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单晶硅的表面光电性质研究

单晶硅的表面光电性质研究
单晶硅的表面光电性质研究

第31卷第3期河南大学学报(自然科学版)V ol.31 N o.3 2001年9月Journal of Henan University(Natural Science)Sep.2001

单晶硅的表面光电性质研究

蒋晓红1,张兴堂1,彭淑鸽1,程轲1,刘涛1,马宗峰2,黄亚彬1,杜祖亮13

(1.河南大学润滑与功能材料重点实验室,河南开封475001; 2.郑州煤炭职工地质学院,河南郑州450053)

摘 要:建立了有源、无源表面光电压谱测量系统,并对单晶硅的表面光电转移过程开展了研究,为进一步研究复合纳米结构半导体材料表面界面光电荷转移过程,研制高性能光电转移纳米结构材料提供了实验方法.

关键词:表面光电压谱;锁相放大器;光电荷转移

中图分类号:O472.3 文献标识码:A文章编号:1003-4978(2001)03-0017-04 Surface Photovoltaic Properties of Monocrystal Silicon

J I ANG X iao-hong1,ZH ANG X ing-tang1,PE NG Shu-ge1,CHE NG K e1,LI U T ao1,

M A Z ong-feng2,H UANG Y a-bin1,DU Zu-liang13

(1.K ey Laboratory o f Lubrication and Functional Material,H enan Univer sity,Kaifeng475001,H enan,China;

2.Zhengzhou G eologic Institute o f Coal and Employee,Zhengzhou450053,H enan,China)

Abstract:In this article,we measured the SPS of tw o kinds of m onocrystal silicon with the aid of surface photov oltaic meter, which was under the conditions of an external electric field and without external field.Therefore,we studied the surface photov oltaic properties of p-type and n-type m onocrystal silicon.

K ey w ords:K ey w ords:Surface Photov oltaic S pectroscopy;Phase Locking Amplier;Photo-electronic T rans ferring

0 引言

1876年Adams发现了固体表面的光伏效应,随着进一步的深入研究,基于固体表面光伏效应的研究已经从主要由带隙光照射下的简单测试手段发展成为一种被测物理量随着光子能量变化的光谱检测技术[1-4],被称为表面光电压技术(SPV).所检测的信息主要反映的是样品表层(一般为几十纳米)的性质,因此不受基底或本体的影响,这对光敏表面的性质及界面电子转移过程研究显然很重要.由于SPV的原理是基于检测由入射光诱导的表面电荷的变化,其检测灵敏度很高,而借助场诱导表面光电压谱技术可以用来测定半导体的导电类型(特别是有机半导体的导电类型),半导体表面态参数[5,6],研究纳米晶材料的光电特性,了解半导体光激发电荷分离和电荷转移过程,实现半导体的谱带解析,研究复合体系的光敏化过程和光致界面电荷转移过程等[7].单晶硅作为一种重要的半导体材料,在光电转换、传统半导体器件中其应用已十分普遍.今天微电子、光电子及功能材料特别是纳米结构功能材料的迅速发展,一方面对纳米结构半导体表面、界面光电荷行为,提出了更高的要求;一方面也为该领域的深入研究提供了实验可能性.本工作在建立SPV测试的基础上,对不同条件下的单晶Si表面的光电转移特性进行了研究,为进一步研究和制备具有特定功能的复合纳米半导体材料,建立实验方法和技术途径.

 收稿日期:2000-03-20

 基金项目:国家自然科学基金项目(29971008);河南省创新人才基金资助课题

 作者简介:蒋晓红(1977-),女,河南周口人,硕士研究生.

3通迅联系人,E-mail:zld@public.k https://www.doczj.com/doc/5511461141.html,

1 实验

n ,p 型硅均为商业产品,光电压谱仪由自己组装.其中单色仪是英国HI LG RE 公司产D 300型双棱镜复式单色仪,锁相放大器是美国EG &G 公司产7265型.测量过程中,将硅固定在导电玻璃(IT O )上.图1为其光电压池结构示意图

.

(a )无源电场 (b )有源电场

图1 光电压池结构示意图

2 结果与讨论

2.1 无源电场下的光电压谱

由于在表面光电压的测量过程中,

要用到锁相放大技术,因此相位角的选择非常重要.所谓最佳相位就是在该相位下光伏响应达到最大,为了便于比较,通常选正向最大时的相位为该材料的光伏响应的最佳相位.

(a )n -S i (b )p -S i

图2 S i 表面光电压谱(a )n 型半导体 (b )p 型半导体

图3 光照下半导体光电压的产生原理图

从图2中可以看出n 型单晶Si 和p 型单晶Si 的光伏响应的最佳相位不同,基本相差180°;且这两种单晶硅的表面光电压谱的形状基本相似.当两个具有不同功函数的材料接触时,由于它们的化学势不同,在界面附近会发生相互作用.在我们的实验中,IT O 是良导体;它们接触时,电子从单晶硅一侧流向IT O 一侧,直至达到平衡状态;这时硅带正电形成电子耗尽层,能带向上弯曲,使得硅与IT O 具有相同的费米能级.表面18 河南大学学报(自然科学版),2001年,第31卷第3期

光电压的产生是由于硅表面受到能量大于或等于带隙宽度的光的激发,产生非平衡载流子(光生电子-空穴对),它们在建电场的作用下,发生定向移动,导致表面电荷量发生改变.相应地,表面势垒也发生变化,而表

面势垒变化量即表面光电压的大小.在带隙光(h ν≥1.1eV )照射下,无论是直接带隙半导体中发生的直接

跃迁还是间接带隙半导体中发生的间接跃迁,都会有光生电子/空穴对产生,它们在自建场的作用下,光生载流子分离,电荷重新分布.其最终结果是电荷减少,能带弯曲变小或表面势垒的绝对值降低,即产生了表面光电压.对于p 型半导体,光生电子移向表面,光生空穴移向体相,n 型半导体则与之相反,其过程如图3所示.

单晶硅在受到h ν≥1.1eV 的光激发后,会产生很强的表面光电压信号.外界条件一定时,最佳相位就成

为材料本身的一个本征特性.所以当两种半导体的光伏响应都达到正向最大时,它们的最佳相位基本相差为180°.由此可以判断半导体的掺杂属性.

2.2 有源电场下的光电压谱

如图4,当在外电场作用下,n 型Si 和p 型Si 的光电压响应都发生了明显变化.如上讨论,在无外电场时,半导体吸收光子后使电子从价带激发到导带,分别在导带和价带中产生可以自由移动的电子和空穴,这些电子和空穴通过扩散作用及自建场的影响,形成表面势垒及空间电荷层.当施加一外电场时,由于外力做功,空穴沿电场力方向发生漂移,而电子则向电场的反向运动,

从而改变载流子的扩散速度和扩散距离.光吸收涉及定域和非定域两类能级的电子跃迁,由于定域能级具有束缚电荷的能力,因此电场对定域和非定域的影响不同[6].此外,由于电场的极化作用,某些可能发生复合的载流子由此分开,因而外电场可以促进载流子的分离.因此,利用场诱导光电压谱技术,可以改变材料表面的光电响应频率,确定电子跃迁属性,以及研究表面吸附、表面态性质.

