油气井酸化技术综述
曾业名1,刘俊邦2
(1.大庆油田采油七厂地质大队,大庆 163517;2.长庆局采油二处特修公司,庆城 74100)
摘 要 酸化是油井增产的一项重要措施,在油田得到了广泛的应用。本文综述了酸化的发展、历史、酸的处理方法、酸的类型及其化学反应,并结合油田目前常用的酸处理方法,详细介绍了压裂酸化原理及影响压裂酸化效果的主要因素。
关键词 油气井;酸化;增产措施;压裂酸化
1 酸化的发展历史
油气井的增产处理工艺中,酸化很早就开始使用了。诸如水力压裂等其他技术只有几十年的历史,而酸化作为一种油气井增产措施始于上世纪。
1.1 第一次酸化作业
第一次酸处理作业始于1895年,赫曼.佛拉施(Herm an Fr asch),当时俄亥俄州利马市标准石油公司太阳炼油厂的总化学师,采用盐酸进行了酸化作业处理,并获得了这项技术的发明专利。佛拉施的专利采用盐酸与石灰岩反应产生可溶性生成物——二氧化碳及氯化钙,它们可随井中油气排出地层。佛拉施的酸化工艺含有许多现代技术要素。当时一些实验井酸处理后,井泵抽达40天左右。油产量增加了300%,气产量增加了400%。继续采油期间,增产幅度一直保持稳定。此后两三年内,这项新技术得到多次应用,但由于某种原因,后来的三十年中其应用逐渐减少,这方面的历史记载亦无据可考。
1.2 早期的除垢处理
盐酸在油井处理中的另一重要应用是由海湾石油公司的一家分公司——吉普西石油公司在俄克拉荷马州进行的。当时吉普西公司面临的问题是,一些砂岩层油井的油管及设备发生钙质积垢。为了寻求除垢的有效方法,吉普西公司采用盐酸作除垢剂并获得了成功。
1.3 酸化新时代的开端
所谓酸化新时代是以1932年普尔石油公司与道化学公司之间的磋商为起点的。当时普尔公司在密执安拥有石油产权,并制定了该地区的有效开发方案。道公司物理研究实验室的负责人约翰.葛利伯(John Grebe)提出并赞同道公司用酸处理本公司一口井。实验井选定后,1932年2月,在该井中了进行酸化处理,这大概是缓蚀酸在石灰岩层的首次应用。处理前不出油的这口井后来产量达16桶/日。随后对其他井亦做了酸处理。
1.4 酸化作业公司的形成
酸化的技术经济影响迅速扩大,提供酸化服务的公司纷纷成立。道公司于1932年11月19日新成立一个专门经营这项业务的分公司,命名为道威尔公司。随后出现了一批专业公司。
1.5 早期砂岩酸化历史
盐酸与氢氟酸混合液的首次工业性应用是由道威尔公司于1940年着手进行的。当时所研制的这类产品称为土酸,其用途是溶解旋转钻井过程中以滤饼形式出现的钻井泥浆沉积物。第一次现场应用是在海湾沿岸进行的,这次成功使这项技术收到了更广泛的注意及应用。这种处理方法后经改进一直沿用至今。2 酸处理方法
由于酸能够溶解地层矿物及钻井或修井作业时漏入地层的泥浆等外来物质,所以被用于油气井增产措施。溶解上述物质所获得的增产程度取决于许多因素,其中包括选用的酸处理工艺。常用的酸化工艺可粗分为三大类:酸洗、基质酸化及压裂酸化。
2.1 酸洗
酸洗是一种清除井筒中的酸溶性结垢或疏通射孔孔眼的工艺。它是将少量酸定点注入预定井段,在无外力搅拌的情况下与结垢物或地层起作用。另外,也可通过正反循环使酸不断沿井眼或地层壁面流动。以此增大活性酸到井壁面的传递速度,加速溶解过程。
2.2 基质酸化
基质酸化是在低于岩石破裂压力下将酸注入地层孔隙(晶间,孔穴或裂缝)。基质酸化的目的是使酸大体沿径向渗入地层。一般是通过扩大孔隙空间,溶解空间内的颗粒堵塞物,以消除井筒附近地层渗透率降低的不良影响(污染),从而获得增产效果。由于页岩的易碎,或者为了保持天然液流边界以减少或防止水、气采出,而不能冒险进行压裂酸化时,一般最有效的增产措施就是基质酸化。成功的基质酸化作业往往能够在不增大水、气采出量的情况下提高产油量。2.3 压裂酸化
压裂酸化是用酸液作为压裂液实施不加支撑剂的一种工艺。如果处理后高导流的通道仍旧张开,则可达增产目的。通道是由酸对裂缝酸溶性壁面的酸蚀作用而形成的。施工后压力消失、裂缝闭合时,裂缝的溶蚀壁面若不粘合,裂缝便具有很高的导流能力。压裂酸化形成的传导性人工裂缝长度取决于酸反映速度与酸从裂缝到地层滤失速度的综合效果。传导性裂缝的长度是决定增产效果的一个要素。
2.4 其他应用
除上述应用外,酸还具有下列用途:
(1)用作压裂前置液,溶解射孔过程中形成的细粉粒,使压裂液能进入所有射孔孔眼。
(2)当乳化液对pH值下降很敏感,或因酸溶性细粉粒促使乳化稳定时,可用作破乳剂。
(3)压裂处理用的酸敏性胶质在施工后尚不破胶时,可用来破胶。
(4)用作水泥挤注前的预洗液。
3 酸的类型及其化学反应
目前常用的酸可分为无机酸,稀释有机酸,粉状有机酸,多组分(或混合)酸或缓速酸等类型。每类酸的常用品种如下:
(1)无机酸:盐酸,盐酸-氢氟酸(即土酸)
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(2)有机酸:甲酸,乙酸
(3)粉状酸:氨基磺酸,氯醋酸
(4)多组分酸:乙酸-盐酸混合酸,甲酸-盐酸混合酸,甲酸-氢氟酸
(5)缓速酸:稠化酸,化学缓速酸,乳化酸
4 压裂酸化原理
压裂酸化是石灰岩或白云岩层增产措施中应用最广的酸处理工艺。压裂酸化施工中,先以高于油藏基质允许限度的速度将前置液注入地层。这种快速挤注使井筒压力提高,直至克服地层压缩应力及岩石的抗张强度为止。在此压力下,岩石达到屈服点,开始形成裂缝。继续挤注使裂缝延伸和张开。然后将酸注入裂缝与岩石作用,在地层中形成纵深通道,油井恢复生产后裂缝仍能保持一定的开度。
