场效应管参数符号意义
T a---环境温度C du---漏-衬底电容
T c---管壳温度C gd---栅-源电容
T j---结温C ds---漏-源电容
T jm---最大允许结温C iss---栅短路共源输入电容
T stg---贮成温度C oss---栅短路共源输出电容
V DSS---漏源击穿电压C rss---栅短路共源反向传输电容
I D(I D25---漏极电流(T c=25℃,直流di/dt---电流上升率(外电路参数R DS(on---通态漏源电阻dv/dt---电压上升率(外电路参数
P D---漏极耗散功率I DQ---静态漏极电流(射频功率管
t rr---反向恢复时间I DSM---最大漏源电流
V(BRGSS---漏源短路时栅源击穿电压I DSS---栅-源短路时,漏极电流V GSF--正向栅源电压(直流I DS(sat---沟道饱和电流(漏源饱和电流V GSR---反向栅源电压(直流I G---栅极电流(直流
V GS(th---开启电压或阀电压I GDO---源极开路时,截止栅电流
C gs---漏-源电容I GSO---漏极开路时,截止栅电流
I DM---漏极脉冲电流I GSS---漏极短路时截止栅电流
V DS---漏源电压(直流I DSS1---对管第一管漏源饱和电流
V GS---栅源电压(直流I DSS2---对管第二管漏源饱和电流
P DM---漏极最大允许耗散功率I u---衬底电流
I D(on---通态漏极电流I pr---电流脉冲峰值(外电路参数
t on---开通时间,T on=T d(on+T r g fs---正向跨导
t d(on---开通延迟时间G p---功率增益
t r---上升时间G ps---共源极中和高频功率增益
t off---关断时间,T off=T d(off+T f G pG---共栅极中和高频功率增益
t d(off---关断延迟时间G PD---共漏极中和高频功率增益
t f---下降时间g gd---栅漏电导
I GM---栅极脉冲电流g ds---漏源电导
I GP---栅极峰值电流K---失调电压温度系数
I F---二极管正向电流K u---传输系数
R DS(on---漏源通态电阻L---负载电感(外电路参数
R DS(of---漏源断态电阻L D---漏极电感
R(thjc---结壳热阻L s---源极电感
R(thja---结环热阻R GD---栅漏电阻
V DD---漏极(直流电源电压(外电路参数R GS---栅源电阻
V GG---栅极(直流电源电压(外电路参数R g---栅极外接电阻(外电路参数V ss---源极(直流电源电压(外电路参数R L---负载电阻(外电路参数
V DS(on---漏源通态电压P IN--输入功率
V GD---栅漏电压(直流P OUT---输出功率
D---占空比(占空系数,外电路参数V su---源衬底电压(直流
P PK---脉冲功率峰值(外电路参数V Du---漏衬底电压(直流
I DS---漏源电流V Gu---栅衬底电压(直流
I GF---正向栅电流Z o---驱动源内阻
I GR---反向栅电流η---漏极效率(射频功率管
V DS(sat---漏源饱和电压V n---噪声电压
T L---晶格温度(Lattice temp/或指下限温度与T H相对a ID---漏极电流温度系数
T e---电子温度(Electron tempT e=T L a rds---漏源电阻温度系数
I AR(I A---雪崩电流(Avalanche CurrentE AR---重复雪崩电压(Repetitive Avalanche Energy
半导体二极管参数符号及其意义
T a---环境温度
T c---壳温
T j(T VJ---结温
T jM(T VJM---最高结温
T stg---温度补偿二极管的贮成温度
V RRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压
I F(AV---正向平均电流
I F---正向直流电流(正向测试电流。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
t rr---反向恢复时间
P d(P tot---总耗散功率
V F---正向压降(正向直流电压
I RM---反向峰值电流
I FRM---正向重复峰值电流
P M---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
I FM(IM---正向峰值电流(正向最大电流。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限
电流。
I F(ov---正向过载电流
I FMP---正向脉冲电流
I FSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流
I RRM---反向重复峰值电流
V(BR---击穿电压
V F(AV---正向平均电压
V RM---反向峰值电压(最高测试电压
V RWM---反向工作峰值电压
V R---反向工作电压(反向直流电压
V s---通向电压(信号电压或稳流管稳定电流电压
V z---稳定电压
f---频率
I i--- 发光二极管起辉电流
I P---峰点电流
I R(AV---反向平均电流
I R(In---反向直流电流(反向漏电流。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加
反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
P K---最大开关功率
P MP---最大漏过脉冲功率
P MS---最大承受脉冲功率
P omax---最大输出功率
P o---输出功率
R(thja----结到环境的热阻
R(thjc---结到壳的热阻
r(th---瞬态电阻
R th----热阻
t d---延迟时间
t fr---正向恢复时间
t f---下降时间
t gt---门极控制极开通时间
t g---电路换向关断时间
t off---关断时间
t on---开通时间
t r---上升时间
V c---整流输入电压
V
---断态重复峰值电压
DRM
a v---电压温度系数
a---温度系数
I GD---晶闸管控制极不触发电流I GT---晶闸管控制极触发电流
i
---反向恢复电流
r
i R---反向总瞬时电流
I s---稳流二极管稳定电流
P FT(AV---正向导通平均耗散功率
P FTM---正向峰值耗散功率
P FT---正向导通总瞬时耗散功率
P R---反向浪涌功率
R s(rs----串联电阻
t s---存储时间
V op---工作电压
V p---峰点电压
I H---恒定电流、维持电流。
V th---阀电压(门限电压
C s---管壳电容或封装电容
C TV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比C T---势垒电容
C t---总电容
I o---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
△λ---光谱半宽度
△V F---正向压降差
△V z---稳压范围电压增量
C jo/C jn---结电容变化
C jo---零偏压结电容
C jv---偏压结电容
C j---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容C o---零偏压电容
C TC---电容温度系数
C vn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
I B2---单结晶体管中的基极调制电流
I CM---最大输出平均电流
I DR---晶闸管断态平均重复电流
I D---暗电流
I EB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
I EB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
I EM---发射极峰值电流
i F---正向总瞬时电流
I GFM---控制极正向峰值电流
I L---光电流或稳流二极管极限电流
I OM---最大正向(整流电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
I op---工作电流
I rp---反向恢复电流
I RR---晶闸管反向重复平均电流
I RSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流
I V---谷点电流
I zk---稳压管膝点电流
I ZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
I
---稳压二极管浪涌电流
ZSM
I z---稳定电压电流(反向测试电流。测试反向电参数时,给定的反向电流
n---电容变化指数;电容比
P B---承受脉冲烧毁功率
P C---控制极平均功率或集电极耗散功率
P GM---门极峰值功率
P G---门极平均功率
P i---输入功率
P sc---连续输出功率
P SM---不重复浪涌功率
P ZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值(品质因素
r δ---衰减电阻
R BB---双基极晶体管的基极间电阻
R E---射频电阻
R F(r---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I 称微分电阻
R L---负载电阻
R z(ru---动态电阻
V v---谷点电压
V B2B1---基极间电压
V BE10---发射极与第一基极反向电压
V B---反向峰值击穿电压
V EB---饱和压降
V FM---最大正向压降(正向峰值电压V GD---门极不触发电压
V GFM---门极正向峰值电压
V GRM---门极反向峰值电压
V GT---门极触发电压
V k---膝点电压(稳流二极管
VL ---极限电压
V n---中心电压
V OM---最大输出平均电压
V o---交流输入电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长
双极型晶体管参数符号及其意义
T a---环境温度
T
---管壳温度
c
T j---结温
t stg---温度补偿二极管的贮成温度
V CEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
I CM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
P
(P tot---总耗散功率
d
t rr---反向恢复时间
h FE---共发射极静态电流放大系数
t s---存贮时间
f T---特征频率
I CMP---集电极最大允许脉冲电流
P CM---集电极最大允许耗散功率
P c---集电极耗散功率
P o---输出功率
t d---延迟时间
t fr---正向恢复时间
t f---下降时间
t gt---门极控制极开通时间
t off---关断时间
t on---开通时间
t r---上升时间
T s---结温
V cc---集电极(直流电源电压(外电路参数
V EE---发射极(直流电源电压(外电路参数
av---电压温度系数
a---温度系数
B V cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压BV cbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压BV ceo---基极开路,CE结击穿电压
BV ces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BV ebo--- 集电极开路EB结击穿电压
C cb---集电极与基极间电容
C ce---发射极接地输出电容
C c---集电极电容
C ib---共基极输入电容
C ic---集电结势垒电容
C ieo---共发射极开路输入电容
C ies---共发射极短路输入电容
C ie---共发射极输入电容
C i---输入电容
C jo/C jn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容CL---负载电容(外电路参数
Cn---中和电容（外电路参数） Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Coe---共发射极输出电容 Co---零偏压电容 Co---输出电容 Cp---并联电容（外电路参数） Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容 CTC---电容温度系数 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct---总电容 Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 D---占空比 ESB---二次击穿能量 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC---正向自动控制电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发
射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE 为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM---最大输出平均电流 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR---晶闸管断态平均重复电流 ID---暗电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 IEM---发射极峰值电流 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（AV）---正向平均电流 IF(ov---正向过载电流 IFM（IM）---正向峰值电流(正向最大电流。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
a m e n s o 电气图纸中敷设方式符号表示大全 在电气图纸中一些用英文符号表示的线管敷设方式的符号含义。 一、导线穿管表示 SC-焊接钢管 MT-电线管 PC-PVC 塑料硬管 FPC-阻燃塑料硬管 CT-桥架 MR-金属线槽 M-钢索 CP-金属软管 PR-塑料线槽
a t e d t h RC-镀锌钢管 二、导线敷设方式表示 DB-直埋 TC-电缆沟 BC-暗敷在梁内 CLC-暗敷在柱内 WC-暗敷在墙内 CE-沿天棚顶敷设 CC-暗敷在天棚顶内 SCE-吊顶内敷设 F-地板及地坪下 SR-沿钢索
a i m a n BE-沿屋架，梁 WE-沿墙明敷 三、灯具安装方式的表示 CS-链吊 DS-管吊 W-墙壁安装 C-吸顶 R-嵌入 S-支架 CL-柱上 沿钢线槽：SR 沿屋架或跨屋架：BE 沿柱或跨柱：CLE
i m a n A l l 穿焊接钢管敷设：SC 穿电线管敷设：MT 穿硬塑料管敷设：PC 穿阻燃半硬聚氯乙烯管敷设：FPC 电缆桥架敷设：CT 金属线槽敷设：MR 塑料线槽敷设：PR 用钢索敷设：M 穿聚氯乙烯塑料波纹电线管敷设：KPC 穿金属软管敷设：CP 直接埋设：DB
m n d l l 电缆沟敷设：TC 导线敷设部位的标注 沿或跨梁（屋架）敷设：AB 暗敷在梁内：BC 沿或跨柱敷设：AC 暗敷设在柱内：CLC 沿墙面敷设：WS 暗敷设在墙内：WC 沿天棚或顶板面敷设：CE 暗敷设在屋面或顶板内：CC 吊顶内敷设：SCE 地板或地面下敷设：FC a
t e a d t h g s e i n a r o d HSM8-63C/3P DTQ30-32/2P 这两个应该是两种塑壳断路器的型号， HSM8-63C/3P 适用于照明回路中，为3极开关，额定电流为63A （3联开关） DTQ30-32/2P 也是塑壳断路器的一种，额定电流32A ，2极开关 其他那些符号都是关于导线穿管和敷设方式的一些表示方法，你对照着查一下。 四、型号的含义 R －连接用软电缆（电线），软结构。 V －绝缘聚氯乙烯。 V －聚氯乙烯绝缘V －聚氯乙烯护套 B －平型（扁形）。 S －双绞型。A －镀锡或镀银。 F －耐高温
表情符号大全 ?new news?new news? ???????????● ?●?????????????????♂♀????????⊙◎?????????????????????◇?????の★☆→あぃ￡Ю〓§???¤????????≈???.. ..????? ???????? ~.~??-????【】┱┲?????????????????????????????????★☆??⊙????????╬『』∴? .??????????☆∷﹌の★◎??????
