常用元器件主要参数
电阻
容差：通用场合选用1％精读，当有特殊要求比如输出电压精度要求时选用更小的
选择比率：当阻值不是很重要时，比如分压器，以减少电路中不同阻值种类数目以实现大批量采购节约成本
最大电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要注意
温度系数：大多数电阻都有很小的温度系数（50～250ppm每度），电阻发热时，线绕电阻的温度系数会有较大变化
额定功率：一般电阻功耗为额定值一半
脉冲功率：在较短时间内，线绕电阻可以承受远大于其额定功率的冲击，但非线绕电阻不行
电容
铝电解电容大容量小体积
钽电容中等电容量
陶瓷电容定时与信号电路
多层陶瓷电容低ESR场合
塑胶电容高dv/dt场合
容差：典型值正负20％，电解电容还要差好多
ESR：等效串联电阻，设计大容量滤波器时ESR比容量重要
老化：“电源寿命1000h”实际就是对电解电容电容而言，如果把电源放到实际温度条件或者工作几年就要选择2000h到5000h
肖特基二极管
常用在整流器中，正向导通电压小，没有反向恢复时间
整流二极管
反向恢复：二极管正向导通后在很短时间内能够反向流过电流这段时间叫反向恢复时间，这对变换器的效率非常不利
但并不是越快越好，会产生快速的电压电流尖锋
晶体管（BJT）
脉冲电流：一般BJT上不会提到脉冲电流（除非专为电源设计），取额定直流电流的两倍
放大倍数：一般假定为10，不管手册数据如何
晶体管（MOSFET）
功率损耗：导通损耗＋门极充电损耗＋开关导通损
导通损耗：当MOSFET全部导通时漏源极之间存在一个电阻，导通损耗大小取决于管中电流大小，而且电阻随温升增大
门极充电损耗：由于MOSFET有一个相当大的等效门极电容引起
开关导通损：在开通或关断转换的任何时候，晶体管上同时既有电压又有电流产生功率损耗
最大门极电压：通常20V
电阻型号命名方法分类及主要特性参数等
导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）
第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等
例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻a1}
二、电阻器的分类
1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
三、主要特性参数
1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。
2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。
允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00）、±2%-0.2(或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级
3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。
线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。
5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。
6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。
7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。
8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。
四、电阻器阻值标示方法
1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
表示允许误差的文字符号
文字符号 D F G J K M
允许偏差±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，
第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。
黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20% 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。当电阻为五环时，最后一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差。
五、常用电阻器
1、电位器
电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。1.1 合成碳膜电位器
电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单，是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大，耐潮性以及阻值稳定性差。
1.2 有机实心电位器
有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。
1.3 金属玻璃铀电位器
用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。
1.4 绕线电位器
绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
1.5 金属膜电位器
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
1.6 导电塑料电位器
用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP 电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。
1.7 带开关的电位器
有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器
1.8 预调式电位器
预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。
1.9 直滑式电位器
采用直滑方式改变电阻值。
1.10 双连电位器
有异轴双连电位器和同轴双连电位器
1.11 无触点电位器
无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。
2、实芯碳质电阻器
用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。
特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。
3、绕线电阻器
用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。
绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高，稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。
4、薄膜电阻器
用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：
4.1 碳膜电阻器
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。
4.2 金属膜电阻器。
用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。
金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声，温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
4.3 金属氧化膜电阻器
在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。
4.4 合成膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。
由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压，高阻，小型电阻器。
5、金属玻璃铀电阻器
将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。
耐潮湿，高温，温度系数小，主要应用于厚膜电路。
6、贴片电阻SMT
片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。
电容
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF)、皮法拉（pF),1F=10^6uF=10^12pF
一、电容器的型号命名方法
国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。
第二部分：材料，用字母表示。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
第四部分：序号，用数字表示。
用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
二、电容器的分类
1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
2、按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介
质电容器等。
3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型
电容器。
4、高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容
器。
5、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。
6、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。
7、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。
8、高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。
9、低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容
器。
10、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
三、常用电容器
1、铝电解电容器
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。
电容量：0.47～10000u
额定电压：6.3～450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
2、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）
用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。
电容量：0.1～1000u
额定电压：6.3～125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
3、薄膜电容器
结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。
a 聚酯（涤纶）电容（CL）
电容量：40p～4u
额定电压：63～630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
b 聚苯乙烯电容（CB）
电容量：10p～1u
额定电压：100V～30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
c 聚丙烯电容（CBB）
电容量：1000p～10u
额定电压：63～2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
4、瓷介电容器
穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。
a 高频瓷介电容（CC）
电容量：1～6800p
额定电压：63～500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
b 低频瓷介电容（CT）
电容量：10p～4.7u
额定电压：50V～100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
5、独石电容器
(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。容量范围：0.5PF～1UF
耐压：二倍额定电压。
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
6、纸质电容器
一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量
一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路。
7、微调电容器
电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用。
a 空气介质可变电容器
可变电容量：100～1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
b 薄膜介质可变电容器
可变电容量：15～550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
c 薄膜介质微调电容器
可变电容量：1～29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
d 陶瓷介质微调电容器
可变电容量：0.3～22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
8、陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。
9、玻璃釉电容器（CI）
由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008
电容量：10p～0.1u
额定电压：63～400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
四、电容器主要特性参数
1、标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。
2、额定电压
在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。
3、绝缘电阻
直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.
