---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 生产工艺流程、设备、技术介绍、特色商用空调生产工艺技术介绍一、生产工艺流程：1、热交换器（也称两器、指蒸发器和冷凝器）生产工艺流程如下：铝箔翅片加工 U 型管加工U 型管插入扩管脱脂干燥铜管弯头自动焊接弯头、异型弯头等弯头插入、端板固定两器折弯（室外 U 形、室内□形）分流管、分流器手工焊接真空 He 检减震垫粘贴转入组装流水线
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2、空调产品组装生产工艺如下：（1）.室外机组装生产工艺：底托、底盘上线安装压机上线固定气密性检查（He 检）风扇电机组件安装、固定电装盒固定、配线抽真空制热运转数据采集判定制冷运转数据采集判定卤素检漏外观检查、总装（2）. 室内机组装生产工艺：电子膨胀阀检测底托面板上线、左右侧板装配电机组件装配固定出风口电装盒安装及配线接地、绝缘、耐压、泄漏四项安检制冷运转测试除湿运转测试低电压启动信号确认防冷风（Hotstart）测试水泵运转测试包装入库外观检查、总装配管上线、焊接(N2 保护) 冷凝器固定、焊接(N2 保护)定量注氟接地、绝缘、耐压、泄漏四项安检包装入库蒸发器装配上盖板装配高中低风速电流测试高电压启动信号确认二次绝缘测试铭牌条码粘贴、电气盒盖安装
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 二、生产工艺特色：青岛日立商用空调生产车间采用从日立引进的成熟先进的生产工艺技术，主要生产设备及检测设备均为日本进口。
（一）、热交换器（也称两器）生产设备及工艺： 1、冲片机和冲片模具：本设备和模具为全部为日本进口，设备模具厂家日高精机株式会社是日本专业生产冲片模具的厂家，其生产的冲片模具技术水平（技术优势）在世界同行业中处于领先水平。
本工序采用亲水铝箔，经精密模具高速冲片，形成波纹形双面桥形翅片，此种材料的片型技术先进，有利于提高换热器的换热效率和整机性能，同时可提高空调的使用寿命。
2、长 U 弯管机：本设备主要是日本进口设备，其技术水平在世界处于领先地位。
本工序采用薄壁内螺纹铜管加工 U 型管，此种内螺纹铜管能改善制冷剂在管路系统中的流动状态，从而提高其换热效率，它比一般光滑管可提高换热效率 20%～30%左右。
3、胀管机：本设备主要是日本进口设备，其技术水平在世界处于领先地位。
本设备采用高光洁度球型胀头对工件进行胀管，保证了铜管与翅片孔之间的合理过盈量，同时避免了胀管过程中胀头对铜管内螺纹部分的破坏，保证了胀管后产品的质量。
4、脱脂干燥炉：由于产品循环系统中的残留油分会对空调的性能存在一定的影响，所以需对热交换器进行脱脂干燥，本工序就是对
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胀管完成的热交换器半成品进行高温脱脂干燥（脱脂温度为 150～160℃），以去除工件翅片表面和铜管内部的挥发油，工件经过脱脂干燥后，可使其铜管内部的残油量在 3mg/m2 以下。
5、热风干燥炉：由于空调循环系统内部冷媒中如果混入过多的水分，会严重影响到空调的整机性能，本工序的作用就是去除油分离器、气液分离器、热交换器组件、配管等系统零部件内部的水分，零部件经本工序去水干燥后，可保证工件内部残留水分量 60ppm 在以下。
6、热交换器折弯机：本设备是日本进口设备（专业设备厂家生产）。
本工序是对热交换器组件进行不同形式（L 型、U 型、O 型）的折弯，设备针对不同结构形式的产品采用专用折弯模具，有效保证了不同产品折弯角度的一致性和产品质量的稳定性。
7、自动焊接机：本设备是日本进口设备（专业设备厂家生产），本工序是对热交换器组件进行弯头的自动焊接，焊接时采用氮气保护，有效的保证了工件的焊接质量。
8、真空箱式 He 检漏设备：本工序是对热交换器组件进行耐压气密性检查，以检查工件有无泄漏（主要是各焊点处）。
检漏时是将工件内部充入 3.3MPa 或 4.15 MPa 的高压混合 He 气，在真空的环境中（真空箱内部）采用 He 检漏仪对工件进行检漏，设备检漏精度可控制产品出厂后冷媒泄漏量在 2g/年以内。
（二）、生产线设备主要技术指标及产品介绍：青岛海信日立共有整机组装线 10 条：分别为室外机 W1 线（生产 SET-FREE mini 系
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 列 4~6HP，IVXmini 系列 3~5HP，单元机系列 3~5HP）、室外机 W2 线（生产 SET-FREE 系列 5~22HP，店铺机系列 8~10HP）、室外机 W3 线（生产 SET-FREE 系列 24~32HP 机）、室外机