??????↘??▄█▌????????????????の☆→ ?ぃ￡?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????*????????????????????????o(?\'\'\'?)o?べò????????????べ?????????：基本符号?.1 ⊙●○①⊕◎Θ⊙¤㊣★☆♀◆◇◣◢◥▲▼△▽⊿◤◥?.2▆▇█ █ ■ ▓ 回□ 〓≡ ╝╚╔
╗╬ ═ ╓ ╩ ┠┨┯┷┏?.3┓┗┛┳⊥『』┌ ┐└ ┘∟「」↑↓→←↘↙♀♂┇┅﹉﹊﹍﹎╭?.4╮╰╯*^_^* ^*^ ^-^ ^_^ ^（^ ∵∴‖｜｜︴﹏﹋﹌（）〔〕?.5【】〖〗＠：！/ " _ < > `,·。≈{}~ ～() _ -『』√ $ @ * & # ※?.6卐々∞Ψ ∪∩∈∏ の℡ぁ§∮”〃ミ灬ξ№∑⌒ξζω＊?.7．·°∴☆．．·°?Yesterday ?．·°?.8?KicaZ宝贝o(╥﹏╥)o ??じ☆ve 【??????】*°^_^.......???.9 ┢┦aΡpy ?^_^??????ぜ长ヤ乷?????Cool Friends??????.10【】—一▄【┻┳═一▄【┳一▄【┻═┳一▄【┳-一?.11 ▄【┻═
电路图中符号的含义AAT 电源自动投入装置 AC 交流电 DC 直流电 FU 熔断器 G 发电机 M 电动机 HG 绿灯 HR 红灯 HW 白灯 HP 光字牌 K 继电器 KA(NZ) 电流继电器(负序零序) KD 差动继电器 KF 闪光继电器 KH 热继电器 KM 中间继电器 KOF 出口中间继电器 KS 信号继电器 KT 时间继电器 KV(NZ) 电压继电器(负序零序) KP 极化继电器
KI 阻抗继电器 KW(NZ) 功率方向继电器(负序零序) KM 接触器 KA 瞬时继电器；瞬时有或无继电器；交流继电器KV电压继电器 L 线路 QF 断路器 QS 隔离开关 T 变压器 TA 电流互感器 TV 电压互感器 W 直流母线 YC 合闸线圈 YT 跳闸线圈 PQS 有功无功视在功率 EUI 电动势电压电流 SE 实验按钮 SR 复归按钮 f 频率 Q——电路的开关器件 FU——熔断器
KM——接触器 KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器 SB——按钮开关Q——电路的开关器件 FU——熔断器 KM——接触器 KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器 SB——按钮开关 SA 转换开关 电流表PA 电压表PV 有功电度表PJ 无功电度表PJR 频率表PF 相位表PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表PPF 有功功率表PW 无功功率表PR 无功电流表PAR
声信号HA 光信号HS 指示灯HL 红色灯HR 绿色灯HG 黄色灯HY 蓝色灯HB 白色灯HW 连接片XB 插头XP 插座XS 端子板XT 电线电缆母线W 直流母线WB 插接式(馈电)母线WIB 电力分支线WP 照明分支线WL 应急照明分支线WE 电力干线WPM 照明干线WLM 应急照明干线WEM 滑触线WT
01，电气施工图中配电箱AL/PL是什么意思，为什么？ 我知道AL代表照明配电箱。PL代表动力配电箱。但为什么这么标志。而有的还标志为XM等。有没有文字符号对照表 在电气施工图中，AL表示照明配电箱；AP表示动力配电箱。 GB 7159 《电气技术中的文字符号制订通则》中，A表示组件或部件， L、P与GB 7159无关，是对A的限定，L—Light（照明）；P—Power（动力）。X表示端子、插头、插座等。XM的含义要看图纸才能确定。 动力配电箱一般不用PL表示。 AW是电表箱,AL是照明箱,ALE是应急照明箱,AP是动力配电箱. 02，电气施工图配电箱名字 ALE,AP,ALR,APES,APS,APQ,APN,APE,CZX,AL,APEZ,ALXF,ALES,ALEW,APEW,HX麻烦把这些名字说下 一般来说ALE是应急照明配电箱柜，双电源进线的；AP是动力配电箱柜，大部分时候是单电源，有时也有双电源，但不参与消防联动；AL是普通正常照明配电箱柜，单电源进线；APE是应急动力配电箱柜，双电源进线，参与消防联动； 像ALR、APS、CZX、HX等是设计在前面说的基础上按房间或者所控制设备功能的汉语拼音第一个字母简写，为了编号方便，可能就是ALR，热力的，APS,送风机的；CZX，插座箱；HX,户箱等，因为好些汉字生母一样，可以按配电箱所在位置或所控设备对照。 03,电路施工图符号意思含义 配电箱系统图中C65N-D/3P 20ALC1-D25 LR2-D13 12~18 YC-4*6 P32-FC L123/WP1 是什么意思，哪位大侠帮忙解释下，谢谢 C65N-D/3P:小型断路器，C65应该是西门子的型号，3P为3极; 20ALC1-D25：新型交流接触器 LR2-D13:热继电器 YC-4*6 P32-FC：电缆规格型号及敷设方式 L123/WP1：电力线路 注：WP1,WL1,WE1 分别为电力线路1，照明线路1，应急线路1 04,ALE在电气图中指什么设备？图形符号是什么？ 指应急照明配电箱（有双电源）。 A表示配电设备（箱、柜）； L表示用于照明类； E表示用于应急（照明）。 如AL--正常照明配电箱。
