纳中无功功率的一半也并入到等值负荷功率中，这一功率称为（ A ）。 A ：运算负荷功率 B ：运算电源功率 C ：等值负荷功率 D ：等值电源功率 2．在电力系统的标么值计算中，基准功率和基准电压之间的关系满足（C ）。 A ：3 B B B I U S = B ：B B B I U S = C ：B B B I U S 3= D ：B B B I U S 3= 3. 我国电力系统的额定电压等级为（ D ） A ： 3、6、10、35、110、220（KV ） B ： 3、6、10、35、66、110、220（KV ） C ： 3、6、10、110、220、330（KV ） D ：3、6、10、35、60、110、220、330、500（KV ） 4．电能质量是指（ D ） A ：电压的大小 B:电压的大小和波形质量 C ：电压大小，电流大小 D:电压大小，波形质量，频率 5. 和架空输电线相比，同截面电缆的电抗（ B ）。 A ：大 B ：小 C ：相等 D ：都不对 6. 电力系统发生两相短路故障，（BC 短路）则故障相电压为（ C ）。 A ：A C B U U U ...31== B ： A C B U U U ...21== C ：A C B U U U ...21-== D ：A C B U U U . ..2 1== 7. 电力系统发生三相短路后，短路电流（周期分量与非周期分量之和）的最大值一般出现在短路后（ C ） A ：0秒； B ：0.005秒； C ：0.01秒； D ：0.02秒。 8. 短路电流量大的短路为（D ） A ：单相短路 B ：两相短路 C ：两相短路接地 D ：三相短路 9. P －δ曲线被称为（ D ） Ａ：耗量特性曲线 B ：负荷曲线 C ：正弦电压曲线 D:功角曲线 10.无限大功率供电系统，发生三相短路，短路电流非周期分量起始值（ B ） A ：cp bp ap i i i == B ：cp bp ap i i i ≠≠ C ：cp bp ap i i i ≠= D ：cp bp ap i i i =≠ 11．理想同步发电机，q 轴同步电抗xq 和次暂态电抗xq ″的大小顺序是（ B ） A ：xq=xq ″ B ：xq ＞xq ″ C ：xq ＜xq ″ D ：都不对 12．单相短路中，附加阻抗?Z 为（ C ） A ：Z 0Σ B ：Z 2Σ C ：Z 0Σ+ Z 2Σ D ：Z 0Σ∥Z 2Σ 13．单相短路的序分量电流边界条件是（ B ） A ：i 1+i 2+i 0=0 B ：i 1=i 2=i 0 C ：i 1+i 2=0 D ：i 1=i 2 0/d dP E >δ
《测控电路》复习题 1． 右图所示电路为自举组合电路，其输入电流i 为： 2． 右图所示电路的输出电压为： 3. 右图所示电路中的R 为电感传感器，当对被测量进行测量时，该电路输出为： A. 调幅信号 B. 调相信号 C. 调频信号 D. 调宽信号 （ ） 4. 公式2 022 02) ()(ωαωω+++=S S S K S H P 为 A. 二阶有源低通滤波器的传递函数 B. 二阶有源高通滤波器的传递函数 C. 二阶有源带通滤波器的传递函数 C. 二阶有源带阻滤波器的传递函数 （ ） 5. 右图所示电路的输入信号u i 是代表测量振动幅值的交变信号，该电路可实现 A. 负峰值运算 B. 正峰值运算 C. 峰峰值运算 u i T
D. 绝对值运算 （ ） 6. 一个10bit 逐次逼近A/D 转换器，其满量程电压为10V , 若模拟输入电压V 1=i u ,其数字输出量的数值为 A. 0001100101 B. 0001100110 C. 0001000110 D. 0001010101 ( ) 7. 什么是隔离放大电路？画图并简述光电耦合隔离放大电路的基本工作原理。 答：隔离放大电路是一种特殊的测量放大电路，其输入、输出及电源电路没有直接的电路耦合，即信号在传输过程中没有公共的接地端。 光电耦合隔离放大电路基本工作原理：前级电路N1把输入的电压转换成与之正比的电流信号，经过光电耦合器VLC 到后级，光电耦合器中的硅光敏晶体管输出电流信号，运放N2把电流信号又转变成电压信号。 8. 什么是双边带调幅？请写出其数学表达式，并画出其波形。 9. 斩波稳零放大电路是如何实现自动稳零的？ 10. 什么叫信号的调制和解调，有哪些类型？请写出各调制信号的表达式。 11. 何谓采样、量化、编码？请绘图说明。 12. 若按幅频特性向理想特性曲线的逼近方式对滤波器进行分类，一般可分为哪几类？各有何特点？请绘图说明。 答：巴特沃斯逼近、切比雪夫逼近、贝赛尔逼近。 13. 滤波器按其选频特性可分为哪几类？ 低通滤波，高通滤波，带通滤波，带阻滤波，全通滤波 14. 二阶滤波器的传输函数为： 20 022 1202)()()(ωαω++++==s s b s b s b s U s U s K i o 当b 0、b 1、b 2各为何值时，可分别组成低通、高通、带通和带阻滤波器？ 15. 简述利用图解法求解线性化器输入输出特性曲线的步骤。 16. 什么是电平比较器的振铃现象？怎样克服？
