Diode
肖特基二极管 (Schottky Diode)
Symbol Para m eter
V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压
V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值
I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流
Current 反向电流
I R Reverse
I FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流
Voltage 正向直流电压V F Forward
C j Typical Junction Capactiance 结电容
Dissipation 耗散功率P D Power
T j Operating Junction Temperature 工作结温
T stg Storage Temperature Range 存储温度
R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻
Pin二极管 (Pin Diode)
Symbol Para m eter
V R Continuous reverse voltage 反向直流电压
I F Continuous forward current 正向直流电流
voltage 正向电压V F Forward
current 反向电流
I R Reverse
capacitance 二极管电容
C d diode
r d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗Temperature 结温T j Junction
temperature 存储温度T stg storage
TVS二极管 (TVS Diode)
Symbol Para m eter
I PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流
voltage 钳位电压V C Clampling
I R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流
voltage 击穿电压V(BR) Breakdown
V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forward
voltage 正向电压
current 正向电流
I F Forward
current 测试电流
I T Test
可控硅(SCR)
Symbol Para m eter
V DRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压I T(RMS)RMS On-state current 额定通态电流
I TSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流
I GM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流
V TM peak forward on-state voltage 通态峰值电压
I GT Gate trigger current 控制极触发直流电流
V GT Gate trigger voltage 控制极触发电压
current 维持电流
I H Holding
I DRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流
I RRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流
P G(AV)Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温
Tstg storage temperature range 存储温度
稳压管(Three Terminal Voltage Regulator)
Symbol Para m eter
V I input
voltage 输入电压Vo output
voltage 输出电压ΔVo Load
regulation 输出调整率ΔVo Line
regulation 输入调整率Iq quiescent
current 偏置电流ΔIq quiescent current change 偏置电流变化量V N Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripple
rejection 纹波抑制比Vd dropout
voltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peak
current 峰值输出电流T opr operating junction temperature range 结温
T stg storage temperature range 存储温度
43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)
Symbol Para m eter
V KA Cathode
voltage 阴极电压
I K Cathode current range(continous) 阴极电流
I ref Reference input current range,continous 基准输入电流
P D Power
dissipation 耗散功率R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻T opr operating junction temperature range 工作结温
Tstg storage temperature range 存储温度
V ref Reference input voltage 基准输入电压
