2012/2013（一）学年
《模拟电子技术基础》期中考试试题
姓名 学号 班级 任课教师
一．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×，共15分）
1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ）
2．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。 （√ ）， 3. 三极管的外部电流关系是B C
i i β=，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。（ × ）
4．为了保证晶体管BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。（ × ）
5．测出某三极管的共基电流放大系数α小于1，表明该管子没有放大能力。 （ × ）
6．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。 （×）
7. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换。 （ √ ）；
8．双极型晶体管具有NPN 或PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。 （ × ）
9．晶体管的输入电阻rbe 是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。 （ × ）
10．在共射放大电路中，当负载电阻RL 减小，电压放大倍数下降。 （ √ ）
11．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。 （ × ）
12．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻与后级有关。 （ √ ）
13．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。 （ √ ）
14．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ × ）
15．一个NPN 管和一个PNP 管可以复合成NPN 管也可以复合成PNP 管。 （ √ ）
二、填空题：（每小题2分，共20分，）
1. P 型半导体的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。
2. 一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，
则随着输入电压的增加，输出将首先出现 截止 失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现 饱和 失真。
3. 已知某三极管的P CM ＝800mW ，I CM ＝500mA,，BR(CEO)V ＝30V 。若该管子在电路中工作
电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V ，则I C 不应超过 500 mA 。
4. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 小 ；绝缘栅
型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 小 。
5. 某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为5V ，接入2kΩ负载电阻后，输出电压
有效值降为2.5V ，这说明放大电路的输出电阻R 0 = Ωk 2 。
6. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望从信号源索取电流小，应选用 共
集组态 放大电路；既能放大电压，又能放大电流，应选用 共射组态 放大电路； 7. 在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是251=v A 、1002=v A 、403=v A ，则三
级放大电路=v A 105 折合为 100 dB 。
8. 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为 C 晶体管的极间电容和分布电容
的影响；低频时放大倍数下降，主要是因为 A 耦合电容和旁路电容 的影响。 9. 已知某共发射极放大电路的对数幅频特性如图所示，当信号频率f ＝1KHz 时，电压增
益Au 为40dB ，则当信号频率f ＝10 6 Hz 时，电压增益 Au 实际约为_______37 _____ dB 。此时，对应相频特性上的相位约为__-225_____度。
f Hz
10. 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如图所示, 负载上获得的最大不
失真输出电压的峰峰值是 3 V
)
(V .0.1.1.2.2.3A
μ
-
O
三、选择题：（每小题2分，共20分，）
1．本征半导体在温度升高后， C 。
A 、自由电子数目增多，空穴数目基本不变；
B 、空穴数目增多，自由电子数目基本不变；
C 、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；
D 、自由电子和空穴数目基本不变。 2． 当PN 结外加正向电压时， 扩散电流 A 漂移电流， 耗尽层
E A ．大于， B ．小于， C ．等于， D ．变宽， E ．变窄，
F 不变
3．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是 C 。
A 、（
B 、
C 、E ） B 、（C 、B 、E ） C 、（E 、C 、B ）
4．测得某硅晶体三极管的电位如图所示，判断管子的工作状态 是（ C ）。 A ．放大状态 B ．截止状态 C ．饱和状态 D ．击穿状态
5．在如图所示电路中，电阻E R 的主要作用是 B 。 A ．提高放大倍数 B ．稳定直流静态工作点 C ．稳定交流输出 D ．提高输入电阻
u s
1.3V
6．场效应管是一种（ A ）
A ．电压控制器件
B ．电流控制器件
C ．双极型器件
D ．少子工作的器件
7．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A.P 沟道增强型MOS 管
