第四章半导体存储器 (Semi-conductor Memory) 主要内容 存储介质的类别和特点 半导体存储器(ROM/RAM/FLASH)（概念）*半导体存储器连接应用(时序) IBM-PC系列机MEM的内存组织 存储大量信息的介质 微机系统与接口
微机系统结构:存储器与I/O 地址总线AB 存I/O 输I/O 输 储接入设接 出 设 CPU 器口备口备 数据总线DB 控制总线CB 存储器访问：MOV [2000H],AX 微机系统与接口系统互联 MOV BL,[205AH]
重点:处理器与半导体存储器接口电路 6264(例) 唯一选中单元:读/写D0~D7 D0~D7A ??????A 0? ??MPU Memory A 12WE A 12MEMW 系统芯片 OE 1CS 1 MEMR 译码高位地? ?1CS 2 电路址信号 ?微机系统与接口处理器读写时序--配合--存储器读写时序
存储介质的类别和特点 存储器（计算机实现大容量记忆功能的核心部件）?存储记忆信息（按位存放） ?位(BIT)存放--具有记忆功能： ?应用：程序/数据信息：读写/数据－按地址顺序编号 电路: (锁存器/触发器--寄存器在微处理器内部) ?电路:(锁存器/触发器--寄存器在微处理器内部)?磁: 磁化 ?光: 凹坑(激光反射) 光:凹坑(激光反射) ?性能:容量、存取速度、成本 ?内/外部存储器－－高速存储／低速I/O－海量低成本与MPU接口:串/并行Serial/Parallel ? 微机系统与接口
半导体存储器的性能指标 容量=字数(存储单元数)×字长==位数(bits) 微机（8/16/32/64位字长） 兼容8位机==>字节BYTE为单位 62C256：（256Kbits ）32K*8B 27C010：1M 位（128K*8Bit ）128KB(字节) 其它性能指标可靠性、集成27C210：1M 位（64K*16Bit ）访问一次存储器（对指定单元写入或读出）度、价格等 最大存取时间所需要的时间WE# OE# 几ns到几百ns 27C512-15?150ns PC100SDRAM-8:8ns,PC133SDRAM-7ns 微机系统与接口 PC100SDRAM 8:8ns, PC133SDRAM 7ns
4.2半导体存储器 4.2.1填空题 1．计算机中的存储器是用来存放__①___的，随机访问存储器的访问速度与___②___无关。答案：①程序和数据②存储位置 2．对存储器的访问包括______和________两类。 答案：①读②写 3．计算机系统中的存储器分为__①___和___②____。在CPU执行程序时，必须将指令存在____③____中。 答案：①内存②外存③内存 4．主存储器的性能指标主要是①、②、存储周期和存储器带宽。 答案：①存储容量②存取时间 5．存储器中用①来区分不同的存储单元，1GB=②KB。 答案：①地址②1024X1024(或220) 6．半导体存储器分为①、②、只读存储器(ROM)和相联存储器等。 答案：①静态存储器(SRAM) ②动态存储器(DRAM) 7．RAM的访问时间与存储单元的物理位置①，任何存储单元的内容都能被② 答案：①无关②随机访问 8．存储揣芯片由①、②、地址译码和控制电路等组成。 答案：①存储体②读写电路 9．地址译码分为①方式和②方式。 答案：①单译码②双译码 10．双译码方式采用①个地址译码器，分别产生②和③信号。 答案：①两②行选通③列选通 11．若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有①条输出线；用双译码方式，地址译码器有②条输出线。 答案：①1024 ②64 12．静态存储单元是由晶体管构成的①，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要②。 答案：①双稳态电路②刷新(或恢复) 13．存储器芯片并联的目的是为了①，串联的目的是为了②。 答案：①位扩展②字节单元扩展 14．计算机的主存容量与①有关，其容量为②。 答案：①计算机地址总线的根数②2地址线数 15．要组成容量为4MX8位的存储器，需要①片4MXl位的存储器芯片并联，或者需要②片1MX3的存储器芯片串联。 答案：①8 ②4 16．内存储器容量为256K时，若首地址为00000H，那么末地址的十六进制表示是 答案：3FFFFH 17．主存储器一般采用①存储器件，它与外存比较存取速度②、成本③。 答案：①半导体②快③高 18．三级存储器系统是指______这三级： 答案：高缓、内存、外存
第10章半导体存储器 10.1 学习要求 （1）理解只读存储器的基本工作原理。 （2）掌握用只读存储器进行逻辑设计的方法。 （3）了解随机存取存储器的基本工作原理。 （4）了解扩展存储器容量的方法。 10.2 学习指导 本章重点： （1）只读存储器的工作原理。 （2）利用只读存储器进行逻辑设计。 本章难点： （1）只读存储器的工作原理。 （2）利用只读存储器进行逻辑设计。 本章考点： （1）利用只读存储器实现各种组合逻辑函数。 （2）利用只读存储器实现给定功能的逻辑电路。 （3）与、或阵列图的意义和用法。 10.2.1 只读存储器（ROM） 1．ROM的结构 ROM由地址译码器、存储矩阵和读出电路组成，如图10.1所示。ROM的特点是存入的内容固定不变，工作时只能读出（取出），不能存入（写入），且在断电后存入的信息仍能保持，常用于存放固定的信息。 存储矩阵是存储器的主体，由大量的存储单元组成。一个存储单元只能存储1位二进制数码1或0。通常数据和指令用M位的二进制数表示，称为一个字，M为字长。M个存储单元为一组，存储一个字，称为字单元。每个字单元有一个地址，按地