无论是在近井污染带内形成通道,或改变储层中的流型都可获得增产效果。小酸量处理可消除井筒污染,排除井筒周围低渗透区的流阻,使油井恢复原来产量。压裂酸化处理获得的增产率受酸蚀造缝的两个参数控制:裂缝的长度以及裂缝的导流能力与地层渗透率之比。
4.1 裂缝的形状
在压裂酸化处理中,酸或酸的前置液以高于储层所能承受的排量从套管或油管中注入。使之在井筒中迅速建立压力,直至超过地层的压缩应力及岩石的抗张强度为止。在该压力下地层被屈服,开始形成裂缝。连续注液则使裂缝延伸。
裂缝沿造缝做功量最小的方向延伸。由于上覆地层的重力及构造运动产生的作用力影响,地下岩石承受多种压缩应力,故裂缝的延伸方向与最小主应力的轴向垂直。一般情况下,垂向应力一般大于水平应力,所以裂缝沿垂向延伸。但在浅井中,有时水平应力会大于垂直应力,裂缝也可能沿水平方向延伸。
4.2 酸的穿透距离
酸化时酸沿裂缝的穿入距离(即酸的穿透距离)是决定处理成败的变量之一。这个距离受酸的滤失特性,酸与地层岩石反应速度,酸沿裂缝的流速等因素控制。大多数碳酸盐岩的总反应速度主要受酸至裂缝壁面的传递速度控制。酸至裂缝壁面的传递速度又受控于算到达壁面所需移动的距离(即裂缝宽度),因地层滤失作用引起的酸向壁面的流速及裂缝中可能发生的混流现象等因素。
(1)酸滤失速度的影响
酸进入裂缝时与裂缝面反应,并破坏前置液中降滤失剂形成的滤饼。一旦出现这种情况,裂缝形状便主要受控于滤失特性。酸注入由粘性前置液形成的裂缝后所引起的裂缝形状变化难以精确预计出。但可以肯定,如果酸中不加入有效的降滤失剂,开始注酸后的滤失速度将超过单独挤注前置液的滤失速度,最后由于滤失速度的增加,裂缝可能开始闭合。
(2)裂缝宽度的影响
裂缝变宽往往会加大活酸沿裂缝的穿入距离(酸的穿透距离)。
(3)注酸速度的影响
改变注酸的速度将会影响压裂酸化的处理效果。酸的穿透距离往往随酸在裂缝中的流速加快而增长。
(4)温度的影响
由于酸与裂缝壁面上灰岩的反应速度很快,所以反应受到传质速度的限制,酸穿透距离基本上与温度无关。如果地层与酸的作用缓慢,酸液的穿透距离受温度的影响就较大。
(5)地层类型的影响
a.酸与白云岩比与石灰岩反应更为缓慢。
b.地层很少为纯石灰岩或纯白云岩。如果两种成分混合存在,则酸穿透距离计算值将介于两者之间。
c.如果碳酸盐岩层中含有砂质或与盐酸不起作用的其他成分时,应做岩芯实验,测出其有效表面动力参数。
d.盐酸对砂岩、燧石或其他硅质矿物基本没有什么作用。除非与碳酸盐岩成交互层,否则对这些地层进行压裂酸化一般收效甚微。
4.3 裂缝的导流能力
为了获得更好的效果,酸与裂缝壁面反应后必须形成施工后仍能张开的通道。由于酸与岩石表面反应不均匀,或与地层中分布不均匀的矿物发生选择性反应,结果便形成流道。裂缝的导流能力受岩石溶蚀量、岩石强度及闭合压力等因素的影响。
5 结论及认识
酸化技术是油气井增产的一项重要技术,对高效开采油田起到了积极的作用。压裂酸化技术近年来有了很大的发展,无论是理论研究还是现场应用,都逐步走向成熟,在国内油田的应用也越来越广泛。
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第一作者:曾业名,助理工程师,现在大庆油田工作,大庆采油七厂地质大队。地址:黑龙江省大庆市,邮编:163517
收稿日期:2005年4月12日
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2005年第6期 曾业名等 油气井酸化技术综述
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光刻工艺流程图 一前处理（OAP） 通常在150~200℃对基片进行烘考以去除表面水份，以增强光刻胶与硅片的粘附性。（亲水表面与光刻胶的粘附性差，SI的亲水性最小，其次SIO2，最后PSI玻璃和BSI玻璃） OAP的主要成分为六甲基二硅烷，在提升光刻胶的粘附性工艺中，它起到的作用不是增粘剂，而是改变SiO2的界面结构，变亲水表面为疏水表面。OAP通常采用蒸汽涂布的方式，简单评
价粘附性的好坏，可在前处理过的硅片上滴一滴水，通过测量水与硅片的接触角，角度越大， SI 二、匀胶 光刻胶通常采用旋涂方式，在硅片上得到一层厚度均匀的胶层。影响胶厚的最主要因素：光刻胶的粘度及旋转速度。次要因素：排风；回吸；胶泵压力；胶盘；温度。 胶厚的简单算法：光刻胶理论的最小胶厚的平方乘以理论的转速=目标光刻胶的胶厚的平方乘以目标转速 例如：光刻胶理论厚度1微米需要转速3000转/分，那需要光刻胶厚度1.15微米时转速应为 12 *3000/1.152 三、前烘 前烘的目的是为了驱除胶膜中残余的溶剂，消除胶膜的机械应力。前烘的作用： 1）增强胶层的沾附能力；2）在接触式曝光中可以提高胶层与掩模板接触时的耐磨性能；3）可以提高和稳定胶层的感光灵敏度。前烘是热处理过程，前烘通常的温度和时间： 烘箱90~115℃ 30分钟 热板90~120℃ 60~90秒 四、光刻 光刻胶经过前烘后，原来液态光刻胶在硅片表面上固化。光刻的目的就是将掩膜版上的图形转移到硅片上。曝光的设备分类接触式、接近式、投影式、步进式/扫描式、电子束曝光、软X射线曝光。 五、显影 经过显影，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域被溶解，正胶的非曝光区域和负胶的曝光区域被保留下来，从而完成图形的转移工作。正胶曝光区域经过曝光后，生成羧酸与碱性的显影液中和反应从而被溶解。负胶的曝光区域经过曝光后产生胶联现象，不被显影液溶解。而未曝光的区域则被显影液溶解掉。定影液的作用是漂洗显影过程中产生的碎片，挤出残余的显影液，另外还可以起到收缩图形，提高图形的质量。