(a )n -S i (b )p -S i

图4 单晶硅在静电场作用下的表面光电压谱

通常对于p -Si ,当其与外界物质相接触所形成的空间电荷区为耗尽层,所形成表面带弯向下,自建电场的方向由样品的表面到体相.当受光激发后,光生载流子在自建电场的作用下定向运动,光生空穴向体相运动,光生电子向表面扩散,导致表面正电荷减少,产生正的光电压.当在样品表面垂直施加一正电场,由于自建电场的方向与正电场的方向一致,二者叠加的结果使表面带弯向下增大;从而可以增加光生电子-空穴对的分离效率,减少光生载流子的复合几率,到达表面的在样品上的光生电子增多,最终使得正的光伏响应增大.表面施加一负电场时,自建电场方向与电场方向相反,二者叠加的结果使表面带弯减小,光生电子-空穴对的分离效率降低,到达表面的光生电子的数量减少,导致光伏响应降低.而对于n -Si ,则正好相反,n -Si 的带弯向上,自建电场的方向由样品的体相到表面.光生电子向体相运动,光生空穴向表面扩散,从而导致负的光电压信号.当施加正电场时,表面带弯减小,光生电子-空穴对的分离效率降低,光电压信号降低;当施加负电场时,表面带弯增大,增加了光生电子-空穴对的分离效率,导致光电压信号增强.同时,我们注意到在场调制下光电响应表现了明显的振荡,这可能与Si 表面的表面态结构相关联,该方面需要进一步深入的研究.

场诱导表面光电压谱技术是将表面光电压谱技术与场效应原理相结合,发展而来的.它大大拓宽了表面光电压谱技术的研究范围,为研究半导体的光电特性特别是有机半导体的光电性质提供了新的方法和手蒋晓红等:单晶硅的表面光电性质研究19 

段.

3 结论

无电场作用下,n 型、p 型单晶硅片的表面光电压谱表现出两个特征:

(1)它们的光伏响应的最佳相位不同,并且基本相差180°;

(2)这两种硅片的表面光电压谱的形状基本相似.有源静电场作用下,对于p 型硅而言,当施加正向电压时,其表面光电压的强度将增大,并随着正向电压值的增加而增加;对于n 型硅,情况则相反,当施加反向电压时,其表面光电压的强度增大,并随着反向电压值的增加而增加;当施加正向电压时,其表面光电压的强度降低,并随着正向电压值的增加而减小,表明场诱导可显著提高光电响应频率,并可成为研究表面电子跃迁、表面吸附、表面态属性的有效手段.

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高性能混凝土配合比设计及路用性能研究

高性能混凝土配合比设计及路用性能研究 发表时间:2016-11-08T10:21:08.737Z 来源:《低碳地产》2016年7月第14期作者:胡兴琼[导读] 高性能混凝土在建筑工程中发挥不可替代的作用,也是使用最为广泛的建筑材料。 中交路桥华南工程有限公司广东佛山 528000 【摘要】高性能混凝土在建筑工程中发挥不可替代的作用,也是使用最为广泛的建筑材料。但是必须严格控制混凝土的配合比,才能真正实现高性能。本文从配合比设计和路用性能两个方面对路面高性能混凝土配合比设计进行研究,旨在优化混凝土的配合比设计参数,实现混凝土高耐久性,并兼顾工作性与强度的设计目标,提高混凝土路面性能,供参考。 【关键词】高性能混凝土;配合比;参数优化设计;试验设计近年来随着建设领域的大规模发展,混凝土材料的性能也日益提高。高性能混凝土是一种新型高技术混凝土 ,是在大幅度提高普通混凝土性能的基础上采用现代混凝土技术制作的混凝土,其高性能包括:良好的工作性能,稳定的力学性能,较高的体积稳定性和高耐久性,也因此得到了土木工程界的广泛应用及关注。鉴于科学合理的进行配合比设计是保证混凝土工作性、强度及后期耐久性的关键前提,因此,关于路用高性能混凝土配合比设计参数的研究具有很重要的价值。下面,笔者将结合试验研究,就高性能混凝土配合比优化设计展开探讨。 1 正交试验设计 高性能混凝土配合比设计的关键设计参数为:水胶比、矿掺比、浆集比、砂率、外加剂掺量。部分应用中为了提高抗折性能,在拌合物中掺加聚合物,如聚丙烯等。路面用混凝土的关键性能技术指标包括:抗折强度、抗压强度、抗冻性及抗渗性能等。目前施工现场多采用复合型高效减水剂,不同外加剂的成分及性能差异较大,针对单一品种外加剂的研究具有很大局限性,对施工实践的指导意义也不强。本文选取水胶比、矿掺比、浆体百分率及砂率进行正交试验设计,通过试验探寻配合比设计参数对路面用高性能混凝土抗折强度、抗折弹性模量、抗冻耐久性指数、氯离子扩散系数及抗渗性能的影响规律。其中,水胶比和矿掺比设计为5个水平,砂率和桨集比为6个水平,共进行49组试验(数据略)。关键配合比设计参数的取值范围如表1所示。 2 试验结果分析 本文采用SPSS软件,对各个设计参数与混凝土性能间的关系进行主效应分析,并进行方差齐性检验。具体分析结果如下: (1)根据试验结果,以氯离子扩散系数为因变量的主体间效应检验结果如表2所示。 不同配合比设计参数对DRCM的具体影响规律如图1~图4所示。

塑料薄膜的表面性能及其处理方案研究

龙源期刊网 https://www.doczj.com/doc/5511461141.html, 塑料薄膜的表面性能及其处理方案研究 作者:朱建跃方铭岳 来源:《商品与质量·消费视点》2013年第07期 摘要:塑料薄膜是塑料中使用最多的一种,广泛应用于包装业,其表面性能对塑料薄膜 的应用以及薄膜印刷和复合前的表面处理有重要的影响。本文对塑料薄膜的表面性能进行研究,并对其表面处理方法进行探讨。 关键词:塑料薄膜;表面性能;表面处理 一、塑料薄膜的表面性能 塑料薄膜的使用量占全部塑料使用量的38%,在包装领域被广泛使用。同传统的包装材料如玻璃、纸、金属相比,塑料薄膜具有轻盈透明、价廉、气密性好、易成型、抗氧、质轻、有韧性耐折、防腐、防潮等优点,正是由于具有这些优点,塑料薄膜被大量用于服装包装、食品包装、日用品包装、电器产品包装等领域。 1.分子结构的非极性 塑料薄膜所使用的材料多数为非极性材料,即这些材料不含有极性基团,或少部分含有弱极性基团。由于分子结构具有非极性,表面张力低,与其它分子间的作用力非常弱,对油墨和胶黏剂等的吸附和粘合作用力很弱,润湿性和亲和性差。 2.塑料薄膜的表面张力 塑料薄膜其表面张力的大小由分子结构决定,大部分塑料薄膜例如聚烯烃薄膜是非极性聚合物,其表面自由能小,一般是31达因/厘米左右,聚酯类是属于极性高分子,其表面自由能较高,表面湿张力在41达因/厘米以上[1]。当这个值低于34达因/厘米时,由于作用力太小,油墨或其他物质很难附着在薄膜表层,所以必须对其表面处理。 3.塑料薄膜的结晶度 大多数薄膜材料的结晶度很高,材料中分子化学稳定,因而涂覆在薄膜上的物质一般不会发生转移,油墨等物质难以附着在表面,印刷出来的产品质量得不到保证。 4.弱表面层 在加工塑料薄膜过程中往往要放入一定量的助剂,从而使薄膜易开口、能够防紫外线照射、可以抗静电、耐老化等等,加入的助剂一般有稳定剂、开口剂、增塑剂、抗静电剂等。然

