Distribution of magnetic domain pinning fields in GaMnAs
ferromagnetic films
Jungtaek Kim, D. Y. Shin, and Sanghoon Lee*
Physics Department, Korea University, Seoul 136-701, Korea
X. Liu and J. K. Furdyna
Physics Department, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA Using the angular dependence of the planar Hall effect in GaMnAs ferromagnetic films, we were able to determine the distribution of magnetic domain pinning fields in this material. Interestingly, there is a major difference between the pinning field distribution in as-grown and in annealed films, the former showing a strikingly narrower distribution than the latter. This conspicuous difference can be attributed to the degree of non-uniformity of magnetic anisotropy in both types of films. This finding provides a better understanding of the magnetic domain landscape in GaMnAs that has been the subject of intense debate.
PACS numbers: 75.50.Pp, 75.30.Gw, 75.40.Gb
*Electronic address: slee3@korea.ac.kr
The ferromagnetic semiconductor GaMnAs continues to be the subject of intense interest due to the opportunities which it may provide for spintronic applications [1-3]. Many of its physical properties, such as the effect of low temperature annealing on the Curie temperature [4-8], the role of Mn ions at interstitial positions [7, 9, 10], and the dependence of magnetic anisotropy on strain and on carrier density, have been extensively investigated [11-13].
The fundamental question of the uniformity of magnetic phase in GaMnAs is, however, still under debate. For example, the ac susceptibility measurements of Hamaya et al. [14] of GaMnAs films have led these authors to suggest a mixed magnetic phase model of GaMnAs. Wang et al. [15], on the other hand, who also carried out ac susceptibility studies on GaMnAs films, interpret their data in terms of temperature-dependent changes in magnetic anisotropy by assuming a single uniform magnetic phase. It is thus clear that further studies are needed to resolve the fundamental issue of the magnetic domain landscape in GaMnAs.
A major advance in this area has been made by Welp et al. [16], who used magneto-optical imaging to map the magnetic domain structure in GaMnAs. This study demonstrated a landscape comprised of multiple domains with different directions of magnetization coexisting during magnetization reversal. The magnetotransport measurements of Shin et al.
[17] provided further evidence for the existence of stable multidomain structures which accompany the magnetization reversal process in GaMnAs.
In this letter we report a study of the multidomain structure in GaMnAs during magnetization reversal carried out by an alternative approach of changing the direction of the applied magnetic field while its magnitude is kept constant. It will be shown that this approach provides direct information on the distribution of pinning fields for magnetic domains with different orientations of their local magnetization.
A GaMnAs film with 6.2 % of Mn and a thickness of 100 nm was used in this study. The
details regarding growth, annealing, and sample preparation are described elsewhere [19]. Curie temperatures T C of 62 and 136 K were estimated for the as-grown and annealed films from the temperature dependences of their respective resistivities (see inset in Fig. 4). Hall measurements revealed the magnetic easy axes to lie in the layer plane in both samples. The magnetic anisotropy within the plane is, however, quite different in the two cases, as revealed by the angular dependence of the planar Hall effect (PHE). The dependence of PHE on the magnetic field orientation was measured as follows. The magnetization of the sample was first saturated by applying a field of 4000 Oe at a given angle. The field was then reduced to the desired strength, and the PHE was measured as the field direction was rotated without changing field strength . This was repeated for a series of field strengths. The azimuthal angle was measured counterclockwise from [110] crystallographic direction (i.e., from the direction of the current).
Representative angular dependences of the planar Hall resistance (PHR) obtained for as-grown and annealed GaMnAs films at 13 K are shown in Fig. 1. The PHR is seen to vary between positive and negative values as the field is rotated, showing a hysteresis between clockwise (CW) and counterclockwise (CCW) rotations. This type of angular dependence of PHR has already been observed in GaMnAs films [19, 20], and can be described by the following expression [21]
2PHR sin 2M k R M t
?=, (1) where t is the film thickness, M ?is the angle between the direction of the current and the magnetization M , and k is a constant related to the anisotropic magnetoresistance. Note that the behavior of PHR is strikingly different in the two samples, showing an abrupt transition between its maximum (2k M t + ) and minimum (2k M t
? ) values in the as-grown film,
and a smooth broad transition for the annealed film.
In order to investigate the magnetic domain structure associated with the reorientation of magnetization during the rotation of the field, we have focused on the transition region indicated by the shaded area in Fig. 1. This region includes the crossing by the field direction of the [110] crystallographic axis. In this angular range the direction of magnetization changes between the [100] and [010] directions via domain nucleation and propagation, in a process similar to that discussed in Ref. [16]. The value of PHR in this region will therefore reflect the fractions of the sample area occupied by domains oriented along [100] and [010]. Note that magnetization in these directions corresponds to the minimum and maximum values of R PHR , respectively, when the entire sample is in single-domain state [17]. The fractional area p of magnetization along the [010] direction at any point during the transition from [100] to [010] (i.e., in the case of CCW rotation of the field) can be calculated from the
simple relation, max PHR PHR
1/2(1/)p R R =?, given in Ref. [22]. The observed values of p are plotted in the left inset in Fig. 2.
The direction of magnetization in an in-plane magnetized GaMnAs film is determined by the magnetic free energy, given by [23]
22U C sin (/4)cos 2cos()M M M H E K K MH ????=+??, (2) where H is the external magnetic field, U K and C K are uniaxial and cubic anisotropy
coefficients, respectively, and M ? and H ? are angles of the magnetization and of the applied magnetic field measured from the [110] direction. The magnetic energy difference between magnetizations along [100] and [010] directions is then
[010][100][010][100]2cos sin ()/2H M M E E E MH ?????Δ=?=???, (3)
where the orientation of magnetizations is given by the angles [100],[010]M ?. Note, however, that
these orientations may be slightly mis-aligned with [100] and [010] due to the presence of the external magnetic field and to contributions from uniaxial anisotropy [18].
Since the energy difference E Δ between the two directions of magnetization varies as cos H H ? in Eq. (3), it can be continuously swept by changing the direction of the applied
field. This provides a very direct handle for investigating the pinning energy [24] distribution of magnetic domains, since only those areas having a domain pinning energy of the same or smaller magnitude than E Δ will make a transition from [100] to [010] during the scan of E Δ. As the sample breaks up into regions with two different directions of magnetization, the value of PHR will change to reflect the fractional areas corresponding to these two magnetization orientations. From the data shown in the left inset in Fig. 2 (p vs. H ?) and the relation given in Eq. (3) (E Δ vs. H ?), one can relate the fraction p to the value of /E M Δ, as shown in the right insets in Fig. 2. Note that the relation between p and /E M Δ is a measure of the field strength required to reorient the domain magnetization from the [100] to the [010] direction. The derivative of p with respect to /E M Δ then provides the probability of finding a domain with a pinning field /p H E M =Δ, which is the threshold external field required to cross the [110] direction. The probability distributions of domain pinning fields obtained in this way are plotted for both samples in Fig. 2. This probability can very nicely fit by a Gaussian distribution function given by
2
()()p H H f H ???= , (4) where p H is the pinning field for a domain with a given orientation,avg H is the average
pinning field over the entire ensemble of domains in the sample, and σ is the standard deviation of the pinning field fluctuation. The value of avg H obtained from the fits is
37.70.43Oe ± for the as-grown and 8.60.30Oe ± for the annealed sample.
It is most interesting that the domain pinning field distribution for the as-grown sample shown in Fig. 2 is confined to a very narrow region, indicating that domain pinning is quite homogeneous over the entire sample. Since the domains comprising the sample have nearly identical pinning fields, they rotate coherently during magnetization reversal. This behavior is consistent with the uniform magnetic phase model adopted by Wang et al. for the interpretation of their ac susceptibility data obtained on as-grown GaMnAs film.
