ICS29.045
H 82 DB63 青海省地方标准
DB 63/ T991—2011
太阳能级直拉单晶硅圆棒质量要求
Quality requirments of direct-pull monosilicon stick in solar grade
点击此处添加与国际标准一致性程度的标识
（报批稿）
2011-04-11发布2011-05-01实施
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由青海华硅能源有限公司提出并负责解释。
本标准由西宁经济技术开发区东川工业园区管委会归口。
本标准起草单位：青海华硅能源有限公司。
本标准主要起草人：张治民、雷光辉、李治明、付亚惠、冯全来、武超。
太阳能级直拉单晶硅圆棒质量要求
1 范围
本标准规定了太阳能级直拉单晶硅圆棒的质量要求。
本标准适用于太阳能级直拉单晶硅圆棒的检验。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 1214.1 游标类卡尺通用技术条件
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
3 术语定义
下列术语和定义适用于本标准。
3.1
崩边
晶棒径向端面呈现局部破损，称为崩边。在崩边处可以观察到晶体金属光泽的亮点。
3.2
裂痕、裂纹
特征为其晶体内部存在微小的缝隙，裂纹、裂痕容易沿晶体解理面产生。
3.3
气孔
晶体内存在空洞时，在切断面上可以见到无规则、大小不等的小孔。
3.4
位错
晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷。
3.5
位错密度
单位体积内位错线的总长度（cm/cm3）。通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示。
4 产品分类
直拉单晶硅圆棒根据规格一般分为6英寸圆棒和8英寸圆棒。
5 技术要求
5.1 直径及允许范围（见表1）
表1 硅单晶圆棒的直径及允许范围
5.2 其他参数要求（见表2）
表2 硅单晶圆棒相关参数要求
6 检验方法
6.1 直拉单晶硅圆棒的外型尺寸及允许偏差按GB/T 1214.1进行。
6.2 直拉单晶硅圆棒的导电类型测量按GB/T 1550进行。
6.3 直拉单晶硅圆棒的电阻率四探针法测量按GB/T 1552进行。
6.4 直拉单晶硅圆棒的少数载流子寿命按GB/T 1553进行。
6.5 直拉单晶硅圆棒的晶向及晶向偏离度测量按GB/T 1555进行。
6.6 直拉单晶硅圆棒的间隙氧含量按GB/T 1557进行。
6.7 直拉单晶硅圆棒的代位碳含量按GB/T 1558进行。
6.8 直拉单晶硅圆棒的晶体完整性检验按GB/T 1554进行。
6.9直拉单晶硅圆棒的外观检验为目测。
7 检验规则
7.1 出厂检验
在产品生产工艺不变、原材料基本一致的情况下，产品由质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品合格证。
7.1.1 组批
单晶硅圆棒以组批的形式提交验收，每批应由相同规格的单晶硅圆棒组成。
7.1.2 检验项目
a)每根单晶圆棒的检验项目有：导电类型、晶向、外形尺寸、电阻率范围。
b)供需双方协商的检验项目有：间隙氧含量、代位碳含量、少数载流子寿命及晶体完整性。
7.1.3 抽样
每批单晶硅圆棒必须全检（即100%）
7.1.4 取样位置
a)单晶硅圆棒氧含量及碳含量测试样块的取样
氧含量测试样块取样时应在晶棒的头部切取试样。
碳含量测试样块取样时应在晶棒的尾部切取试样。
b)其他测试样块的取样
其他测试样块可在晶棒的任意一端切取试样。
7.1.5 检验结果的判定
导电类型、晶向、电阻率、外形尺寸4项检验，若有一项不合格，则该单晶硅圆棒为不合格。
7.2 型式检验
在生产工艺有较大改变，原材料变动，长期停产恢复生产，或供需双方对交货产品质量有异议时进行，需对产品进行以下检验或可按仲裁或司法鉴定程序进行检验。
7.2.1 组批
单晶硅圆棒以组批的形式提交验收，每批应由相同规格的单晶硅圆棒或需方认为有质量问题的单晶硅圆棒组成。
7.2.2 检验项目
检验项目包括：导电类型、晶向、外形尺寸、电阻率范围、径向电阻率变化、晶体完整、间隙氧含量、代位碳含量、少数载流子寿命。
7.2.3 抽样
型式检验中送检批次产品实行全检（即100%）。
7.2.4 检验结果的判定
对试样进行所有检测项检测后，若有一项不合格，则该单晶硅圆棒为不合格。若该批次中大于10%数量单晶硅圆棒不合格，则该批次单晶硅圆棒为不合格。
8 标志、包装、运输和存储
8.1 标志、包装
8.1.1 单晶硅圆棒按需方要求，按相同规格和参数范围进行分类，用聚苯烯(泡沫)逐锭包装，然后将经过包装的圆棒装入包装箱内，并装满填充物，防止晶锭松动。
8.1.2 包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“集装箱总高度不大于1米”等标识，并标明：
a)需方名称，地点；
b)产品名称，牌号；
c)产品件数及重量(毛重/净重)；
d)供方名称；
8.2 运输、贮存
8.2.1 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。
8.2.2 产品应贮存在清沽、干燥的环境中。
8.2.3 每批产品应有产品合格证，并标明：
a)供方名称；
b)产品名称及规格、牌号；
c)产品批号；
d)产品净重及单晶根数；
e)各项参数检验结果和检验部门的印记；
f)本标准编号；
g)厂址、联系电话；
h)出厂日期；