单晶硅太阳电池检验标准

单晶硅太阳电池检验标准……………………………… EVA检验标准…………………………………………… 钢化玻璃检验标准……………………………………… TPT检验标准…………………………………………… 铝型材检验标准………………………………………… 涂锡焊带检验标准……………………………………… 双组分有机硅导热灌封胶检验标准…………………… 有机硅橡胶密封剂检验标准…………………………… 组件质量检测标准……………………………………… EVA检验标准 晶体硅太阳电池囊封材料是EVA,它乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物,化学式结构如下 (CH2—CH2)—(CH—CH2) | O | O — O — CH2 EVA是一种热融胶粘剂,常温下无粘性而具抗粘性,以便操作,经过一定条件热压便发生熔融粘接与交联固化,并变的完全透明,长期的实践证明:它在太阳电池封装与户外使用均获得相当满意的效果。 固化后的EVA能承受大气变化且具有弹性,它将晶体硅片组“上盖下垫”,将硅晶片组包封,并和上层保护材料玻璃,下层保护材料TPT(聚氟乙烯复合膜),利用真空层压技术粘合为一体。 另一方面,它和玻璃粘合后能提高玻璃的透光率,起着增透的作用,并对太阳电池组件的输出有增益作用。 EVA厚度在0.4mm~0.6mm之间,表面平整,厚度均匀,内含交联剂,能在150℃固化温度下交联,采用挤压成型工艺形成稳定胶层。 EVA主要有两种:①快速固化②常规固化,不同的EVA层压过程有所不同 采用加有抗紫外剂、抗氧化剂和固化剂的厚度为0.4mm的EVA膜层作为太阳电池的密封剂,使它和玻璃、TPT之间密封粘接。 用于封装硅太阳能电池组件的EVA,主要根据透光性能和耐侯性能进行选择。 1. 原理 EVA具有优良的柔韧性,耐冲击性,弹性,光学透明性,低温绕曲性,黏着性,耐环境应力开裂性,耐侯性,耐化学药品性,热密封性。 EVA的性能主要取决于分子量(用熔融指数MI表示)和醋酸乙烯脂(以VA表示)的含量。当MI一定时,VA的弹性,柔软性,粘结性,相溶性和透明性提高,VA的含量降低,则接近聚乙烯的性能。当VA含量一定时,MI降低则软化点下降,而加工性和表面光泽改善,

大粒径沥青混凝土路用性能研究

大粒径沥青混凝土路用性能研究 摘要:通过三轴试验对大粒径沥青混合料的强度构成参数,即粘聚力c和内摩阻 角?准进行了试验研究,研究了大粒径沥青混合料得高温稳定性、水稳定性及力 学性能。研究表明,大粒径沥青混合料具有很好的高温稳定性和抵抗反射裂缝的 性能,具有良好得使用效果,可延长路用使用寿命,因而具有较好得经济和社会 效益。 关键词:大粒径沥青混合料(LSAM);高温稳定性;水稳定性 中图分类号:U414 文献标识码:A 文章编号:1006-4311(2010)09- 0152-02 0 引言 大粒径沥青混合料(Large-stone Asphlt Mixes,简称LSAM)起源于20世纪的 美国,是指含有矿料的最大粒径在25~53mm之间得热拌热铺沥青混合料。它的 铺筑厚度一般为最大粒径的2.5倍,一次性铺筑厚度11~13mm。级配良好得LSAM可以抵抗较大的塑性和剪切变形,承受重载交通的作用,具有较好的抗车 辙能力,很好的提高了沥青路面的高温稳定性。 1 大粒径沥青混凝土内部受力分析 沥青混合料既是一种弹粘塑性体,又是一种多相分散体系。对这种材料进行 内部受力研究,其目的就是要考察沥青和骨料在混合料的形成过程中分别所起的 作用。我们采用Mohr-Coulomb理论,当采用三轴试验进行研究时,其表达式为:在一定的力学加载条件下,如果材料一定,那么其强度参数c、?准值是常数, 最大主应力σ1和最小主应力σ3之间便具有如下线性关系:σ1=kσ3+b。 将上述两式对等起来,我们便可以最终通过试验方法获得材料的强度参数c、?准的值,即有: 在σ1和σ3的平面内,如果直线的斜率k和截距b是确定的,那么材料的强 度参数也是确定的。本研究就是依据上述方法计算两种LSAM的c、?准值,并将 其与以往得传统沥青混凝土一些实验研究结果进行比较。 1.1 试验设计 1.1.1 原材料性能。沥青的技术指标试验:本试验选用壳牌重交通石油沥青, 技术指标针入度(25℃,5s,100g)(1/10mm)为72.5,延度(15℃,5cm/min)大于100cm,软化点49.8℃,密度1.026g/cm3,含蜡量1.4%。选用沥青符合AH-70#的要求。 1.1.2 石料的技术性质。本试验粗集料为石灰岩,细集料为天然砂,填料为石 灰石矿粉,集料各项性能指标均符合规范要求。 1.2 矿料级配及最佳油石比的确定 本试验选用两种LSAM,其中A为紧排骨架密实结构,B为松排骨架密实结构。配时采用逐级回配的方法以中值为目标级配。 经大马歇尔试验确定的LSAM最佳油石比为:A级配类型最佳油石比为3.7%,密度为2.422g/cm3,试件成型密度为2.374g/cm3;B级配类型最佳油石比为3.6%,密度为2.463g/cm3,试件成型密度为2.415g/cm3。 1.3 试件制备 试件成型的压实度标准采用98%,则两种LSAM级配试件成型密度见表2,试

