当前位置:文档之家› 《电子线路》期中试卷(12电子)2013.11.8

《电子线路》期中试卷(12电子)2013.11.8

《电子线路》期中试卷(12电子)2013.11.8
《电子线路》期中试卷(12电子)2013.11.8

江苏省海安中等专业学校

中专一部 12级 电子班《电子线路》期中考试试卷

(2013年11月) 得分

一、填空题(24分)

1、晶体三极管有三个工作区:分别是________、_________和_________。

2、晶体三极管工作在放大区时,它的发射结加_______电压,集电结加______电压。

3、分析放大电路的两种基本方法是:______________和______________。

4、放大器中的电流和电压有直流分量和______________。

5、共发射极电路具有___________和___________作用。

6、多级放大器常用的耦合方式有_____________、______________和__________三种形式。

7、负反馈对放大器的影响是:使放大倍数__________,放大器的稳定性_______,输出波形的非线性失真___________,通频带宽度_________,并且改变了输入电阻和输出电阻。

8、反馈放大器由__________放大器和反馈电路两部分组成。反馈电路是跨接在________端和_________端之间的电路。

9、差分放大器的两种输入方式为_______________和________________。 10、要使电路产生稳定的振荡,必须满足______________和______________两个条件。

二、判断题(10分)

1、( )放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响。

2、( )放大器常采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入阻抗。

3、( )放大器的放大倍数与信号频率无关,即无论信号是高、中、低任一频段,放大倍数是相同的。

4、( )三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ 选得偏低。

5、( )两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为A v1、A v2,这两

个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为A v ,则A v = A v1+ A v2 6、( )多级放大器常采用正反馈来提高电压放大倍数。

7、( )晶体管放大器常采用分压式电流负反馈偏置电路,它具有稳定静态工作点的作用。

8、( )直接耦合放大器是放大直流信号的,它不能放大交流信号。 9、( )差分放大器中如果注意选择元件,使电路尽可能对称,可以减少零点漂移。

10、( )差分放大器中,共模反馈电路只对共模信号产生负反馈,而对差模信号不产生负反馈。 三、选择题(20)

1、某三级放大器中,每级电压放大倍数为A v ,则总的电压放大倍数为( )

A 、3 A v

B 、A v 3

C 、A v

3

/3

2、在阻容耦合多级放大器中,在输入信号一定的情况下,要提高级间耦合效率,必须( )

A 、提高输入信号的频率

B 、加大电容减小容抗

C 、减小电源电压

3、放大器的通频带是指( )

A 、频率响应曲线

B 、下限频率以上的频率范围

C 、放大器上限频率和下限频率之间的范围

4、放大器引入负反馈后,它的电压放大倍数和信号失真情况是( )

A 、放大倍数下降,信号失真减小

B 、放大倍数下降,信号失真加大

C 、放大倍数增大,信号失真程度不变 5、直接耦合放大器的功能是( )

A 、只能放大直流信号

B 、只能放大交流信号

C 、交直流信号都能放大

6、差分放大器比非差分直接耦合放大器多用一个晶体三极管,为了( ) A 、高的电压放大倍数 B 、使电路放大信号时减少失真 C 、抑制零点漂移

7、差分放大器抑制零点漂移的效果取决于( )

A 、两个三极管的放大倍数

B 、两个三极管的对称程度

C 每个三极管的

班级 姓名 考试号

穿透电流大小

8、正弦波振荡器中,选频网络的主要作用是()

A、使振荡器产生一个单一频率的正弦波

B、使振荡器输出较大的信号

C使振荡器有丰富的频率成分

9、正弦波振荡器中正反馈网络的作用是()

A、保证电路满足振幅平衡条件

B、提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大

C使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡

10、电感三点式LC振荡器与电容三点式LC振荡器比较,其优点是()

A、输出幅度较大

B、输出波形较好C易于起振,频率调节方便

四、计算题(46)

1、直接耦合放大器有哪两个特殊问题?应如何解决?

2、要求画出运算放大器实现如下运算,确定各电阻的关系。

(1)V O=-3V i(2)V O=V i1-V i23、某三级放大器中,各级的功率增益为:﹣3 dB、20 dB和30dB,则总功率增益是多少?

4、什么是产生自激振荡的相位条件和振幅条件?