当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。
电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
4、损耗
电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
5、频率特性
随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。
五、电容器容量标示
1、直标法
用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。
2、文字符号法
用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
3、色标法
用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。
电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
二极管的主要参数
无论是设计开发，还是维修维护，都要与二极管打交道。而二极管作为一种分立元件，在日常生活中是极为常见的。而使用起来却并不那么简单，需要知道一些它的特性参数。具体有下面几种：1. 最大整流电流 IF。指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。该值与 PN 结的结面积和二极管工作时的散热条件有关。在实际应用中，如果二极管的正向工作电流越过该值，并且没有加额外的散热措施的话，则会烧坏二极管。
2. 最大反向工作电压 UR。指二极管在工作时允许所允许加的最大反向电压。超过此值就有可能将二极管击穿。通常取反向击穿电压的一半作为UR。
3. 反向电流 IR。指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单向导电性越好。此值与温度有密切关系，在高温运行时要特别注意。
4. 最高工作频率 fM。主要受到 PN 结的结电容限制。超过此值，二极管的单向导电性将受到影响。
三极管的参数反映了三极管各种性能的指标，是分析三极管电路和选用三极管的依据。
一、电流放大系数
1．共发射极电流放大系数
（1）共发射极直流电流放大系数，它表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流IC与IB 的比值，当忽略ICBO时
（2）共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且UCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，即
管子的β值大小时，放大作用差；β值太大时，工作性能不稳定。因此，一般选用β为30～80的管子。
2．共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时，某工作点处IC 与 IE的比值。在忽略ICBO 的情况下
（2）共基极交流电流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，在UCB 恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即：
通常在ICBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流
1．集-基反向饱和电流ICBO
ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下，ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大，它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
2．穿透电流ICEO
ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为：ICEO = ICBO＋ ICBO＝（1＋）ICBO GS0125
该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。
三、频率参数
频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围。
1．共射极截止频率fβ
三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1／倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。
2．特征频率fT
当三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率，称为特征频率。在fβ～fT的范围内，β值与f 几乎成线性关系，f越高，β越小，当工作频率f＞fT，时，三极管便失去了放大能力。
四、极限参数
1．最大允许集电极耗散功率PCM
PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算：
PCM ＝ICUCE GS0126
当已知管子的PCM 时，利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM 曲线。
2．最大允许集电极电流ICM