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关键词：大数据信息资源管理与利用 目录 大数据概念.......................................................... 大数据定义...................................................... 大数据来源...................................................... 传统数据库和大数据的比较........................................ 大数据技术.......................................................... 大数据的存储与管理.............................................. 大数据隐私与安全................................................ 大数据在信息管理层面的应用.......................................... 大数据在宏观信息管理层面的应用.................................. 大数据在中观信息管理层面的应用.................................. 大数据在微观信息管理层面的应用.................................. 大数据背景下我国信息资源管理现状分析................................ 前言：大数据泛指大规模、超大规模的数据集，因可从中挖掘出有价值 的信息而倍受关注，但传统方法无法进行有效分析和处理.《华尔街日
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重点攻克分布式虚拟存储技术,大数据获取、存储、组织、分析与决策操作得可视化接口技术,大数据得网络传输与压缩技术,大数据隐 私保护技术等． 二、大数据预处理技术 主要完成对已接收数据得辨析、抽取、清洗等操作。1)抽取:因获取得数据可能具有多种结构与类型,数据抽取过程可以帮助我们将这些复杂得数据转化为单一得或者便于处理得构型,以达到快速分析处理得目得。2)清洗:对于大数据，并不全就是有价值得,有些数据并不就是我们所关心得内容,而另一些数据则就是完全错误得干扰项，因此要对数据通过过滤“去噪”从而提取出有效数据. 三、大数据存储及管理技术 大数据存储与管理要用存储器把采集到得数据存储起来,建立相 应得数据库,并进行管理与调用。重点解决复杂结构化、半结构化与非结构化大数据管理与处理技术。主要解决大数据得可存储、可表示、可处理、可靠性及有效传输等几个关键问题。开发可靠得分布式文件系统（DFS）、能效优化得存储、计算融入存储、大数据得去冗余及高效低成本得大数据存储技术；突破分布式非关系型大数据管理与处理技术，异构数据得数据融合技术,数据组织技术,研 究大数据建模技术;突破大数据索引技术;突破大数据移动、备份、复制等技术；开发大数据可视化技术. 开发新型数据库技术，数据库分为关系型数据库、非关系型数据库以及数据库缓存系统。其中，非关系型数据库主要指得就是NoSＱ
呼和浩特水处理设备项目可行性分析报告 规划设计/投资分析/产业运营
报告说明— 近年来，随着环境污染形势日益严峻，国家加快了大气污染防治、水污染治理、土壤污染修复等方面政策的出台，而更为严格的污染物排放和治理标准，为新增和升级改造现有的环保设备提供更为广阔的市场空间。数据显示，2017年全国环保装备制造业实现产值7440亿元，较2010年增长了近三倍，年复合增速保持在20%以上。预计到2020年全国环保装备制造业产值将超1.2万亿，超国家政策目标预期。 该水处理环保设备项目计划总投资10511.31万元，其中：固定资产投资9046.48万元，占项目总投资的86.06%；流动资金1464.83万元，占项目总投资的13.94%。 达产年营业收入11165.00万元，总成本费用8481.62万元，税金及附加182.56万元，利润总额2683.38万元，利税总额3236.06万元，税后净利润2012.54万元，达产年纳税总额1223.53万元；达产年投资利润率25.53%，投资利税率30.79%，投资回报率19.15%，全部投资回收期6.72年，提供就业职位193个。 党的“十八大”以来生态文明已经上升到国家战略层面，水处理行动近两年持续升温，2015年国务院出台了“水十条”，提出了水污染防治的工作目标;2016年国务院发布《关于进一步加强城市规划建设管理工作的若干意见》，强化城市污水治理，加快城市污水处理设施建设与改造，全面
加强配套管网建设，提高城市污水收集处理能力;2017《政府工作报告》中，再度强调重拳治理大气雾霾和水污染，全面推进城镇污水处理设施建设与 改造，加强农业面源污染和流域水环境综合治理，加大工业污染源治理力度，对排污企业全面实行在线监测。
