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全球22家传感器制造商及特点分析

全球22家传感器制造商及特点分析
全球22家传感器制造商及特点分析

全球22家传感器制造商及特点分析

下面由蓝牙模块,iBeacon厂家,云里物里科技帮大家介绍下全球22家传感器制造商。

Measurement Specialties Inc./美国MEAS传感器公司

精量电子-美国MEAS传感器公司掌握着世界领先的MEMS制造技术,专业生产各类传感器。产品广泛应用于航天航空、国防军工、机械设备、工业自动控制、汽车电子、医疗、家用电器、暖通空调、石油化工、空压机、气象检测、仪器仪表等领域。该公司在行业内第一个实现硅MEMS批量加工技术,第一个将LVDT 商业化,第一个将Piezo Film技术转化为低成本的商业化传感器及生命特征传感器。主要的传感器产品:压力及动态压力传感器,位移传感器,倾角及角位移传感器,霍尔编码器,磁阻传感器,加速度传感器,振动传感器,湿度传感器,温度传感器等。

Honeywell International Inc./霍尼韦尔国际公司

霍尼韦尔国际公司是一家在技术和制造业方面居世界领先地位的多元化跨国公司,在全球,其业务涉及众多领域。Mircro Switch(微型开关公司)创立于1935,后加入霍尼韦尔成为霍尼韦尔传感与控制战略部。全球首先研制出STC3000型智能压力传感器,技术领先。目前共有20多个系列近六万种产品,在全世界拥有三十万用户。近半个世纪以来,霍尼韦尔公司的传感与控制分部以其优秀的产品质量和可靠性,以及不断的技术创新,在全世界赢得了很高的声誉。主要的传感器产品:扩散硅压力传感器、变送器,陶瓷电容式压力变送器,扩散硅和陶瓷电容式液位变送器,数字式压力表,压力校验仪等。

Keller America,Inc./美国凯勒公司

凯勒与压阻技术的发展有密切关系。凯勒先生开发了第一个压阻式压力传感器后不久,于1975年创办了凯勒公司,现已成长为提供压力测量解决方案的全球领导者。公司年产量100万只传感器,拥有10个系列的OEM压力传感器产品。主要的传感器产品:压力传感器,压力变送器等。

Emerson Electric Co./美国艾默生电气公司

美国艾默生电气公司于1890年在美国密苏里州圣路易斯市成立,当时是一家电机和风扇制造商。经过100多年的努力,Emerson已经由一个地区制造商成长为一个全球技术解决方案的集团公司,是《财富》世界500强企业,在电子行业中长期名列前两位。主要的传感器产品:振动传感器,P H传感器等。

罗克韦尔自动化有限公司

罗克韦尔自动化公司是拥有百年历史的工业自动化巨擎。它在全球工业自动化动力、控制与信息技术解决方案等领域占据领先地位。1988年进入中国,在上海设有生产基地,为中国制造业提供世界一流产品与解决方案、服务支持及技术培训。同时,罗克韦尔自动化为客户提供各种工业领域的专家支持,诸如采矿、水泥、起重机及船舶应用、地铁、半导体、水及污水处理、轮胎、石油及石化、冶金、汽车、食品与饮料、电力及能源等。主要的传感器产品:压力传感器、温度传感器、容性接近传感器、感性接近传感器、光电传感器、超声传感器等。

General Electric Company/通用电气公司

通用电气公司(GE)是一家多元化的科技、媒体和金融服务公司,也是全球知名传感器厂商之一,致力于不断创新、发明和再创造,为客户解决问题。GE由四大业务集团构成,每个集团都包括多个共同增长的部门。GE的产品和服务范围广阔,从飞机发动机、发电设备、水处理和安全技术,到医疗成像、商务和消费者金融、媒体和工业产品。主要的传感器产品:车载传感器、压力传感器、温度传感器、光学传感器(元件)等。

Raytek Corporation/雷泰公司

美国雷泰公司是世界上非接触红外测温仪的最大生产厂家之一,红外测温传感器销量居世界同行业之首。该公司提供红外测温仪、温度传感器约13个系列、上百个品种,测温范围覆盖:-50℃~+3000℃,RAYTEK(雷泰)红外测温仪广泛应用于设备故障诊断、冶金和热处理、电力、铁路、食品等诸多领域。主要的传感器产品:温度传感器等

PCB Piezotronics,Inc./美国PCB公司

美国PCB公司是世界著名的传感器及测量仪器制造商。公司于1967年成立,致力于压电测量技术的研究、开发和产品制造。其首创的ICP型传感器(内装集成电路电荷放大器),在世界上享有盛誉。生产的加速度、压力、力、扭矩传感器以及相应的测量仪器,广泛应用于航空、航天、船舶、兵器、核工业、石化、水力、电力、轻工、交通和车辆等领域。主要的传感器产品:加速度、压力、力、扭矩、冲击、振动、声学、模态及水声测量的传感器和配套的仪器设备等。

Banner Engineering Corp./美国邦纳工程国际有限公司

美国邦纳公司总部位于美国的明尼苏达州,是全球顶尖的自动化技术专家、整体解决方案提供者。在40多年的发展过程中,始终将创新作为产品应用与研发的源动力。公司拥有22000多种产品,具有最为齐全的产品线。主要的传感器产品:光电传感器,视觉传感器,旋转编码器等。

Siemens AG/西门子股份公司

西门子一直活跃在中国市场,并在工业、能源和医疗业务领域处于领先地位。公司致力于产品开发和制造,设计和安装复杂的系统和工程,定制一系列解决方案。同时,它还是全球知名的传感器制造厂商,传感器质量优良。主要的传感器产品:温度/压力传感器,工业自动化产品中所用传感器。

EPCOS AG/爱普科斯公司

爱普科斯开发、制造和销售电子元件模块和系统,重点关注增长迅速的尖端技术市场,范围包括汽车电子产品、信息和通信技术、工业电子产品和消费电子产品。爱普科斯的营销网点密布,遍及全球,有60%的产品在全球市场上处于领先地位。主要的传感器产品:温度/液位/压力传感器等。