5、电路如图4-5所示,已知V G=12V,β=60,R B=200KΩ,R E=2Ω中,R C=2K Ω,V BE=0.6V,信号源内阻R S=100Ω。试求①静态值②电压放大倍数A VS ③输入、输出电阻④说明射极跟随器的特点?

0910通信电子线路试卷A

装 订 线 内 不 要 答 题 自 觉 遵 守 考 试 规 则,诚 信 考 试,绝 不 作 弊

三.如图所示为一振荡器的交流等效电路图,试判断其类型(电容三点式还是电感三点式),若H L pF C pF C μ100,320,8012===,求该电路的振荡频率和维持振荡所必须的最小放大倍数min K 。(10分) 四.在振幅条件已满足的条件下,用相位条件判断如图所示振荡器能否振荡;若能振荡,说明其振荡频率范围。(8分) 五.如图所示, f(t)为调制信号,当用其对一个高频载波进行调幅时,请画出m=0.5和m=1时的AM 信号U AM (t)和DSB 信号U DSB (t) (12分)

六.某发射机的输出级在R L =100Ω的负载上的输出电压信号为Vs(t)=4(1+0.5cos Ωt)cos ωC t (V),求发射机总的输出功率Pav , 载波功率P o 和边频功率P SB 各为多少?(9分) 七.已知调角波表示式63()10cos(21010cos 210)()t t t v υππ=?+?,调制信号为 3()3cos 210t t υπΩ=?,试问: 1、该调角波是 波;(调频、调相); 2、调角波的最大频偏为 ; 3、其有效频谱宽度为 Z K H . (8分)

八.设用调相法获得调频,调制频率F=300~3000Z H 。在失真不超过允许值的情况下,最大允许相位偏移0.5rad θ?=。如要求在任一调制频率得到最大的频偏f ?不低于75Z K H 的调频波,需要倍 频的次数为多少?(12分) 九.设非线性元件的伏安特性为2210u a u a a i ++=, 用此非线性元件作变频器件,若外加电压为t U t t m U U u L Lm s Sm ωωcos cos )cos 1(0+Ω++=,求变频后中频(s L I ωωω-=)电流分量的振幅。(8分) 十.若两个电台频率分别为KHz 5741=f ,KHz 11352=f ,则它们对短波(MHz 12~MHz 2= S f )收音机的哪些接收频率将产生三阶互调干扰?(9分) 十一.基本 PLL 处于锁定时,VCO 频率_______输入信号频率,鉴相器两个输入信号的相位差为_______数,输出______电压。(6分)

模拟电子技术期末考试试卷及答案

《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题(20 分) 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题(20分) 1、P 型半导体中的多数载流子是 ,N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的 约为 ( )。 A .1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( ) 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深,电路的性能越稳定。( ) 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( ) 四、简答题:( 25分) 1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =。 V 2 V 1

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型 ¥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡 五、计算题(25分) 1、电路如下图所示,试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕 一、填空题(15分) 1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号; D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

知到网课答案通信电子线路2020期末考试答案.docx

知到网课答案通信电子线路2020期末考试 答案 问:我国提出“一带一路”倡议,越来越展现出一个大国的担当,在“一带一路”建设中,中国将( ) 答:共同构建人类命运共同体 坚持结伴不结盟的伙伴关系 坚持亲诚惠容的周边外交理念 坚持合作共赢的新型国际关系 问:我国提出“一带一路”倡议,越来越展现出一个大国的担当,在“一带一路”建设中,中国将( ) 答:共同构建人类命运共同体 坚持结伴不结盟的伙伴关系 坚持亲诚惠容的周边外交理念 坚持合作共赢的新型国际关系 问:周代规定,平民在特殊情况下可以使用牛祭祀祖先。 答:错 问:下列属于能让企业“值钱”的因素的是( ) 答:商业模式资源股权设计 问:由于缺乏对当地法律环境和法律要求的认识,仅依据在本国的实践经验或照搬在其他国家的做法,经常会导致潜在的()。 答:法律风险 问:当剩余生产能力无法转移时,只要( )时,亏损产品就不应当停产 答:单价大于单位变动成本 变动成本率小于1 收入大于变动成本总额 边际贡献率大于零 问:冯小宁电影《红河谷》 以 20 世纪初的中国西藏为背景,演绎了汉藏儿女

