Diffusion扩散，传播diffusion furnaces扩散炉facility设施设备quartz石英
Tube管子，管，真空管diameter直径transformer变压器pipe管子；笛子
Valve阀门；阀flowmeter流量计resemble像；很像wafers晶圆profile规范；概要Vent通风口；出口；排放exhaust排气；排放装置etiquette礼仪；礼节
chain smoker老烟枪optics光学MIT麻省理工学院align排列；对准
mesa transistor台面型晶体管geometry几何学，图形emitter发射者；发射体base基区emulsion感光剂；乳状液masking plate掩模板expose使··曝光mercury lamp汞灯aluminum铝ohmic欧姆的ohmic contanct欧姆接触moderately相当地dope掺杂antimony锑boron硼yield成品率prevail流行；成功；优先tentative试验的；暂时的advertising campaign广告宣传silicon硅portfolio业务量despite尽管
diffusion capacitance扩散电容quartz crystal石英晶体tube diode真空二极管
Program Overview and File程序概要和文件exhaust valve排气阀exhaust algorithm穷举算法chain break链中断optics design光学设计mesa diffusion台面扩散
Geometry Theorem Prover几何学定理证明emitter follower射极跟随器Base Band基带Mercury tank水银槽ohmic resistance 欧姆电阻doped oxide diffusion掺杂氧扩散
Yield criteria合格率标准tentative table of equipment 试行设备表
silicon MESFET process硅金属半导体场效应晶体管工艺
epitaxial（晶体）取向附生的；外延的micrologic显微科学的WESCON(Western Electronic Show and Convention)西部电子展览和会议shift register移位寄存器inverter反相器
order of magnitude数量级isolation绝缘；隔离isolation diffusion隔离扩散result in造成warpage热变形；扭曲IC(integrated circuits)集成电路obsolete废弃的，过时的RTL(resistor transistor logic)电阻晶体管逻辑（电路）DTL（diode transistor logic）二极管晶体管逻辑（电路）unilaterally单方地IRE（Institute of Radio Engineers）无线电工程师学会NAND gate与非门discrete分立的discrete component分立元件the crowd大众Revenue收入hide躲藏；隐瞒reliability可靠性vibration振动；颤动
vibration test振动测试explosive爆炸的trigger触发；发射capacity容量
estimate估计climb on the bandwagon赶时髦cycle time周期overall从头到尾；总的inertial guidance惯性制导flight control飞行控制ground地Texas Instruments德克萨斯（德州）仪器RCA美国无线电公司General Electric通用电气公司Autonetics自动控制学qualification资格；限制；执照shift register latch移位寄存器锁存电路isolation barrier隔离势垒isolation region隔离区isolation masking隔离掩蔽
isolation leakage隔离漏流discrete IC分立集成电路revenue bond收益债券
revenue tax财政关税hidden field隐式字段reliability statistics可靠性统计
vibration noise振动干扰inertial mass惯性质量ground base共基极接地
qualification test合格性试验ground circuit接地电路qualification time鉴定时间qualification phase限定相位mulish执拗的unyielding不易弯曲的obstinate顽固的persistent坚持不懈的Utah犹他州Salt Lake City盐湖城solid state固态responsibility责任priority优先权field effect场效应FET场效应晶体管
originate from源于doctorate博士学位flip-flop触发器amplifier放大器gate栅oxide氧化物aluminum铝deposit放置，淀积vaccum真空oxidation氧化threshold voltage阈值电压drain漏fabrication制造instability不稳定性
pinch-off夹断pinch-off voltage夹断电压alloy合金standby备用的
power density功率密度triode三级真空管circuitry电路packing density存储密度patent专利complementary互补的persistent registration持久性定位solid unit固态器件
gate region栅区gate oxide thickeness栅氧化层厚度vacuum tube真空管
oxidation film氧化膜oxidation mask氧化掩膜threshold control阈值控制
alloying reaction熔合反应Standby Power Supply备用电源