_________________________________
直拉单晶硅国标相关知识汇总 参考标准： 硅单晶GB/T12962-2005 硅片径向电阻率变化测定方法GB/T11073 硅单晶电阻率的测量GB/T1551-2009 代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T1558-2009 光电衰减法测硅和锗体内少子寿命测定GB/T1553-2009 红外吸收光谱测量硅晶体中间隙氧GB/T1557-2006 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1550 1. 径向电阻率变化 1）定义：晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（晶片半径的1/2处或靠晶片边缘处）的电阻率之间的差值。差值与中心值的百分数即为径向电阻率变化。 2）测量方法：GB/T11073规定径向电阻率变化的测量方法为：用四探针法测量硅片中心点和设定点的电阻率。按以下公式计算：RV=（ρM－ρC）/ρM×100% 其中：ρM为硅片中心点处测得的两次电阻率的平均值。 ρC为硅片半径中点或距边缘6mm处，90°间隔4点电阻率的平均值。 3）国标对径向电阻率变化的要求：GB/T12962-2005规定掺杂硼元素的P 型单晶（直径为200mm的）电阻率范围为：0.0025～60Ω·cm。 其径向电阻率变化为：0.0025～0.1Ω·cm ≤12% 0.1～60Ω·cm ≤5% 2. O、C含量 GB/T12962-2005规定直拉硅单晶的间隙氧含量应小于 1.8×1018a/cm3 (36ppma)，具体指标应根据客户要求而定。其测定的依据标准为：GB/T1557-2006。 替位碳含量应小于 5.0×1016a/cm3 (1ppma)，其测定的依据标准为：GB/T1558-2009 利用红外吸收光谱测量间隙氧的有效范围从 1.0×1016a/cm3到硅中间隙氧的最大固溶度。 3．少子寿命 GB/T1553-2009规定用光电导衰减法不能测量硅单晶抛光片的少子寿命。本方法测量硅单晶的少子寿命单个实验室测量的精密度为±20%。 本方法可以测的最低寿命值为10μs,而最高可测寿命值主要取决于试样的尺寸和抛光的表面。所要求的试样尺寸和最高可测寿命值如下：
金属1001 覃文远3080702014 单晶硅制备方法 我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。 单晶硅，英文，Monocrystallinesilicon。是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 用途：单晶硅具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随着温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第ЩA族元素，形成P型半导体，掺入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。 单晶硅是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。在开发能源方面是一种很有前途的材料。 单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。 直拉法 直拉法又称乔赫拉尔基斯法（Caochralski）法，简称CZ法。它是生长半导体单晶硅的主要方法。该法是在直拉单晶氯内，向盛有熔硅坩锅中，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制热场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶便在籽晶下按照籽晶的方向长大。拉出的液体固化为单晶，调节加热功率就可以得到所需的单晶棒的直径。其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。直拉法是以定向的籽晶为生长晶核，因而可以得到有一定晶向生长的单晶。 直拉法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性活泼或熔点极高的材料，由于没有合适的坩埚，而不能用此法制备单晶体，而要改用区熔法晶体生长或其
石材工程的材料及施工技术要求 1、材料要求 ●所有石材的材料进场前均应按“材料样板报审程序”进行有关“样板”及资料的报 审，审批合格封样后方可进场。 ●天然石材不允许有染色和电解等情况。要求所供石材均为同一矿山同一矿口的同批 次采取石材，从而保证整体颜色协调。 ●石材根据设计要求，确定石材的品种颜色、花纹和尺寸规格，并严格控制，检查其 强度，吸水率等性能。 ●所有石材均应执行材料报审程序，送审的石材必须为“大板”，其样板应代表该部 位或一定批量的品质、验收，不允许存在品质等级的差异。石材表面不得有隐伤、风化等缺陷, 花纹、图案、纹理、颜色必须均匀。 ●石材应按设计要求颜色、规格进行生产及加工，所有对设计要求的“拼缝、拼花、 收口边”等非标准尺寸材料应由生产厂家“开界”加工，不得在现场“开界”。 ●地面、墙面湿贴及台面石材厚度：必须符合合同要求。 2、施工技术要求 ●承包商应先根据现场的实际情况进行石材实测放样，深化有关石材放样，并提供详 细经深化的石材排版、分块图、基层处理、节点构造、变形缝、石材收边收口图等，将结果上报业主，经业主书面同意确认后方可实施下单。 ●大理石加工切割前，石材供应商、承包商应核对经业主确认的石材封样小样，邀请 业主或业主方委托代表到石材加工厂核对将所用大板，或以照片形式上报业主，经业主书面确认后进行切割。 ●所有石材必须做六面防护，采用高级防渗保护剂处理两遍以上，消除返锈返碱，保 护石材不受污染；由指定供应商供应的石材，承包商需其防护质量及效果进行监控，