并肩抵抗()国殖民侵略的英雄传奇的故事。 答:英 问:产妇死亡问题与以下哪个紧密相关:Theissueofmaternalmortalityisverycloselyconnectedtothefollowing:-未答复 答:所有以上 问:The boy admires his father and ( ) his every word. 答:hangs on 问:在图示电路中,开关S在t=0瞬间闭合,当t = ∞时,电路的稳态电流 =()A。 ba24af46f6c3a51b1d5d055990f51ea6.pnga37df443080b214bd0d83e5db2297e7a. png 答:第一空: 0.1 问:2018年经济继续复苏后劲不足、会有小幅回落,“三架马车”均可能减速。 答:对 问:2018年男性健康日主题是 答:健康等于财富,体恤男性生活 问:2018年是海南建省办经济特区()周年 答:30 问:2018年是马克思诞辰()周年。 答:200 问:2018年是我国第个男性健康日。 答:19 问:在此之后等于由此之故

《电子技术应用》期中考试试卷

一、 选择题(本题共5小题,每小题2分,共10分) 1、下列符号中表示发光二极管的为( )。 A B C D 2、硅管正偏导通时,其管压降约为( )。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时,工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用,c 、b 、e 三个电极的电位必须符合:( ) A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题((本题共5小题,每空2分,共20分) 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体,掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极,N 区接电源 极,称正向偏置,二极 管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是:发射结加 电压,集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从10微安变化到22微安 时,集电极电流从1毫安变为2.2毫安,则该三极管的β约为 。 三、计算题(本题共5小题,共70分) 1、二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电 路的输出电压AB U 。(设二极管为硅管,导通压降为0.7V ) (15分) 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=,基极电流A I B μ40=,求集电极电流C I 的数值。 (10分)

电力电子技术期末复习考卷综合

一、填空题: 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务,主要为①交流变直流(AC —DC )、②直流变交流(DC —AC )、③直流变直流(DC —DC )、④交流变交流(AC —AC )四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在 开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗)通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括 三个方面:通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时,额定电压要留有一定的裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时,晶闸管才会由导通转为截止。导通:正向电压、触发电流 (移相触发方式) 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现 失控 现象,为了避免单相桥式 半控整流电路的失控,可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中,变压器的漏抗会产生换相重叠角,使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。(电源相电压为U1) 三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。(电源相电压为U 2) 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路,给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路,包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。(是否有交流环节) 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路:电压大小变换:降压斩波电路(buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式: U=ɑE ɑ=占空比,E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ,即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输出电压有效值的电路, 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路, 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。

通信电子线路习题

通信电子线路典型习题 01、电感的等效电路如图所示,L=100μH,r=1Ω,工作频率f=100kHz。 (1)求电感L的Q0, (2)将电感的等效电路转换为并联形式。 02、电路如图所示,L=100μH,C=100pF。 (1)当i=5cos(106/2π)t时,确定电路的阻抗性质; (2)当i=5cos(107/2π)t时,确定电路的阻抗性质。 i 03、电路如图所示,已知:L=50μH,C=100pF,、r=5Ω,求ω0、回路的Q0、BW、B0.1、D。 04、电路如图所示,工作在谐振状态。已知:L=100μH,电感的r=5Ω、N1=6、N2=4、C1=100pF、C2=300pF、Rs=100KΩ、R L=50KΩ,求ω0、回路的Q、BW、B0.1、D。

5、电路如图所示,工作在谐振状态。已知:L1=100μH,L2=50μH,M=5μH,电感的r=5Ω、N1= 6、N2=4、C1=100pF、C2=300pF、Rs=100KΩ、R L=50KΩ,求ω0、回路的Q、BW、B0.1、D。 6、计算3级选频放大器(n=3),单谐振回路数目为(n+1=4)时的3Db带宽BW=? 7、晶振的f q和f p的数值有什么特点?(提示:有3) 8、为了提高效率,高频功率放大器多工作在或状态。 9、为了兼顾高的输出功率和高的集电极效率,在实际应用中,通常取θ= 。 10、为什么低频功率放大器不能工作于丙类?而高频功率放大器可以工作于丙类?