单晶硅太阳电池性能测试实验

实验一、单晶硅太阳电池特性测试 一、 实验目的 1.了解单晶硅太阳电池的工作原理和结构。 2.了解单晶硅太阳电池的外特性。 3.了解单晶硅太阳电池外特性的影响因素。 二、 实验仪器 1.单晶硅太阳电池板 一块 2.单晶硅太阳电池阵列 一块 3.光源(氙灯) 一套 4.调压器 一台 5.数字万用表 两块 6.定值变阻 若干 7.光辐射计 一块 三、 实验任务 1. 模拟太阳光条件下,单晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线。 测量记录日期、时间和地点,绘制电池的外形结构图并记录电池几何参数(用于计算电池面积),并记录太阳光当时辐射强度,按照图1所示实验原理图接线。 (1) 在室内太阳光模拟器下,分别测试光强为1 sun (1000 W/m 2)、0.5 sun (500 W/m 2)下的电池短路电流(I sc )和空载电压(U oc ),以及输出外 特性曲线。 (2) 具体测量方法:分别在上述一定光强下,逐步改变电阻箱(负载)的阻值R L ,分别测量电池两端的I 和U 。根据测量结果绘制上述不同条件下的电池外特性曲线。 图1 单晶硅电池阵列外特性测试

2.自然太阳光条件下,单晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线。 (1)选择户外有太阳光的地方,记录天气状况,测试时间,并测试太阳 光辐射强度; (2)改变单晶硅电池板与地平线的夹角,分别测量在0o、30o和45o夹 角下,电池的短路电流(I sc)和空载电压(U oc)。 (3)分别在上述夹角下,逐步改变电阻箱的阻值(即负载电阻)R L,测 量不同电阻值下的电池两端的I和U,以绘制上述不同条件下的电 池外特性曲线。 3.单晶硅太阳电池电池阵列板的的输出外特性 测量记录日期、时间和地点;记录太阳电池阵列的结构与几何尺寸,应于估算电池面积;记录天气状况、太阳光当时辐射强度,按照图1所示实验原理图接线。 (1)在太阳光照下,水平放置电池阵列板,先测试出在当前光照下的短路电 流(I sc)和空载电压(U oc),在逐步改变负载,测量电池阵列的输出外 特性。 (2)用黑色遮光板遮住一半面积的阵列板,记录电池的短路电流(I sc)和空 载电压(U oc),进一步测量该条件下的外特性曲线。 四、实验结果 1.绘制单电池与阵列板串并联方式简图,标明单电池与电池阵列的有效面积。 单电池有效面积:10.84cm2 电池阵列有效面积:36*10.84cm2 2.整理实验数据,分别绘出单晶硅电池单电池、电池阵列板在不同测试条件下的外特性。 (1)自然光条件下: 0度

聚乙烯膜的卵磷脂改性及表面性能研究

文章编号:1001-9731(2018)03-03140-06 聚乙烯膜的卵磷脂改性及表面性能研究? 廖祝胜1,王利强1,2 (1.江南大学包装工程系,江苏无锡214122; 2.江苏省食品先进制造装备技术重点实验室,江苏无锡214122) 摘要:以聚乙烯(PE)膜为基材,以两亲分子卵磷脂(PC)为改性剂,采用紫外光交联法制备改性PE膜,大幅度提升改性PE膜的亲水性能,使其获得良好的抗蛋白粘附性能.用单因素实验考察PC浓度二光引发剂种类二真空干燥时间二紫外光照时间对制备改性PE膜亲水性能的影响,然后用正交实验优化改性PE膜制备条件.结果表明,PC浓度对亲水性影响最大,真空干燥时间次之,光照时间和光引发剂对其影响较小,得到的最佳工艺条件为PC浓度5%(质量分数),真空干燥60min,紫外光照45min,选用光引发剂为ITX浓度3%(质量分数).此条件制备的改性PE膜水接触角由88?降低至低于4?,亲水性能优于其他学者所做实验.用红外光谱分析PE膜改性前后基团变化,证明了PC在PE膜上形成了修饰层.采用一种简单有效的新方法 通过实验室自制的80?斜面装置进行抗蛋白粘附性能测试,发现改性PE膜对大豆蛋白溶液二牛血清白蛋白溶液二纯牛奶的粘附量分别减少51%和75%以及87%,表明改性PE膜的抗蛋白粘附性能得到明显改善.改性PE膜经过10d暴露于空气中,接触角增加7?,持久性实验表明改性PE膜的表面性能具有良好的稳定性. 关键词:聚乙烯;卵磷脂;紫外光交联;亲水性;抗蛋白粘附 中图分类号: TQ316.6+4文献标识码:A DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2018.03.023 0 引言 聚乙烯塑料具有良好的力学性能和化学稳定性,并且价格低廉来源广泛,在包装材料上的应用非常普遍,当前聚乙烯的产量约占塑料产量的1/4[1].然而, PE膜由于表面能低二亲水性差二生物相容性差等特性, 导致PE膜表面容易粘附蛋白质形成污染.例如,当此类膜材料应用于包装领域,食品乳液比如蛋白乳液粘附到材料表面导致包装再循环成本增加,同时产品粘附到设备表面增加了清洁成本,这也是 生物污染 的一个原因[2];食品粘附在包装上,造成了浪费,降低了产品质量,使消费者感到不满意[3].当此类膜材料应用于医学领域时,由于其表面亲水性差造成蛋白粘附粘附形成污染,从而造成溶血二血栓二蛋白质变异等严重后果[4]. 为了改善此类膜的性能,在聚合物膜表面构建类似生物膜的仿生修饰技术显示了良好的前景[5].科学研究表明,细胞膜具有极佳的亲水性和抗蛋白粘附性能,这是因为细胞膜的基本成分磷脂发挥了关键作用.磷脂是天然含有极性和非极性的两亲分子,它们的非极性尾部指向细胞膜内部,极性头部向外伸展,使得细胞膜具有亲水性,蛋白质倾向于粘附在疏水层,因此细胞膜上的蛋白质具有流动性不会粘附其上.磷脂分子这些优秀的特性引起了科学家的兴趣,他们在磷脂单体的合成,磷脂单体和其它单体的共聚,磷脂聚合物与其他聚合物接枝改性等方面进行了大量研究[6-9]. 膜表面改性的方法主要有紫外交联表面改性二等离子体表面处理二化学气象沉积等,紫外交联表面改性具有效果好二速率快二污染少二成本低的特点[10].目前国内对卵磷脂表面改性薄膜的制备与研究比较少,王亮等[11]采用紫外光交联改性技术,用卵磷脂改性聚丙烯微孔膜,使改性薄膜接触角从130?降到30?,抗蛋白粘附性能也得到一定改善,但实验方法和结果有待改善;黄小军等[12]采用等离子体处理方法,使卵磷脂交联改性常见聚合物膜,能获得一定亲水性的膜,但改性过程比较复杂且会发生疏烯反应,该反应气味极难闻易形成污染.本文采用紫外交联表面改性的方法.1实验 1.1材料与仪器 PE膜,实验室自制;卵磷脂二无水乙醇二丙酮,AR,国药集团化学试剂有限公司;二苯甲酮,国药集团化学试剂有限公司;2异丙基硫杂蒽酮(2,4异构体混合物) (ITX)二2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦(TPO),广州市利厚贸易有限公司;牛血清白蛋白,BR,南京奥多福尼生物科技有限公司;大豆分离蛋白,哈高科大豆 0413 02018年第3期(49)卷 ?基金项目:中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP21115);2014江苏省研究生实践创新资助项目(1075210232141410);2015江苏省研究生实践创新资助项目(1075210232158110) 收到初稿日期:2017-09-20收到修改稿日期:2017-11-26通讯作者:王利强,E-mail:wl q com@163.com 作者简介:廖祝胜(1992-),男,安徽安庆人,在读硕士,导师为王利强教授,主要研究方向为包装材料与制品. 万方数据