并应进行必要的复验。禁止现场进行石材的加工及防护，如有尺寸规格不符，应返回石材供应商厂房内加工并重新做好防护后方可重新运回现场使用。
硅中氧、碳及其含量测定 1.硅晶体中的氧 直拉硅单晶中不可避免地存在氧。尽管氧的含量不高，在百万分之二十（20ppma）左右，相当于硅晶体中直线距离不到40个硅原子有一个氧原子，它们的作用却不可忽视。硅中的氧，取决于它存在的量、分布和存在的方式，对硅中缺陷的形成和晶片的特性有重要的影响。因此，精确地测定和控制硅单晶中的氧含量是硅材料制造和器件加工中必不可少的环节，硅中氧含量是当今硅材料与器件制造业进行验收、工艺监控以及研究开发所必需掌握的关键数据。 直拉硅单晶中的氧是在晶体生长过程中由熔硅进入。而熔硅中的氧主要由石英坩埚的溶解而引入。高温下的熔硅会和它与接触的石英坩埚壁反应，使石英溶解，石英中的氧溶入熔硅。含氧的熔硅被强烈的对流搅拌，带至熔硅上部暴露的表面和生长晶体的界面附近。到达表面的氧以SiO的组成向气氛发散，被气流带走。到达生长界面的氧就进入生长中的晶体。在实际的生长系统中，由石英溶解进来的氧绝大部分被带到暴露的表面挥发走，只有很小部分（大约2%）进入硅晶体。 进入硅晶体的氧含量与上述过程中的每一个环节都有关，因此影响因素较多：原料多晶硅和吹扫气氩气的含氧量，石英坩埚材质和表面涂层，熔硅直径与深度的比例，石墨热场设计所决定的坩埚壁的温度，由坩埚和晶体转动所引起的对流，吹扫气流在炉内（特别是熔硅上部）流动的分布，以及外加磁场的方式，都可能对氧的引入，即晶片中氧的浓度及其分布，产生重要作用。在晶体生长过程中这些因素会发生变化，所以，晶体中不同部位的氧含量也会相应变化。 在高温下引入硅中的氧处于固溶体状态。随着晶体生长后的冷却，这些氧逐渐处于过饱和状态。这时，由于已处于固态，氧原子在硅晶格中的移动受到限制。如果高温下的历程不是太久的话，这些氧原子会保持这种过饱和状态，以填隙原子的形式存在于硅晶格中。通常由直拉法生产的硅晶片中的氧大多都是处于这种状态。 这种过饱和的氧处于一种不稳定的状态。硅晶格中处于填隙位置的氧原子引起临近的局部挤压应力。随着温度的上升，氧原子在硅晶格中的热振动逐渐加强，有了移动趋向增强。氧原子附近的局部应力就成了它们移动的推动力。氧原子的结合有利于缓解这种应力，于是就有了结合的倾向。有关氧原子结合的最早发现的一个现象就是热施主效应：含有氧的硅单晶在350－500℃之间（在450℃时最强）热处理几小时后，可发现n型样品的电阻率降低，p型样品电阻率升高（有时甚至转型），犹如产生了一定数量的施主。这种施主产生的速度和数量取决于晶体中氧的浓度、氧存在的状态、热处理的温度、时间以及处理前晶体的热历史。单晶中氧含量（严格地说应是位溶解的氧）越多，处理时间越久，产生的施主就越多，最多可达5×1016/cm3（对应电阻率0.5 cm ）。这种施主在高温下不太稳定，在500℃以上进一步热处理时会消失。这种因氧而产生的施主叫做热施主。研究表明它们是氧原子聚集的初期，处于络合状态。
直拉硅单晶的氧和碳 直拉硅单晶中的氧和碳是一类很重要的杂质，氧和碳在直拉单晶中，可能形成微沉淀，可能在微沉淀基础上形成微缺陷，严重影响单晶质量，影响大规模集成电路性能和制造。 氧原子在硅单晶中大部以间隙原子状态存在，成Si-O-Si状态或SiO 2和SiO 4 状态，熔点 时，氧在固态硅的溶解度为(2.75±0.15)×1018/cm3，在熔硅中的溶解度为（2.20±0.15)× 1018/cm3。直拉硅单晶的氧主要来源于多晶硅，它的含氧量一般为1016/cm3~1017/cm3数量级，而直拉单晶硅中的氧含量一般在6×1017/cm3~2×1018/cm3，可见，单晶生长过程中有大量的氧进入。 石英坩埚对硅单晶的氧沾污非常严重，在1420℃以上高温下，硅熔体和石英坩埚进行化学反应： Si(熔体)+SiO 2 (固体)=2SiO 反应结果，石英坩埚上生成一层固体一氧化硅，并不断溶解于熔硅中，生成一氧化硅气体也会溶解于熔硅，使熔硅氧浓度增高。 氩气氛下拉晶时，氩气中的氧会以不同形成溶入熔硅中，使硅单晶氧浓度增高。 直拉硅单晶一般单晶并没有部氧浓度高，尾部氧浓度低，单晶新面中心氧浓度高，边缘氧浓度低。硅单晶的这种氧浓度分布既受坩埚污染影响，也受拉晶时氧蒸发和氧分凝效应影响。坩埚中熔硅虽然离坩埚壁越近氧浓度越高，但在拉晶过程中，被单晶覆盖的熔硅氧不能蒸发，其余部分氧蒸发较快，在熔硅对流作用下，形成单晶中氧含量边缘高中心低的现象。氧在硅中的平衡分凝系数一般认为是1.25，这很容易解释硅单晶头部含氧高尾部含氧低的事实。但是，从硅氧二元相图看，氧在硅中的平衡分凝系数应该小于1，这和一般认为氧在硅中平衡分凝系数等于1.25相矛盾。氧在单晶中分布呈并没有部高尾部低现象可以这样解释： 由于多晶硅熔化时温度高，硅和石英坩埚（SiO 2 ）反应激烈，大量的硅氧物进入熔硅，它们比重小，浮于熔硅上部，使得生长的单晶氧含量头部高，单晶在以后生长中，虽然硅和石英坩埚继续反应生成硅氧物进入熔硅，但由于温度较低反应缓慢，而且由于晶体和坩埚转动搅拌熔体中氧蒸发作用增强，使单晶尾部氧含量降低。另外由于目前都是测量硅中的间隙氧，不是全部氧，因此也会出现差异。总之，氧在硅单晶中行为复杂，一些现象还不甚清楚。目前对硅单晶中氧的作用认为既有害，也有利。氧在硅单晶中形成氧沉淀，产生微缺陷和氧条纹，影响单晶质量也可以利用硅单晶含氧高的特点制造某些大规模集成电路，化害为利。