当IC很大时，β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极电流为ICM当IC＞ICM时，β值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。
3．反向击穿电压BVCEO与BVCEO
BVCEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。
BVCBO是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子的
BVCEO（0.5～0.8）BVCBO 。三极管的反向工作电压应小于击穿电压的（1／2～1／3），以保证管子安全可靠地工作。
三极管的3个极限参数PCM 、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线、截止线所包围的区域，便是三极管安全工作的线性放大区。一般作放大用的三极管，均须工作于此区。
常用电子元器件清单 类别名称规格或型号规格 电阻碳膜电阻RT 0.25W 1Ω-1MΩ电阻碳膜电阻RT 0.5W 1Ω-1MΩ电阻碳膜电阻RT 1W 1K 电阻碳膜电阻RT 1W 10K 电阻金属膜电阻RJ 0.125W 1Ω-1MΩ电阻金属膜电阻RJ 0.25W 1Ω-1MΩ电阻金属膜电阻RJ 0.5W 1Ω-1MΩ电阻金属膜电阻RJ 1W 1K 电阻金属膜电阻RJ 1W 10K 电位器蓝色长方，102 102 电位器蓝色长方，103 103 电位器蓝色长方，104 104 电位器蓝色长方，105 105 电位器蓝色长方，504 504 瓷片电 瓷片电容102 容 瓷片电 瓷片电容103 容 瓷片电 瓷片电容104 容 瓷片电 瓷片电容105 容 瓷片电 瓷片电容221 容 瓷片电 瓷片电容224 容 瓷片电 瓷片电容472 容 瓷片电 瓷片电容682 容 电解电 铝电解电容10u 25V 容 电解电 铝电解电容10u 50V 容 电解电 铝电解电容22u 16V 容 电解电 铝电解电容1u 50V 容 电解电铝电解电容33u 16V
电解电 铝电解电容47u 50V 容 电解电 铝电解电容47u 100V 容 电解电 铝电解电容100u 25V 容 电解电 铝电解电容220u 50V 容 电解电 铝电解电容330u 16V 容 电解电 铝电解电容330u 50V 容 电解电 铝电解电容470u 25V 容 电解电 铝电解电容1000u 35V 容 二极管普通二极管1N4001 二极管普通二极管1N4007 二极管4148 二极管LED红灯LED灯-5mm 二极管LED红绿LED灯-5mm 二极管LED白5mm 高亮 二极管LED绿LED灯-5mm 二极管LED蓝LED灯-5mm 二极管LED黄LED灯-5mm 三极管三极管9012 三极管三极管9013 三极管三极管9014 三极管三极管8050 三极管三极管8550 三极管三极管3DG6 晶振32768 晶振8M LED数码 LED数码管LG5011BSR 管 LED数码 LED数码管SM420501KW 管 LED数码 0.56寸共阴红色 管 散热片YA25 集成电 555定时器 NE555 路 集成电运放 4558
常用电子元件型号与封装 名称型号及规格名称型号及规格稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电源座DC head D5.5*11mm 稳压管BZX84-C5V6/ 电源座DC head D3.5*10mm 稳压管BZX84-C2V7/ 电源座DC head D6*14.5mm 稳压管R1114-3.3 SOT-25A电源座3PIN(诺基亚电源座）稳压管AMS1117-3.3 SOT223石英晶振8.0M 5032 稳压管AMS1117-5.0 SOT223石英晶振16.0M 5032 晶体管TRANSISTOR UM6K1石英晶振16.0M 11*4mm 三级管2SD1664 SC-62石英晶振29.491MHZ HC-49SMD 三级管2SK3018 UMT3石英晶振12MHz 5*3.5 SMT 三级管2SK208-Y UMT3电阻22R ±1% 0402 三级管MMBT2301LT1 SOT-23可调电阻2K±1% EVM3Y 三级管2N7002LT1 SOT-23电阻 1.5M±1% 0402 二极管RB751V-40 TE-17 0805电阻1M±1% 0402 稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电阻768K±1% 0402 下接8P插座BOX0512Y08RLETND-A电容3300PF±5% 0402蜂鸣器HXD（R）12*9mm电阻300K±1% 0402 蜂鸣器RD（+）9*6mm电阻270K ±1% 0402 蜂鸣器ADK-2808AB-13C电阻240K±1% 0402 蜂鸣器扁嘴 12*7mm电阻150K±1% 0402 电感33nH 0603电阻120K±1% 0402 电感150nH 0603电阻100K±1% 0402 电感270nH 0603电阻68K±1% 0402 电感 6.8nH 0603电阻51K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 10uH电阻47K±1% 0402 电感SDR32-100MNP/SR0302电阻33K±1% 0402 电感4D18-470N 