当前位置:文档之家› 光电子能谱实验报告

光电子能谱实验报告

光电子能谱实验报告
光电子能谱实验报告

X光电子能谱

摘要:本实验用光电子能谱仪,利用AlKα线测量了薄膜的化学成分,得到薄膜的成分为SiO2。

引言:表面科学研究是材料科学研究中一个很重要的部分,尤其是现代材料中的微型材料、超薄材料、薄膜材料、材料的表面处理等等。光电子能谱实验方法是研究表面科学的一种有效方法,通过光电子能谱,可以了解材料的组分及其含量、分析薄膜的厚度等等。通过本实验,可以了解X光电子能谱(XPS)的测量原理、仪器工作的结构及应用,并能够初步掌握XPS实验方法及其图谱的分析。

实验原理:

一、光电子能谱

一定能量的电子、X光、紫外(UV)光等入射到样品上,将样品表面原子中的不同能级的电子激发成自由电子,这些电子带有样品表面的信息,具有特征能量,收集这些电子形成的能谱叫电子能谱,研究这类电子的能量分布即为电子能谱分析。其中,自由电子是由光子激发而产生的称为光电子能谱,常有的为X光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)。以收集到的光电子的强度为纵坐标、以结合能或者是光电子的动能为横坐标而形成的谱图称为光电子能谱图。

二、光电发射过程及能量关系

光子照到样品上,样品吸收一定能量的光子,电子发生越迁,能量比较高的电子脱离样品表面的物理过程称为光电效应,爱因斯坦最先对此进行了解释,并提出了光电效应方程。简单表示这个过程:

hν+M→M++e(E k) (1)其中hν为光子能量,M为样品,e为电子,E k为光电子动能。

图1:光电发射示意图

图1中,对于固体存在费米能级,费米能级与自由电子能级之差为固体功函数。电子从一个原子能级跃迁到自由电子能级所需的能量为结合能。

根据图1不难写出光电过程的能量关系即Einstein关系:

E k+E b=hν(未考虑功函数)(2)

对于固体,必须引入功函数的修正:

E b=hν-E k-EФ(3)其中:E b为结合能, EФ为固体功函数。

这样,对于样品为固体的实验,仪器与样品都将有功函数,从而有下列关系:

E b=hν-E,k-E,Ф(样品)

=hν-E k-EФ(仪器)(4)原子能级的结合能E b对于某种原子来说是特征的,因此可以通过测定的结合能来标识原子和能级。

三、化学位移

在谱图上,结合能可能产生位移,引起结合能产生位移的原因有两个,一种是物理位移,一种是化学位移。

物理位移:由于物理因素而引起的结合能位移为物理位移,如相变、固体热效应、荷电效应等。这种物理位移在谱图上对每种元素表现的行为是一致的,如发现某种元素的结合能向结合能高的地方移动,那么所有的元素的结合能都应该会向结合能高的位置移动,反过来,就可以通过结合能是否都向同一方向移动来判断结合能位移是否为物理位移。

化学位移:由于原子处于不同的化学环境而引起的结合能的位移为化学位移。简单的打个比方,如果一个原子失去电子,那么它的结合能就将增加,结合能就会向高的方向移动,而且我们还可以通过位移量的多少来判断这个原子是失去了几个电子,即可以通过这来判断元素的化合价。

四、俄歇峰

在光电子能谱图上,不可避免的会出现原子的俄歇峰。在原子跃迁过程中,外层电子向内层跃迁,一种是以光子的形式放出能量,一种就是激发另一电子使其成为自由电子,这就是俄歇电子,因此在光电子能谱图山会出现原子的俄歇峰,现在,对俄歇电子的研究已经发展成为了俄歇电子能谱(AES)学。那么,在光电子能谱图上怎么样区分一个峰是否为俄歇峰是我们进行实验分析的又一关键,实验中,我们通过改变光源看谱峰是否会发生移动来区分一个峰是否为俄歇峰,因为结合能是原子固有的,它不会因光源的改变而改变,变换光源,俄歇峰就会发生移动。关于俄歇过程这里就不详述了。

XPS仪器装置:

实验室XPS仪器主要分三个部分:进样室、处理室、分析测试室。在处理室,可以对样品表面进行氩离子清洗。XPS仪器装置方框图:

图2:XPS仪器方框图

本实验中,放好样品后其余的操作和设置都能在计算机上进行,大大方便了实验的进行以及最大程度的缩短了实验时间。结合目前国际上通用的XPS能谱元素分析表,可以很快

的在获得的光电子能谱图上表识元素、确定元素的化合价等。

实验过程及结果:

一、放置样品。做本实验时已经预先放好了样品,因为抽超高真空需要比较长的时间,因此,考虑到时间的关系就将此步省略了。

二、在计算机上进行实验参数等的设置。包括仪器功函数、X射线的选取(本次实验用的是AlKα线)等。

1、进行宽程扫描。扫描得到的谱图见附图(1)。进行谱图元素标识:

首先找到谱图上强度最高的那个峰,查表(最强的那个峰E b对应表中黑框圈着的能量E b)知道此峰为O1s5/2,从而样品内有O元素,然后对应表中O元素的其余能量,找出O 元素的其余各峰,直到找完表中O所应该有的所有峰为止,包括俄歇峰。然后看谱图中所剩下的峰,按照前面找O元素的所有的峰的方法标识各峰。标识完峰后的结果见附图(1)。

从图中可见样品中含有如下元素:Si、C、O。

2、为分析元素的化学态,对各元素最强的光电子峰C1s、O1s、Si2p附近进行了窄程扫描,窄程扫描为扫描5次取平均。利用C1s的谱峰对峰位进行校正,查表得到C1s的峰位284.8eV,将图谱上的峰位286.4eV移动1.6eV对应到表上位置,所用峰位均将同向移动1.6eV,得到的图谱见附图。

通过Center数据,查表得到了样品元素的化学态,此样品为Si,有少量的SiO2,使表面的Si氧化所致,C元素应该是污染元素,由于空气中的C会吸附到样品膜表面所致。一般C的吸附是不可避免的,所以在进行上面1中找谱峰时可以借此很快的确定出C的谱峰。另外,C虽然是污染元素,但我们看到,C1s可以用来进行峰位校正。

三、完成实验,整理实验室(取出样品等),此步由于还有后面的同学做实验,所以未进行。

简要回答问题:

1、比较XPS和AES原理和分析方法上主要的特征。

答:XPS是X光照到样品上,激发原子的电子形成自由电子;AES是电子束将原子低能级电子激发到较高能级,较高能级的电子向低能级跃迁放出的能量激发其它能级上的电子形成自由电子——俄歇电子。XPS可进行元素标识、定量分析、化合态分析和薄膜厚度分析等;AES电子束的光斑要比XPS小,可进行显微分析、元素定量分析、化学态分析和深度剖析。

2、在XPS实验中,怎样区分谱图上的光电子峰和俄歇峰。

答:通过改变X光源,观察谱峰是否移动,移动的为俄歇峰,不动的为光电子峰。

3、用AlKα(hν=1486.6eV)和MgKα(hν=1253.6eV)激发Cu2p的光电子的动能相同吗?