general perpose通用的operational amplifier运算放大器industry standards工业标准plug-in插入式的overload protection过载保护freedom from没有identical to和··完全不同operational control unit运算控制单元plug and play即插即用latch mode锁存模式overload circuit breaker过载断路器identical operation恒等运算Schottky-clamped肖特基箝位memory-decoding存储译码data routing数据选择propagation delay time传播延迟时间access time存取时间negligible可忽略不计的demultiplexing多路输出选择Schottky Clamped Transistor肖特基箝位晶体管Schottky Barrier肖特基势垒
Access Register存取寄存器
Power功耗channel通道serial串行ADC模数转换器data-acquisition数据采集Multiplexer多路复用器bandwidth带宽track/hold采样/保持interface接口
Ultra极端的single +5V supply +5V单电源analog input模拟输入single-ended单端Differential差分的unipolar/bipolar单极的/双极的TM(trade mark)商标strobe选通Family系列digital signal processor数字信号处理器successive逐次的approximation 逼近的reference基准drift漂移ppm（parts per million）百万分之几buffer缓冲Amplifier放大器gain增益trim微调LSB（least significant bit）最低有效位pin引脚Quantization error量化误差power-down断电power up加电shut down关闭
sampling rate抽样率DIP（dual in-line package）双列直插式封装
SO package（small outline package）小外形SOP SSOP（shrink-small-outline package）缩小型SOP anti-aliasing filter抗混叠滤波器data sheet数据表capacitor电容float悬空Falling edge下降沿impedance阻抗clock period时钟周期rising edge上升沿
Duty cycle占空比circuitry电路flexible可变的microprocessor微处理器block diagram 框图pseudo伪的differential input差分输入comparator比较器equivalent相等的With respect to关于span跨越cycle周期restore恢复binary-weighted capacitor二进制加权电容General Input总输入General Register通用寄存器Analog to Digital Converter模数转换Multiplexer circuit多路转换电路Ultra Large Scale IC超大规模集成电路differential amplifier差动放大器unipolar transistor单极晶体管bipolar COMS双极型互补金属氧化物半导体Digital Clock Pulse数字时钟脉冲Reference Voltage参考电压Gain margin增益裕度quantization noise量化噪声SOJ J型引脚小外形封装TSOP薄小外形封装VSOP甚小外形封装TSSOP薄的缩小型SOP SOT小外形晶体管
SOIC小外形集成电路impedance mismatch阻抗失配flexible printed circuit柔性印制电路
Ion implantation离子注入molecule分子electric field电场target靶子；目标
A wide variety of各种各样的dose剂量substrate基板；衬底crystal structure晶体结构Incidence发生phosphorus磷dope掺杂homogeneity同质性reproducibility可重复性profile剖面concentration浓度relatively比较而言nitride氮化物
penetration刺穿；渗透penetration depth穿透深度gradient梯度sequence序列optimization最佳化dopant掺杂property性质restricted to限于domain领域shallow浅的theoretical理论上trajectory轨道distribute分配collision碰撞randomly随机的impact冲击力arsenic砷的crystalline silicon单晶硅dominant支配channel effect沟道效应tail尾巴tendency趋势saturate浸透，饱和conventional通常的tilt倾斜simulation仿真thermal vibration热振动interaction相互作用
ion absorption离子吸收ion beam etching离子束蚀刻ion laser离子激光
dose of medicine药剂量substrate interconnection衬底互连incidence zone入射区optimization cost优化成本dopant diffusion掺杂剂扩散domain name域名
shallow binding浅结合distributed capacitance分布电容collision channel冲突通道randomly distributed data随机分布数据impact strength冲击强度impact response击打响应channeling diode沟道二极管conventional model传统模型thermal conduction热传导Simulation Analysis and Modeling模拟分布与模型化thermal agitation noise热噪声Thermal oxidation热氧化elevate提升angstroms埃inclination低下来ambient环境Room temperature室温oxidation furnace氧化炉diffusion furnace扩散炉cabinet机壳Fuse熔断quartz石英tube管undergo经受；承担heating coil加热线圈Glassware玻璃制品paddles短桨oxidizing agent氧化剂dry oxidation干法氧化