In contrast to the as-grown sample, domain pinning fields in the annealed sample are distributed over a broad region, as seen in Fig. 2. Note that there even is a finite probability p for a region of negative pinning fields, indicating that there exist areas in the film in which magnetization direction can change in the absence of an applied magnetic field. The phenomenon of negative pinning fields is usually observed in magnetic multilayer systems comprised of ferromagnetic and antiferromagnetic layers. In that case a strong coupling between adjacent magnetic layers provides a negative pinning field for the ferromagnetic layer [25]. Our sample, however, consists of a single ferromagnetic GaMnAs film, and it is difficult to identify a mechanism that would be analogous to that discussed in Ref. [25]. The negative pinning field in our case must therefore have an entirely different origin.
To gain some insight into the broad distribution of pinning energies in annealed GaMnAs (including negative values), we must reexamine the distribution of magnetic anisotropy within the sample. In the analysis presented above we assume the entire film to be uniformly dominated by the same type of anisotropy (specifically, cubic). However, magnetic domains in a GaMnAs film can in principle have different magnetic anisotropies, resulting in different magnetization directions at zero magnetic field. It is now well established that magnetic anisotropy in GaMnAs is a sensitive function of the hole concentration [11, 13]. Small fluctuations of this parameter can thus produce regions with different magnetic anisotropy (i.e., different relative strengths of K U and K C). This in turn can result in local variations of
magnetic energy profiles, leading to a broad distribution of magnetic pinning fields, as is observed. The observation of the negative pinning field can also be understood in terms of this picture. Assume, for example, that there are some areas dominated by uniaxial anisotropy along [110], and some dominated by cubic anisotropy along the <100> directions. The magnetization of each area will then have tended to align along the directions of magnetic energy minima determined by the anisotropy at zero field. As the magnetization makes the transition from [100] to [010] directions, its relaxation toward the [110] direction in uniaxial-anisotropy-dominated areas can then be viewed as a rotation of magnetization from [100] to [010] in a fraction of the sample. This will manifest itself as a negative pinning energy in the analysis used above, where the magnetization was assumed to make a transition from [100] to [010].
To support the existence of areas dominated by different magnetic anisotropies in the annealed sample, we performed field scans of PHR with different directions of the applied field. Data presented in Fig. 3 show that the value of PHR changes significantly when the field is reduced toward zero even before its direction is reversed. This behavior is very different from what we observed in as-grown GaMnAs film with a strong cubic anisotropy, in which an abrupt change of PHR occurs only after the field direction is reversed [16,20]. Furthermore, in field scan experiments on annealed GaMnAs films the PHR value at zero field is neither a maximum nor a minimum, which can only occur when the magnetization points along one of the in-plane <100> directions over the entire sample in the form of single domain.
Note also that PHR returns to the same value at zero field independent of what was the field direction during the scan. These observations directly suggest that the sample consists of some areas with strong uniaxial anisotropy along [110], and some with strong cubic anisotropy along the <100> directions. The magnetization of the sample at zero field is then
given by the combination of magnetic domains with magnetizations along [110] (uniaxial-anisotropy-dominated areas) and along <100> (cubic-anisotropy-dominated areas), as shown in the right-hand inset in Fig. 3.
In the above configuration involving domains with two different orientations, the direction of the average magnetization at zero field will lie between these two orientations, thus resulting in an intermediate value of PHR, exactly as observed in experiment. Furthermore, this distribution of magnetic domains is intrinsic to the film, and will thus result in the same value of PHR at zero field, regardless of the direction of the field applied during the scan. This is confirmed by the entire set of field angle data in the left-hand inset of Fig. 3, which clearly show that PHR changes only between two values (positive for [100] and [110] combination, and negative for [010] and [110] combination), both of the same magnitude. This observation directly indicates that the annealed GaMnAs film consists of areas having different magnetic anisotropies, similar to the mixed magnetic phase model suggested by Hamaya et al. [14].
The pinning field distribution caused by magnetic fluctuations was further tested by investigating the process of magnetization reorientation for various field strengths, chosen so as to cover the distribution of pinning fields in the sample. If the pinning field distribution shown in Fig. 2 corresponds to a specific distribution of magnetic regions in the sample, only a fraction of the sample with domain pinning fields which are smaller than the applied external field will be able to respond to the field as it is rotated. This will be reflected in the
?, since in the reorientation process only those amplitude of PHR as a function of the angle
H
areas which can follow the rotation of the field will contribute to changes of the PHR value. The field dependence of the amplitude of PHR normalized by the PHR maximum observed at 4000 Oe is shown Fig. 4. The normalized PHR amplitude remains constant (close to unity) at fields above 40 Oe, indicating that above 40 Oe practically the entire sample follows the
rotation of the field. This is consistent with the domain pinning field distribution shown in Fig. 2, where the upper ends of the distributions for both samples lie around 40 Oe. At lower fields, on the other hand, the amplitude of PHR is clearly seen to decrease as the field is reduced, since the areas having pinning fields larger than the strength of the applied field can no longer follow the rotation of the field. Thus the lower the field, the lesser fraction of the sample can respond to the field rotation. As seen in Fig. 4, in the as-grown sample the amplitude of PHR drops rapidly to zero within a very narrow field window, while the decrease of PHR in the annealed sample is much more gradual. This behavior directly reflects the difference of domain pinning field distributions in as-grown and annealed GaMnAs.
Interestingly, the pinning field distribution shown in Fig. 2 for GaMnAs films also provides qualitative insight into the temperature dependence of the resistivity shown in the inset of Fig. 4. It is now well established that the peak in the temperature scan of the resistivity is an indication of the magnetic phase transition [6]. The resistance peak in annealed GaMnAs samples -- although it is shifted to a higher temperature, indicating an increase of the Curie temperature -- is systematically observed as a broad, rounded maximum as compared to the sharp peak seen in as-grown samples [4, 6, 8]. This has always been rather surprising, since annealing leads to an overall improvement of magnetic properties of GaMnAs films, such as an enhancement of T C and a reduction in the concentration of interstitial Mn ions [4-9]. However, one can see from Fig. 2 that the pinning field distribution in annealed GaMnAs is much broader than in as-grown material. This suggests that annealing leads to an increase of magnetic fluctuations (in agreement with Refs. [7] and [14]); and it is reasonable to expect that the more magnetic fluctuations in the film, the broader will be the temperature range needed to complete the magnetic phase transition of the entire film. The commonly observed difference in the resistivity peaks of as-grown and annealed GaMnAs can therefore be readily related to the difference in their magnetic pinning field distributions.
In conclusion, we have investigated the domain pinning field distribution of ferromagnetic GaMnAs films by PHE measurements as a function of applied field orientation. While a narrow pinning field distribution was obtained for as-grown GaMnAs, annealed GaMnAs film exhibited a strikingly broad range of pinning fields. Such pinning field distribution was interpreted in terms of fluctuations of magnetic anisotropy over the area of the film. All domains comprising as-grown GaMnAs have similar magnetic anisotropy (predominantly cubic), resulting in a uniform behavior of the sample as a whole. In contrast, domains in annealed GaMnAs films have a broad range of pinning fields (including even a non-zero probability of negative pinning fields), indicating the existence of areas with various degrees of uniaxial anisotropy. This broad pinning field distribution agrees with the mixed magnetic phase model proposed in Ref. [14]. The present study therefore demonstrates that the magnetic nature of GaMnAs films can be represented either by a single (uniform) phase, or by a mixed phase model, depending on the degree of magnetic anisotropy variation related to spatial magnetic fluctuations within the film.
This work was supported by the Korea Research Foundation Grant KRF-2004-005-C00068; by the Seoul R&DB Program; and by the National Science Foundation Grant DMR06-03762.
