判断题
1、在N型半导体中如果掺有足够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√ ).
2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（×）。
3、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）
4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。（√）
5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作（√）
6、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用（√）
7、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√）
8、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放大直流信号。（×）
9、运放的输入失调电压U IO是两输入电压之差（×）
10、运放的输入失调电流I IO是两输入端电流之差（×）
11、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈（×）
12、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲基本相同（√）
13、运算放大电路一般均引入负反馈（√）
14、在集成运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地（×）。
15、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波震荡（×）
16、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（×）
17、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大（×）
18、功放电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率（√）。
19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。
20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出平均电压变为原来的一半（×）。
二、填空题
1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成形成P型半导体。
2、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12uA增大到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为 100 。
3、要求输入电阻1K至2K电压放大倍数大于3000，第一级采用共射放大电路，第二级采用共射放大电路
4、为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。
5为了稳定放大电路的输出电流，应引入电流负反馈。
6、反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
7、同相比例运算电路可实现Au＞1的放大器。
8、LC并联网络在谐振时呈阻性，在信号频率大于谐振频率时呈容性，在信号频率小于谐振频率时呈感性。
三、选择题
1、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A变窄 B基本不变 C变宽
2、当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为 B
A前者反偏，后者也反偏 B前者正偏，后者反偏 C前者正偏，后者也正偏
3、Ugs=0时，能够工作在恒流区的场效应管有 A C
A结型管 B增强型MOS管 C耗尽型MOS管
4、集成运放采用直接耦合方式的原因是 C
A便于设计 B放大交流信号 C不易制作大容量电容
5、互补输出级采用共集形式是为了 C
A电压放大倍数的数值大 B最大不失真输出电压 C带负载能力强
6、对于放大电路，所谓开环是指 B
A无信号源 B无反馈通路 C无电源D无负载
7、交流负反馈是指 C
A阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B只有交流信号时才有的负反馈
C在交流通路中的负反馈
8、功放电路与电压放大电路的区别是 B C
A前者比后者电流放大倍数大
B前者比后者效率高
C在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
9、整流的目的是 A
A将交流变为直流 B将高频变为低频 C将正弦波变为方波
10、直流稳压电路中滤波电路的目的是 C
A将交流变为直流 B将高频变为低频 C将交、直流混合量中的交流成分滤掉
四、问答题
1、晶体管在三个电极上能够产生电流的工作原理是什么？
答：晶体管的发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流I E，扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流I B，集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流I C，外部满足
I E=I C+I B
2、共射、共集、共基电路是对什么信号的通路而言？
答：共射、共集和共基电路时对于交流信号的交流通路而言的。
3、分析多级放大器的输入电阻，输出电阻只需要分析第一级电路，最后一极电路，无
需分析中间级电路？
答：不正确，对于共集放大电路作为输入级时，它的输入电阻与其负载，即第二级的输入电阻有关，而当共集放大电路作为输出级时，它的输出电阻与其信号源内阻，即倒数第二级的输出电阻有关。
五、计算题
1用PNP型晶体管组成一个基本共射放大电路。
直接耦合共射放大电路
2、图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。
答：输入为ui ，输出为uo1时，电路为共射放大电路；输入为ui ，输出为uo2时，电路为共集放大电路。共射电路有可能使得Q 点稳定。
静态工作点：
e
b BEQ CC BQ R R U V I )1(β++-=，BQ CQ I I β=，
)(e b CQ CC CEQ R R I V U +-≈
画出交流通路，根据共射电路的等效电路：
]//)1(//[1b e be b i R R r R R β++=
C o R R =1
画出交流通路，根据共集电路的等效电路：
])1(//[2e be b i R r R R β++=
β+=1//2be e o r R R
4、基本共源放大电路的静态、动态分析
静态分析：
GG GSQ V U =，2)
()1(-=th GS GG DO DQ U V
I I
d DQ DD DSQ R I V U -=
画出交流通路，根据共源电路的等效电路：
d m u R g A -=，∞=i R ，d o R R =
5、多级放大电路的动态分析
e
be c 1)1( R r R A u ββ++-= e
be e 2)1()1(R r R A u ββ+++=
由交流等效电路得： 25226//[(1)//]i be L R R r R R β=++
13211(//)i u be R R A r β=-，262226(1)(//)(1)(//)
L u be L R R A r R R ββ+=++，则12u u u A A A = 121////i be R R R r =，23562////
1be o r R R R R β+=+
6、求差分电路的共模抑制比
画出等效电路，则差模放大倍数为：
(//)12c L d b be
R R A R r β=-+ 共模放大倍数为：
(//)2(1)c L c b be e
R R A R r R ββ=-+++ 则共模抑制比为： 2(1)2()d b be e CMR c b be A R r R K A R r β+++=
=+ 7、求解在深度负反馈条件下电路的电压放大倍数
电路引入电流串联负反馈
1o uf L
i u A R u F =≈ 31123
f
O u R R F I R R R ==++ 则12313
1o uf L L i u R R R A R R u F R R ++=≈=
8 分析运算电路的结果
当12345////////f R R R R R R =时，
利用叠加定理可知：
u I1单独作用时：11f O I R u u R =- u I2单独作用时：22f
O I R u u R =-
u I3单独作用时：33
f O I R u u R = u I1单独作用时：44f
O I R u u R =
则总的输出电压为：34123412(
)I I I I O f u u u u u R R R R R =+-- 9、分析电压传输特性
10、求解输出功率和效率
11 整流电路如图所示，分别求解下列两种情况下输出电压的波形和平均值、整流二极管的最大整流电流和最高反向工作电压。
变压器副边电压有效值U21＝U22＝20V；
（注：可编辑下载，若有不当之处，请指正，谢谢!）
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80 V 则差模输入电压u Id = 20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1 120k ， R B2 39k ，R C 3.9k ，R E 2.1k ，R L 3.9k ，r bb’ ，电流放大系数 50， 电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在 RC f f π210= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