Wet oxidation湿法氧化silicon硅silicon dioxide二氧化硅relative density相对密度Parabolic抛物线hamper妨碍empirically经验地halogen卤素flux变化Ambient condition环境条件ambient noise环境噪音ambient temperature环境温度Quartz crystal石英晶体quartz oscillator石英振荡器undergo change历经变化
Quartz Crystal Frequencey Oscillator石英晶体频率振荡器undergo examination受到审讯Undergo experience经历undergo surgery接受手术undergo punishment遭受处罚Heating and ventilation供暖和通风heating effect热效应heating time加热时间
Silicon chip硅片silicon dioxide layer二氧化硅层relative accuracy相对精度
Relative divergence相对偏差relative magnitude相对值parabolic antenna抛物线天线Flux coating焊剂涂敷flux counter磁通计数器flux leakage漏磁
Assemble装配packaging封装manufacture制造transform改变semiconductor半导体functional product功能产品end user终端用户electrical connection电连接Transmission传送thermal dissipation热损reliability可靠性innovation革新Architecture 建筑system integration系统集成expansion膨胀wireless无线的
Bio-chips生物芯片optoelectronics光电子学scale等级gap间隙diversification多样化MEMS：Micro Electro Mechanical System微电子机械系统slack松弛mechanism混合SIP(system-in-package)系统芯片functional density功能密度printable可印刷的Embedded devices嵌入式器件emerging新兴的regulatory管理的assemble cell装配单元packaging technique组装技术transforming principle转化要素
semiconductor junction半导体结transmission band传输频带expansion connector扩展接口System Application Architecture系统应用程序体系wireless terminal无线终端
chip addressing芯片寻址gap junction间隙结合gap length间隙长度slack business松弛业务slack variable松弛变量mechanism design机械设计printable character可打印字符emerging technology新兴技术pin assignment引脚分配pin configuration引脚配置category construction类别构造identical equation恒等方程identical entry恒等项
fan out扇出perspective view透视图perspective projection透视投影portable terminal 便携式终端stacked graph叠式图stacked interrupt栈式中断minimal automaton最小自动化precision coding精确编码precision instrument精密仪器alignment pattern对准模式alignment requirement校准请求absorption spectrum吸收谱absorption coefficient吸收系数refractive index折射率scattering layer散射层coupling capacitance耦合电容filter condition筛选条件filter factor过滤因子
dielectric layer介电层impedance bridge阻抗电桥impedance mismatch阻抗失配
integrated passive devices（IPD）集成无源器件exclusive专有地filter过滤器resistive电阻性的inductive电感性的capacitive电容性的capacitor电容器
polymer聚合物dielectric电介质impedance阻抗RF-signal射频信号cellular网眼的thin film薄膜mountable可安装的bondable能捆绑的alumina氧化铝
filter conditions筛选条件filter plate滤光板dielectric breakdown电介质击穿
dielectric constant介电常数dielectric isolation电介质隔离法