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Figure Caption
Fig. 1. Angular dependences of planar Hall resistance data taken at 13 K for (a) as-grown and (b) annealed GaMnAs samples. The open and solid symbols show data taken with field rotations in CW and CCW directions, respectively. A hysteresis is clearly observed between the CW and CCW rotations in both samples, but with very different characteristics.
Fig. 2. Probability of finding magnetic domains oriented along the [010] direction for a given pinning field. The widths of the distribution show a clear contrast between as-grown (solid circles) and annealed (open circles) samples. The solid lines are Gaussian fits obtained with Eq. (4). The left-hand inset shows fractional area p corresponding to magnetic domains with magnetization along [010] obtained from data in the shaded region of Fig. 1. The right-hand insets are plots of the relation between fractional area p and the pinning field ΔE/M mapped out from the data shown in the left inset.
Fig. 3. Representative field scans of PHR data obtained on annealed GaMnAs film for field directions 105H ?=° and 145H ?=°. Both sets of data show significant changes near zero field, giving the same intermediate value at the intercept. The zero-field intercepts obtained for PHR scans at different H ? are given in the left-hand inset, showing that the transition occurs between two PHR values that correspond to a combination of two directions of magnetization, along [110] and [100]. This is illustrated in the right-hand inset, where M U and M C indicate magnetizations dominated by uniaxial and cubic anisotropies, respectively.
Fig. 4. (a) Amplitude of PHR obtained from angular dependence data taken at various field strengths. The solid and open circles correspond to as-grown and annealed samples. For as-grown sample the PHR amplitude drops to zero in a very narrow field window, and annealed GaMnAs it decreases gradually with decreasing field. Temperature dependence of resistance measured on the two GaMnAs films is shown in the inset.
Fig. 1
0901********
-202
-20020
?H (deg.)
R P H
R (Ω
)
Fig. 2
-40-20020406080
T =13 K As-grown Annealed
D i
s t r i b u
t i o n ΔE/M (Oe)
Fig. 3
H (Oe)
Fig. 4
020*********
0.00.20.4
0.60.81.0
A m p l i t u d e
o f
R n o r m
a
l i
z
e d P
H R
H (Oe)
公路电动栏杆机控制模块维修简述 目前，公路自动栏杆机控制模块主要是Magnetic的自动栏杆机控制模块，这种控制模块采用了先进的微处理器技术和可靠的开关控制技术，系统集成度高，逻辑功能强，满足公路环境下的应用。 下面简单介绍栏杆机控制模块面板的功能与接线，栏杆机控制模块中的数字代表意义和接法如下： “1”表示接电源L（火线）220V AC； “2”表示接电源N（零线）； “3”表示电源线地线； “4”表示电机接地线PE； “5”表示电机公共绕组U，接电机公共绕组U； “6”表示电机落杆绕组V，接电机绕组V； “7”表示电机升杆绕组W，接电机绕组W； “8、9”表示降压减速阻容（R=5Ω/25W C=2uF/AC450V，电阻和电容串联）； “10、11”表示电机运行电容（4uF/AC450V）； “17”表示电源输出24VDC接地线； “18”表示电源输出 24VDC正极； “19”表示控制信号共用线（+24VDC）； “20”表示开脉冲，和控制信号共用线（+24VDC）短接有效； “21”表示环路感应器2输入（用于车辆到时自动抬杆，用于6、8模式）； “22”表示关脉冲，和控制信号共用线（+24VDC）短接有效； “23”表示抬杆、落杆限位开关输入信号； “24”表示安全开关，接常闭触点；断开时，系统不会执行落杆动作； “25”表示控制信号共用线（+24VDC）,同“19”功能一样； “26”表示档杆状态输出公共触点； “27、28”完全等同于“20、22”，常开触点（300ms）； “29”表示抬杆状态输出触点； “30”表示落杆状态输出触点； “31、32”表示报警输出，为常开触点。 栏杆机控制模块长期处于工作状态，每天控制栏杆上下达几千次以上，是栏杆机易损元件之一，下面简单介绍几点常见的故障和维修方法，供大家参考： 首先，在维修栏杆机控制模块之前，务必将故障设备的灰尘清除干净，养成这个习惯可以让你检查和维修故障更快速、准确。 故障一控制模块无电现象 控制模块电源长期处于带电中，供电系统元件容易老化，容易出现无供电现象。这种情况一般先观察，所谓观察就是用眼睛看。注意观察栏杆机控制模块的外观、形状上有无什么异常，电器元件（如变压器、电容、电阻等）有无出现变形、断裂、松动、磨损、冒烟、腐蚀等情况。 其次是鼻子闻，一般轻微的气昧是正常的，如果有刺鼻的焦味，说明某个元器件被烧坏或击穿，应替换相应的元器件。最后用手试，当然是触摸绝缘的部分，有无发热或过热，用手去试接头有无松动，以确定设备运行状况以及发生故障的性质和程度。 如某站01#车道出现控制模块无电，经测试是电源保险管（250V 4A）烧毁。在更换前
功率铁氧体磁芯 常用功率铁氧体材料牌号技术参数 EI型磁芯规格及参数
PQ型磁芯规格及参数 EE型磁芯规格及参数 EC、EER型磁芯规格及参数
