关于勘误《中国药典》2010年版有关内容的通知
国药典综发〔2010〕246号
各省、自治区、直辖市食品药品监督管理局（药品监督管理局）：
《中国药典》2010年版即将实施，我委陆续收到反馈意见，涉及执行问题，经审核，部分品种及附录因校对或印刷错误等诸多原因需要勘误。为确保新版药典的顺利执行，现将勘误表（见附件）予以印发，请及时通知辖区内相关药品生产企业和有关单位遵照执行。其相关勘误内容，我委将在《中国药典》2010年版第一增补本中予以收载，并尽快正式印发。同时，我委网站及《中国药品标准》杂志予以公告。
特此通知
附件：《中国药典》2010年版勘误表(一部二部三部)
二〇一〇年九月二十八日
抄送：局药品注册司、药品安全监管司、稽查局，中国药品生物制品检定所、局药品审评中心、认证中心、评价中心、中保办，各省、自治区、直辖市药品检验所，总后卫生部药品仪器检验所。
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。 代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11
13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11
电路理论基础第四版教材勘误表 1 28页， 习题1.18 图中受控电压源应改为“受控电流源”，正确图如下: 2 37页第 12行原为： 电流源与电阻并联的等效电路 改为：电流源与电导并联的等效电路 3 108页第8行和第9行原为： 并联电容后的电源视在功率 2387.26S '=VA 电源电流 /10.85I S U ''=≈ A 改为 并联电容后的电源视在功率 2315.79S '=≈VA 电源电流 /10.53I S U ''=≈ A 3-2 117页 例题4.18根据式（4.108）……，应为式（4.93） 3-3 128页，习题4.4图(c)中电感值j 15-Ω应改为j 15Ω 正确图如下: (c) 4 128页，习题4.6中10C X =Ω，应该为10C X =-Ω； 5 129页 图题4.9原为 改为 6 130页 题图4.15 原为
R i U +- o U +-改为 R i U +- o U +-7 132页，习题4.38中S 20V U =&，100rad/s ω= 改为S 200V U =∠?&，10rad/s ω=； 7-1 141页 例题 第三个公式应为A C U '' 8 170页，习题6.2中用到了谐振的概念来解题，在本章不合适，另换一个题。将原来的 题改为： 6.2 图示RLC 串联电路的端口电压V )]303cos(50cos 100[11ο-+=t t u ωω，端口电流A )]3cos(755.1cos 10[1i t t i ψωω-+=，角频率3141=ωrad/s ，求R 、L 、C 及i ψ的值。 u + - 图题6.2 9 194页 7.6 RLC 串联电路的谐振频率为876Hz ，通频带为750Hz 到1kHz 改为 7.6 RLC 串联电路的谐振频率为875Hz ，通频带宽度为250Hz ， 10 255页，图9.2（c ）中的附加电源错，正确图如下： (c) - + )( s U C 11 273页，习题9.18中 211R =Ω改为 210R =Ω 12 346页第六行公式有错，书中为 00(d )d (d )d (d )i u i i x G x u x C x u x x x t x ???? -+ =+++????
一、p-n结 1.PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 （1）按照杂质浓度分布，PN 结分为突变结和线性缓变结 突变结--- P区与N区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面处（x = 0）发生突变。 单边突变结---一侧的浓度远大于另一侧，分别记为PN+ 单边突变结和P+N 单边突变结。后面的分析主要是建立在突变结（单边突变结）的基础上 突变结近似的杂质分布。
线性缓变结--- 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化，杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 () N x ax =- () 常数 = - = dx N N d a a d 线性缓变结近似的杂质分布。
空间电荷区：PN结中，电子由N区转移至P区，空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的，称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。 （2）电场分布 2.平衡载流子和非平衡载流子 （1）平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。 （2）非平衡载流子--处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子 3. Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 (1)Fermi 能级:平衡PN结有统一的费米能级。 （2）当pn结加上外加电压V后，在扩散区和势垒区范围内，电子和空穴没有统一的费米能级，分别用准费米能级。 （3）平衡PN结能带图
（4）非平衡PN结能带图
