全国大学生电子设计竞赛
2018年TI杯模拟电子系统设计邀请赛
数字多用表（A题）
1．任务
设计并制作一台具有直流电压、交流电压和电阻测量功能的数字多用表。其中，A/D 转换器要求使用ADS112C04芯片。
2．要求
⑴直流电压测量（只要求测量正极性电压）（23分）
①量程（有效值）：0.2V、2V；
②最大显示数19999；精度：±0.05%读数±2个字；
③测量速度≥2次/s；输入阻抗≥10MΩ。
⑵交流真有效值电压测量。被测信号为正弦波或非正弦波信号，直流偏移电压为0V，频率范围：10~100Hz。（32分）
①量程：0.2V、2V；
②最大显示数1999；精度：±0.8%读数±2个字；
③测量速度≥2次/s；输入阻抗≥10MΩ；
⑶电阻测量（23分）
①电阻量程：2Ω、200kΩ；
②测量速度≥2次/s；
③最大读数1999；精度：±0.5%读数±2个字。
⑷具有待机模式的低功耗性能。（12分）
① 待机模式的低功耗性能：在测量过程中，若1分钟内无键按下，仪器能自动转入待机状态；再按任意键，仪器能返回工作状态。
② 待机工作状态时的功耗≤2.5mW 。
⑸ 其他。 （10分）
⑹ 设计报告 （10分） 项 目
主要内容 满分
方案论证
比较与选择，方案描述 2 理论分析与计算
系统相关参数设计 4 电路与程序设计 系统组成，原理框图与各部分的电路图，
系统软件与流程图
2
测试方案与测试结果 测试结果完整性，测试结果分析
2 总分 10 3．说明
⑴ 作品可采用现场提供的直流稳压电源供电。
⑵ 真有效值又称全波有效值，其值为被测信号的均方根值。当采用数字取样方法时，先对被测信号在一个周期内进行等间隔采样，再计算出所有采集数据的均方根值，其计算公式为：
式中，n 为在一个交流电压周期T 内的取样点数。
高精度数字压力表技术特点: 5位数字显示,主副屏双屏设计 低功耗设计,5号电池供电,可续航长达3600小时 产品认证:CE 认证 本安防爆认证 Exib IICT4 产品应用: 技术参数: 量 程 过载压力背光颜色表盘尺寸精度等级长期稳定性产品附件 供电电压工作温度 补偿温度电气保护采样频率测量介质压力接口 接头材质外壳材质150 %(＞10MPa ) ;200%(≤10MPa ) 白色背光 80mm 典型：±0.1%FS/年 0～ 40℃ 0 ～ 40℃ 1-10次/秒(用户可设) 与316不锈钢兼容的气体或液体M20*1.5 G1/4或定制螺纹 常规：0~0.2...0.6...1...2.5...10...25...40...60...100MPa 4.5V (2节7号电池）或USB 供电304不锈钢 304不锈钢 抗电磁干扰设计 该款高精度数字压力表采用了55x55mm 超大尺寸液晶屏，采用主屏和副屏的分频显示，在显示实时压力的同时，可以同时显示现场温度、压力最大值/最小值等参考数据。 产品功能强大，预设了10种常见的压力单位可供选择，压力采集速率可调，电池电量显示，产品同时配备了USB 外供电和电池双供电模式。 本产品采用三节5号电池供电，采用了超低功耗设计，最高可续航超过3600小时。 产品采用了高精度ADC 和高速微处理器，全数字化设计，产品精度高，稳定性好，产品采用304不锈钢材质,配备了便携箱和电源附件,美观实用。 MD -S210◇ 机械电子行业 ◇ 仪器仪表配套 ◇ 压力实验室 ◇ 工程机械自动化 0.1%FS 0.2%FS 产品功能 开机/关机 背光 清零 单位切换 极值显示 温度显示105mm 直径，304不锈钢表壳 微型：0~5...10...25...40...60...100kPa 负压及复合:(-10~10 -25~25 -40~40 -60~-60 -100~100)kPa (-0.1~0...0.1..0.25..04..0.6...1...1.6...2.5)MPa 便携箱/USB 电源线 Shanghai Meokon Sensing Technology Co.,Ltd 产品认证 CE 认证 防爆认证()Exib IICT410种单位可选:MPa/kPa/psi/BAR/Pa/mBAR/mmHg/mH2O/Torr/Kgf/cm 2
课程设计说明书 题目：直流稳压电源设计 课程名称：模拟电子技术 学院：电子信息与电气工程学院学生姓名： 学号： 专业班级: 指导教师： 2015年 6 月6日
课程设计任务书