ΔV ref(dev)Deviation of reference input voltage over full
temperature range
全温度范围内基准输入电
压的偏差
ΔV ref/ΔV KA Ratio of change in reference input voltage to the change
in cathode voltage
基准输入电压变化量与阴
极电压变化量的比
ΔI ref(dev)Deviation of reference input current over full
temperature range
全温度范围内基准输入电
流的偏差
I min Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流I off Off-state cathode current 关断状态阴极电流|Z KA| Dynamic
impedance 动态阻抗
普通晶体管 (T ransistor)
Symbol Para m eter
voltage 发射极开路,集电极-基极电压V CBO Collector-Base
voltage 基极开路,集电极-发射极电压V CEO Collector-emitter
voltage 集电极开路,发射极-基极电压V EBO Emitter-base
current 集电极电流
I C Collector
P C Collector power dissipation 集电极耗散功率
temperature 结温
T j Junction
T stg storage
temperature 存储温度
V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压
breakdown
voltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)CEO Collector-emitter
V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压
I CBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流
current 集电极开路,发射极-基极截止电流cut-off
I EBO Emitter
I CEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流
h FE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值
saturation voltage 集电极-发射极饱和电压V CEsat Collector-emitter
saturation voltage 基极-发射极饱和电压V BEsat Base-emitter
voltage 基极-发射极电压V BE Base-emitter
f T Transition
frequency 特征频率
C obo Collector output capacitance 共基极输出电容
C ibo Collector input capacitance 共基极输入电容
figure 噪声系数
F Noise
time 开通时间
t on Turn-on
time 关断时间
t off Turn-off
time 上升时间
t r Rise
time 存储时间
t s Storage
time 下降时间
t f Fall
time 延迟时间
t d Delay
数字晶体管(Digital Transistor)
Symbol Para m eter
voltage 直流电压
V CC Supply
voltage 输入电压
V IN input
current 输出电流
I O output
dissipation 功率损耗
P D Power
voltage 输入截止电压
V I(off) Input-off
voltage 输入开启电压
V I(on) Input-on
voltage 输出电压
V O(on) output
current 输入电流
I I input
current 输出截止电流
I O(off) output
G I DC current gain 直流增益
R1 Input
resistance 输入电阻
ratio 电阻率
R2/R1 Resistance
frequency 传输频率
f T Transition
temperature 结温
T j junction
T stg storage temperature range 存储温度
voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压V CBO Collector-base
V CEO Collector-emitter
voltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压
voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压V EBO Emitter-base
MOS管(MOSFET)
Symbol Para m eter
I D Continous
drain
current 漏极直流电流V GS Gate-source
voltage 栅-源电压V DS Drain-source
voltage 漏-源电压
E AS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量
R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻
R th(j-c)Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压
V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压
I GSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流
I DSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流
r DS(on) Drain-source
on-resistance 漏源通态电阻
g fs Forward
transconductance 跨导
V SD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降
C iss Input
capacitance 栅-源电容
C oss Output
capacitance 漏-源电容
C rss Reverse transfer capacitance 反向传输电容R g Gate
resistance 栅极电阻
t d(on)Turn-on delay time 开通延迟时间t r Rise
time 上升时间
t d(off)Turn-off delay time 关断延迟时间t f Fall
time 下降时间
I DM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流P D Power
dissipation 耗散功率
T j operating junction temperature range 结温
T stg storage temperature range 存储温度
如果人生是个标点符号，你会选择哪个符号~~ 我的人生是个逗号，总有未完的续音，这样才不会终结，才会充满希望。于是，当我失败时，才不会让衰草抚慰伤痕，让微风抚平记忆。我要靠我自己站起来，我要自己去写完那逗号后的下文。 那么你们，会选择哪个符号啊~~~ 问题补充: 人生应是个冒号，永远都给人启迪，引人思索。 人生应是个引号，把经历中最深刻的铭心的片段“引”起来，藏在心底，让它成为回忆的瑰宝，前进的鞭策。 人生应是一串长长的省略号，面对自己的荣誉·鲜花，省略些吧，这样，你才能淡泊一切浮躁，去寻找一种比生命更长久的踏实。面对别人的过错，省略些吧，这样，你才能微笑着用你的胸怀去容纳整个世界。 你们的人生是属于那种呢，有从中学会了什么呢？2007-10-24 01:36 人生是一个句号，圆满而充实。（没有谁的人生可以成为一个完美无缺的句号，正所谓“金无足赤，人无完人。”但可贵的是，你也一直都在追寻着句号。这不是目的，而是过程。但最重的，也就是这过程。） 人生是个问号，永远不知道答案在哪里，只是在原地徘徊。没有开始也没有终点。 标点符号，人生 . , ? ! 。 大家是怎样看待这五个标点符号所代表的人生含意的？ 我是这样解释的：
1、当我们从娘胎里呱呱落地的那一刻我们只是一个单纯的消费者，所以我把它叫做“.”。 2、慢慢的，这个点就长出了新芽，便有了哭声、笑声，我的“，”就是这样来的。 3、随之而来的就是“？”，在我们成长的道路上，有无数个疑问要解答，但总有我们想不通的事理。 4、渐渐的我们成熟、老太龙钟，便由之感叹，人生也不过如此“！”。 5、就这样，我们的人生划上了不太圆满但也该结束的“。”。 个人见解 当我们从娘胎里呱呱落地的那一刻应该是？因为对于我们来说一切都是未知数 慢慢的一个一个的！带给我们无数的惊奇惊喜 接下来就是一个一个的；一个时期过去但是断不了 再后来就会拼命的努力让过去的成为一个个的， 人生结束了当然就。了 我们出生的那一刻应该是！因为我们在娘肚子里呆10月终于可以透气了~看见一个个新奇的事物，我们再！可这中间也有好多？啊，在解决问题时就，了之后解决了就.了 最后就OVER了！ 拒绝句号 一定会有一些朋友反对我这个标题。他们会说多好的句号啊！句号表示一种完成，一种圆满，一种有志者事竟成，一种成果与收获，或者干脆把这溜圆的句号看成一个个饱满的果实。它们还会问我，当你完成一部几十万字的长篇小说，在那最末一行画上一个句号时，难道你没有如释重负、飘飘欲仙般的感受？没有那种大功告成后该痛快干杯的喜悦吗？ 当然，这样的句号我也喜欢。但人生还有另一种句号。 打个比方，你在一条路上走，走着走着，忽然有一种“尽头感”时，这句号就隐隐出现，如果你停下来，你足下就清晰地现出一个句号。这条路可不是做一件事时那短短的距离，它是人生追求的路、艺术探索的路和事业奋斗的路。这路原本无止无休，你在任何一处都可以起步，踏上征程；你也可以在任何一处画个句号，退了出来。无论什么都可以成为句号的缘故，那精疲力竭的放弃、自寻清闲的逃逸、江郎才尽的低头认输，乃至收获后的自满自足，甚至在目标达到之后，辉煌的目标也会划为一个句号，尽管这句号闪闪发光。句号，就是停止，就是终结，就是事物最终变为有限的、死去的符号。 我说的是这种句号。可怕的是，这些句号总是不知不觉地出来。你呢，不知不觉地完结。想想看，你曾经做过了哪些有益的事？究竟是什么时候并怎样弃你而去的？句号往往又是和人的自足、人的彻悟、人的惰性连在一起的。所以句号大多是人心甘情愿给自己画上的。人
二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义
CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二
极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流