47uH电阻20K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD10uH电阻15K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD 47uH电阻10K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 22uH磁珠HB-1M2012-260J 0805线圈XL-L1010062晶振垫片11*4*1mm 共模电感CM-2012-121T 2012天线430MHz 黑色直头线绕电感33nH 0603 天线430MHz 黑色弯头线绕电感150nH 0603 天线ANT-433-3E(长） 线绕电感270nH 0603 天线ANT-433-2.5J(短) 线绕电感39nH 0603 天线ANT-2.4-2.5J弯帽(短) 线绕电感12nH 0603 天线ANT-2.4-2.5灰白弯帽(长)发光二极管Blue 1206上接8P插座BOX0512Y08RUETND-A 透镜D8.4*4.5IC TLC2272 SSOP-8透镜D5.5*2.5IC MCP602T-1/ST SSOP-8 IC TLC2272 SOP-8IC MCP604T-1/ST SSOP-14 IC TLC274 SOP-14IC LM324 SSOP-14 IC LM324 SOP-14IC MAX3221CAE TSSOP-16 IC74HC27 SOP-14IC74HCT125PW TSSOP-14 IC74HC08 SOP-14IC TLC2274 SSOP-14
123电子元器件的规格参数 描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。 电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。 电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。 通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。 电子元器件的命名与标注 通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。电子元器件的名称由字母和数字组成。对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C 代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。 文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。例如，对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K 对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf 对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
电子元器件S参数的含义和用途 上网时间：2008-12-19 作者：Albert 来源：电子元件技术网中心议题： S参数介绍的由来和含义 S参数的使用范围 S参数在电路仿真中的应用 解决方案： 对于高频电路，需要采用网络法来进行分析，此时需要用到S参数 可以使用元器件厂家的S参数也可以自己搭建测试电路使用网络分析仪来测得S参数 要想深刻的理解S参数，需要具备足够的高频电子电路的基础知识 在进行射频、微波等高频电路设计时，节点电路理论已不再适用，需要采用分布参数电路的分析方法，这时可以采用复杂的场分析法，但更多地时候则采用微波网络法来分析电路，对于微波网络而言，最重要的参数就是S参数。在个人计算机平台迈入 GHz阶段之后，从计算机的中央处理器、显示界面、存储器总线到I/O接口，全部走入高频传送的国度，所以现在不但射频通信电路设计时需要了解、掌握S参数，计算机系统甚至消费电子系统的设计师也需要对相关知识有所掌握。 S参数的作用S参数的由来和含义 在低频电路中，元器件的尺寸相对于信号的波长而言可以忽略(通常小于波长的十分之一)，这种情况下的电路被称为节点(Lump)电路，这时可以采用常规的电压、电流定律来进行电路计算。其回路器件的基本特征为： 具体来说S参数就是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数，适于微波电路分析，以器件端口的反射信号以及从该端口传向另一端口的信号来描述电路网络。 针对射频和微波应用的综合和分析工具几乎都许诺具有用S参数进行仿真的能力，这其中包括安捷伦公司的ADS（Advanced Design System），ADS被许多射频设计平台所集成。 在进行需要较高频率的设计时，设计师必须利用参数曲线以及预先计算的散射参数（即S-参数）模型，才能用传输线和器件模型来设计所有物理元件。 电阻：能量损失（发热） 电容：静电能量 电感：电磁能量 但在高频微波电路中，由于波长较短，组件的尺寸就无法再视为一个节点，某一瞬间组件上所分布的电压、电流也就不一致了。因此基本的电路理论不再适用，而必须采用电磁场理论中的反射及传输模式来分析电路。元器件内部电磁波的进行波与反射波的干涉失去了一致性，电压电流比的稳定状态固有特性再也不适用，取而代之的是“分布参数”的特性阻抗观念，此时的电路被称为分布（Distributed）电路。分布参数回路元器件所考虑的要素是与电磁波的传送与反射为基础的要素，即： 反射系数