固定直流稳压电源设计 摘要: 通过模拟电子技术设计固定直流稳压电源，主要运用变压器，整流二极管，电解电容，稳压器等器件.该固定直流稳压系统先通过将220V市电降压，再经过整流二极管1N4007进行整流，通过电容滤波之后，采用稳压芯片7805，7905分别对其进行稳压，从而输出的稳定电压（+5V/-5V）。 关键词：变压;整流;滤波;稳压;
目录 1.设计背景 (1) 1.1设计背景 (1) 1.2设计目的 (1) 2.设计方案 (1) 2.1电路概述 (1) 2.2整流电路 (3) 2.3稳压电路 (4) 2.4固定直流稳压电源电路设计 (5) 3.方案实施 (6) 3.1电路仿真设计与仿真 (6) 3.2Altium Designer设计原理图及PCB设计 (7) 3.3电路板的制作与调试 (8) 3.4相关数据测量 (8) 4.结果与结论 (9) 5.收获与致谢 (9) 6.参考文献 (10) 7.附件 (10) 7.1电路实物图 (10) 7.2元器件清单 (11)
1. 设计背景 1.1设计背景 随着科技日新月异的发展，越来越多的小型电子产品出现在我们身边，它们一般都需要稳定的直流电源供电，电池作为低效率，高污染的产品不能得到广泛的使用，而我们最常见到的电源就是220V的交流电源，再次情况下，我们设计了一个转换装置，从而可以使其给小型电子设备供电，达到及节能又环保，既方便有快捷的目的。 1.2设计目的 设计这个固定直流稳压电源是为了锻炼学生的动手能力，理论与实践相结合，更有利于同学们在学习中积极的思考，培养同学们对学习的兴趣；而且，检验了同学们对电路仿真软件和DXP这些软件的熟悉程度，进一步加深了对这些软件的理解，提高了应用能力；另外，让同学们看到，理论知识在现实生活中的应用，知道了这些知识的重要性，要更加努力的学习。本次课程设计就是在这样的一个背景下而进行的一次十分重要的实习安排。 2. 设计方案 2.1电路概述 根据电路的特点和性质，电路可有这几部分组成，变压器电路部分，整流电路部分，滤波电路部分，稳压电路部分。 变压器电路可以使电压达到设备可以使用的一个电压范围，如下图所示。 整流电路使用来把变压器副边通过的交流电压转换为直流电压，满足设备需要直流电源供电的要求。即将正弦波电压转换为单一方向的脉动电压，半波整流电路和全波整流电路的输出波形如下图所示。但实际情况是整流后还含有较大的交流分量，会影响负载电路的正常工作。 滤波电路是用来进一步的减少电路中的交流分量，增加电路中的直流分量，使输出电压平滑。理想情况下，应将交流分量全部滤掉，使滤波电路的输出电压仅为
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
DIY 数字多用表参考（上） 关键字：数字多用表万用表自己做制作六位半基准电流源放大器保护 声明： 作者完全处于业余爱好撰写该文，由于能力有限疏漏乃至错误在所难免，因此作者不对该文章的正确性负责，同时也不对因援引该文导致的信誉损失、 商业利益损失、财产损失、人身伤亡负任何连带责任。 本文涉及的内容涵盖危及生命的电学测量，特别提醒实验者确保人身安全。 作者联系方式 E-Mail: mengxin@https://www.doczj.com/doc/584029084.html, 目录： 前言（上） 功能选择（上） 输入放大（上） 欧姆电流源（上） 电压基准（上） ADC（上） 交流通道 （下） 电源（下） 逻辑控制与软件（下） 校验与调试（下） 参考文献（下）
1：前言 开始自己一直准备DIY 一台6-1/2 DMM ，主要想可以通过实际项目提高自己的能力，后来蒙BG2VO 老师指点，从研究HP34401公开的电路图做起，从此一发不可收拾，不久前又买了台二手的HP3457A（我能找到公开电路原理图的最好性能的DMM），亲自开机看了看，又对照维修指南上的电路图试着进行分析觉得受益非浅，有些想法不敢独享所以把一些分析写出来，于是有了本文。 这里我打算从功能选择、直流放大电路与欧姆电流源、电压基准与ADC、交流通道、逻辑控制与软件这几个方面分析，每一部分后面附有自己的DIY计划，以及一些想法与困惑希望大家讨论批评同时期待着高手指点。