微电子技术在医学中的应用 随着科技的迅速发展，和医疗水平息息相关的电子技术应用也越来越广泛。微电子技术的发展大大方便了人们的生活，随着微电子技术的发展，生物医学也在快速的发展，微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路，在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。微电子技术与生物医学之间有着非常紧密的联系。 生物医学电子学是由微电子学、生物和医学等多学科交叉的边缘科学，为使得生物医学领域的研究方式更加精确和科学，所以将电子学用于生物医学领域。在生物医学与电子学交叉作用部分中最活跃、最前沿、作用力最大的一项关键技术就是微电子技术。特别是随着集成电路集成度的提高和超大规模集成电路的发展，元件尺寸达到分子级，进入了分子电子学时代，用有机化合物低分子、高分子和生物分子作芯片，它们具有识别、采集、记忆、放大、开关、传导等功能，更大大促进了医学电子学的发展。 以下将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 一、生物医学传感器 生物医学传感器是连接生物医学和电子学的桥梁。它的作用是把人体中和生物体包含的生命现象、性质、状态、成分和变量等生理信息转化为与之有确定函数关系的电子信息。生物医学传感器技术是生物医学电子学中一项关键的技术，是发展生物技术必不可少的一种先进的检测方法与监控方法，也是物质分子水平的快速、微量分析方法。因为生物传感器专一、灵敏、响应快等特点，为基础医学研究及临床诊断提供了一种快速简便的新型方法，在临床医学中发挥着越来越大的作用，意义极为重大。 常见的生物医学传感器主要可分为以下几种：电阻式传感器，电感式传感器，电容式传感器，压电式传感器，热电式传感器，光电传感器以及生物传感器等。 医学领域的生物传感器发挥着越来越大的作用。在临床医学中，酶电极是最早研制且应用最多的一种传感器。利用具有不同生物特性的微生物代替酶，可制成微生物传感器，广泛应用于：药物分析、肿瘤监测、血糖分析等。 生物医学传感器相较于传统医疗方式具有以下特点： 1、生物传感器采用固定化生物活性物质作催化剂，价值昂贵的试剂可以重复多次使用，克服了过去酶法分析试剂费用高和化学分析繁琐复杂的缺点。因此，这一技成本低，在连续使用时，每例测定仅需要几分钱人民币，术在很大程度上减轻病患医疗费用上的负担。
微电子学专业词汇 A be absorb in 集中精力做某事 access control list 访问控制表 active attack 主动攻击 activeX control ActiveX控件 advanced encryption standard AES,高级加密标准 algorithm 算法 alteration of message 改变消息 application level attack 应用层攻击 argument 变量 asymmetric key cryptography 非对称密钥加密 attribute certificate属性证书 authentication 鉴别 authority 机构 availability 可用性 Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火
微电子技术及其应用 041050107陈立 一、微电子技术简介 如今，世界已经进入信息时代，飞速发展的信息产业是这个时代的特征。而微电子技术制造的芯片则是大量信息的载体，它不仅可以储存信息，还能处理和加工信息。因此，微电子技术在如今已是不可或缺的生活和生产要素。 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。 作为电子学的分支学科，它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用性强。微电子学又是信息领域的重要基础学科，在这一领域上，微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学，是研究信息获取的科学，构成了信息科学的基石，其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。 微电子学是一门综合性很强的边缘学科，其中包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化）、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术迅速发展的动力。 微电子学渗透性强，其他学科结合产生出了一系列新的交叉学科。微机电系统、生物芯片就是这方面的代表，是近年来发展起来的具有广阔应用前景的新技术。 二、微电子技术核心—-集成电路技术 集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”。 集成电路的分类 1．按功能结构分类 集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成
A Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区 Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation 雪崩激发B brute-force attack 强力攻击Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency 基区输 运系数 Base-width modulation 基区宽度 调制Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT) 双极晶体管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体 立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自 举射极跟随器 Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿 Break over 转折 Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/ 体内 Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化 Burn out 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散 区 C Caesar cipher 凯撒加密法 capacitance 电容 capture categorize 分类 chaining mode 链接模式 challenge 质询 cipher feedback 加密反馈 collision 冲突 combine 集成 compatibility n.[计]兼容性 component 原件 confidentiality 保密性 constraint 约束 corresponding to 相应的 Cryptography 密码学 Can 外壳Capacitance 电容 Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Cascade 级联 Case 管壳 Cathode 阴极 Center 中心 Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻 抗 Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电 荷补偿效应 Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中 性条件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/st 1