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W4 线（生产 SET-FREE 系列 5~10HP，水源机系列 8~12HP）、室外机W5 线（生产 SET-FREE mini 系列 4~6HP 机，侧出风系列 8~12HP、水源机系列 3~6HP）、室内机 N1 线（生产四方向系列 1～6HP）、室内机 N2 线（薄型风管机系列 1～2.5HP 机、风管机系列 1~3HP）、室内机 N3 线（薄型风管机系列 1～2.5HP 机）、室内机 N4 线（生产风管机系列 1~6HP）、室内机 N5 线（风管机系列 5~10HP，新风处理机系列 5~20HP）。
1、室外机生产线：为保证产品质量，杜绝制冷系统泄漏，室外机在装配过程中不仅要对冷凝器进行气密性检验（He 检），也要对配管焊接处进行气密性检查（He 检），通过 He 检漏可以将整机控制氟利昂的泄漏量控制在 2g/年以下。
抽真空用的真空泵选用了日本真空产品，真空度可达到 6Torr 以下。
商用检查检设备全部由日立方推荐的专为日立清水工场制作检测设备厂家制作，商用检测项目主要是：四项安检（泄漏、绝缘、耐电压、接地）以及温度、压力、功率、制冷、制热、换向、高低电压启动等，产品经过商检检验合格后，还需对产品上的截止阀处进行二次检漏。
●室外机介绍：☉采用领先世界的日立新型涡旋压缩机技术；☉更静音，采用新型轴流风扇和加大型护罩，风扇转速采用 PWM（脉宽调制）控制；☉更节能，采用无级变频控制技术，系统运行更经济；☉安装维护更简单、更方便，整个室外机对外只有两根制冷剂接管，
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 无需功能箱，并配有故障自诊断系统。
●SET-FREE 自由设定变频多联式空调系统产品介绍：多联式空调（热泵机组）是今年来发展起来的一种新型中央空调系统，集变频技术、变容技术、模块化组合技术等于一身，具有节能、舒适、控制灵活等特点，一台室外机可连接数台不同或相同容量的直接蒸发式室内机构成单一循环系统，满足不同规模建筑物的要求。
与传统中央空调相比，省去了主机房、冷却塔、水输配系统，因而受到了广泛的欢迎，在各种越来越多的建筑物内正逐步取代冷水式中央空调系统，显示了无与伦比的技术优势。
（1）、产品特点： a、SET－FREE 自由设定变频多联式空调系统，可以自由选型、自由设定，根据工程情况，可以选择品种非常丰富的室内机； b、同径化冷媒管道系统：青岛日立专有的同径化管道系统可以节省设计施工时间和劳力，整个冷媒主管道用同一管径，将复杂的管道选择和施工简单化； c、超长管道和超大的高度落差：室外机和室内机间的制冷剂管道长达 150 米，高度落差达50 米，增大了工程设计的自由度； d、先进的空调管理系统：采用无级性通讯双线制的 CS-NET 中文版管理系统，一套管理系统最多可以连接 128 台室外机和 1024 台室内机，功能强大；
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晶圆制造工艺流程和处理工序 晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposiTIon) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。（1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱 9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
（1）电解 本项目电解铝生产采用熔盐电解法：其主要生产设备为预焙阳极电解槽,项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽。铝电解生产所需的主要原材料为氧化铝、氟化铝和冰晶石，原料按工艺配料比例加入350KA 预焙阳极电解槽中，通入强大的直流电，在945－955℃温度下，将一定量砂状氧化铝及吸附了电解烟气中氟化物的载氟氧化铝原料溶解于电解质中，通过炭素材料电极导入直流电，使熔融状态的电解质中呈离子状态的冰晶石和氧化铝在两极上发生电化学反应，氧化铝不断分解还原出金属铝——在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝。 电解槽中发生的电化学反应式如下： 2323497094032CO Al C O Al +?-+℃ ℃直流电 在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝定期用真空抬包抽出送往铸造车间经混合炉除渣后由铸造机浇铸成铝锭。电解过程中析出的O 2同阳极炭素发生反应生成以CO 2为主的阳极气体，这些阳极气体与氟化盐水解产生的含氟废气、粉尘等含氟烟气经电解槽顶部的密闭集气罩收集后送到以Al 2O 3为吸附剂的干法净化系统处理，净化后烟气排入大气。被消耗的阳极定期进行更换，并将残极运回生产厂家进行回收处置。吸附了含氟气体的截氟氧化铝返回电解槽进行电解。 电解槽是在高温、强磁场条件下连续生产作业，项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽，是目前我国较先进的生产设备。电解槽为6点下料，交叉工作，整个工艺过程均自动控制。电解槽阳极作业均由电解多功能机组完成。多功能机组的主要功能为更换阳极、吊运出铝抬包出铝、定期提升阳极母线、打壳加覆盖料等其它作业。 （2）氧化铝及氟化盐贮运供料系统 氧化铝及氟化盐贮运系统的主要任务是贮存由外购到厂的氧化铝和氟化盐 ，并按需要及时将其送到电解车间的电解槽上料箱内。