2：功能选择 功能选择部分，指DMM从输入端口到放大器的部分，这部分较杂，包括输入选择、电流到电压转换、交直流切换、保护等等。 开关： 一般DMM要测量1000V – 100mV , 10A - 1mA , 非常大的动态范围，必然要求输入回路进行分压，分流，放大，同时在错误量程选择，或测量输入超量程的情况下进行有效的保护，保证后级精密放大器、ADC等不会损坏失效，先说说可行的几种开关方式：手动机械式量程开关：多用于廉价的DMM，优点是廉价；可以将量程组合逻辑用连线实现；同时作为量程选择和量程指示；缺点是不能自动化。 部分量程的外部插件化：这也是一种广义的开关方式，对于电气性能要求很高的量程（1000V以上的高绝缘性，10A以上的大电流，uV , nA , G? , m?级测量的高精度，以及多路程控开关等）使用单独制作为其特性优化的模块，这样一来可以降低整体的设计要求，销减成本，二来可以应对不同的需求，并为将来的扩展预留空间。 继电器：这个用的较多，所以详细说说，优点：极小且稳定的漏电流（基本可以不考虑）大电流，高耐压，控制隔离；缺点：噪声，速度中等，有限的寿命，驱动耗电严重（选择锁定型号可以避免连续通电，但是相对较贵），有接触电势，在测量微小信号（100mV以下）可能由于表面有氧化膜或其他薄膜增加电阻（即所谓的干电阻）； 根据触电合金分类主要有金-银-钯系，热电势低，触点表面不易成膜，但是抗烧蚀差，多用于小信号；铂-铑-钌系正好相反，多用于功率控制。 Fig1（截取自松下继电器选型手册） 注意Fig1中第4列的参数，就不适合微小信号用途。 此外还有一种湿簧继电器，触点上有毛细管浸润水银,须直立安装，接触时靠水银导电所以不存在干电阻，但是由于环保原因已经比较少见了，在HP3457A的输入通路有特制的舌簧继电器，可能有特殊的性能要求。 （Fig2湿簧管，可见被水银浸润的簧片，）
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -） 该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3 一、单选题 1. 少数载流子是空穴的半导体是（C ） A. 本征半导体中掺入三价元素，是P型半导体 B. 本征半导体中掺入三价元素，是N型半导体 C. 本征半导体中掺入五价元素，是N型半导体 D. 本征半导体中掺入五价元素，是P型半导体 2. 当PN结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层（ B ） A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 不确定 3、在某种纯净的半导体中掺入以下哪种杂质可以形成P型半导体。( C ) A、含四价元素的杂质 B、含空穴的杂质 C、三价元素镓 D、五价元素磷 4、下列关于三极管的基本组态电路中正确的是________ ( ) A、共集组态的电压增益最大 B、共集组态的电压增益最小 C、共发组态的电压增益最小 D、共基组态的电压增益最小 5. 放大电路中静态工作点设置得过高，会产生（） A. 截止失真 B. 饱和失真 C. 交越失真 D. 线性失真 6. 放大电路中NPN三极管的三个电极电位分别是UX=8V，UY= 7.3V，UZ=12V，则e/b/c三极分别为（） A．X-C极 Y-B极 Z-E极 B．X-B极 Y-C极 Z-E极 C．X-E极 Y-B极 Z-C极 D．X-B极 Y-E极 Z-C极 7.PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。 A．多数载流子扩散而成 B．多数载流子漂移而成 C．少数载流子扩散而成 D．少数载流子漂移而成 8. 一个由NPN硅管组成的共发射极基本放大电路，若输入电压v i的波形为正弦波，而用示波器观察到输出电压的波形如图1所示，那是因为 A．Q点偏高出现的饱和失真 B. Q点偏低出现的截止失真 C. Q 点合适，v i 过大 D. Q 点偏高出现的截止失真 9. 如图2所示，三极管工作于饱和状态的是______。 A.(a) B.(b) C.(c) D.(d) 图2 10. 放大电路中NPN 三极管的三个电极电位分别是UX=8V ，UY=7.3V ，UZ=12V ，则 e/b/c 三极分别为（ ） A ．X-C 极 Y- B 极 Z-E 极 B ．X-B 极 Y- C 极 Z-E 极 C ．X-E 极 Y-B 极 Z-C 极 D ．