光电探测器 入门详细解析

光电探测器 摘要 本文研究了近期崛起的高科技新秀:光电探测器。本文从光电探测器的分类、原理、主要参数、典型产品与应用、前景市场等方面简单介绍了光电探测器,使大家对光电探测器有一个初步的理解。了解光电探测材料的原理不仅有利于选择正确适宜的光电探测材料,而且对研发新的光电探测器有所帮助 一、简单介绍引入 光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时,性质会发生各种变化的材料。光电探测器能把辐射信号转换为电信号。辐射信号所携带的信息有:光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等,其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示,从而进行探测。 光电探测器的发展历史: 1826年,热电偶探测器→1880,金属薄膜测辐射计→1946,热敏电阻→20世纪50年代,热释电探测器→20世纪60年代,三元合金光探测器→20世纪70年代,光子牵引探测器→20世纪80年代,量子阱探测器→近年来,阵列光电探测器、电荷耦合器件(CCD) 这个被誉为“现代火眼金睛”的光电探测材料无论在经济、生活还是军事方面,都有着不可或缺的作用。 二、光电探测材料的分类。 由于器件对辐射响应的方式不一样,以此可将光电探测器分为两大类,分别是光 1

子探测器和热探测器。 ○1光子探测器:光子,是光的最小能量量子。单光子探测技术,是近些年刚刚起步的一种新式光电探测技术,其原理是利用新式光电效应,可对入射的单个光子进行计数,以实现对极微弱目标信号的探测。光子计数也就是光电子计数,是微弱光(低于10-14W)信号探测中的一种新技术。 ○2利用光热效应制作的元件叫做热探测器,同时也叫热电探测器。(光热效应指的是当材料受光照射后,光子能量会同晶格相互作用,振动变得剧烈,温度逐渐升高,由于温度的变化,而逐渐造成物质的电学特性变化)。 若将光电探测器按其他种类分类,则 按应用分类:金属探测器,非成像探测器(多为四成像探测器),成像探测器(摄像管等)。 按波段分类:红外光探测器(硫化铅光电探测器),可见光探测器(硫化镉、硒化镉光敏电阻),紫外光探测器。 2

道路长期使用性能研究.doc

第一章前言 1.1研究的目的和意义: 1996年6月山西省第一条高速公路太旧高速公路建成通车,由此山西省的高速公路建设进入了一个快速发展阶段,以后陆续开工建设的原太高速、太原东山过境、晋阳、南过境、运风、晋焦、长邯、运三,夏汾、太原西北环、大运、汾柳、太长等高速公路,到2005年底我省高速公路通车里程达到了1686公里,目前在建的高速公路有晋济、大同西北环等,到2005年底,在已通车的1686km高速公路中,沥青路面为1437km,占总量85.2%。沥青路面使用性能的好坏直接影响到我省高速公路的整体服务水平。 山西省“十一五”高速公路网规划:预计到“十一五”末,山西省高速公路将达4051公里,其中通车里程将超过3000公里,形成“人”字骨架、九横九环的公路格局。公路网建成后将覆盖了山西省所有大中城市、区域经济中心、交通枢纽和旅游名胜。其中连接了预计到2020年、所有城镇人口在15万以上的市县区,连通了山西省周边19个大中城市。该规划实施后,山西省高速公路纵贯南北、横穿东西、覆盖全省、通达四邻,在省内形成了一个以省会太原为中心的“三小时通达圈”,并以大同、运城、晋城等大中城市为中心形成区域经济圈,高速公路网将有力地支撑起山西建设全国新型能源和工业基地的物流骨架。另外,山西省高速公路网将凭借通往周边省市19个大中城市的22个出口,搭起中部地区在综合交通运输体系中的断代和空白,使山西省融入了京津冀、环渤海、中原、西北、珠三角、黄河金三角等各大经济区,有可能形成了一个全面对外开放的新格局。 国道主干线作为公路网中的大动脉,所承担的交通运输任务远远超过它们在公路网中所占的比重,因此其工程结构必须具备良好的稳定性、耐久性和较高的服务水平。对于高等级公路,客观上要求做到在设计使用年限内不

单晶硅太阳电池性能测试实验.

实验一、单晶硅太阳电池特性测试 一、 实验目的 1.了解单晶硅太阳电池的工作原理和结构。 2.了解单晶硅太阳电池的外特性。 3.了解单晶硅太阳电池外特性的影响因素。 二、实验仪器 1.单晶硅太阳电池板一块 2.单晶硅太阳电池阵列一块 3.光源(氙灯一套 4.调压器一台 5.数字万用表两块 6.定值变阻若干 7.光辐射计一块 三、实验任务 1. 模拟太阳光条件下,单晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线。 测量记录日期、时间和地点,绘制电池的外形结构图并记录电池几何参数 (用于计算电池面积 ,并记录太阳光当时辐射强度,按照图 1所示实验原理图接线。 (1 在室内太阳光模拟器下,分别测试光强为 1 sun (1000 W/m2 、 0.5 sun (500 W/m2下的电池短路电流(I sc 和空载电压(U oc ,以及输出外 特性曲线。

(2 具体测量方法:分别在上述一定光强下,逐步改变电阻箱(负载的阻值 R L ,分别测量电池两端的 I 和 U 。根据测量结果绘制上述不同条件下的电池外特性曲线。 图 1 单晶硅电池阵列外特性测试 2. 自然太阳光条件下,单晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线。 (1选择户外有太阳光的地方,记录天气状况,测试时间,并测试太阳光辐射强度; (2改变单晶硅电池板与地平线的夹角,分别测量在 0o 、 30o 和 45o 夹角下,电池的短路电流(I sc 和空载电压(U oc 。 (3分别在上述夹角下,逐步改变电阻箱的阻值(即负载电阻 R L ,测量不同电阻值下的电池两端的 I 和 U ,以绘制上述不同条件下的电池外特性曲线。 3. 单晶硅太阳电池电池阵列板的的输出外特性 测量记录日期、时间和地点;记录太阳电池阵列的结构与几何尺寸,应于估算电池面积;记录天气状况、太阳光当时辐射强度,按照图 1所示实验原理图接线。 (1在太阳光照下,水平放置电池阵列板,先测试出在当前光照下的短路电流(I sc 和空载电压(U oc ,在逐步改变负载,测量电池阵列的输出外特性。 (2用黑色遮光板遮住一半面积的阵列板,记录电池的短路电流(I sc 和空载电压(U oc ,进一步测量该条件下的外特性曲线。 四、实验结果 1.绘制单电池与阵列板串并联方式简图,标明单电池与电池阵列的有效面积。 单电池有效面积:10.84cm2 电池阵列有效面积:36*10.84cm2