压裂过程（原理）：注高粘液体（高压泵组），使V注入>V吸收，井底附近憋起高压，当注入压力大于破裂压力时，地层形成裂缝，之后注入带支撑剂的压裂液使裂缝延伸，填充支撑剂，最后注入顶替液 压裂机理：压裂增产机理，压裂造缝机理，裂缝监测与诊断 增产机理：降低渗流阻力；增加渗流面积 造缝机理的影响因素：1.井底附近的地应力及其分布； 2.岩石的力学性质及压裂液的渗滤性质 3.注入方式 总周向应力公式，总垂向应力公式记住 地应力对裂缝形态及方位的影响：裂缝总是垂直于最小主应力轴； 裂缝的形态也受到断层、褶皱和天然裂缝等因素的影响井壁上的应力：1.井筒对地应力及其分布的影响 2.井眼内压所引起的井壁应力 3.压裂液径向渗入底层所引起的井壁应力 推导垂直裂缝、水平裂缝的造缝条件 压裂液分类及作用：1.前置液：造缝，降温，裂缝延伸 2.携砂液：携砂，造缝，冷却地层 3.顶替液：将井筒中的携砂液顶替到地层中去 压裂液性能要求（性质）：滤失少，悬砂能力强，摩阻低，稳定性，配伍性，低残渣，易返 排，货源广 压裂液类型：1.水基压裂液2.油基压裂液3.酸基压裂液4.多相压裂液 压裂液成分：主剂：增稠剂，交联剂； 辅剂：添加剂（分类考小题）.. 滤失性：在裂缝与储层的压差作用下，压裂液向储层中的渗流 滤失性的影响因素：压裂液粘度；流体压缩性；造壁性 滤失系数C1、C2推导 支撑剂：储层形成裂缝之后，由携砂液输送、携带填充至裂缝中的具有一定强度与圆球度的固体颗粒 支撑剂的性能要求：粒径均匀；强度高；杂质含量少（一般用酸溶解度来衡量存在于压裂砂中的碳酸盐、长石、氧化铁含量）；砂子圆球度好；密度小；来源广，价廉 圆度：表示颗粒棱角的相对锐度 球度：指砂粒与球形相近的程度 支撑剂类型（力学性质）：脆性支撑剂：硬度大，变形小； 韧性支撑剂：变形大，承压面积随之增大，高压下不易破碎 导流能力（kb）f：裂缝闭合后支撑剂充填带对储层流体的通过能力； 裂缝扩展模型：PKN,KGD,平板模型P400 水力压裂优化设计内容：1.不同缝长风导流能力下的油、气日产量及总产量 2.确保上述缝长及导流能力的作业设计（压裂液用量、支撑剂用量、 加砂程序） 3.获得最高净现值条件下的缝长 麦克奎尔与西克拉曲线：P404图 指导意义：低渗层：以增大缝长为主 高渗透：先提高导流能力，再适当增大缝长 对于一定缝长，存在最佳裂缝导流能力
半导体光刻技术发展情况综述 2007-04-27 21:52 从第一个晶体管问世算起，半导体技术的发展已有多半个世纪了，现在它仍保持着强劲的发展态势，继续遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番，每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。现在片径已达300mm，DRAM半节距已达150nm，MPU栅长达100nm。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产，对半导体设备带来前所未有的挑战。为此，世界上各半导体设备厂商，集中优势力量，加大研发投资，进行攻关，抢占制高点，同时又加强联合、兼并，做到优势互补，力争不失时机地为新一代技术提供大生产设备。本文就当前最为关键的半导体设备做一介绍。 一、硅片直径300mm要适合多代技术的需求 经济利益的驱动是硅片直径由200mm向300mm转移的主要因素，300mm 的出片率是200mm的2.5倍，单位生产成本降低30%左右。300mm工厂投资为15到30亿美元，其中约75%用于设备投资，因此用户要求设备能向下延伸3至4代。300mm片径是从180nm技术节点切入的，这就要求设备在150 nm、130nm，甚至100nm仍可使用。 300mm要适合多代技术的需求，它面临IC生产中的新工艺、新材料和新结构的挑战。对逻辑IC来说，它涉及铜布线、低介电常数（k＜3）和超低介电常数（k＜2.6）介质，低电阻率接触材料，低电阻率栅材料，薄栅和高k介质，浅源/漏延伸区和抬高源/漏结构。对DRAM来说，它涉及储存电容的新材料，如五氧化二钽（Ta2o5）、钡锶钛（BST）和铂锆钛（PZT）等，新的电极材料如铂、氮化钛等，垂直叠层和高深/宽比沟槽电容，高深/宽比（＞10：1）接触等。此外，还有大面积刻蚀中的CD控制和选择性，反应室中的微粒控制和金属沾污，CMP 的质量与成本，193nm曝光的精度、均匀性和效率，高精度、高效率的检测等。 为了推进300mm的大生产，设备厂商在几年前就着手解决这方面问题，如Canon于1995年着手300mm曝光机，推出了EX3L和i5L步进机，于1997-1998年提供日本半导体超前边缘技术（SELETE）集团使用，ASML公司的300mm 步进扫描曝光机使用193nm波长，型号为FPA-5000，也于1999年提供给SELETE 使用。现在Canon的第三代300mm曝光机的混合匹配曝光能力已达到＜110nm。在刻蚀方面如英国Trikon公司采用的螺旋波等离子体（MORI）源，在电磁场作用下控制等离子体和改善均匀性，它能在300mm片内对氧化物介质均匀地刻25nm通孔，深/宽比达30：1。目前300mm片径生产180nm、150nm、130nm的IC设备都已进入生产线，100nm的也开始提供。 300mm生产有约500道工序，以年产12.5万片计算，片子约有500万次交接，任何一次失效，将对工厂流水生产带来极大影响。300mm片盒放25片重8公斤，价格15000美元，为减轻劳动、安全、无磨损、无沾污的传送，现在普遍采用正面打开的统一标准箱（FOUP），FOUP的传送采取计算机控制下的悬挂式空中传送（UMHS），它既节省了超净间面积，还可用于临时存放片子，具有可操作性和可变换性的特点。 西门子公司和Motorola公司于1998年率先在德国德勒斯登建立300mm引导线，使用180nm技术生产存储器，月产1500片。根据美国“固态杂志”今年5月
