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《文艺美学》AB模拟练习题参考答案

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《文艺美学》期末练习题

一、名词解释

1、席勒的审美教育思想

2、艺术作品的内形式

3、物象、表象、意象:具象,亦称物象,

4、康德的“崇高”观

5、自然美欣赏的三阶段:

6、休谟的“每个人心见出一种不同的美”

7、亚里士多德的悲剧观

8、大地艺术

9、“文艺美学”

10、音乐

二、简答题

1、维特根斯坦认为,美学中许多用法归根结底是语言的误用,请对其观点予以举例分析

2、艺术的功能

3、悲剧有哪些基本的美学特征。

4、毕达哥拉斯学派的主要美学思想是什么?

5、20世纪否弃“美的本质”后,美学有何发展?

6、艺术的拟态表现有几个特点。

7、柏拉图在《理想国》中驱逐诗人的原因是什么?

8、社会性艺术接受有哪些基本特点。

9、丑的类型

10、在最初提出文艺美学时,强调回归审美本位,疏离政治标准,你是如何理解的?

11、亚里士多德的悲剧观

12、文艺美学如何超越“文艺的美学问题”这种偏正结构?

13、简述乔治·迪基对审美经验的“无利害说”的批判。

三、论述题

1、某种意义上说,柏拉图是艺术的悲观主义者,而亚里士多德是艺术上的乐观主义者,

结合他们的表述,谈谈你的看法。

2、关于“艺术的终结”的问题

3、谈谈对灵感和直觉的区别

4、请论述不美的艺术或美和艺术分离的表现。

5、一段时期以来,不少艺术家不再以创造美的艺术为要务,在他们的作品中,不美的艺术作为重要特征得以彰显,有人称之为美与艺术的分离。请论述不美的艺术或美和艺术分离的表现。

6、如何理解符号的特性可与信号相比较而得出什么?

7、在当代,审美教育如何帮助人们“认识”世界,谈谈你的理解。

8、在日常生活审美化的背景下,如何理解艺术和美的分离?

模拟电路第三版课后习题答案详解

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的 正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。 习题1-2 假设一个二极管在50C时的反向电流为10卩A,试问它在 20C和80C时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10C, 反向电流大致增加一倍。 解:在20C时的反向电流约为:2°汉10卩A= 1.254 A 3 在80C时的反向电流约为: 2 10」A二80」A N7 习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示: ①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图 (b),此时二极管的电流I和电压U各为多少? ②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,贝V二极管的电流和电 压各为多少? 解:根据图解法求解 ①电源电压为1.5V时 1.5 二U I I 0.8A, U 0.7V ②电源电压为3V时 U I (b) I 2.2A, U 0.8V 可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,贝匸 极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。 1.5V 1k?

习题1-4 已知在下图中,U| = 10sin? t (V), R L=1k?,试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波 形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电 流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u,是大一些好还是小一一些好?答:动态电阻r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数a u的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( )。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模拟电路第三版课后习题答案详解

N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。 解:在20℃时的反向电流约为:3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为:321080 A A μμ ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好? 答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。解:20℃时,()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时,8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其 多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩 散电流 漂移电流,耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电 流控制器件,____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起 失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( ) A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( ) A . A 是基极, B 是发射极, C 是集电极,是NPN 管

B.A是集电极,B是基极,C是发射极,是PNP管 C.A是集电极,B是发射极,C是基极,是PNP管 D.A是发射极,B是集电极,C是基极,是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求() A、UGS>0,UDS>0 B、UGS<0,UDS<0 C、UGS>0,UDS<0 D、UGS<0,UDS>0 4、某仪表的放大电路,要求Ri很大,输出电流稳定,则应采用()形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re的作用是:() A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR将会()。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?() A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来2倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?() A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零,则其输入电阻会明显变小。() 解:(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时, 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

最新模拟电路部分习题答案word版本

模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1.填空 (1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流会增大。 (3)PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 (4)晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中,晶体管通常工作在放大区区。 (5)结型场效应管工作在恒流区时,其栅-源间所加电压应该反偏。(正偏、反偏)2-2.判断下列说法正确与否。 (1)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。() (2)P型半导体带正电,N型半导体带负电。() (3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。() (4)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。() (5)晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。() (6)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(7)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。() (8)若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零,则其输入电阻会明显减小。()答案:(1)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子和空穴的数量始终是相等的。 (2)错;对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时,处于电中性的状态。 (3)对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。 (4)错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 (5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。 (6)对;N型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成P型半导体。 (7)对;PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。 (8)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏? 答:可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻,正向时电阻很小,反向时电阻很大。 2-4.二极管电路如题2-4图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止?输出电压为多少?