First Sensor Technology GmbH

First Sensor技术公司于1999年从德国柏林科技大学的核心研究部门分离出来的。由于雄厚的技术力量,勇于创新的精神,对客户需求的精确把握和对属下员工的高度负责,现在已经成为压力传感技术市场的企业领袖。该公司集中致力于压力传感器的研究,已能将产品的最高工作温度提高到225°C;年生产百万片压力传感器芯片,具有10万级到万级超净车间。主要的传感器产品:力敏芯片,压力传感器等。

alluff GmbH/巴鲁夫公司

德国巴鲁夫公司成立于1921年,是世界范围内首屈一指的传感器制造商,产品包括了一个BNS完整的电子式和机电式行程开关系列、BOS光电开关、BES感应式接近开关、电容开关、BMF磁敏开关、BTL直线位移传感器、RFID识别系统,以及各种插接件产品。在广阔的工业应用领域,尤其是机械装备领域,为用户提供创新的、有经验的传感器应用方案。主要的传感器产品:光电传感器,位移传感器,电感式/电容式接近传感器等。

Hans Turck GmbH&Co.KG/图尔克公司

集团公司成立于六十年代初,在美国、瑞士和中国设有分厂,在英国、荷兰、比利时、日本等国家和地区设有分公司和办事机构,已经发展成为专业性跨国集团公司。该公司是世界上生产接近开关类传感器、工业现场总线、本安隔离栅及工业用各种快速接插件的最大专业公司之一。主要的传感器产品:电感式、磁感应、电容式接近开关类传感器,光电传感器,本安隔离式安全栅,流量开关传感器,总线产品用的各种接插件等。

Pepperl+Fuchs GmbH/倍加福公司

倍加福公司是全球最著名也是最大的传感器专业公司之一,产品种类全,数量大,质量可靠。公司创建于1945年,于1958年向世界推出具有革命意义的第一代电感式传感器,成功应用于化工、石油行业。从电感式传感器到超声波传感器,从光电式传感器到旋转编码器,从识别系统到现场总线系统,从液位、料位传感器到安全光幕,从防爆传感器到安全栅、隔离栅等各类传感器都有特别的研究和优质产品提供。主要的传感器产品:电感式/电容式/磁式接近开关,距离/测距传感器,光电传感器,编码器,视觉传感器,对射式传感器,倾斜传感器,超声波传感器等。

Christian Bürkert GmbH&Co.KG/宝得公司

该公司是流体控制领域的全球领先者,在世界40个国家和地区建立了经销商和合作伙件,建立各种客户网络。每年,公司员工致力于发展新的和高度先进的产品和解决方案、系统集成过程测量和控制单元解决方案。公司对研发的投资较高,技术解决方案先进,服务良好。主要的传感器产品:流量传感器,气体传感器,压力传感器,分析传感器,温度传感器等。

Infineon Technologies AG/英飞凌科技股份公司

总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发,全球共拥有22900

项专利。该公司是全球领先的半导体公司之一,生产的半导体传感器性能优良。主要的传感器产品:压力传感器,磁力传感器,胎压传感器等。

MEMSENS公司

MEMSENS公司是从事专业开发和制造压力传感器和压力变送器的瑞士公司。目前,公司向市场推出两大类产品:OEM压力传感器和配套使用的压力变送器。除了几种标准产品外,主要是为用户设计和提供非标准产品和技术服务,服务的主要内容有提供传感器技术开发和咨询。MEMSENS公司位于瑞士微电子技术

和微机械加工技术的中心,周围有欧洲和世界有名的大专院校以及研究机构,并且与他们有着紧密联系和合作。主要的传感器产品:传感器芯体,隔离式压力传感器,压力变送器等。

Yokogawa Electric Corporation/日本横河电机株式会社

以来,一直致力于为用户提供尖端的专业技术,支援顾客进行提高经营效率的改革。其计测技术事业核心——测量仪器事业部,有着高稳定性和高可靠性的产品以及始终领先于时代的计测技术。通过与安藤电气公司的合并,进一步扩大了通信测量仪器的生产领域。在信息处理领域,尖端技术也得到了充分的发挥,目前,医疗用图像信息系统已经在许多医院得到应用,为支持医疗和医疗现场信息化作出了贡献。主要的传感器产品:EJA型谐振式压力传感器,P H传感器,流量传感器等。

OMRON Corporation/欧姆龙公司

欧姆龙集团产品品种达几十类,涉及工业自动化控制系统、电子元器件、汽车电子、社会系统以及健康医疗设备等广泛领域。它是全球知名的自动化控制及电子设备制造厂商,掌握着世界领先的传感与控制核心技术。主要的传感器产品:温/湿传感器,开关量传感器等。

Fuji Electric Group/富士电机集团

富士电机集团通过创造经济利润,实现集团企业价值最大化,把对社会、对股东和投资者的贡献作为经营的基本方针。为了实现这个目标,从2003年10月开始导入了把整体事业划分成子公司的纯控股公司体制。通过专业公司的自负盈亏经营和快速经营,形成“行业中最强的专业公司”的集合体。该公司的硅电容传感器和变送器在技术方案上有独到之处,特别是在静压保护方面。主要的传感器产品:压力传感器,电容传感器和变送器等。

KEYENCE Corporation/基恩士集团

随着工业自动化方面的迅速发展,KEYENCE作为传感器和测量仪器的主要供应商,在不断开发制造更新、更可靠的产品,以满足各制造行业的需求。公司一直致力于支持广大用户,并协助他们成为其行业中的佼佼者。主要的传感器产品:光纤传感器,光电传感器,数字激光传感器,接触式传感器,RGB颜色传感器,近接传感器,压力传感器等。

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传感器的主要参数特性

传感器的主要参数特性 传感器的种类繁多,测量参数、用途各异.共性能参数也各不相同。一般产品给出的性能参数主要是静态特性利动态特性。所谓静态特性,是指被测量不随时间变化或变化缓慢情况下,传感器输出值与输入值之间的犬系.一般用数学表达式、特性曲线或表格来表示。动态特性足反映传感器随时间变化的响应特性。红外碳硫仪动恋特性好的传感器,其输出量随时间变化的曲线与被测量随时间变化的曲线相近。一般产品只给出响应时间。 传感器的主要特性参数有: (1)测量范围(量程) 量程是指在正常工种:条件下传感器能够测星的被测量的总范同,通常为上限值与F 限位之差。如某温度传感器的测员范围为零下50度到+300度之间。则该传感器的量程为350摄氏度。 (2)灵敏度 传感器的灵敏度是指佑感器在稳态时输出量的变化量与输入量的变化量的比值。通常/d久表示。对于线性传感器,传感器的校准且线的斜率就是只敏度,是一个常量。而非线性传感器的灵敏度则随输入星的不同而变化,在实际应用巾.非线性传感器的灵敏度都是指输入量在一定范围内的近似值。传感器的足敏度越高.俏号处理就越简单。 (3)线性度(非线性误差) 在稳态条件下,传感器的实际输入、输出持件曲线勺理想直线之日的不吻合程度,称为线性度或非线性误差,通常用实际特性曲线与邵想直线之司的最大偏关凸h m2与满量程输出仪2M之比的百分数来表示。该系统的线性度X为 (4)不重复性 z;重复性是指在相同条件下。传感器的输人员技同——方向作全量程多次重复测量,输出曲线的不一致程度。通常用红外碳硫仪3次测量输11j的线之间的最大偏差丛m x与满量程输出值ym之比的百分数表示,1、2、3分别表示3次所得到的输出曲线.它是传感器总误差中的——项。 (5)滞后(迟滞误差) 迟滞现象是传感器正向特性曲线(输入量增大)和反向特性曲线(输入量减小)的不重合程度,通常用yH表示。