Cu2p3/2和Cu2p1/2的结合能分别约为933eV和953eV,请计算动能值。信号电子(动能大于200eV)的非弹性散射平均自由程λ满足公式λ=0.1*E k/[a(LnE k+b)](单位nm),其中E k为逸出光电子的动能(以eV伟单位),取常数a=10,b=-2.3。定义逸出深度d=3λ,请计算上述Cu2p光电子的逸出深度,并比较Cu2p信号逸出深度。

答:由E k+E b=hν,激发Cu2p,E b相同,而用AlKα和MgKα,hν不同,所以动能不同;

AlKα激发

对Cu2p3/2:E k=1486.6-933=553.6eV;λ=1.378;d=4.134

对Cu2p1/2:E k=1486.6-953=533.6eV;λ=1.341;d=4.023

MgKα激发

对Cu2p3/2:E k=1253.6-933=320.6eV;λ=0.924;d=2.772

对Cu2p1/2:E k=1253.6-953=300.6eV;λ=0.883;d=2.649

可见,用AlKα激发信号的逸出深度比用MgKα激发信号的逸出深度大。而且,Cu2p3/2

比 Cu2p1/2的信号逸出深度大。

4、为什么说XPS是一种表面分析方法?试再列举出2种表面分析方法,并作比较。

答:一般常规XPS得到的光电子的能量小于2000eV,在固体中的逃逸深度一般为3×0.5nm ——3×10nm,因此XPS只能分析样品表层,所以说它是一种表面分析方法。

其它表面分析方法:

离子谱(SIMS)分析法:灵敏度很高,能够对全元素进行分析,而XPS不能分析H、He

和同位素,但离子轰击对样品的破坏很大。

STM:灵敏对很高,与XPS相比,它能够得到样品的表面形貌、样品的I-V曲线等。5、解释XPS中的化学位移,如何测定样品的化学位移。

答:XPS中的化学位移是由于原子所处的化学环境的不同而引起的结合能的位移。因为结合能发生位移就会在XPS的谱图上表现出来,因此,可以通过测量结合能的位移量△Eb 来测定样品的化学位移,宽程扫描后进行窄程扫描,峰位校正后查表求得△Eb。

(完整版)X射线光电子能谱分析(XPS)

第18章X射线光电子能谱分析 18.1 引言 固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法,特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。目前常用的表面成分分析方法有:X射线光电子能谱(XPS), 俄歇电子能谱(AES),静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。AES 分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究,而XPS的应用面则广泛得多,更适合于化学领域的研究。SIMS和ISS由于定量效果较差,在常规表面分析中的应用相对较少。但近年随着飞行时间质谱(TOF-SIMS)的发展,使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。 X射线光电子能谱(XPS)也被称作化学分析用电子能谱(ESCA)。该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献,1981年,Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。三十多年的来,X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析,业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析,而扩展到现代迅猛发展的材料学科。目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%,是一种最主要的表面分析工具。 在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。在X射线源上,已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源;传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源;X射线的束斑直径也实现了微型化,最小的束斑直径已能达到6μm大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。图像XPS技术的发展,大大促进了XPS在新材料研究上的应用。在谱仪的能量分析检测器方面,也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器,使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。计算机系统的广泛采用,使得采样速度和谱图的解析能力也有了很大的提高。 由于XPS具有很高的表面灵敏度,适合于有关涉及到表面元素定性和定量分析方面的应用,同样也可以应用于元素化学价态的研究。此外,配合离子束剥离技术和变角XPS技术,还可以进行薄膜材料的深度分析和界面分析。因此,XPS 方法可广泛应用于化学化工,材料,机械,电子材料等领域。 18.2 方法原理 X射线光电子能谱基于光电离作用,当一束光子辐照到样品表面时,光子可以被样品中某一元素的原子轨道上的电子所吸收,使得该电子脱离原子核的束缚,以一定的动能从原子内部发射出来,变成自由的光电子,而原子本身则变成一个激发态的离子。在光电离过程中,固体物质的结合能可以用下面的方程表示: E k = hν- E b - φs (18.1)

红外报警实验报告

西安邮电大学 实验报告 课程名称:光电系统嵌入式开发与应用实验 院系名称:电子工程学院光电子技术系 学生姓名:郭欣(27) 专业名称:光电信息科学与工程 班级:光电1308 指导教师:余娟

时间:2015年月日至2015年月日实验三:红外报警系统 一、实验目的 1、了解发光二极管的具体应用; 2、练习自拟简单的光电系统试验; 3、了解主动式和被动式光电报警系统设计原理; 4、利用单片机进行数据采集与分析并进行声音和光报警。 二、实验器材 1、51开发板一套; 2、TSAL6200为红外发光二极管; 3、HS0038B红外一体化接收头。 三、实验原理 1、主动式红外报警

主动红外入侵报警器是由发射部分和接收部分组成,发射部分是由发光源、光源驱动组成;接收部分是由光电传感器、放大器、信号处理器等部分组成。 工作思路为:由接收部分中的红外光电传感器把光信号转换成电信号,经过电路处理后传给报是一种红外线光束遮挡型报警器,发射部分中的红外发光二极管在驱动的激发下,发出一束经过调制的红外光束(此光束的波长约在~微米之间),经过防范区到达接收部分,构成了一条警戒线。正常情况下,接收部分收到的是一个稳定的光信号,当有人入侵该警戒线时,红外光束被遮挡,接收部分收到的红外信号发生变化,提取这一变化,经放大和适当处理,控制器发出的报警信号。 2、应用器件介绍 发射部分和接收部分均采用单片机进行控制,红外发射和接收采用与红外遥控相同的红外发射接器件。发射部分主要器件为TSAL6200,接收部分主要器件为HS0038B。 (1)TSAL6200为红外发射二极管,波长为940nm。 (2)HS0038B为一红外一体化接收头,其内部接收红外信号频率为38kHz,周期约26μs,它同时对信号进行放大、检波、整形得到TTL 电平的编码信号,再送给单片机。管教图如下