A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
随着国内玻璃加工行业的发展以及人们对中空玻璃的优点性能认识的不断深入，中空玻璃的应用范围在不断扩大，除在玻璃幕墙、汽车、飞机等方面得到广泛应用外，目前已开始进入寻常百姓家。这主要是由于中空玻璃的应用能改善建筑物的隔热和隔音效果的同时，简化了空调等通风保暖设施的结构设计，这不仅降低了建筑装饰费用而且实际增加了建筑物内的有效实用空间。 中空玻璃的应用在不断的扩大，人们对中空玻璃的质量要求也越来越高，如何把握市场的发展机遇，提供优质可可靠的中空玻璃已成为中空玻璃生产厂家研究关心的问题。本文将对中空玻璃基本的加工工艺过程进行简要分析。 首先介绍中空玻璃的种类及中空玻璃国家标准中的五项指标 一、分类： 目前国内市场上有两种中空玻璃 1、槽铝式中空玻璃：此种中空玻璃80年代引入，相对成熟些，但是加工工艺较复杂。 2、胶条式中空玻璃：此种中空玻璃在国内刚刚起步，但是制造工艺简单，因此应用范围广，推广很快。 二、中空玻璃的国家标准中的五项指标： 1、初始露点 2、密封试验 3、紫外线照射 4、高温高湿
5、气候循环试验 根据国家检测标准，如何安排我们的生产，才能达到中空玻璃的要求呢由于两种中空玻璃在工艺流程上有很多相似之处，现就他们的共同的工艺流程进行简析。 1、玻璃切割下料： 原片玻璃一般为无色浮法玻璃或其它彩色玻璃，遮阳玻璃、钢化玻璃、夹层玻璃，厚度一般为3-12MM，上述玻璃必须符合GB11614中一级品、优等品的规定，经检验合格后方可使用。玻璃切割可由手工或机器进行，但应保证合乎尺寸要求。此道工序工人在操作过程中，应随时注意玻璃表面不得有划伤，内质均匀，不得有气泡、夹渣等明显缺陷。 2、玻璃清洗干燥： 玻璃清洗一定要采用机器清洗法，因为人工清洗无法保证清洗质量。清洗前须检验玻璃无划伤，为保证密封胶与玻璃的粘结性，较好使用去离子水。另外为保证水循环使用，节约水资源，可对水进行过滤，保证长期使用。清洗后的玻璃要通过光照检验，检验玻璃表面有无水珠、水渍及其它污渍，若有水珠、水渍及其它污渍，则需对机器运行速度、加热温度、风量、毛刷间隙进行调整，直到达到效果完好为止。洗完后的玻璃应地1小时之内组装成中空玻璃，另外要保证玻璃与玻璃之间不要磨擦划伤，较好有半成品玻璃储存小车，把玻璃片与片之间隔开。 3、胶条式中空玻璃及铝条式中空玻璃的组装： 胶条式中空玻璃组装： （1）对环境的要求：胶条式中空玻璃加工温度冬季应在10-20度之间，夏季应在20-30度之间为宜。 （2）相对湿度的要求：因胶条式中空玻璃干燥剂呈粉末状，与胶混合均匀后干燥剂发
晶圆的生产工艺流程介绍 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长 --> 晶棒裁切与检测 --> 外径研磨 --> 切片 --> 圆边 --> 表层研磨 --> 蚀刻 --> 去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 检验 --> 包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm 左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。 4）.晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度
达到预定值。 5）.尾部成长（Tail Growth） 当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（Surface Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4.切片（Wire Saw Slicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表
中空玻璃可行性分析报告 目录 一、建筑节能与中空玻璃市场情况 二、中空玻璃加工企业的明显特点 三、中空玻璃产品利润分析
