隔离技术的研究与应用
系电子信息工程系（宋体三号）专业姓名
班级学号_______________
指导教师职称
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设计时间2012.9.15－2013.1.4
摘要
随着半导体集成电路技术的不断发展，要求在有限的晶圆表面做尽可能多的器件，晶圆表面的面积变得越来越紧张，器件之间的空间也越来越小，因此对器件的隔离工艺要求越来越高。
本课程设计主要介绍了半导体制造工艺中隔离技术的作用和发展，简单描述了结隔离、介电质隔离、局部氧化隔离工艺和浅沟槽隔离等常用隔离技术。由于集成电路的发展，其他的隔离技术已不适应现在的半导体工艺，本文以浅槽隔离技术工艺为重点详细介绍了隔离技术在半导体中的应用浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。
关键词：结隔离，介电质隔离，局部氧化隔离工艺，STI
目录
摘要 (2)
目录 (3)
第1章绪论 (4)
1.1集成电路工艺技术概述 (4)
1.2隔离技术简介 (4)
第2章隔离技术的原理 (6)
2.1隔离技术的原理 (6)
2.2隔离技术的新发展 (6)
第3章隔离技术的工艺及发展 (7)
3.1结隔离 (7)
3.2介电质隔离 (8)
3.3局部氧化隔离（LOCOS）工艺 (9)
3.4浅沟槽隔离（STI）工艺简介 (11)
第4章浅沟槽隔离技术 (14)
4.1浅沟槽隔离技术(ST工)在半导体器件中的作用 (14)
4.2浅沟槽隔离刻蚀步骤 (15)
4.2.1隔离氧化层成长 (15)
4.2.2氮化物淀积 (15)
4.2.3光刻掩膜 (15)
4.2.4浅沟槽刻蚀 (16)
4.3隔离技术的关键工艺 (16)
4.3.1氧化和氮化硅生长 (16)
4.3.2沟壑(Trench)光刻与刻蚀 (16)
4.3.3二氧化硅CMP (17)
总结与展望 (19)
参考文献 (20)
致谢 (21)
第1章绪论
1.1集成电路工艺技术概述
当今的人类社会已经进入了信息时代，信息技术的发展可谓是日新月异，以一日千里这样一个不可思议的速度向前飞速发展着，这样一个飞速发展的基石，是集成电路芯片的制造。
在我们的日常工作生活中，像DVD、数字照相机、数字摄像机等家庭数码电器、个人通信设备、个人电脑以及互联网的高速发展和普及，己经成为现代人类生活中必不可少的部分，而这一切都离不开一个核心---芯片，集成电路的出现是造成多媒体时代兴起的主要原因。
让我们回顾一下整个集成电路的诞生过程，在二十世纪初，量子力学的诞生为半导体技术提供了理论基础。1945 年，BELL 实验室成立了由肖克莱、巴丁和布莱顿三人组成的固体物理研究小组，并于1949 年由肖克莱提出了结型晶体管理论。1950年，结型晶体管制造成功。1959 年，金属-氧化物-半导体结构(MOS)诞生，人们以之为原型于1962年制成场效应管(MOSFET)。此后半导体器件类型越来越多，如单结晶体管，双结晶体管等。上述种种器件及其工艺的迅猛发展，促进了集成电路(IC)的诞生。1959 年，科尔申请了专利，首度提出集成电路的思想。此后，集成电路工艺便成为了主流，并于1968 年左右进入大规模集成电路(LSI)时代、此后，随着集成度的不断提高，从大规模集成电路(LSI)到超大规模集成电路(VLSI)时代，直至当今的甚大规模电路(ULSI)，集成电路工艺已进入深亚微米阶段。
近年来，随着半导体产业的迅速发展，半导体晶片不断地朝小体积!高电路密集度、快速、低功耗方向发展，集成电路现已进入ULS 亚微米级的技术阶段。同时硅晶片直径逐渐增大，2007 年以后，直径300mm 硅片成为主流产品。元件内刻线宽度也由0.18um缩减至0.13um、65nm 及45nm 工艺也逐渐进入量产，金属层数由5~6 层向更多层数的目标迈进，器件的尺寸也越来越小，因此对硅晶片表面平整度的要求也随着集成电路技术的飞速发展变得越来越高。
1.2隔离技术简介
现代的CMOS芯片通常在一块普通的硅衬底材料上集成数以百万计的有源器件(即NMOS晶体管和PMOS晶体管)，然后通过特定的连接实现各种复杂的逻辑功能或模拟
功能，而除了这些特定的功能以外，在电路的设计过程中，通常假设不同的器件之间一般是没有其他的相互影响的。因此在集成电路制造中必须能够把器件隔离开来，这就需要隔离技术。
最初的隔离技术采用了局部氧化(Loeal oxidationor silicon，Loeos)工艺，它具有制作简单的特点，在3-0.35um的工艺中被广泛采用。然而由于这种工艺在隔离区会形成鸟嘴，减少了有源区的有效长度，这就大大降低了器件的集成密度。因此随着器件向深亚微米发展，这种工艺渐渐不能满足各种性能技术上的要求，这就出现了浅沟槽隔离(STI)技术。
浅沟槽隔离(STI)方法实际上就是在硅衬底上位于不同有源器件之间的区域上刻蚀出沟槽，然后再在这些沟槽中填入
SiO材料。这样的器件隔离工艺可以完全消除局部氧
2
化(LOCOS)隔离工艺所特有的氧化层边缘的鸟嚎形状，由此可以形成更小的器件隔离
SiO薄区。目前浅沟槽隔离主要采用高浓度等离子体(High Density PlasmHDP)来淀积
2膜。由于HDP具有良好的填充能力，更好的淀积薄膜特性及更高的产量，所以长久以来，它一直作为首选工艺。
第2章隔离技术的原理
第2章隔离技术的原理
集成电路按照摩尔定律己经发展了近40年，时至今日进入到深亚微米直至纳米时代。集成电路发展的40年也是不断发展用新技术解决随着器件不断缩小所带来的各种各样问题的40年。当其特征线宽缩小到0.25微米以下乃至进入纳米阶段后，传统的本征氧化隔离技术已不能适应器件电气特性及小尺寸的要求，成为影响器件性能的制约因素。
2.1隔离技术的原理
所谓的“隔离”是指利用介质材料或反向PN结等技术隔离集成电路的有源区器件，从而达到消除寄生晶体管，降低工作电容和抑制Latch_up的目的。传统的本征氧化隔离技术(Locos)是利用光刻刻蚀技术在硅基板上的氮化硅上开出氧化窗口，利用氮化硅的掩膜作用在大约1000e的高温下对没有氮化硅覆盖的场区进行氧化。氧化后氧化层表面将高出硅基板表面，高度大约是氧化膜厚度的55%，形成一定程度的不平坦表面，给后续工艺带来不利影响。再者，氧化生长时，横向的氧化生长将向器件的有源区延伸，形成所谓的“鸟嘴”现象，“鸟嘴”的出现，不但占据了一定的有源区面积，而且在极小尺寸下，使得漏电流问题越来越突出，极大地影响到器件的性能。
集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后，由于微细化和性能方面的影响，一些传统的器件结构将不再适用.传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平化、高温再分布等方面的原因，将被浅沟隔离技术所取代.硅集成电路进入深亚微米时代后，尺寸越来越小，浅沟槽隔离(STI)技术的作用显的更加重要，硅集成电路的设计和制造已无法离开浅沟槽隔离(STI)技术。同时，STI隔离技术及工艺方法有了很大的发展。
2.2隔离技术的新发展
由于传统的本征氧化隔离技术(LOCOS)的以上问题，已不能适应器件进入到0.25微米特征尺寸后的要求。浅沟槽隔离技术STI(Shallow Trench Isolation)的出现正是适应了这种要求。在第4章本文将重点介绍STI工艺。
第3章隔离技术的工艺及发展
在集成电路中包含电阻器、电容器、二极管、晶体管、熔断器、导体等所有电路元器件。这些元器件都是以设计好的工艺流程按一定的次序形成的。一般来说，工艺流程的设计都是围绕着晶体管进行的。
电路的类型由晶体管的类型所决定。在半导体发展的前30 年，一般采用双极型的晶体管和双极型的电路。双极型的晶体管有较快的运行速度（切换时间），还能控制漏电流。双极型晶体管的这些性质恰好适用于逻辑电路、放大电路和转换电路（这些都是半导体工业最早的产品）。这些电路可以满足不断发展的计算机计算功能的需求。
随后MOS晶体管产生。MOS元件的一个优点是在运行过程中耗能较少。首先，MOS 晶体管在电路中是“关”的状态，不消耗能量，不像双极型晶体管那样在电路中一直要保持“开”的状态，从而会产生热。其次，MOS 晶体管作为控制电压的器件，在运行的过程中，需要的能量比较低。
MOS 晶体管可以实现快速，经济的固态存储器的功能，但是早期的金属栅型MOS 晶体管有较大的漏电流，而且其参数也不易控制。尽管如此，MOS 晶体管本身的优点仍然促进了MOS 存储器电路的发展。其优点就是尺寸小，在一定的空间内可以做更多的器件，而且切换速度相对较快。由于MOS 元器件优点是密度比较大，所以相邻元件之间的绝缘隔离区域就比较小。不同的绝缘隔离设计便应用而生。