射线光电子能谱分析

射线光电子能谱分析 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】

X射线光电子能谱分析 一、固体表面的分析 固体不同于气体、液体,不具有流动性,在一定应力的作用下也不会发生明显的形状改变。固体的表面也与液体表面不同,不存在理想的平滑表面。固体表面厚度定义为5倍于原子或分子的直径:对于原子结构的固体物质,铁、硅,表面约为1 nm;对于分子结构的固体物质,如聚合物,其表面是5倍单体的厚度,约为5~10 nm;实际测样中,有时指1个或几个原子层,有时指厚度达微米级的表层。 大多数固体表面,在组分上或结构上都是和体内不一样的。(1)组分不同。对很多合金,某些元素会在表面富集,称为表面偏析或分凝,掺杂生长的晶体也有这种现象。Cu-Ni合金中,在表面20个原子层中Cu的含量是体内的5倍。表面还可以吸附外界的原子,而这些外来原子与体内不同,不仅能在表面形成吸附层,还可以在表面生成化合物。(2)表面的排列与体内不同。晶体中的原子处于有规律的周期性排列状态,而在表面这种周期突然中断,表面出现重构和驰豫现象。重构指的是表面最外层原子的排列与体内不同。而驰豫指的是表面原子所处的力场与体内原子不同,因此表面原子会发生相对于正常位置的上移或下移,以此来降低体系能量的现象。晶体表面原子周期性的突然中断还会使表面出现各种缺陷,例如台阶、弯折、重位、凸沿等等,而这些缺陷往往是吸附活性点,对催化等非常重要。(3)表面的电子结构与体内原子结构不同。每个原子/离子在体内的都是有规律地排布,从空间上讲是电子处于一种平衡状态,而表面原子从空间分布上至少是缺一个方向的平衡(面、棱、角),电子云的分布也不相同。因此,表面的原子比体内原子活性更大。 由于表面和体内具有上述不同之点,使得表面许多物理、化学性质,如光学、电学、磁学、热学、机械、化学活动性等性质与体内不同。对于表面的这些性质的研究能揭露一些表面现象的本质。例如催化与表面吸附层和表面原子结构的关系等。其他还有表面钝化、活化、腐蚀、脆性、发光等现象,因此对“表面”的研究,不仅是一种基础理论工作,而且其潜在的实际应用价值也很大。 由于被分析的深度和侧向范围是如此浅薄和细微,被检测信号来自极小的采样体积,信息强度十分微弱,重复性差,对分析系统的灵敏度要求也很高。所以,直到六十年代前后,随着超高真空和电子技术的突破,才使表面分析技术迅速发展起来。

光电子能谱分析法基本原理

第十四章 X-射线光电子能谱法 14.1 引言 X-射线光电子谱仪(X-ray Photoelectron Spectroscopy,简称为XPS),经常又被称为化学分析用电子谱(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis,简称为ESCA),是一种最主要的表面分析工具。自19世纪60年代第一台商品化的仪器开始,已经成为许多材料实验室的必不可少的成熟的表征工具。XPS发展到今天,除了常规XPS外,还出现了包含有Mono XPS (Monochromated XPS, 单色化XPS,X射线源已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源), SAXPS ( Small Area XPS or Selected Area XPS, 小面积或选区XPS,X射线的束斑直径微型化到6μm) 和iXPS(imaging XPS, 成像XPS)的现代XPS。目前,世界首台能量分辨率优于1毫电子伏特的超高分辨光电子能谱仪(通常能量分辨率低于1毫电子伏特)在中日科学家的共同努力下已经研制成功,可以观察到化合物的超导电子态。现代XPS拓展了XPS的内容和应用。 XPS是当代谱学领域中最活跃的分支之一,它除了可以根据测得的电子结合能确定样品的化学成份外,XPS最重要的应用在于确定元素的化合状态。XPS可以分析导体、半导体甚至绝缘体表面的价态,这也是XPS的一大特色,是区别于其它表面分析方法的主要特点。此外,配合离子束剥离技术和变角XPS技术,还可以进行薄膜材料的深度分析和界面分析。XPS表面分析的优点和特点可以总结如下: ⑴固体样品用量小,不需要进行样品前处理,从而避免引入或丢失元素所造成的错误分析 ⑵表面灵敏度高,一般信息采样深度小于10nm ⑶分析速度快,可多元素同时测定 ⑷可以给出原子序数3-92的元素信息,以获得元素成分分析 ⑸可以给出元素化学态信息,进而可以分析出元素的化学态或官能团 ⑹样品不受导体、半导体、绝缘体的限制等 ⑺是非破坏性分析方法。结合离子溅射,可作深度剖析 目前,XPS主要用于金属、无机材料、催化剂、聚合物、涂层材料、纳米材料、矿石等各种材料的研究,以及腐蚀、摩擦、润滑、粘接、催化、包覆、氧化等过程的研究,也可以用于机械零件及电子元器件的失效分析,材料表面污染物分析等。 14.2 基本原理 XPS方法的理论基础是爱因斯坦光电定律。用一束具有一定能量的X射线照射固体样品,入射光子与样品相互作用,光子被吸收而将其能量转移给原子的某一壳层上被束缚的电子,此时电子把所得能量的一部分用来克服结合能和功函数,余下的能量作为它的动能而发射出来,成为光电子,这个过程就是光电效应。 该过程可用下式表示: hγ=E k+E b+E r(14.1) 式中: hγ:X光子的能量(h为普朗克常数,γ为光的频率);

光电子学实指导书

《光电子学》实验指导书 何宁编 桂林电子科技大学 2013年4月

前言 在现代通信系统中,利用光电子技术实现无线通信,保证通信的有效性是未来通信领域的一门新兴技术和发展方向。二十世纪下半叶,半导体的研究导出了微电子集成电路,同时也制造出了光电器件,它们对信息技术和计算机技术产生了极大的影响,由于微电子技术在向“微”方向的发展上不久将接近极限,而光电子技术还会继续向纵深发展,其应用面将会进一步扩大。 由于光通信具有波束隐蔽、接收天线小、通信速率高、抗电磁干扰和保密性强等优点,1960年激光出现以来,激光技术以其强大的生命力推动着光电子技术的发展,它在民用、医疗和军事方面都得到广泛应用,激光探潜、激光雷达、激光成像、激光测距、激光跟踪、激光制导等技术不断涌现,尤其近几年开展的大气光通信和水下光通信都有较好的实际应用,可以说二十一世纪是光电子技术的时代。 由于光电子技术是一门内容广泛的技术科学,而实验是课堂教学的延伸,通过基本实验可加深对课堂内容的理解,提高同学们的系统概念和实际操作能力,为日后工作和科学研究打下良好的基础。