X-B 极 Y- E 极 Z-C 极 11. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的是负反馈 A ．输入电阻增大 B ．输出量增大 C ．净输入量增大 D ．净输入量减小 12. 为提高放大器的输入电阻并稳定输出电流，应该给放大电路引入（ ） A ．电流串联负反馈 B ．电压串联负反馈 C ．电流并联负反馈 D ．电压并联负反馈 13. 在本征半导体中掺入（ ），后形成N 型半导体。 A.3价元素 B.4价元素 C.5价元素 D.6价元素 14. 多级放大电路的总放大倍数是各级放大倍数的（ ）。 A.和； B.差； C.积； D.商 15. 图3所示的集成运放电路，电压放大倍数A V F = 。 0.3 V - 12 V 0 V 4 V 3.7 V 3.2 V 0.7 V 5 V 0 V 2.4 V 6 V 3 V 《模拟电子线路课程设计》题目 一、课题总共10项： 1、课题1、五量程电容测量电路的设计与制作 2、课题2.1 低频功率放大电路的设计与制作 3、课题2.2集成OTL功放电路LM386，P499 4、课题2.3集成OCL功放电路TDA1521，P499 5、课题2.4集成BTL功放电路TDA1556，P501 6、课题3、自动增益控制电路的设计与制作 7、课题4、直流稳压电源的设计与制作 8、课题5、正、负输出直流稳压电源的设计与制作 9、课题6、函数信号发生器的设计与制作 10、课题7、PID调节器的设计与制作 每个同学一项，已经分配好。 二、要求： 1、完成电子作品的设计和制作； 2、完成设计报告： 1）电路图若是能用Multisim软件设计的，就要通过这个软件完成电路图，并且要把仿真结果抓图放到报告中； 2）报告中涉及到的理论计算，要有详细的分析计算过程； 3）有实际测试结果的都要把测试的图形放到报告中，并作合理的分析； 4）所有的同学都要在你的作品上贴上标签，注明：姓名、学号、作品名称，拍照后放到报告中。 3、在期末考试前要把作品和设计报告一起上交。 三、说明： 1、教材上所给的元器件往往比较老，同学们可以根据市场上现有的元器件进行选择，但电路形式不变。特别是做功放电路的同学要注意。 参考书：《电子线路设计-实验-测试》（第5版），罗杰、谢自美主编 2、需要测试相关波形的作品，可以到10A405用示波器进行测试，测试结果用手机拍照，并把图片放到论文当中。 3、要找元器件或资料可以到以下网站查找： https://www.doczj.com/doc/584029084.html,/ https://www.doczj.com/doc/584029084.html,/zh/index.html https://www.doczj.com/doc/584029084.html,/tihome/cn/docs/homepage.tsp https://www.doczj.com/doc/584029084.html,/cn.html 后三家网站都是世界著名品牌，在他们的网站上可以找到你想要的芯片，然后可以到淘宝上去购买，当然运气好的话你也可以在线免费申请到样片，但据说因为我们这边的同学申请的太多了，可能有的被封杀了。试试看！ 4、作品制作 方法1：用面包板搭建，到淘宝上购买，可以非常方便的搭建电路。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 大连理工大学网络教育学院 2014年3月份《模拟电子线路》课程考试 试卷 考试形式：开卷试卷类型：（A ） ☆ 注意事项： 1、本考卷满分共：100分；考试时间：90分钟。 2、所有客观题必须答到题目下方表格处。 1、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（）。 A ．饱和状态B ．截止状态 C ．放大状态D ．击穿状态 2、引起共射极放大电路输出波形出现截止失真的主要原因是（）。 A ．输入电阻太小B ．静态工作点偏低 C ．静态工作点偏高D ．输出电阻太小 3、三级放大电路中A v1=A v2=A v3=20dB ，则电路总的电压增益为（）dB 。 A ．20B ．40 C ．60D ．1000 4、结型场效应管利用栅-源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。 