电子技术学习指导与习题解答 246 址来选择所需要的字。图10.1中W 0、W 1、…、1N -W 称为字单元的地址选择线，简称字线；D 0、D 1、…、1M -D 称为输出信息的数据线，简称位线。存储矩阵有N 条字线和M 条位线，M N ?表示存储器的存储容量，这是存储器的主要技术指标之一。 地址译码器的作用是根据输入的地址代码011n A A A -，从N （n N 2=）条字线中选择一条字线，以确定与地址代码相对应的字单元的位置。至于选择哪—条字线，则决定于输入的是哪一个地址代码。任何时刻，只能有一条字线被选中。被选中的那条字线所对应的字单元中的各位数码便经M 条位线传送到数据输出端。 A 0A 1 A 0 地 址输入 数据输出 … 图10.1 ROM 的结构示意图 2．ROM 的工作原理 如图10.2所示是一个由二极管构成的容量为44?的ROM 。 A 0 地址输入 地址译码器 存储矩阵 A 1 图10.2 二极管ROM 电路
第六章半导体存储器2学时基本知识： 1、半导体存储器的基本概念、以及性能技术指标； 2、半导体存储器的功能分类； 3、SRAM存储单元的基本电路结构； 4、RAM的读/写操作； 5、掩膜ROM的基本结构与基本特性； 6、可编程ROM的基本结构与基本特性； 重点知识： 1、正确理解存储容量的概念； 2、正确理解RAM的基本结构组成； 3、熟练掌握RAM存储容量的扩展方法； 4、正确使用常规半导体存储器； 难点知识： 1、半导体存储器的结构组成的理解；
课后练习:P383-7.1.2、7.1.52、RAM存储容量的扩展方法；
序言 随着半导体集成工艺的不断进步，电路的集成度越来越高。目前，大规模集成电路LSI日新月异，LSI电路的一个重要应用领域就是半导体存储器。 半导体存储器就是存储大量二值数据的半导体器件，是数字系统必不可少的组成部分。这种存储包括：存储文字的编码数据、存储声音的编码数据、存储图像的编码数据。 衡量存储器性能的重要计数指标——存储容量（目前动态存储器的容量可达10亿位/片）、存取速度（一些高速存储器的存取时间仅10nS）。
1、存储容量 存储器由若干存储单元组成，每个存储单元存放一位二进制数。由若干二进制数组成的二进制数代码称为一个字，字所包含二进制 数的位数称为字长。 可见，存放一个字长为M的字需要M个存储单元，且M个存储单元为一个信息单元。 所以：存储容量就是字数N（信息单元）与字长M（位数）的乘积（即存储单元的总数）。 如：64M×8=512M （其中64M为字数或信息单元，8为字长或位数，512M为存储单元）
第10章 半导体存储器及可编程逻辑器件 作业 10.4 画出把 256 ? 2 RAM 扩展成 512 ? 4 RAM 的连接图，并说明各片RAM 的地址范围。 解： 5124 4 (256 2 RAM)2562 ?=??片 扩展电路图图下： 地址范围： 87654321A A A A A A A A A （1）（2）0 0 0 0 0 0 0 0 0 ～0 1 1 1 1 1 1 1 1 000H ～0FFH （3）（4）1 0 0 0 0 0 0 0 0 ～1 1 1 1 1 1 1 1 1 100H ～1FFH 或者： 地址范围：RAM （1）和RAM （2）000H ～0FFH, RAM （3）和 RAM （4）100H ～1FFH, 10.5 RAM2112（256×4）组成如题图10.5所示电路。 （1）按图示接法，写出2112(1)至2112(4)的地址范围（用十六进制表示）。 （2）按图示接法，内存单元的容量是多少？若要实现2k×8的内存，需要多少片2112芯片？ （3）若要将RAM 的寻址范围改为B00H~BFFH 和C00H~CFFH ，电路应做何改动？ A 0 A 0 A 0 A 0 A 7 A 7 A 7 A 7 /R W D 0 D 1 A 8
题图10.5 解: （1） RAM2112（1）和RAM2112（2）：900H~9FFH RAM2112（3）和RAM2112（4）：E00H~EFFH （2） 内存容量：512×8 若实现2K×8需要28 2564K ??=16片 （3） 电路改为： 13Y Y →；64Y Y → 10.8 试确定如题图10.8所示各电路中RAM 芯片的寻址范围。 (a) (b) (c) 题图10.8 74LS138 A 8 A 9 A 10 A 11A 15 A 14 A 13 A A A 接2114(1)、 2114(2) CS 端 接2114(3)、 2114(4) CS 端 74138 A 8A 9A A A A A 接6116(1) CS 端 接6116(2) CS 端 74138