11、有一谐振功率放大器电路如图所示,工作于临界状态。 (1)已知V cc=30V,I cm=1A,U CES=1.2V,导通角θ=700,α0(700)=0.25,α1(700)=0.44。试求P0和ηc; (2)如果电路中的变压器的效率为90%,负载电阻R L=75Ω,试求负载电阻R L两端的电压u RL=? 12、将习题016所描述的功率放大器改成2倍频器,电路应作哪些修改与调整? 13、有一振荡电路如图所示,试在电路图上标注高频变压器的线圈的同名端。

《电子技术》期中考试试卷

2012~2013年第二学期《电子技术》期中考试试卷 总分:100分时量:60分钟 班级:姓名:学号: 一、填空题(37×1分=37分) 1、能够将变成的电路称为整流电路,能够将变成比较平滑的的电路称为滤波电路。 2、PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极;PN 结反偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。 3、硅二极管的正向压降约为V,锗二极管的正向压降约为V。 4、利用半导体二极管的特性,将变成的过程称做整流。 5、交流电经过变成脉动直流电后,仍有变化,滤波电路能够脉动直流电中的成分。 6、半导体三极管有两个PN结,即结和结;有三个电极,即极、 极和极,分别用、、和表示。 7、晶体管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。 8、半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即区、区和区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、在纯净的硅晶体中掺入三价元素,就成为型半导体,它的多数载流子量是,少数载流子是。 二、选择题(6×4分=21分) 1、在纯净半导体硅中,掺入微量的()价元素就成了N型半导体。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 2、性能良好的二极管正向电阻()反向电阻。A. 大于 B. 等于 C. 小于 D. 不确定 3、稳压二级管的稳压性能是利用二极管的()特性实现的。 A. 单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截止 4、整流的目的是()。 A. 将高频变为低频 B. 将低频变为高频 C. 将正弦波变为方波 D. 将交流变为直流 5、整流电路后面接入滤波电路的目的是()。 A. 去除直流电中的脉动成份 B. 将高频变成低频 C. 将正弦交流信号变成矩形脉冲 D. 将直流电变成交流电 6、三极管的发射结正偏、集电路反偏时,三极管处于()。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 三、判断题(5×2分=10分) 1、PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。() 2、在P型半导体中,多数载流子是电子。() 3、二极管加反向电压不一琯是导通状态。() 4、稳压二极管是工作在反向击穿状态。() 5、单相半波整流电路的特点是:电路简单、成本低,输出电压高、脉动小。() 四、综合题(14分+15分=29分) 1、试画出单相半波整流的电路图,并说明它的整流过程。 2、请画出共射放大电路的原理图,并写出静态工作点的计算公式。(I BQ、I CQ、V CEQ)

模电期中试卷

模拟电子技术基础期中考试 系(专业)________班 学号____________姓名________ ____________________________________________________________________________ 一、选择题(本题满分27分): 1. 在图1所示的稳压电路中,稳压管的稳定电压为8V ,稳 压管电流小于2mA 时不能稳压。为了使稳压管起稳压作 用,则负载电阻R L 应大于 【 】 A. 4 k Ω B. 1 k Ω C. 800Ω D. 667Ω 2. 图2为场效应管电路和它的输出特性曲线,若R g =1M Ω,R d =5 k Ω,则从图中可知场效应管工作在 【 】 A. 可变电阻区 B. 放大区 C. 截止区 D. 临界饱和 图 2 3. 三极管放大电路的三种组态 【 】 A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用 C. 都有功率放大作用 D. 只有共射电路有功率放大作用 图1

4. 单管直耦放大电路如图3所示,设V CES=0V。已知A v=-10,且当V I=1V时,V O =6V,则当V I=1.01V时,V O为【】 A. 10.1V B. 5.9V C. 6.1V D. –10.1V 图 3 图4 5. 上题中,又当V I=0V时,V O变为【】 A. 16V B. 0V C. 10V D. 6V 6. 有一NPN三极管组成的基本共射放大电路如图4所示,在室温下工作正常,但将它 放入60℃的恒温箱中,发现输出波形失真,且幅度增大。这时电路产生了【】 A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 饱和失真和截止失真 D. 交越失真 7. 一个理想的集成运算放大器【】 A. 只能放大交流信号,不能放大直流信号 B. 只能放大直流信号,不能放大交流信号 C. 只能放大差模信号,不能放大共模信号 D. 只能放大共模信号,不能放大差模信号