建筑景观的符号属性 作者：岩山老林43h1010@https://www.doczj.com/doc/5c15163428.html, 一引言 建筑与它周围的环境物体可以相互映衬、相互呼应。有的建筑师用拟人方式说：建筑与它周围的环境物会进行“对话”。作为建筑的环境，除了大型的平地、山体、水体之外，还可能出现诸如植物、山石、池涧、雕塑等环境物体。它们的体量与建筑体量相比，或大体相当，或比建筑体量小得多，可以看作是建筑的微观环境物体。建筑的微观环境物体一般只在近距离观赏时才发挥景观功用，通常称为建筑的景观物体。按照现行的专业分工，景观物体的利用或设置，属于建筑景观设计的范畴。 建筑符号学是研究如何用建筑作为符号表达意义的学说。人们既然可以将建筑作为符号表达意义——用不同的建筑物表达不同意义，也会将景观物体作为符号赋予意义——用不同的树木、花卉、山石、雕塑表达不同的意义。从符号学角度看，建筑符号与景观物体符号分属两类符号。建筑符号与景观物体符号的结合，所表达意义是两者的交融或组合。例如，游览者进入公园，依次浏览园内的树木、花卉、池塘、溪涧，就是依序品读公园内的建筑符号和景观物体符号，分别欣赏它们的美观，理解它们的组合寓意。 根据初步分析梳理，景观物体大体上可以分为景观植物、景观山石、景观水体、景观雕塑、建筑小品、景观适用小品等六大类。本文逐一评述它们的单独寓意以及对主体建筑的影响。 二景观植物的意义 景观植物包括树木、花卉、庄稼等小类。用植物作建筑景观是最常见的一种方式，通常被称为“绿化”。植物不仅可以美化建筑环境，而且可以调节小气候、改善人的生态环境。自从国务院于一九九二年颁发《城市绿化条理》后，“绿化”便纳入政府及其主管部门的法制轨道。 1. 树木 树木是最常见的建筑景观物。屋前屋后种树是人们的习俗风尚。从建筑符号学的角度看，树木的基本意义是明喻“绿色”、隐喻“生机”和“活力”。有树木陪衬的建筑会呈现“欣欣向荣”的“兴旺”意境。倘若屋前屋后没有树木，会使人感觉到“缺乏生机”的“秃败”。 树木因其体量不同，符号意义会呈现差异。大树因“树大根深”和“枝繁叶茂”而隐喻“庇佑”，据说此乃来源于原始人居于大树之下依靠“大树庇护”的感受。小树则给人以“青
Cj Junction Capacitance 结电容 ηV Rectification Efficiency 整流效率 If DC Forward Current 正向直流电流 I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流 ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流 IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流 IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流 IH Holding Current 维持电流 IO Mean Forward Current 正向平均电流 IR Reverse Leakage Current 反向漏电流 Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流 IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流 IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流 IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流 IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流 IT On-state Test Current 导通测试电流 I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值 PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗 PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗 Ptot Total Power Dissipation 总功耗 Qrr Recovered Charge 恢复电荷 ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）
2017年标点符号选择题 1、下列标点符号使用有错误的一项是( ) A.如果问南京新街口的标志物，无外乎孙中山铜像、金陵饭店……当然，还有新华书店。 B.最近，江苏卫视推出的益智类真人秀节目《最强大脑》，在观众中引起了强烈反响。 C.“世界上最遥远的距离莫过于我们坐在一起，你却在玩手机。”一位网友这样评论道。 D.“闲”字的古体字是“门”字里面加个“月”，这样的构想实在巧妙：门里望月，焉能不“闲”。 2、下列各句标点符号使用不规范的一项是( ) A.我不知道这条路谁能走通，但我也要坚持走下去。 B.她看上去十二、三岁的模样，很有朝气。 C.“马上开会了，”班长环视着会场说，“请不要讲话。” D.为了子孙后代，为了中华民族，他们成了“盗火的普罗米修斯”。 3、下列各句标点符号使用规范的一项是( ) A.这位普普通通的山区教师，以持之以恒，慷慨无私的助学善举感动了中国。 B.富春山水之美在于精致而大气，她宛如江南女子尽显柔美情怀，又像热血男儿袒露宽阔胸怀。 C.“知屋漏者在宇下，知政失者在草野”。温总理引用这句名言在说明：要想了解政策的缺失，就必须深入民间调查。 D.她看上去只有十三、四岁，与她的实际年龄相去甚远，简直让人不敢相信。4、下列句子标点符号有误的一项是( ) A.中医学认为：草莓性凉，味酸，无霉，具有润肺生津、清热凉血、健脾解酒等功效。 B.希望别人怎样对待你，你就要怎样对待别人；你怎样对待别人，别人也就会怎样对待你。 C.程乃珊在“吾家有女初长成”这篇文章里，提到了她女儿爱读的《围城》、《洗澡》等书。 D.通过反复实践和思考，他终于明白了做这件事有什么意义，怎样才能把这件事做得更好，更有价值。 5、下列句中标点符号的使用正确的一项是。( ) A.列夫·托尔斯泰是俄国著名作家，作品有长篇小说《战争与和平》、《安娜·卡列尼娜》、《复活》等。 B.看着人类这种狂妄的表现，大自然一定会窃笑，就像母亲面对无知的孩子那样地笑。 C.一丈青大娘有一双长满老茧的大手，种地，撑船，打鱼都是行家。她还会扎针，拔罐子，接生，接骨，看红伤。 D.那棵树立在那条路边上已经很久了。当那路还只一条泥泞小径时，它就立在那里；当路上驶过第一辆汽车之前，它就立在那里；当这一带只有稀稀落落几处老式平房时，它就立在那里。 6、下列各项中，标点符号使用合乎规范的一项是( ) A.张依朋把自己的烦恼，苦闷，一股脑儿地向王校长倾诉着，说话中间还不停地叹着气。 B.王三胜——沙子龙的大伙计——在土地庙拉开了场子，摆好了家伙。 C.“是谁找我们来凿墙的?是您老人家吧?先凿哪面墙呀，是都凿了哇还是
