电力电子器件总结：
名称优缺点应用
场合
电力二极管整流二极管优：结构简单、工作可靠
`
缺：不可控
整流，续
流，电压
隔离、钳
位或保护SBD(肖特基)
FRD（快恢复
SCR
晶闸管可控硅FST(快速)优：承受电压和电流容量在所有器件中最高
缺：半控
| TRIAC(双向)
RCT（逆向）
LTT（光控）
电力MOSFET（单极型）
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
金属-氧化物-半导体-场效应晶体管%
优：开关速度快（利用电场感应控制反型层导电
沟道，不存在正偏PN结所固有的载流子存储效
应），输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率
小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击
穿问题。
缺：电流容量小，耐压低。
一般只适
用于功率
不超过
10kW的
电力电子
装置
GTO(双极型)优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，
具有电导调制效应，其通流能力很强；
缺：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流
大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，
开关频率低兆瓦以上的大功率
…
GTR（双极型）电力二极管优：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力
强，饱和压降低；
缺：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率
大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
基本淘汰
IGBT（混合型）
《
绝缘栅门极晶体管（Insulated- Gate Bipolar Translator）
结合了GTR和MOSFET的优点优：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流
冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电
压驱动，驱动功率小
缺：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量
不及GTO
广泛应
用，指望
一统天下
（主要兆
瓦以下）
几种不可替代的场合：
FRD（Fast Recovery Diode）在中、高频整流和逆变；
SBD(Schottky Barrier Diode)在低压高频整流；（开关速度非常快，开关损耗也特别小，耐压比较低）
LTT(Light Triggered Thyristor)高电压大功率；（光触发保证住电路与控制电路之间的绝缘和电气隔离，可以避免电磁干扰的影响）
GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)兆瓦以上的大功率。