光电传感器论文

光电传感器 物理与电子工程学院电子信息科学与技术(应用技术)2011级李俊 学号20110520164 指导老师伊斯刚 摘要:由于微电子技术,光电半导体技术,光导纤维技术以及光栅技术的发展,使得光电传感器的应用与日俱增。这种传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精度、可测参数多、反应快以及结构简单,形式灵活多样等优点,在自动检测技术中得到了广泛应用,它一种是以光电效应为理论基础,由光电材料构成的器件。 关键字:光电效应;光电元件;光电特性;传感器应用 1 理论基础——光电效应 光电效应一般有外光电效应、光导效应、光生伏特效应。 光照在照在光电材料上,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足够大是,电子会克服束缚脱离材料表面而进入外界空间,从而改变光电子材料的导电性,这种现象成为外光电效应 根据爱因斯坦的光电子效应,光子是运动着的粒子流,每种光子的能量为hv(v为光波频率,h为普朗克常数,h=6.63*10-34 J/HZ),由此可见不同频率的光子具有不同的能量,光波频率越高,光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子,电子能量将会增加,增加的能量一部分用于克服正离子的束缚,另一部分转换成电子能量。根据能量守恒定律:1/2mv2=hv-A 式中,m为电子质量,v为电子逸出的初速度,A微电子所做的功。 2 光电元件及特性 2.1 光电管 光电管的种类繁多,典型的产品有真空光电管和充气光电管,外形成半圆筒形金属片制成的阴极K和位于阴极轴心的金属丝制成的阳极A封装在抽成真空的

玻壳内,当入射光照射在阴极上时,单个光子就把它的全部能量传递给阴极材料中的一个自由电子,从而使自由电子的能量增加h。当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功A时,它就可以克服金属表面束缚而逸出,形成电子发射。这种电子称为光电子,光电子逸出金属表面后的初始动能为1/2mv2 光电管正常工作时,阳极电位高于阴极。在人射光频率大于“红限”的前提下,从阴极表面逸出的光电子被具有正电位的阳极所吸引,在光电管内形成空间电子流,称为光电流。此时若光强增大,轰击阴极的光子数增多,单位时间内发射的光电子数也就增多,光电流变大。 光电管的光电特性如图1所示,从图中可知,在光通量不太大时,光电特性基本是一条直线。 图1光电管的光 2.2 光电倍增管 由于真空光电管的灵敏度低,因此人们研制了具有放大光电流能力的光电倍增管。光电倍增管也有一个阴极K和一个阳极A,与光电管不同的是在它的阴极和阳极间设置了若干个二次发射电极,D1、D2、D3…它们称为第一倍增电极、第二倍增电极、…,倍增电极通常为10~15级。光电倍增管工作时,相邻电极之间保持一定电位差,其中阴极电位最低,各倍增电极电位逐级升高,阳极电位最高。当入射光照射阴极K时,从阴极逸出的光电子被第一倍增电极D1加速,以高速轰击D1 ,引起二次电子发射,一个入射的光电子可以产生多个二次电子,D1发射出的二次电子又被D1、D2问的电场加速,射向D2并再次产生二次电子发射……,这样逐级产生的二次电子发射,使电子数量迅速增加,这些电子最后到达阳极,形成较大的阳极电流。若倍增电极有n级,各级的倍增率为σ,则光电倍增管的倍增率可以认为是σN ,因此,光电倍增管有极高的灵敏度。在输出电流小于1mA的情况下,它的光电特性在很宽的范围内具有良好的线性关系。光电倍增管的这个特点,使它多用于微光测量。

中国传感器市场研究报告

A.中国传感器整体市场规模分析与预测 中国“十三五”规划中正式启动了“中国制造2025”战略,力争到2025年由“制造业大国”成长为“制造业强国”。传感器与制造业息息相关,“中国制造2025”对传感器产品的智能化、信息化、网络化方向发展提出更高要求。MIR预计中国传感器市场必将获得更快的增长。(见表1、图1) 表1:中国传感器市场规模增长预期 图1:2013-2018年中国传感器市场规模 由MIR统计结果可以看出:2013-2014年,中国传感器市场一直在平稳增长。在2015年,由于中国工业大环境不景气,传感器市场增速有所放缓。但MIR预计随着“中国制造2025”战略的实施,传感器市场并将有所回温。 B.中国传感器整体市场分析-行业应用 根据MIR的统计结果显示,接近80%的传感器应用于OEM行业,在项目型行业和科研院所有20%左右的应用。(见表2)

表2:2015年中国传感器产品市场整体规模-行业 C.中国传感器整体市场分析-供应商 根据MIR的统计结果显示,外资品牌尤其是日系品牌占据了中国传感器市场的绝大部分市场份额。(见表3)

表3:2015年中国传感器产品市场整体规模供应商

D. 中国传感器整体市场分析-产品 根据MIR对中国传感器市场的调研结果来看,2015年中国传感器市场的产品中,编码器、光电传感器、光纤传感器依然是传感器市场的主流产品,占据了55%的市场份额。(见表4、图2) 表4:2015年中国传感器产品市场整体规模-产品 图2:2015年中国传感器产品市场整体规模-产品 E.产品市场细分 E1.编码器市场分析 中国编码器市场规中,HEIDENHAIN、TAMAGAWA以及禹衡占据了超过50%的市场份额。