【教你如何把这些超Q的日式颜文字固化进搜狗输入法!!( *￣▽￣)((≧︶≦*) [蹭]】【转自豆瓣】 本来我不想发的因为知道的人也挺多的╮(╯▽╰)╭ 但是我好友里好几个人问我这么可爱的表情哪来的， 于是我就去找原来我分享的，结果杯具了，那人注销了==||| 所以以后碰到好东西我?定要备胎o(￣ヘ￣o* )[握拳!] 然后在豆瓣上我又发现鸟︿(￣︶￣)︿ 于是我干脆就转来了。阿门。ｍ(＿＿)ｍ 把以下内容复制 =================== aaa,3="o((>ω< ))o" aaa,2=o(≧口≦)o ai,3=╮(￣▽￣")╭ aiyo,2=(￣y▽,￣)╭哎哟哟…… ag,3=ag108lau anan,1=安安啦~~~ o(*￣▽￣*)ブ ao,3=ゞ(≧O≦)〃嗷~ ao,2=┗|｀O′|┛嗷~~ aoteman,3=(o|o) 奥特曼…… aotuman,3=(o|o) 凹凸曼…… baifo,4=(-人-) [拜佛] bai,3=ｍ(＿＿)ｍ bai,2=ゞ(￣▽￣)Bye~Bye~ huishoupa,4=(ToT)/~~~[含泪挥手帕] huishoupa,3=(@^^)/~~~[挥手帕] baituo,2=拜托啦……(^人^) baobao,5=[抱抱]━((*′ ▽｀)爻(′▽｀*))━!!! baobao,4=[抱抱]━((*′д｀)爻(′д｀*))━!!!! baobao,3=\(￣︶￣)/ 抱抱~ baobao,2=\(￣︶￣*\))抱抱~ baotou,2=▄︻┻┳═?…… ☆（>○<）
baoxiao,4=ゞ(≧▽≦*)o baoxiao,3=o(*≧▽≦)ツ baozaiwoshenshang,3=ゞ(′▽｀*)ゝ[包在我身上!] bbqiang,2=超远程BB枪！(＃￣□￣)ｏ―?‥oo━━━━━━━☆beifaxianle,2=(ˉ▽ˉ；)[呃~被发现了......] bengkui,3=o(≧口≦)o bianmi,2=o(′益`)o [便秘] bianzi,3=§(*￣▽￣*)§[辫子] biao,2=<(￣3￣)> 表！ biezou,3=______λ......___丬别走啊～～ bimao,5=(′゜c_，゜` ) [鼻毛] bingo,1=(o゜▽゜)o☆[BINGO!] bishi,3=╭∩╮(︶︿︶）╭∩╮鄙视你！ biti,4=(￣…i ￣;) biti,3=(￣ii ￣;) (￣＂￣;) bo,2=(*^ ^*)(^ *) bobo,2=(* ￣3)(ε￣*) [啵啵] bodongquan,1=真空波动拳！（｀o′）{ ···－＝≡)) bqlz,2=(◎_x) buhaoyisi,2=o(￣┰￣*)ゞ budong,3=(＠_＠;)? [不懂] bukan,2=(/▽＼) 我不看…… bumingzhenxiang,2=“不明真相的围观群众” 槑槑槑槑呆槑槑槑槑槑槑槑槑…… buqi,2=ゞ( ┬o┬)┌θθθθ(;;＿＿).o○[555~他不起来……] bushiwo,3=ㄟ( ▔, ▔)ㄏ[不是我干的] buxie,3=[不屑](￣_,￣) buyao,3=°.°·(((p(≧□≦)q)))·°.°。 buyao,2=不＞(￣ε￣= ￣3￣)<要 caishen,2=(o′┏▽┓｀o) [财神爷] canle,2=X﹏X 惨了！ cayanlei,3=(ノへ￣、)[擦眼泪……] ceng,3=( *￣▽￣)((≧︶≦*) [蹭] ceng,4=[蹭](*≧︶≦))(￣▽￣* )ゞ chaoxiao,2=q(≧▽≦q) chiyao,3=(。>︿<)_θ[吃药] chongchu,3=冲出！！___*\( ￣皿￣)/#____ chou,2=抽!!(￣ε(#￣)☆╰╮(￣▽￣///) choup,2=ゞ(′▽｀*)ゝ[包在我身上!] chouqi,3=(ノへ￣、)[抽泣] chouyan,5=（￣ c￣）y▂ξ。。。 chuai,2=<( ￣^￣)(θ(θ☆( >_< chuanqiang,3=ε=ε┣G┻F┳ε=ゝ(*￣▽￣)ノ┻W┫穿墙过去！ chukou,3=[EXIT]______λ......_____