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum（Aluminium）铝 Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue（Analog） comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic （AS）砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管
聚酰亚胺在微电子领域的应用及研究进展王正芳 发表时间：2019-10-23T14:56:28.063Z 来源：《电力设备》2019年第10期作者：王正芳张馨予 [导读] 摘要：随着科技的深入发展，半导体和微电子工业已经成为国民经济的支柱性产业。 （天津环鑫科技发展有限公司天津市 30000） 摘要：随着科技的深入发展，半导体和微电子工业已经成为国民经济的支柱性产业。微电子工业的发展，除了设计、加工等本身技术的不断更新外，各种与之配套的材料的发展也有着十分重要的支撑作用。电子产品的轻量化、高性能化和多功能化使得其对高分子材料的要求也越来越高。聚酰亚胺(PI)可以说是目前电子化学品中最有发展前途的有机高分子材料之一。其优异的综合性能可满足微电子工业对材料的苛刻要求，因此得到了广泛的重视。 关键词：聚酰亚胺；PI薄膜；应用 信息产业的迅速发展除了技术的不断更新外，各种配套材料的发展同样占据着十分重要的地位。为微电子工业配套的专用化学材料通常称为“电子化学品”，其主要包括集成电路和分立器件用化学品、印刷电路板配套化学品、表面组装用化学品和显示器件用化学品等。电子化学品具有质量要求高、用量少、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更新换代快等特点。同时PI具有比无机介电材料二氧化硅、氮化硅更好的成膜性能和力学性能，对常用的硅片、金属和介电材料有很好的粘结性能，聚酰亚胺（PI）薄膜具有良好的耐高低温性能、环境稳定性、力学性能以及优良的介电性能，在众多基础工业与高技术领域中均得到广泛应用。 一、PI发展及在微电子领域的应用 截至目前，PI已经成为耐热芳杂环高分子中应用最为广泛的材料之一，其大类品种就有20多种，较为著名的生产厂家包括通用电气公司GE、美国石油公司等，由于具有很好的热力学稳定性、机械性能及电性能，PI被广泛应用于半导体及微电子行业。可以说，微电子产业的发展水平，离不开PI材料的贡献。PI主要的应用包括下面方面。 1、α粒子的屏蔽层航空航天、军用集成电路在辐射环境中，遭受射线辐射后会发生性能劣化或失效，进而导致仪器设备的失控，因此其抗辐射的性能非常重要。高纯度（低杂质）的PI涂层是一种重要的耐辐射遮挡材料。在元器件外壳涂覆PI遮挡层，可有效防止由微量放射性物质释放的射线而造成的存储器错误。 2、元器件的金属层间介质以及先进封装的再布线技术材料。PI在微电子领域的很多应用，都是出于其优良的综合性能而不是单一特性，某些类似的应用可以发生在不同的领域中，一些应用情况也可以有多重的目的以及名称，因此在介绍文章的描述中，容易产生混乱。由于PI较低的介电常数减少电路时延和串扰，与其他材料的较好的粘附性防止脱离，常用金属材料在其中较低的扩散可靠性，挥发放气极低，以及良好的成膜和填平性，因此可作为多层金属互联结构的层间介质材料（ILD)，缓和应力，提高集成电路的速度、集成度和可靠性。类似的考虑也导致其作为先进封装的再布线RDL技术的首选介质材料，用于一般晶圆级的封装WLP中的扇入（Fan-in)和扇出（Fan-out)技术，以及多芯片组件（MCM）等技术中的再布线工艺。 3、微电子器件的钝化层\缓冲\填充\保护层。PI涂层作为钝化层，可有效地改善界面状况，阻滞电子迁移、降低漏电流，防止后序工艺和使用过程中的机械刮擦和表面污染，也可有效地增加元器件的抗潮湿能力。作为缓冲层（Stress Buffer）可有效地降低由于热应力和机械应力引起的电路崩裂断路。单层PI膜，往往同时起到化学钝化、机械保护、空间填充/平坦化的多重功能。此外，PI在微电子产业中的重要潜在应用还有：生物微电极（良好的生物相容性），以及光电材料（波导、开关器件），微电机（MEMS）工艺材料等。这些都是目前发展十分迅速的新兴技术领域，预示着这种介质材料的光明市场前景。尽管PI材料在微电子领域的市场前景十分广阔，且该领域与其他传统材料领域的也有很大不同，体现在初期体量小成本高，对材料的性能质量要求苛刻，而且呈现多样性特点，比如希望进一步降低介电常数，提高/降低玻璃化转变温度，降低吸水率等。在技术方面，它还面临着其他类似材料比如苯并环丁烯（BCB）聚合物，聚苯并唑（PBO）等的激烈竞争。 4、含氟PI在光波导材料中的应用。近年来，关于聚合物光波导材料的开发研究日益受到人们的重视。与传统的无机光波导材料相比，有机聚合物光波导材料具有如下特点:(1)较高的电光耦合系数;较低的介电常数;较短的响应时间和较小的热损耗;(2)加工工艺简单经济，无须高温加热处理，只要通过匀胶、光刻等工艺即可制得复杂的光电集成器件，而且器件具有轻巧、机械性能好的特点，适用于制作大型光学器件和挠性器件。目前研究较多的聚合物光波导材料包括氟代、氘代的聚甲基丙烯酸甲酯、含氟聚酰亚胺、含氟聚芳醚以及聚硅氧烷等[1]。含氟聚酰亚胺不仅具有传统聚酰亚胺材料所具有的耐高温、耐腐蚀、机械性能优良等性质，而且还具有溶解性能优异、低介电常数、低吸水率、低热膨胀系数等特性，因此非常适于制造光波导材料。 5、含氟PI在非线性光学材料中的应用。常用的非线性光学材料包括无机材料，如铌酸锂(LiNbO3)和有机聚合物材料，如聚酰亚胺等。