1,磁芯向有效截面积：Ae 2,磁芯向有效磁路长度：le 3,相对幅值磁导率：μa 4,饱和磁通密度：Bs 1磁芯损耗：正弦波与矩形波比较 一般情况下，磁芯损耗曲线是按正弦波+/-交流(AC)激励绘制的，在标准的和正常的时候，是不提供极大值曲线的。涉及到开关电源电路设计的一个共同问题是正弦波和矩形波激励的磁芯损耗的关系。对于高电阻率的磁性材料如类似铁氧体，正弦波和矩形波产生的损耗几乎是相等的，但矩形波的损耗稍微小一些。材料中存在高的涡流损耗（如大 一般情况下，具有矩形波的磁芯损耗比具有正弦波的磁芯损耗低一些。但在元件存在铜损的情况下，这是不正确的。在变压器中，用矩形波激励时的铜损远远大于用正弦波激励时的铜损。高频元件的损耗在铜损方面显得更多，集肤效应损耗比矩形波激励磁芯的损耗给人们的印象更深刻。举个例子，在 20kHz、用17#美国线规导线的绕组时，矩形波激励的磁芯损耗几乎是正弦波激
励磁芯损耗的两倍。例如，对于许多开关电源来说，具有矩形波激励磁芯的 5V、20A和30A输出的电源，必须采用多股绞线或利兹(Litz)线绕制线圈，不能使用粗的单股导线。 2Q值曲线 所有磁性材料制造厂商公布的Q值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。对于罐形磁芯，Q值曲线指出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸，导线是常用的利兹线，并且绕满在线圈骨架上。 对于钼坡莫合金磁粉芯同样是正确的。用最适合的绕组，并且导线绕满了磁芯窗口时测试，则Q值曲线是标准的。Q值曲线是在典型值为5高斯或更低的低交流(AC)激励电平下测量得出的。由于在磁通密度越高时磁芯的损耗越大，故人们警告，在滤波电感器工作在高磁通密度时，磁芯的Q值是较低的。3电感量、AL系数和磁导率 在正常情况下，磁芯制造厂商会发布电感器和滤波器磁芯的AL系数、电感量和磁导率等参数。这些AL的极限值建立在初始磁导率范围或者低磁通密度的基础上。对于测试AL系数，这是很重要的，测试AL系数是在低磁通密度下实施的。 某些质量管理引入检验部门，希望由他们用几匝绕组检查磁芯，并用不能控制频率或激励电压的数字电桥测试磁芯。几乎毫不例外，以几百高斯、若干
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目录 1. 系统概述 2 1.1 停车场系统的布局 2 1. 2 系统组件概述 2 2 安全 3 2.1一般安全信息3 2.2 建议用途 3 2.3 本手册中使用的安全标志3 2.4 操作安全 4 2.5 技术发展 4 2.6 质量保证 4 3. 装配及安装 5 3.1 构筑安装地基 5 3.2 安装感应线圈 6 3.3 安装机箱 8 3.4 安装栏杆机臂 8 3.5 基本机械结构 9 3.6 设置及校准弹簧 9 3.7 校准栏杆机臂位置 10 4. 电源连接 10 5. MLC控制器 11 5.1 命令发生器：在不同操作模式下的连接及功能 12 5.2 MLC控制器的操作 14 5.3 MLC控制器显示信息的解释 14 5.4 MLC控制器的复位 14 5.5 栏杆机的操作 15 5.6 编制及读取操作数据 16 5.7 校准感应线圈 18 6. 初始化操作 19 6.1 委托程序 19 6.2 在启动过程中显示的信息 19 7. 技术数据 21 7.1 栏杆机 21 7.2 控制器 21 8. 附录 22 8.1校准角度传感器及优化栏杆机的动作22 8.2 校准安全设备的角度 24 8.3 读取时间计数器 25 8.4 读取操作循环计数器 25 8.5 读取制动设置 25 8.6 复位情况的说明 26 8.7 测试模式 27 8.8 校准传感器 28 9. 技术支持 28 10. 备用零部件 29
电源磁芯尺寸功率参数
常用电源磁芯参数 MnZn 功率铁氧体 EPC 功率磁芯 特点：具有热阻小、衰耗小、功率大、工作频率宽、重量 轻、结构合理、易表面贴装、屏蔽效果好等优点，但散热 性能稍差。 用途：广泛应用于体积小而功率大且有屏蔽和电磁兼容要 求的变压器，如精密仪器、程控交换机模块电源、导航设 备等。 EPC型功率磁芯尺寸规格 磁芯型号Type 尺寸Dimensions(mm) A B C D Emin F G Hmin EPC10/8 10.20±0.20 4.05±0.30 3.40±0.20 5.00±0.20 7.60 2.65±0.20 1.90±0.20 5.30 EPC13/13 13.30±0.30 6.60±0.30 4.60±0.20 5.60±0.20 10.50 4.50±0.30 2.05±0.20 8.30 EPC17/17 17.60±0.50 8.55±0.30 6.00±0.30 7.70±0.30 14.30 6.05±0.30 2.80±0.20 11.50 EPC19/20 19.60±0.50 9.75±0.30 6.00±0.30 8.50±0.30 15.80 7.25±0.30 2.50±0.20 13.10 EPC25/25 25.10±0.50 12.50±0.30 8.00±0.30 11.50±0.30 20.65 9.00±0.30 4.00±0.20 17.00 EPC27/32 27.10±0.50 16.00±0.30 8.00±0.30 13.00±0.30 21.60 12.00±0.30 4.00±0.20 18.50 EPC30/35 30.10±0.50 17.50±0.30 8.00±0.30 15.00±0.30 23.60 13.00±0.30 4.00±0.20 19.50 EPC39/39 39.00±0.50 19.60±0.30 15.60±0.30 18.00±0.30 30.70 14.00±0.30 10.00±0.30 24.50 EPC42/44 42.40±1.00 22.00±0.30 15.00±0.40 17.00±0.30 33.50 16.00±0.30 7.40±0.30 26.50
单端反激式开关电源磁芯尺寸和类型的选择字体大小：大|中|小2008-08-28 12:53 - 阅读：1655 - 评论：1 单端反激式开关电源磁芯尺寸和类型的选择徐丽红王佰营wbymcs51.blog.bokee .net A、InternationalRectifier 公司--56KHz 输出功率推荐磁芯型号 0---10WEFD15 SEF16 EF16 EPC17 EE19 EF(D)20 EPC25 EF(D)25 10-20WEE19 EPC19 EF(D)20 EE,EI22 EF(D)25 EPC25 20-30WEI25 EF(D)25
EPC25 EPC30 EF(D)30 ETD29 EER28(L) 30-50WEI28 EER28(L) ETD29 EF(D)30 EER35 50-70WEER28L ETD34 EER35 ETD39 70-100WETD34 EER35 ETD39 EER40 E21 摘自 InternationalRectifier,AN1018- “应用 IRIS40xx 系列单片集成开关 IC 开关电源的反激式变压器设计” B、ELYTON公司https://www.doczj.com/doc/668248055.html, 型号输出功率（ W） <5 5-10 10-20 20-50 50-100 100-200 200-500 500-1K
EI EI12.5 EI16 EI19 EI25 EI40 -- EI50 EI60 EE EE13 EE16 EE19 EE25 EE40 EE42 EE55 EE65 EF EF12.6 EF16 EF20 EF25 EF30 EF32 EFD -- EFD12 EFD15 EFD20 EFD25 EFD30 EPC -- EPC13 EPC17 EPC19 EPC25 EPC30 EER EER9.5 EER11 EER14.5 EER28 EER35 EER42 EER49 -- ETD ETD29 ETD34 ETD44 ETD49 ETD54 -- EP EP10 EP13 EP17 EP20 -- RM RM4 RM5 RM6 RM10 RM12 POT POT1107 POT1408 POT1811 POT2213POT3019 POT3622 POT4229 -- PQ -- -- -- PQ2016 PQ2625 PQ3230 PQ3535 PQ4040 EC ---------------------------- -- EC35 EC41 EC70 摘自 PowerTransformers OFF-LINE Switch Mode APPLICATION NOTES