3.1结隔离
如果两个晶体管或者其他的两个器件互相毗邻，它们会因为短路而不工作。为了把不同的元器件隔离开来，外延层（EPI）双极型结构诞生了。
从P型晶片开始的，在P型晶片上进行N型扩散。在N型扩散之后，在晶片的表面沉积上一层N型的外延层，这样一来，就把N型扩散的区域。埋伏。在外延层下面。众所周知，N型区域叫做。buriedlayer。或是晶体管的。埋层。。它的作用就是：当电流从基极出来流向晶片表面集电极时，给集电极电流提供一个低电阻的通道。外延层沉积之后，将其氧化并且在埋层的两边各开一个孔。同时要进行P型掺杂步骤，并使其达到P型晶片的表面。这个掺杂步骤将外延层孤立成一个“N型小岛”，因为它的每边（P型掺杂区）和底部（P型晶片）都被P型掺杂所包围。每个。孤岛。上所形成的元器件就被相互隔离开了（如图2-1）。因为连在电路中的PN结处于反向模式状态，所以每个元
器件是相互绝缘的。也就是说没有电路流过PN 结。这种设计叫做。结隔离（junction isolation）。或者。掺杂结隔离（doped junction isolation）。。
图 2-1 显示外延层和隔离的双极电路的截面
3.2介电质隔离
在高辐射的环境中，掺杂的结会产生电子或者空穴，从而会破坏结的功能。这不仅会使元器件失效，而且这种辐射还会淹没对掺杂区的保护。因此产生了介电质隔离。
图3-2 介电质隔离
这种工艺开始是把晶片的表面刻蚀成（pocket）或者沟槽（如图3-2）。刻蚀之后：“pocket”的边缘被氧化，而且在“pocket”里面填入多晶硅。下一步就是把晶片翻转过来，将晶片打磨一直到露出氧化层为止。经过这些步骤之后，晶片的表面就变成被氧化物绝缘层“pocket”隔开的原始的单晶硅。电路元器件就做在单晶硅的“pocket”中，每一个“pocket”都被三边的二氧化硅层所包围。在正常的条件或者在有辐射的环
境中，二氧化硅的介电的性质都可以保护漏电流。
3.3局部氧化隔离（LOCOS）工艺
结隔离占用了宝贵的晶片表面面积，而介电质隔离也消耗了晶片的面积而且还需要增添额外的工艺步骤。另一种方法是局部氧化隔离工艺（如图3-3）。这种工艺就是在晶片的表面沉积一层氮化硅，然后在进行刻蚀。活性器件将在氮化硅所确定的区域生成。对部分凹进区进行氧化。由于氧气不能穿过氮化硅，所以只有暴露在外面的硅才可能被氧化。生成的二氧化硅中的硅来自与晶片的表面，由于二氧化硅的密度比硅要小，所以有二氧化硅层的区域要比原始的硅晶片表面稍微高一些。相对与晶片表面来说，只是部分凹陷。经过氧化之后，要把氮化硅去掉，只留下空闲区用来生成电器件。这种局部氧化隔离工艺备受人们欢迎，因此被广泛应用。
图3-3 局部氧化隔离工艺
在MOS 晶体管之间由于不共享电器件，所以它在一定程度上有自我隔离，但是器件会存在漏电流，特别是当空间变小时。所以有必要进行隔离来阻止漏电流。这种结构一般叫做“隧道停止”。
对于这种MOS 晶体管之间的隔离，人们更倾向于使用局部氧化隔离技术。然而在局部氧化隔离技术中，在氮化硅边缘生长的。鸟嘴（bird’s beak）。（如图3-4）是一个亟待解决的问题。这个。鸟嘴。占用了实际的空间，增大了电路的体积。在性能方面，在氧化过程中，对晶片产生应力破坏。这种应力是因为氮化硅和硅之间热膨胀性能不同而造成的。解决应力的办法就是在氮化硅的下面生长一层薄的氧化硅。我们称它为“垫子氧化层”。
图3-4 鸟嘴的形成
图 3-5 “SWAMI”工艺
如何使“鸟嘴”达到最小，如何降低活性器件区的应力，促使了局部氧化隔离工艺发生了许许多多的变更。其中就包含由Hewlett Packard（如图3-5）开发的SWAMI工艺，这种工艺开始时与标准的局部氧化隔离工艺是一样的。在淀积氮化硅和“垫子氧化”层（pad oxide）之后，用定位敏感的刻蚀剂刻蚀出沟道。在<100>定向的材料上，沟道壁成60°角，以减少硅的应力。然后，再生长一层可以减缓应力的氧化层（SRO）和提供等角覆盖的氮化硅层。在刻蚀之前，再淀积一层由低压气相沉淀而成的氧化层。这个氧化层是为了保护氮化硅的，以防止它被刻蚀掉。最后再生成场氧化层。氮化硅层的长度控制这鸟嘴的界限。再去掉最初的氮化硅层和减缓应力的氧化层以及第二层氮化硅，只留下比较平坦的晶片表面来做器件。
图3-6 浅沟槽隔离工艺（STI ）
在 MOS 电路中，常用到沟道隔离，也叫浅沟槽隔离（STI---shallow trenchisolation ）就是解决由标准的局部氧化隔离带来的“鸟嘴”问题。浅沟槽隔离工艺（STI ）如图 3-6 所示，下一节将重点介绍。
3.4 浅沟槽隔离（STI ）工艺简介
随着半导体工艺的发展，器件尺寸越来越小，这就要求在有限的晶片表面上做尽可能多的器件。但无论如何改进局部氧化绝缘工艺都不能将“鸟嘴”的长度降低到 0.1um 以下，由此，浅沟槽隔离（STI ）工艺被广泛应用并飞速发展。
浅沟槽隔离技术(STI)技术起源于80年代，由于它的高成本和工艺的不成熟性，直到最近一两年才被人们所接受。该工艺是一种完全平坦的、完全无“鸟嘴”现象的新型隔离技术。浅沟槽隔离(STI)技术完全回避了高温工艺;严格保证器件有源区的面积;硅基板表面与隔离介质表面完全在同一平面上；改善了最小隔离间隔和结电容。同时，低温工艺也可以潜在地增加产量，降低成本。这些优点使得STI 隔离成为深亚微米时代器件不可或缺的隔离技术。浅沟槽隔离技术是在衬底上制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺，能有效保证N 型和P 型掺杂区域能彻底隔断。传统的器件结构使用本征氧化隔离技术，本征氧化隔离技术在N 型和P 型掺杂区域间通过扩散氧化的方法使Si 材氧化成2SiO ，2SiO 利用绝缘的特性做到N 型和P 型掺杂区域的隔离。浅沟槽隔离技术在N
型和P型掺杂区域中先将Si刻蚀掉，形成一个浅沟槽，然后在沟槽中填入绝缘的物质，达到隔离的目的。浅沟槽隔离技术比传统的本征氧化隔离技术，可以减少电极间的漏电流，承受更大的击穿电压。由于Si刻蚀速率远大于Si的氧化速率，所以对产能有着很大的促进。但由于硅集成电路设计的多样性，所以对浅沟槽隔离的要求也随着产品的设计有诸多变化，主要表现在浅沟槽的深度，浅沟槽的侧壁的角度。一般来说。浅沟槽的深度从150纳米到500纳米，侧壁的角度从80度到90度之间，此外，侧壁的形状也有不同。
STI隔离技术是一种全新的、完全不同于传统的LOCOS隔离的新型隔离技术，主要适应极小尺寸器件对极小特征尺寸、器件可靠性的要求。在极小尺寸下，要求场区和有源区的面积非常小；同时，对器件的漏电流也极为敏感。STI隔离工艺主要有以下各关键工艺：氧化和生长氮化硅、沟壑光刻刻蚀、高密度等离子体、二氧化硅生长二氧化硅CMP、氮化硅去除等。
氧化和生长氮化硅的主要作用是作为介质二氧化硅填充后进行CMP研磨的停止层。它的厚度由CMP研磨的不均匀性和过研磨的量所决定。生长氮化硅的工艺技术与LOCOS隔离工艺中使用的生长氮化硅的工艺完全相同。光刻与刻蚀是集成电路制造工艺中的微细加工部分，它决定着电路图形的精确实现。STI刻蚀形状的控制是一个很重要的工程。主要是使用两步刻蚀来形容形成沟壑：一是刻蚀作为CMP停止层的表现介质层；二是刻蚀硅衬底。目前，高端的刻蚀技术把这两个刻蚀步骤综合在一起，以提高生产性和降低成本。在传统的LOCOS隔离工艺中，有源区之间的隔离是靠热氧化二氧化硅实现的。在STI的隔离工艺中，是靠填充在有源区之间的氧化硅介质层来实现。所以，氧化硅的填充是STI隔离的关键工艺。在HDPCVD二氧化硅填充前，先利用热氧化在刻蚀后的沟壑表面生长一层薄氧化膜。其主要作用是增加HDPCVD二氧化硅填充时与沟壑界面的附着性。由于沟壑的宽度极小、深度较深，利用常规的介质膜生长方法来填充比较困难，即易形成填充空洞。高密度等离子体HDPCVD优良填充能力正好满足STI对沟壑填充的要求。二氧化硅CMP是平坦化技术的一个飞跃，真正实现了器件制造中的完全平坦化。它是利用液态的化学研磨液对晶圆表面实施微研磨，使得晶圆凹凸不平的表面平坦化的一种新型的平坦化工艺技术。STI隔离对于改善器件隔离性能、减小器件尺寸、以及平坦化工艺等方面的优越性已被越来越多的人们所认识。对于相同的器件，STI隔离相对于传统的LOCOS隔离可以减小场区面积30%左右，抗漏电能力
提高3倍左右。特别是对于深亚微米器件，STI隔离相对于LOCOS隔离的优越性更显著。所以STI隔离技术是集成电路器件进入0.25微米时代以后的非常理想的可以代替LOCOS隔离的隔离技术。虽然现在工艺开发、工艺集成等方面还有待于不断改进、不断优化，但随着STI隔离工艺的不断发展，相信在不久的将来，它将全面代替LOCOS 隔离工艺而被广大的制造厂商所采用，使得集成电路的性能和指标出现新的飞跃，对微电子技术的发展产生重大影响。