Computer Science and Application 计算机科学与应用, 2018, 8(10), 1503-1509 Published Online October 2018 in Hans. https://www.doczj.com/doc/4b6812105.html,/journal/csa https://https://www.doczj.com/doc/4b6812105.html,/10.12677/csa.2018.810163 Overview on Big Data Kaiyue Liu China University of Mining & Technology (Beijing), Beijing Received: Oct. 1st, 2018; accepted: Oct. 11th, 2018; published: Oct. 19th, 2018 Abstract As a current popular technical, big data has received wide attention from every industry. In order to further understand big data, this paper comprehensively describes big data from the six aspects: The basics of big data, the origin and development status of big data, big data processing, big data application, big data challenges and the future of big data. The basics of big data include the con-cepts and differences between big data and traditional databases, and the characteristics of big data. The big data processing includes generating and getting data, preprocessing data, data sto-rage, analyzing and mining data. This article is a systematic review of big data, and can establish a good knowledge system for scholars who are new to big data. Keywords Big Data, Data Storage, Data Mining, Data Visualization, Big Data Application 大数据综述 刘凯悦 中国矿业大学(北京)，北京 收稿日期：2018年10月1日；录用日期：2018年10月11日；发布日期：2018年10月19日 摘要 大数据作为当今的热点技术，受到了各行各业的广泛关注。为了进一步认识大数据，本文从大数据的基础、大数据的起源和发展现状、大数据的处理流程、大数据的应用、大数据面临的挑战、大数据未来展望六个方面对大数据进行了综合性描述。其中大数据基础包括大数据和传统数据库的概念和区别、大数据的特性，处理流程包括数据生成和获取、数据预处理、数据存储、数据分析挖掘。本文是大数据的系统性综述，可以对初次接触大数据的学者建立了良好的知识体系。
水处理职业剖析陈述 阐明：本陈述首要是建立在《**有限公司招股阐明书》和相关揭露材料的研讨与剖析的根底之上，缺少对该项目翔实的尽职查询。 1.职业概略 （一）、职业竞赛主体 水处理是经过物理、化学和生物等手法，调整水质，使水质合格，以满意出产和日子需求的全过程。水处理范畴触及的规划分为自来水的出产及供给，污水处理及其再生使用，其他水处理、使用与分配等三大类。 水处理环保职业界商场竞赛主体分为外资企业、国内传统企业及国内新式企业。方针企业即北京科净源科技股份有限公司（以下简称“科净源”）归于第三类主体——国内新式水处理环保企业。 外资企业在污水办理规划、水务职业办理经验、融资才能及办理方面具有显着优势，经过BOT 方式施行详细项目，进入壁垒程度较高，一般企业很难进入，如声威迪集团、法国苏伊士水务集团、英国泰晤士水务公司等世界水务公司，占有了我国水处理全体商场将近36.5%的比例。国内传统水处理环
保企业以传统工艺为主，方针商场为城市大中型污水处理，归于惯例设备制作企业，占有了我国水处理环保全体商场将近58.4%的比例。 国内新式水处理环保企业紧跟国家工业方针，着眼于国内循环水体系办理、水资源归纳办理等新式水处理环保商场，自主研制处理工艺及中心处理设备，占有了国商场将近5.1%的比例。 在新式水处理环保企业商场中，竞赛主体以科净源、多元举世水务公司（以下简称“多元举世水务”）、北京禹辉水处理技能有限公司（以下简称“北京禹辉”）、上海赛一环保设备有限公司（原上海益水环保设备有限公司，以下简称“上海赛一”）、成都富华水处理设备有限公司（以下简称“成都富华”）、北京碧水源科技股份有限公司（以下简称“北京碧水源”）、天津膜天膜科技有限公司（以下简称“天津膜天膜”）等新式水处理企业为代表。国内部分以供给大中规划的污水处理设备、环境水体办理设备和各类工业民用循环水处理设备以及污水处理工程承揽及施工为主业的较大规划企业也有参加，例如同方股份有限公司水务工程公司。