聚合物作为非线性光学材料具有比无机材料更为明显的非线性光学效应、更快的响应速度以及低得多的介电常数。同时聚合物材料还具有结构多样、加工性能优越、与微电子技术和光纤技术具有良好适应性等特点，因此应用越来越广泛。与无机材料相比，PI材料具有非线性系数大、响应时间短、介电常数低、频带宽、易合成等特性，同时还具有优良的热性能、电性能、机械性能以及环境稳定性能等，而且可以与现有的微电子工艺良好地兼容，可在各种基材上制备器件，特别是可以制作多层材料，达到垂直集成，这是现有的铌酸锂等无机材料做不到的。含氟PI在保持PI固有的优良特性的同时，极大地改善了PI的溶解性，这就避免了聚酰胺酸在热亚胺化过程中，由于脱除小分子水留下“空穴”而引起光散射。 二、PI超薄膜未来发展趋势 PI超薄膜是近年才发展起来的一类高性能高分子薄膜材料，优异的综合性能很快确立了其在有机薄膜材料家族中的顶端地位。目前，PI超薄膜的发展方向主要体现在两个方面：一是标准型Kapton薄膜的超薄化；另一个是功能性PI超薄膜的研制与开发。对于前者而言，Kapton薄膜本身优良的热学与力学性能保证了其在超薄化过程中性能的稳定，其主要技术瓶颈更多地在于制备设备与制膜工艺参数的优化与调整。而对于功能性PI超薄膜而言，其性能不仅与设备和工艺有着密切的关系，而且树脂结构的分子设计以及新合成方法的研究也起着至关重要的作用。如何在保证特种功能的前提下，尽可能地保持PI薄膜固有的力学性能、热性能等是一项极具挑战性的研究课题，也是未来一项主要研究课题。 超薄型PI薄膜在现代工业领域中具有广泛的应用前景。国外十分重视这类材料的研制与开发，已经有批量化产品问世。由于PI超薄膜的应用领域较为特殊，国外对该材料的出口限制十分严格，某些品种甚至是对我国禁售的，这就需要国内尽早开展相关研究与产业化工
微电子科学与工程专业 一、培养目标 本专业培养德、智、体等方面全面发展，具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力，能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。 二、专业特色 微电子科学与工程是在物理学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造学等多个学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科。微电子技术是近半个世纪以来得到迅猛发展的一门高科技应用性学科，是21世纪电子科学技术与信息科学技术的先导和基础，是发展现代高新技术和国民经济现代化的重要基础，被誉为现代信息产业的心脏和高科技的原动力。本专业主要学习半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件，集成电路设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等方面的基础知识和实践技能，培养出来的学生在微电子技术领域初步具有研究和开发的能力。 三、培养标准 本专业学生要求在物理学、电子技术、计算机技术和微电子学等方面掌握扎实的基础理论，掌握微电子器件及集成电路的原理、设计、制造、封装与应用技术，接受相关实验技术的良好训练，掌握文献资料检索基本方法，具有较强的实验技能与工程实践能力，在微电子科学与工程领域初步具有研究和开发的能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 1. 具有较好的人文科学素养、创新精神和开阔的科学视野； 2. 树立终身学习理念，具有较强的在未来生活和工作中继续学习的能力； 3. 具有较扎实的自然科学基本理论基础； 4. 具备微电子材料、微电子器件、集成电路、集成系统、计算机辅助设计、封装技术和测试技术等方面的理论基础和实验技能； 5. 了解本专业领域的科技发展动态及产业发展状况，熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规； 6.掌握文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法； 7.具有归纳、整理和分析实验结果以及撰写论文、报告和参与学术交流的能力。 77
微电子技术在生物医学中的应用 摘要：微电子技术与生物学之间有着非常紧密的联系。一方面微电子技术的发展，将大大地推动生物医学的发展，另一方面生物医学的研究成果同样也将对微电子技术的发展起着巨大的促进作用。在这里我将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 关键字：微电子技术生物医学 一、引言 生物医学电子学是由微电子学、生物和医学等多学科交叉的边缘科学，为使得生物医学领域的研究方式更加精确和科学，所以将电子学用于生物医学领域。在生物医学与电子学交叉作用部分中最活跃、最前沿、作用力最大的一项关键技术就是微电子技术。特别是随着集成电路集成度的提高和超大规模集成电路的发展，元件尺寸达到分子级，进入了分子电子学时代，用有机化合物低分子、高分子和生物分子作芯片，它们具有识别、采集、记忆、放大、开关、传导等功能，更大大促进了医学电子学的发展。下面将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 二、生物医学传感器 生物医学传感器的作用是把生物体和人体中包含的生命现象、状态、性质、变量和成分等生理信息（包括物理量、化学量、生物量等）转化为与之有确定函数关系的电信息。生物医学传感器是生物医学电子学中最关键的技术，它是连接生物医学和电子学的桥梁。主要可分为如下几类：电阻式传感器，电容式传感器，电感式传感器，压电式传感器，光电传感器，热电式传感器，光线传感器，电化学传感器以及生物传感器等。它通过各种化学、物理信号转换器捕捉目标物与敏感膜之间的反应，然后将反应程度用连续的电信号表达出来，从而得出被检测样品的浓度。生物医学传感器的微型化和集成化是其中最重要的发展方向之一，其主要原因：1）它是实现生物医学设备微型化、集成化的基础；2）将使得生物医学测量和控制更加精确——达到分子和原子水平。是生物体成分(酶、抗原、抗体、激素、DNA) 或生物体本身(细胞、细胞器、组织)，它们能特异地识别各种被测物质并与之反应；后者主要有电化学电极、离子敏场效应晶体管( ISFET ) 、热敏电阻器、光电管、光纤、压电晶体(PZ) 等，其功能为将敏感元件感知的生物化学信号转变为可测量的电信号。因而它具有快速大量处理信息的能力，和诊断精确的特点。 常见的生物医学传感器主要可分为以下几种：电阻式传感器，电感式传感器，电容式传感器，压电式传感器，热电式传感器，光电传感器以及生物传感器等。 医学领域的生物传感器发挥着越来越大的作用。在临床医学中，酶电极是最