第4章 浅沟槽隔离技术
集成电路的高速发展，半导体制造技术也不停的进化，现在一般IC 公司主流的工艺已经进入纳米级的，而PN 隔离、介电质隔离、局部氧化隔离（LOCOS ）显然不适用现在的工艺，所以本文主要用STI 来讲述现代隔离技术的工艺方法。
4.1 浅沟槽隔离技术(ST 工)在半导体器件中的作用
图4-l 所示的结构为一个典型集成电路半导体器件的剖面不意图，STI 在其中的作用是将N 型和P 型掺杂区域彻底隔断，消除这2个掺杂区间可能存在的漏电流，避免相临器件间的短路发生。
图4-1半导体器件的剖面示意图
为了达到隔离的目的传统的器件结构使用本征氧化隔离技术，本征氧化隔离技术在N 型和P 型掺杂区域间通过扩散氧化的方法使Si 氧化成2SiO ，如图4-1，利用2SiO 绝缘的特性做到N 型和P 型掺杂区域的隔离。由于Si 的氧化速率很慢，且形成的氧化结很浅，在器件结构越来越小，功率越来越大的今天，扩散氧化的方法很难满足隔离的要求。
浅沟槽隔离技术在N 型和P 型掺杂区域中先将Si 刻蚀掉，形成一个浅沟槽，然后在沟槽中填入绝缘的物质，达到隔离的目的，如下图4-2。浅沟槽隔离技术比传统的本征氧化隔离技术，绝缘层可以更深，可以减少电极间的漏电流，承受更大的击穿电压。
4-2 隔离示意图
浅沟槽隔离技术(ST 工)形成过程
浅沟槽隔离刻蚀前的结构由光刻胶掩膜，氮化硅层，氧化硅层，硅组成。需要将光刻胶掩膜未覆盖处的氮化硅层，氧化硅层完全刻蚀掉，然后将下部的硅刻蚀掉一定的量，使硅产生一个沟槽。
4.2 浅沟槽隔离刻蚀步骤
浅沟槽隔离刻蚀步骤分4个主要步骤完成:隔离氧化层成长，氮化物淀积，光刻掩膜，浅沟槽刻蚀：
4.2.1 隔离氧化层成长
硅片到达扩散区后，进行清洗以除去沾污和氧化。经过漂洗和甩干之后，硅片进入高温氧化设备。生长一层氧化物，这层氧化物将作为隔离层保护有源区在去掉氮化物的过程中免受化学沾污。
4.2.2 氮化物淀积
硅片被放入高温的低压化学气相淀积设备。在设备的腔体中氨气与二氯硅烷发生反应，在硅片表面生成一层氮化硅43N Si ；这层氮化硅在整个浅沟槽隔离形成的过程中有两个作用：l)、氮化硅是一层坚固的掩膜材料，有助于在STI 氧化物淀积过程中保护有源区，
2)、氮化硅可以在化学机械抛光这一步中充当抛光的阻挡材料。
4.2.3 光刻掩膜
硅片从扩散区转移到光刻区后，在涂胶/显影机中经历一系列的工艺步骤，最终由
光刻机将特定掩膜的图形直接刻印在涂胶的硅片上。光刻后的硅片检测包括尺寸检测!缺陷检测以及目检，如有重大缺陷可以将硅片去胶然后返工。
4.2.4浅沟槽刻蚀
要求光刻胶的刻印图形保护硅片上那些不需要刻蚀的区域，没有光刻胶保护的区域被离子和强腐蚀性的化学物质刻蚀掉氮化硅，氧化硅以及硅。刻蚀机利用大功率的射频能量在真空反应腔中将氟基或氯基的气体离化。射频能量分解分子，离化原子，使反应腔中充满了多种等离子体成分。这些等离子体成分通过物理刻蚀，化学刻蚀将硅片上定义为隔离区的硅移走。每一步刻蚀工艺完成后，硅片都要去胶并在一系列化学试剂中清洗。
4.3隔离技术的关键工艺
STI隔离技术是一种全新的、完全不同于传统的LOCOS隔离的新型隔离技术，主要适应极小尺寸器件对极小特征尺寸!器件可靠性的要求。在极小尺寸下，要求场区和有源区的面积非常小;同时，对器件的漏电流也极为敏感。STI隔离工艺主要有以下各关键工艺：氧化和氮化硅生长、沟壑光刻刻蚀、高密度等离子体二氧化硅生长、二氧化硅CMP、氮化硅去除等工艺步骤。
4.3.1氧化和氮化硅生长
氮化硅的主要作用是作为介质二氧化硅填充后进行CMP研磨的停止层。它的厚度由CMP的研磨不均一性和过研磨的量所决定，其膜厚大约在120~150nm。生长氮化硅的工艺技术与Loc0S隔离工艺中所生长氮化硅的工艺完全相同。在此之前利用热氧化生长的氧化膜，厚度大约15nm左右，主要是为了缓解硅基板与氮化硅膜之间的应力匹配，起到缓冲作用。
4.3.2沟壑(Trench)光刻与刻蚀
光刻与刻蚀是集成电路制造工艺中的微细加工部分，它决定着电路图形的精确实现。STI刻蚀形状的控制是一个很重要的工程。主要是使用两步刻蚀来形成沟壑：一是刻蚀作为CMP停止层的表面介质层；二是刻蚀硅衬底。目前，高端的刻蚀技术将把这两个刻蚀步骤综合在一起，以提高生产性和降低成本。理想的刻蚀后的沟壑形状是一个
O 正梯形，倾斜度范围为75-89度。通常用来控制沟壑形状的方法是利用CLZ，HBr和
2等刻蚀气体，他们被认为在被用作硅刻蚀时可以产生聚合体产物。这些产物可以在沟壑刻蚀时形成正梯形。但是有一个缺点，这些产物可能覆盖在等离子体反应器的其他表面，
带来工艺稳定性和尘埃等方面的问题。控制沟壑形状的第二个方法是利用刻蚀产物的淀积特性。刻蚀时的产物将重新淀积在沟壑的侧壁，重新淀积的数量将决定梯形的倾斜度。
4.3.3二氧化硅CMP
CMP是平坦化技术的一个飞跃，真正实现了器件制造中的完全平坦化。它是利用液态的化学研磨液对晶圆表面实施微研磨，使得晶圆凹凸不平的表面变得平坦化的一种新型的平坦化工艺技术。虽然CMP已应用在电子工业中，但其物理和化学的工艺机理还不是很清楚。在CMP过程中，同时存在化学反应过程和机械研磨过程，二者共同占据主导地位。它是利用一些高ph值的研磨浆液来研磨晶圆的表面使其平坦化。在研磨液和被研磨的介质物之间存在一些化学反应，极薄的表面层被氢基化后，被随后的机械研磨所去除。CMP主要是在完成沟壑的完美填充后，去除表面多余的氧化硅膜，并达到表面的完全平坦化。当沟壑填充的氧化膜的CMP速率与氮化硅的CMP速率相当时，则氮化硅CMP后的表面与沟壑填充的氧化硅大约在同一平面上。由于在CMP后的洗净中会有一点氧化膜损失，所以氮化硅膜厚度将决定有源区表面与填充沟壑的氧化层表面之间的台阶高度。填充沟壑的氧化层应当足够厚以避免寄生边角晶体管效应的产生。在此限度内通过优化氮化硅在CMP后的残留厚度，来获得精确的场区图形。有源区的氧化层必须被抛去，以使其下部的氮化硅膜暴露出来，并与沟壑中的氧化膜处于同一平面。实际上，孤立的!窄的图形结构上的研磨速率比密集排列或宽广区域的图形结构上研磨速率要快。研磨凹凸不平的晶圆表面，突起部分所承受的压力远高于凹陷部分所承受的压力，因而，突起部分的研磨较快。但是由于研磨盘的柔软性，在宽阔区域的中心将出现碟形的凹陷。优化研磨浆液和研磨机械系统，将有利于克服此缺陷。CMP研磨到达氮化硅层后的过研磨不仅减少氮化硅的厚度，也同时迫使CMP同时研磨两种不同的物质，即有源区上的氮化硅和沟壑上的氧化硅。如果氧化膜的研磨速率大于氮化硅膜的研磨速率，再加上CMP在晶圆表面研磨的不均一性，有可能发生沟壑氧化膜的凹陷和沟壑边缘的浸蚀。优化氮化硅的过研磨量，并结合随后的利用热磷酸去除氮化硅时对沟壑氧化膜的影响，将会得到理想的表面形态。
由于在浅沟槽隔离工艺中沉积的二氧化硅薄膜致密性比较好，因此能够满足对器件的高隔离要求。同时在浅沟槽隔离（STI）工艺中，浅沟槽是采用各向异性的干刻蚀的方法得到的，而且沟槽垂直向下，可以减小晶圆表面硅的消耗，对缩小器件尺寸和提高电路密度有很大的帮助。在沉积浅沟槽隔离薄膜时，应用的是化学气相沉积工艺方法，
一般情况下使用的是高密度等离子体化学气相沉积工艺进行浅沟槽内的薄膜沉积。
总结与展望
本文简单描述了隔离的机理和原理，了解隔离技术的在集成电路制造工艺的重要作用，熟悉了结隔离、介电质隔离、局部氧化隔离。重点了解了STI。
经过几十年，隔离技术已有很的的发展，并不断向新的方向开拓。它对微电子学的发展、超大规模集成电路产业的扩大和量子期间的突破性进展起了关键性的作用。今后的发展不论在技术的本身或设备的结构上都是多样化的，而且仍然是方兴未艾。
在更先进的CMOS 技术中，浅沟槽隔离（STI）工艺由使用高密度等离子体化学气相沉积工艺或使用基于臭氧/四乙基原硅酸盐化学品的热化学气相沉积工艺沉积的二氧化硅薄膜组成。在65纳米以下的更先进的工艺节点中深宽比（AR）将大于6：1，这对于使用高密度等离子体化学气相沉积工艺去得到好的空隙填充来说将越来越困难。为了使高密度等离子体化学气相沉积工艺可以填充这些深宽比大的浅沟槽隔离区，重复的内部或外部的背部刻蚀工艺不得不被引入，以便确保填充的薄膜中没有空洞。一个高深宽比工艺被呈现出来用于浅沟槽隔离的填充，这种高深宽比工艺（使用一种新的技术，即在540℃条件下使用臭氧/四乙基原硅酸盐为基础的半大气压化学气相沉积工艺。与高密度等离子体化学气相沉积工艺相比，高深宽比工艺据说将横向应力引入到浅沟槽中。这种技术有两个关键的好处：1、一个非常等角的沉积方式能够对深宽比大于10：1 的空隙有一个很好的空隙填充能力；2、与其他的臭氧/四乙基原硅酸盐半大气压化学气相沉积工艺技术相比可以实质的增加薄膜沉积速率。