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。

A.减小B.基本不变C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大B.基本不变C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ×) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1.4 分析计算题 1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U0=(6—0.7)V=5.3 V。 (b)令二极管断开,可得U P=6 V、U N=10 V,U PUp—

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。 (1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。(√) (2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。(×) (3)线性电路一定是模拟电路。(√) (4)模拟电路一定是线性电路。(×) (5)放大器一定是线性电路。(√) (6)线性电路一定是放大器。(×) (7)放大器是有源的线性网络。(√) (8)放大器的增益有可能有不同的量纲。(√) (9)放大器的零点是指放大器输出为0。(×) (10)放大器的增益一定是大于1的。(×) 2 填空题: (1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。 (2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。 (3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。 (4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。 (5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。 (6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。 (7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。 (8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 (10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。 解:提示:按照输入阻抗、输出阻抗定义完成,电流通过测电阻压降得到。 4. 现有:宽频信号发生器1个,示波器1个,互导型放大器1个,1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率,请写出实验步骤。 解: 提示:放大器输入接信号源,输出接电阻,从0HZ开始不断加大频率,由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录,绘出通频带各点图形。 第2章习题答案

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电子技术习题答案1

模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2

第一章 绪论 一、填空题: 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上 的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便? 解:直接将它与10Ω扬声器连接, 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示

模拟电路第四章课后习题测验答案

第四章 习题与思考题 ◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中,已知V CC 为6V ,R L 为8Ω,假设三极管的饱和管压降U CES =1V , ① 试估算电路的最大输出功率P om ; ② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。 解:① W W R U V P L cem CC om 563.18 2)16(2)(2 2≈?-=-= 如忽略U CES ,则 W W R V P L CC om 25.28 2622 2=?=≈ ② W W R V P L CC V 865.28 6222 2≈??=≈ππ %55.54865 .2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ,则%53.78865.225.2≈== V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中: ① 三极管的最大功耗等于多少? ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少? ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少? 解:① W W P P om CM 45.025.22.02.0=?=> ② A A R V I L CC CM 75.08 6==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=?=> ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电,电路均工作在射极跟随器状态,1≈u A ,而略小于1,故V V V U U CC cem i 24.426 22≈=≈≈。 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。

#《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12(第一章) 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具 有特性。 5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。 7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成,其大小和有关,而和外加电压。 9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。 10当温度升高时,三极管的等电极电流I ,发射结压降UBE 。 11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。 12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小和有关,而和 外加电压。 13-19(第二章) 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二 级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多 级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______, 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。20-26(第三章) 20、甲类功放的最大缺点是_______; 21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压,才能正常放大工作。 22、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid为 V,

模拟电路 课后习题答案

第七章 习题与思考题 ◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中,已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω,R 6=R 9=R 10=20k Ω: ① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻; ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式; ③ 设u I1=3V ,u I2=1V ,则输出电压u o =? 解: ① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213,Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=- =,2226525.1)2010 1()1(I I I o u u u R R u =+=+=, 2121217932)5.1(10 20 )(I I I I o o o u u u u u u R R u +=---=-- = ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=?+?=+= 本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理,估算三种比例电路的输入输 出关系。 ◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中,写出其 输出电压u O 的表达式。 解: I I I I o u R R u R R u R R u R R u ])1[()()1(4 5124 512 ++=--+ = 本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。

◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中,)(1122 1 I I o u u R R u -= )+( 解: 11 2 1)1(I o u R R u + = ) )(1()1()1()1()1()1(122 122112122111221221121I I I I I I I o o u u R R u R R u R R u R R u R R R R u R R u R R u -+=+++-=+++-=++- = 本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。 ◆◆ 习题 7-4 在图P7-4所示电路中,列出u O 的表达式。 解: 反馈组态应为深度电压串联负反馈,因此有uu uf F A &&1= I o R R I o uf uu u R R u u R R u R R R R R A R R R F )1()1(11 7373737373313+=???→?+=?+=+=?+==若&&

模拟电子技术试题库(2012电信参考)

一、选择题: 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间变电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( ) 。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术习题答案

第一章习题解答 1.1 解: 由公式:)1(-=T D u u s D e I i 可求得电流外加电压为V u D 5.0=时 A A e i mv v D μμ5.22)1(101.03 10 265.06 =-?=-?- 时V u D 7.0= mA mA e i mv V D 3.49)1(101.03 10 267.09=-?=-?- 1.2 解: ① 当R=1ΩK 时 假设二极管导通 V U V U on D 7.3)3()(0-=+-= mA K V R U I L 7.317.300-=Ω -== mA I I I mA K V R U V I on D 6.17.33.53.51)7.039(39021) (2=-=+==--= --= ②当R=4K Ω时,也假设二极管导通 00,I U 同① mA I I I mA K V I 4.27.33.13.14)7.039(0212-=-=+==--= V K mA R I U mA I I mA K V R R V I I L L 8.118.18.18.1)14(990 002021-=Ω?-==-=-==Ω +=+= =∴ 二极管截止,故 1.3解:

a : 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 2导通后,A 点电位下降为-6V 迫使V 1反向截止 V U AO 6-= b :21,V V 反向截至,V U AO 10= c. 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 1导通后,将使A 、O 点电位差为零。电位相等,V 1导通,V 2截止。 d. 21,V V 均正向反偏,V 1导通21,V V 公共端电位为零,能保证V 2导通,A 点电位也为零,V 0U AO =。 1.4 解: 9mA .4mA )1.27(I I I 7mA 560V )1.26(R U 6V I 1mA .21K 1V .2R U I 1V .237V .03U U 01201L 00on D 0=-=-==Ω -=-= =Ω == =?=?=)( 1.5 解: I U 变化1V ±时,相当于给6V 直流电源串接一个变化范围为1V ±的信号源,由二极管的动态电阻d r 为: 6mV .272100U U U 6mV .271V R R //3r R //3r U 3.59mA .426mV I U r 000L d L d 0Q T d ±=?±='=±?+= ?Ω ===)( 1.6 解: a : b :

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示: + + ++++------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1

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