光敏传感器光电特性测量实验

光敏传感器光电特性测量实验 光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接引起光强度变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下,电子逸出物体表面的外发射的现象,也称光电发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象,称为光电导效应。几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类,通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。当然近年来新的光敏器件不断涌现,如:具有高速响应和放大功能的APD雪崩式光电二极管,半导体色敏传感器、光电闸流晶体管、光导摄像管、CCD图像传感器等,为光电传感器进一步的应用开创了新的一页。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性。光敏传感器的基本特性包括:伏安特性、光照特性、时间响应、频率特性等。掌握光敏传感器基本特性的测量方法,为合理应用光敏传感器打好基础。 【实验目的】 了解硅光电池的基本特性,测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。 仪器简介 仪器由全封闭光通路、实验电路、待测光敏传感器(光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池)、实验连接线等组成。 仪器安装在360×220×80(mm)实验箱内,仪器面板如下图

传感器简答

1、什么是传感器的静态特性?它有哪些性能指标? 如何用公式表征这些性能指标? 2、什么是传感器的动态特性? 其分析方法有哪几种? 3、什么是传感器的静特性?主要指标有哪些?有何实际意义? 4、什么是传感器的基本特性?传感器的基本特性主要包括哪两大类?解释其定义并分别列出描述这两大特性的主要指标。(要求每种特性至少列出2种常用指标) 1、 答:传感器的静态特性是它在稳态信号作用下的输入-输出关系。静态特性所描述的传感器的输入、输出关系式中不含有时间变量。 传感器的静态特性的性能指标主要有: ① 线性度:非线性误差 max L FS L 100%Y γ?=± ? ② 灵敏度:y n x d S = d ③ 迟滞:max H FS H 100%Y γ?=? ④ 重复性:max R FS R 100%Y γ ?=±? ⑤ 漂移:传感器在输入量不变的情况下,输出量随时间变化的现象。 2、答:传感器的动态特性是指传感器对动态激励(输入)的响应(输出)特性,即其输出对随时间变化的输入量的响应特性。 传感器的动态特性可以从时域和频域两个方面分别采用瞬态响应法和频率响应法来分析。 知识点:传感器的动态特性 3、答:传感器的静态特性是当其输入量为常数或变化极慢时,传感器的输入输出特性,其主要指标有线性度、迟滞、重复性、分辨力、稳定性、温度稳定性、各种抗干扰稳定性等。传感器的静特性由静特性曲线反映出来,静特性曲线由实际测绘中获得。通常人们根据传感器的静特性来选择合适的传感器。 知识点:传感器的静态特性 4、答:传感器的基本特性是指传感器的输入-输出关系特性。 传感器的基本特性主要包括静态特性和动态特性。其中,静态特性是指传感器在稳态信号作用下的输入-输出关系,描述指标 有:线性度(非线性误差)、灵敏度、迟滞、重复性和漂移;动态特性是指传感器对动态激励(输入)的响应(输出)特性,即其输出对随时间变化的输入量的响应特性,主要描述指标有:时间常数、延迟时间、上升时间、峰值时间、响应时间、超调量、幅频特性和相频特性。 1、什么叫应变效应? 利用应变效应解释金属电阻应变片的工作原理。 2、试简要说明电阻应变式传感器的温度误差产生的原因,并说明有哪几种补偿方法。 1、 答:材料的电阻变化由尺寸变化引起的,称为应变效应。 应变式传感器的基本工作原理:当被测物理量作用在弹性元件上,弹性元件在力、力矩或压力等的作用下发生形变,变换成相应的应变或位移,然后传递给与之相连的应变片,将引起应变敏感元件的电阻值发生变化,通过转换电路变成电量输出。输出的电量大小反映了被测物理量的大小。 2、答: 温度误差产生原因包括两方面: 温度变化引起应变片敏感栅电阻变化而产生附加应变,试件材料与敏感栅材料的线膨胀系数不同,使应变片产生附加应变。 温度补偿方法,基本上分为桥路补偿和应变片自补偿两大类。 3、什么是直流电桥?若按桥臂工作方式不同,可分为哪几种?各自的输出电压如何计算? 4、为什么应变式传感器大多采用交流不平衡电桥为测量电路?该电桥为什么又都采用半桥和全桥两种方式? 5、应用应变片进行测量为什么要进行温度补偿?常采用的温度补偿方法有哪几种? 6、应变式传感器的基本工作原理是什么? 3、答:桥臂的供电电源是直流电的称为直流电桥。 按桥臂工作方式不同,可分为单臂直流电桥、半桥差动直流电桥、全桥差动直流电桥。 单臂直流电桥输出电压为: 半桥差动直流电桥输出电压为: 全桥差动直流电桥输出电压为: 4、答:由于应变电桥的输出电压很小,一般要加放大器,但直流放大器易产生零漂, 所以应变电桥多采用交流电桥。又由于交流电桥的供电电源是交流,为了消除应变片引线寄生电容的影响,同时也为了满足交流电桥的平衡条件,常采用不平衡电桥测量电路。 交流不平衡电桥采用半桥和全桥的方式是为了消除非线性误差和提高系统灵敏度。 5、答:由于电阻温度系数的影响以及试件材料和电阻丝材料的线膨胀系数的影响,会给电阻应变片的测量带来误差,因此需要进行温度补偿。 常采用的温度补偿法有电桥补偿法和应变片自补偿法。 6、答:应变式传感器的基本工作原理:当被测物理量作用在弹性元件上,弹性元件在力、力矩或压力等的作用下发生形变,变换成相应的应变或位移,然后传递给与之相连的应变片,将引起应变敏感元件的电阻值发生变化,通过转换电路变成电量输出。输出的电量大小反映了被测物理量的大小。 2、变隙式电感传感器的输出特性与哪些因素有关? 3、怎样改善变隙式电感传感器非线性?怎样提高其灵敏度? 4、差动变压器式传感器有几种结构形式? 各有什么特点? 5、差动变压器式传感器的零点残余电压产生的原因是什么?怎样减小和消除它的影响? 2、答:变隙式电感传感器的输出特性与衔铁的活动位置、供电电源、线圈匝数、铁芯间隙有关。 3、答:为改善变隙式电感传感器的非线性可采用差动结构。 如果变压器的供电电源稳定,则传感器具有稳定的输出特性; 另外,电源幅值的适当提高可以提高灵敏度,但要以变压器铁芯不饱和以及允许温升为条件。增加次级线圈和初级线圈的匝数比值和减小铁芯间隙都能使灵敏度提高。 知识点:变隙式电感传感器 4、答:差动变压器式传感器主要有变隙式差动传感器和螺线管式差动变压器两种结构形式。 差动变压器式传感器根据输出电压的大小和极性可以反映出被测物体位移的大小和方向。 螺线管式差动变压器如采用差动整流电路,可消除零点残余电压,根据输出电压的符号可判断衔铁的位置,但不能判断运动的方向;如配用相敏检波电路,可判断位移的大小和方向。 5、答:零点残余电压的产生原因:传感器的两次极绕组的电气参数与几何尺寸不对称,导致它们产生的感应电势幅值不等、相位不同,构成了零点残余电压的基波;由于磁性材料磁化曲线的非线性(磁饱和,磁滞),产生了零点残余电压的高次谐波(主要是三次谐波)。 为了减小和消除零点残余电压,可采用差动整流电路。 6、保证相敏检波电路可靠工作的条件是什么? 6、答:保证相敏检波电路可靠工作的条件是检波器的参考信号u o 的幅 值远大于变压器的输出信号u 的幅值,以便控制四个二极管的导通状态,且u o 和差动变压器式传感器的激励电压共用同一电源。 1、根据电容式传感器工作原理,可将其分为几种类型?每种类型各有什么特点?各适用于什么场合? 2、如何改善单极式变极距电容传感器的非线性? 3、电容式传感器有哪几种类型? 4、差动结构的电容传感器有什么优点? 5、电容式传感器主要有哪几种类型的信号调节电路?各有些什么特点? 6、简述电容式传感器的工作原理与分类。 1、 答:根据电容式传感器的工作原理,可将其分为3种:变极板间距的变极距型、变极板覆盖面积的变面积型和变介质介电常数的变介质型。 变极板间距型电容式传感器的特点是电容量与极板间距成反比,适合测量位移量。 变极板覆盖面积型电容传感器的特点是电容量与面积改变量成正比,适合测量线位移和角位移。 变介质型电容传感器的特点是利用不同介质的介电常数各不相同,通过介质的改变来实现对被测量的检测,并通过电容式传感器的电容量的变化反映出来。适合于介质的介电常数发生改变的场合。 2、答:单极式变极距电容传感器的灵敏度和非线性对极板初始间隙的要求是相反的,要改善其非线性,要求应增大初始间隙,但这样会造成灵敏度的下降,因此通常采用差动结构来改善非线性。 3、答:电容式传感器其分为3种:变极板间距的变极距型、变极板覆盖面积的变面积型和变介质介电常数的变介质型。 4、答:差动结构的电容传感器的优点是灵敏度得到提高,非线性误差大大降低。 5、答:电容式传感器的电容值及电容变化值都十分微小,因此必须借助于信号调节电路才能将其微小的电容值转换成与其成正比的电压、电流或频率,从而实现显示、记录和传输。相应的转换电路有调频电路、运算放大器、二极管双T 型交流电桥、脉冲宽度调制电路等。 调频电路的特点:灵敏度高,可测量0.01μm 级位移变化量;抗干扰能力强;特性稳定;能取得高电平的直流信号(伏特级),易于用数字仪器测量和与计算机通讯。 运算放大器的特点:能够克服变极距型电容式传感器的非线性,使其输出电压与输入位移间存在线性关系。 二极管双T 型交流电桥的特点:线路简单,不须附加相敏整流电路,便可直接得到较高的直流输出电压(因为电源频率f 很高)。 脉冲宽度调制电路的特点:适用于变极板距离和变面积式差动电容传感器,且为线性特性。 6、答:电容式传感器利用了将非电量的变化转换为电容量的变化来实现对物理量的测量。 当被测参数变化引起A 、εr 或d 变化时,将导致电容量C 随之发生变化。在实际使用中,通常保持其中两个参数不变,而只变其中一个参数,把该参数的变化转换成电容量的变化,通过策略电路转换为电量输出。因此,电容式传感器可分为3种:变极板间距离的变极距型、变极板覆盖面积大变面积型和变介质介电常数的变介质型。 8、提高其灵敏度可以采取哪些措施,带来什么后果? 8.答:要提高灵敏度,应减小初始间隙d 0,但这使得非线性误差增大,即灵敏度和非线性误差对d 0的要求是矛盾的。在实际应用中,为了既提高灵敏度,又减小非线性误差,通常采用岔洞结构。 1、什么叫正压电效应? 2、什么是逆压电效应? 3、什么叫纵向压电效应? E R R n n U o 11 2)1(?+= 1 12R R E U o ?=11R R E U o ?=