各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D
肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
复合三极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS
电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT
光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形
符号表 整理表 姓名: 职业工种: 申请级别: 受理机构: 填报日期:
变量符号说明
福州大学 2015 年硕士研究生入学考试专业课课程（考试）大纲 1.考试科目名称: 《数据结构与程序设计》 2.招生学院：数学与计算机科学(软件)学院
说明：1、考试基本内容：一般包括基础理论、实际知识、综合分析和论证等几个方面的内容。有些课程还应有基本运算和实验方法等方面的内容。字数一般在300字左右。 2、难易程度：根据大学本科的教学大纲和本学科、专业的基本要求，一般应使大学本科毕业生中优秀学生在规定的三个小时内答完全部考题，略有一些时间进行检查和思考。排序从易到难。
目录 第1章编译器概述 第2章词法分析 2.1 词法记号及属性 2.1.1 词法记号、模式、词法单元 2.1.2 词法记号的属性 2.1.3 词法错误 2.2 词法记号的描述与识别 2.2.1 串和语言 2.2.2 正规式 2.2.3 正规定义 2.2.4 状态转换图 2.3 有限自动机 2.3.1 不确定的有限自动机 2.3.2 确定的有限自动机 2.3.3 NFA到DFA的变换 2.3.4 DFA的化简 2.4 从正规式到有限自动机 2.5 词法分析器的生成器 第3章语法分析 3.1 上下文无关文法 3.1.1上下文无关文法的定义 3.1.2 推导 3.1.3 分析树 3.1.4 二义性 3.2 语言和文法 3.2.1 正规式和上下文无关文法的比较 3.2.2分离词法分析器的理由 3.2.3 验证文法产生的语言 3.2.4 适当的表达式文法 3.2.5 消除二义性 3.2.6 消除左递归 3.2.7 提左因子 3.2.8 非上下文无关的语言结构 3.2.9 形式语言鸟瞰
二极管符号 二极管（国标） 2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别
一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP1 7等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。 无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。 根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R ×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300～500?，硅管为1k?或更大些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500k?以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。 选用整流二极管时，既要考虑正向电压，也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时，要求工作频率高，正向电阻小，以保证较高的工作效率，特性曲线要好，避免引起过大的失真。
标点符号专项练习及答案 1．下列句子中标点符号的使用，正确的一句是( ) A．读了拜伦的诗，就想到西班牙去，想看看女郎的头发是黑的，还是金黄的? B．在中华大地上，我要去的地方就更多了，因为我认为中国的山山水水、亭台楼阁、花草树木……都是世界最美的。 C．为了对演出市场及演员进行规范管理，文化部近日发出了“演员个人营业活动管理暂行办法”。 D．她说：“有这么热心的民警，有这么多好街坊，我呀！还得活一辈子啊！” 2．下列句子中逗号使用不当的一项是() A．历史经验证明，任何力量都不能够阻挡人民前进的步伐。 B．一路上，山形树态，掌故传说，他都描述得真真切切，活鲜鲜的。C．水生笑了一下，女人看出他笑得不像平常，“怎么了，你?”D．这，也不是一天两天就能够解决的事。 3．下列各句中冒号使用正确的一项是() A．“纪律要严明，”陈厂长说：“纪律不严明，不能打胜仗。” B．工人走进技校，学习现代科学；农民跨出家门，搞起商品经济：工农都为现代化大业做贡献。 C．比赛开始了，同学们高喊着：“加油！加油!”的口号为运动员加油。D．小王来信的意思是：“她在那儿学习和工作都很好，不用惦念。”4．下列各句中问号使用正确的一项是{}
A．她是从四叔家出去就成了乞丐的呢?还是先到卫老婆子家然后再作乞丐的呢? B．这事明明是他干的，还装作不知，问这是谁干的? C．三年的高中生活，有人间我什么最难忘?我答不上来。 D．在世界水日到来之际，你想过没有，如果一天没有了水，这个像西瓜一样的小小寰球会变成什么样子？ 5．下列各句中引号使使用正确的一项是( ) A．“最重要的是，”他说道：“我们心中要有对弱者的同情与爱心”。B．古人对于写文章有两个基本要求，叫做“有物有序”。“有物”就是要有内容，“有序”就是要有条理。 C．杜甫有一个愿望：“会当凌绝顶，一览众山小”。 D．鲁迅的两句诗，“横眉冷对千夫指，俯首甘为孺子牛。”应该成为我们的座右铭。 6．下列各句中省略号使用有误的一项是( ) A．呜——腾腾吐吐，腾腾吐吐……车到站了。 B．她一头扑过去，抱着女儿已经僵冷了的身体，放声大哭起来……C．在农村插队时，他自学了语文、历史、生物、化学……等。D．有一首诗说：“龙盘虎踞帝王州，帝子金陵访古丘。……”其间“龙盘虎踞”就与现在说的“虎踞龙盘”不同。 7．下列各句中标点符号使用有误的一项是( ) A．他不是反对学习和借鉴，而是强调一—笔者深知他的忧心——任何一种文化的“现代”，都只能是自己而不是他人的“过去”的延续。