高速公路自动栏杆机控制模块维修实例【转贴】 本人在成绵高速公路长期的维护工作中收集、总结的一些关于自动栏杆机控制模块的维护心得，供大家参考。成绵高速公路自动栏杆机控制模块主要是恒富威和magnetic专业设计的自动栏杆机控制模块，主要用于栏杆机的控制。采用了先进的微处理器技术和可靠的开关控制技术，系统集成度高，逻辑功能强，满足高速公路环境下的应用。下面我介绍下栏杆机控制模块面板的功能与接线栏杆机控制模块中的数字代表意义货接法如 下：“1”表示接电源L（火线）220V。“2”表示接电源N （零线）。“3”表示电源线地线。“4”表示电机接地线PE。“5”表示电机公共绕组U；接电机公共绕组U。“6”表示电机落杆绕组V；接电机绕组V。“7”表示电机升杆绕组W；接电机绕组W。“8、9”表示降压减速阻容（R=5Ω/25W C=2uF/AC450V，电阻和电容串联）。“10、11”表示电机运行电容 （4uF/AC450V）。“17”表示24V接地线。“18”表示表示电源+24V。“19”表示控制信号共用线（+24V）。“20”表示开脉冲，和控制信号共用线（+24V）短接有效。“21”表示环路感应器2输入（用于车辆到时自动提杆，用于6、8模式）。“22”表示关脉冲，和控制信号共用线（+24V）短接有效。“23”表示抬杆、落杆限位开关输入信号。“24”示安全开关，接常闭触点；断开时，系统不会执行落杆动作。“25”表示控制信号共用线（+24V）,同“19”功能一样。“26”表示档杆状态输出公共触点。“27、28”完全等同于“20、22”表示计数输出，常开触点 （300ms）。“29”表示抬杆状态输出触点。“30”表示落杆状态输出触点。“30、31”表示报警输出，常开触点。栏杆机控制模块长期处于工作状态，每天控制栏杆上下达千次以上；是栏杆机易坏元件之一，下面我介绍常见几点常见的故障和实用的维修方法，供大家参 考。首先，维修设备之前，务必将故障设备的灰尘清除掉，养成这个习惯可以让你维修和检查故障起来轻松、准确许多。 故障一控制模块无电现象控制模块电源长期处于带电中，供电系统元件容易老化，容易出现无供电现象。这种情况一般先观察，所谓观察就是用眼睛看。注意观察栏杆机控制模块的外观、形状上有无什么异常，电器元件，如变压器，电容，电阻等有无出现变形，断裂，松动，磨损，冒烟，腐蚀等情况。其次是鼻子闻，一般轻微的气昧是正常的，如果有刺鼻的焦味，说明某个元器件被烧坏或击穿，应替换相应的元器件。最后用手试，当然是触摸绝缘的部分，有无发热或过热，用手去试接头有无松动；以确定设备运行状况以及发生故障的性质和程度。如某站一道出现控制模块无电，经测试是电源保险管（250V 4A）烧毁。我在更换前观察其他元件外表是否变形断裂，用手触摸电容、电感等接头有无松动。其次我就用万用表跑线，看是否有短路现象。经我检查后初步判定为保险丝被击穿，准备替换。替换前应认清被替换元器件的型号和规格。（同时替换某些元件时还应该注意方向。）最后我将同一型号的保险丝替换上并加电，控制模块工作灯亮起，用外用表测试控制模块，修复。有时，无电现象还由变压器（PIN9 0-115V PIN16 115V-0）损坏造成的。控制模块
7个步骤商业模式设计 第一步骤战略选择 第二步骤市场调研 第三步骤客户定位与管理 第四步骤产品价值整体创新 第五步骤定价 第六步骤赢利模式 第七步骤品牌战略 摘要：商业模式设计犹如建筑的规划与图纸，是企业运作与实操的前提与基础，因此商业模式设计好与坏直接决定着企业发展。本文主要从商业模式设计7个步骤讲起，“战略选择-市场调研-客户定位与管理-产品价值整体创新-定价-赢利模式-品牌战略”，内容务实与精干。 第一步骤战略选择 一、商业模式：通俗讲就是挣大钱的方法。 1、人，不是你有能力你就挣多少钱，而是你有什么样的模式就能挣多少钱。企业家就是战略家，战略家就是选择家。“选择比努力更重要” 2、企业家就是管未来的事情，职业经理人就是管当下的事情。 二、全世界最好的模式就是“妈咪-小姐模式”： 妈咪不需要给小姐发工资，小姐的工资是客人给的。小姐收500元，妈咪抽走100元。如果有100个小姐，妈咪就挣1万元。
三、企业目前的三种模式： 模式：永远利润最低。OEM、1． . =OEM 出设计，但没有自己的品牌、ODM模式2 OBM模式：品牌运营模式3、 OBM 模式：四、是以品牌为中心，以赢利模式和产品价值创新模式为基本点。世纪留给我们最后的机会就是21市场竞争的终极竞争就是品牌的竞争。在中国就会消失。因为中国的领导人不希望中国大量发OEMOBM模式。十年内，展这种低增长型的产业。对环境的破坏太大，不利于提高中国的国际形象。会让这些产业转移到其，想办法把这个企业卖掉，再开一个企OEM他第三世界国家。如果你做的就是业。市场调研第二步骤 观点：一、 、全世界所有做好的企业都是关注竞争对手的。企业家第一思想应该是战1 有情报就可以胜利，没情报就会失败。争思想：情报最重要!、我们的目标不能是“超出客户期望”。因为顾客是没有办法满足的。顾2客永不满足，这就是人性。今天做十分，明天他就要十二分。不能把所有的服务，所有的绝招一次用完。做企业是万里长跑。进步要持续进步，你不管怎么做，顾客永远抱怨。你不要进步速度太快，否则顾客对你的要求就更高了。、顾客是对比的。没有对比你就没有价值。顾客的忠诚来自他对比后无其3他选择。营销的本质就是永远比竞争对手好一点点。并不需要好一百步。否则你会很痛苦，因为你不能持续提供客户新的满足感。同一产业链上、合作背后的本质问题是互补。产业链是互补的才能合作!4合作永远建立在能力互补的基础上。能力不互补，只有竞!只有对手没有合作争，要竞争就要有情报。、商业模式是竞争对手的利器。而没有竞争就不会有好的商业模式。中国5 企业成功在满足顾客需求，失败在忽略了竞争对手。。11%44%，主动创新只有6、复制好的企业，跟随、模仿，复制的成功率服;集中所有竞争对手的优点于一身，把自己变成强者。如美的：成本学格兰仕 ;品质学格力。务学海尔市场调研措施：二、、成立情报部：每月提供一份最新的竞争对手调研报告。1理由：固步自封，闭门造车是不可能进步的。商业的出发点是竞争，而市场是个“零和游戏”：市场的容量是有一定规模的。如果一家占据了全部容量，其他所有家就是零了。所以，打败竞争对手很重要。只有前三名或前五名才能存活下来。 2、哪些渠道可以调研竞争对手：) 特别是辞职的对手的员工媒体的报导对手网站(1)(2) (3)(2 . . 对手的上、下游供应商对手的顾客 (6)(4)当成顾客去对手处体验(5) 对手熟人或亲属律师事务所 (10)(7)行业协会(8)市场调研公司 (9)) 可以最快的速度了解所有竞争对手的情况厂家博览会或展会((11) 、调研内容：3 (4)定价(2)产品系列 (3) 绩效管理手段(1)客户资源 (8)财务数据(6)核心技术 (7) 营销战略战术(5)销售渠道) (核心团队品牌价值(10)核心人才资源(9) 4、反调研管理：你做的越好，对手就会越来越关注你，调研你。客户定位与管理第三步骤观
9 电气连接 9.1 安全 请参照18页，第2.6节“专业安全和特殊危险”中的安全注意事项。 电压 危险 一般 警告
热的表面 小心 电磁干扰 个人保护装备
在施工过程中，必须穿戴以下几种保护装备： ■工作服 ■保护手套 ■安全鞋 ■保护头盔。 9.2安装电保护设备 根据地区或当地的规定，安全设备需要提供给客户。通常有以下几种：■漏电保护器 ■断路器 ■ EN 60947-3的可锁定的2极开关。 9.3连接电源线 电压 危险 注意！ 电源线的导线截面在1.5到4mm2 之间。要遵守国家关于 导线长度和相关电缆截面积的规定.