光刻技术及其应用的状况和未来发展 光刻技术及其应用的状况和未来发展1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，一方面在过去的几十年中发挥了重大作用；另一方面，随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等，寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样，上世纪基本上3～5年修正一次，而进入本世纪后，基本上每年都有修正和新的版本出现，这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。如图1所示，是基于2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案的预测。也正是基于这一点，新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开，大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此，正确把握光刻技术发展的主流十分重要，不仅可以节省时间和金钱，同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间，因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的纷争及其应用状况 众说周知，电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小"，这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率，即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度，以满足产业发展的需求；另一方面，光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响，这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下，具有较低的COO和COC。因此，光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中使用最多的技术，特别是前两种技术，在半导体工业的进步中，起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350～450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线，特别是波长为365nm的i线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等，可为0.35～0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障，在目前任何一家FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术至少50％的份额；同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面，有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等，如图2所示。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面，ASML以提供前工程的l:4步进扫描系统为主，分辨率覆盖0.5～0.25μm：NIKON以提供前工程的1：5步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率覆盖0.8～0.35μm和2～0.8μm；CANON以提供前工程的1：4步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率也覆盖0.8～0.35μm和1～0.8μm；ULTRATECH以提供低端前工程的1：5步进重复系统和特殊用途(先进封装／MEMS／，薄膜磁头等等)的1：1步进重复系统为主；而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l：1接触／接近式系统和特殊用途(先进封装／MEMS／HDI等等)的1：1接触／接近式系为主。另外，在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARACK和EV Group等。 深紫外技术
水处理行业市场分析调研报告完整版 水处理行业市场分析调 研报告 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】 一、行业概况 （一）、行业竞争主体 水处理是通过物理、化学和生物等手段，调整水质，使水质达标，以满足生产和生活需要的全过程。水处理领域涉及的范围分为自来水的生产及供应，污水处理及其再生利用，其他水处理、利用与分配等三大类。 水处理环保行业内市场竞争主体分为外资企业、国内传统企业及国内新型企业。目标企业即北京科净源科技股份有限公司（以下简称“科净源”）属于第三类主体——国内新型水处理环保企业。 外资企业在污水治理规模、水务行业管理经验、融资能力及管理方面具有明显优势，通过BOT 形式实施具体项目，进入壁垒程度较高，一般企业很难进入，如威望迪集团、法国苏伊士水务集团、英国泰晤士水务公司等国际水务公司，占据了我国水处理总体市场将近%的份额。国内传统水处理环保企业以传统工艺为主，目标市场为城市大中型污水处理，属于常规设备制造企业，占据了我国水处理环保总体市场将近%的份额。 国内新型水处理环保企业紧跟国家产业政策，着眼于国内循环水系统治理、水资源综合治理等新兴水处理环保市场，自主研发处理工艺及核心处理设备，占据了国市场将近%的份额。 在新型水处理环保企业市场中，竞争主体以科净源、多元环球水务公司（以下简称“多元环球水务”）、北京禹辉水处理技术有限公司（以下简称“北京禹辉”）、上海赛一环保设备有限公司（原上海益水环保设备有限公司，以下简称“上海赛 一”）、成都富华水处理设备有限公司（以下简称“成都富华”）、北京碧水源科技股份有限公司（以下简称“北京碧水源”）、天津膜天膜科技有限公司（以下简称“天津膜天膜”）等新型水处理企业为代表。国内部分以提供大中规模的污水处理设备、环境水体治理设备和