半导体技术对促进经济的发展，提高人们的生活水平，提高国家的军事力量都有着支配作用。因为历史的原因，中国的晶圆代工产业只算是刚刚起步，与世界性的晶圆代工公司无论在技术上，还是在规模上面，还有一段不小的距离。可以说是中国的晶圆代工还有很长的一段路要走，还需要政府的大力支持，半导体业界的不断努力。中华民族作为世界上最聪明和勤劳的民族之一，相信通过我们的努力，一定会重新走在世界的最前沿。
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[8]关旭东，硅集成电路工艺基础，北京：北京大学出版社，2003，1~347
医院隔离技术规范-(1)
医院隔离技术规范 医院隔离技术规范 Technique standard for isolation in hospitals 2009-04-01 发布2009-12-01 实施 中华人民共和国卫生部发布 WS/T 311-2009 前言 根据《中华人民共和国传染病防治法》、《医院感染管理 办法》和《消毒管理办法》制定本标准。 本标准的附录A 、附录B、附录C 、附录D 为规范性附录，附录E 、附录F 和附录G 为资料性附录。 本标准由卫生部医院感染控制标准专业委员会提出。 本标准起草单位:北京大学第一医院、首都医科大学附属北京天坛医院、卫生部医院管理研究所、首
都医科大学宣武医院、中南大学湘雅医院、复旦大学附属中山医院、解放军301 医院、山东省立医院。 本标准起草人·李六亿、邵丽丽、刘玉村、巩玉秀、王力红、吴安华、胡必杰、魏华、李卫光、贾会学、 张桂花、曹红谊。 WS/T 31 1-2009 医院隔离技术规范 1 范围 本标准规定了医院隔离的管理要求、建筑布局与隔离要求、医务人员防护用品的使用和不同传播途径疾病的隔离与预防。 本标准适用于各级各类医院。 其他医疗机构参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是标注日期的引用文件，其随后所有的修改(不包括勘误内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本
标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 19082 区用一次性防护服技术要求 WS/T 313 医务人员手卫生规范 消毒技术规范卫生部 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3. 1 感染源source of infection 病原体自然生存、繁殖并排出的宿主或场所。 3.2 传播途径modes of lransmission 病原体从感染源传播到易感者的途径。 3. 3 易感人群susceptible hosts 对某种疾病或传染病缺乏免疫力的人群。 3.4 标准预防staodard precaotion 针对医院所有患者和医务人员采取的一组预防感染措施。
内外网安全隔离设备穿透技术的研究与应用 摘要：计算机技术和网络技术的迅猛发展使电力系统越来越多地利用网络平台开展工作，与此同时，黑客、病毒以及恶意代码对电力系统尤其是生产控制系统的威胁日益严重，对电力系统网络的安全性、可靠性、实时性提出了非常严格和紧迫的要求，内外网安全隔离设备穿透技术的研究与应用将是网络安全研究上新的突破和巨大的进步。 关键词：内外网安全；隔离；穿透技术 1 技术研究现状 潜伏在网络中的各种漏洞会带来各种安全隐患，网络信息安全问题随之受到巨大的威胁。因此，充分运用各种网络安全技术特点所形成的内外网安全隔离设备穿透技术，进一步加速了信息安全防护技术的发展。当前内外网安全隔离技术主要是通过切断内、外网间的连接，实现不同网络之间的数据交换。在实际应用中这种技术主要体现在两个方面：一是防止内网在访问外网时泄漏内部信息；二是保护内网中的服务器被外部攻击。它最大的功能是通过各种安全隔离技术，避免信息泄露，保护服务器。内外网安全隔离技术，可以有效屏蔽内部潜在的操作系统漏洞、协议漏洞以及相关BUG，在保障内网的安全性的同时，还有效避免了各种外部攻击。通过对系统内核加以强化，来有效抵御外部攻击，在防止自身系统产生漏洞的情况下，还能够进一步加强整个网络抗击Dos、DDos等网络攻击的能力。这就意味着这项技术会通过低成本抵御内网操作系统被破坏或者崩溃，起到更大的安全效益。 网络攻击主要分为两类，即拒绝服务攻击和针对内部漏洞（这主要包括网络协议漏洞、操作系统漏洞、软件漏洞）所进行的攻击。通过在内、外网间实施安全隔离，提升内网的整体安全性是屏蔽内网的各种漏洞，保护其不受攻击的有效途径。网络安全隔离技术实现有以下两种方式：空间隔离和时间隔离。空间隔离主要将连接在内、外部网的两套设备，通过中间存储设备将信息传递到内、外网之间完成交换。时间隔离的核心思想是认为用户一般在不同时间使用网络不同，这样将一台计算机定义成两种状态，即内部网络（安全）状态和公共网络（安全）状态，主要为了保证用户在某一特定时间段只能处于一种特定状态。时间、空间隔离在实际应用中有一定的交互。时间、空间的隔离方法在具体实现过程相互渗透与交叉，最终促成安全隔离设备穿透技术的出现。 2 技术的理论研究 2.1 技术原理 内外网安全隔离设备穿透技术是适应网络按照安全等级进行分区的需要，对数据库进行保护的专用技术。本技术可以对信息内外网间的传输进行筛选，只允许特定的应用服务器对指定的数据库服务器进行访问，同时对访问服务器的内容和行为加以限制。
膜过滤技术及其应用范围介绍 北京陶普森膜应用工程技术有限公司孙永杰 过滤是分离液体中固体性颗粒的常用方法之一。我们熟悉的土壤就是一个天然过滤器，池塘、湖泊和河流中的地表水在通过不同类型的土壤之后，渗透聚积成相对洁净的地下水，土壤让水透过的时候截留了其它成分，如颗粒物和污染物等，而渗透到深处的地下水得到了净化。 过滤是实验室常用的物料分离技术。从筛网、滤纸到膜滤器等技术手段的延伸、发展，促进了产品提纯技术的提高，净化效果明显，分离精度大大提高。在能量消耗，过滤效果和操作简便方面，相比于传统的分离方法如蒸馏或结晶，膜过滤技术的表现优于其他分离过程。在许多分离领域，膜过滤克服了传统技术局限性，尤其对生化或药物的加工应用过程，膜技术的应用提高了产品品质和收率，因为其中的蛋白质和有效成分大多是热敏感的。因膜过滤为物理过滤方式，膜材质稳定性强，经验证的实验室过滤工艺，很容易被放大和改进，更易成功应用到实际的大规模生产中。 在生物和制药技术行业的许多领域，包括食品和饮料行业，生物技术和饮用水处理行业，都普遍使用过滤膜用于过滤。 过滤膜的工作原理：膜过滤器的原理类似于上面提到的地下水渗透过程，人工制备的膜相当于地表土层，待过滤的溶液中一部分的小分子物质可以通过薄膜的微孔，其渗透性取决于孔的大小。比滤膜孔更小的颗粒可透过滤膜，而比滤膜孔大的颗粒就被截留下来。
一般情况下，膜的孔径决定了应用，根据孔径的大小，将不同的过滤膜技术分为四类：微滤，超滤和纳滤以及反渗透。 1. 微滤膜技术 过滤膜的孔径一般在5μm和0.1μm之间。在微生物实验中经常被使用孔径为0.1μm至0.2μm的膜，可以分离出酵母菌和细菌，是一种温和快速的杀菌方法。在工业化生产上，这种滤膜技术通常为过滤器的滤芯，广泛应用在医药，食品和饮料工业生产线中。例如，生物制药厂用于生物反应器中微生物生长阶段之后的“收获”和细菌菌体的分离，废水处理或浑浊液的油水分离等。 2. 超滤膜技术 超滤技术常常用于大分子的浓缩和脱水，超滤膜过滤“孔径”在0.1μm和0.01μm之间。由于该技术主要用于分离或浓缩蛋白质分子，所以膜的过滤孔径被定义为“分子量切断”(MWCO)或“标称分子量切断”(NMWC)，单位为道尔顿(质量单位，等于一氧原子的1/16)。MWCO值表示可被膜截留的球状分子的小分子量。为了安全起见，应总是选择MWCO值至少比要分离的大分子的分子量高20%。这种膜过滤技术的应用操作压力，通常在2-10巴之间。 3.纳滤技术 是纳米级过滤技术的简称，纳米级过滤的膜过滤器，其孔径小于0.005μm，可截留更小的有机分子和大部分盐类物质，以及重金属离子等。陶普森纳米级过滤需要更高的外部压力，过滤压力一般在10-80巴之间。