传感器与检测技术第3章 传感器基本特性参考答案

第3章传感器基本特性 一、单项选择题 1、衡量传感器静态特性的指标不包括()。 A. 线性度 B. 灵敏度 C. 频域响应 D. 重复性 2、下列指标属于衡量传感器动态特性的评价指标的是()。 A. 时域响应 B. 线性度 C. 零点漂移 D. 灵敏度 3、一阶传感器输出达到稳态值的50%所需的时间是()。 A. 延迟时间 B. 上升时间 C. 峰值时间 D. 响应时间 4、一阶传感器输出达到稳态值的90%所需的时间是()。 A. 延迟时间 B. 上升时间 C. 峰值时间 D. 响应时间 5、传感器的下列指标全部属于静态特性的是() A.线性度、灵敏度、阻尼系数 B.幅频特性、相频特性、稳态误差 C.迟滞、重复性、漂移 D.精度、时间常数、重复性 6、传感器的下列指标全部属于动态特性的是() A.迟滞、灵敏度、阻尼系数 B.幅频特性、相频特性 C.重复性、漂移 D.精度、时间常数、重复性 7、不属于传感器静态特性指标的是() A.重复性 B.固有频率 C.灵敏度 D.漂移 8、对于传感器的动态特性,下面哪种说法不正确() A.变面积式的电容传感器可看作零阶系统 B.一阶传感器的截止频率是时间常数的倒数 C.时间常数越大,一阶传感器的频率响应越好 D.提高二阶传感器的固有频率,可减小动态误差和扩大频率响应范围9、属于传感器动态特性指标的是() A.重复性 B.固有频率 C.灵敏度 D.漂移