第4章存储器 1. 解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。 答：主存：主存储器，用于存放正在执行的程序和数据。CPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。 辅存：辅助存储器，用于存放当前暂不执行的程序和数据，以及一些需要永久保存的信息。 Cache：高速缓冲存储器，介于CPU和主存之间，用于解决CPU和主存之间速度不匹配问题。 RAM：半导体随机存取存储器，主要用作计算机中的主存。 SRAM：静态半导体随机存取存储器。 DRAM：动态半导体随机存取存储器。 ROM：掩膜式半导体只读存储器。由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读出而不能写入。 PROM：可编程只读存储器，由用户根据需要确定写入内容，只能写入一次。 EPROM：紫外线擦写可编程只读存储器。需要修改内容时，现将其全部内容擦除，然后再编程。擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。 EEPROM：电擦写可编程只读存储器。 CDROM：只读型光盘。 Flash Memory：闪速存储器。或称快擦型存储器。 2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息？按速度、容量和价格/位排序说明。 答：计算机中寄存器、Cache、主存、硬盘可以用于存储信息。 按速度由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘； 按容量由小至大排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘；
按价格/位由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘。 3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？计算机如何管理这些层次？ 答：存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。 Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，CPU访存速度加快，接近于Cache的速度，而寻址空间和位价却接近于主存。 主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，即从程序员的角度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存。 综合上述两个存储层次的作用，从整个存储系统来看，就达到了速度快、容量大、位价低的优化效果。 主存与CACHE之间的信息调度功能全部由硬件自动完成。而主存与辅存层次的调度目前广泛采用虚拟存储技术实现，即将主存与辅存的一部分通过软硬结合的技术组成虚拟存储器，程序员可使用这个比主存实际空间（物理地址空间）大得多的虚拟地址空间（逻辑地址空间）编程，当程序运行时，再由软、硬件自动配合完成虚拟地址空间与主存实际物理空间的转换。因此，这两个层次上的调度或转换操作对于程序员来说都是透明的。 4. 说明存取周期和存取时间的区别。 解：存取周期和存取时间的主要区别是：存取时间仅为完成一次操作的时间，而存取周期不仅包含操作时间，还包含操作后线路的恢复时间。即： 存取周期 = 存取时间 + 恢复时间 5. 什么是存储器的带宽？若存储器的数据总线宽度为32位，存取周期为200ns，则存储器的带宽是多少？ 解：存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。 存储器带宽= 1/200ns ×32位 = 160M位/秒 = 20MB/秒 = 5M字/秒 注意：字长32位，不是16位。（注：1ns=10-9s）
6 习题参考答案 6.1 ROM 有哪些种类？各有何特点？ 6.2 指出下列的ROM 存储系统各具有多少个存储单元，应有地址线、数据线、字线和位线各多少根？ 6.3 一个有16384个存储单元的ROM ，它的每个字是8位。试问它应有多少个字？有多少根地址线和数据线？ 6.4 已知 ROM 如图6.21所示，试列表说明ROM 存储的内容。 A 1 A 图6.21 题6.4的图 解： 存储的数据为01、11、00、10 6.5 ROM 点阵图及地址线上的波形图如图6.22所示，试画出数据线D 3～D 0上的波形图。 A 1 A 0 图6.22 题6.5的图
解： 10A A 3210D D D D 0 00 11 01 10 0 1 11 1 1 00 1 0 0 1 0 1 1 A 1A 0 D 0 D 1D 2 D 3 6.6 试用ROM 设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数。画出存储矩阵的 点阵图。 D B D B Y D B D A C D C B B A Y D C A D B A D C B A Y D ABC D C AB D C B A D C B A Y +=+++=++=+++=4321 解： 1234(5,10,13,14)(9,10,11,13) (1,3,4,5,6,7,9,10,11,13,14)(1,3,4,6,9,11,12,14) Y ABCD ABCD ABCD ABCD m Y ABCD ABD ACD m Y AB BCD ACD BD m Y BD BD m =+++=∑=++=∑=+++=∑=+=∑ A B C D Y 4 Y 3 Y 2 Y 1 输出 6.7 试用ROM 设计一个实现8421BCD 码到余3码转换的逻辑电路，要求选择EPROM 的容量，画出简化阵列图。 解：列写真值表，作电路图，选用16×4的EPROM 。