1.线缆型号NH-RVS 2*1.5 NH-BV 2*1.5 NH-HBV 2*1.5 NH-RVS 4*1.5 NH-BVR 6*1.5 首先你需要了解这些型号中每个字母代表什么 NH是耐火的意思，汉语拼音第一个字母，R是软线，V是聚氯乙烯绝缘，S是双绞线（意思是两根导线绞合）B是固定布线用电线， 1.5就是导体部分截面积，2是2根线 具体每一根： NH-RVS 2*1.5 铜芯聚氯乙烯绝缘耐火软双绞线2*1.5平方 NH-BV 2*1.5 铜芯聚氯乙烯绝缘耐火线2*1.5平方 NH-HBV 2*1.5 铜芯聚氯乙烯绝缘耐火电话线2*1.5平方 NH-RVS 4*1.5 铜芯聚氯乙烯绝缘耐火软双绞线4*1.5平方 NH-BVR 6*1.5 铜芯聚氯乙烯绝缘耐火软线6*1.5平方 2.BV、BLV、BVVB、BVR、RV、RVS、RVV、QVR、AVVR、VV、VLV、KVV" 是什么意思? 人家问平常用的电线市面上BV,BVR,RV,RVV，不是那些大截面工程用的电缆 B系列归类属于布电线，所以开头用B，电压：300/500V V就是PVC聚氯乙烯，也就是（塑料） L就是铝芯的代码 R就是(软)的意思，要做到软，就是增加导体根数 BV铜芯聚氯乙烯绝缘电线 BLV铝芯聚氯乙烯绝缘电线 BVR铜芯聚氯乙烯绝缘软电线 以上电线结构：导体+绝缘 拿2.5mm2为例： BV是1根直径1.78mm和7根0.68两种 BLV是1根直径1.78mm BVR是19根直径0.41mm RV铜芯聚氯乙烯绝缘连接软电线 它比BVR更软，还是2.5是49根0.25mm铜丝 RVV铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套连接软电线 比RV多了一层塑料护套 另外：我们最常用的“护套线” BVVB铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套扁型电缆 就是2根BV线，在+一层白色的护套
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
电缆敷设方式与代号 线管的代号及敷设方式 一、线管的代号 根据中国建筑标准设计研究所出版的《建筑电气工程设计常用图形和文字符号》00DX001 73页规定： 1、电缆电线穿管，先计算要穿的导线总截面积（电线、电缆的外径的平方 x0.7854x电线根数）计算结果应小于或等于管·子截面的40％。一般电气设计都在电气说明书上一穿管表供参考。其它电工书或电线电缆产品介绍的册子也有表供查阅。 2、还有先算导线的总截面积，然后留出约1/3的余量，例如：0.666平方毫米 的导线，用1平方毫米管内径的穿管。 3、在什么情况下，应将电缆加上穿管保护？管子直径怎样选择？ ①、电缆引入引出建筑物，隧道处，楼板及主要墙壁； ②、引出地面两米高，地下 250mm 深； ③、电缆与地下管道交叉或接近时距离不合规定者； 1
④、电缆与道路，电车轨道和铁路交叉时； ⑤、厂区可能受到机械损伤及行人易接近的地点。 4、选择管径时，内径要比外径大 50 ％。 四、线路敷设方式代号 PVC——用阻燃塑料管敷设 DGL——用电工钢管敷设 VXG——用塑制线槽敷设 GXG——用金属线槽敷设 KRG——用可挠型塑制管敷设 五、线路明敷部位代号 LM—沿屋架或屋架下弦敷设 ZM——沿柱敷设 QM——沿墙敷设 PL——沿天棚敷设 六、线路暗敷部位代号 LA——暗设在梁内 ZA—暗设在柱内 QA—暗设在墙内 PA——暗设在屋面内或顶棚内 DA——暗设在地面或地板内 PNA—暗设在不能进入的吊顶内 七、配电线路的标注方法 a——b(c×d)e——f其中：a--回路编号 b--导线型号 c--导线根数 d--导线截面 e--敷设方式及穿管管径 f--敷设部位 1表示2根导线 2表示3根导线
MOS管主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后 ，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。 5. 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 7. 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1～3pF ·CDS约在0.1～1pF之间 8. 低频噪声系数NF ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
符号表情字符表情大全 符号表情/字符表情大全ヽ(ˋДˊ)ノ ヽ(ˋ▽ˊ)ノ °(°ˊДˋ°)° ┑(￣▽￣)┍ ┑(￣Д￣)┍ ┑(￣。。￣)┍ ╮(╯Д╰)╭ ╮(╯▽╰)╭ (≧﹏≦) (￣ε￣) 乀(ˉεˉ乀) ～(￣▽￣～)(～￣▽￣)～ (*▔＾▔*) \(▔＾▔)/ ↖(▔＾▔)↗ ㄟ(▔,▔)ㄏ \(▔▽▔)/
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AAT 电源自动投入装置 AC 交流电 DC 直流电 FU 熔断器 G 发电机 M 电动机 HG 绿灯 HR 红灯 HW 白灯 HP 光字牌 K 继电器 KA(NZ) 电流继电器(负序零序) KD 差动继电器 KF 闪光继电器 KH 热继电器