危险！ 电压有致命的危险！ 1.断开栏杆机系统电源。确保系统断电。确保机器不会再启动。 接线的准备—剥电缆外皮和铁芯绝缘 2.照下图剥开电源线和磁芯 图37：剥电源供应线。 1 电位 2 零线 3 地线 安置电源线 3.照下图，把电源线正确安装在相应的终端线夹上。也可参照，163页，第17.1节的“接线图”。 ■在机箱中正确安装电源线。此电源线不可连接移动部件。 ■用两个束线带固定电源线。 图38 安置电源线 1 电源线
2 束线带 3 束线带的金属突出物 连接电源线 图39：连接电源线 1 电源线的终端线夹 2 电位L 3 零线 N 4 地线 PE 9.4连接控制线路（信号设备） 以下连接对控制和反馈端有效： ■控制栏杆机的8个数码输入 ■反馈信息的4个数码输出 ■反馈信息的6个继电器输出。3个常开，3个转换触点。 危险！ 电压有致命危险！ 1.断开栏杆机系统电源。确保系统断电并不会重启。 连接控制线 2.将控制线穿过穿线孔。 ■在机箱中合理的放置控制线。控制线不可进入可移动部件。 ■安装控制线夹和绑线。通过轻微按压或移动，线夹可以在轨道上移动到预期的位置。绑线可以绑扎在金属突出物上。 3. 根据接线图连接控制线。请参照163页，第17.1节的“接线图”。
商业模式设计7个步骤 第一步骤战略选择 第二步骤市场调研 第三步骤客户定位与管理 第四步骤产品价值整体创新 第五步骤定价 第六步骤赢利模式 第七步骤品牌战略 摘要：商业模式设计犹如建筑的规划与图纸，是企业运作与实操的前提与 基础，因此商业模式设计好与坏直接决定着企业发展。本文主要从商业模式设 计7个步骤讲起，“战略选择-市场调研-客户定位与管理-产品价值整体创新- 定价-赢利模式-品牌战略”，内容务实与精干。 第一步骤战略选择 一、商业模式：通俗讲就是挣大钱的方法。 1、人，不是你有能力你就挣多少钱，而是你有什么样的模式就能挣多少钱。企业家就是战略家，战略家就是选择家。“选择比努力更重要” 2、企业家就是管未来的事情，职业经理人就是管当下的事情。 二、全世界最好的模式就是“妈咪-小姐模式”： 妈咪不需要给小姐发工资，小姐的工资是客人给的。小姐收500元，妈咪 抽走100元。如果有100个小姐，妈咪就挣1万元。 三、企业目前的三种模式： 1、OEM模式：永远利润最低。
2、ODM模式=OEM 出设计，但没有自己的品牌 3、OBM模式：品牌运营模式 四、 OBM模式： 是以品牌为中心，以赢利模式和产品价值创新模式为基本点。 市场竞争的终极竞争就是品牌的竞争。21世纪留给我们最后的机会就是OBM模式。十年内，OEM在中国就会消失。因为中国的领导人不希望中国大量发展这种低增长型的产业。 对环境的破坏太大，不利于提高中国的国际形象。会让这些产业转移到其 他第三世界国家。如果你做的就是OEM，想办法把这个企业卖掉，再开一个企业。 第二步骤市场调研 一、观点： 1、全世界所有做好的企业都是关注竞争对手的。企业家第一思想应该是战 争思想：情报最重要!有情报就可以胜利，没情报就会失败。 2、我们的目标不能是“超出客户期望”。因为顾客是没有办法满足的。顾 客永不满足，这就是人性。今天做十分，明天他就要十二分。不能把所有的服务，所有的绝招一次用完。做企业是万里长跑。进步要持续进步，你不管怎么做，顾客永远抱怨。你不要进步速度太快，否则顾客对你的要求就更高了。 3、顾客是对比的。没有对比你就没有价值。顾客的忠诚来自他对比后无其 他选择。营销的本质就是永远比竞争对手好一点点。并不需要好一百步。否则 你会很痛苦，因为你不能持续提供客户新的满足感。 4、合作背后的本质问题是互补。产业链是互补的才能合作!同一产业链上 只有对手没有合作!合作永远建立在能力互补的基础上。能力不互补，只有竞争，要竞争就要有情报。 5、商业模式是竞争对手的利器。而没有竞争就不会有好的商业模式。中国 企业成功在满足顾客需求，失败在忽略了竞争对手。 6、复制好的企业，跟随、模仿，复制的成功率44%，主动创新只有11%。 集中所有竞争对手的优点于一身，把自己变成强者。如美的：成本学格兰仕;服务学海尔;品质学格力。 二、市场调研措施： 1、成立情报部：每月提供一份最新的竞争对手调研报告。 理由：固步自封，闭门造车是不可能进步的。商业的出发点是竞争，而市 场是个“零和游戏”：市场的容量是有一定规模的。如果一家占据了全部容量，其他所有家就是零了。所以，打败竞争对手很重要。只有前三名或前五名才能 存活下来。 2、哪些渠道可以调研竞争对手： (1)对手网站(2)媒体的报导 (3)对手的员工(特别是辞职的)
常用磁芯参数表 【EER磁芯】 ■ 用途：高频开关电源变压器、匹配变压器、扼流变压器等。 【EE磁芯】 ■ 用途：电源转换用变压器及扼流圈、通讯及其他电子设备变压器、滤波器、电感器及扼流圈、脉冲变压器等。
【ETD磁芯】 ■ 用途：电源转换用变压器及扼流圈、通讯及其他电子设备变压器、滤波器。 【EI 磁芯】 ■ 用途：高频开关电源变压器、功率变压器、整流变压器、电压互感器等。 【ET 磁芯】 ■ 用途：滤波变压器 【EFD 磁芯】 ■ 用途：高频开关电源变压器器、整流变压器、开关变压器等。
【UF 磁芯】 ■ 用途：整流变压器、脉冲变压器、扼流变压器、电源变压器等。 【PQ 磁芯】 ■ 用途高频开关电源变压器、整流变压器等。 【RM 磁芯】 ■ 用途：高频开关电源变压器、整流变压器、屏蔽变压器、脉冲变压器、脉冲功率变压器、扼流变压器、滤波变压器。 【EP 磁芯】 ■ 用途：功率变压器、宽频变压器、屏蔽变压器、脉冲变压器等。
【H 磁芯】 ■ 用途：宽带变压器、脉冲变压器、脉冲功率变压器、隔离变压器、滤波变压器、扼流变压器、匹配变压器等。 软磁铁氧体磁芯形状与尺寸标准(一) 软磁铁氧体磁芯形状 软磁铁氧体是软磁铁氧体材料和软磁铁氧体磁芯的总称。软磁铁氧体磁芯是用软磁铁氧体材料制成的元件或零件，或是由软磁铁氧体材料根据不同形式组成的磁路。磁芯的形状基本上由成型（形）模具决定，而成型（形）模具又根据磁芯的形状进行设计与制造。 磁芯按磁力线的路径大致可分两大类；磁芯按具体形状分，有各种各样： 磁芯按磁力线路径分类 磁芯按使用时磁化过程所产生磁力线的路径可分为开路磁芯和闭路磁芯两类。 第一类为开路磁芯。这类磁芯的磁路是开启的（open magnetic circuits），通过磁芯的磁通同时要通过周围空间（气隙）才能形成闭合磁路。开路磁芯的气隙占磁路总长度的相当部分，磁阻很大，磁路中的部分磁通在达到气隙以前就已离开磁芯形成漏磁通。因而，开路磁芯在磁路各个截面上的磁通不相等，这是开路磁芯的特点。由于开路磁芯存在大的气隙，磁路受到退磁场作用，使磁芯的有效磁导率μe比材料的磁导率μi有所降低，降低的程度决定于磁芯的几何形状及尺寸。 开路磁芯有棒形、螺纹形、管形、片形、轴向引线磁芯等等。IEC 1332《软磁铁氧体材料分类》标准中称开路磁芯为OP类磁芯。 第二类磁芯为闭路磁芯。这类磁芯的磁路是闭合的（closed magnetic circuits），或基本上是闭合的。IEC 1332称闭路磁芯为CL类磁芯。磁路完全闭合的磁芯最典型的是环形磁芯。此外，还有双孔磁芯、多孔磁芯等等。