光束调制 一、 实验目的 1、 理解电光转换的机理,了解内调制和外调制的实现方法。 2、 掌握光束的衍射角的定义和计算。 3、 熟悉常用电光器件和光测试设备的使用。 二、 实验内容及要求 1、 完成光束的直接光强度调制和声光调制。 2、 测试声光调制器的插入损耗和衍射角。 三、 实验原理及步骤 激光是一种光频电磁波,具有良好的相干性,并与无线电波相似。按其工作波长的不同可分为红激光(632nm )、绿激光(532nm )、蓝激光(473nm )三种,将信息加载于激光(载波)的过程称为调制,起控制作用的低频信息称为调制信号。 光波的电场强度为 )cos()(C C C A t E ?ω+= 应用某种物理方法改变光波的振幅(Ac )、频率(C ω)、相位(C ?)、强度和偏振等参量之一,使其按照调制信号的规律变化,那么激光束就受到了信号的调制。 根据调制器与激光器的关系,激光束调制的方法可分为内调制(直接调制)和外调制(间接调制)两种。内调制是指加载信号是在激光振荡过程中进行的,以调制信号改变激光器的振荡参数,从而改变激光器输出特性以实现调制,主要用于光通信的注入式半导体光源中。外调制是指激光形成后,在激光器的光路上放置调制器,用调制信号改变调制器的物理性能,当激光束通过调制器时,使光波的某个参量受到调制。 直接调制是把要传递的信息转变为电流信号注入半导体光源,从而获得调制光信号。根据调制信号的不同类型,直接调制可分为模拟调制和数字调制两种,它们都是对光源进行直接强度调制,调制后的输出光功率是随调制信号而变化的。 声光调制器是由声光介质、电-声换能器、吸声(或反射)装置及驱动电源等组成,声光调制是利用声光效应将信息加载于光频载波上的一种物理过程。当一束光通过变化的声场时,由于光和超声场的互作用,其出射光就具有随时间而变化的各级衍射光,衍射光的强度随超声波强度的变化而变化,调制信号是以电信号(幅度)形式作用于电-声换能器上,再转换为以电信号形式变化的超声场,当光波通过声光介质时,由于声光作用,使光载波受到调制而成为“携带”信息的强度调制波。声光调制器原理如图1,直接强度调制原理如图2, 开关K 是连续光和脉冲光的切换开关。

射线光电子能谱分析

X射线光电子能谱分析 一、固体表面的分析 固体不同于气体、液体,不具有流动性,在一定应力的作用下也不会发生明显的形状改变。固体的表面也与液体表面不同,不存在理想的平滑表面。固体表面厚度定义为5倍于原子或分子的直径:对于原子结构的固体物质,铁、硅,表面约为1 nm;对于分子结构的固体物质,如聚合物,其表面是5倍单体的厚度,约为5~10 nm;实际测样中,有时指1个或几个原子层,有时指厚度达微米级的表层。 大多数固体表面,在组分上或结构上都是和体内不一样的。(1)组分不同。对很多合金,某些元素会在表面富集,称为表面偏析或分凝,掺杂生长的晶体也有这种现象。Cu-Ni合金中,在表面20个原子层中Cu的含量是体内的5倍。表面还可以吸附外界的原子,而这些外来原子与体内不同,不仅能在表面形成吸附层,还可以在表面生成化合物。(2)表面的排列与体内不同。晶体中的原子处于有规律的周期性排列状态,而在表面这种周期突然中断,表面出现重构和驰豫现象。重构指的是表面最外层原子的排列与体内不同。而驰豫指的是表面原子所处的力场与体内原子不同,因此表面原子会发生相对于正常位置的上移或下移,以此来降低体系能量的现象。晶体表面原子周期性的突然中断还会使表面出现各种缺陷,例如台阶、弯折、重位、凸沿等等,而这些缺陷往往是吸附活性点,对催化等非常重要。(3)表面的电子结构与体内原子结构不同。每个原子/离子在体内的都是有规律地排布,从空间上讲是电子处于一种平衡状态,而表面原子从空间分布上至少是缺一个方向的平衡(面、棱、角),电子云的分布也不相同。因此,表面的原子比体内原子活性更大。 由于表面和体内具有上述不同之点,使得表面许多物理、化学性质,如光学、电学、磁学、热学、机械、化学活动性等性质与体内不同。对于表面的这些性质的研究能揭露一些表面现象的本质。例如催化与表面吸附层和表面原子结构的关系等。其他还有表面钝化、活化、腐蚀、脆性、发光等现象,因此对“表面”的研究,不仅是一种基础理论工作,而且其潜在的实际应用价值也很大。 由于被分析的深度和侧向范围是如此浅薄和细微,被检测信号来自极小的采样体积,信息强度十分微弱,重复性差,对分析系统的灵敏度要求也很高。所以,直到六十年代前后,随着超高真空和电子技术的突破,才使表面分析技术迅速发展起来。 用一束“粒子” 作为探针来探测样品表面,探针可以是电子、离子、光子、中性粒子、电场、磁场、热或声波,在探针作用下,从样品表面发射或散射粒子或波,它们可以是电子、离子、光子、中性粒子、电场、磁场、热或声波。检测

X射线光电子能谱仪

X射线光电子能谱分析 1 引言 固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法,特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。目前常用的表面成分分析方法有:X射线光电子能谱(XPS), 俄歇电子能谱(AES),静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。AES分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究,而XPS的应用面则广泛得多,更适合于化学领域的研究。SIMS和ISS由于定量效果较差,在常规表面分析中的应用相对较少。但近年随着飞行时间质谱(TOF-SIMS)的发展,使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。 X射线光电子能谱(XPS)也被称作化学分析用电子能谱(ESCA)。该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献,1981年,Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。三十多年的来,X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析,业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析,而扩展到现代迅猛发展的材料学科。目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%,是一种最主要的表面分析工具。 在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。在X射线源上,已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源;传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源;X射线的束斑直径也实现了微型化,最小的束斑直径已能达到6 m 大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。图像XPS技术的发展,大大促进了XPS在新材料研究上的应用。在谱仪的能量分析检测器方面,也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器,使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。计算机系统的广泛采用,使得采样速度和谱图的解析能力也有了很大的提高。 由于XPS具有很高的表面灵敏度,适合于有关涉及到表面元素定性和定量分析方面的应用,同样也可以应用于元素化学价态的研究。此外,配合离子束剥离技术和变角XPS技术,还可以进行薄膜材料的深度分析和界面分析。因此,XPS方法可广泛应用于化学化工,材料,机械,电子材料等领域。 2 方法原理 X射线光电子能谱基于光电离作用,当一束光子辐照到样品表面时,光子可以被样品中某一元素的原子轨道上的电子所吸收,使得该电子脱离原子核的束缚,以一定的动能从原子内部发射出来,变成自由的光电子,而原子本身则变成