水处理行业分析报告 WORD文档，可编辑修改】【最新资料，
一、行业概况 （一）、行业竞争主体 水处理是通过物理、化学和生物等手段，调整水质，使水质达标，以满足生产和生活需要的全过程。水处理领域涉及的范围分为自来水的生产及供应，污水处理及其再生利用，其他水处理、利用与分配等三大类。 水处理环保行业内市场竞争主体分为外资企业、国内传统企业及国内新型企业。目标企 业即北京科净源科技股份有限公司（以下简称“科净源”）属于第三类主体——国内新型水处理环保企业。 外资企业在污水治理规模、水务行业管理经验、融资能力及管理方面具有明显优势，通过BOT 形式实施具体项目，进入壁垒程度较高，一般企业很难进入，如威望迪集团、法国苏伊士水务集团、英国泰晤士水务公司等国际水务公司，占据了我国水处理总体市场将近36.5%的份额。国内传统水处理环保企业以传统工艺为主，目标市场为城市大中型污水处理，属于常规设备制造企业，占据了我国水处理环保总体市场将近58.4%的份额。 国内新型水处理环保企业紧跟国家产业政策，着眼于国内循环水系统治理、水资源综合治理等新兴水处理环保市场，自主研发处理工艺及核心处理设备，占据了国市场将近5.1%的份额。 在新型水处理环保企业市场中，竞争主体以科净源、多元环球水务公司（以下简称“多元环球水务”）、北京禹辉水处理技术有限公司（以下简称“北京禹辉”）、上海赛一环保设备有限公司（原上海益水环保设备有限公司，以下简称“上海赛一”）、成都富华水处理设备有限公司（以下简称“成都富华”）、北京碧水源科技股份有限公司（以下简称“北京碧水源”）、天津膜天膜科技有限公司（以下简称“天津膜天膜”）等新型水处理企业为代表。国内部分以提供大中规模的污水处理设备、环境水体治理设备和各类工业民用循环水处理设备以及污水处理工程承包及施工为主业的较大规模企业也有参与，例如同方股份有限公司水务工程公司。值得关注的是，以上三类企业在市场竞争的重叠程度不高，各自专注的领域有较大差异，水处理市场整体空间很大，为新型水处理环保企业留下了广阔的发展空间。 （二）、行业发展 据《中国经济报告》课题组水资源利用产业研究部统计，2008 年我国水处理环保行业市场规模达到1,000 亿元，其中循环水系统治理行业为77 亿元，水资源综合治理行业为453.4 亿元，主要是由自来水供应、海水淡化、特种工业污水处理469.6 亿元，其余部分总计达到． 及其他水处理行业构成。《中国经济报告》课题组水资源利用产业研究部对未来几年的市场规模进行了粗略估算，预计2009 年循环水系统治理和水资源综合治理市场规模可达617.4 亿元，到2013 年则增长至1,133.4 亿元。 市场规模的快速增长是双重需求因素拉动的必然结果：一是国家政策控制下的刚性需求，主要表现在国家鼓励推动水污染治理、推动节能减排实施、重视水资源循环利用、解决缺水地区饮水问题等政策引致的需求；二是经济发展、人民生活水平提高产生的内在需求，主要表现在城市改造升级、房地产开发中的中高档社
光刻技术及其应用的现状与展望
1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，一方面在过去的几十年中发挥了重大作用；另一方面，随着光刻技术在应用术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等，寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样，上世纪基本上3～5年修正一次，而进入本世纪后，基本上每年都有修正和新的版本出现，这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案进行预测。也正是基于这一点，新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开，大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此，正确把握光刻技术发展的主流十分重要，不仅可以节省时间和金钱，同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间，因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的现状及其应用状况