词语的符号性及其命名理论建设 孟华 ０．引言 对于什么是词语的本质属性，传统上有两种代表性的解释：一是认为词语是观念的 符号（亚里士多德）、事物的名称；二是认为词语是语言中最小的能自由运用的单位（ 布龙菲尔德）。显然，前者着眼于揭示词语的符号属性，后者则强调词语的语言结构单 位性质。尽管更多的语言学者倾向于调和上述两种对立的词语观，但语言学界往往较多 地侧重于词语的语法即语言结构单位的属性，因而对于词语的符号性问题一直是研究的 薄弱环节。 实际上，词语的符号性问题是探讨关于语言与外部世界、表达者与被表达者的关系 ，它对于从动态发生、表达的角度揭示词语的本质特征，尤其对于术语学、名称学、命崐名学的研究，具有重要的理论和实践意义。 壹．词的结构分析 １．词语的意指和结构关系 善用比喻的索绪尔，曾把一个个词语符号比成一张撕成Ａ、Ｂ、Ｃ若干份的纸，Ａ崐、Ｂ、Ｃ…几部分是结构关系，而每一部分的正反两面即Ａ＼Ａ１、Ｂ＼Ｂ１、Ｃ＼Ｃ崐１…是意指关系，词语符号一般都有这两种关系。 １．１意指关系如“蜂窝煤”一词，它的字面义是“象蜂窝的煤”，词汇义是“一种多孔的生活用煤球”，字面义和词汇义构成了比喻关系；同时，这种由比喻关系 构成的词的双重意义系统又指示、代表了客观实在的蜂窝煤。从符号学的观点看，“蜂 窝煤”包括了两个层级的意指关系：１）能指（字面义）和所指（词汇义）之间的关系 ；２）整个词语符号与它所指示、代表的对象之间的关系。这种双重的意指关系可用下 图表示： 能指＋所指 词语符号 客观实在对象 １．２结构关系指一个词语在语言符号系统内所处的地位以及与其他符号之间崐的关系。包括聚合关系和组合关系两种： 词的聚合关系指对一组词进行音、义、语法特征分析后，根据类同的原则划分出的崐相同、相近或相反的关系。如“蜂窝煤”与“藕煤”是同义关系，“公式”与“攻势”崐是同
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二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流
中考语文标点符号练习题附参考答案 1．下列句子中标点符号的使用，正确的一句是 A．这个经济协作区，具有大量的技术信息，较强的工业基础，巨大的生活资料、生产资料市场，较丰富的动植物、矿产、海洋、旅游等资源。 B．当太阳完全被月亮的身影遮住时，与神女般若隐若现的"海尔---－波普"彗星相比，清晰的水星亮晶晶地伴在被遮黑的太阳旁边，金星、木星也同现在天宇。 C．出版社在1997年第一季度社科新书征订单上提醒邮购者：务必在汇款单上写清姓名及详细地址（汇款单附言栏内注明所购的书名、册数）。 D．今年春季，这个省的沿海地区要完成3700万土方的河堤加高和河口截流改道工程，任务重、工程难、规模大。 2．下列句子中，标点符号使用正确的一句是（） A．小河对岸三、四里外是浅山，好似细浪微波，线条柔和，蜿蜒起伏，连接着高高的远山。 B．证券交易所内那些穿红马甲的人便是经纪人，穿黄马甲的人则是管理和服务人员；这是全世界都统一的。 C．他从报上看到某大学研究生院和《中国文化》编委会联合主办《中国文化与世界文化暑期讲习班》的招生启事，立刻写信去报名。 D．“唉！”作家叹道，“红尘之中，人海茫茫，要找出个不知姓名的陌生人来，这不是大海捞针吗？” 3．标点符号使用恰当的一句是 Ａ。金黄的大斗笠下，这边，露出一条翘起的小辫；那边，露出一条揽着小山羊的滚圆的胳膊。 Ｂ。还有老师拿着大铁戒尺在桌子上紧敲着：“静一点，静一点……” Ｃ。这种埋头做事不动脑筋的人简直是——说得不客气一点——跟牛马一样。 Ｄ。警号为谁而鸣？为你、我、他，为我们大家而鸣，为中国人而鸣！ 4．下列标点符号使用的一项是（） A．“这究竟是怎么回事呢？同志们。”厂长严肃地说。 B．我要给爷爷理发，爷爷笑了：“你？笤帚疙瘩戴帽子——充人哩。” C．基础知识究竟扎实不扎实？对今后的继续深造有重要影响。 D．今天去呢？还是明天去呢？我实在拿不定主意。 5．下列句子标点符号使用正确的是( ) A．耿大妈对儿子说：“大成，见人该问好就问好，该行礼就行礼，别怕人笑话，俗话说，‘礼多人不怪嘛’。” B．要在城西修建立交桥的消息传出后，许多人都非常关心这座立交桥将怎么建？那里的近千株树木将怎么办？ C．蝉的幼虫初次出现于地面，需要寻求适当的地方——矮树、篱笆、野草、灌木枝等--蜕掉身上的皮。 D．现代画家徐悲鸿笔下的马，正如有的评论家所说的那样，“神形兼备，充满生机。” 6．使用标点符号有错误的是 A．“且慢，让我来看一看罢，”他于是往来的摸了一回，直起身来说道，“偷我们的罢，我们的大
w.5 Y K https://www.doczj.com/doc/5c15163428.html, 一练基础——基础掌握 1．下列句子标点符号使用错误的是（）（2分） A．桃花开了，红得像火；梨花开了，白得像雪；郁金香也开了，黄色、紫色交相辉映。 B．都复习好了吗，这次语文考试？ C．中国足球的球迷们现在真的感到很迷惘，面对这片绿茵场，不知道是继续呐喊助威呢，还是干脆掉头而去? D．“守株待兔”的“株”是什么呢?《说文解字》的解释是“木根也”，段玉裁在注释时则说得更明确：“今俗语云桩。” 【答案】C 考点：正确使用标点符号。能力层级为表达运用E。 2．下列标点符号使用有错误的一项是（）（2分） A．成才的关键有三条：一是身体健康，二是作风踏实，三是耐得住寂寞。 B．竣工后园林管理局的人来问他：人行道应该修在哪里？ C．“蜂争粉蕊蝶分香，”昆虫给花完成传粉授精的任务。 D．我握过各种各样的手——老手、嫩手，黑手、白手，但都未留下深刻的印象。 【答案】C 考点：正确使用标点符号。能力层级为表达运用E。 3．下列句子标点符号使用正确的一项是（）（2分） A．“你好，”他笑着说：“可以帮个忙吗？” B．这里有牡丹、玫瑰、荷花……等十几种花卉。 C．别人没想到的事，你想到了；别人想到的事，你做到了。 D．“万芳……。”我站在过道里不肯再往前走。 