隔离技术探讨 网络内部各个部门均有独立业务，而且各职能体系之间存在信息安全、保密的实际需要，因此在建基础网络平台的同时需要考虑如何将各种业务进行逻辑隔离，确保各部门业务的独立性，并且需要考虑在部署了业务隔离之后，如何对部分数据进行共享，如何与各业务部门的原有专网进行对接。 1 传统隔离方法：物理隔离 在虚拟化技术诞生和成熟之前，为了保证多个业务的独立性和安全性，企业往往构建和维护两套甚至多套物理网络，分别运行不同的关键业务。这种多套物理网络带来的问题有： 1. 维护不便。多套独立的物理网络，在基础网络管理和安全策略部署方面成倍增加了网络管理员的维护工作量。 2. 成本高昂。需要购买的网络硬件和软件资源成本成倍增加。 3. 利用率低。多套物理网络分别承载不同的关键业务，网络资源整体利用率低，以及利用率不平衡，例如某些网络设备负荷偏高，而某些网络设备负荷偏低，而不能很好的做到资源共享，充分利用企业现有网络资源。 4. 灵活性差。在企业业务发生变化，例如业务整合、部门合并或分离等，需要对现有的业务隔离模式进行调整。当这些业务分别承载在多个相互隔离的物理网络上时，对业务的整合、互访控制就非常复杂甚至难以实施。 2逻辑隔离方法 随着网络技术的发展，虚拟化技术得到了广泛的应用。虚拟化即是在一套物理网络上，采用逻辑隔离技术将网络资源划分为多个逻辑隔离的虚拟通道，虚拟通道间既能达到与物理隔离等同的安全保证，也可以灵活控制某条虚拟通道中的业务对其他虚拟通道的访问。 虚拟化技术根据隔离的层次可以分为VLAN和VPN两种： 2.1 VLAN技术 VLAN（Virtual Local Area Network，虚拟局域网）是一种二层隔离技术，其原理是在交
题目：膜分离技术读书报告日期2015年11月20日
目录 一、膜的种类特点及分离原理 (1) 二、最新膜分离技术进展 (3) 1. 静电纺丝纳米纤维在膜分离中的应用 (3) 1.1 静电纺丝技术的历史发展 (3) 1.2 静电纺丝纳米纤维制备新型结构复合膜 (3) 1.2.1 在超滤方面 (4) 1.2.2 在纳滤方面 (4) 1.2.3 在渗透方面 (5) 1.2.4 静电纺丝纳米纤维制备空气过滤膜 (5) 2. 多孔陶瓷膜应用技术 (6) 2.1 高渗透选择性陶瓷膜制备技术 (7) 2.1.1 溶胶—凝胶技术 (7) 2.1.2 修饰技术 (7)
一、膜的种类特点及分离原理 膜分离技术（membrane separation technology, MST）是天然或人工合成的高分子薄膜以压力差、浓度差、电位差和温度差等外界能量位差为推动力，对双组分或多组分的溶质和溶剂进行分离、分级、提纯和富集的方法。常用的膜分离方法主要有微滤（micro-filtration, MF）、超滤（ultra-filtration，UF）、纳滤（nano-filtration，NF）、反渗透（reverse-osmosis, RO）和电渗析（eletro-dialysis, ED）等。MST具有节能、高效、简单、造价较低、易于操作等特点、可代替传统的如精馏、蒸发、萃取、结晶等分离，可以说是对传统分离方法的一次革命，被公认为20世纪末至21世纪中期最有发展前景的高新技术之一，也是当代国际上公认的最具效益技术之一。 分离膜的根本原理在于膜具有选择透过性，按照分离过程中的推动力和所用膜的孔径不同，可分为20世纪30年代的MF、20世纪40年代的渗析（Dialysis, D）、20世纪50年代的ED、20世纪60年代的RO、20世纪70年代的UF、20世 纪80年代的气体分离 （gas-separation, GS）、20世纪90 年代的PV和乳化液膜（emulsion liquid membrane, ELM）等。 制备膜元件的材料通常是有 机高分子材料或陶瓷材料，膜材料中的孔隙结构为物质透过分离膜而发生选择性分离提供了前提，膜孔径决定了混合体系中相应粒径大小的物质能否透过分离膜。图1是MF、UF、NF、RO的工作示意图。MF的推动力是膜两端的压力差，主要用来去除物料中的大分子颗粒、细菌和悬浮物等；UF的推动力也是膜两端的压力差，主要用来处理不同相对分子质量或者不同形状的大分子物质，应用较多的领域有蛋白质或多肽溶液浓缩、抗生素发酵液脱色、酶制剂纯化、病毒或多聚糖的浓缩或分离等；NF自身一般会带有一定的电荷，它对二价离子特别是二价阴离子的截留率可达９９％，在水净化方面应用较多，同时可以透析被RO膜截留的无机盐；RO是一种非对称膜，利用对溶液施加一定的压力来克服溶剂的渗透压，使溶剂通过反向从溶液
医院隔离技术规范 一、范围 本标准规定了医院隔离的管理要求、建筑布局与隔离要求、医务人员防护用品的使用和不同传播途径疾病的隔离与预防。 本标准适用于各级各类医院。 其他医疗机构参照执行。 二、规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是标注日期的引用文件，其随后所有的修改(不包括勘误内容) 或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 19082 区用一次性防护服技术要求 WS/T 313 医务人员手卫生规范 消毒技术规范卫生部 三、术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3. 1 感染源source of infection 病原体自然生存、繁殖并排出的宿主或场所。 3.2 传播途径modes of lransmission 病原体从感染源传播到易感者的途径。 3. 3 易感人群susceptible hosts 对某种疾病或传染病缺乏免疫力的人群。 3.4 标准预防staodard precaotion
针对医院所有患者和医务人员采取的一组预防感染措施。包括 手卫生，根据预期可能的暴露选用手套、隔离衣、口罩、护目 镜或防护面屏，以及安全注射。 也包括穿戴合适的防护用品处理患者环境中污染的物品与医疗 器械。 标准预防基于患者的血液、体液、分泌物(不包括汗液)、非完 整皮肤和黏膜均可能含有感染性因子的原则。 3.5 空气传播airborne transmission 带有病原微生物的微粒子(≤5 μm) 通过空气流动导致的疾病 传播。 3.6 飞沫传播droplet transmission 带有病原微生物的飞沫核( > 5μm) ，在空气中短距离(l m 内) 移动到易感人群的口、鼻黏膜或眼结膜等导致的传播。 3. 7 接触传播contact transmission 病原体通过手、媒介物直接或间接接触导致的传播。 3.8 感染链infection chain 感染在医院内传播的三个环节，即感染源、传播途径和易感人群。 3.9 个人防护用品personal protective equipment ,PPE 用于保护医务人员避免接触感染性因子的各种屏障用品。包括 口罩、手套、护目镜、防护面罩、防水围裙、隔离衣、防护服等。 3.9. 1 纱布口罩mask 保护呼吸道免受有害粉尘、气溶胶、微生物及灰尘伤害的防护
《医院隔离技术规范 WS/T 311-2009》摘要 前言 根据《中华人民共和国传染病防治法》、《医院感染管理办法》和《消毒管理办法》制定本标准。 本标准的附录A、附录B、附录C、附录D为规范性附录，附录E、附录F 和附录G为资料性附录。 本标准由卫生部医院感染控制标准专业委员会提出。 医院隔离技术规范 一、范围 本标准规定了医院隔离的管理要求、建筑布局与隔离要求、医务人员防护用品的使用和不同传播途径疾病的隔离与预防。 本标准适用于各级各类医院。 其他医疗机构参照执行。 二、规范性引用文件 GB 19082 医用一次性防护服技术要求 WS/T 313 医务职员手卫生规范 消毒技术规范卫生部 三、术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 1、感染源：病原体自然生存、繁殖并排出的宿主或场所。 2、传播途径：病原体从感染源传播到易感者的途径。 3、易感人群：对某种疾病或传染病缺乏免疫力的人群。
4、标准预防：针对医院所有患者和医务人员采取的一组预防感染措施。包括手卫生，根据预期可能的暴露选用手套、隔离衣、口罩、护目镜或防护面屏，以及安全注射。也包括穿戴合适的防护用品处理患者环境中污染的物品与医疗器械。 标准预防基于患者的血液、体液、分泌物(不包括汗液)、非完整皮肤和黏膜均可能含有感染性因子的原则。 5、空气传播：带有病原微生物的微粒子(≤5μm)通过空气流动导致的疾病传播。 6、飞沫传播：带有病原微生物的飞沫核(>5μm) ，在空气中短距离(lm 内)移动到易感人群的口、鼻黏膜或眼结膜等导致的传播。 7、接触传播：病原体通过手、媒介物直接或间接接触导致的传播。 8、感染链：感染在医院内传播的三个环节，即感染源、传播途径和易感人群。 9、个人防护用品（PPE）：用于保护医务人员避免接触感染性因子的各种屏障用品。包括口罩、手套、护目镜、防护面罩、防水围裙、隔离衣、防护服等。 （1）纱布口罩：保护呼吸道免受有害粉尘、气溶胶、微生物及灰尘伤害的防护用品。 （2）外科口罩：能阻止血液、体液和飞溅物传播的，医护人员在有创操作过程中佩带的口罩。 （3）医用防护口罩：能阻止经空气传播的直径≤5μm感染因子或近距离（<1m）接触经飞沫传播的疾病而发生感染的口罩。医用防护口罩的使用包括密合性测试、培训、型号的选择、医学处理和维护。