B.P 沟道结型场效应管
C.N 沟道增强型MOS 管
D.N 沟道耗尽型MOS 管
8．如下图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压0u 波形不失真，则应 B 。
A 、C R 增大
B 、B R 增大
C 、B R 减小
D 、β增大
9．试判断图中复合管的接法哪些是错误的 管②
5
10. 下图所示电路不能正常放大，图中错误连接有 A
A 、电容C 的位置
B 、电源Vcc 的极性
C 、 C2的极性
D 、 Ce 的极性
四．（6分）已知图示电路中稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V 和9V ，求电压V O 的值。
电压V O1 = 3V 电压V O2 = 5V
五．（8分）电路如下图所示，已知)(sin 5V t v i ω=，试分析说明电路中二极管的工作情况，并画出输出电压波形。（已知二极管均为理想）
(2分)
v i >2V , D 1导通，D 2截止，v o =2V v i <-1V , D 2导通，D 1截止，v o = -1V -1V + V O2 — 图 a 图 b 六．（10分）已知如图所示电路中晶体管的β＝50，V BEQ ＝0.7V ，b b 'r ＝100Ω，各电容足够大，对交流信号可视为短路。 （1）求静态工作点I CQ （2）求电压放大倍数v A 、输入电阻i R 和输出电阻o R R L 3k Ω v 解： （1）A R R V V I e b BEQ CC BQ μβ22)1(≈++-= mA 1.1BQ CQ ≈≈I I β （2）Ω≈++='k mA I mV r r EQ b b be 27.1) () (26) 1(β 987 .0) )(1())(1(≈+++= L e be L e v R R r R R A ββ R i ＝[ r be + (1+β) (R e // R L )] // R b ≈70k Ω R o ＝R e //Ω≈+251β be r V 75.3)23(65.112)(A 33m A 50 65 .1m A 65.12 7 .04V 412102010 E C CQ CC CEQ CQ BQ E BEQ B EQ C C B2B1B2B =+?-=+-=== = =-= -=≈=?+=+=R R I U U I I R U U I I U R R R U CQ μβ680.1333 350k 0.1100065 .126)501(20026)1(200be L EQ be -≈+??-='-=Ω=Ω≈++=++=r R A I r u ββ （3）求输入电阻和输出电阻 Ω ≈==k 994.00.1//10//20////be B2B1r R R R i 七．（15分）如图所示电路中，已知V CC =12V ，R B1=20k Ω，R B2=10k Ω，R C =3k Ω， R E =2k Ω，R L =3k Ω，R S =300Ω，β=50，若U BE ≈0.7V 。试求： 1．静态工作点I BQ ，I CQ ，U CEQ ； 2．计算电路在L R 开路的电压放大倍数=o v A i o /v v 和L R 接入后的电压放大倍数=v A i o /v v ； 3．计算电路在L R 接入后的电压放大倍数A V S =S v v /o ； 4．若渐渐减小R B1 ，输出电压v O 会出现何种现象？ (1) （2）求电压放大倍数 136-≈-=be C O v r R A β A V S =S v v /o = 34-≈+S i i v R R R A (4) 会出现饱和失真 v s + v o － 八．如图所示电路，场效应管工作于放大状态，r ds 忽略不计，电容对交流视做短路。写出该电路的电压放大倍数A V ，输入电阻R i 和输出电阻R o 的表达式.设跨导为g m ＋ Vo － A V = -g m(R D //R L ) 12//i G G R R R = o D R R = 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80 V 则差模输入电压u Id = 20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1 120k ， R B2 39k ，R C 3.9k ，R E 2.1k ，R L 3.9k ，r bb’ ，电流放大系数 50， 电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2 苏州大学 模拟电子技术 课程期中试卷 共 5 页 考试形式 闭 卷 2013 年 11 月 院系 年级 专业 学号 姓名 成绩 一．选择题 （每小题1分，共10分） 1．三极管工作于放大区时 （ A ） A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 发射结反偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 2．某放大器的放大倍数为Av=1000，则其分贝表示值为 （ C ） A. 40dB B. 30dB C. 60dB D. 50dB 3．温度影响放大电路的静态工作点，使静态工作点不稳定，其主要原因是温度影响了放大电路中的 （D ） A. 电阻 B. 电容 C. 电感 D. 三极管 4．硅NPN 型BJT 处于放大状态时，其V BE 一般为 （ B ） A. 0.2V B. 0.7V C. –0.2V D. 0V 5．杂质半导体导电能力强是因为 （ D ） A ．原子增多 B. 离子增多 C. 体积增大 D. 载流子增多 6．稳压管又叫 （ B ） A ．二极管 B. 齐纳二极管 C. MOS 管 D. 整流管 7．输入信号频率等于放大电路的上限截止频率H f 时，放大倍数约降为中频时的 （ D ） A. 1/2 B. 1/3 C. 1/3 D. 1/2 8．三极管的三种基本放大电路中，基极输入、集电极输出的放大电路组态是 （ B ） A. 共集电极组态 B. 共射极组态 C. 共基极组态 D. 三种都是 9．二极管的电流和电压在某一静态工作点附近作微小变化时，可以采用以下模型分析 （ D ） A ．理想模型 B. 恒压降模型 C. 折线模型 D. 小信号模型 10．一两级放大器，第一级增益20dB ，第二级40dB ，总增益为 （ D ） A. 40 dB B. 20 dB C. –60 dB D. 60 dB 二．