KM 中间继电器 KOF 出口中间继电器 KS 信号继电器 KT 时间继电器 KV(NZ) 电压继电器(负序零序) KP 极化继电器 KR 干簧继电器 KI 阻抗继电器 KW(NZ) 功率方向继电器(负序零序) KM 接触器 KA 瞬时继电器；瞬时有或无继电器；交流继电器 KV电压继电器 L 线路 QF 断路器
QS 隔离开关 T 变压器 TA 电流互感器 TV 电压互感器 W 直流母线 YC 合闸线圈 YT 跳闸线圈 PQS 有功无功视在功率EUI 电动势电压电流SE 实验按钮 SR 复归按钮 f 频率 Q——电路的开关器件FU——熔断器FR——热继电器
KM——接触器 KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器SB——按钮开关Q——电路的开关器件 FU——熔断器 KM——接触器 KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器SB——按钮开关 SA 转换开关 电流表PA 电压表PV
有功电度表PJ 无功电度表PJR 频率表PF 相位表PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表PPF 有功功率表PW 无功功率表PR 无功电流表PAR 声信号HA 光信号HS 指示灯HL 红色灯HR 绿色灯HG 黄色灯HY
01,电气施工图中配电箱AL/PL就是什么意思,为什么？ 我知道AL代表照明配电箱。PL代表动力配电箱。但为什么这么标志。而有的还标志为XM等。有没有文字符号对照表 在电气施工图中,AL表示照明配电箱;AP表示动力配电箱。 GB 7159 《电气技术中的文字符号制订通则》中,A表示组件或部件, L、P与GB 7159无关,就是对A的限定,L—Light(照明);P—Power(动力)。 X表示端子、插头、插座等。XM的含义要瞧图纸才能确定。 动力配电箱一般不用PL表示。 AW就是电表箱,AL就是照明箱,ALE就是应急照明箱,AP就是动力配电箱、 02,电气施工图配电箱名字 ALE,AP,ALR,APES,APS,APQ,APN,APE,CZX,AL,APEZ,ALXF,ALES,ALEW,APEW,HX麻烦把这些名字说下 一般来说ALE就是应急照明配电箱柜,双电源进线的;AP就是动力配电箱柜,大部分时候就是单电源,有时也有双电源,但不参与消防联动;AL就是普通正常照明配电箱柜,单电源进线;APE就是应急动力配电箱柜,双电源进线,参与消防联动; 像ALR、APS、CZX、HX等就是设计在前面说的基础上按房间或者所控制设备功能的汉语拼音第一个字母简写,为了编号方便,可能就就是ALR,热力的,APS,送风机的;CZX,插座箱;HX,户箱等,因为好些汉字生母一样,可以按配电箱所在位置或所控设备对照。 03,电路施工图符号意思含义 配电箱系统图中C65N-D/3P 20ALC1-D25 LR2-D13 12~18 YC-4*6 P32-FC L123/WP1 就是什么意思,哪位大侠帮忙解释下,谢谢 C65N-D/3P:小型断路器,C65应该就是西门子的型号,3P为3极; 20ALC1-D25:新型交流接触器 LR2-D13:热继电器 YC-4*6 P32-FC:电缆规格型号及敷设方式 L123/WP1:电力线路 注:WP1,WL1,WE1 分别为电力线路1,照明线路1,应急线路1 04,ALE在电气图中指什么设备？图形符号就是什么？ 指应急照明配电箱(有双电源)。 A表示配电设备(箱、柜); L表示用于照明类; E表示用于应急(照明)。 如AL--正常照明配电箱。
一：场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数 低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 本站链接:场效应管的参数查询
二：场效应管的特点 场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高； （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强。 三. 符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件 场效应管分三个极：
Ｄ极为漏极（供电极） Ｓ极为源极（输出极） Ｇ极为栅极（控制极） Ｄ极和Ｓ极可互换使用 场效应管图例： 四. 场效应管的分类： 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。 五主板上用的场效应管的特性：
表情符号大全