什么是单晶硅 单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。 在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。 单晶硅产品包括φ3”----φ6”单晶硅圆形棒、片及方形棒、片，适合各种半导体、电子类产品的生产需要，其产品质量经过当前世界上最先进的检测仪器进行检验，达到世界先进水平。 相对多晶硅是在单籽晶为生长核，生长的而得的。单晶硅原子以三维空间模式周期形成的长程有序的晶体。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片 加工工艺： 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长 （１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 （２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（１４２０℃）以上，将多晶硅原料熔化。 （３）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（４－６ｍｍ）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 （４）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 （５）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。 （６）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力
直拉硅单晶生长的现状与发展 摘要：综述了制造集成电路（IC）用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术，硅片中缺陷的控制与利用（缺陷工程），大直径硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片与SOI片，太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟，硅熔体与物性研究等进行了论述。 关键词：直拉硅单晶；扩散控制；等效微重力；空洞型缺陷；光电子转换效率；硅熔体结构 前言 20世纪中叶晶体管、集成电路（IC）、半导体激光器的问世，导致了电子技术、光电子技术的革命，产生了半导体微电子学和半导体光电子学，使得计算机、通讯技术等发生了根本改变，有力地推动了当代信息（IT）产业的发展．应该强调的是这些重大变革都是以半导体硅材料的技术突破为基础的。2003年全世界多晶硅的消耗，达到了19 000 t，但作为一种功能材料，其性能应该是各向异性的．因此半导体硅大都应该制备成硅单晶，并加工成硅抛光片，方可制造I C 器件。 半导体硅片质量的提高，主要是瞄准集成电路制造的需要而进行的。1956年美国仙童公司的“CordonMoore”提出，IC芯片上晶体管的数目每隔18~24个月就要增加一倍，称作“摩尔”定律。30多年来事实证明，IC芯片特征尺寸（光刻线宽）不断缩小，微电子技术一直遵循“摩尔定律”发展。目前，0.25 μm、0.18μm线宽已进入产业化生产。这就意味着IC的集成度已达到108~109量级，可用于制造256MB的DRAM和速度达到1 000MHE的微处理芯片。目前正在研究开发0.12 μm到0.04μm的MOS器件，预计到2030年，将达到0.035μm 水平。微电子芯片技术将从目前器件级，发展到系统级，将一个系统功能集成在单个芯片上，实现片上系统（SOC）。 这样对半导体硅片的高纯度、高完整性、高均匀性以及硅片加工几何尺寸的精度、抛光片的颗粒数和金属杂质的沾污等，提出了愈来愈高的要求。 在IC芯片特征尺寸不断缩小的同时，芯片的几何尺寸却是增加的。为了减少周边损失以降低成本，硅片应向大直径发展。在人工晶体生长中，目前硅单晶尺寸最大。 当代直拉硅单晶正在向着高纯度、高完整性、高均匀性（三高）和大直径（一大）发展。 磁场直拉硅技术 硅单晶向大直径发展，投料量急剧增加。生长φ6″、φ8″、φ12″、φ16″硅单晶，相应的投料量应为60 kg、150 kg、300 kg、500 kg。大熔体严重的热对流，不但影响晶体质量，甚至会破坏单晶生长。热对流驱动力的大小，可用无量纲Raylieh数表征：
石材产品生产工艺流程 一、平板： 1、大理石平板： 大理石拉锯荒料切割——（背网）——（粗磨）——（正面刮胶）——磨光（酸洗、喷砂、荔枝面等）——切边——排版（补胶）——再加工——检验——防护——包装 2、大理石复合板： 大理石拉锯荒料切割——面板、底板切边(标准规格、厚度20毫米以下的加余量8毫米、多规格及厚度超过20的加余量15毫米)——粘接——对剖——定厚（粗磨）——正面刮胶——磨光（酸洗、喷砂、荔枝面等）——切边（标准规格、厚度20毫米以下的双刀切，多规格及厚度超过20的单刀切）——排版（补胶）——再加工——检验——防护——包装 3、大理石薄板（非标准规格）： 大理石拉锯荒料切割——双面背网——对剖——定厚（粗磨）——正面刮胶——手扶磨磨光——切边——排版（补胶）——再加工——检验——防护——包装 4、大理石薄板（标准规格）： 圆盘锯荒料切割——双面背网——对剖——定厚（粗磨）——正面刮胶——流水线生产——检验——防护——包装 5、花岗岩平板： 圆盘锯（砂锯）荒料切割——磨光（火烧、斧剁、荔枝面、喷砂等）——切边——排版——再加工——检验——防护——包装 6、花岗岩薄板（非标准规格）： 圆盘锯荒料切割——定厚——手扶磨磨光——切边——再加工——检验——防护——包装 7、花岗岩薄板（标准规格）： 圆盘锯荒料切割——流水线生产——检验——防护——包装 8、平板再加工： （1）背倒（按照一定的角度和尺寸在石材的背面沿边切割）—