（10分）一个三极管放大电路中，测得BJT 三个引脚1、2、3对地电压分别为U1=0.7V ，U2=0V , U3=5V ，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT 为NPN 还是PNP 管，是硅管还是锗管。 1-----基极、2-----发射极、3-----集电极。 此BJT 为NPN 硅管。 三．（15分）二极管电路如图1，二极管是理想的（采用理想模型）， （1）分析二极管的导通条件，即 i v 在什么范围内二极管导通，在什么 范围内二极管截止（6分） （2）分别画出二极管导通和截止时，图1的等效电路（4分） （3）若t v i ωsin 5=（V ），绘出o v 的波形（5分）。 图1 《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分） 2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分） 《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。 模拟电子技术基础期中考试 系（专业）________班 学号____________姓名________ ____________________________________________________________________________ 一、选择题(本题满分27分)： 1. 在图1所示的稳压电路中，稳压管的稳定电压为8V ，稳 压管电流小于2mA 时不能稳压。为了使稳压管起稳压作 用，则负载电阻R L 应大于 【 】 A. 4 k Ω B. 1 k Ω C. 800Ω D. 667Ω 2. 图2为场效应管电路和它的输出特性曲线，若R g =1M Ω，R d =5 k Ω，则从图中可知场效应管工作在 【 】 A. 可变电阻区 B. 放大区 C. 截止区 D. 临界饱和 图 2 3. 三极管放大电路的三种组态 【 】 A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用 C. 都有功率放大作用 D. 只有共射电路有功率放大作用 图1 4. 单管直耦放大电路如图3所示，设V CES=0V。已知A v＝－10，且当V I＝1V时，V O ＝6V，则当V I＝1.01V时，V O为【】 A. 10.1V B. 5.9V C. 6.1V D. –10.1V 图 3 图4 5. 上题中，又当V I＝0V时，V O变为【】 A. 16V B. 0V C. 10V D. 6V 6. 有一NPN三极管组成的基本共射放大电路如图4所示，在室温下工作正常，但将它 放入60℃的恒温箱中，发现输出波形失真，且幅度增大。这时电路产生了【】 A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 饱和失真和截止失真 D. 交越失真 7. 一个理想的集成运算放大器【】 A. 只能放大交流信号，不能放大直流信号 B. 只能放大直流信号，不能放大交流信号 C. 只能放大差模信号，不能放大共模信号 D. 只能放大共模信号，不能放大差模信号 重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式： 开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) 3．乙类互补对称OTL 电路中的交越失真是一种非线性失真。 （ ） 4．一般情况下高频信号发生器中采用LC 振荡电路。 （ ） 5．在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 （ ） + - 命题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教 务处 制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密 昆明冶金高等专科学校试卷(A) 学院: 专业: 课程: 考试学期: 年季学期考试时间: 分钟试卷类别: 闭卷 行政班级: 学生姓名: 学号: 一、填空题(每空1分,共30分) 1. PN结正向 ,反向 ,具有性。 2.三极管按其结构可分为与。 3.三极管的三种工作状态就是、与。 4.三极管处于放大状态的外部工作条件就是。 5.当环境温度下降时,会导致三极管的集电极电流 Ic 。 6.多级放大电路常用的耦合方式有、与。 7.差动放大电路的主要功能就是可以有效抑制。 8.功率放大电路从其静态工作点的设置情况可分为、 与三种类型。 9.OTL功放的含意就是。 10.集成运算放大器的输入级常采用电路,中间级常采 用电路,输出级常采用电路。11.理想集成运算放大器的两条重要性质就是 与。 12.振荡电路能够起振的条件就是与。 13.LC振荡电路的振荡频率为。 14.直流稳压电源主要由、、与 四个部分构成。 二、判断题(每题1分,共12分) 1.当PN结承受正向电压时,内电场被削弱,空间电荷区变宽。( ) 2.二极管两端承受正向电压时,一定会导通。 ( ) 3.NPN型三极管工作于放大状态时,E极电位最高。 ( ) 4.三极管的Au体现了其电流放大功能。 ( ) 5.开关三极管工作于截止区与饱与区。 ( ) 6.三极管的β值越高越好。 ( ) 7.多级放大电路的总放大倍数等于各级放大倍数之与。 ( ) 8.电压负反馈可以稳定输出电流。 ( ) 9.放大电路的通频带越宽越好。 ( ) 10、单管共射放大电路,输出与输入电压相位差0度。 ( ) 11、共基放大电路,输出与输入电压相位差90度。 ( ) 12、为消除乙类功放的交越失真,应使其工作在甲乙类。 ( ) 三、选择题(每题2分,共10分) 1、能将矩形波转变成三角波的电路就是( ) A、比例运算电路 B、微分运算电路 C、积分运算电路 D、加法电路 2、如要求能放大两个信号的差值,又能抑制共模信号,采用( )方式的电路: A、反相输入 B、同相输入 C、双端输入 物理与电信工程学院2011－2012学年（二）学期期中考试 《模拟电子电路》试题 年级班级姓名学号 一、填空题(9小题，每空1分，共28分) __变大_____，发射结压降变 1. 当温度升高时，晶体三极管集电极电流I c 小，共射电流放大倍数___变大______。 2. PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 3. 本征半导体掺入 +5 价元素可生成N型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于空穴，二极管的最主要特性是单向导电性。 