膜分离技术及其应用 童汉清 海金萍 (蚌埠高等专科学校食品系,蚌埠市233030) 摘 要 针对膜分离技术的一系列独特优点,介绍了工业中常用的各种分离膜的性能、材料及其各自的应用,并简述了世界上最新的膜分离技术及其发展方向。 关键词 膜分离技术 反渗透膜 超滤膜 微滤膜 0 前言 膜分离是用半透膜分离均相混合物中不同组分的一种方法。由于膜分离技术在生产中物料无相变过程,因而无需再沸器、冷凝器等设备,与蒸发、精馏等分离技术相比具有显著的节能、高效等特点,特别是对于食品工业,膜分离技术可以完好地保留食品原有色、香、味,而其营养成分又不会被高温破坏。因而膜技术在世界范围内引起人们极大关注,被誉为重大的新技术革命之一。 现代膜技术的开发还仅仅是近三十年的事情,虽然近年来有了较大的发展,但目前仍处于发展和完善的过程中。国内外膜分离技术已在许多不同行业得到应用,并取得了良好效果。 1 反渗透膜及其应用 1.1 反渗透膜的性能 反渗透膜的孔径在0.3～2nm之间,通常为非对称的微孔结构膜,压差作为操作推动力,工作压力可高达7.0～7.5M Pa,膜通量一般为0.5m3/(m2d)。 反渗透膜能截留住除水分子、氢离子、氢氧根离子以外的其它物质,因而主要用于水和其它物质的分离。 1.2 膜材料 最先开发并成功应用的反渗透膜材料是醋酸纤维素,70年代以来逐渐开发出一些新型反渗透膜材料,如芳香族聚酰胺、聚苯并咪唑、磺化聚苯撑氧、磺化聚磺酸盐、聚酰胺羧酸、聚乙烯亚胺、聚甲苯二异氰酸酯和等离子处理聚丙烯腈等。醋酸纤维素在强酸和弱碱条件下易发生水解且不耐高温,易受微生物和酶的作用,在正常使用时还会发生蠕变使透水速率降低。尽管存在这些缺点,但目前工业上最广泛使用的两种反渗透膜材料,还是首选醋酸纤维素,其次为聚酰胺。 1.3 反渗透膜的应用 1.3.1 海水淡化 反渗透膜分离技术被广泛应用于海水淡化。在全世界海水淡化装置中,约有30%用反渗透方式来实现。反渗透膜由极薄致密表层和多孔支撑层构成,具有高透水率及高脱盐率,可脱去海水中99%以上的盐离子。 1.3.2 果汁、果酒等产品的浓缩 膜浓缩是在常温下进行的。用反渗透膜对果汁、果酒进行浓缩,可保证维生素等营养成分不受破坏以及挥发质不损失,并可保留其原有的风味,这是其它浓缩技术难以做到的。另外,反渗透膜可以完全除去细菌和病毒,使产品不加任何防腐剂而延长储存期,食用更加卫生可靠。 19 《化工装备技术》第20卷第2期1999年
医院常用的隔离预防技术 医院常用的隔离预防技术；隔离预防技术，是预防感染性疾病疫情扩散的基本方法；第一节隔离预防的概述；隔离是阻断传染源传播至易感者的所有路径，而不被其； （一）感染性疾病或医院感染传播的几个；概念；医院感染实际上也是一种特殊的感染性疾病，具备一般；感染性疾病和医院感染的传播过程，一般需要具备3个； （二）隔离预防方法的基本分类；目前，隔离预防主要划分为两大类：一类是基于传染源特点切断其传染途径的隔离措施；一类是保护性的预防措施。 医院常用的隔离预防技术 隔离预防技术，是预防感染性疾病疫情扩散的基本方法，也是减少或杜绝职业暴露，维护医护人员执业安全与身体健康的重要保证。实施隔离预防技术的目的在于隔离感染源，阻止微生物在患者、医务人员及媒介之间播散，切断传播途径和保护易感人群，预防医院感染暴发流行。为实现这一目的所采取的一系列措施和操作技术，统称隔离预防技术，隔离预防在预防控制医院感染方面极为重要的作用和地位。 第一节隔离预防的概述 隔离是阻断传染源传播至易感者的所有路径，而不被其感染所采取的各种措施。隔离防护技术应用临床由来已久，1877年美国一些医院把传染与非传染病患者分别安置，采取消毒措施。1910年引入“屏障护理（barrie. nursing）”概念，即在传染病病房，医务人员使用隔离衣，接触病人后消毒剂洗手，对被病人污染的物品消毒，减少病原体传播给其他病人和医务人员的机会。20世纪50年代，综合性医院采取隔离病房收治传染性疾病患者。1970年美国CDC提出按传播途径进行隔离防护分类，如呼吸隔离、接触隔离、消化道隔离、血液隔离等，并为大多医院所采用。我国也非常重视医院隔离防护技术的研究和应用，并取得较快进展，2009年4月颁布了《医院隔离技术规》，从医疗建筑分区、布局与流程、传播途径及其防护用品应用等方面进行
卫生部医院隔离技术规范 上传：mishle333 点击次数：303 更新时间：2010-2-17参与讨论该主题 医院隔离技术规范 Technique standard for isolation in hospitals 前言 根据《中华人民共和国传染病防治法》、《医院感染管理办法》和《消毒管理办法》制定本标准。 本标准的附录 A、附录，B、附录，C、附录 D为规范性附录，附录 E、附录 F和附录 G为资料性附录。 本标准由卫生部医院感染控制标准专业委员会提出。 本标准起草单位:北京大学第一医院、首都医科大学附属北京天坛医院、卫生部医院管理研究所、首都医科大学宣武医院、中南大学湘雅医院、复旦大学附属中山医院、解放军 301医院、山东省立医院。 本标准起草人·李六亿、邵丽丽、刘玉村、巩玉秀、王力红、吴安华、胡必杰、魏华、李卫光、贾会学、张桂花、曹红谊。 1 范围 本标准规定了医院隔离的管理要求、建筑布局与隔离要求、医务人员防护用品的使用和不同传播途径疾病的隔离与预防。 本标准适用于各级各类医院。 其他医疗机构参照执行。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是标注日期的引用文件，其随后所有的修改(不包括勘误内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 19082 区用一次性防护服技术要求 WS/ T 313 医务人员手卫生规范 消毒技术规范卫生部 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3. 1 感染源 source of infection 病原体自然生存、繁殖并排出的宿主或场所。 3.2 传播途径 modes of transmission 病原体从感染源传播到易感者的途径。 3. 3 易感人群 susceptible population 对某种疾病或传染病缺乏免疫力的人群。 3.4 标准预防 standard precaution 针对医院所有患者和医务人员采取的一组预防感染措施。包括手卫生，根据预期可能的暴露选用手套、隔离衣、口罩、护目镜或防护面屏，以及安全注射。也包括穿戴合适的防护用品处理患者环境中污染的物品与医疗器械。 标准预防基于患者的血液、体液、分泌物(不包括汗液)、非完整皮肤和勃膜均可能含有感染性因子的原则。 3.5 空气传播 airborne transmission 带有病原微生物的微粒子(≤5μm)通过空气流动导致的疾病传播。 3.6 飞沫传播 droplet transmission 带有病原微生物的飞沫核 ( > 5μm)，在空气中短距离(l m内)移动到易感人群的口、鼻教膜或眼结膜等导致的传播。 3. 7 接触传播 contact transmission
《医院隔离技术规范》 1 范围 本标准规定了医院隔离的管理要求、建筑布局与隔离要求、医务人员防护用品的使用和不同传播途径疾病的隔离与预防。 本标准适用于各级各类医院。 其他医疗机构参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是标注日期的引用文件，其随后所有的修改(不包括勘误内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 19082 区用一次性防护服技术要求 WS/T 313 医务人员手卫生规范 消毒技术规范卫生部 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3. 1 感染源source of infection 病原体自然生存、繁殖并排出的宿主或场所。 3.2 传播途径modes of lransmission 病原体从感染源传播到易感者的途径。 3. 3 易感人群susceptible hosts 对某种疾病或传染病缺乏免疫力的人群。 3.4 标准预防staodard precaotion 针对医院所有患者和医务人员采取的一组预防感染措施。包括手卫生，根据预期可能的暴露选用手套、隔离衣、口罩、护目镜或防护面屏，以及安全注射。也包括穿戴合适的防护用品处理患者环境中污染的物品与医疗器械。 标准预防基于患者的血液、体液、分泌物(不包括汗液)、非完整皮肤和黏膜均可能含有感染性因子的原则。 3.5 空气传播airborne transmission 带有病原微生物的微粒子(≤5 μm) 通过空气流动导致的疾病传播。 3.6 飞沫传播droplet transmission 带有病原微生物的飞沫核( > 5μm) ，在空气中短距离(l m 内)移动到易感人群的口、鼻黏膜或眼结膜等导致的传播。 3. 7 接触传播contact transmission 病原体通过手、媒介物直接或间接接触导致的传播。 3.8 感染链infection chain 感染在医院内传播的三个环节，即感染源、传播途径和易感人群。 3.9 个人防护用品personal protective equipment ,PPE 用于保护医务人员避免接触感染性因子的各种屏障用品。包括口罩、手套、护目镜、防护面罩、防水围裙、隔离衣、防护服等。 3.9. 1 纱布口罩mask 保护呼吸道免受有害粉尘、气溶胶、微生物及灰尘伤害的防护用品。 3.9.2 外科口罩surgical mask