1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？ 集成电路的发展过程: ?小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) ?中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) ?大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) ?超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) ?特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) ?巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 划分集成电路规模的标准 2．超大规模集成电路有哪些优点？ 1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少. 2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗 芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降. 4. 简化逻辑电路 芯片内部电路受干扰小,电路可简化. 5.优越的可靠性 采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。 6.体积小重量轻 7.缩短电子产品的设计和组装周期 一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度. 3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。 1、形成N阱 2、形成P阱 3、推阱 4、形成场隔离区 5、形成多晶硅栅 6、形成硅化物 7、形成N管源漏区 8、形成P管源漏区 9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺 4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？ 互连线的要求 低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化） 与器件之间的接触电阻低 长期可靠工作 可能的互连线材料 金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）
集成电路封装与系统测试课程实验报告电子、集成专业 （2014—2015学年第一学期） 课程名称集成电路封装与系统测试 课程类别□必修□√限选 班级 学号 姓名 任课教师 考试日期
目录 一、实验目的......................................................... - 2 - 二、实验原理......................................................... - 2 - BC3199集成电路测试系统简介 ..................................... - 2 -测试电路原理图................................................... - 3 -测试参数分析..................................................... - 3 -测量输出电压Vo ............................................. - 3 - 测量电源电压调整率.......................................... - 4 - 测量负载电压调整率.......................................... - 4 - 三、实验设备......................................................... - 4 - 四、实验步骤......................................................... - 4 - 焊制电路板...................................................... - 4 -建立LM7805测试程序............................................. - 5 -测试数据及结果.................................................. - 5 - 五、实验结论......................................................... - 6 - 六、心得体会......................................................... - 6 -附录：............................................................... - 7 -
电路基本分析 电路基础期末考试试卷1 A 卷 一、判断题(每题2分) 1. 在换路瞬间，如果电感电流不跃变，则电感电压将为零。（ ） 2. 当电感元件在某时刻 t 的电流 i (t ) = 0时，电感元件两端的电压 u (t )不一定为零；同样，当 u (t ) = 0时，i (t )不一定为零。 3. 实际电源的两种模型，当其相互等效时，意味着两种模型中理想电压源和理想电流源对外提供的功率相同。（ ） 4. 某三层楼房的用电由三相对称电源供电，接成三相四线制系统，每层一相。当某层发生开路故障时，另二层电器一般不能正常工作。（ ） 5. 如图所示，当 i 1 按图示方向流动且不断增大时，i 2 的实际方向如图所示。（ ） 分享于上学吧资料分享 课后答案 二、填空题(每题1分) 1. 正弦量的三要素是指（ ）、（ ）、（ ） 2. 线性无源二端网络的阻抗与网络的结构、元件参数及（ ）有关。 3. 复功率 ~S 的定义为 ~ S =（ ），它的实部表示（ ）功率，它的虚部表示（ ）功率，它的模表示（ ），它的辐角表示（ ）。 4. 对称三相电路中，电源线电压为220V ，负载作三角形联结，每相阻抗Z = 22，则线电流为（ ）；三相总有功功率为（ ）。 5. 