一、建筑节能与中空玻璃市场情况 中空玻璃的概念出现在国内市场已经有很长时间了，Low-E玻璃的出现也已经有10年左右的时间。尽管这些产品具有很好的节能、保温和隔音等显著改善居住条件的优良性能，但是这些好产品更多地是使用在公共建筑和高档建筑上，绝大部分民用建筑至今依然较少看到中空玻璃，更谈不上Low-E玻璃，许多消费者至今还以为中空玻璃就是两片玻璃的简单组合。造成中空玻璃和Low-E 玻璃贵族化问题的主要原因有两方面：一是国内房地产市场发展速度过快，许多地产商根本无心关注门窗和玻璃性能等细节；二是门窗企业和加工玻璃企业更多地关注高档楼盘而忽视了民用建筑市场的推广。 可喜的是，从贵族化转向平民化的过程正在开始。伴随着国内房地产业逐步进入常规发展轨道，开发商和购房者开始共同关注楼盘品质和部品细节，加之经过10余年的市场推广，中空玻璃和Low-E玻璃的优良性能已被市场所认识和接受。中空玻璃进入寻常百姓家，不仅是节能的需要，更是提高人们生活品质的需要。 1建筑节能形势与政策 1.1减少门窗能耗，提高建筑节能水平 随着社会经济发达程度的提高，建筑能耗在社会总能耗中的所占比例越来越大，目前西方发达国家为30％～45％，尽管我国经济发展水平和生活水平都还不高，但这一比例已达到20％～25％，正逐步上升到30％。在一些大城市，夏季空调已成为电力高峰负荷的主要组成部分。不论西方发达国家还是我国，建筑能耗状况是牵动社会经济发展全局的大问题。按照1986年制定的我国建筑节能分三步走的计划，当前政府各级节能管理部门为了启动第三步节能65％的目标，正在积极地进行标准编制工作。而在影响建筑能耗的门窗、墙体、屋面、地面四大围护部件中，门窗的绝热性能最差，是影响室内热环境质量和建筑节能的主要因素之一。就我国目前典型的围护部件而言，门窗的能耗占建筑围护部件总能耗的40％～50％，其能耗是墙体的4倍、屋顶的5倍、地面的20多倍。我国既有建筑面积约400亿m2，95％以上是高能耗建筑，而透过门窗的能耗则占到了整个建筑的一半，堪称耗能大户。能耗比同等气候条件下的发达国家高2倍。如果按照我国现有发展的趋势，2020年以后，建筑耗能将超过我国终端能耗的1/3，
集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
本工艺标准适用于工业与民用建筑平板、压花、磨砂、吸热、热反射、中空、夹层、 夹丝、钢化、彩色玻璃及玻璃砖等玻璃安装工程。 2.1 材料及主要机具：玻璃和玻璃砖的品种、规格和颜色应符合设计要求，其质量应 符合有关产品标准。 2.1.1 玻璃：平板、夹丝、磨砂、彩色、压花、吸热、热反射、中空、夹层、钢化、 玻璃砖等品种、规格按设计要求选用； 采光天棚玻璃，如设计无要求时，宜采用夹层、夹丝、钢化以及由其组成的中空玻 璃。 2.1.2 油灰（腻子）：可直接在市场上买到成品；也可参照下列配合比自行配制： 大白粉（碳酸钙） 100 混合油 13?14 其中混合油配合比： 三线脱蜡油 63 熟桐油 30 硬脂酸 2.10 松 香 4.90 鉴别油灰的技术性能可参照下列指标检查： 2.1.2.1 外观：具有塑性、不泛油、不粘手等特征，且柔软、有拉力、支撑力，为灰白 色的稠塑性固体膏状物。 硬化：油灰涂抹后，常温应在 20 昼夜内硬化； 延展度： 55 ? 66mm ； 耐 热：60 C 每次6小时，反复5次不流、不淌、不起泡； 粘结力：不小于 00.5MPa 。 其他材料：红丹、铅油、玻璃钉、钢丝卡子、油绳、橡皮垫、木压条、煤油 主要机具；工作台、玻璃刀、尺板、钢卷尺 （ 3m ）、木折尺、克丝钳、扁铲、 油灰刀、木柄小锤、方尺、棉丝或抹布、毛笔、工具袋、安全带等设备。 2.2 作业条件： 2.2.1 玻璃应在内外门窗安装后，经检查合格，并在涂刷最后一道油漆前进行安装。 玻璃隔断的玻璃安装，也应参照上述规定进行安装。 2.2.2 钢门窗花正式安装玻璃前，要检查是否有扭曲及变形等情况，应整修和挑选 后，再安装玻璃。 2.2.3 玻璃安装前应按照设计要求的尺寸并参照实测尺寸，预先集中裁制，裁制好的玻 璃，应按不同规格和安装顺序码放在安全地方备用。 对于集中加工后进场的半成品，应有针对性的选择几樘进行试安装，提前核实来料的 尺寸留量，长宽各应缩小 l 个裁口宽的四分之一（一般每块玻璃的上下余量 3mm ，宽窄余 量 4mm ），边缘不得有斜曲或缺角等情况，必要时应做再加工处理或更换。铝合金框、扇 玻璃裁割尺寸应符合国家标准，并满足设计及安装要求（详见铝合金框、扇玻璃安装工 艺）。 2.2.4 由市场买到的成品油灰，或者使用熟桐油等天然干性油自行配制的油灰，可直 接使用；如用其他油料配制的油灰，必须经过试验合格后方可使用，以防造成浪费。 3.1 工艺流程： 玻璃挑选、裁制f 分规格码放f 安装前擦净f 刮底油灰f 镶嵌玻璃f 刮油灰，净边 2.1.2.2 2.1.2.3 2.1.2.5 2.1.2.6 2.1.3 2.1.4