—由切边机执行即可。 （2）正倒（按照一定的角度和尺寸在石材的正面沿边切割）——5*5以上的由切边机执行、手加工拼接，5*5及以下的由手加工执行，需要磨光的由手加工执行。 （3）正开槽（按照一定的深度和宽度在石材的正面沿边或以一定角度切割U型、V型或半圆槽）——切边机执行，手加工打平拼接，需要磨光的由手加工执行。 （4）背开槽（按照一定的深度和宽度在石材的背面沿边切割）——切边机执行，需要磨光的由手加工执行。 （5）侧边磨光（对板的侧边进行磨光）——同规格有多片的可由手扶磨夹在一起磨光，规格较杂的由手加工执行。 （6）切角（按照一定角度，在板的正面进行切割，使板面成特定的几何形状）——直线形状由切边机执行，如果有曲线边则由手加工或水刀执行。 （7）开孔（在板面开各种几何形状的孔）——根据需要可分别通过钻床、水刀或手加工完成。 （8）粘边（为使板边厚度复合特殊要求，而在板的正面或背面沿边粘贴长条型板材）——手加工执行 （9）半圆边、1/4圆边、鸭嘴边、法国边等（按照客户特殊要求在板边加工特定形状，增强装饰效果）——特定造型磨轮加工——手加工打平、拼接、磨光 （10）拼花（用多种颜色的石材拼成一定的平面图案）——水刀切割——手加工拼装、粘接——手扶磨重磨光 二、弧板： 1、花岗岩弧板： 桶锯或绳锯加工毛胚——（定厚）——手持磨机磨光（斧剁、火烧、喷砂等）——切边机切边——排版——再加工——检验——防护——包装 2、大理石弧板： 桶锯或绳锯加工毛胚——（定厚）——正面刮胶——手持磨机磨
单晶硅太阳能电池 1.基本结构 2.太阳能电池片的化学清洗工艺 切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类： 1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒。 3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类：（1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。（2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。
1、用 H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。 由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH 的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除；同时溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。 另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 3.太阳能电池片制作工艺流程图 具体的制作工艺说明 （1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 （2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将 硅片表面切割损伤层除去30－50um。 （3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备 绒面。 （4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行 扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。
仪晶评丌实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量系统 李光乎李静王良汝琼娜何秀坤 （信息产业部电子第四十六研究所天津５５信箱３００１９２） 武惠忠杨学军 （北京第二光学仪器厂北京１０００１５） 摘要实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量分析软件是ＷＱＦ系列傅立叶变换红外光谱仪的中 文显示专用软件，主要用于硅单晶（直拉硅、区熔硅）中氧、碳含量测量。 关键词硅中氧碳合量自动测量傅里叶变换红外光谱 １引言 红外吸收法测定硅单晶中氧、碳含量是一种快速、无损的测试方法。测量标准对样品厚度和样品表面有严格的规定，以保证测量的准确性。标准中规定对于测氧，区熔硅单晶厚度为５～ｌＯｍｍ，直拉硅单晶厚度为２ｍｍ；对于测量碳，硅单晶厚度均为２ｍｍ；样品表面必须是双面抛光。这样，一方面造成材料的浪费，～方面测量条件必须严格满足才能保证测量的准确性，使实际材料工艺生产过程的氧、碳含量在线检测复杂化，影响测量数据快速地反馈给生产。 本文论述的硅单晶中氧、碳含量自动测量系统在Ｗｉｎ９８环境下运行，界面直观、操作简单，中文显示，测量硅中氧、碳含量只需约４分钟，而且，试样只要求经双面研磨／单面抛光即可，厚度范围为１。５～３．５ｍｍ。本测量系统在常温下测硅中氧、碳含量精度为±２０％。 ２测量系统组成 ２．１硬件 ２．１．１ＷＯＦ－—４１０型ＦＴｍ仪器一台 ２．１．２ＰＩＩＩ微机一台 ２．２测量系统软件 ２．２．１主菜单 共有６个功能模块：文件模块、设置模块、显示模块、工具模块、输出模块、帮助模块，主菜单示意图如图ｌ所示： （１）文件模块：该模块实现对文件的管理功能，主要有５项功能：新建、打开、复制、删除、退出。在该项模块的窗口中，用户可以看到测量样品的综合信息（样品名称、规格型号、样品厚度、测量单位名称、测量日期、硅单晶中氧、碳含量测量结果、样品的测量光谱图）。 图１主菜单示意图 （２）设置模块：该项模块实现对测量条件的设置功能，主要有４项功能：一个样品、多个样品、氧、碳含量测量模式选择、系统参数设置。在该项模块的窗口中，用户可通过计算机来控制仪器的状态，设置好测量前的各项实验条件，进行一个样品或多个样品的同时测量。 （３）显示模块：该项模块实现显示测量样品的光谱和仪器当前的状态，主要有４项功能：谱线窗口显示选择、背景、光谱文件浏览、仪器参数。用户在该模块窗口中，通过选择存储的样品光谱文件来显示所有的测量谱图，还可以显示出仪器当前状态下的测量参数供用户监控仪器。 （４）工具模块：该模块有５项功能：数据转换、测量背景、测量参样吸光度、测量样品吸光度、 ３７ 万方数据