由q u 平面中一条曲线所确定的元件称为（ ）元件；由 i 平面中一条曲线所确定的元件称为（ ）元件。 6. 只具有单一节点对的电路的节点电压方程U =（ ），它称为（ ）定理。 7. n 个节点、b 条支路的连通图，其树支数为( )，连支数为( )。 8. 已知某无源网络的导纳Y = (2 + j2)S ，则该网络的阻抗为（ ），网络为（ ）性 。 9. 选择u 、i 为关联参考方向时，50 电阻元件的 u 、i 关系为（ ），100F 电容元件的u 、i 关系为（ ）,10mH 电感元件的u 、i 关系为（ ）。 10. RLC 串联电路中，R = 50 ，L = 50 mH ，C = 10F ；电源电压U S =100V ，则谐振时电流I = ( )；品质因数Q = ( )。 11. 试为(a)、(b)两个图各选两种树，分别画在括号内。 （ ）,（ ） 12. 图示电路中，N 0为不含独立源的线性网络。当U S = 3V 、I S = 0时，U = 1V ；当U S = 1V ，I S = 1A 时，U = 0.5V 。则当U S = 0，I S = 2A 时，U 为（ ）V 。（ ） 13. 图示为RLC 串联电路的频率特性曲线，其中感抗X L 的曲线为____________；容抗X C 的曲线为____________；电抗X 的曲线为___________；阻抗Z 的曲线为___________。 14. 含源二端电阻网络N S 如图所示，若测得开路电压U ab 为10V ，短路电流I ab 为5A ，则该网络的电压电流关系为U =（ ）。 15. 当一线圈（含R 、L ）与直流电压12V 接通时，其电流为2A ，与正弦电压 V 100cos 212t u π=接通时,电流为1.2A ，则线圈的电阻R = ( )，电感L = ( )。
天大期末试题一答案 一、选择题（每小题2分，共20分） 1． 右图所示电路为自举组合电路，其输入电流i 为 A. 0 B. u i /10kΩ C. u i /20kΩ D. u i /30kΩ （ C ） 2． 右图所示电路的输出电压为 A. )1/(δδ+=i o u u B. )1/(δδ+-=i o u u C. )1/(δδ-=i o u u D. )1/(δδ--=i o u u （ D ） 3．右图所示电路中的R 为电感传感器，当对被测量进行测量时，该电路输出为（ B ） A. 调幅信号 B. 调相信号 C. 调频信号 D. 调宽信号 D ） A. 二阶有源低通滤波器的传递函数 B. 二阶有源高通滤波器的传递函数 C. 二阶有源带通滤波器的传递函数 D. 二阶有源带阻滤波器的传递函数 5．右图所示电路的输入信号u i 是代表测量振动幅值的交变信号，该电路可实现 u i
A. 负峰值运算 B. 正峰值运算 C. 峰峰值运算 D. 绝对值运算 （ A ） 7．在相位跟踪细分电路中，相位基准 A. 既是反馈环节，又是细分机构，分频数等于细分数 B. 是反馈环节，但不是细分机构 C. 是细分机构，且分频数等于细分数，但不是反馈环节 D. 既是反馈环节，又是细分机构，细分数是分频数的2倍 ( A ) 二、简答题（30分） 1． 什么是隔离放大电路画图并简述光电耦合隔离放大电路的基本工作原理。 答：隔离放大电路是指电源、输入放大器及输出放大器没有公共端，即不共地。光耦合隔离放大电路的基本原理如图所示，它是通过中间的一个光电隔离器将输入与输出放大器隔开的，这样可提高抗干扰能力。 2． 什么是双边带调幅请写出其数学表达式，并画出其波形。 答：双边带调幅是在调幅信号中，将载波信号幅值Um 取0，从而得到频带在Ω±c ω范围内的调幅信号。
. 名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 3.芯片互联： 将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 4.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 5.可润湿性： 指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 6.印制电路板： 为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 7.气密性封装： 是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。 8.可靠性封装： 是对封装的可靠性相关参数的测试。9.T/C测试： 即温度循环测试。 10.T/S 测试： 测试封装体抗热冲击的能力。 11.TH测试： 是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。 12.PC测试： 是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。 13.HTS测试： 是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高 温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。 14.Precon测试： 模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。 15.金线偏移： 集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。 16.再流焊： 先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制 板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件 分印制板放在再流焊设备的传送带上。