A ．反偏电压B ．正偏电压 C ．反向电流 D ．正向电流 5、集成运放中，由于温度变化引起的零输入对应非零输出的现象称为（）。 A ．交越失真B ．零点漂移 C ．失调 D ．饱和失真 6、通用型集成运放的输入级大多采用（）。 A ．共射极放大电路B ．差分放大电路 C ．射极输出器D ．互补推挽电路 7、与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是（）。 A ．无输出变压器B ．无输出端大电容 C ．无交越失真D ．能量转换效率高 8、为实现稳定输出电压，应在放大电路中引入（）。 A ．串联负反馈B ．并联负反馈 C ．电压负反馈D ．电流负反馈 9、整流的目的是（）。 A ．将交流变为直流 B ．将高频变为低频 C ．将正弦波变为方波 D ．将方波变为正弦波 10、某简单稳压电路要求稳定电压为8V ，而仅有一只7.3V 硅稳压管VD Z ，一只二极管（硅管）VD ，可采用VD Z 与VD 串联接入电路，则采用（）电路。 A ．VD 正偏，VD Z 反偏B ．VD 反偏，VD Z 反偏 C ．VD 正偏，VD Z 正偏D ．VD 反偏，VD Z 正偏 二、填空题（本大题共10个空，每空2分，共20分） 1、BJT 处于放大状态的条件是发射结，集电结。 2、当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β，反向饱和电流I CBO ， I B 不变时，发射结正向电压V BE 。 3、集成运算放大器工作在比例运算放大时处于区；作为比较器工作时处于 区。 4、放大电路中为了减小输出电阻应引入负反馈，为了提高输入电阻应引入 负反馈。 NO.069A 模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。 2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。 13、PN 结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。 1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.doczj.com/doc/584029084.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.doczj.com/doc/584029084.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.doczj.com/doc/584029084.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.doczj.com/doc/584029084.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.doczj.com/doc/584029084.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 第 页 共 页 1 《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sin ωt,二极管导通压降U D =0.6V,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e 1～r b e 5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。 第 页 共 页 2 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f ,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f =190K Ω,计算合理连线后电路的增益A u . 3.简述D 1,D 2在电路中的作用.如果V CC =12V,R L =8Ω,T 1,T 2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL 所能获得的最大功率P Lmax =? 