粗糙表面的气体密封性能研究探讨

粗糙表面的气体密封性 能研究探讨 集团企业公司编码:(LL3698-KKI1269-TM2483-LUI12689-ITT289-

粗糙表面的气体密封性能研究探讨随着我国国家经济与现代工业的发展,气体密封技术工程在工业生产中发挥着越来越重要的作用。同时,气体密封的可靠度对尖端武器运行的安全性和可靠性也越来越关键。本文主要是从粗糙表面形貌的测量、粗糙表面的计算机模拟与气体密封间隙流动的数值模拟以及粗糙表面形貌对气体密封性的影响三大方面来对粗糙表面的气体密封性能这一课题进行相关的研究,希望能促进气体密封性这一工程在我国现代工业中的运用,以防止气体泄漏现象对工业生产和武器设备运行带来的损失。 随着社会发展的进步,高密封性能的气体在国防工业和现代工业发展中的重要性越来越突出。要想实现国防工业高安全性的要求以及现代工业的高质量发展,必须要对气体的泄漏率有明确的规定。当期我国对气体密封性的保持主要是通过采取模量差别较大的两种材料以及采用贵金属面进行直接密封两种方式。而这两种密封方式的应用都要求我们对密封面的粗糙度以及相关的技术参数和密封的载荷关系进行相关的研究。因此,笔者认为,对粗糙表面的气体密封性能这一课题进行研究对我国当前国防工业的应用与现代工业技术的发展具有非常重要的实际意义。 粗糙表面形貌的测量

对粗糙表面的气体密封性能进行研究首先需要对粗糙表面进行精度的测量,以利于接下来气体密封性的数值模拟。具体来说,当前主要有两种测量的技术: 粗糙表面形貌对气体密封性的影响 由以上的数据计算与数据分析我们可以得出粗糙表面形貌与气体密封性的具体关系,并得出以下一些结论,这些结论在粗糙表面气体密封性能的相关工程具有非常重要的应用价值: 2.1.密封面的密封压力相当于气膜的平均压力与粗糙面的接触压力之和,因此,当膜厚比较小时,密封的压力主要是决定于粗糙度的接触压力,如果粗糙度的接触压力影响比较小,则气膜的压力影响就会更大; 2.2.可以通过适当地减少密封接触面的宽度来提高气体密封的质量,但是要注意如果密封的宽度过于小的话不但会降低密封的可靠度,也可能会破坏整体的结构,因此,在实际的工程应用中,求取最优化的密封面宽度非常重要;

亚甲基环丙烷类化合物(MCPs)的一些化学反应性能研究

亚甲基环丙烷类化合物(MCPs)的一些化学反应性能研究【摘要】:本论文主要研究了亚甲基环丙烷类化合物(MCPs)的一些化学反应性能,共由以下六部分组成:1、亚甲基环丙烷类化合物与苯硫氯、苯硒氯及二苯基二硒的反应;2、亚甲基环丙烷类化合物开环产物的偶联反应;3、单芳基取代的亚甲基环丙烷类化合物在钯催化剂作用下的扩环反应;4、金化合物催化磺酰胺对亚甲基环丙烷类化合物的串联开环关环氨氢化反应;5、路易斯酸催化亚甲基环丙烷类化合物与丙酮二羧酸二乙酯在有水存在下的反应;6、醋酸碘苯促进的亚甲基环丙烷类化合物、亚乙烯基环丙烷类化合物及亚甲基环丁烷类化合物与邻苯二甲酰肼的新型1,3-偶极环加成反应。在第一章中,我们发现亚甲基环丙烷类化合物在0℃时即可很快与苯硫氯或苯硒氯发生反应生成取代环丁烯类化合物和正常的开环产物;而与二苯基二硒的反应则需加热到150℃以上才能进行反应,生成的二苯硒基开环产物在双氧水氧化下可以转化为取代二氢呋喃类化合物。在第二章中,我们将亚甲基环丙烷类化合物与碘反应得到二碘化开环产物,在不分离该产物的情况下直接一锅法引入苯硒基或苯硫基,对获得的2-碘-4-苯硒(硫)基-1-丁烯类化合物进行偶联反应研究。发现苯硒(硫)基的引入促进了该烯基碘化合物的Heck反应、Kumada反应、Suzuki反应及Negishi反应等偶联反应的发生,在进行Sonogashira反应时苯硒(硫)基的存在使反应得到了一类双分子炔烃偶联产物。在第三章中,我们发现单芳基取代的亚甲基环丙烷类化合物在溴化钯或醋酸钯和金属溴化物的催化

下可以扩环成单芳基取代的环丁烯类化合物,该反应可能经过了一个金属卡宾中间体。在第四章中,我们研究了金催化剂催化亚甲基环丙烷类化合物的氨氢化反应。由于催化剂的高活性,磺酰胺对亚甲基环丙烷类化合物可以进行串联的开环关环氨氢化而生成四氢吡咯类化合物。在第五章中,我们在本小组研究工作的基础上发现,当一当量水加入到路易斯酸催化的亚甲基环丙烷类化合物与丙酮二羧酸二乙酯的反应体系中时,除了生成少量以前发现的[3+2]环加成产物外,大部分生成了三元环保留的具有螺环结构的羟基环戊内酯类化合物。在第六章中,我们发现,在醋酸碘苯作用下,邻苯二甲酰肼可以转化成一个1,3-偶极子,该偶极子可以对具有高张力的亚甲基环丙烷类化合物、亚乙烯基环丙烷类化合物及亚甲基环丁烷类化合物的碳碳双键进行[3+2]环加成反应生成三元环保留的具有螺环结构的二氢恶唑类化合物。本论文对亚甲基环丙烷类化合物的一些化学反应性能进行了研究,发现了亚甲基环丙烷类化合物在不同试剂或不同催化剂作用下的一些新的化学转化并合成了一些结构简单但具有潜在应用价值的有机小分子。【关键词】:亚甲基环丙烷类化合物偶联反应钯催化剂扩环反应金催化剂串联开环关环氨氢化反应路易斯酸13-偶极子环加成反应【学位授予单位】:华东师范大学 【学位级别】:博士 【学位授予年份】:2007