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照
1．常用电子元器件简介 （1）名称·电路符号·文字符号 （2）555时基集成电路 555时基集成电路是数字集成电路，是由21个晶体三极管、4个晶体二极管和16个电阻组成的定时器，有分压器、比较器、触发器和放电器等功能的电路。它具有成本低、易使用、适应面广、驱动电流大和一定的负载能力。在电子制作中只需经过简单调试，就可以做成多种实用的各种小电路，远远优于三极管电路。 555时基电路国内外的型号很多，如国外产品有：NE555、LM555、A555和CA555等；国内型号有5GI555、SL555和FX555等。它们的内部结构和管脚序号都相同，因此，可以直接互相代换。但要注意，并不是所有的带555数字的集成块都是时基集成电路，如MMV 555、AD555和AHD555等都不是时基集成电路。 常见的555时基集成电路为塑料双列直插式封装（见图5-36），正面印有555字样，左下角为脚①，管脚号按逆时针方向排列。
(图5-36) 555时基集成电路各管脚的作用：脚①是公共地端为负极；脚②为低触发端TR，低于1／3电源电压以下时即导通；脚③是输出端V，电流可达2000mA;脚④是强制复位端MR，不用可与电源正极相连或悬空;脚⑤是用来调节比较器的基准电压，简称控制端VC，不用时可悬空，或通过0.01μF电容器接地;脚⑥为高触发端TH，也称阈值端，高于2/3电源电压发上时即截止;脚⑦是放电端DIS;脚⑧是电源正极VC。 555时基集成电路的主要参数为（以NE555为例）电源电压4.5～16V。 输出驱动电流为200毫安。 作定时器使用时，定时精度为1％。 作振荡使用时，输出的脉冲的最高频率可达500千赫。 使用时，驱动电流若大于上述电流时，在脚③输出端加装扩展电流的电路，如加一三极管放大。 （3）音乐片集成电路 它同模仿动物叫声和人语言集成电路都是模拟集成电路，采用软包装，即将硅芯片用黑的环氧树脂封装在一块小的印刷电路板上。
电子元器件的规格参 数
123电子元器件的规格参数 描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。 电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。 电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。 通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。 电子元器件的命名与标注 通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。电子元器件的名称由字母和数字组成。对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。 文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的
基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。例如， 对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K 对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf 对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh ④对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母R表示小数点。例如， 对于电阻器上的标注，3R9表示其阻值为3.9 色表法：在圆柱形元件（主要是电阻）上印制色环，在球形元件（电容、电感）和异形器件（如三极管）体上印制色点，表示它们的主要参数和特点，称为色码标注法。 用背景颜色区别种类——用浅色表示碳膜电阻，用红色表示金属膜或金属氧化膜电阻，深绿色表示线绕电阻。在研制电子产品是，要仔细分析电路的具体要求。在那些稳定性、耐热性、可靠性要求比较高的电路中，应该选用金属膜或金属氧化膜电阻；如果要求功率大、耐热性好，工作频率又不高，则可选用线绕电阻；对于无特殊要求的一般电阻则可使用碳膜电阻，以便降低成本。 电阻器的质量判别方法 ①看电阻器引线有无折断及外壳烧焦现象。
Proteus常用元器件中英文对照表 AND 与门 ANTENNA 天线 BA TTERY 直流电源 BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CRYSTAL 晶体整荡器 DIODE 二极管 FUSE 熔断器 INDUCTOR 电感 LAMP 灯泡 LED 发光二极管 METER 仪表 MICROPHONE 麦克风 MOTOR 电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门 NPN NPN三极管 OPAMP 运放 OR 或门 PNP 三极管 POT 滑线变阻器 RESPACK 排阻 SCR 晶闸管 SOCKET 插座 SPEAKER 扬声器 SW- 开关类 TRIAC 三端双向可控硅 TRIODE 三极真空管 V ARISTOR 变阻器 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门