4.NMOS管的衬底是__P______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位___低_____的电位上。 5. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4kΩ。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为40 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为66 dB。 R0 //R L / R0 =3/4 解得R0=4kΩ 6.在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是__共基_____，不能放大电压、可以放大电流的是__共集_____，输入电阻最小的是__共基_____，输出电阻最小的是__共集_____。 7. 结型场效应管的栅源极间必须加_反向______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加__反向____偏置电压才能正常放大。 8. 三极管的共射输出特性可以划分为三个区：饱和区、截止区和放大区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应 使三极管工作在放大区内。当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。 9. 二极管电路如图所示，设二极管具有理想特性，图中二极管是V1截止，V2导通(导通还是截止)，U AO= -6 V。 二、判断题（8小题，每题1分，共8分） 1. 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 ( 对 ) 2. 半导体中的空穴带正电。（对） 3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。（错） 4. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（错） 5. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（对） 6. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（错）。 7. 若耗尽型N沟道MOS管的U 大于零，则其输入电阻会明显变小。（错） GS 8. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（错） 三、选择题（10小题，每空2分，共30分） 1. N型半导体主要是依靠（ A ）导电。 A、电子 B、空穴 C、少数载流子 D、原子 2. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（ E ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 3. 在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是（ B ），既能放大电流，又能放大电压的电路是（ C ）。 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差 模电压增益 100vd =A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流， 则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。 一、 选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分） 1． 在一个NPN 管组成的基本共发射极放大电路中，当输入幅度为5mV ，频率为1kHz 的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平失真 （1）这种失真是 ( ) A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频率失真 （2）为了消除这种失真应 ( ) A. 减小集电极电阻R C B. 减小电源电压U CC C. 增大基极电阻R B D. 减小基极电阻R B 2．放大电路的空载是指 ( ) A. R C ＝0 B. R C ＝∞ C. R L ＝0 D. R L ＝∞ 3．若要增大某放大器的输入电阻和使输出电流稳定，可加入下列负反馈： ( ) A.电流串联 B.电压串联 C.电流并联 D.电压并联 4．甲乙类功率放大器在输入信号整个周期中，管子只导通 ( ) A.一个周期 B.半个周期 C.大于半个周期小于一个周期 5．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 ( ) A.反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C.微分电路 D.积分电路 6．三端稳压电源输出正电源并可调的是 （ ） A ．CW78XX 系列 B ．CW337系列 C ．CW317系列 7．在单相桥式整流电容滤波电路中，则负载上的电压 （ ） A ．U 2 B ．1.2U 2 C ．1.414U 2 D ．2U 2 8．开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 （ ） A ．调整管工作在开关状态 B ．输出端有LC 滤波电路 C ．可以不用电源变压器 9． 有220V 、25W 的电烙铁，其电源控制电路如图所示，烙铁温度最高的是 （ ） A ．S 1、S 2均接通 B ．S 1断开，S 2接通 C ．S 1接通，S 2断开 D ．S 1、S 2均断开 10．若稳压二极管V 1和V 2的稳定电压为6V 和10V ，则下图的输出电压 （ ） A. 10V B. 6V C. 16V D. 4V 11. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV ”的指示值是5μs ，则所测 正弦波的频率为 （ ） A ．100kHz B ．50kHz C ．25kHz D ．20kHz 12. 若载波u C (t)=U C cos ωC t,调制信号u Ω(t)= U Ωcos Ωt ，则双边带调幅波的表达式为（ ） A ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a sin Ωt ） B ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a cos Ωt ） C ．