(完整版)中职电子线路试卷

2012学年电子线路期中试卷 班级 学号 姓名 一、填空题(30分) 1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即 、 和 。当三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立;当三极管工作在 区时,I C ≈0;当三极管工作在 区时,U CE ≈0。 2、晶体二极管具有____________特性,当二极管两端正向电压大于______电压时,二极管才能导通,其正向压降硅管约为______V ,锗管约为______V 。 3、把交流电变成直流电的电路叫做整流电路。常见的二极管单相整流电路有__________电路、_________________电路和_______________________电路。 4、半导体三极管,它是________控制型器件。其内部有三个区即_____________、_____________和____________, 5、晶体三极管按半导体材料可分______和______;按PN 结的组合方式不同可分为____________和____________型管。 6、晶体三极管I E 、I B 、I C 之间的关系式为__________ 7、三极管有放大作用的外部条件是:发射结 和集电结 。 8、正常情况下稳压管工作在 区,具有稳压作用。 二、选择题(30分) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、当晶体二极管的PN 结导通后,参加导电的是( )。 A 少数载流子 B 多数载流子 C 既有少数载流子又有多数载流子 D 自由电子 2、当锗晶体二极管加上0.3V 的正向电压时,该晶体二极管相当于( )。 A 小阻值电阻 B 阻值很大的电阻 C 内部短路 D 稳压管 3、用万用表测得NPN 型晶体管各电极对地的电位是:V B =4.7V ,V C =4.3V ,V E =4V ,则该晶体三极管的工作状态是( )。 A 饱和状态 B 截止状态 C 放大状态 D 击穿状态 4、如下图所示,已知两个稳压管稳定电压分别为V 1=5V,V 2=10V,它们的正向压降均为0.7V,若稳定电流都相等,则输出电压V 0为________。 A 5.7V B 10.7V C 5V D 15V 5、晶体三极管的两个PN 结都反偏时则晶体三极管所处的状态是_______。 A 放大状态 B 饱和状态 C 截止状态 D 击穿状态 6、当晶体三极管工作在饱和状态时它的I C 将_______。 A 随I B 增加而增加 B 随I B 增加而减小 C 与I B 无关 D 与电源电压无关 7、在放大状态测得某管的三个极电位分别是-2.5V ,-3.2V ,-9V ,这个三极管的类型是_______。 A NPN 锗管 B NPN 硅管 C PNP 锗管 D PNP 硅管 8、对于三极管放大作用的实质,下列说法正确的是( ) A 三极管可以把小能量放大成大能量; B 三极管可以把小电流放大成大电流; C 三极管可以把小电压放大成大电压; D 三极管可以用较小的电流控制较大的电流。 9、用万用表判断放大电路中处于正常工作状态的某晶体三极管的类型与三个电极时,测出( )最方便。 A 各极间正向电阻 B 各级电流 C 各级间反向电阻 D 各级对地电位 10、3DG6型晶体管是( ) A 高频小功率硅NPN 型三极管 B 高频大功率锗NPN 型三极管 C 高频小功率锗PNP 型三极管 D 低频大功率硅NPN 型三极管 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 2、三极管处于放大区时,I C ≈βI B 。 3、如图,电阻R C 的作用是把I C 的变化转换为V CE 的变化。 4、以上两电路分别是共射、共基联接方式。 5、二极管、三极管都属于非线性器件。 6、在半导体内部只有电子是载流子。 7、晶体二极管击穿后立即烧毁。 8、普通二极管正向使用时没有稳压作用。 9、硅稳压二极管的动态电阻大则稳压性能越好。 10、电容虑波器适用于负载电流较大且经常变化的场合。