商业模式设计5大步骤与22条经验 1.商业模式定义 我们对商业模式的定义是利益相关者的交易结构。这一定义虽然清晰准确，但却并不容易理解。不论是从地区经济体角度，还是从商业生态、行业的角度来观察企业，它实际上都是由一个一个的利益相关者通过交易来形成的一张网络。 利益相关者之间的交易分为两种，我们把它们称之为业务交易和治理交易。 首先是业务交易。比如，甲将某种产品卖给乙，这个过程就是业务交易。那么相应的，业务交易也有两种，一种是交换，一种是合作。交换相对比较容易理解，那么合作呢合作是指，在交易的过程中，假如我贡献了资本，而你贡献了智力，那么，双方就形成了一个共生体，并按照一定的盈利模式来共同分享产出。合作与交换一样，都属于业务交易。 第二，治理交易。它是指，一个利益主体拥有另外一个利益主体的所有权，或者说拥有它的控制权和剩余收益分配权。 不管是业务交易还是治理交易，都包含两种典型性质，一种是纯粹的市场化交易，即双方的交换或合作都会按照市场价格来进行，它能够反映出所有的交易信息，市场是能够出清的。还有一种是科层性质的交易，即企业内的交易、合作或者交互，也包括通过指挥、命令、监督控制等等互动方式来进行的活动。 每一个利益主体都有一定的资源禀赋，并且能够在这个经济体或者行业当中从事特定的业务活动，即基于价值链环节的活动。这种利益主体既包括独立的企业，也包括企业的内部利益单元，如部门、业务单元或者是员工，他们都是我们所说的利益相关者。 在这样一个基于交易的网络结构当中，你会发现，利益相关者所采取的盈利模式是各不相同的。第一，两个利益主体之间进行收支的来源和方式不同。收支来源即谁给谁钱，收支方式包括，固定性质的租金、剩余性质的价差、分成性质的佣金；拍卖；顾客定价；组合计价等等。 第二，交易方式不同。如线上交易、线下交易就是不同的方式；针对商品所有权的交易和针对商品使用权的交易也是不同的交易方式；是通过卖产品的方式来交易，还是通过提供服务的方式来交易这些都是不同的交易方式。 2.商业模式六要素模型
MLC 580C N ,5131/04.02Phone:+49 7622/695-5Fax:+49 7622/695-602 e-mail:info@ac-magnetic.de https://www.doczj.com/doc/668248055.html,
Magnetic Control Systems Sdn.Bhd.No.16, Jalan Kartunis U1/47Temasya Ind.Park, Section U140150 Shah Alam, Selangor Darul Ehsan, Malaysia Phone:(+60) 3 / 55691718eMail: info@https://www.doczj.com/doc/668248055.html,.my Magnetic Control Systems (Shanghai) Co. Ltd.999 Ning-qiao Road, Bldg. 2W/1F Pudong New Area Shanghai 201206, China Phone:(+86) 21/ 58 341717eMail: magnetic@https://www.doczj.com/doc/668248055.html, Magnetic Automation Pty. Ltd.19 Beverage Drive Tullamarine, Victoria 3043, Australia Phone:(+61) 3 / 93 30 10 33eMail: info@https://www.doczj.com/doc/668248055.html, Magnetic Automation Corp.3160 Murrell Road Rockledge, FL 32955, USA Phone:(+1) 321/ 635 85 85eMail: info@https://www.doczj.com/doc/668248055.html, Magnetic Autocontrol Pvt.Ltd.Calve Chateau, 2B, IInd Floor Kilpauk 322 Poonamallee High Road IND Chennai, 600010 / India Phone:(+91) 44 6400 443eMail: magneticsales@https://www.doczj.com/doc/668248055.html,
智慧树知到《商业模式创新》章节测试答案 第一章 1、商业模式的重新设计能够非常精确的体现出利益相关者的 A. 交易成本 B. 交易效率 C.交易结构 D.交易程度 答案: 交易结构 2、下列哪些不是成功的商业模式所具有的特点 A. 为客户创造价值 B. 拥有独特能力 C.商业模式的组成部分之间互不影响 D.有与之相匹配的运营能力 答案: 商业模式的组成部分之间互不影响 3、做企业，设计商业模式首先就是 A. 要考虑未来 B. 要资金到位 C.要考虑效益 D.要打破惯性 答案: 要打破惯性 4、商业模式六要素交易结构中，（）是对商业模式最终施行效果的评价体现。 A. 业务系统
B. 盈利模式 C.自由现金流结构 D.企业价值 答案: 自由现金流结构 , 企业价值 5、企业制定价值主张的三种方法包括 A. 罗列全部优点 B. 宣传有利自身的差异点 C.突出共鸣点 D.避而不谈缺点 答案: 罗列全部优点 , 宣传有利自身的差异点 , 突出共鸣点 6、商业模式是企业的执行机制，管理模式是企业运行机制 A. 对 B. 错 答案: 对 7、从价值观的角度来看，商业模式是产品/ 服务的商业化过程，伴随着价值创造、价值传递和价值实现 A. 对 B. 错 答案: 对 8、商业模式三要素中，价值主张和目标客户通过价值链有效链接在一起
A. 对 B. 错 答案: 对 9、商业模式、企业战略、营销策划三者之间，从管理目标、管理视野、对待市场、竞争、产品的态度上基本相同，所以三者其实是一回事 A. 对 B. 错 答案: 对 10、商业模式、企业战略、营销策划三者之间，从管理目标、管理视野、对待市场、竞争、产品的态度上基本相同，所以三者其实是一回事 A. 对 B. 错 答案: 错 第二章 1、下列关于业务定位的说法不正确的是 A. 定位是市场的选择 B. 定位是商业模式的起点 C.定位是企业应该提供什么特征的产品与服务 D.定位就是企业应该做什么 答案: 定位是市场的选择 2、影响企业选择与某类利益相关者交易方式的因素是 A. 交易价值与交易成本 B. 利益相关者的需求
德国Magnetic栏杆机的常见故障分析德国Magnetic自动栏杆机的核心部分是MLC控制器，控制器设置的正确与否直接影响栏杆机的正常工作。当栏杆机工作不正常时，请先确认是否是栏杆机的问题，是栏杆机哪个部分出现问题（如机械部分或控制部分），建议先将其他车道工作正常栏杆机控制器换到本车道，以确认是否是控制器出现问题；如果互换控制器后栏杆机工作正常，那么就确认本车道控制器有问题，请参照工作正常的控制器设置即可；如控制器重新设置后仍不能解决问题，请将控制器返回厂家维修。 以下是德国Magnetic自动栏杆机控制器的几种常见设置，可供参考。 1、控制器黑色按键和白色按键的作用： ?黑键：1）、手动控制抬杆； 2）、控制器编程时改变数值； 3）、控制器编程完毕后保存 ?白键：1）、手动控制落杆； 2）、控制器编程时确认数值； 3）、控制器编程完毕后不保存。 ?编程时，同时按下黑键和白键后数值下边出现光标。 ?同时按下黑键和白键持续四秒钟，控制器重启。 2、MLC控制器复位： ?同时按下黑键和白键持续四秒钟； ?将圆盘转至F，确认后可恢复到出厂设置； ?详见中文说明书第14页。 3、控制器圆盘开关各位置的功能 位置0：普通操作模式 位置1：程序代码 1—8
位置2：转矩时间 1—30秒 位置3：栏杆机开启时间 1—255秒 位置4：感应线圈A灵敏度 O一9 (0最小，9最大) 位置5：感应线圈B灵敏度 0—9(0最小，9最大) 位置6：检测器模式A0—8(见功能说明表) 位置7：检测器模式B0—8(见功能说明表) 位置8：感应线圈A／B频率 1 0，000Hz一90，000Hz 位置9：备用 位置A：计数模式 位置B：备用 位置C：备用 位置D：硬件错误控制器 16进制错误代码 位置E：语种选择德、英、法、西 位置F：出厂设置重设所有操作数据 4、模式设置： 将圆盘转至1，控制器有8种操作模式可供选择；详见中文说明书第16页。 5、控制器编程过程： （1）将圆盘开关转到所需位置； （2）同时按下黑色按键和白色按键； （3）使用黑色按键将数字滚动显示为所需的数值（光标位于正在变化的数字下方）； （4）按下白色按键存储选中的数值或者将光标移到右边的一格； （5）按下黑色按键确认最终的数值或者按下白色按键取消输入的数值。 注意：完成编程后，请将圆盘开关转回到“0”位置（即普通操作模式） 6、感应线圈灵敏度设置： 将圆盘转至4或5（设置线圈A转至4，线圈B转至5）；一般情况下灵敏度选择4-6，不宜太高或太低。详见中文说明书第16页。 7、检测器A、B的开启和关闭 将圆盘开关转至6和7分别设置检测器A、B的状态，如果A、B线圈都没有使用或只使用了一个检测器，那么就要关闭没有使用的检测器（将检测器A、B的数值设置为0，是关闭状态；检测器开启时数值是应该是1或2，一般用2。） 8、校准传感器/优化栏杆机动作