石材技术标准要求 采用30mm 厚国产优质樱花红花岗岩。 1、质量要求：石材来自单一的采石厂，同一颜色石材应采用同一矿脉的石板，质量应保证坚固耐用，无损害强度和明显外观缺陷。板材的色调、花纹应保证和谐统一，正面外观不允许出现坑窝、划痕、缺棱缺角、裂纹等缺陷。规格、允许误差、外观质量、物理性能及检测规则均按行业标准JC205-92 中有关规定执行。 2、物理性能： 体积密度不小于2.5g/cm3 二氧化硅含量不小于75% 吸水率不大于0.6% 弯曲强度不小于8.0Mpa 抗冻系数不小于0.8 石材的技术要求应符合《天然花岗石建筑板材》（GB/T18601－2001）规定中优等品标准。石材中所含的放射性核素限量必须符合现行国家标准《建筑材料放射性核素限量》GB6566－2001）中的B 类装修材料的规定。 3、石材加工符合下列要求： 对石材几何尺寸的加工误差规定为： 1）长度和高度加工偏差±0.8mm。 2）石材板平面度不得超过0.8mm。 4）对角线误差±1.5mm。 5）石板厚度误差±1mm。 6）规范规定偏差表
4、投标人应提供国家法定检测部门出具的有效期内的材料性能检测报告复印件加盖投标人单位公章。投标人中标后在供货期按国家标准进行产品抽样复试，检测费自行综合考虑。 5、加工要求：石材加工必须采用进口设备和锯片，表面磨光次数必须达到优等石材设计要求。 6、石材封样技术要求： 1）石材矿料必须满足指定的石材封样要求。 2）要求（投标人中标后）供货前进行排版选样以控制石材色差，具体控制石材色差方法由投标人自行选择并在技术标书中详述，作为技术标的重要评标内容。3）要求投标人（投标人中标后）在供货前备选石材与参照石材对比，对比后备选石材与参照石材同底色、同花纹、同规格尺寸才可以送到工地。 4）投标人在投标过程中须按以下尺寸、数量提供三种不同颜色的石材作为备选，样品费用自行综合考虑或自行承担。
单晶硅电磁片生产工艺流程 ?1、硅片切割，材料准备： ?工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。 ?2、去除损伤层： ?硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。 ? ? 3、制绒： ?制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。 ? 4、扩散制结：
?扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 ? 5、边缘刻蚀、清洗： ?扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。 目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。 扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 ? 6、沉积减反射层： ?沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN 作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。 ? 7、丝网印刷上下电极： ?电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电
. 单晶硅太阳能电池/DSSC/PERC技术 2015-10-20
单晶硅太阳能电池
2.太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类： 1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2 μm颗粒. 3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类：（1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。（2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 1、用H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面 2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被
排除；同时溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 具体的制作工艺说明（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。（6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD 法或喷涂法等。（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。 生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、