通信电子线路复习题

102总复习题 一、选择题(从下列各题四个备选答案中选出一个正确答案。答案错选或未选者,该题不得分。) 1.在检波器的输入信号中,如果所含有的频率成分为C ω,C ω+?,C ω??,则在理想情况下,输出信号中包含有的频率成分为 。 A.C ω B.C ω+? C.C ω?? D.? 2.某超外差接收机的中频为465KHz ,当接收931KHz 的信号时,还收到1KHz 的干扰信号,此干扰为 。 A.干扰哨声 B.中频干扰 C.镜像干扰 D.交调干扰 3.利用非线性器件相乘作用实现频率变换时,其有用项为 。 A.一次方项 B.二次方项 C.高次方项 D.全部项 4.射频功率放大器工作于临界状态,根据理想化负载特性曲线,当LC 回路谐振阻抗e R 增加一倍时,则输出功率o P 。 A.增加一倍 B.减少一倍 C.不变 D.与 e R 无关 5.振荡器交流等效电路如右图所示,工作频率为10MHz ,则1C 和2C 为: A.8.5pF/12.7pF B.10.5pF/15.7pF C.6.8pF/13pF D.9.5pF/18.4pF 。 6.并联型晶体振荡器中,石英晶体在电路中起______元件作用。 A.热敏电阻 B.电容 C.电感 D.短路。 7.某非线性器件可用幂级数表示为230123i a a a a υυυ=+++,信号υ是频率150KHz 和200KHz 的两个余弦波,则下面_________频率分量不可能出现在电流i 中。 A.50KHz 、350KHz B.100KHz 、150KHz C.250KHz 、300KHz D.200KHz 、275KHz 。 8.某接收机中频频率为1465f KHz =,输入信号载频550C f KHz =,则镜像干扰频率2f 为 。 A.1565KHz B.1480KHz C.380KHz D.2580KHz 。 9.集成模拟乘法器是_______集成器件。 A.线性 B.非线性 C.功率 D.数字。 10.对于三点式振荡器,三极管各电极间接电抗元件X (电容或电感),C 、E 电极间接电抗元件X1,B 、E 电极间接X2,C 、B 电极间接X3,满足振荡的原则是 _。

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

高频电子线路(电子) 试卷 (期中)答案

高频电子线路(电子)试卷(期中) 一、填空题(共35分) 1.LC串联谐振回路中,当工作频率小于谐振频率时,回路呈容性,LC并联谐振回路中,当工作频率小于谐振频率时,回路呈感性(2分) 2. LC串联谐振回路中,当工作频率大于谐振频率时,回路呈感性,LC并联谐振回路中,当工作频率大于谐振频率时,回路呈容性。(2分) 3.衡量高频小信号放大器选择性的指标有矩形系数和抑制比。(2分) 4. 要观察调谐放大器的谐振曲线,需要的仪器是扫频仪。(1分) 5. 小信号调谐放大器的主要技术指标有增益、通频带、选择性、工作稳定性和噪声参数。(2分) 6. 单调谐放大器经过级联后电压增益增大、通频带变窄、选择性变好。(3分)7.丙类高频功率放大器空载时工作于临界状态,当加上10kΩ负载时,其电流 I c0和输出功率变化情况为I c0略有增大(基本不变),P o减小。(2分) 8. 发射机的中间级高频功率放大器,应工作于过压状态。因为过压状态输出电压平稳且弱过压时,效率最高。(2分) 9. 高频功率放大器的三种工作状态,分别为过压、临界、欠压。欲使功率放大器高效率地输出最大功率,应使放大器工作在临界状态;为了兼顾效率和功率,一般高频功率放大器的通角θ选为_700。(4分) 10. 发射机的末级高频功率放大器,应工作于临界状态,因为临界状态输出功率最大。(2分) 11. 丙类高频功率放大器原工作于临界状态,当其负载断开时,其电流I c0、I c1和功率变化情况为I c0减小,I cm1减小,P o减小。(3分)12.三端式振荡电路是LC正弦波振荡器的主要形式,可分为电容三端式和电感三端式两种基本类型。(2分) 13. 皮尔斯晶体振荡器中,石英晶体等效为电感元件。(1分)

通信电子线路期末考试复习

1、调频电路的两种方式是什么。 2、小信号谐振放大器的主要特点是什么?具有哪些功能。。 3、为了有效地实现基极调幅,调制器必须工作在什么状态,为了有效地实现集电极调幅, 调制器必须工作在什么状态。 4、调幅的原理和过程是什么? 5、高频小信号谐振放大器的常用的稳定方法有什么?引起其工作不稳定的主要原因是什 么?该放大器级数的增加,其增益和通频带将如何变化。 6、接收机分为两种各是什么。 7、扩展放大器通频带的方法有哪些。 8、在集成中频放大器中,常用的集中滤波器主要有什么? 9、丙类谐振功放有哪些状态,其性能可用哪些特性来描述。 10、调频电路有什么方式? 11、调制有哪些方式? 12、小信号谐振放大器的技术指标是什么? 13、某调幅广播电台的音频调制信号频率100Hz~8KHz ,则已调波的带宽会在8KHz之下 吗?为什么? 14、调幅电路、调频电路、检波电路和变频电路中哪个电路不属于频谱搬移电路? 15、串联型石英晶振中,石英谐振器相当于什么元件? 16、在大信号峰值包络检波器中,由于检波电容放电时间过长而引起的失真是哪种? 17、在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R的结果是? 18、在自激振荡电路中,下列哪种说法是正确的,为什么? LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波;石英晶体振荡器不能产生正弦波;电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大;电容三点式振荡器的振荡频率做不高 19、如图为某收音机的变频级,这是一个什么振荡电路? 20、功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等,其分类的标准是 什么? 21、若载波u(t)=Ucosωt,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt,则调频波的表达式为? 22、多级耦合的调谐放大器的通频带比组成它的单级单调谐放大器的通频带宽吗? 23.功率放大器是大信号放大器,在不失真的条件下能够得到足够大的输出功率。