实验一光敏电阻特性测量实验

光电子技术基础实验报告 实验题目光敏电阻特性测量实验日期2020.09.04 姓名组别04 班级18B 学号 【实验目的】 1、了解光敏电阻的工作原理和使用方法; 2、掌握光强与光敏电阻电流值关系测试方法; 3、掌握光敏电阻的光电特性及其测试方法; 4、掌握光敏电阻的伏安特性及其测试方法; 5、掌握光敏电阻的光谱响应特性及其测试方法; 6、掌握光敏电阻的时间响应特性及其测试方法。 【实验器材】 光电技术创新综合实验平台一台 特性测试实验模块一块 光源特性测试模块一块 连接导线若干 【实验原理】 光敏电阻在黑暗的室温条件下,由于热激发产生的载流子使它具有一定的电导,该电导称为暗电导,其倒数为暗电阻,一般的暗电导值都很小(或暗电阻阻值都很大)。当有光照射在光敏电阻上时,电导将变大,这时的电导称为光电导。电导随光照量变化越大的光敏电阻,其灵敏度就越高,这个特性就称为光敏电阻的光电特性,也可定义为光电流与照度的关系。 光敏电阻在弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性(线性和非线性),实际上,它的光电特性可用在“恒定电压”下流过光敏电阻的电流IP ,与作用到光敏电阻上的光照度 E 的关系曲线来描述,不同材料的光照特性是不同的,绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。光敏电阻的本质是电阻,因此它具有与普通电阻相似的伏安特性。在一定的光照下,加到光敏电阻两端的电压与流过光敏电阻的亮电流之间的关系称为光敏电阻的伏安特性。 光敏电阻的符号和连接

【实验注意事项】 1、打开电源之前,将“电源调节”处旋钮逆时针调至底端; 2、实验操作中不要带电插拔导线,应该在熟悉原理后,按照电路图连接,检查无误后,方可打开电源进行实验; 3、若照度计、电流表或电压表显示为“1_”时说明超出量程,选择合适的量程再测量; 4、严禁将任何电源对地短路。 5、仪器通电测试前,一定要找老师检查后方可通电测试。 【主要实验步骤】 基础实验: 组装好光源、遮光筒和光探结构件,如下图所示: 1、打开台体电源,调节照度计“调零”旋钮,至照度计显示为“000.0”为止。 2、特性测试模块的 0-12V(J5)和 GND 连接到台体的 0-30V 可调电源的 Vout+和 Vout- 上。 3、J5连接电流表+极,电流表-极连接光敏电阻套筒黄色插孔,光敏电阻套筒蓝色插孔连接J6,电压表+极连接光敏电阻套筒黄色插孔,电压表-极连接光敏电阻套筒蓝色插孔。光敏电阻红黑插座与照度计红黑插座相连。(RP1的值可根据器件特性自行选取) 4、将光源特性测试模块+5V,-5V和GND连接到台体的+5V,-5V和GND1上,航空插座FLED-IN与全彩灯光源套筒相连接。打开光源特性测试模块电源开关K101,将S601,S602, S603开关向下拨(OFF档),使光照强度为0,即照度计显示为0。 5、将S601,S602,S603开关向上拨(ON档),将可调电源电压调为5V,光源颜色选为白光,按“照度加”或“照度减”,测量照度为100Lx、150Lx、200Lx、250Lx、300Lx、350Lx、400Lx、450Lx、500Lx、550Lx、600Lx电压表对应的电压值U,电流表对应的电流值I,光敏电阻值 RL=U/I。且将实验数据记录于表1-1中: 6、改变电源供电偏压,分别记录电压为 7V 和 9V 时,不同光照度下对应的电流值,并分别记录于表 1-2 及表 1-3 中: 7、保持照度为 100Lx 不变,调节电源供电偏压,使供电偏压为 1V、2V、3V、4V、5V、 6V、7V、8V、9V、10V,分别记录对应的电流值,并记录表 1-4 中: 8、按“照度加”,调节使光照为 200Lx、400Lx,记录同一光照不同电压下对应的电流值,并分别记录表 1-5 至表 1-9 中: 9、使可调电源偏压调为 5V 分别测量不同颜色光在 200 Lx 光照强度下,光敏电阻的电流值,将各个光源 200 lx 照度下光敏电阻的电流值记录在表 1-10 中: 10、将S601,S602,S603开关向下拨(OFF档),将可调电源电压调为5V。将光源特性测试模块的J701与光源特性测试模块的J601,J602,J603插座相连接。观察光源特性测试模块的J701点波形和特性测试模块J6点波形,分析光敏电阻的时间响应特性。 11、将“电源调节”旋钮逆时针旋至不可调位置,关闭实验台电源。

材料现代分析与测试 第五章 光电子能谱分析

第五章光电子能谱分析 一、教学目的 理解掌握光电子能谱分析的基本原理,掌握光电子能谱实验技术,了解光电子能谱仪,了解俄歇电子能谱分析。 二、重点、难点 重点:光电子能谱分析原理、光电子能谱实验技术及应用。 难点:光电子能谱分析原理。 第一节概述 电子能谱是近十多年才发展起来的一种研究物质表面的性质和状态的新型物理方法。这里所谓的表面是指固体最外层的l~10个原子的表面层和吸附在它上面的原子、分子、离子或其他覆盖层,它的深度从小于1到几个nm,或者包括采取剥离技术将表面层沿纵向深度暴露出新的表面。用特殊的手段对这类表面进行分析已形成一门新兴的测试方法,即表面分析法,它在理论上和实际应用上都有广泛的研究领域。表面分析方法在无机非金属材料学科中的应用,例如:研究玻璃表面的刻蚀作用、水泥矿物硅酸钙的水化作用、陶瓷表面和界面、高温超导材料表面的作用等均有重要意义。 一、表面分析可以得到的信息 表面分析是借助于各种表面分析仪,对物体10 nrn以内的表面层进行分析,可得到的信息有: (1)物质表面层(包括吸附层)的化学成分,除氢元素以外的元素都可以从表面分析法获得定性和定量的结果,而X射线能谱分析一般只能分析到原子序数为11以上的元素(最好的仪器可以分析原子序数为4的Be元素)。定量分析也只能达到半定量程度。 (2)物质表面层元素所处的状态或与其他元素间的结合状态和结构,即元素所处的原子状态、价态、分子结构等信息。 (3)表面层物质的状态,如表面层的分子和吸附层分子状态、氧化态、腐蚀状态、表面反应生成物等。 (4)物质表面层的物理性质,这在一般表面分析中虽不是研究的主要内容,但可以得到与表面的元素、价态、结构等信息的关系。 在做表面分析工作时,不仅在制备样品时要求在高真空和超净条件下进行,而且在测试过程中也要注意仪器中的条件,以防止因污染而引起测试误差。 二、表面分析法的特点