设备生产制造工艺流程图 主要部件制造要求和生产工艺见生产流程图： 1）箱形主梁工艺流程图 原材料预处理划线下料清理 材质单与喷涂划划数半剪清割坡 钢材上炉丸富出出控自除渣口 号批号一除锌拱外自动焊等打 一对应油底度形动气切区打磨 锈线线气割 割 校正对接拼焊无损探伤装配焊接清理 达度埋超X 确垂内工清焊到要弧声光保直部电除渣平求自波拍隔度先焊内杂直动片板用接腔物 焊手 检验装配点焊四条主缝焊接清理校正 内焊装成用Φ清磨修修振腔缝配箱埋HJ431 除光正正动检质下形弧直焊焊拱旁消验量盖主自流渣疤度弯除板梁动反应 焊接力自检打钢印专检待装配 操专质 作检量 者，控 代填制 号写表
2）小车架工艺流和 原材料预处理划线下料清理 材质单与喷涂划划数半剪清割坡 钢材上炉丸富出出控自除渣口 号批号一除锌拱外自动焊等打 一对应油底度形动气切区磨 锈线线气割 校正对接拼焊无损探伤装配焊接清理 达度埋超X 确垂内工清焊 到要弧声光保直部电除渣 平求自波拍隔度先焊内杂 直动片板用接腔物 焊手 检验装配点焊主缝焊接清理校正 内焊清磨修修振应腔缝除光正正动力检质焊焊拱旁消验量渣疤度弯除 自检划线整体加工清理 A表A表 行车行车 适用适用 自检打钢印专检待装配 操专质
作检量 者，控 代填制 号写表 3）车轮组装配工艺流程图 清洗检测润滑装配 煤清轮确尺轴部 油洗孔认寸承位 或轴等各及等加 洗承部种公工润 涤，位规差作滑 剂轴格剂 自检打钢印专检待装配 操 作 者 代 号 4）小车装配工艺流程图 准备清洗检测润滑 场按领煤清轴确尺轴加最注 地技取于油洗及认寸承油后油 清术各或轴孔各及内减 理文件洗承等件公、速件涤齿部规差齿箱 剂轮位格面内 装配自检空载运行检测标识入库 螺手起行噪 钉工升走音 松盘机机震 紧动构构动
鲁艺技术部介绍中空玻璃生产流程及所需要设备： 中空玻璃的应用逐步广泛，很多人对中空玻璃生产工艺流程不太了解，下面鲁艺技术部人员为我们简单介绍一下工艺流程及各流程需要用到的设备。 一、单片玻璃 1.玻璃切割设备 玻璃的切割设备应将所用玻璃按其尺寸、形状进行切割成形。玻璃的切割精度和边部质量必须达到标准和合同规定的要求，切割设备可以是切割尺、切割样板、切割机。 2.玻璃磨边设备 玻璃磨边设备应能将玻璃切割后产生的锋利边沿和微裂纹磨削，并保证玻璃尺寸和边部质量符合标准。 3.玻璃清洗干燥设备 玻璃的清洗机应能保证玻璃的表面和周边被清洗干净并使玻璃表面被干燥，经洗涤后的玻璃表面不允许产生划伤、破痕、水渍等缺陷。清洗机可以水平放置，也可以是立式清洗机。 二、涂丁基胶 4.丁基胶涂布机 丁基胶涂布机应能保证出胶均匀，不漏胶、不断胶，能使挤出的丁基胶条均匀涂布在间隔条上。 三、上胶条
5.铝条切割设备 铝条切割设备应能保证铝条切割后，切口平滑、无毛刺、不变形。 6.分子筛灌装设备 分子筛在使用时必须相对密封。灌注分子筛的成框必须在45分钟内合片使用。分子筛灌装设备应能顺利将分子筛灌入铝条内部，并能保证分子筛的密封要求； 四、合片阶段 7.合片设备 中空玻璃生产线合片设备应满足以下要求： (1)应能保证丁基胶或其他形式的间隔条与玻璃均匀、紧密粘结； (2)应能将玻璃、间隔框（条）准确定位； (3)合片压力应均匀作用在玻璃板面上； 五、涂密封胶 8.二道密封胶打胶设备 双组份密封胶打胶机应能保证按要求的混合比例稳定可调、充分均匀混合；单组份打胶机出胶应均匀；胶枪易清洗、存放。涂胶后的中空玻璃，应逐片隔开静置固化，固化后才能包装、搬运。 9.复合胶条热压设备 复合胶条热压设备应能按要求进行加热，温度、传输速度、压合厚度可调。复合胶条中空玻璃热压后的封口必须紧密粘接，不得留有气泡和气道。
晶圆生产工艺流程介绍 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 （1）常压CVD(Normal Pressure CVD) （2）低压CVD(Low Pressure CVD) （3）热CVD(Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD(Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD(Metal Organic CVD)&分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘(pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱 9、退火处理，然后用HF去除SiO2层 10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。 14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。 16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、?镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。 （2）真空蒸发法（Evaporation Deposition） （3）溅镀（Sputtering Deposition） 19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性