纳米材料的表面特性研究

纳米材料的表面特性研究 摘要纳米材料的表面性能在其发展和应用中发挥着特殊的作用,随着纳米材料尺度的减小,比表面积增大,由于表面特性对材料的能量状态及稳定性的影响显著,使得纳米材料的性能行为不同于块体材料。在纳米材料领域,纳米晶块材料的界面问题和纳米尺度的分子自组装的表面与界面问题是极富挑战性的前沿工作。纳米粒子在超高精度表面加工、功能涂料制备、热喷涂涂层组装和功能性薄膜材料制备等领域都有重要作用。 关键词纳米材料尺度效应表面科学 1、引言 纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度(1-100nm)范围或由它们作为基本单元构成的材料,其基本结构单元可以分为:零维的纳米粒子、原子团簇;一维的纳米线、纳米管等;二维的超薄膜、多层膜等。纳米物体是处于原子团簇和宏观物体交界的过渡区域。由于其具有大的比表面积和含有大量的内部晶界面,为深入研究纳米材料的固体结构和相关性质提供了良好的条件。纳米材料因为具有的优异的物理化学性能而为进一步的微电子器件和高性能材料发展创造了条件.因此,由于其特殊的结构特征以及表现出的优异的物理和化学性能,以及由此产生的特殊的应用价值,使得纳米材料和纳米技术成为当今凝聚态物理和材料物理的研究热点。其中纳米材料的表面特性的研究在其发展过程有着十分重要的作用。 2、纳米材料的尺度效应 随着材料尺度的减小,其表面与界面原所占的比例就会越来越大,当表面与界面原子数与芯部原子数相比拟的时候,材料的相关物性将有可能发生从宏观的体材料向介观的纳米尺度材料转变,从而导致一系列的尺度效应,而正是这些尺度效应使得纳米材料表现出许多奇异的特性和潜在应用。表面原子数随尺度减小而增大将导致表面原子的配位数不足、键合状态与内部原子不同,键态失配,因而出现非化学平衡,使表面原子的活性增大且处于高的表面能量状态,将引起表

单晶硅生长原理及工艺_刘立新

单晶硅生长原理及工艺 摘要:介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。通过控制不同的工艺参数(晶体转速:2.5、10、20rpm ;坩埚转速: 5、 150×1000mm 优质单晶硅棒。分别对这三种单晶硅样品进行 了电阻率、氧含量、碳含量、少子寿命测试,结果表明,当晶体转速为10rpm ,坩埚转速为 07 ),男,助理研究员,E-mail :lxliu2007@https://www.doczj.com/doc/5511461141.html, 。 刘立新1,罗平1,李春1,林海1,张学建1,2,张莹1 (1.长春理工大学 材料科学与工程学院,长春 130022;2.吉林建筑工程学院,长春 130021) Growth Principle and Technique of Single Crystal Silicon LIU Lixin 1,LUO Ping 1,LI Chun 1,LIN Hai 1,ZHANG Xuejian 1,2 ,ZHANG Ying 1 (1.Changchun University of Science and Technology ,Changchun 130022;2.Jilin Architectural and civil Engineering institute ,Changchun 130021) Abstract :This paper introduces the basic principle and process conditions of single crystal silicon growth by Cz method.Through controlling different process parameters (crystal rotation speed:2.5,10,20rpm;crucible rotation speed:-1.25,-5,-10),three high quality single crystal silicon rods with the size of é? ??ì?2a?÷?¢?ˉ3éμ??·?¢ì????üμ?3?μè [1] 。此外,硅 没有毒性,且它的原材料石英(SiO 2)构成了大约60%的地壳成分,其原料供给可得到充分保障。硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要、产量最大、发展最快、用途最广泛的一种半导体材料[2]。 到目前为止,太阳能光电工业基本上是建立在 硅材料基础之上的,世界上绝大部分的太阳能光电器件是用单晶硅制造的。其中单晶硅太阳能电池是 最早被研究和应用的,至今它仍是太阳能电池的最 主要材料之一。单晶硅完整性好、纯度高、资源丰富、技术成熟、工作效率稳定、光电转换效率高、使用寿命长,是制备太阳能电池的理想材料。因此备受世界各国研究者的重视和青睐,其市场占有率为太阳能电池总份额中的40%左右[3]。 随着对单晶硅太阳能电池需求的不断增加,单晶硅市场竞争日趋激烈,要在这单晶硅市场上占据重要地位,应在以下两个方面实现突破,一是不断降低成本。为此,必须扩大晶体直径,加大投料量,并且提高拉速。二是提高光电转换效率。为此,要在晶体生长工艺上搞突破,减低硅中氧碳含 第32卷第4期2009年12月 长春理工大学学报(自然科学版) Journal of Changchun University of Science and Technology (Natural Science Edition )Vol.32No.4 Dec.2009

LSAM的路用性能分析

平[5]。在养护施工开始之前需要检查施工设备,确保其状态良好,可以正常的进行工作,喷嘴需要根据设定的用量将乳化沥青均匀的洒在上面。对于乳化沥青的稀释一般都是在乳化沥青中加入水,进而可以避免其提前破乳的情况,且能够保证稀释后其的均匀性。在稀释中加入水时需要注意水的稳定,不能过低,最好维持在25~50℃。需要从温度方面全面优化技术方案,提升养护的技术效果,这对养护成本的降低具有重要作用。在具体施工中需要控制乳化沥青温度,确保其在合理的范围内,让乳化沥青渗透到公路路面表层,可以形成合理的纹理,在施工中需要让各个环节都分析技术指标,以此加强技术综合控制管理的效果和水平。 2.2废旧沥青混合料再生技术 该技术创新可以合理的控制养护成本,还能够减少养护施工中的资源使用量,可以有利于生态环境的保护。推广及应用该技术,在处理原来的沥青路面后可以把沥青作为一种再生材料,按照具体的比例,在其中加入一定的水及添加剂,在自然环境下让它们进行融合,进而形成路面的下面层。就当前我国公路行业的发展情况而言,该技术能够长期的进行应用,可以有效做到变废为宝,减少公路工程对环境的破坏,对其的长久应用对实现可持续发展具有积极影响。 3结束语 综上所述,要确保公路的使用寿命及安全性,就需要加强公路养护工作,对施工技术进行优化,这就需要从各个环节中入手,在养护中融入高科技,分析养护及施工中的问题,进而形成养护技术创新案例库,分析其中的技术方案成本质量,进行建立科学的技术控制工程优化体系。 参考文献 [1]张海燕.浅谈公路预防性养护技术在公路养护中的应用[J].黑龙江交通科技,2016(10). [2]慈维超.公路养护管理问题与策略研究[J].城市道桥与防洪,2016(10). [3]孙致元.高速公路养护维修工程中施工技术的综合应用[J].甘肃科技,2014(02). [4]刘芳.公路养护工程中微表处技术和预防性养护的有效运用研究[J].工程技术研完,2017(7). [5]周诗伟.预防性公路养护技术在现代公路养护中的应用[J].黑龙江科技信息,2015(31). 收稿日期:2018-1-11 LSAM 的路用性能分析 徐桂华(河南中交路通工程监理咨询有限公司) 【摘 要】本文从对高温稳定性的分析出发,以车辙试验为例,结合其试验结果,分析了LSAM 的路用性能中的抗裂性、疲劳性、水稳定性等路用性能。 【关键词】稳定性;抗裂性;疲劳;水稳定性【中图分类号】U414 【文献标识码】A 【文章编号】2095-2066(2018) 02-0223-02 图1动稳定度对比图 前言 沥青路面直接受车辆荷载和大气因素的影响,因此为能给乘客和车辆提供平稳、舒适、快捷的服务,要求沥青路面必须具有良好的稳定性、耐久性。本文将六种级配的LSAM 沥青混合料分别制作试件试验,并与AC-16和AC-30两种类型的沥青混凝土进行试验数据对比,研究LSAM 路用性能,为公路工程沥青路面技术发展提供数据并提供有关试验数据以供参考。 1高温稳定性分析 沥青混合料高温稳定性是指沥青混合料在高温条件下,能够抵抗车辆荷载的反复作用,使路面不发生显著永久性变形,保证路面平整度的性能处于良好使用状态。 在现阶段,沥青路面3大破损形式中(疲劳、车辙、低温开裂),车辙已经成为了最为突出的一大问题。我们强调从试验数据事实为出发点,研究解决这一问题方法,为公路沥青路面施工技术提供相关依据,更好的将技术数据与施工实践结合起来,促进公路发展的各项技术日益进步。 1.1车辙试验方法 沥青混合料车辙试验是试件在规定温度及荷载条件下,测定试验轮往返行走所形成的车辙变形速率。 沥青混合料试件在60℃(寒冷地区也可采用45℃,高温条件下可采用70℃)的温度条件下,标准试验轮以0.7MPa 轮压在同一轨迹上作一定时间的反复行走,以产生1mm 车辙变形所需行走次数,即为动稳定度,用DS 表示,以次/mm 计。应用计算公式如下: DS= (t 2-t 1)·N d 2-d 1 ·C 1·C 2 通过试验,可根据车辙试验结果,建立经验公式,对沥青路面车辙深度进行预测,或对沥青混合料的抗车辙能力进行检测。鉴于本文篇幅有限试验过程就不再加以累述。 1.2试验结果及分析 从大量的试验数据可以看出,大粒径沥青混合料抗车辙能力远超普通沥青混合料,具体得出如下结论: (1)由车辙试验可得动稳定度(DS )可评价沥青混合料高温稳定性。动稳定度(DS )数值愈大,混合料的高温稳定性能愈好。 (2)试验中六种级配的大粒径沥青混合料,高温稳定性均高于普通沥青混合料,LSAM 抗车辙路用性能更加显现。 (3)骨架-密实型的沥青混合料高温稳定性优于悬浮-密实型。6#级配中,粗集料级配形成嵌挤结构,细集料填充密实,内摩阻力、粘聚力均较高,混合料整体强度大、抵抗车辙能力好,可得6#级配动稳定度高于其它几种级配类型。 223