74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码 7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG转换电路 ALTERNATOR 交流发电机 BA TTERY 电池/电池组 BUS 总线 CLOCK 时钟信号源 CRYSTAL 晶振 GROUND 地 LED-RED 红色发光二极管 LM016L 2行16列液晶可显示2行16列英文字符，有8位数据总线D0-D7，RS，R/W，EN三个控制端口（共14线），工作电压为5V。没背光，和常用的1602B功能和引脚一样（除了调背光的二个线脚） LOGICPROBE 逻辑探针 LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态LOGICTOGGLE 逻辑触发 POT-LIN 三引线可变电阻器 POWER 电源 RES 电阻 RESISTOR 电阻器 VOLTMETER 伏特计 Electromechanical 电机 Inductors 变压器 CSOURCE DC Current Source恒流源 Proteus元件总目录中英文对照表及说明
2001年全国大学生电子设计竞赛 一、基本仪器清单 20MHz普通示波器（双踪，外触发输入，有X轴输入）； 60MHz双踪数字示波器； 1Hz~200kHz低频信号发生器； 普通函数信号发生器； 50MHz~150MHz调频/调幅高频信号发生器； 低频毫伏表； 高频毫伏表； 普通频率计； 通用计数器（可选）； 失真度仪（可选）； 位数字万用表； 秒表； 单片机开发系统及EDA开发系统。 二、主要元器件清单
单片机最小系统板（不含A/D、D/A等芯片）； 可编程逻辑器件系统板（不含A/D、D/A等芯片）； 手写输入板； 普通A/D、D/A，采样速率大于1MHz的8位A/D变换器； 运算放大器，电压比较器； 常用逻辑电路、可编程器件，常用阻、容元器件，电位器及晶体管；反射式光电检测器； 电动玩具车（外形尺寸：长≤35cm；宽≤15cm）。 三、题目 A、波形发生器 B、简易数字存储示波器 C、自动往返电动小汽车 D、高效率音频功率放大器 E、数据采集与传输系统 F、调频收音机
2003全国大学生电子设计竞赛 一、基本仪器清单 20MHz普通示波器（双通道，外触发输入，有X轴输入，可选带Z轴输入）60MHz双通道数字示波器 低频信号发生器（1Hz~200kHz） 信号发生器（1kHz~15MHz） 高频信号发生器（1MHz~35MHz） 频率特性测量仪（可选） 数字相位计（可选） 低频毫伏表 高频毫伏表 普通频率计 3位半数字万用表 电感、电容测试仪（或Q表） 秒表 单片机开发系统及EDA开发系统
二、主要元器件清单 单片机最小系统板（仅含单片机芯片、键盘与显示装置、存储器） 可编程逻辑器件下载板（仅含可编程芯片、下载电路、配置存储器）A/D、D/A变换器 运算放大器、电压比较器 可编程逻辑器件 显示器件 电动玩具车（外形尺寸：长≤35cm；宽≤15cm） 小型电动机 开关二极管 高频变容二极管 小型继电器 模拟开关 高频磁芯 传感器（光电传感器、超声传感器、金属探测传感器、红外传感器等）三、题目
需要购买的参考器件 常备器件 名称 数量 参考价格(元) 备注 调温电烙铁 1 40—50 焊锡丝 1 30—50 价格因质量而定，一般40左右万用板 大板5小板5 大板5-6小板3-4 价格因质量而定，一般5块左右排针 20排
电阻 每样至少50个 常用电阻从100Ω到100MΩ不等电位器(蓝色) 每样至少10个 型号102，103，104，105 瓷片电容 104整包购买 30P 20个 最小系统板上需要30P 电解电容 50V10uf 100个 50V100uf 100个 50V3300uf 10个 3300和10多用于直流电源的制作杜邦线 一排40根 3排
杜邦钱多买点也无妨，以后会用到很多直流线性、稳压电源制作需要器件 名称 数量 价格 备注 整流二极管或者整流桥 整流二极管50个 整流桥50个 二者均用于交流电到直流电的整流 区别在于整流桥是二极管的集成块 电解电容 50V3300uf 10个 50V10uf 50个 25V1uf 5个 用于整流后滤波 瓷片电容 104 整包购买 配合电解电容达到更好的滤波效果
103电位器 10 三端可调正电压LM317 6 三端可调负电压LM337 4 输出正5V稳压器7805 4 输出负5V稳压器7905 4 输出正12V稳压器7812 4 输出负12V稳压器7912
输出正15V稳压器7815 4 输出负15V稳压器7915 4 51最小系统制作所需器件名称 数量 参考单价价格（元） 备注 STC89C52单片机 2 5 核心控制芯片 排阻 4
9脚8位排阻 紧锁座 2 5 绿色40脚，方便取单片机12MHz晶振 2 2 30PF瓷片电容 10 0.2 接晶振电路 10UF电解电容 10 0.2 接复位电路。长脚正，短脚负47K欧姆电阻 10
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
药代动力学参数 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020