众说周知，电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是“轻、薄、短、小”，这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率，即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度，以满足产业发展的需求；另一方面，光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响，这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下，具有较低的COO和COC。因此，光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中使用最多的技术，特别是前两种技术，在半导体工业的进步中，起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350～450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线，特别是波长为365nm的i线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等，可为0.35～0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障，在目前任何一家FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术至少50％的份额；同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面，有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面，ASML以提供前工
微电子封装技术综述论文 摘要：我国正处在微电子工业蓬勃发展的时代，对微电子系统封装材料及封装技术的研究也方兴未艾。本文主要介绍了微电子封装技术的发展过程和趋势，同时介绍了不同种类的封装技术，也做了对微电子封装技术发展前景的展望和构想。 关键字：微电子封装封装技术发展趋势展望 一封装技术的发展过程 近四十年中，封装技术日新月异，先后经历了3次重大技术发展。 IC封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式TH 和表面安装式SM，或按引线在封装上的具体排列分为成列四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程可分为3个阶段： 第1阶段，上世纪70年代以插装型封装为主。70年代末期发展起来的双列直插封装技术DIP，可应用于模塑料，模压陶瓷和层压陶瓷封装技术中，可以用于IO数从8~64的器件。这类封装所使用的印刷线路板PWB成本很高，与DIP相比，面阵列封装，如针栅阵列PGA，可以增加TH类封装的引线数，同时显著减小PWB的面积。PGA系列可以应用于层压的塑料和陶瓷两类技术，其引线可超过1000。值得注意的是DIP和PGA等TH封装由于引线节距的限制无法实现高密度封装。 第2阶段，上世纪80年代早期引入了表面安装焊接技术，SM封装，比较成熟的类型有模塑封装的小外形，SO和PLCC型封装，模压陶瓷中的CERQUAD层压陶瓷中的无引线式载体LLCC和有引线片式载体LDCC，PLCC，CERQUAD，LLCC和LDCC都是四周排列类封装。其引线排列在封装的所有四边，由于保持所有引线共面性难度的限制PLCC的最大等效引脚数为124。为满足更多引出端数和更高密度的需求，出现了一种新的封装系列，即封装四边都带翼型引线的四边引线扁平封装QFP 与DIP，相比QFP的封装尺寸大大减小且QFP具有操作方便，可靠性高，适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，封装外形尺寸小，寄生参数减小适合高频应用。Intel公司的CPU，如Intel80386就采用的PQFP。 第3阶段，上世纪90年代，随着集成技术的进步，设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI，VLSI，ULSI相继出现，对集成电路封装要求更加严格，IO引脚数急剧增加，功耗也随之增大。因此，集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展，出现了球栅阵列封装BGA，并很快成为主流产品。90年代后期，新的封装形式不断涌现并获得应用，相继又开发出了各种封装体积更小的芯片尺寸封装CSP。与时，多芯片组件MCM发展迅速，MCM是将多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同类型的布线基板上，经过整体封装而构成的具有多芯片的电子组件。封装技术的发展越来越趋向于小型化，低功耗，高密度，典型的主流技术就是BGA技术和CSP技术。BGA技术有很多种形式如陶瓷封装BGA，CBGA塑料封装，BGA PBGA以及Micro BGA。BGA与PQFP相比，BGA引线短，因此热噪声和热阻抗很小，散热好。耦合的电噪声小，同时BGA封装面积更小，引脚数量更多，且BGA封装更适于大规模组装生产，组装生产合格率大大提高。随着对高IO引出端数和高性能封装需求的增长，工业上已经转向用BGA球栅阵列封装代替QFP。 随着封装技术的发展及进步，我国科研院所从事电子封装技术研究是与电子元器件的研制同时起步的，随着电子元器件技术的发展，电子封装技术同步发展。特别是集成电路技术的发展，促进了电子封装技术日新月异的变化。目前，全国从事封装技术研究的科研院所有33家，其中信息产业部系统16家，其他系统17家。从事封装研究的从业人员1890余人，其中技术人员900余人，主要从事：陶瓷外壳封装、塑料外壳封装、金属外壳封装、金属-