【答案】C 【解析】 试题分析：本题用反选排除法，A句“说”后面应是逗号，B句省略与“等”不能同时用，D句号应在引号外，答案为C。 考点：正确使用标点符号。能力层级为表达运用E。 4．下列句子标点符号使用正确的一项是（）（2分） A．“哎呀。真是太美了!”张老师说：“我非常满意!” B．在中国传统教育典籍里，大家一致认为最重要的是《四书五经》。 C．怎么可能这样?你说的?没搞错吧?有没有再调查? D．贵州的黄果树、龙宫、重庆的武隆、四川的乐山均是旅游胜地。 【答案】C 考点：正确使用标点符号。能力层级为表达运用E。 5．下列各句中，标点符号的使用合乎规范的一项是（）（2分） A．据统计，中国互联网网民人数已超过3．3亿。互联网对大至国家政治，经济，小至个人学习，生活的影响是无法估计的。 B．写文章应该重点突出，详细分明。哪些事例要详写？哪些事例要略写？则要服从中心思想的需要。C．两年后的春天，我们又到南山上种了六棵树，三棵松树，两棵云杉，围着一棵桂花。 D．“牺牲”一词原是对做祭品的牲畜的通称，如“牺牲玉帛，弗敢加也，必以信”（?左传?曹刿论战?），后来“牺牲”的意义转化了。
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二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流
二极管的主要参数 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 2.常用二极管 （1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。 通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。2.常用二极管 （1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。 通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。 2）检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。 （3）开关二极管 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。 开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。 4）稳压二极管 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4 稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
《ArcGIS Engine+C#实例开发教程》第七讲图层符号选择器的实现1 时间：2009-04-18 03:58:46 来源：https://www.doczj.com/doc/5c15163428.html, 作者：3SDN原创点击量：869 u 版权声明： 《ArcGIS Engine+C#实例开发教程》为3SDN（https://www.doczj.com/doc/5c15163428.html,）原创教程，作者闲云野鹤，版权所有。禁止商业用途转载（如需请联系作者），非商业用途转载请注明出处并完整保留本声明。 u 读者对象： 使用C#开发ArcGIS Engine（以下简称AE）的初学者。 u 预备知识： 了解AE基本体系，了解C#基本语法，了解VS2005的基本使用方法。 u 预期学习效果： 进一步理解AE的体系结构与开发方法，掌握基本的GIS桌面应用程序的开发。
在上一讲中，我们实现了右键菜单（ContextMenu）的添加与实现，在最后我预留给下一讲的问题是TOCControl控件图层拖拽的实现。后来发现此功能的实现异常简单，只要在TOCControl的属性页中，勾选“Enable Layer Drag and Drop”即可。 教程Bug及优化方案1查看这里。 这一讲，我们要实现的是图层符号选择器，与ArcMap中的Symbol Selector的类似。本讲较前几讲而言，些许有些复杂，不过只要仔细琢磨，认真操作，你就很容易实现如下所示的符号选择器。因为本讲篇幅较长，故我将其分成两个阶段，本文是第一阶段。
图1 在AE开发中，符号选择器有两种实现方式。 一是在程序中直接调用ArcMap中的符号选择器，如下所示：
图2 二是自定义符号选择器，如图1所示。 由于第一种方式前提是必须安装ArcGIS Desktop，其界面还是英文的，而对二次开发来说，大部分用户希望应该是中文界面。因此开发人员通常选择第二种方式，本讲也着重讲解第二种方式。 通过对《ArcGIS Engine+C#实例开发教程》前六讲的学习，我已经假定你已经基本熟悉
ArcGIS符号设计1修改标注法 1.1 步骤： 1.1.1样式管理器中设计Style文件 1.选择自定义窗口的样式管理器（如图1） 图1 2.双击第一行文件（如图2）
图2 3.点击“文字符号”栏后，在右边窗口空白处，点鼠标右键新建一个文本符号（如图3） 图3 4.接上步骤后进入编辑文本符号窗口（如图4） 图4
5.点击高级文本，进入编辑高级文本状态。将“文本背景”项打勾后，点击属性进入文本背景编辑（如图5） 图5 6.进入文本背景编辑状态后，在“类型”处点击下拉选择“标记文本背景”项，进入标记文本背景编辑状态，点击“符号”进入符号选择器（如图6） 图6 7.在符号选择器中点击“编辑符号”项，进入符号属性编辑器（如图7）
图7 8.在符号属性编辑器中编辑好所需的符号（如图8） 图8 9.编辑完成，点击确定保存编辑完成的符号，在样式管理器中就会显示已编辑完成的符号（如图9） 图9 1.1.2修改属性表 1.关闭样式管理器，在图层中右键需要编辑的点图层，在菜单栏选择打开属性表（如图10）
图10 2.打开属性表后，增加一个字段并命名为图标，用字段计算器赋上所需要标注的值（如图11） 图11 1.1.3编辑符号 1.完成新增字段后，在图层中右键需要编辑的点图层，在菜单栏中选择“属性”项进入图层属性编辑（如图12）