大直径直拉单晶技术 摘要：随着国内大直径直拉单晶技术的发展，一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题，对大直径单晶生长的负面影响日渐显现。大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求。本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面，提出了改进方案，以提高大直径单晶生长的成晶率和内在品质。 关键字：直拉法；大直径单晶；真空稳定性；气流控制 1 引言 半导体技术的日新月异促使了硅单晶生长技术向大直径方向发展。目前，国内大直径直拉单晶制造的规模化生产刚刚起步，许多技术尚处在摸索阶段。生长无位错的大直径单晶，要求其生长环境有很高的稳定性。这使得一些破坏单晶生长稳定性的因素，在原先小直径单晶生长中影响不大，但是对大直径单晶生长的负面影响却日渐显现。 在直拉单晶生长过程中，炉体内的气体气流由上至下贯穿单晶生长的区域，及时地带走由于高温而产生出来的硅氧化物和杂质挥发物。因此，维持单晶炉体内真空值的稳定性，不受外界因素的影响，同时使保护气体有合理的气流走向，迅速带走杂质，已经成为目前半导体材料制造行业领域改进设备，提高成晶率的重要课题。 2 真空度的稳定性控制 高纯氩气从单晶炉顶部注入，底部由真空泵将气体抽出，炉内的真空值保持动态平衡（一般在20Torr左右）。但由于种种外界因素的影响，这个平衡往往会受到破坏，使真空值在较大幅度内变化，特别在大直径单晶生长中的影响尤为明显。 2.1 影响真空度不稳定的因素 其一，一般设备中，氩气的进气流量是由转子流量计控制的。转子流量计是通过改变通气孔径的大小来控制气体的流量。它的缺点就是气流量势必随着进气口压力的改变而改变。实际生产中，气源压力不可避免地会受到环境温度和贮罐内氩气存量的影响。 其二，真空泵是抽真空的动力设备。在拉晶过程中，由于炉内高温而挥发出来的杂质和硅氧化物会被吸收到真空泵油中，与泵油混合在一起。随着工作时间的增长，真空泵油的粘稠度会不断增大，导致抽真空的效率降低。到一定程度，真空泵必须定期更换泵油。另外，真空泵油的温度也是影响抽真空效率的因素。 2.2 改进方案 针对上面提出的两个问题，首先从氩气进气系统入手，为了保证进气速度恒定，我们用质量流量控制器（MFC）代替转子流量计。质量流量控制器能精确地测量和控制气体的流量，它的测量技术是基于美国一个专利（美国专利号NOS.4464932、4679585）。质量流量控制器检测的是气体的“质量流”，它只受气体自身三个特性的影响（热容量、密度、分子结构），对于某种确定的气体，上面三个参数都是确定的。因此，MFC的测量精度不受气体的温度、压力等外在因素的影响，能在20～200SLPM的范围内达到高于1.0%的控制精度，响应时间小于2s。 其次，考虑真空抽速的控制。我们在单晶炉与真空泵的管道上增加了步进蝶阀。采用步进蝶阀目的是通过改变抽气通道的孔径来调节真空抽速。这是一个闭环的控制系统，由数字真空表实时检出炉内的真空压力，把该真空值与设定真空值比较，当炉内真空值偏高，就逐渐开大步进蝶阀，提高抽气速度，降低真空值至设定点。反之，若炉内真空值偏低，则关小步进蝶阀，减小抽气速度。采用这样闭环系统，可以使单晶炉内真空值相当稳定，避免外界因素的干扰。 3 气流的优化控制
WQF-520型FTIR硅中氧、碳含量 测量分析系统 使用说明书 信息部电子第四十六所
WQF-520型FTIR硅中氧、碳含量测量分析系统使用说明书 一、仪器的规格与性能（由北京瑞利分析仪器公司提供） 1.1、波数范围7000cm-1～400cm-1 1.2、分辩率1.0 cm-1 1.3、波数准确度优于所设分辨率的1/2 1.4、透过率重复性0.5%T 二、测量条件 2.1、样品 2.1.1、试样 经双面研磨/单面抛光/双面抛光（机械/化学抛光）硅晶片均可。一般测量时，试样需用金刚砂305#粗磨和303#细磨，以致双面平行，表面无划痕，并且试样在1300 cm-1～900 cm-1范围内基线透过率不低于20%。 要求试样在室温下电阻率＞0.1Ω.cm,试样的厚度范围为2.00mm—3.00mm。 2.1.2、参样 参样的厚度约为2.00mm，双面抛光呈镜面，并且参样中的氧、碳含量均小于1×1016cm-3。 2.2、测量精密度及检测下限 2.2.1、本方法在常温下测碳含量精密度为±20%，检测下限为1.0×1016 cm-3。对于低碳含量样品,多个实验室测量碳含量精密度，按照“硅中代位碳含量的红外吸收测量方法”国家标准(GB/T 1558-1997)为： +0.6*1016 SSD=0.134 N C 式中：SSD—试样的标准偏差，cm-3； —碳含量，cm-3 。 N C 2.2.2、本方法在常温下测氧含量分两种情况： (1) CZ-Si(直拉硅)中氧含量精密度为±10%。 (2) FZ-Si（区熔硅）中氧含量精密度为±20%，检测下限为1×1016 cm-3。符合“硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法”国家标准(GB/T 1557-89)的要求。 三、测量系统组成 3.1、硬件 3.1.1、正常运行的WQF-520型FTIR仪器一台。 3.1.2、通用微型计算机一台。 3.2、软件 测量分析软件光盘1张。 四、测量系统软件的功能介绍 4.1、主界面 进入Win窗口，点中窗口中的快捷方式“硅中氧、碳含量测量分析”图标，双击鼠标左键，启动自动测量系统，进入主界面(见图1)。