膜分离技术应用综述 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020
《食品科学概论》课程论文 论文题目：膜分离技术应用综述 学 院 ：生物工程学院 专 业 ：食品科学与工程 年级班别 ：09级一班 学 号 ：10122 学生姓名 ：齐莹 学生 指导教师 ：陈清禅 2011年 5 月 24 日 JINGCHU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
膜分离技术应用综述 齐莹 10122 摘要综述膜分离技术的特点、种类及分离机理，介绍国内外膜分离技术的研究进展及其在各个领域的应用现状，同时指出该技术存在的问题，提出选用更佳的膜材料以及多种膜分离技术联用是其今后的发展方向。 关键词膜分离技术微滤超滤食品工业 膜分离是在20世纪初出现，上世纪60年代后迅速崛起的一门分离新技术。膜分离技术由于兼有分离、浓缩、纯化和精制的功能，又有高效、节能、环保、分子级过滤及过滤过程简单、易于控制等特征，因此，目前已广泛应用于食品、医药、生物、环保、化工、冶金、能源、石油、水处理、电子、仿生等领域，产生了巨大的经济效益和社会效益，已成为当今分离科学中最重要的手段之一。据统计，膜销售每年以14%~30%的速度增长，而最大的市场为生物医药市场[1] 。 1膜分离的简介 1. 1 膜的定义 膜是一种起分子级分离过滤作用的介质,当溶液或混和气体与膜接触时,在压力下,或电场作用下,或温差作用下,某些物质可以透过膜,而另些物质则被选择性的拦截,从而使溶液中不同组分,或混和气体的不同组分被分离,这种分离是分子级的分离。 1. 2 膜的种类 分离膜包括:反渗透膜(0. 0001～0. 005μm) ,纳滤膜(0. 001 ～0. 005μm) 超滤膜(0. 001 ～0. 1μm) 微滤膜(0. 1～1μm) 、电渗析膜、渗透气化膜、
隔离技术的研究与应用 系电子信息工程系（宋体三号）专业姓名 班级学号_______________ 指导教师职称 指导教师职称 设计时间2012.9.15－2013.1.4
摘要 随着半导体集成电路技术的不断发展，要求在有限的晶圆表面做尽可能多的器件，晶圆表面的面积变得越来越紧张，器件之间的空间也越来越小，因此对器件的隔离工艺要求越来越高。 本课程设计主要介绍了半导体制造工艺中隔离技术的作用和发展，简单描述了结隔离、介电质隔离、局部氧化隔离工艺和浅沟槽隔离等常用隔离技术。由于集成电路的发展，其他的隔离技术已不适应现在的半导体工艺，本文以浅槽隔离技术工艺为重点详细介绍了隔离技术在半导体中的应用浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。 关键词：结隔离，介电质隔离，局部氧化隔离工艺，STI
目录 摘要 (2) 目录 (3) 第1章绪论 (4) 1.1集成电路工艺技术概述 (4) 1.2隔离技术简介 (4) 第2章隔离技术的原理 (6) 2.1隔离技术的原理 (6) 2.2隔离技术的新发展 (6) 第3章隔离技术的工艺及发展 (7) 3.1结隔离 (7) 3.2介电质隔离 (8) 3.3局部氧化隔离（LOCOS）工艺 (9) 3.4浅沟槽隔离（STI）工艺简介 (11) 第4章浅沟槽隔离技术 (14) 4.1浅沟槽隔离技术(ST工)在半导体器件中的作用 (14) 4.2浅沟槽隔离刻蚀步骤 (15) 4.2.1隔离氧化层成长 (15) 4.2.2氮化物淀积 (15) 4.2.3光刻掩膜 (15) 4.2.4浅沟槽刻蚀 (16) 4.3隔离技术的关键工艺 (16) 4.3.1氧化和氮化硅生长 (16) 4.3.2沟壑(Trench)光刻与刻蚀 (16) 4.3.3二氧化硅CMP (17) 总结与展望 (19) 参考文献 (20) 致谢 (21)
膜分离技术及其应用领域分析 膜分离技术是指在分子水平上不同粒径分子的混合物在通过半透膜时，实现选择性分离的技术，半透膜又称分离膜或滤膜，膜壁布满小孔，根据孔径大小可以分为：微滤膜（MF）、超滤膜（UF）、纳滤膜（NF）、反渗透膜（RO）等，膜分离都采用错流过滤方式。 一、膜分离技术原理及特点 膜分离技术以选择性透过膜为分离介质，如图1所示，当膜两侧存在某种推动力(如压力差、浓度差、电位差等)时，原料侧组分选择性地透过膜，以达到分离、提纯的目的。膜分离技术以其低能耗、高效率被认为是理想的分离技术之一。 图1膜分离技术原理 利用膜分离技术进行分离所具有的特点包括：1）膜分离过程不发生相变化，因此膜分离技术是一种节能技术；2）膜分离过程是在压力驱动下，在常温下进行分离，特别适合于对热敏感物质，如酶、果汁、某些药品的分离、浓缩、精制等。3）膜分离技术适用分离的范围极广，从微粒级到微生物菌体，甚至离子级都有其用武之地，关键在于选择不同的膜类型；4）膜分离技术以压力差作为驱动力，因此采用装置简单，操作方便。 基于膜分离技术所具有上述特点，是现代生物化工分离技术中一种效率较高的分离手段，完全可以取代传统的过滤、吸附、蒸发、冷凝等分离技术，所以膜分离技术在生物化工分离工程中起着很大的作用。 二、膜分离技术种类分析 按照膜孔径和成膜材料分类，常用的膜分离技术主要有微滤、超滤、纳滤、反渗透以及气体分离等。各种膜过程具有不同的分离机理，可适用于不同的对象和要求。按分离原理和按被分离物质的大小区分的分离膜种类，从下表可以看出，几乎所有的分离膜技术均可应用于任何分离、提纯和浓缩领域。反渗透和纳滤作为主要的水及其它液体分离膜之一，在分离膜领域内占重要地位。
膜分离技术概论 XXX 机械工程及自动化专业机械104班1003010414 摘要：膜分离是在20世纪60年代迅速发展起的一门分离技术，膜分离主要包括分离、浓缩、纯化和精制等功能且操作简单、易于操作，因此目前膜分离技术被广泛应用于供水、制药、食品、环保、废品回收、水的淡化等工业生产过程中，产生了巨大的经济效益和社会效益。本文首先介绍了膜分离技术中的一些概念、膜的种类及其原理，然后介绍了一些常见的膜分离过程在实际生产中的应用；最后介绍了我国膜分离技术的发展概况及前景。 关键词：膜分离，技术，前景，概况 Membrane-Seperating technology Abstract: Membrane-Seperating technology is a separating technology which developed fast in the 1960s. This technology involves in various functions like separating、concrntrating、purifying and refining,what else, for it’s easily to operate it’s now widely used in the fields of water supplyment、medicine production、food、environment protecting、waste water recycling and so on, make great economical and social benefits. This passage first explain some concepts membrane technology、main theory involved and sort of it. Key words: Membrane-Seperating，technology，introduction，prospect 1膜分离技术的原理 现代膜分离技术分离的根本原理在于膜具有选择透过性。膜分离法是用天然或人工合成的高分子薄膜，以外界能量或化学位差为推动力，对双组分或多组分的溶质和溶剂进行分离、分级、提纯和富集的方法，可用于液相和气相。对于液相分离，可用于水溶液体系、非水溶液体系、水溶胶体系以及含有其他微粒的水溶液体系。以下重点介绍反渗透的基本原理、微滤原理及超滤原理。