第4章存储器 1．解释概念：主存、辅存、Cache、RＡＭ、SＲAM、DRAＭ、ROＭ、ＰRＯＭ、ＥPROM、EＥPROM、CDRＯM、Flash Memｏry。 答:主存:主存储器,用于存放正在执行的程序和数据。ＣPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。 辅存：辅助存储器，用于存放当前暂不执行的程序和数据，以及一些需要永久保存的信息。 Caｃｈe：高速缓冲存储器,介于CPU和主存之间，用于解决ＣPＵ和主存之间速度不匹配问题。 RAM：半导体随机存取存储器，主要用作计算机中的主存。 SRAM:静态半导体随机存取存储器。 DＲAM:动态半导体随机存取存储器。 ROM:掩膜式半导体只读存储器。由芯片制造商在制造时写入内容,以后只能读出而不能写入。 PROM:可编程只读存储器,由用户根据需要确定写入内容,只能写入一次。 EPROM:紫外线擦写可编程只读存储器。需要修改内容时,现将其全部内容擦除，然后再编程。擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。 ＥEPRＯＭ:电擦写可编程只读存储器。 CDＲＯM:只读型光盘。 Ｆlasｈ Mｅｍoｒy：闪速存储器。或称快擦型存储器。 2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息？按速度、容量和价格/位排序说明。 答:计算机中寄存器、Caｃhe、主存、硬盘可以用于存储信息。 按速度由高至低排序为：寄存器、Ｃache、主存、硬盘; 按容量由小至大排序为：寄存器、Ｃache、主存、硬盘;
按价格/位由高至低排序为:寄存器、Caｃhe、主存、硬盘。 3．存储器的层次结构主要体现在什么地方?为什么要分这些层次?计算机如何管理这些层次？ 答：存储器的层次结构主要体现在Cacｈe－主存和主存-辅存这两个存储层次上。 Ｃaｃhe-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，ＣＰU访存速度加快,接近于Cａcｈｅ的速度，而寻址空间和位价却接近于主存。 主存－辅存层次在存储系统中主要起扩容作用,即从程序员的角度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存。 综合上述两个存储层次的作用，从整个存储系统来看，就达到了速度快、容量大、位价低的优化效果。 主存与CACHＥ之间的信息调度功能全部由硬件自动完成。而主存与辅存层次的调度目前广泛采用虚拟存储技术实现,即将主存与辅存的一部分通过软硬结合的技术组成虚拟存储器，程序员可使用这个比主存实际空间(物理地址空间）大得多的虚拟地址空间(逻辑地址空间)编程,当程序运行时，再由软、硬件自动配合完成虚拟地址空间与主存实际物理空间的转换。因此，这两个层次上的调度或转换操作对于程序员来说都是透明的。 4．说明存取周期和存取时间的区别。 解：存取周期和存取时间的主要区别是:存取时间仅为完成一次操作的时间，而存取周期不仅包含操作时间，还包含操作后线路的恢复时间。即： 存取周期 = 存取时间 + 恢复时间 5. 什么是存储器的带宽？若存储器的数据总线宽度为3２位，存取周期为 200ns,则存储器的带宽是多少? 解:存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。 存储器带宽 = 1/2０0ns ×3２位 = 160Ｍ位/秒 = ２０MB/秒＝5M字／秒注意：字长３２位,不是1６位。（注：1ns=１0-9s）
计算机组成原理第四章课后习题及答案-唐朔飞(完整版)
第4章存储器 1. 解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。 答：主存：主存储器，用于存放正在执行的程序和数据。CPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。 辅存：辅助存储器，用于存放当前暂不执行的程序和数据，以及一些需要永久保存的信息。 Cache：高速缓冲存储器，介于CPU和主存之间，用于解决CPU和主存之间速度不匹配问题。 RAM：半导体随机存取存储器，主要用作计算机中的主存。 SRAM：静态半导体随机存取存储器。 DRAM：动态半导体随机存取存储器。 ROM：掩膜式半导体只读存储器。由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读出而不能写入。 PROM：可编程只读存储器，由用户根据需要确定写入内容，只能写入一次。 EPROM：紫外线擦写可编程只读存储器。需要修改内容时，现将其全部内容擦除，然后再编程。擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。 EEPROM：电擦写可编程只读存储器。 CDROM：只读型光盘。 Flash Memory：闪速存储器。或称快擦型存储器。 2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息？按速度、容量和价格/位排序说明。 答：计算机中寄存器、Cache、主存、硬盘可以用于存储信息。 按速度由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘； 按容量由小至大排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘；