中空玻璃生产工艺流程 主要生产设备：1.砂带磨边机2.玻璃运输机3.玻璃清洗烘干机4.玻璃检查运输机5.铝框定位机6.玻璃合片机7.翻转运输机8.旋转涂胶台9.双组份打胶机10.中空玻璃专用充气机11.成品玻璃输送车12.半自动铝条折弯机13.自动分子筛罐装机14.丁基胶涂胶机15.半自动铝框输送机 随着国内玻璃加工行业的发展以及人们对中空玻璃的优点性 能认识的不断深入，中空玻璃的应用范围在不断扩大，除在玻璃幕墙、汽车、飞机等方面得到广泛应用外，目前已开始进入寻常百姓家。这主要是由于中空玻璃的应用能改善建筑物的隔热和隔音效果的同时，简化了空调等通风保暖设施的结构设计，这不仅降低了建筑装饰费用而且实际增加了建筑物内的有效实用空间。 中空玻璃的应用在不断的扩大，人们对中空玻璃的质量要求也越来越高，如何把握市场的发展机遇，提供优质可靠的中空玻璃已成为中空玻璃生产厂家研究关心的问题。本文将对中空玻璃基本的加工工艺过程进行简要分析。 首先介绍中空玻璃的种类及中空玻璃国家标准中的五项指标： 一、分类： 目前国内市场上有两种中空玻璃 1、槽铝式中空玻璃：此种中空玻璃80年代引入，相对成熟些，但是加工工艺较复杂。
2、胶条式中空玻璃：此种中空玻璃在国内刚刚起步，但是制造工艺简单，因此应用范围广，推广很快。 二、中空玻璃的国家标准中的五项指标： 1、初始露点 2、密封试验 3、紫外线照射 4、高温高湿 5、气候循环试验 根据国家检测标准，如何安排我们的生产，才能达到中空玻璃的要求呢？由于两种中空玻璃在工艺流程上有很多相似之处，现就他们的共同的工艺流程进行简析。 1、玻璃切割下料： 原片玻璃一般为无色浮法玻璃或其它彩色玻璃，遮阳玻璃、钢化玻璃、夹层玻璃，厚度一般为3-12MM，上述玻璃必须符合GB11614中一级品、优等品的规定，经检验合格后方可使用。玻璃切割可由手工或机器进行，但应保证合乎尺寸要求。此道工序工人在操作过程中，应随时注意玻璃表面不得有划伤，内质均匀，不得有气泡、夹渣等明显缺陷。 2、玻璃清洗干燥：
A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以
0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold） 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于
5.方茴说：“那时候我们不说爱，爱是多么遥远、多么沉重的字眼啊。我们只说喜欢，就算喜欢也是偷偷摸摸的。” 6.方茴说：“我觉得之所以说相见不如怀念，是因为相见只能让人在现实面前无奈地哀悼伤痛，而怀念却可以把已经注定的谎言变成童话。” 7.在村头有一截巨大的雷击木，直径十几米，此时主干上唯一的柳条已经在朝霞中掩去了莹光，变得普普通通了。 8.这些孩子都很活泼与好动，即便吃饭时也都不太老实，不少人抱着陶碗从自家出来，凑到了一起。 9.石村周围草木丰茂，猛兽众多，可守着大山，村人的食物相对来说却算不上丰盛，只是一些粗麦饼、野果以及孩子们碗中少量的肉食。 LOW-E中空玻璃的加工流程： 1、高品质浮法玻璃原片的生产------- 2、按工程所需尺寸切磨加工------- 3、强化热浸处理------- 4、镀膜------- 5、中空合片 1、生产高品质的玻璃原片 所有用于深加工的玻璃基片均采用新鲜的、高品质的浮法玻璃。从而为玻璃的镀膜、钢化、中空、夹层、制镜等深加工提供了可靠的质量保证，并对浮法玻璃原料进行严格而有效的控制，防止浮法玻璃含有硫化从而减少钢后自爆的可能性。 2、按工程所需尺寸进行切裁、磨边 严格按照图纸玻璃尺寸选用最新鲜的玻璃原片进行切裁加工，全部采用进口全自动玻璃切割线--保特罗进行高精度切割，尺寸误差可以控制在0.1mm以为。再用进口磨边机来保证玻璃边部的平滑，美观。 3、将切磨后的玻璃进行强化热浸处理 在切磨程序后，将玻璃转到下一制程钢化：引进芬兰TAMGLASS 等世界先进的钢化设备采用水平对流加热方式，最大限度减少钢化玻璃应力，确保了钢化及半钢化玻璃的表面应力均匀，平整度更好。对于光学变形的控制，将以最专业的加工控制流程来保证高品质玻璃的生产。 4、镀膜 1.“噢，居然有土龙肉，给我一块！” 2.老人们都笑了，自巨石上起身。而那些身材健壮如虎的成年人则是一阵笑骂，数落着自己的孩子，拎着骨棒与阔剑也快步向自家中走去。