五、如图5为一运算放大器应用电路A 1、A 2、A 3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i 之间函数关系式和v o ~v o2之间函数关系式。2.图中v i (t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i (t)所对应v o2 与v o 信号波形。(20分) 课程设计目的与要求 一、课程设计的性质、目的与任务 根据通信、电子、电测等专业教学培养计划要求，在必修完《模拟电子 线路》课程后，应该必修《模拟电子线路课程设计》课。其目的是针对本课程所学的内容进行的综合训练，使学生深入理解已学的有关模拟电子线路设 计的基本方法，进一步加深和巩固对课程内容的理解和综合应用，提高分析问题和解决实际问题的能力，为后续专业课的课程设计、生产实践、毕业设计等环节奠定良好的基础。 本设计的先修课程为：《电路分析》、《模拟电子线路》 二、课程设计的主要内容与要求 1函数信号发生器 2?串联直流稳压电源 3.放大器的设计 以上题目仅供参考，任课教师可根据具体情况进行选择、布置，也可根据学生情况自拟题目，以巩固所学课程，培养学生动手能力，以启发学生创造力为目的。 三、课程设计教学的基本要求 1教学基本要求 ①教师应事先准备课程设计任务书、指导书以及设计所需要的规范和有 关资料，在理论设计阶段安排答疑时间，指导学生。 ②为加深学生对设计要求的理解，可安排学生查阅一些现有的设计资 料。 2.培养要求 ①通过课程设计实践，培养学生查阅资料、选取设计方案的能力，培养 学生模拟电路理论设计的能力，培养学生实验、调试的能力。 ②培养学生严谨的科学态度和创新精神。 ③培养学生对所学知识综合运用的能力。 3.时间安排 四、课程设计考核 1.每位学生上交一份课程设计报告； 2.随机抽取20%以上的学生对设计内容质疑； 3.根据课程设计报告、质疑成绩、课程设计中的表现，由指导教师按 5级记分制评定成绩。 五、主要参考资料 1?《模拟电子技术基础》，高等教育出版社 2?《电子技术课程设计》，北京理工大学 DIY高精度数字万用表 概述： 数字多用表是常用的测量仪器，目前市场常见的是3.5（三位半）和4.5 手持表，用于一般测量，另外高端的则是6.5位以上的台式表，价格较高，用于高精度测量。 随着电子技术的进步，高性能低成本的器件层出不穷，使得制作一部低档的6.5位数字多用表成为了可能，这里介绍这款六位版，就是在性能上、功能上和成本上综合考虑的一种设计实现方案。 设计思想： 选用成品的通用元件：高端DMM采用以恒温深埋齐纳基准——前端为Dual JFET的混合低噪声运算放大器——多斜率积分高速高分辨率ADC 为主轴的测量系统，其中每个部分的制作难度都非常高，而且需要昂贵的仪器进行调试、校准，这样的要求在业余条件下是难以满足的，所以这里采用了相对低成本可靠通用IC 精密带隙基准——单片低噪声斩波稳零放大器——24Bits低噪声ΣΔ ADC 来替代，这样的既可以减少元件采购难度，降低整体成本，最重要的是能得到可靠的性能保证，就是说可以根据DataSheet上标明的最差指标可以计算出系统的整体性能。 放弃高电压，大电流量程：首先对这些量程进行高精度测量本身难度就非常高，而且对系统的输入选择、保护系统提出了很高的要求，元件质量要求高，PCB 面积占用大，最重要的是要为用户人身安全负责，为了避免出现安全问题所以没有设置危险的测量量程。 放弃长期稳定性：要靠数字多用表本身来保证长期稳定性意味着整个系统每个部分都要有很高的长期稳定性，基准要用深埋齐纳基准，分压电阻要用精密电阻网络等等，成本会显著提高，相对而言购买或制作标定好的基准（LYMEX有售）要便宜的多，而且在进行对比测量时可以将整体的精度提高到接近外部基准的水平。 放弃交流测量：由于没有设计交流测量系统的条件，所以没有做。 采用手持设备架构：由于现代MCU的集成度非常高，开发工具越来越简便，加之笔者最近在学习STM32，所以就做成手持设备了。 总的讲设计要素的优先关系如下低成本〉小巧〉低功耗〉高性能 《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）模拟电子线路习题习题答案(DOC)
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