按价格/位由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘。 3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？计算机如 何管理这些层次？ 答：存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。 Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，CPU访存速度加快，接近于Cache的速度，而寻址空间和位价却接近于主存。 主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，即从程序员的角度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存。 综合上述两个存储层次的作用，从整个存储系统来看，就达到了速度快、容量大、位价低的优化效果。 主存与CACHE之间的信息调度功能全部由硬件自动完成。而主存与辅存层次的调度目前广泛采用虚拟存储技术实现，即将主存与辅存的一部分通过软硬结合的技术组成虚拟存储器，程序员可使用这个比主存实际空间（物理地址空间）大得多的虚拟地址空间（逻辑地址空间）编程，当程序运行时，再由软、硬件自动配合完成虚拟地址空间与主存实际物理空间的转换。因此，这两个层次上的调度或转换操作对于程序员来说都是透明的。 4. 说明存取周期和存取时间的区别。 解：存取周期和存取时间的主要区别是：存取时间仅为完成一次操作的时间，而存取周期不仅包含操作时间，还包含操作后线路的恢复时间。即： 存取周期 = 存取时间 + 恢复时间 5. 什么是存储器的带宽？若存储器的数据总线宽度为32位，存取周期为200ns，则存储器的带宽是多少？ 解：存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。 存储器带宽= 1/200ns ×32位 = 160M位/秒 = 20MB/秒 = 5M字/秒 注意：字长32位，不是16位。（注：1ns=10-9s）
第四章半导体存储器 主要内容 存储器概述 半导体读写存储器 只读存储器 主存储器的组成与寻址 高速缓冲存储器 8086/8088的主存储器 第一节存储器概述 一、存储器分类 存储器是计算机系统中的存储信息的部件，用来存储执行的程序和数据处理的结果。 存储器中的最小存储单位是一个二进制代码位，称为一个存储位(元)。 由若干个存储位（元）组合在一起 多个存储单元组成一个存储器(芯片) 1、按存储介质分类 存储介质应该具有两个明显区别的物理状态，表示二进制的0和1。存储器的读写速度与两个物理状态的改变速度相关。 例：磁盘存储器，磁带存储器 2、按存取方式分类 随机存储器单元的内容能够随机存取，存取时间与单元的物理位置无关。例如半导体存储器 顺序存储器单元的内容必须按照顺序来存取，存取时间与单元的物理位置相关。例如磁带存储器 半顺序存储器例如磁盘存储器 3、按存储器的读写功能分类 ROM）内容固定，能读不能写 RAM）能读也能写 4、按信息的可保存性分类 断电后信息能保存的，例如，磁盘存储器，ROM 断电后信息即消失的，例如，RAM 5、按串、并行存取方式分类 并行存储器、串行存储器 二、存储器系统的分级结构 采用三级存储结构 高速缓存内存，是CPU可直接访问。 主存储器 外部存储器外存，CPU不能直接访问。外存中的内容必须调入内存才能被CPU访问。
三、主存储器的技术指标 存储容量，存取时间，存储周期 ※存储容量：一个存储器芯片中可以存储的二进制位数的总数，称为存储器的存储 容量；存储容量常用位(b) 表示，如64Kb，512Kb，10Mb，1Kb=210b 1Gb=230b 1Mb=220b 1Tb=240b；存储容量反映了存储器的空间大小：存储器芯片的数据线有1位、4位、8位。芯片内部是将4位组合为一个单元；8位组合为一个单元 1个单元1位1个单元4位1个单元8位 存储器芯片的容量＝单元数×数据线位数(每个单元位数)，例如1K×4b，8K×8b ※存取时间：又称存储器访问时间，是指CPU给出有效的存储器地址（物理地址）到存储器输出有效数据所需要的时间。 ※存储周期：连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间。通常略大于存取时间，其时间单位为ns。 存取时间和存储周期反映了存储器的速度指标 第二节半导体读写存储器 双极型半导体存储器 半导体读写存储器 MOS半导体存储器静态MOS存储器(SRAM)；动态MOS存储器 (DRAM)；非易失MOS存储器（NVRAM） 优点：存取速度快，可靠性高，价格低；缺点：断电时，读写存储器不能保存信息 一、静态RAM的基本结构 双稳态触发器；X,Y地址线；读，写。六管基本存储电路－存储位（元） 一、基本结构及组成四部分（随机读写存储器的结构框图）