生产工艺管理流程 生产技术部接到产品开发需求后，进行产品开发策划并起草设计开发任务书，经公司领导审批后，业务部门根据产品设计开发任务书准备纸、油墨、印版、烫金等生产材料及生产工艺设备的准备工作，材料、设备准备完成后，安排在印刷车间进行上机打样；打样过程中，由生产技术部组织业务、品质、车间等部门对打样结果进行评审，打样评审通过后，由生产技术部进行送样、签样工作（送中烟技术中心材料部），若签样不合格，需重新进行打样准备；签样完成后，生产技术部根据打样情况形成临时技术标准，品质部形成检验标准，印刷车间根据临时技术标准进生试机生产，生产产品由生产技术部送烟厂进行上机包装测试（若包装测试不通过，生产技术部需重新调整临时技术标准重新试机生产），包装测试通过后，生产技术部根据试机生产时情况形成技术标准。当月生产需求时，生产技术部按生产组织程序进行组织生产，并同时下达技术标准，印刷车间根据生产技术标准，进行工艺首检，确认各项工艺指标正确无误，进行材料及设备的准备工作，各项工作准备完成后按技术标准要求进行工艺控制，生产技术部对整个生产运行过程进行监督，当工艺运行不符合要求时，通知生产技术部进行工艺调整。生产结束后，进入剥盒、选盒工序，经过挑选的烟标合格的按成品入库程序进行入库，不合格的产品按不合格程序进行处理。
产品工艺管理流程图 业务部生产技术部印刷车间品质部输出记录 接到设计 更改需求 段 阶 } 改 更 计 设 { 发 开 吕 产 不通过 不通过 通过 接到设计 开发需求 产品开发策划 打样准备 送样、签样 通过 不通过 形成技术标 准（临时） 审批不通过 上机打样 形成检验标准 设计开发项目组成立 通知 产品开发任务书 段 阶 制 控 艺 工 产 生 送客户包装测试■试生产 ■ 形成技术标准 ＜接到生 产需求 组织生产 下达工艺标准工艺首检 材料准备设备准备 工艺监督过程质量监督 工艺改进不通过运行判定 成品质量监督 是合格 成品入库 结束 不合格 控制程序 过程检验记录 工艺检查记录表， 匚工艺记录表 工艺运行控制 剥盒、选盒 烟用材料试验评价 报告 印刷作业指导书 生产工作单 换版通知单 生产操作记录表 工艺更改通知单 成品检验记录
中空玻璃生产工艺流程 要生产设备：1.玻璃切割机2.玻璃磨边机3.玻璃清洗烘干机4.玻璃检查运输机5.铝框定位机6.玻璃合片机7.翻转运输机8.旋转涂胶台9.双组份打胶机10.中空玻璃专用充气机11.成品玻璃输送车12.铝条折弯机13.自动分子筛罐装机14.丁基胶涂胶机15.半自动铝框输送机 着国内玻璃加工行业的发展以及人们对中空玻璃的优点性能认识的不断深入，中空玻璃的应用范围在不断扩大，除在玻璃幕墙、汽车、飞机等方面得到广泛应用外，目前已开始进入寻常百姓家。这主要是由于中空玻璃的应用能改善建筑物的隔热和隔音效果的同时，简化了空调等通风保暖设施的结构设计，这不仅降低了建筑装饰费用而且实际增加了建筑物内的有效实用空间。 空玻璃的应用在不断的扩大，人们对中空玻璃的质量要求也越来越高，如何把握市场的发展机遇，提供优质可靠的中空玻璃已成为中空玻璃生产厂家研究关心的问题。 先介绍中空玻璃的种类及中空玻璃国家标准中的五项指标：
、分类： 前国内市场上有两种中空玻璃 、槽铝式中空玻璃：此种中空玻璃80年代引入，相对成熟些，但是加工工艺较复杂。 、胶条式中空玻璃：此种中空玻璃在国内刚刚起步，但是制造工艺简单，因此应用范围广，推广很快，但中空密封效果不佳。 、中空玻璃的国家标准中的五项指标： 、初始露点 、密封试验 、紫外线照射 、高温高湿
、气候循环试验 中空玻璃加工工艺 据国家检测标准，如何安排我们的生产，才能达到中空玻璃的要求呢？由于两种中空玻璃在工艺流程上有很多相似之处，现就他们的共同的工艺流程进行简析。 、玻璃设计优化及切割下料： 原片玻璃一般为无色浮法玻璃或其它彩色玻璃，镀膜玻璃，Low-E玻璃、钢化玻璃、夹层玻璃，厚度一般为3-12MM，上述玻璃必须符合GB11614-2002《浮法玻璃》中一级品、优等品的规定，经检验合格后方可使用。首先根据用户订单设计合理的加工程序，对玻璃进行优化，制作下料单，选择尺寸合适的玻璃原片并在下料单注明所选玻璃原片的尺寸，避免浪费。玻璃切割可由手工或机器进行，但应保证合乎尺寸要求。此道工序工人在操作过程中，应随时注意下料尺寸，使用易挥发、易清洗的切割油，注意玻璃表面不得有划伤，内质均匀，不得有气泡、夹渣等明显缺陷，加工精度应满足中空玻璃尺寸精度、对角线精度和边部质量的要求。并对切割好的玻璃按尺寸分拣好，装到运了车上，送到玻璃磨边机旁边。
晶圆生产工艺与流程介 绍 文件编码（008-TTIG-UTITD-GKBTT-PUUTI-WYTUI-8256）
晶圆的生产工艺流程介绍从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长-->晶棒裁切与检测-->外径研磨-->切片-->圆边-->表层研磨-->蚀刻-->去疵-->抛光-->清洗-->检验-->包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（MeltDown） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（NeckGrowth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（CrownGrowth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12寸等）。 4）.晶体成长（BodyGrowth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）.尾部成长（TailGrowth）