石材加工厂车间管理制度 第一章总则 一、为了使员工对本厂简况、工作要求，奖罚制度等规定的了解，在工作中能认真执行，以维护生产经营、工作、生活的正常秩序，保证员工的合法权益，特制订本制度。 二、制订本制度的指导思想：以生产经营为中心，坚持把加强思想政治工作与必要的行政手段、经济手段结合起来，培养和造就一支有理想、有道德、有文化、有纪律的员工队伍，充分发挥他们的积极性和创造性，保证企业奋斗目标的实现。 三、本制度仅适用本厂全体员工。 第二章员工的权利和义务 一、员工必须热爱社会主义祖国，自觉遵守国家的政策、法规、法令 二、员工必须爱本厂如爱家的意识，树立“我为公司，公司为我”的企业文化理念，关心和维护国家和企业的公共利益忠于职守、快乐节奏、高质量地出色完成各项工作任务。 三、员工必须遵守本厂制订的各项规章制度,对规章制度不同意见的建议，可以在执行制度的执行制度的指令的前提下，向有关部门直至厂长提出。 四、员工对企业工作的企业管理人员的工作有进行评议和提出批评、建议的权利，对管理人员的违法违章和失职行为有申诉、控告或检举的权利。 五、员工可按本厂制度，享受劳动、工资、福利等各项权利的待遇。 第三章劳动合同 一、本厂实行劳动合同制度，凡本厂员工均应签订劳动合同。 二、劳动合同由厂长与员工本人签订，员工应仔细阅读和了解劳动合同文件内容，同意后方可签字。劳动合同一经签订即产生法律效率。 三、新员工招聘，按招聘岗位的基本要求，坚持全面考核，择优采用，并执行3-6个月的试用期。试用期内发现不符合用工条件，可即时辞退 四、员工要求辞退或企业解聘员工，除违规违纪、违法原因可即时辞退外，其余，均应提前一个月通知对方，并不折不扣地办好档案、财物、技术资料等的清理交接工作。 五、劳动合同期满，企业生产经营需要，员工本人同意，可以续签劳动合同。 六、家居外地员工，签订劳动合同时，应出具“身份证”“外来人员务工”“和"计划生育证明”。第四章工作纪律 一、员工应自觉遵守劳动纪律，按时上下班，不准旷工、迟到、早退、工作时间不准擅自离开岗位和做与工作无关的事。 二、员工应无条件听从工作分配、调度的指挥。
直拉单晶工艺常识 硅的固态密度：2.33克/㎝，液态密度2.54克/㎝，呈灰色金属光泽，性质较脆，切割时易断裂，比重较小，硬度较大，属于非金属，是极为重要的半导体元素，液态时其表面张力较大，从液态到固态时体积膨胀较多。 氧在硅晶体中的分布是不均匀的，一般头部含量高，尾部含量低，晶体中心部位含量高，边缘含量低。 碳在晶体中的分布是中心部位低，边缘部位高。 电阻率：单位面积材料对于两平行平面垂直通过电流的阻力， 晶向：一簇晶列的取向。 母合金：生产上常常将掺杂纯元素“稀释”成硅熔体叫做母合金。 偏度：晶体自然中轴线与晶向之间的夹角度数。 空穴：半导体价带结构中一种流动的空位，其作用就像一具具有正效质量的正电子荷一样。 迁移率：载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。 载流子：固体中一种能传输电荷的载体，又称电载流。
少数载流子寿命：在光电作用下，非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间。 杂质分凝：在结晶过程中，由于杂质偏析，出现杂质分配现象叫杂质分凝。 扩散：物质内部热运动导致原子或分子迁移的过程。 热对流：液体或气体流过固体表面时，由于固体对液体或气体分子有吸附与摩擦作用，于是从固态表面带发挥或给于固体以热，这种传递热的方式叫热对流。 热应力：是压缩力，也可以叫拉伸力，要看液体中心部位对边缘部分的相对收缩或膨胀而定，大小取决于晶体的温场分布。 温度梯度：只温度在某方向的变化率用DT/DR表示，指某点的温度T在R方向的变化率，在一定距离内某方向的温度相差越大，单位距离内温度变化越大，温度梯度也越大，反之越小。 对石英坩埚的质量要求：1.外观检查：无损伤，无裂纹，无明显划痕，无气泡，无杂质点，100%透明；2.耐高温：在1600℃下经16小时后不变形，不失透，经1500℃硅液作用下无白点；3.纯度：sio 299.99%-99.999%，其中硼含量小于10ppm；4.直径公差±1.5mm；5.高度公差±1mm。
单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺 单晶硅原子以三维空间模式周期形成的长程有序的晶体。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。 加工工艺： 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长（１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 （２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（１４２０℃）以上，将多晶硅原料熔化。 （３）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（４－６ｍｍ）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 （４）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 （５）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。 （６）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片 加工流程： 单晶生长—→切断—→外径滚磨—→平边或Ｖ型槽处理—→切片 倒角—→研磨腐蚀—→抛光—→清洗—→包装