LED灯泡设计与制作实验报告

西安邮电大学 专业课程设计报告书 系部名称: 学生姓名:) 专业名称: 班级: 实习时间:2013年6月3日至2013年6月14日

LED灯泡设计与制作实验报告 【一】项目需求分析 课程设计分为三个独立模块 一、Tracepro学习及操作,完成LED建模与仿真; 二、LED灯泡驱动电路反向设计(完成驱动的原理图设计和PCB版的生成及仿真); 三、LED球形灯泡焊接制作。 【二】实施方案及本人承担的工作 实施方案: 一、第一步骤是安装tracepro软件,并了解其页面基本情况。 第二步骤是熟悉光学仿真软件Tracepro,完成LED灯珠的光学仿真设计。 第三步骤是掌握LED灯珠设计,并了解实际操作过程原理以及LED二次光学设计基本原理。 二、通过分析现有LED驱动电路,对其进行反向设计,画出其驱动电路,并理解其实现原 理。完成LED驱动电路原理图,并仿真得出其结果 三、焊接完成一个LED灯泡,并能点亮。 本人承担的工作: 在本次专业课程设计中,我和我的搭档从一开始就认真对待。所以每一部分的完成都是我们共同努力的结果。从最开始的LED灯外形的绘制,LED灯珠的光学仿真设计,驱动电路的设计,LED驱动电路原理图,PCB原理图并仿真,我们俩都有完成各自的,在之后的交流和共同学习下完成最好的一份。LDE灯的焊接是我们两共同努力完成的。

【三】程序框图 【四】实验结果 首先我们利用Tracepro光学仿真软件制作出了灯罩的实体图以及LED灯珠仿真,并实现了其光学仿真;其次用Protel 99SE软件制作出了驱动电路原理图以并生成PCB板然后做了仿真;最后在了解了LED灯的工作原理,掌握了它的驱动电路之后,我们焊接了自己的LED灯,并使其点亮。

光电子技术实验报告

《光电子技术实验》实验报告 波分复用光纤传输系统 王浩然无112011011202

1实验目的 ?了解WDM的特性及其简单应用; ?掌握WDM的复用方法,实现单纤单向和单纤双向的双波长复用和解复用; ?观察菲涅尔反射现象,了解其在光纤传输中的影响。 2实验原理 波分复用技术是在单根光纤中传输多个波长光信号的一项技术。典型的波分复用的框图如下所示: 图1:波分复用系统框图 其基本原理是在发送端将不同波长的光信号组合在一起复用,并耦合到光纤线路中的同一根光纤中进行传输,在接收端又将组合波长的光信号解复用,并做进一步处理,恢复出原信号送入不同的终端。目前波长域的波分复用技术主要有三种:粗波分复用、密集波分复用和光频分复用。三者的区别是复用的信道的波长间隔不同。 3实验装置 波分复用实验的光端机为视频光发射机和视频光接收机。实验装置包括视频光发端机三台,视频光接收机三台,摄像头三台,监视器三台,视频电缆6跟,高隔离度的WDM2只,的隔离度的WDM2只,OADM1只,固定光衰减器若干,法兰盘若干,可调衰减器2只。 4实验步骤 1.搭建两种波长分别为1310nm和1550nm的点到点的光纤传输系统,测量两种系统的接收机灵敏度,计算等效传输距离。 2.按照如下框图搭建单纤单向传输的波分复用系统,观察监视器上的图像,测量两种波长系统的接收机灵敏度,计算等效传输距离。

图2:单纤单向传输波分复用系统 3.按下图搭建单纤双向传输的波分复用系统,观察监视器上的图像,测量两种波长系统的接收机灵敏度,计算等效传输距离。 图3:单纤双向波分复用系统 4.如下图所示,将发射端WDM的1310nm和1550nm的发送端接反,观察监视器上的图像。将接收端也接反,观察监视器上的图像变化。 图4:单纤单向发射端反接 5.单纤单向传输时,如下图所示,发射端用隔离度较低的WDM,观察监视器上的图像变化。如果接收端用隔离度较低的WDM光茶监视器上的图像变化。 图5:单纤单向发射端低隔离度WDM 图6:单纤单向接收端低隔离度WDM

光电二三极管特性测试实验报告

光敏二极管特性测试实验 一、实验目的 1.学习光电器件的光电特性、伏安特性的测试方法; 2.掌握光电器件的工作原理、适用范围和应用基础。 二、实验内容 1、光电二极管暗电流测试实验 2、光电二极管光电流测试实验 3、光电二极管伏安特性测试实验 4、光电二极管光电特性测试实验 5、光电二极管时间特性测试实验 6、光电二极管光谱特性测试实验 7、光电三极管光电流测试实验 8、光电三极管伏安特性测试实验 9、光电三极管光电特性测试实验 10、光电三极管时间特性测试实验 11、光电三极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电二三极管综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1个 4、电源线 1根 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1、概述