一、吸收 溶出度：药物分子在消化道中溶解的程度 生物利用度：药物吸收的程度 绝对生物利用度 最大血药浓度(Cmax) 达峰时间(Tmax) 二、分布 由于体内环境的非均一性（血液、组织），导致药物浓度变化的速度不同。 隔室(compartment)：同一隔室药物浓度的变化速度相同，均相。 一室模型：药物进入血液迅速分布全身，并不断被清除。 二室模型: 药物进入体内后，首先快速分布于组织中，然后进入较慢的消除过程。 表观分布体积(Vd)(aparent volume of distribution)：表征药物在体内被组织摄取的能力。表观容积大的药物体内存留时间较长。 药物浓度-时间曲线下面积(AUC）；系统药物暴露（Systemic Exposure） 血脑屏障；蛋白结合率；分布半衰期（t 1/2(α) 三、消除 消除(elimination)：原药在体内消失的过程。包括肾（尿）或胆汁（粪）或呼吸排泄及代谢转化的总和。
消除速率常数（elimination constants）：反映药物在体内消失的快慢。不完全反映药物的作用时间（代谢物也有活性）。 半寿期或半衰期（t1/2）：药物浓度或药量降低50%所需的时间。消除半衰期t1/2(β)）Terminal Half-life ，Elimination Half-life。 清除率（clearance，廓清率）或肾清除率（renal clearance）：反映药物或代谢物经肾被排出体外的速度。 一方面是药物对机体的作用，产生药效、毒性或副作用，表现为药物的药理作用或毒理作用，决定于特定的化学结构，具有较强的结构特异性。 另一方面是机体对药物的作用：吸收、分布，生物转化和排泄，表现为药物的药代动力学性质。主要取决于药物的溶解性、脂水分配系数、电荷等药物分子整体的理化性质，结构特异性不强。 药物的吸收是药物由给药部位通过生物膜进入血液循环的过程。 吸收部位 消化道（口服给药，口腔、胃、小肠、大肠）、呼吸道（鼻腔给药，肺）、肌肉（）、粘膜（栓剂）。 吸收部位不同，药物被吸收的程度和快慢，有差异（静注、肌注；皮下给药，口服。） 共性：药物是通过生物膜吸收的。 吸收过程 扩散
常用电子元器件介绍 电子元件知识——电阻器 电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） ①主称②材料③分类④序号 电阻器的分类： ①线绕电阻器 ②薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器 ③实心电阻器 ④敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 ※电阻器阻值标示方法： 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20% 。 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称 阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符
号文字符号：DFGJKM 允许偏差分别为： ±0.5%±1%±2%±5%±10%±20% 3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到 右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通 常采用文字符号表示。 4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。 国外电阻大部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4 、绿-5 、蓝-6 、紫-7、灰-8、白-9、金- ±5%、银- ±10% 、无色-±20% 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差
最常用的电子元件型号 整流二极管: 1N4001~1N4007 50V~1000~/1.0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1.5A 1N5400~1N5408 0V~1000V/3.0A 开关二极管: 1N4148 1N4150 1N4448 肖特基二极管: 1N5817~1N5819 20V~40V/1.0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3.0A 1N60 1N60P小电流低压降 光电耦合器: 4N35 4N36 4N37 晶体三极管: PNP:8050 9015 A92 NPN:9012 9013 9014 9015 9018 D/A转换器: AD7520 AD7521 AF7530 AD7521 8位:DAC0830 DAC0832 (D/A ) 12位:AD7541 (D/A) 8位:ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D) 跨导运算变压器: CA3080 CA3080A OTA BiMOS运算变压器: CA3140 CA3140A 双向触发二极管: DB3 快恢复二极管: FR101~FR107 50V~1000/1.0A 三位半A/D转换器: ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117 载波稳零运算放大器: ICL7650