10、无论二阶系统的阻尼比如何变化,当它受到的激振力频率等于系统固有频率时,该系统的位移与激振力之间的相位差必为() A. 0° B.90° C.180° D. 在0°和90°之间反复变化的值 11、传感器的精度表征了给出值与( )相符合的程度。 A.估计值 B.被测值 C.相对值 D.理论值 12、传感器的静态特性,是指当传感器输入、输出不随( )变化时,其输出-输入的特性。 A.时间 B.被测量 C.环境 D.地理位置 13、非线性度是测量装置的输出和输入是否保持( )关系的一种度量。 A.相等 B.相似 C.理想比例 D.近似比例 14、回程误差表明的是在( )期间输出-输入特性曲线不重合的程度。 A.多次测量 B.同次测量 C.正反行程 D.不同测量 =秒的一阶系统,当受到突变温度作用后,传感器输15、已知某温度传感器为时间常数τ3 出指示温差的三分之一所需的时间为()秒 A.3 B.1 C. 1.2 D.1/3 二、多项选择题 1.阶跃输入时表征传感器动态特性的指标有哪些?() A.上升时间 B.响应时间 C.超调量 D.重复性 2.动态响应可以采取多种方法来描述,以下属于用来描述动态响应的方法是:() A.精度测试法 B.频率响应函数 C.传递函数 D.脉冲响应函数 3. 传感器静态特性包括许多因素,以下属于静态特性因素的有()。 A.迟滞 B.重复性 C.线性度 D.灵敏度 4. 传感器静态特性指标表征的重要指标有:() A.灵敏度 B.非线性度 C.回程误差 D.重复性 5.一般而言,传感器的线性度并不是很理想,这就要求使用一定的线性化方法,以下属于线性化方法的有:() A.端点线性 B.独立线性 C.自然样条插值 D.最小二乘线性 三、填空题 1、灵敏度是传感器在稳态下对的比值。 2、系统灵敏度越,就越容易受到外界干扰的影响,系统的稳定性就越。 3、是指传感器在输入量不变的情况下,输出量随时间变化的现象。 4、要实现不失真测量,检测系统的幅频特性应为,相频特性应为。

光电传感器的设计

光电传感器的设计-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

光电传感器的设计 题目:光电传感器的设计 院(系):信息工程学院 专业:光电信息科学与工程 姓名:褚飞亚 学号: 20 指导教师:张洋洋 2016年6月27号

摘要 随着信息技术的迅猛发展,传感器的应用技术也在飞速发展,新的应用技术呈现出爆炸式的发展。传感器作为作为测控系统中对象信息的入口,作为捕获信息的主要工具,在现代化事业中的重要性已被人们所认识。光电传感器的应用技术为信息科学的一个分支,俗称“电眼”。它是将传统光学技术与现代微电子技术以及计算机技术机密结合的纽带,是获取光信息或借助光提取其他信息的重要手段。现如今汽车成为大多数人必不可少的东西。经常开车的朋友们,应该都有过这样的苦恼每次开车到了单位或者小区大门口都要等门卫来开门或者等其按动电动门的开关,既费时间又费人力,如果巧妙地利用光电传感器就可以实现光控大门。所以借此次课程设计来设计一个光控大门,即把光敏电阻装在大门上并且在汽车灯光能照到的地方,把带动大门的电动机接在干簧管的电路中,那么夜间汽车开到大门前,灯光照射到光敏电阻时,干簧继电器就可以自动接通电动机电路,电动机就能带动大门打开。这样就解决了上述的问题。

目录 1、设计要求...............................................错误!未定义书签。 功能与用途 ............................................................................................. 错误!未定义书签。 指标要求 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 2、光电传感器介绍及工作原理 ...............错误!未定义书签。 、光电传感器 ......................................................................................... 错误!未定义书签。 工作原理 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 3、方案设计...............................................错误!未定义书签。 4、元件选择和电路设计 ...........................错误!未定义书签。 元件选择 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 电路设计 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 5、总结.......................................................错误!未定义书签。参考文献.....................................................错误!未定义书签。

世界传感器市场分析

世界传感器市场分析(32)—半导体生产设备中的UCM传感器   超声传感器、电容传感器、磁传感器一般统称为UCM传感器,该类传感器目前已 经非常普及,在水处理、石油、化工、化学、汽车等领域已具有了成熟的市场。但据有 关市场研究表明, UCM传感器在半导体生产设备(SEM)方面目前尚处于早期发展阶段。 SEM主要用于半导体产品生产、装配和性能测试,是一个资本密集的全球性行业。随着半 导体技术的迅速发展,对SEM提出了更高的要求,促使其加快技术的进步与更新以适应时 代的需求,所以该行业有望成为UCM传感器的主要市场。 目前,UCM传感器在半导体行业的应用还是比较有限的,但其销售额却持续增长。2000年 UCM传感器在SEM领域的总销售额为1.249亿美元,年增长率为6.9%,2001年达到了1.443 亿美元,年增长速度达到了7.1%。预计到2007年7.1%的年增长率将会保持,且随着UCM传 感器价格的下降,其需求量还会增加。 UCM传感器主要包括基于超声原理的流量传感器、物位传感器和位置传感器,电容式的接 近传感器、位置传感器和压力传感器,基于磁学原理的位置和流量传感器。由于价格昂 贵,尤其是超声流量计和电磁流量计,使UCM在SEM领域的应用受到了限制。然而,随着 半导体生产商不断引进新的技术,这些传感器将会有更广泛的应用。有关专家也分析了 几种不利于市场发展的因素。首先,半导体企业已经开始自己生产传感装置,并趋向于 向数字化技术和电子技术方向发展。其次,传感器市场的国际化也使传感器生产向国际 化发展,最后,传感器技术还无法满足半导体行业严格的生产标准。

技术的革新对UCM传感器的销量增长起着巨大的作用。例如目前最新型的MEMS传感器—超 声MEMS传感器已研制成功,它采用硅基超声传感技术,既经济又实用,代表了超声传感 器技术的发展前沿。与原有的超声传感器相比,MEMS超声传感器在性能方面有了质的提 高,而在价格方面却有了一定量的下降,很好地满足了高性能、低价格的大量应用的需 求。 半导体生产商越来越需要高精度、高静压与高智能的测试设备,传感器生产商也正在努 力满足这方面的需要,当前有向数字输出与界面化发展的趋势。如在磁性传感器领域较 为重要的进展就是其智能化单片集成系统。在主板上设置内存最主要的优点是可以使霍 尔位置传感器生产商制作出更多更好的智能传感器。SMART技术在超声与电容传感器方面 也同样越来越重要。 2000年超声传感器在SEM领域的年销售额达到了2860万美元。流量测量方面,多普勒超声 流量计更多地应用于较脏的环境中,半导体生产的超净环境倾向于选用传统的计时流量 计。超声物位传感器是一种利用声波的非接触式测量系统,而超声接近传感器则是通过 激发压电信号产生声波,检测目标物是否存在或测量到目标物的距离。超声传感器随着 精度的不断提高,销售量也在提升,但是巨额开发成本也在一定程度上阻碍了市场的扩 张。 2000年电容式传感器在SEM市场的销售额达到了3200万美元,这其中主要包括电容式位置 传感器、接近传感器和压力传感器。非接触式位置传感器具有较高的分辨率且比较牢固 耐用。接近传感器在探测非金属目标的场合是理想的选择。压力传感器价格昂贵,市场