图12 2.进入“图层属性”后，选择“标注”项；在“标注”项中将“标注此图层中的要素”项打勾，在“方法”处下拉选择“以相同方式为所有要素加标注”项，并点击“符号”项，进入符号选择器（如图13） 图13 3.在符号选择器中选择上面已编辑的文本符号，点击“确定”完成选择（如图14） 图14 4.完成选择后，在“图层属性”的“文本字符串”处的“标注字段”项下拉选择新增的字段“图标”项。点击确定完成图标的修改（如图15） 图15 5.修改完成后得出结果（如图16）
半导体二极管参数符号 CT-势垒电容 Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容 Co-零偏压电容 Cjo-零偏压结电容 Cjo/Cjn-结电容变化 Cs-管壳电容或封装电容 Ct-总电容 CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数 Cvn-标称电容 IF-正向直流电流（正向测试电流）。 锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）-正向平均电流 IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH-恒定电流、维持电流。 Ii-发光二极管起辉电流 IFRM-正向重复峰值电流 IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)-正向过载电流 IL-光电流或稳流二极管极限电流 ID-暗电流 IB2-单结晶体管中的基极调制电流
IEM-发射极峰值电流 IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM-最大输出平均电流 IFMP-正向脉冲电流 IP-峰点电流 IV-谷点电流 IGT-晶闸管控制极触发电流 IGD-晶闸管控制极不触发电流 IGFM-控制极正向峰值电流 IR（AV）-反向平均电流 IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电 流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM-反向峰值电流 IRR-晶闸管反向重复平均电流 IDR-晶闸管断态平均重复电流 IRRM-反向重复峰值电流 IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp-反向恢复电流 Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk-稳压管膝点电流 IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM-稳压二极管浪涌电流 IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF-正向总瞬时电流 iR-反向总瞬时电流 ir-反向恢复电流
二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED
光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT
接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT
光敏电阻CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容（无极性电容）表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器 表示符号：X
二极管参数中英文对照表
Cj Junction Capacita nee 结电容 nV Rectification Efficie ncy 整流效率 If DC Forward Curre nt 正向直流电流 l(AV) Average Forward Rectified Curre nt 正向平均整流电流 ID Sta nd-off Reverse Leakage Curre nt 关态反向漏电流 IFSM Peak Forward Surge Curre nt 正向浪涌峰植电流 Non Repetitive Surge Peak on-state Curre nt 不重复浪涌峰值开 ITSM 态电流 IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流 IFRM Repetitive Peak Forward Curre nt 正向重复峰值电流 IH Holdi ng Curre nt 维持电流 IO Mea n Forward Curre nt 正向平均电流 IR Reverse Leakage Current 反向漏电流 Irr Reverse Recovery Curre nt 反向恢复电流 IPPM Maximum peak lmpulse Curre nt 最大脉冲峰值电流 IRM Maximum peak Reverse Curre nt 最大峰值反向电流 IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Curre nt 最大峰值反向恢复电流 Maximum Non-repetitive recovery Peak Curre nt 最大峰值反向恢 复电流 On-state Test Curre nt 导通测试电流 Rati ng for fusi ng 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分 值 Maximum Steady State Power Dissipati on 最大稳态功耗 Peak Pulse Power Dissipatio n 峰值脉冲功耗 Total Power Dissipati on 总功耗 IRSM IT I2t PM(AV) PPM Ptot Qrr ROJA