电子技术期末考试试卷及答案

电子技术期末考试试卷及答案 课程 电子技术 授课教师 考试时刻 考试班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 总 分 得分 1、稳压管的稳压性能是利用PN 结的( )。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向击穿特性 2、电路如图1所示,A 点与B 点的电位差U AB 约等于( )。 A 、0.3V B 、-2.3V C 、1.3V 100k Ω 100k Ω 18k Ω 6k Ω 2AP 15 12V A B (图1) (图2) 3、工作在放大区的某三极管,假如当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β值约为( )。 A 、 83 B 、 91 C 、100 4、图2所示电路,已知晶体管β=60,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( )。 A 、480k Ω B 、120k Ω C 、240k Ω 5、固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q 如图3所示,当温度升高时,工作点Q 将( )。 A 、不改变 B 、向Q′移动 C 、向Q″移动 (图3) (图4) 6、集成运算放大器输入级选用差动放大电路的要紧缘故是( )。 A 、克服零漂 B 、提高输入电阻 C 、稳固输入 7、运算放大器电路如图4所示,R L 为负载电阻,则R F2引入的反馈为( )。 A 、串联电流负反馈 B 、并联电流负反馈 C 、串联电压负反馈 8、关于反馈对放大电路输入电阻Ri 的阻碍,正确的是( ) A 、负反馈增大Ri ,正反馈减小Ri B 、串联反馈增大Ri ,并联反馈减少Ri C 、串联负反馈增大Ri ,并联负反馈减少Ri 9、由开关组成的逻辑电路如图5所示,设开关A 、B 接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电 灯暗为“0”,则该电路表示的逻辑关系是( )。 A 、“与”门 B 、“或”门 C 、“非”门 (图5) (图6) 10、三位二进制译码器应有 个输入量,应有 个输出量( )。 A 、6 3 B 、8 3 C 、3 8 11、图6所示逻辑电路的逻辑式为( ) A.、F=C B A ++ B.、F=C B A C 、 F=ABC ++-∞R 2 R F 2R 1 R L R F1 i L u I ++C 2 C 1 R B R C u u i + - + - +12V

电子线路期末试卷及答案

(1)在半导体内部,只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。 (3)一般来说,硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量;直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中,若V G不变,只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为A v1、A v2,这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为A v,A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是( )。 A.少数载流子 B.多数载流子 C.既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为( )。 A.v o=i c R c B.v o=-R c i c C.v o=-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拔到( )。 A.R×100Ω或R×1000Ω挡 B.R×1Ω C.R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压时,则晶体二极管相当于()。 A.大电阻 B.断开的开关 C.接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将( )。 A.随I B增加而增加 B.随I B增加而减小 C.与I B无关,只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A.同相位 B.相位差90° C.相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管( )。 A.基极电流不变; B.集电极对发射极电压V CE下降; C.集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时,则晶体三极管的集电极电流将( )。 A.增大 B.反向 C.中断 (9)在基本放大电路中,基极电阻R B的作用是( )。 A.放大电流 B.调节偏置电流I BQ C.把放大了的电流转换成电压; D.防止输入信导被短路。 (10)三极管的两个PN结都反偏时,则三极管所处的状态是()。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三.填充题(2’×10) (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________,△I C/△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能,即:加____________________电压时PN结导通;加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为_________V,锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体,集电区是____________型半导体,基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________,并且出现__________________的现象,称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位V C≈V G,则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大,由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________,所以热稳定性____________三极管较好。

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档