光电传感器特性分析

光电传感器特性分析 摘要:随着科技的发展,人类越来越注重信息和自动化,在日常的生产学习过 程中,人们常常要进行自动筛选、自动传送,而为了实现这些,光电传感发挥了不可磨灭的作用。光敏传感器的物理基础是光电效应,即光敏材料的电学特性因受到光的照射而发生变化。 关键词:光电效应、光电传感器、光敏材料 一、 理论基础——光电效应 光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下,电子逸出物体表面的外发射的现象,也称光电发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象,称为光电导效应,大多数光电控制应用的传感器,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都属于内光电效应类传感器。 1.外光电效应 光照在照在光电材料上,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足够大,电子会克服束缚逸出表面,从而改变光电子材料的导电性,这种现象成为外光电效应。 根据爱因斯坦的光电子效应,光子是运动着的粒子流,每种光子的能量为hv(v 为光波频率,h 为普朗克常数),由此可见不同频率的光子具有不同的能量,光波频率越高,光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子,电子能量将会增加,增加的能量一部分用于克服正离子的束缚,另一部分转换成电子能量。根据能量守恒定律: 式中,m 为电子质量,v 为电子逸出的初速度,w 为逸出功。 由上式可知,要使光电子逸出阴极表面的必要条件是hv>w 。由于不同材料具有不同的逸出功,因此对每一种阴极材料,入射光都有一个确定的频率限,当入射光的频率低于此频率限时,不论光强多大,都不会产生光电子发射,此频率 限称为“红限”。相应的波长为 式中,c 为光速,w 为逸出功。 2.内光电效应 当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg 。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体 w hv -=2mv 2 1 w hc K = λ

传感器的种类及特性分析

一、传感器地特性 ()传感器地动态性.动特性是指传感器对随时间变化地输入量地响应特性.动态特性输入信号变化时,输出信号随时间变化而相应地变化,这个过程称为响应.传感器地动态特性是指传感器对随时间变化地输入量地响应特性.动态特性好地传感器,当输入信号是随时间变化地动态信号时,传感器能及时精确地跟踪输入信号,按照输入信号地变化规律输出信号.当传感器输入信号地变化缓慢时,是容易跟踪地,但随着输入信号地变化加快,传感器地及时跟踪性能会逐渐下降.通常要求传感器不仅能精确地显示被测量地大小,而且还能复现被测量随时间变化地规律,这也是传感器地重要特性之一.文档来自于网络搜索()传感器地线性度.通常情况下,传感器地实际静态特性输出是条曲线而非直线.在实际工作中,为使仪表具有均匀刻度地读数,常用一条拟合直线近似地代表实际地特性曲线、线性度(非线性误差)就是这个近似程度地一个性能指标.拟合直线地选取有多种方法.如将零输入和满量程输出点相连地理论直线作为拟合直线;或将与特性曲线上各点偏差地平方和为最小地理论直线作为拟合直线,此拟合直线称为最小二乘法拟合直线.文档来自于网络搜索()传感器地灵敏度.灵敏度是指传感器在稳态工作情况下输出量变化△对输入量变化△地比值.它是输出一输入特性曲线地斜率.如果传感器地输出和输入之间显线性关系,则灵敏度是一个常数.否则,它将随输入量地变化而变化.灵敏度地量纲是输出、输入量地量纲之比.例如,某位移传感器,在位移变化时,输出电压变化为,则其灵敏度应表示为.当传感器地输出、输入量地量纲相同时,灵敏度可理解为放大倍数.文档来自于网络搜索()传感器地稳定性.稳定性表示传感器在一个较长地时间内保持其性能参数地能力.理想地情况是不论什么时候,传感器地特性参数都不随时间变化.但实际上,随着时间地推移,大多数传感器地特性会发生改变.这是因为敏感器件或构成传感器地部件,其特性会随时间发生变化,从而影响传感器地稳定性.文档来自于网络搜索 ()传感器地分辨力.分辨力是指传感器可能感受到地被测量地最小变化地能力.也就是说,如果输入量从某一非零值缓慢地变化.当输入变化值未超过某一数值时,传感器地输出不会发生变化,即传感器对此输入量地变化是分辨不出来地.只有当输入量地变化超过分辨力时,其输出才会发生变化.通常传感器在满量程范围内各点地分辨力并不相同,因此常用满量程中能使输出量产生阶跃变化地输入量中地最大变化值作为衡量分辨力地指标.上述指标若用满量程地百分比表示,则称为分辨率.文档来自于网络搜索 ()传感器地迟滞性.迟滞特性表征传感器在正向(输入量增大)和反向(输入量减小)行程间输出输入特性曲线不一致地程度,通常用这两条曲线之间地最大差值△与满量程输出·地百分比表示.迟滞可由传感器内部元件存在能量地吸收造成.文档来自于网络搜索()传感器地重复性.重复性是指传感器在输入量按同一方向作全量程连续多次变动时所得特性曲线不一致地程度.各条特性曲线越靠近,说明重复性越好,随机误差就越小.如图所示为输出特性曲线地重复特性,正行程地最大重复性偏差为.反行程地最大重复性偏差为.取这两个最大偏差中地较大者为,再以其占满量程输出地百分数表示,就是重复误差,即一士×()重复性是反映传感器精密程度地重要指标.同时,重复性地好坏也与许多随机因素有关,它属于随机误差,要用统计规律来确定.文档来自于网络搜索 二、常见地传感器种类 .电阻式传感器 电阻式传感器是将被测量,如位移、形变、力、加速度、湿度、温度等这些物理量转换式成电阻值这样地一种器件.主要有电阻应变式、压阻式、热电阻、热敏、气敏、湿敏等电阻式传感器件.文档来自于网络搜索 .变频功率传感器 变频功率传感器通过对输入地电压、电流信号进行交流采样,再将采样值通过电缆、光