单晶硅片的技术标准

单晶硅片的技术标准1范围 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。 2 规范性引用文件 ASTM F42-02半导体材料导电率类型的测试方法 ASTM F26半导体材料晶向测试方法 F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法 ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法 ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法 3 术语和定义 TV:硅片中心点的厚度,是指一批硅片的厚度分布情况; TTV:总厚度误差,是指一片硅片的最厚和最薄的误差(标准测量是取硅片5点厚度:边缘上下左右6mm处4点和中心点); 位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷;位错密度:单位体积内位错线的总长度(cm/cm3),通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示; 崩边:晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深度和周边弦长给出;

裂纹、裂痕:延伸到晶片表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕; 四角同心度:单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。 密集型线痕:每1cm上可视线痕的条数超过5条 4 分类 单晶硅片的等级有A级品和B级品,规格为:125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156′156(mm)。 5 技术要求 外观 见附录表格中检验要求。 外形尺寸 方片TV为200±20 um,测试点为中心点; 方片TTV小于30um,测试点为边缘6mm处4点、中心1点; 硅片TTV以五点测量法为准,同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%; 相邻C段的垂直度:90o±; 其他尺寸要求见表1。 表1单晶硅片尺寸要求

用于路面基层固化土的路用性能研究

南京林业大学 本科毕业设计文献综述 专业:土木工程 学号:n130606611 姓名:李昱良 指导老师:马翔 二O一五年二月

《用于路面基层固化土的路用性能研究》文献综述 摘要:近年来,随着我国公路建设规模的不断扩大,资源的短缺,筑路材料匾乏且价格上涨等问题已经越来越明显,而且公路建设给生态环境带来的影响以及土地浪费问题也引起了人们的普遍关注。 为了节省资源、能源,节约土地,以及保护植被等环境问题,工程师们在对于需加固的土壤,根据土壤的物理和化学性质,掺入一定量的固化剂,经拌匀、压实处理,便可使土体达到需要的性能指标。由于它比传统的水泥、石灰等土壤固化材料具有更好的性能和经济、环境效益。还能解决水泥、石灰、粉煤灰等胶凝材料在土壤加固时难以解决的一些特殊问题,具有独特的土壤固化效果和广泛的实用性,已经被广泛应用于公路的基层及底基层、水利护坡等工程建设当中。 当前国内的很多学者为探索固化土在城市道路基层中应用的可能性,进行了一系列的物理力学性能试验并铺筑试验路。试验及实践表明,固化土是一种很有应用前景的道路基层新材料。 关键字:固化剂;固化土;道路;基层 1概述 随着我国经济社会的飞速发展,我国道路建设已经进入一个全新的、快速的发展时期,同时对公路路面的要求也越来越高。然而采取传统的方法修筑道路基层会消耗大量的自然资源,对于公路建设来说,建设高等级公路路面基层的主要原料是各种石材,随着国家公路里程的增加,材料短缺问题日益突出,原有的砂石材料已经远远不能满足日益增长的工程建设需要[1]。如果不能很好的解决这个问题,势必会给环境带来严重的影响。所以当前如何合理利用当地材料并开发新材料,使之达到使用要求,成为摆在人们面前待解决的难题。 最初人们在工程实践中,工程技术人员逐渐认识到单独使用石灰、水泥及二灰等无机结合料对土壤进行固化过程中,石灰稳定类材料的强度形成较为缓慢,早期强度较低,影响施工进度。水泥稳定类材料的早期强度比较高,但水泥的干

硅片技术标准

单晶硅片技术标准 1范围 1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等 1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。 2 规范性引用文件 2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法 2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法 2.3 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法 2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法 2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法 2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法 3 术语和定义 3.1 TV:硅片中心点的厚度,是指一批硅片的厚度分布情况; 3.2 TTV:总厚度误差,是指一片硅片的最厚和最薄的误差(标准测量是取硅片5点厚度:边缘上下左右6mm处4点和中心点); 3.3位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷; 3.4位错密度:单位体积内位错线的总长度(cm/cm3),通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示; 3.5 崩边:晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深度和周边弦长给出; 3.6 裂纹、裂痕:延伸到晶片表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕; 3.7 四角同心度:单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。 3.8 密集型线痕:每1cm上可视线痕的条数超过5条 4 分类 单晶硅片的等级有A级品和B级品,规格为:125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156 ′156(mm)。 5 技术要求 5.1 外观 见附录表格中检验要求。 5.2外形尺寸 5.2.1 方片TV为200±20 um,测试点为中心点; 5.2.2 方片TTV小于30um,测试点为边缘6mm处4点、中心1点; 5.2.3 硅片TTV以五点测量法为准,同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%; 5.2.4 相邻C段的垂直度:90 o±0.3o; 5.2.5 其他尺寸要求见表1。 表1 单晶硅片尺寸要求

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