表情符号大全 |-P 捧腹大笑。 :-#| 这张笑脸上有着浓密的胡须。 :-< 难过时候的苦笑。 :-* 外国谚语：Put your money where your mouth is. :-# 抱歉，这是秘密，我答应人家不说的，我嘴巴被贴上了封条了。 -( 哼！不看我，受不了的痛苦…… :-% 银行家、股票玩家用的笑。 !-) 哇！是大眼瞪小眼，还是睁一只眼闭一只眼？ :-& 我的舌头打结了，不能告诉你。 #-) 一夜没睡，眼睛都皱成一团了！ :-') 感冒了。 #:-) 随时保持头发的乱度，决不轻易梳头。 :-'| 我感冒了，妈妈不许我出去玩。 :-9 舌头舔着嘴唇地笑 :-( 悲伤或者生气的脸。 %-) 哇，跌破眼镜！或者表示额前有着一小撮刘海。 :-（*）恶心，想吐。 %-} 呵呵呵……我可没醉……呵呵呵 :-（=）我的大门牙帅不帅？门牙很大。 :-{ 抿着嘴，一副如泣如诉的神情。 ^O^ 不必转头就可以看的笑脸。或是一只可爱的小猪。 ':-) 早上没睡好，刮胡子把眉毛剃掉了一边 ^-^ 不必转头就可以看的笑脸。 (-) 嘻，头发盖住了眼睛，我该去理发了。 ^-<@-@ 挤眉弄眼。 &:-) 头发是卷曲的。 ..~^.^~... 女生高兴得笑翻时甩着辫子。 {:-) 中分的发型，帅不帅？ ~-~ 快乐的人儿。 (-: 写信人是个左撇子。 =^-^= 脸红什么? (-_-) 神秘笑容（这个不需转头看）。 (:)-) 哈哈！这是一个小蛙人，戴着潜水镜在偷笑。 (:-* 暗示这个人在生病、反胃。 :-）' 哇!都流口水了 (:-& 暗示这个人正在生气。 (:-( 紧皱眉头，又愁眉苦脸，不晓得又发生了什么事。 :-）8 打着领结的笑脸，是不是很帅。 (:-) 是一张大笑脸，也有人说是一个大光头。 :-* 生气了？怎么着嘴巴？ (:-* Kiss…… :-/ 犹豫不决的笑容。 (:-…… 哇！心碎。
电气图中符号意思 电气图中AP、AL、 ALE、 AT 、AW意思 AP---动力配电箱，AL---照明配电箱，ALE---应急照明配电箱，AT----双电源切换箱，AW---电表箱。很多设计院是按这个来给配电箱分类的，在前面加数字表示楼层，后面加数字表示序号 建筑水电安装中BV-3X10-PVC25-WC-CC/MR是什么意思 BV(塑料铜芯线)-3X10（3根10平方毫米的电线）-PVC25（用PVC管，管径是25即1寸）-WC（敷设方式--沿墙敷设）-CC（敷设方式--沿地敷设）-MR在金属线槽内敷设 ZR-BV-3*4~CT ZR表示阻燃；BV表示塑料铜芯线；3*4表示3根4平方的线；CT表示敷设方式为电缆桥架敷设。 PC20-WC,CC PC20表示材质为管径为20的塑料管；WC表示敷设方式为暗敷设在墙内；CC表示敷设方式为暗敷设在顶板内。 1、NH-BV-7x6 SC32 CE WE 2、NHBVR-2*1.5-SC15-CE WE 1 耐火铜芯电线7根6MM2的穿在DN32的钢管内沿顶板和沿墙暗敷设。 2. 耐火铜芯软线2根1.5MM2的穿在DN15的钢管内沿顶板和墙内暗敷设。 Sc**:直径为**的焊接钢管敷设 CE-沿顶板面明敷设 CC-沿顶板面暗敷设 WE-沿墙面明敷设 WC-沿墙面暗敷设 -WE/FC：沿墙面敷设/暗敷在地面内 BV—3×2.5—JDG20,SR—WC,CE是什么意思 BV3×2.5 硬铜芯聚氯乙烯绝缘电线3跟 JDG20 紧定式镀锌薄壁电线管DN20 SR 沿钢锁敷设 WC 墙内暗敷设 CE 沿天棚或顶板面敷设 BV 一般用途单芯硬导体无护套电缆 RV 一般用途单芯软导体无护套电缆 BVR 铜芯聚氯乙烯绝缘软电缆
电气设备符号大全 電氣設備符號大全（字母型符號大全） SR：沿钢线槽敷设 BE：沿屋架或跨屋架敷设 CLE：沿柱或跨柱敷设 WE：沿墙面敷设 CE：沿天棚面或顶棚面敷设 ACE：在能进入人的吊顶内敷设 BC：暗敷设在梁内 CLC：暗敷设在柱内 WC：暗敷设在墙内 CC：暗敷设在顶棚内ACC：暗敷设在不能进入的顶棚内FC：暗敷设在地面内 SCE：吊顶内敷设,要穿金属管一，导线穿管表示 SC-焊接钢管 MT-电线管 PC-PVC塑料硬管 FPC-阻燃塑料硬管 CT-桥架 MR-金属线槽 M-钢索 CP-金属软管 PR-塑料线槽 RC-镀锌钢管 二，导线敷设方式的表示 DB-直埋 TC-电缆沟 BC-暗敷在梁内
CLC-暗敷在柱内 WC-暗敷在墙内 CE-沿天棚顶敷设 CC-暗敷在天棚顶内 SCE-吊顶内敷设 F-地板及地坪下 SR-沿钢索 BE-沿屋架，梁 WE-沿墙明敷 三，灯具安装方式的表示 CS-链吊 DS-管吊 W-墙壁安装 C-吸顶 R-嵌入 S-支架 CL-柱上 沿钢线槽：SR 沿屋架或跨屋架：BE 沿柱或跨柱：CLE 穿焊接钢管敷设：SC 穿电线管敷设：MT 穿硬塑料管敷设：PC 穿阻燃半硬聚氯乙烯管敷设：FPC 电缆桥架敷设：CT 金属线槽敷设：MR 塑料线槽敷设：PR 用钢索敷设：M 穿聚氯乙烯塑料波纹电线管敷设：KPC 穿金属软管敷设：CP 直接埋设：DB 电缆沟敷设：TC 导线敷设部位的标注 沿或跨梁（屋架）敷设：AB 暗敷在梁内：BC 沿或跨柱敷设：AC 暗敷设在柱内：CLC 沿墙面敷设：WS 暗敷设在墙内：WC 沿天棚或顶板面敷设：CE 暗敷设在屋面或顶板内：CC 吊顶内敷设：SCE 地板或地面下敷设：FC HSM8-63C/3P DTQ30-32/2P 这两个应该是两种塑壳断路器的型号，HSM8-63C/3P 适用于照明回路中，为3极开关，额定电流为63A（3联开关） DTQ30-32/2P 也是塑壳断路器的一种，额定电流32A，2极开关 其他那些符号都是关于导线穿管和敷设方式的一些表示方法，你对照着查一下