光电传感器特性分析

光电传感器特性分析 摘要:随着科技的发展,人类越来越注重信息和自动化,在日常的生产学习过程中,人们常常要进行自动筛选、自动传送,而为了实现这些,光电传感发挥了不可磨灭的作用。光敏传感器的物理基础是光电效应,即光敏材料的电学特性因受到光的照射而发生变化。 关键词:光电效应、光电传感器、光敏材料 一、理论基础——光电效应 光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下,电子逸出物体表面的外发射的现象,也称光电发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象,称为光电导效应,大多数光电控制应用的传感器,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都属于内光电效应类传感器。 1.外光电效应 光照在照在光电材料上,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足够大,电子会克服束缚逸出表面,从而改变光电子材料的导电性,这种现象成为外光电效应。 根据爱因斯坦的光电子效应,光子是运动着的粒子流,每种光子的能量为hv(v为光波频率,h为普朗克常数),由此可见不同频率的光子具有不同的能量,光波频率越高,光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子,电子能量将会增加,增加的能量一部分用于克服正

离子的束缚,另一部分转换成电子能量。根据能量守恒定律: 式中,m 为电子质量,v 为电子逸出的初速度,w 为逸出功。 由上式可知,要使光电子逸出阴极表面的必要条件是hv>w 。由于不同材料具有不同的逸出功,因此对每一种阴极材料,入射光都有一个确定的频率限,当入射光的频率低于此频率限时,不论光强多大, 都不会产生光电子发射,此频率限称为“红限”。相应的波长为 式中,c 为光速,w 为逸出功。 2.内光电效应 当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg 。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体材料的导电性远不 如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其 激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg( Eg 为带隙间隔)时,价带中的电子就会吸收 光子的能量,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴,形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子,但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一 w hv -=2mv 21 w hc K = λ

光电传感器介绍

光电式传感器 1.概述 光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件,它是把光信号(红外、可见及紫外光辐射)转变成为电信号的器件。 光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量,如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度,以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。近年来,新的光电器件不断涌现,特别是CCD图像传感器的诞生,为光电传感器的进一步应用开创了新的一页。 2.物理特性 2.1外光电效应 2.1.1光子假设 1887年,赫兹发现光电效应,爱因斯坦第一个成功解释光电效应。爱因斯坦根据普朗克量子假说而进一步提出的光量子,即光子概念,对光电效应研究做出了决定性的贡献。爱因斯坦光子假说的核心思想是:表面上看起来连续的光波是量子化的。单色光由大量不连续的光子组成。若单色光频率为n,那么每个 光子的能量为E=hv, 动量为。 由爱因斯坦光子假说发展成现代光子论(photon theory)的两个基本点是:

(1) 光是由一颗一颗的光子组成的光子流。每个光子的能量为E = hv,动量 为。由N个光子组成的光子流,能量为N hv。 (2) 光与物质相互作用,即是每个光子与物质中的微观粒子相互作用。 根据能量守恒定律,约束得最不紧的电子在离开金属面时具有最大的初动 能,所以对于电子应有: 2.2 内光电效应 光电传感器通常是指能敏感到由紫外线到红外线光的光能量,并能将光能转化成电信号的器件。其工作原理是基于一些物质的光电效应。 光电效应:当具有一定能量E的光子投射到某些物质的表面时,具有辐射能量的微粒将透过受光的表面层,赋予这些物质的电子以附加能量,或者改变物质的电阻大小,或者使其产生电动势,导致与其相连接的闭合回路中电流的变化,从而实现了光—电转换过程。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应。属于内光电效应的光电转换元件有光敏电阻以及由光敏电阻制成的光导管等。 2.2.1光电导效应 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应(又称为光电效应、光敏效应),即光电导效应是光照射到某些物体上后,引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时,材料吸收光子的能量,使非传导态电子变为传导态电子,引起载流子浓度增大,因而导致材料电导率增大。在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子-空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增加,阻值减低,这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。

光电传感器性能参数分析

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光电传感器性能参数分析 摘要:在科学技术高速发展的现代社会中,人类已经入瞬息万变的信息时代,人们在日常生活,生产过程中,主要依靠检测技术对信息经获取、筛选和传输,来实现制动控制,自动调节,目前我国已将检测技术列入优先发展的科学技术之一。由于微电子技术,光电半导体技术,光导纤维技术以及光栅技术的发展,使得光电传感器的应用与日俱增。这种传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精度、可测参数多、反应快以及结构简单,形式灵活多样等优点,在自动检测技术中得到了广泛应用,它一种是以光电效应为理论基础,由光电材料构成的器件。 关键字:光电效应、光电元件、光电特性、传感器分类、传感器应用

目录 目录 (3) 1、引言 (4) 2、光电传感器 (4) 3、光电效应 (6) 4、光电传感器的前景 (6) 5、总结 (7) 参考文献 (8)

一、引言 随着工业生产技术的发展,对生产过程中的过程控制要求越来越高,而作为控制系统的核心之一,传感器越来越受工业技术人员的重视。人们对高性能检测技术的发展需求与日俱增。其中非电量测量的受欢迎程度最为广泛,可将距离、位移、振动等信号转换为电信号,并通过这些方法获得被测物体的状态。非电量检测技术分为接触式与非接触式检测。在工业生产环境中,有些场合不适用接触式检测,因为传感器与被测物体的接触,在工业现场环境中会造成被测体损伤、传感器磨损等问题。因此,需要性能良好的非接触式传感器以满足工业需求,相关技术的研究也成为传感器检测技术的发展方向。 光电检测技术作为目前检测技术之一,目前国内对于光电检测的研究已有一些成果,但目前产品还存在着一些问题,例如线性测量范围过短、对现场装配条件要求较高等,距离满足工业现场的要求还存在一定距离。所以,为了解决这些问题,光电效应对传感器性能的影响是很重要的研究方向之一,可以使光电传感器应用在更多的领域,推动光电检测技术的发展。 二、光电传感器 光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的,它的基本结构如下图,它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源,光学通路和光电元件三部分组成.光电检测方法具有精度高,反应快,非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。 图1光电传感器原理图 光电传感器一般由三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路,发送器对准目标发射光束,发射的光束一般来源于半导体光源,发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射,或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面,装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路,它能滤出有效信号和应用该信号。 光电传感器是一种依靠被测物与光电元件和光源之间的关系,来达到测量目的

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