随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高,为此,近年来出现了许多性能优良的光伏检测器,如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)等。光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管,通常又称光敏二极管和三敏三极管。 光敏二极管的种类很多,就材料来分,有锗、硅制作的光敏二极管,也有III-V族化合物及其他化合物制作的二极管。从结构我来分,有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。从对光的响应来分,有用于紫外光、红外光等种类。不同种类的光敏二极管,具胡不同的光电特性和检测性能。例如,锗光敏二极管与硅光敏二极管相比,它在红外光区域有很大的灵敏度,如图所示。这是由于锗材料的禁带宽度较硅小,它的本征吸收限处于红外区域,因此在近红外光区域应用;再一方面,锗光敏二极管有较大的电流输出,但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流,因此,它的噪声较大。又如,PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。因此,在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。 光敏二极管和光电池一样,其基本结构也是一个PN结。与光电池相比,它的突出特点是结面积小,因此它的频率特性非常好。光生电动势与光电池相同,但输出电流普遍比光电池小,一般为数微安到数十微安。按材料分,光敏二极管有硅、砷化铅光敏二极管等许多种,由于硅材料的暗电流温度系数较小,工艺较成熟,因此在实验际中使用最为广泛。 光敏三极管与光敏二极管的工作原理基本相同,工作原理都是基于内光电效应,和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上,PN结参与了光电转换过程。 2、光电二三极管的工作原理 光生伏特效应:光生伏特效应是一种内光电效应。光生伏特效应是光照使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象。对于不均匀半导体,由于同质的半导体不同的掺杂形成的PN结、不同质的半导体组成的异质结或金属与半导体接触形成的肖特基势垒都存在内建电场,当光照射这种半导体时,由于半导体对光的吸收而产生了光生电子和空穴,它们在内建电场的作用下就会向相反的方向移动和聚集而产生电位差。这种现象是最重要的一类光生伏特效应。均匀半导体体内没有内建电场,当光照射时,因眼光生载流子浓度梯度不同而引起载流子的扩散运动,且电子和空穴的迁移率不相等,使两种载流

X射线光电子能谱的原理和应用

【转帖】X射线光电子能谱的原理及应用(XPS) 来源:转载网络作者: tof-sims (一)X光电子能谱分析的基本原理 X光电子能谱分析的基本原理:一定能量的X光照射到样品表面,和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用下式表示: hn=Ek+Eb+Er 其中: hn:X光子的能量;Ek:光电子的能量;Eb:电子的结合能;Er:原子的反冲能量。其中Er很小,可以忽略。 对于固体样品,计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子,而是选用费米能级,由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb,由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ,剩余的能量成为自由电子的动能Ek, 式(103)又可表示为:hn=Ek+Eb+Φ (10.4)Eb= hn- Ek-Φ (10.5) 仪器材料的功函数Φ是一个定值,约为4eV,入射X光子能量已知,这样,如果测出电子的动能Ek,便可得到固体样品电子的结合能。各种原子,分子的轨道电子结合能是一定的。因此,通过对样品产生的光子能量的测定,就可以了解样品中元素的组成。元素所处的化学环境不同,其结合能会有微小的差别,这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移,由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。例如某元素失去电子成为离子后,其结合能会增加,如果得到电子成为负离子,则结合能会降低。因此,利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。 (二)电子能谱法的特点 ( 1 )可以分析除H 和He 以外的所有元素;可以直接测定来自样品单个能级光电发射电子的能量分布,且直接得到电子能级结构的信息。 ( 2 )从能量范围看,如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”,那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。它提供有关化学键方面的信息,即直接测量价层电子及内层电子轨道能级。而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干扰少,元素定性的标识性强。 ( 3 )是一种无损分析。 ( 4 )是一种高灵敏超微量表面分析技术。分析所需试样约10 -8 g 即可,绝对灵敏度高达10 -18 g ,样品分析深度约2nm 。 (三) X 射线光电子能谱法的应用 ( 1 )元素定性分析 各种元素都有它的特征的电子结合能,因此在能谱图中就出现特征谱线,可以根据这些谱线在能谱图中的位置来鉴定周期表中除H 和He 以外的所有元素。通过对样品进行全扫描,在一次测定中就可以检出全部或大部分元素。

案例解析X射线光电子能谱(XPS)八大应用!

【干货】玩转XPS丨案例解析X射线光电子能谱(XPS)八大应用! 表面分析技术 (Surface Analysis)是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (<100nm))的研究的技术。 X射线光电子能谱简单介绍 XPS是由瑞典Uppsala大学的K. Siegbahn及其同事历经近20年的潜心研究于60年代中期研制开发出的一种新型表面分析仪器和方法。鉴于K. Siegbahn教授对发展XPS领域做出的重大贡献,他被授予1981年诺贝尔物理学奖。 X射线激发光电子的原理 XPS现象基于爱因斯坦于1905年揭示的光电效应,爱因斯坦由于这方面的工作被授予1921年诺贝尔物理学奖; X射线是由德国物理学家伦琴(Wilhelm Conrad R?ntgen,l845-1923)于1895年发现的,他由此获得了1901年首届诺贝尔物理学奖。

X射线光电子能谱(XPS ,全称为X-ray Photoelectron Spectroscopy)是一种基于光电效应的电子能谱,它是利用X射线光子激发出物质表面原子的内层电子,通过对这些电子进行能量分析而获得的一种能谱。 这种能谱最初是被用来进行化学分析,因此它还有一个名称,即化学分析电子能谱(ESCA,全称为Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)。XPS谱图分析中原子能级表示方法 XPS谱图分析中原子能级的表示用两个数字和一个小字母表示。例如:3d5/2(1)第一个数字3代表主量子数(n); (2)小写字母代表角量子数; (3)右下角的分数代表内量子数j

光电子技术实验报告

《光电子技术实验》实验报告 固体激光器的静态特性及调Q技术王浩然无112011011202

1实验目的 ?掌握固体激光器与调Q的工作原理; ?掌握固体激光器的调节方法,了解谐振腔参数及调节精度对激光器性能的影响; ?测量固体激光器的静态输出特性和调Q输出特性; ?掌握用于固体激光器调整和测量的仪器的使用方法。 2实验原理 2.1固体激光器的工作原理 固体激光器主要由激光工作物质、激励泵源、聚光器和光学谐振腔组成,其结构示意如下图所示: 图1:固体激光器结构 本次实验中的激光工作物质为钕玻璃,激活粒子为掺在玻璃中的钕离子,激光输出波长为1.06μm。 钕粒子产生受激辐射的原理如下图所示: 图2:钕粒子能级 钕粒子吸收光泵的能量由基态E1跃迁到E4能带,由于E4能带寿命很短,钕粒子很快以无辐射跃迁的形式跃迁到E3能级,E3是亚稳态能级,具有较长的能级寿命,钕粒子可以在该能级上积累起来,E3能级的钕粒子向E2能级跃迁,由E2能级返回基态,由于E2能级在热平衡