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting&Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（SurfaceGrinding&Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。4.切片（WireSawSlicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（EdgeProfiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7.蚀刻（Etching）
晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。 （1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘(pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱 9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、濺镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um 。 （2）真空蒸发法（Evaporation Deposition ） （3）溅镀（Sputtering Deposition ） 19、光刻技术定出VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD 位置 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip 的完整和连线的连接性
玻璃夹胶操作规程 一、准备阶段： 1、夹胶合片工对钢化工序送达的玻璃半成品进行验收。发现划伤、 爆边角、尺寸、孔位、内外片、弯曲度等不符时第一时间与钢化车间主任，有明确处理结果后方可进行下一步操作。 2、按生产任务单及相应图纸将所需玻璃及PVB胶片备料，设备运 转良性，清洗机蓄水池注满清水，平压机设定前段138℃，后段128℃开始升温预热。 3、根据待加工玻璃规格准备自备架，清除架子上的杂物，架子防 护损坏的，修缮或更换。 二、合片阶段： 1、上片工 1.1 对照生产加工单，启动清洗系统，设定进片速度为360～400 转/min检查原片外观后，测量边线允许偏差2mm、对角线尺 寸允许偏差2～3mm，将合格品间隔300mm持续配套上片， 异形玻璃对照相应图纸及样板上片。 1.2 视合片室合片速度，随时控制清洗进片速度，以防止玻璃发 生碰撞碎角。 1.3 不良品归类摆放，不允许上片，标签明示，工作结束后清理 不良品及场地。 2、合片工 2.1根据生产任务单及相应图纸，准备好相应PVB胶片。 2.2合片室内环境保持清洁、明亮，温度控制在22～25摄氏度之 间，相对温度控制30%～40%左右。 2.3合片时操作工穿戴工作服和帽子（头发要全部罩于帽子内）， 细白纱手套、口罩，上岗证，禁止穿拖鞋、高跟鞋。 2.4清洗后的玻璃有水迹的必须再擦干净，表面保持洁净干燥。
2.5合片后上下叠差及孔位等应不大于2mm。 2.6 PVB胶片的利用要合理套料，合片后的余胶割下保持2～ 4mm，持续合片。 三、压合阶段： 1、平压机操作工 1.1根据合片的玻璃及胶片厚度，调整好平压总厚度，负责先期平 压开机预热； 1.2设定好平压预热的前后段温度及相应传动速度（随季节的不同 要灵活运用参数） 1.3密切关注下片外观质量，及时进行参数调整及重压，确保产品 质量； 2、下片工 2.1场地整洁有序，进釜车，下片台摆放合理，戴好保护手套，准 备好割胶美工刀； 2.2平压后的玻璃每片均进行外观检测，略有雾状的半成品进行重 压； 2.3合格品下片后，在下片台上进行割去周边多余胶片处理，边缘 若有少许气泡的半成品，进行上夹子压紧加固处理； 2.4双钢夹胶，平压后均周边间隔200mm上夹子压紧以确保成品 率，装进釜车时，玻璃间隔用特制小木块均匀隔开； 2.5进釜车玻璃应向内保持一定倾斜度，然后再用绳子固定，需放 二层的半成品，进釜车两边一定平衡匀放加固，谨防重心偏离 翻架； 四、高温聚合阶段： 1、进釜； 1.1夹胶玻璃半成品合理装进釜车后，检查固定情况； 1.2连接转盘与釜体的轨道接口，匀速将进釜车推进釜内固定；