第四章存储器 一、填空题 1. 计算机中的存储器是用来存放的，随机访问存储器的访问速度与无关。√ 2. 主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。√ 3. 存储器中用来区分不同的存储单元，1GB= KB。√ 4. 半导体存储器分为、、只读存储器（ROM）和相联存储器等。√ 5. 地址译码分为方式和方式。√ 6. 双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。√ 7. 若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式，地址译码器有条输出线。√ 8. 静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要。√ 9. 存储器芯片并联的目的是为了，串联的目的是为了。 10. 计算机的主存容量与有关，其容量为。 11. 要组成容量为4M×8位的存储器，需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。 12. 内存储器容量为6K时，若首地址为00000H，那么末地址的十六进制表示是。 13 主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。 14 三级存储器系统是指这三级、、。 15 表示存储器容量时KB= ，MB= ；表示硬盘容量时，KB= ，MB= 。16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。 17 只读存储器ROM可分为、、和四种。 18 SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。 19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。 20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。 21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。 22 广泛使用的和都是半导体③存储器。前者的速度比后者快，但 不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息。 23 EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲。 24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。 25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。 【答案】①集中式②分散式③异步式 26 动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上，由于电路中存在，因此需要定期的不断地进行。
第四章主存储器习题 一、选择题：将正确的答案序号填在横线上 1．存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来存放 _____。 A．数据 B．程序C．微程序 D．程序和数据 2．若存储器的存储周期250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传送率为 _ _。 A. 4×106B/秒 B．4MB/秒 C．8×106B/秒D．8Mb/秒 3．按字节编址的存储器中，每个编址单元中存放______信息。 A．1位 B．8位 C．16位 D．64位 4．和外存储器相比，内存储器的特点是_____。 A. 容量大、速度快、成本低 B．容量大、速度慢、成本高 C．容量小、速度快、成本高 D．容量小、速度快、成本低 5．下列存储器中，属于非易失性存储器的是______。 A．RAM B．静态存储器 C．动态存储器 D．ROM 6．下列部件中存取速度最快的是______。 A．寄存器B．Cache C．内存D．外存 7. EPROM是指______。 A.读写存储器B．紫外线擦除可编程只读存储器C．闪速存储器 D．电擦除可编程只读存储器 8．若某单片机的系统程序不允许用户在执行时改变，则可以选用作为存储芯片。 A．SRAM B． Cache C． EEPROM D．辅助存储器 9．存储周期是指______。 A．存储器的读出时间 B．存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 C．存储器的写入时间 D．存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔 10.设某静态RAM 芯片容量为8K×8位，若由它组成32K×8的存储器，所用的芯片数及这种芯片的片内地址线的数目分别是_ ___。 A．4片，13根 B．4片，12根 C．6片，11根 D．4片，16根 11．若SRAM中有 4K个存储单元，采用双译码方式时要求译码输出线为_ _根。 A. 4096 B．64 C．128 D．1024 12.半导体静态存储器SRAM能够存储信息是______。 A．依靠双稳态电路 B．依靠定时刷新 C．依靠读后再生 D．信息不再变化 13．Cache 是指。 A．高速缓冲存储器 B. 主存 C．ROM D. 外部存储器 14．磁盘按盘片的组成材料分为软盘和。 A．磁带 B. 硬盘 C．磁鼓 D. 磁泡 15．磁表面存储器是以作为记录信息的载体。 A．塑料介质 B. 磁介质