u DSB (t)=U C （1＋m a cos Ωt ）cos ωC t D ．u DSB (t)=kU ΩU C cos ωC tcos Ωt 13. 鉴相的描述是 （ ） A ．调幅信号的解调 B ．调频信号的解调 C ．调相信号的解调 14．下图所示框图能实现何种功能？ （ ） 其中u s (t)= U s cos ωc tcos Ωt ， u r (t)= U r cos ωc t A ． 振幅调制 B ． 检波 C ． 混频 D ． 鉴频 15. MC1596集成模拟乘法器可以用作 （ ） A ．混频 B ．频率调制 C ．相位调制 二、填空题（每空1分，共14分） 1．测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x 、y 、z 对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出分别为三极管的_______极、_______极、________极。 2．已知某放大电路的第一级电压增益为40dB ，第二级电压增益为20dB ，总的电压增益为____________dB 。 3．差动放大电路中共模信号是指 。 4．调幅波的几种调制方式是 、 、 和 。 5．在图所示电路中，调整管为 ，采样电路 由 组成，基准电压电路由 组 成， 比较放大电路由 组成， 输出电压最小值的表达式 。 常州信息职业技术学院 学年第 学期 模拟电子线路 课程期末试卷 班级 姓名 学号 成绩 装 订 线 模拟电子技术基础期中试卷解答 系（专业）________班 2005年12月10日 ____________________________________________________________________________ 一、选择题(本题满分27分)： 1. 在图1所示的稳压电路中，稳压管的稳定电压为8V，稳 压管电流小于2mA时不能稳压。为了使稳压管起稳压作 用，则负载电阻R L应大于【C】 A. 4 kΩ B. 1 kΩ 图1 C. 800Ω D. 667Ω 2. N沟道结型场效应管工作在线性放大区时，【C】 A. V GS为正电压，V DS为正电压 B. V GS为正电压，V DS为负电压 C. V GS为负电压，V DS为正电压 D. V GS为负电压，V DS为负电压 3. 图2为场效应管电路和它的输出特性曲线，若R g=1MΩ，R d=5 kΩ，则从图中可知场 效应管工作在【A】 A. 可变电阻区 B. 放大区 C. 截止区 D. 临界饱和 图 2 4. 三极管放大电路的三种组态【C】 A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用 C. 都有功率放大作用 D. 只有共射电路有功率放大作用 5. 单管直耦放大电路如图3所示，设V CES=0V。已知A v＝－10，且当V I＝1V时，V O＝ 6V，则当V I＝1.01V时，V O为【B】 A. 10.1V B. 5.9V C. 6.1V D. –10.1V 图 3 图4 6. 上题中，又当V I＝0V时，V O变为【C】 A. 16V B. 0V C. 10V D. 6V 7. 有一NPN三极管组成的基本共射放大电路如图4所示，在室温下工作正常，但将它 放入60℃的恒温箱中，发现输出波形失真，且幅度增大。这时电路产生了【A】 A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 饱和失真和截止失真 D. 交越失真 8. 为了使高输出电阻的放大电路与低阻值的负载很好地配合，可以在放大电路与负载 之间接入【B】 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 模电试题及答案精编 W O R D版 IBM system office room 【A0816H-A0912AAAHH-GX8Q8-GNTHHJ8】 《模拟电子技术基础》试题（A卷） 学号姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）（7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）二、选择填空（10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 浙江理工大学2011—2012学年第 二 学期 《 模拟电子技术 》期末试卷（A ）卷 本人郑重承诺：本人已阅读并且透彻地理解《浙江理工大学考场规则》，愿意在考试中自觉遵守这些规定，保证按规定的程序和要求参加考试，如有违反，自愿按《浙江理工大学学生违纪处分规定》有关条款接受处理。 承诺人签名： 学号： 班级： 一、在图1半波整流电路中，变压器二次侧电压有效值为12.6V （50Hz ）， F C R μ000,25,15=Ω=,假定二极管导通电压为V U on 0.1=，求整流电路的直流输出电压、 直流输出电流、纹波电压、导通间隔与导通角。（12分） 二、 图2所示电路是什么电路？（2分）图中min L R 是多少？（5分）若100Z R =Ω，当1L R k =Ω和2L R k =Ω时，输出电压分别是什么？（8分）根据计算结果，能得到什么结论？（3分） 三、已知已知V U V A K M R k R V U TN n G D DD 1/2602103.32 ==Ω=Ω==、、、、μ ，计 算图3所示两电阻偏置MOSFET 放大电路的工作点Q(DS D U I 、)，判断晶体管工作区域。（10 分） - V 3.3+ 四、电路如图4所示，晶体管的 ＝100。 A 、R i和R o；（12分） （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（6分） 五、设计一个比例运算电路，要求输入电阻R i＝20kΩ，比例系数为－100。（10分） 六、判断图5所示电路能否正常放大输入信号？（2分）为什么？（3分）如果在T的栅极和电源间接上一个电阻R，对电路有什么影响？（3分）画出修改后的交流小信号电路模型（5分）。写出放大倍数表达式。（3分） 七、图6所示的功率放大器产生8V p-p的正弦波，确定其效率。（8分）模拟电子技术基础期末考试试题及答案
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