网络隔离技术XX 面对新型网络攻击手段的出现和高安全度网络对安全的特殊需求，全新安全防护防范理念的网络安全技术——“网络隔离技术”应运而生。 网络隔离技术的目标是确保把有害的攻击隔离，在可信网络之外和保证可信网络内部信息不外泄的前提下，完成网间数据的安全交换。网络隔离技术是在原有安全技术的基础上发展起来的，它弥补了原有安全技术的不足，突出了自己的优势。 网络隔离，英文名为Network Isolation，主要是指把两个或两个以上可路由的网络(如：TCP/IP)通过不可路由的协议(如： IPX/SPX、NetBEUI等)进行数据交换而达到隔离目的。由于其原理主要是采用了不同的协议，所以通常也叫协议隔离(Protocol Isolation)。1997年，信息安全专家Mark Joseph Edwards在他编写的《Understanding Network Security》一书中，他就对协议隔离进行了归类。在书中他明确地指出了协议隔离和防火墙不属于同类产品。 隔离概念是在为了保护高安全度网络环境的情况下产生的;隔离产品的大量出现，也是经历了五代隔离技术不断的实践和理论相结合后得来的。
第一代隔离技术——完全的隔离。此方法使得网络处于信息孤岛状态，做到了完全的物理隔离，需要至少两套网络和系统，更重要的是信息交流的不便和成本的提高，这样给维护和使用带来了极大的不便。 第二代隔离技术——硬件卡隔离。在客户端增加一块硬件卡，客户端硬盘或其他存储设备首先连接到该卡，然后再转接到主板上，通过该卡能控制客户端硬盘或其他存储设备。而在选择不同的硬盘时，同时选择了该卡上不同的网络接口，连接到不同的网络。但是，这种隔离产品有的仍然需要网络布线为双网线结构，产品存在着较大的安全隐患。 第三代隔离技术—数据转播隔离。利用转播系统分时复制文件的途径来实现隔离，切换时间非常之久，甚至需要手工完成，不仅明显地减缓了访问速度，更不支持常见的网络应用，失去了网络存在的意义。 ___隔离技术—空气开关隔离。它是通过使用单刀双掷开关，使得内外部网络分时访问临时缓存器来完成数据交换的，但在安全和性能上存在有许多问题。
医院隔离技术规范 1 范围 本标准规定了医院隔离的管理要求、建筑布局与隔离要求、医务人员防护用品的使用和不同传播途径疾病的隔离与预防。 本标准适用于各级各类医院。 其他医疗机构参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是标注日期的引用文件，其随后所有的修改(不包括勘误内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 19082 区用一次性防护服技术要求 WS/ T 313 医务人员手卫生规范 消毒技术规范卫生部 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3. 1 感染源 source of infection 病原体自然生存、繁殖并排出的宿主或场所。
3.2 传播途径 modes of lransmission 病原体从感染源传播到易感者的途径。 3. 3 易感人群 sos臼ptible hosts 对某种疾病或传染病缺乏免疫力的人群。 3.4 标准预防 staodard precaotion 针对医院所有患者和医务人员采取的一组预防感染措施。包括手卫生，根据预期可能的暴露选用手套、隔离衣、口罩、护目镜或防护面屏，以及安全注射。也包括穿戴合适的防护用品处理患者环境中污染的物品与医疗器械。 标准预防基于患者的血液、体液、分泌物(不包括汗液)、非完整皮肤和勃膜均可能含有感染性因子的原则。 3.5 空气传播 airborne transmission 带有病原微生物的微粒子 (≤5μm)通过空气流动导致的疾病传播。 3.6 飞沫传播 droplet transmission 带有病原微生物的飞沫核 ( > 5μm)，在空气中短距离(l m内)移动到易感人群的口、鼻教膜或眼结膜等导致的传播。 3. 7 接触传播 contact lransmission 病原体通过手、媒介物直接或间接接触导致的传播。 3.8 感染链 infection chain 感染在医院内传播的三个环节，即感染源、传播途径和易感人群。 3.9 个人防护用品 personal protective equipment , PPE 用于保护医务人员避免接触感染性因子的各种屏障用品。包括口罩、手套、护目镜、防护面罩、防水围裙、隔离衣、防护服等 3.9. 1 纱布口罩 mask
一、学习安排 1、学习目标要明确，做好切实可行的计划； 2、合理安排时间，按时完成学习任务； 3、养成做笔记的习惯； 4、认真地完成布置的作业，养成自主的学习习惯； 5、多向老师和同学请教； 6、及时做好考前的复习工作。 总之，虽然客观制定了个人初步学习计划，还存在许多不完善与不足之处，还需要今后根据自己的切实情况，在学习中不断地补充，加以改进、及时地总结经验，以合格的成绩来完成自己的学业。 二、学习心得 在以前的学习过程中都没有接触过这类知识，所以由对膜的不理解进而升华为对膜的好奇，进而增加了对学习这门课程的兴趣。以前书本中介绍过人体中的一种膜-细胞膜。细胞膜有重要的生理功能，它既使细胞维持稳定代谢的胞内环境，又能调节和选择物质进出细胞。细胞膜会对物质进行选择性的进出，那么是不是所有的膜类材料都有此功能呢?带着疑问，带着兴趣开启了胡老师与我们的《膜分离技术及应用》这门课程的学习，在课堂上，通过老师的详细介绍，我收获颇多。 1.超滤膜的简介 超滤(Ultra-Filtration ,UF)是一种压力驱动的膜分离过程，是根据分子的大小和形态进行分离的。自20世纪60年代以来，超滤很快从实验规模发展成为重要的工业单元操作技术，它已广泛用于食品、医药，工业废水处理，高纯水制备及生物技术工业。在工业废水处理方面应用最普遍的是电泳涂漆过程，城市污水处理及其他工业废水处理领域都是超滤未来的发展方向。 2.超滤膜在废水处理中的应用：含油废水处理 机械行业工件的润滑、清洗和石化行业的炼制及加工等都会产生含油废水，
其油一般为漂浮油、分散油和乳化油三种存在形式。其中乳化油的分离难度最大，用电解或化学法破乳使油粒凝聚的费用较高，而超滤就不需要破乳直接可将油水分离，特别适用于高浓度乳化油的处理和回收。超滤处理乳化油废水时，界面活性剂大部分可透过，而超滤膜对油粒子完全阻止，随浓度增加油粒子粗粒化成为漂浮油浮于液面上，再用撇油装置即可撤除。陆晓千等用超滤膜技术处理清洗车床、设备等含油污水，颜色为乳白色，含油(1000～5000)mg/L，COD浓度高达(10000～50000)mg/L，经超滤膜处理后，颜色透明。含油低于10mg/L，COD(1700～5000)mg/L，除油滤99％。 3.纳滤膜的简介 纳滤膜（Nanofiltration membrane，NF）又称疏松型反渗透膜，它是介于反渗透与超滤之间的一种膜分离技术。但纳滤膜多数为荷电膜，其对无机盐的分离行为不仅受到化学势梯度控制，同时也受到电势梯度的影响。其表面由一层非对称性结构的高分子与微孔支撑体结合而成，以压力差为推动力，对水溶液中低分子量的有机溶质截留，而盐类组分则部分或全部透过，从而使有机溶质得到同步浓缩和脱盐的目的。 4.纳滤膜在废水处理中的应用 在金属加工与合金生产中产生的金属废水，含有浓度相当高重金属离子。将这些重金属离子生成氧氧化物沉淀除去是处理含重金属废水的一般措施。采用纳滤膜技术，不仅可以回收90％以上的废水，使之纯化，而且同时使重金属离子含量浓缩10倍左右，浓缩后的重金属具有回收利用的价值。如果条件控制适当，纳滤膜还可以分离溶液中的不同金属。 三、学习总结 通过胡老师对课程的认真讲述，我了解了膜分离技术中的一些概念、膜的种类及其原理，同时也介绍了一些常见的膜分离过程在实际生产中的应用以及我国膜分离技术的发展概况及前景。目前膜分离、浓缩、纯化技术正在被各个领域广泛应用，随着膜技术的不断发展和对产品质量的不断提高，各行业对传统工艺改造更新的要求越来越迫切，膜分离技术也有了更为广阔的应用前景。这几个月来，我们由浅入深，时刻跟着老师的节奏去复习和预习，老师要求的重点我会主动记