场效应管工作原理 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP 型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。 对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在
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4个场效应管的主要参数:开启电压,导通电阻跨导,栅极输入电容 网上很多给出的场效应管参数不能作为生产上用。维修还凑合。 一般工厂批量使用最起码要知道：开启电压，导通电阻，跨导和输入电容。 开启电压：有人认为单个使用时无关紧要。我们举一个例子12V供电，推动用358。358不能满幅输出一般为70%（约8V），要使场效应管完全导通，即进入电阻区。经验是开启电压加上5V。比如开启电压为3.3V,那么3.3+5=8.3V。如果358质量不好，那么场效应管不能迅速进入完全导通状态，就会发热。那么并联使用如果损坏，首先损坏开启电压低的。同理并联使用时，损坏往往是导通电阻小的，跨导大的。 还有一个误区就是认为场效应管激励不需要功率。由于制造工艺的缘故，场效应管级间都有电容存在。作为功率输出的，首先考虑是栅极与源极的输入电容。 至于激励功率计算很麻烦，经验上我们一般用简单的估算。比如栅极电容为4000P，栅极串联电阻为1000欧，如果推动级电源为12V，那么要求推动级能提供12mA电流，如果多级并联，就要乘上倍数。此时单级RC时间常数为4uS（250KHZ)，如果脉冲占空比为50%，那么该时间常数，最多工作在20KHZ的频率上。如要提高工作频率就必须减小栅极串联电阻，势必就要要推动级有足够的推动功率。这是一个矛盾，最好用示波器都兼顾一下。对于集成电路作为推动级的，一定要知道该电路最大输出电压，以及最大提供的电流。比如358就不可能输出12mA电流。 当然重要了.一般功率场效应管的开启电压(也称阈值电压)在4-6V左右,但这样的电压不足以使场效应管完全导通,也就是不能进入开关状态.要使功率场效应管进入开关状态,加在 栅极上的电压必须大于10V, 最好12V-15V之间.再有,栅极电压不能很高,一般是正30V-负30V,超过这个限度,功率场效应管会损坏.具体的参数可以查各个公司的DATASHEET. 回复2帖
电气图符号含义及图例 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】
第十五章建筑电气工程施工图 第一节电气工程施工图 一、电气工程施工图的组成及内容 电气工程施工图的组成主要包括：图纸目录、设计说明、图例材料表、系统图、平面 图和安装大样图（详图）等。 1. 图纸目录 图纸目录的内容是：图纸的组成、名称、张数、图号顺序等，绘制图纸目录的目的是便于查找。 2. 设计说明 设计说明主要阐明单项工程的概况、设计依据、设计标准以及施工要求等，主要是补充说明图面上不能利用线条、符号表示的工程特点、施工方法、线路、材料及其他注意的 事项。 3. 图例材料表 主要设备及器具在表中用图形符号表示，并标注其名称、规格、型号、数量、安装方式等。 4. 平面图 平面图是表示建筑物内各种电气设备、器具的平面位置及线路走向的图纸。平面图包括总平面图、照明平面图、动力平面图、防雷平面图、接地平面图、智能建筑平面图（如 电话、电视、火灾报警、综合布线平面图）等。 5. 系统图 系统图是表明供电分配回路的分布和相互联系的示意图。具体反映配电系统和容量分配情况、配电装置、导线型号、导线截面、敷设方式及穿管管径，控制及保护电器的规格 型号等。系统图分为照明系统图、动力系统图、智能建筑系统图等。 6. 详图 详图是用来详细表示设备安装方法的图纸，详图多采用全国通用电气装置标准图集。 二、电气施工图的一般规定 1. 电气图面的规定 幅面尺寸共分五类：A 0～A 4 ，见表15-1。
绘制电气图所用的各种线条统称为图线。常用图线见表15-2。 2. 图例符号和文字符号 电气施工图上的各种电气元件及线路敷设均是用图例符号和文字符号来表示，识图的基础是首先要明确和熟悉有关电气图例与符号所表达的内容和含义。常用电气图例符号见表15-3。 表15-2 表15-3 常用电气图例符号