微电子技术的发展与应用研究 微电子技术的发展与应用研究,电子科学, 于功成约2612字 [摘要]微电子技术的迅速发展极大地推动了社会的进步，其应用领域也越来越广泛，现在已经成为衡量一个国家科学技术和综合国力的重要标志。论述微电子技术的发展现状及应用情况，并指明其未来的发展方向。 [关键词]微电子技术硅基CMOS 芯片 中图分类号:TN4文献标识码:A文章编号:1671,7597(2008)0420018,01 1946年2月美国莫尔学院研制成功的第一台电子数值积分器和计算器，是一个由18000个电子管组成，占地150平方米，重30吨的庞然大物。而现代社会由于微电子技术的发展，已进人系统集成芯片的时代，可将整个系统或子系统集成在一个硅芯片上。与传统电子技术相比，微电子技术的主要特征是器件和电路的微小型化。在21世纪，微电子技术已经成为改变生产和生活面貌的先导技术。 一、微电子技术的发展现状 在1948年贝尔实验室的科学家们发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑，1958年硅平面工艺的发展和集成电路的发明是第二个理程碑，1971年微机的问世是微电子技术第三个里程碑，之后出现了今天这样的以集成电路技术为基础的电子信息技术和产业。 微电子技术的核心是集成电路( IC)，它将继续沿着集成电路特征尺寸，不断缩小，集成电路( IC) 向着系统集成(SOC) 发展的道路走下去。以存储技术为代表的半导体集成电路遵守著名的Moore定律，即:在过去的30多年里，大约每三年集成度增加四倍，特征尺寸缩小为原尺寸的倍，而且在可以预知的未来，这种趋势仍将继续保持下去。(见表1 微电子技术的进步)。
微电子技术在医学中的应用 管思旭 096314 自动化 摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。微电子技术的发展大大方便了人们的生活。它主要应用于生活中的各类电子产品，微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路，在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。 一、微电子技术 1.定义 微电子技术，顾名思义就是微型的电子电路。它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。 微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片(如硅和砷化镓) 上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。它的特点是体积小、重量轻、
可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。 2.发展历史 微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。它的发展史其实就是集成电路的发展史。1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管，不就美国科学家发明了三极管。电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。它被广泛应用于各个领域。1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。体积微小的晶体管使集成电路的出现有了可能。之后,美国得克萨斯仪器公司的基比尔按其思路,于1958 年制成了第一个集成电路的模型,1959 年德州仪器公司宣布发明集成电路。至此集成电路便诞生了。集成电路发明后,其发展非常迅速,其制作工艺不断进步,规模不断扩大。至今集成电路的集成度已提高了500 万倍,特征尺寸缩小200 倍,单个器件成本下降100 万倍。 3.微电子技术的应用 微电子技术广泛应用于民用、军方、航空等多个方面。现在人类生产的电子产品几乎都应用到了微电子技术。可以这么说微电子技术改变了我们的生活方式。 微电子技术对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。价廉、可靠、
微电子专业英语词汇Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminum) 铝 Aluminum oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒
Abrupt junction 突变结['brpt] 突然的；Accelerated testing 加速实验[k'selreitid] Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子['tm] n. 原子 Accumulation [,kju:mju'lein]积累,堆积Accumulating contact(n. 接触，联系)积累接触 Accumulation region['ri:dn]地区积累区 Accumulation layer['lei] 层积累层 Active region 有源区['ktiv]积极的,有源的 Active component [km'punnt]元件有源元Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance [d'mitns]导纳 Allowed band [bnd]带允带 Alloy-junction device ['l]合金结器件 Aluminum(Aluminium) ['lju:minm]铝Aluminum – oxide ['ksaid]铝氧化物 Aluminum passivation [psi'vein]钝化铝钝化 Ambipolar [,mbi'pul]双极的 Ambient temperature ['mbint]环境温度Amorphous ['m:fs]无定形的，非晶体的 Amplifier ['mplifai]功放扩音器放大器Analogue(Analog) ['nlɡ] comparator ['kmpreit]模拟比较器 Angstrom ['strm]埃Anneal ['ni:l]退火 Anisotropic [n,aisu'trpik]各向异性的Anode ['nud]阳极 Arsenic ['ɑ:snik (AS) 砷 Auger [':ɡ]俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche ['vlɑ:nt]雪崩 Avalanche breakdown(击穿) 雪崩击穿Avalanche excitation [,eksi'tein](激发)雪崩激发 Background(背景,本底,基底) carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂Backward ['bkwd]反向 Backward bias ['bais](偏置,)偏爱反向偏置Ballasting ['blst] resistor 整流电阻 Ball bond [bnd](结合)球形键合Band 能带 Band gap [ɡp](间隙)能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier ['bri] width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应Base transit(运输)time基区渡越时间 Base transport efficiency [i'finsi](效率)基区输运系数 Base-width modulation [,mdju'lein(调制)基区宽度调制 Basis vector ['vekt]矢量基矢 Bias 偏置 Bilateral [,bai'ltrl]switch 双向开关Binary ['bainri]code(代码)二进制代码Binary compound semiconductor二元化合物半导体 Bipolar [bai'pul]双极性的 Bipolar Junction Transistor (晶体管)(BJT)双极晶
微电子技术的发展和应用微电子技术的发展和应用 摘要微电子在人们的日常生产生活中扮演着重要的角色，直接影响到人们正常的生产生活。本文分析了微电子技术的发展历史，同时对微电子技术的应用做出了探讨。希望通过本文，让同学们对微电子技术的发展和应用有更深入的了解。 关键词微电子技术；发展历史；应用；发展趋势 1 微电子技术概述 从本质上来看，微电子技术的核心在于集成电路，它是在各类半导体器件不断发展过程中所形成的。在信息化时代下，微电子技术对人类生产、生活都带来了极大的影响。与传统电子技术相比，微电子技术具备一定特征，具体表现为以下几个方面：①微电子技术主要是通过在固体内的微观电子运动来实现信息处理或信息加工。②微电子信号传递能够在极小的尺度下进行。③微电子技术可将某个子系统或电子功能部件集成于芯片当中，具有较高的集成性，也具有较为全面的功能性。④微电子技术可在晶格级微区进行工作[1]。 2 微电子技术的发展历史 微电子技术是一门以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，其具有工作速度快、重量轻、体积小、可靠性高等诸多优点。微电子技术是一项起源于19世纪末20世纪初的新兴技术，微电子技术的发展史从某种意义上说是集成电路的发展史。 现阶段大规模集成电力的集成度代表着微电子技术的发展水平。从集成电路在1958年被发明以来，集成电路的发展规律依然遵循着“摩尔定律”，即DRAM 的储存量每隔3年就变为原来的4倍，集成电路芯片上的元件数量每18个月增加1倍。微电子技术的发展历程如下，美国贝尔实验室于1947年制造出第一个晶体管，这为制造体积更小的集成电路奠定了相关的技术基础。1958年美国德克萨斯仪器公司的基比尔于研究员制造出第一个集成电路模型，并于次年该公司宣布发明了第一个集成电路。1959年美国仙童公司将微型晶体管的制造工艺—“平面工艺”经过一定的技术改进后用于集成电路的制造过程中，实现了集成电路由实验阶段向工业生产阶段的过渡。1964年相关的技术人员又研制出PMOS 集成电路，大大减小了集成电路的体积，其与分立元件相比较PMOS集成电路具有可靠性高、功耗低、制造工艺简单和适于大量生产等诸多优点。到目前为止，与第一块集成电路相比集成电路的集成度的尺寸缩小了200多倍，集成度提高了550多万倍，元件成本降低了100多万倍[2]。 3 微电子技术的应用 3.1 生活应用方面
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层 Active region 有源区Active component 有源元 Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件Aluminum（Aluminium）铝 Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue（Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃 Anneal 退火Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极Arsenic （AS）砷 Auger 俄歇Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂 Backward 反向Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合 Band 能带Band gap 能带间隙 Barrier 势垒Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度Base 基极 Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢 Bias 偏置Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿Break over 转折 Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化Burn out 烧毁