商业模式设计7 个步骤 第一步骤战略选择 第二步骤市场调研 第三步骤客户定位与管理 第四步骤产品价值整体创新 第五步骤定价 第六步骤赢利模式 第七步骤品牌战略 摘要：商业模式设计犹如建筑的规划与图纸，是企业运作与实操的前提与 基础，因此商业模式设计好与坏直接决定着企业发展。本文主要从商业模式设 计7 个步骤讲起，“战略选择- 市场调研- 客户定位与管理- 产品价值整体创新- 定价- 赢利模式- 品牌战略”，内容务实与精干。 第一步骤战略选择 一、商业模式：通俗讲就是挣大钱的方法。 1、人，不是你有能力你就挣多少钱，而是你有什么样的模式就能挣多少钱。企业家就是战略家，战略家就是选择家。“选择比努力更重要” 2、企业家就是管未来的事情，职业经理人就是管当下的事情。 二、全世界最好的模式就是“妈咪- 小姐模式”： 妈咪不需要给小姐发工资，小姐的工资是客人给的。小姐收500元，妈咪抽走100 元。如果有100 个小姐，妈咪就挣 1 万元。 三、企业目前的三种模式： 1、OEM模式：永远利润最低。
2、ODM模式=OEM出设计，但没有自己的品牌 3、OBM模式：品牌运营模式 四、OBM模式： 是以品牌为中心，以赢利模式和产品价值创新模式为基本点。 市场竞争的终极竞争就是品牌的竞争。21 世纪留给我们最后的机会就是OBM模式。十年内，OEM在中国就会消失。因为中国的领导人不希望中国大量发 展这种低增长型的产业。 对环境的破坏太大，不利于提高中国的国际形象。会让这些产业转移到其 他第三世界国家。如果你做的就是OEM，想办法把这个企业卖掉，再开一个企业。 第二步骤市场调研 一、观点： 1、全世界所有做好的企业都是关注竞争对手的。企业家第一思想应该是战 争思想：情报最重要! 有情报就可以胜利，没情报就会失败。 2、我们的目标不能是“超出客户期望”。因为顾客是没有办法满足的。顾 客永不满足，这就是人性。今天做十分，明天他就要十二分。不能把所有的服 务，所有的绝招一次用完。做企业是万里长跑。进步要持续进步，你不管怎么 做，顾客永远抱怨。你不要进步速度太快，否则顾客对你的要求就更高了。 3、顾客是对比的。没有对比你就没有价值。顾客的忠诚来自他对比后无其 他选择。营销的本质就是永远比竞争对手好一点点。并不需要好一百步。否则 你会很痛苦，因为你不能持续提供客户新的满足感。 4、合作背后的本质问题是互补。产业链是互补的才能合作! 同一产业链上 只有对手没有合作! 合作永远建立在能力互补的基础上。能力不互补，只有竞争，要竞争就要有情报。 5、商业模式是竞争对手的利器。而没有竞争就不会有好的商业模式。中国 企业成功在满足顾客需求，失败在忽略了竞争对手。 6、复制好的企业，跟随、模仿，复制的成功率44%，主动创新只有11%。 集中所有竞争对手的优点于一身，把自己变成强者。如美的：成本学格兰仕; 服务学海尔; 品质学格力。 二、市场调研措施： 1、成立情报部：每月提供一份最新的竞争对手调研报告。 理由：固步自封，闭门造车是不可能进步的。商业的出发点是竞争，而市 场是个“零和游戏”：市场的容量是有一定规模的。如果一家占据了全部容量， 其他所有家就是零了。所以，打败竞争对手很重要。只有前三名或前五名才能 存活下来。 2、哪些渠道可以调研竞争对手： (1) 对手网站(2) 媒体的报导(3) 对手的员工( 特别是辞职的)
常用电源磁芯参数 MnZn 功率铁氧体 EPC功率磁芯 特点：具有热阻小、衰耗小、功率大、工作频率宽、重量 轻、结构合理、易表面贴装、屏蔽效果好等优点，但散热 性能稍差。 用途：广泛应用于体积小而功率大且有屏蔽和电磁兼容要 求的变压器，如精密仪器、程控交换机模块电源、导航设 备等。 EPC型功率磁芯尺寸规格 磁芯型号Type 尺寸Dimensions(mm) A B C D Emin F G Hmin EPC10/8 10.20±0.2 4.05±0.303.40±0.20 5.00±0.207.60 2.65±0.201.90±0.20 5.30 EPC13/13 13.30±0.3 6.60±0.304.60±0.205.60±0.2010.50 4.50±0.302.05±0.208.30 EPC17/17 17.60±0.5 8.55±0.306.00±0.307.70±0.3014.30 6.05±0.302.80±0.2011.50 EPC19/20 19.60±0.5 9.75±0.306.00±0.308.50±0.3015.80 7.25±0.302.50±0.2013.10 EPC25/25 25.10±0.512.50±0.38.00±0.3011.50±0.320.65 9.00±0.304.00±0.2017.00
EPC功率磁芯电气特性及有效参数
注：AL值测试条件为1KHz,0.25v,100Ts,25±3℃ Pc值测试条件为100KHz,200mT,100℃ EE、EEL、EF型功率磁芯
特点：引线空间大，绕制接线方便。适用围广、工作频 率高、工作电压围宽、输出功率大、热稳定性能好 用途：广泛应用于程控交换机电源、液晶显示屏电源、 大功率UPS逆变器电源、计算机电源、节能灯等领域。 EE、EEL、EF型功率磁芯尺寸规格 Dimensions(mm)尺寸 磁芯型号TYP A B C D Emin F EE5/5.3/2 5.25±0.15 2.65±0.15 1.95±0.15 1.35±0.15 3.80 2.00±0.15 EE8.3/8.2/3.6 8.30±0.30 4.00±0.25 3.60±0.20 1.85±0.20 6.00 3.00±0.15 EE10/11/4.8 10.20±0.30 5.60±0.30 4.80±0.25 2.50±0.257.50 4.40±0.30 EE12.8/15/3.6 12.70±0.307.40±0.30 3.60±0.25 3.60±0.258.60 5.50±0.30 EE13/12/6 13.20±0.30 6.10±0.30 5.90±0.30 2.70±0.309.80 4.70±0.30 EE13/13W 13.00±0.40 6.50±0.30 9.80±0.30 3.60±0.209.00 4.60±0.20 EE16/14/5 16.10±0.407.10±0.30 4.80±0.30 4.00±0.3011.70 5.20±0.20 EE16/14W 16.10±0.407.25±0.30 6.80±0.30 3.20±0.3512.50 5.60±0.30 EE19/16/5 19.10±0.408.00±0.30 4.85±0.30 4.85±0.3014.00 5.60±0.30 EE19/16W 19.30±0.408.30±0.307.90±0.30 4.80±0.3014.00 5.70±0.30 EE22/19/5.7 22.00±0.509.50±0.30 5.70±0.30 5.70±0.3015.60 5.70±0.30 EE25/20/6 25.40±0.5010.00±0.30 6.35±0.30 6.35±0.3018.60 6.80±0.30