时基本处于空的状态,因此在光泵情况下,容易在E3能级和E2能级上实现集居数反转,实现受激辐射。 光在处于集居数反转的工作物质中传播时,用增益系数G来表示通过单位长度激活物质后增强的百分数。当光强较小时,增益系数与光强无关,称为小信号增益系数,用G0表示。与此同时,光在谐振腔中传播时,由于谐振腔反射镜的透射、吸收损耗、散射损耗等造成光在往返传播中不断衰减,用损耗系数α来表示,因此可以得出激光形成自激振荡的条件为 G0l≥αL 其中l为工作物质长度,L为谐振腔的长度。 2.2调Q原理 静态固体激光器输出能量分布在众多尖小的脉冲而限制了输出功率,采用调Q技术可以使激光能量集中在一个单脉冲中输出,大大提高固体激光器的输出功率的峰值。 调Q技术是采用调Q器件的饱和吸收特性实现的。调Q晶体是一种非线性吸收介质,其吸收系数A与入射光强I之间的关系可以表示为: A= A0 1+I/I s 易知当光强较弱时,调Q晶体对入射光有较强的吸收,随着入射光强增加,吸收系数减小。当光泵激励刚开始时,腔内光强很弱,调Q晶体的吸收很强,给激光器引入很大的损耗,激光不能产生。光泵继续激励时,使得工作物质内反转集居数不断积累,使腔内光强不断增强,从而使调Q晶体吸收减弱,阈值反转集居数下降,当粒子反转集居数大于阈值反转集居数时,受激辐射迅速增强,光强迅速增大,这又使阈值反转集居数不断下降,直至饱和。由于激光器粒子反转集居数大大超过阈值,手机辐射光强急剧增长。同时受激辐射不断消耗上能级的粒子,使得粒子反转集居数下降,当反转集居数小于阈值后,光强减小,反转集居数阈值增大,激光迅速熄灭。上述过程中,激光器输出一个很窄的巨脉冲。 调Q激光器的输出能量曲线如下图所示,随之输入能量的增加,输出能量阶梯状增长,阶梯高度近似相等,这是由于输入能量较大时,在调Q晶体输出第一个脉冲之后,光泵继续激励回事激光器输出第二个脉冲,以此类推。 图3:调Q激光器输出特性

X射线光电子能谱(XPS)谱图分析

一、X光电子能谱分析的基本原理 X光电子能谱分析的基本原理:一定能量的X光照射到样品表面,和待测物质 发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用 下式表示: hn=Ek+Eb+Er (1) 其中:hn:X光子的能量;Ek:光电子的能量;Eb:电子的结合能;Er:原子的 反冲能量。其中Er很小,可以忽略。 对于固体样品,计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子,而是选用费米 能级,由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb,由费米能级进入真 空成为自由电子所需的能量为功函数Φ,剩余的能量成为自由电子的动能Ek,式(1)又可表示为: hn=Ek+Eb+Φ(2) Eb=hn-Ek-Φ(3)仪器材料的功函数Φ是一个定值,约为 4 eV,入射X光子能量已知,这样, 如果测出电子的动能Ek,便可得到固体样品电子的结合能。各种原子,分子的 轨道电子结合能是一定的。因此,通过对样品产生的光子能量的测定,就可以 了解样品中元素的组成。元素所处的化学环境不同,其结合能会有微小的差别,这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移,由化学位移的大小 可以确定元素所处的状态。例如某元素失去电子成为离子后,其结合能会增加,如果得到电子成为负离子,则结合能会降低。因此,利用化学位移值可以分析 元素的化合价和存在形式。 二、电子能谱法的特点 (1)可以分析除H和He以外的所有元素;可以直接测定来自样品单个能级光电 发射电子的能量分布,且直接得到电子能级结构的信息。(2)从能量范围看,如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”,那么电子能谱提供的信息可称 作“原子指纹”。它提供有关化学键方面的信息,即直接测量价层电子及内层 电子轨道能级。而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干扰少,元素定 性的标识性强。 (3)是一种无损分析。 (4)是一种高灵敏超微量表面分析技术,分析所需试样约10-8g即可,绝对灵敏

光通信实验报告

光通信实验报告 实验一:测量光纤耦合效率 【实验简介】: 光线主要用于通信、光纤传感、图像传送以及光能传递等方面。由于光纤制造技术的不断进步,光线内部的损耗越来越小,因此在实际应用中提高光源与光纤之间的耦合效率是提高系统传输效率的重要技术之一。 【实验目的】: 1.了解光纤特性,种类 2.掌握光纤耦合的基本技巧及提高耦合效率的手段 3.熟悉常用的耦合方法 【实验装置示意图】: 【实验数据】: 光纤输出光功率:0.78mW 光纤输入光功率:1.9mW 耦合效率为:0.78/1.9*100%=41.1% 【实验思考总结】 耦合时,因为起始的光强较弱,用探测器检测效果不明显。可以先用目测法,观察输出光斑的亮度。等到达到一定的亮度之后,在接入探测器,观察示数。调节时,首先调节高度,然后调节俯仰角,最后在调节左右对准度与旋转方向。 实验二:测量光纤损耗 【实验目的】: 通过测量单模光纤的衰减值,了解测量光纤损耗的常用方法:插入法(实际测量中很多器件的插损、损耗都使用这种方法)。 【实验原理】: 光源发出的光通过光的注入系统输入到短光纤中,并通过光纤活动连接器与光功率计接通。首先测量短光纤的输出功率P1,然后通过光纤连接器接入被测光纤,测量长光纤的输出功率P2,则光纤的总损耗为

A=10lg P1 P2 (dB) 被测光纤的长度为L,则光纤的损耗系数为 α=A L (dB/km)【实验装置示意图】: 【实验数据】: 光纤长度L:6km 波长为1310nm的数据

实验三:测量光纤的数值孔径 【实验简介】: 光纤的数值孔径大小与纤芯折射率、纤芯-包层相对折射率差有关。光纤的数值孔径表示光纤接收入射光的能力。 【实验目的】: 了解测量数值孔径的方法,对远场法有初步了解。 【实验原理】: 远场强度有效数值孔径是通过光纤远场强度分布确定的,它定义为光纤远场辐射图上光强下降到最大值的5%处的半张角的正弦值。 【实验装置示意图】 【实验数据】 光功率最大值为162.5nW,下降到5%时对应的角度为8.5°和-8.3° 【数据处理】 光纤的数值孔径: =0.146 NA=sin8.5°??8.3° 2 实验四:测量光纤的模场直径和折射率分布曲线 【实验目的】: 1.通过近场法测量光纤的折射率分布曲线,对近场法有一定了解 2.通过近场法测量多单模光纤的模场直径,了解了解并掌握近场法测量多模光 纤模场直径的方法 【实验原理】 1.近场法是利用光纤输出端面上的光强度来测量光纤的部分几何参数的典型方

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档