一. 填空题 1、继电保护装置必须满足选择性、（快速性）、灵敏性和（可靠性）四个基本要求。 2、安全工作规程是中规定：设备对地电压高于（250V ）为高电压；在250V 以下为低电压；安全电压为36V以下；安全电流为（10mA ）以下。 3、软件测试时需要三类信息：软件配置、（测试配置）、（测试工具）。 4、存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为（12 ）条、数据线为（8 ）条。 5、产品质量特性包括：性能、（寿命）、可信性、（安全性）和经济性。 6、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 7、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 8、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开。 9、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 10、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 11、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 12、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 13、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 14、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F）。 15、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH –fL），（1+AF）称为反馈深度。 16、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 一、 填空（16分） 1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√，错误的画× （1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。 （ × ） （2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。 （ × ） （3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为01 2f RC π=的信号，反馈信 号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。 （ × ） 第 1 页 （共 8 页） C C R R + + + +R R 3 4 o U ?f U ?t 图1 试 题： 班号： 姓名： 二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300?。回答下列各问： （1） 请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基） （2） 计算放大电路的静态工作点。 （3） 画出微变等效电路。 （4） 计算该放大电路的动态参数：u A ，R i 和R o （5） 若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。 图2 答：（1）是共射组态基本放大电路 （1分） （2）静态工作点Q ： Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ， （2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分） （3）微变等效电路 o （4分） （4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 （2分） Ri=R b //r be ≈1.33K ?; （2分） Ro ≈Rc=2K ? （2分） （5）是饱和失真，应增大R b （1分） 《模拟电子技术》期末考试试卷 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有 （）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与 （）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直 线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结 （）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降 （）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、 （）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈， 为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反 馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（） 信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（） 类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电 阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其 两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三 个电极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、 （PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（） 偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（） 倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分） 2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分） (10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深， 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流： 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电， N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路： 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放， 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 2、稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 7、选用差分放大电路的原因是。 A.克服温漂 B.提高输入电阻 C.稳定放大倍数 8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。 A.差 B.和 C.平均值 9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 11、交流负反馈是指。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中的负反馈 12、功率放大电路的转换效率是指。 A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 13、整流的目的是。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。 A. 基准电压 B. 采样电压 C. 基准电压与采样电压之差 第一章 自测题 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴ 45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω 习题 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解:如解图1.9。 解图1.9 1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。 解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。 (2)当1BB V V =时，因为 60BB BEQ BQ b V U I A R μ-= = 3CQ BQ I I mA β== 9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。 (3)当3BB V V =时，因为460BB BEQ BQ b V U I A R μ-= =， 2311.3CC CES CQ BQ CS c V U I I mA I mA R β-=== =， 所以T 处于饱和状态 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQ BEQ BQ b s V U U I A R R μ-=- ≈ 1.76CQ BQ I I mA β=≈ ' 26(1) 1.3be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： 《模拟电子技术》期末考试试卷1 2010.05 班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___ 一．填空（25分） （1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量 一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 （2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。 （3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。 （4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。 （5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。 （6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组 成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。 （7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频 特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。 （8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为 un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝ un u u A A A (21) （9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。 （10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。 二．选择题（每题2分，共20分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。 （A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R哈工大模电期末考试题及答案
模电试题及答案(大学期末考试题)
模拟电路期末试卷及答案
模电期末考试题及答案
模电试卷及答案
模电考试题及答案
模拟电子技术期末试卷5套及答案
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)复习进程
相关主题
文本预览