CMOS电源电压变换器: ICL7660/MAX1044 单片函数发生器: ICL8038 通用计数器: ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz 带BCD输出10MZ通用计数器: ICM7226A ICM7226B 单/双通用定时器: ICM7555 ICM7555 DTMF 收发器: ISO2-CMOS MT8880C JFET输入运算放大器: LF351 FJET输入宽带高速双运算放大器: LF353 三端可调电源: LM117 LM317A LM317 低功耗四运算放大器: LM124 LM124 LM324 LM2920 三端可调负电压调整器: LM137 LM337 低功耗四电压比较器: LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302 可关断开关电源: LM1575-3.3、LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、LM2576-ADJ 低功耗双运算放大器: LM158 LM258 LM358 LM2904
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
心电数据采集板元器件清单 1.心电信号调理电路： 1）电阻 电阻阻值数量配件图号 10K 3 R3,R16,R17 1M 1 R4 24K 2 R5，R6， 8.2K 1 RG 510K 1 R7 1K 1 R8 45K 2 R10，R11 24K 1 R12 20K 6 R14，R15，R18，R19，R20，R21 100K（变阻器） 2 R9，R13 2）电容 1u 2 C1，C7 0.1u 6 C22，C23，C24，C25,C26，C27 10u(电解电容） 1 C2 0.068u 4 C3，C5，C4，C42 3)芯片 TL084 2 U2,U3 AD620 1 U1
4)插针 T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7，T8,T9，T10，T11，T12 2.A/D转换电路部分 1）电阻 10K 3 R22，R30，R31 100 1 R32 2k 2 R28，R29 1k 4 R24，R25，R26，R27 10K变阻器 1 R23 2)电容器 0.1u 11 C7，C29，C11，C12，C13，C14，C15,C8，C16，C18，C28 22u（电解电容） 1 C21 22p 2 C9，C10 1000u(电解电容） 1 C17 220u(电解电容） 1 C19 1u 1 C20 晶振22.1184Hz 1 X1 3）二极管 IN4001 1 发光二极管L2,L3，L5 3 4）三极管
7805 1 BG8550 1 蜂鸣器BP 5）芯片 STC89C52 1 TLC1549CP 1 MAX232EPE 1 74LS14芯片 1 ICL7660 1 6）开关 SW 1
电子元器件型号命名规则 2，电容器
5，半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
一、吸收 溶出度：药物分子在消化道中溶解的程度 生物利用度：药物吸收的程度 绝对生物利用度 最大血药浓度(Cmax) 达峰时间(Tmax) 二、分布 由于体内环境的非均一性（血液、组织），导致药物浓度变化的速度不同。 隔室(compartment)：同一隔室药物浓度的变化速度相同，均相。 一室模型：药物进入血液迅速分布全身，并不断被清除。 二室模型: 药物进入体内后，首先快速分布于组织中，然后进入较慢的消除过程。 表观分布体积(Vd)(aparent volume of distribution)：表征药物在体内被组织摄取的能力。表观容积大的药物体内存留时间较长。 药物浓度-时间曲线下面积(AUC）；系统药物暴露（Systemic Exposure） 血脑屏障；蛋白结合率；分布半衰期（t 1/2(α) 三、消除 消除(elimination)：原药在体内消失的过程。包括肾（尿）或胆汁（粪）或呼吸排泄及代谢转化的总和。 消除速率常数（elimination constants）：反映药物在体内消失的快慢。不完全反映药物的作用时间（代谢物也有活性）。 半寿期或半衰期（t1/2）：药物浓度或药量降低50%所需的时间。消除半衰期t1/2(β)）Terminal Half-life ，Elimination Half-life。
清除率（clearance，廓清率）或肾清除率（renal clearance）：反映药物或代谢物经肾被排出体外的速度。 一方面是药物对机体的作用，产生药效、毒性或副作用，表现为药物的药理作用或毒理作用，决定于特定的化学结构，具有较强的结构特异性。 另一方面是机体对药物的作用：吸收、分布，生物转化和排泄，表现为药物的药代动力学性质。主要取决于药物的溶解性、脂水分配系数、电荷等药物分子整体的理化性质，结构特异性不强。 药物的吸收是药物由给药部位通过生物膜进入血液循环的过程。 吸收部位 消化道（口服给药，口腔、胃、小肠、大肠）、呼吸道（鼻腔给药，肺）、肌肉（肌肉注射）、粘膜（栓剂）。 吸收部位不同，药物被吸收的程度和快慢，有差异（静注、肌注；皮下给药，口服。） 共性：药物是通过生物膜吸收的。 吸收过程 扩散 被动扩散：扩散速率与浓度梯度成正比；无特异性；无饱和性；药物分子必须具备合适的脂水分配系数。大部分化学药物是通过被动扩散途径吸收的。 膜孔扩散：分子量小于100的物质。 易化扩散：需转运载体的参加，有饱和性和特异性；但需要一定的浓度梯度。如细胞摄入葡萄糖、甲氨蝶呤、小肠吸收VB12 。 转运