电机与拖动》教材( 第 1 版第 2 次印刷)勘误表 1)目录中的P13，3.8 “直流电机的四象限运行与实例分析”改为“ “直流拖动系统的四象 限运行与实例分析” ；3.8.1 “直流电机的四象限运行”改为“直流拖动系统的四象限运行” ； 2)目录中的P15，“ 6.55 三相合成磁势中的高次谐波磁势”改为“ 6.55 三相绕组所产生 的高次谐波合成磁势” ； 3)目录中的P16，7.2.3 “改变转差频率的调速” 中去掉其中的“频”字； (4)目录中的P19, 12.1.2 “两相绕组异步电动机……”改为“两相绕组通电时异步电 动机……”； (5)P10, “ 1.2.3 磁场强度H'中的H应改为罗马字体； 6) P27，“图2.3 直流电机结构图”改为“图2.3 直流电机的结构图” ； (7)P29第，第3行“(2)线圈基本上是整距线圈。”改为“(2)直流线圈基本上是整距线 圈。”； (8)P33, “图2.13单叠绕组的电路图”改为“图 2.13单波绕组的电路图”； 9) P34 ，“图2.14 各种励磁方式下的直流电机接线图(加入接线图示意图, 一一对应)” 去掉其中的“ (加入接线图示意图,一一对应)”； (10)P35, “图2.15四极直流电机的磁路以及空载时的主磁场示意图”中的“以及”改为 “与”； (11)P40, “图2.22负载时的合成气隙磁场示意图”中的“时“改为“后”; (12)P50,倒数第10行中“造成端部电压下降的原因主要有两个……..,弓I起感应电势下降。”改为“他励直流发电机造成端部电压下降的原因主要有两个……..,引起感 应电势下降。”且修改后将上述句子改为黑体； (13)P51，第18行中“各种励磁方式下直流发电机的外特性。”改为“各种励磁方式下直流 发电机的典型外特性。”； (14)P53,倒数第8行~倒数第5行中“并励(或复励)直流发电机…….不能超过临界电阻值。” 改为黑体； (15)P58,图2.41 (a)中，“心”改为“ I 戎”；图2.41 (b)中的“ T$c2、、T$CN” 改为“ T st2、T st1、T stN ”；倒数第2行~倒数第1行中“一般情况下，随着励磁电流 (或磁通)的减小，电动机的转速升高，即弱磁升速。”改为“一般情况下，随着励磁电流(或磁通) 的减小，直流电动机的转速升高，即弱磁升速。”(即增加“直流”) 并将上述句子全部改为黑体； (16)P67,倒数第12行中“对电动机而言，沿电枢旋转方向，换向极极性与后面的主磁极极性相 同，而对发电机则相反。”改为“对发电机而言，沿电枢旋转方向，换向极极性与下一个主磁极极性相同，而对电动机则相反。”； 该页中“图2.50 直流发(电)电机换向极的接线与极性”去掉其中的“发(电) ”，改为 “图2.50 直流电机换向极的接线与极性” ； (17)P94,倒数第8行中，“接触器K闭和闭合，”，改为“接触器K闭合，”； (18)P112, “图3.38 电压降低过程中的回馈制动特性”改为“图 3.38 直流电动机降压 时的回馈制动特性” ； (19)P113, “图3.39弱磁升速过程中的回馈制动特性”改为“图3.38 直流电动机增磁时
电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数
一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度
注意：下面的勘误中，红色字体为修改后的文字，提请各位读者注意。 第 6 页，” 1.6 语言标准”中的第 3 行，将 1987 年修改为 1978 年。 第 22 页，” 2. main （）函数”中的第 1 行， int main （void ） 后面的分号（ ; ）删除。 第 24 页，“5. 声明”的第 10 行，也就 是一个变量、函数或其他实体的名称。 第 27 页，图 2.3 中，下划线应该只包含括号中的内容；第 2 段的第 4 行，而不是存储 在 源代码 中的指令。 第 30页，“2.5.4 打印多个值”的第 4行，双引 号后面的第 1 个变量。 第 34页，“2.7.3 程序状态”第 2段的第 4 行，要尽量忠实 于代码来模拟。 第 35页，“2.10 本章小结”第 2段的第 1句，声明 语句为变量指定变量名， 并标识该变量中存 储的数据类型；本页倒数第 2 行，即 检查程序每执行一步后所有变量的值。 第37页，“2.12编程练习”中第1题，把你的名和姓打印在一行……把你的 名和姓分别打印在 两行……把你的 名和姓打印在一行……把示例的内容换成你的 名字。 第 40 页，第 1 行，用于把英 磅常衡盎司转换为… … 第44页，“3.4 C 语言基本数据类型”的第 1句，本节将 详细介绍C 语言的基本属性类型…… 第 46页，“5. 八进制和十六进制”的第 4句，十六进制数 3的二进制数 是 0011，十六进制数 5 的二进制数 是 0101；“6. 显示八进制和十六进制”的第 1 句，既可以使用 也可以 显示不同进制 的数；将“回忆一下……程序在执行完毕后不会立即关闭执行窗口”放到一个括号里。 第 47页，“2. 使用多种整数类型的原因”第 3句，过去的一台运行 Windows 3.x 的机器上。 第 53 页，图 3.5 下面的第 4 行“上面最后一个例子（ printf （ “ ” a \\ is a backslash. ” \n ” ）; ）” 第 56页，正文的第 2行和第 4行应该分别为 printf （ “me32 = %““d”“\n ”, me32）; printf （ “me32 = %d\n ” , me32）; 第 61 页，“无符号类型”的最后 1 句，相当于 unsigned int （即两者之间添加一个空格 ）。 第 62 页，程序清单 3.8 中的第 1 行，将 //* typesize.c -- 打印类型大小 */ 中的第一个斜杠删 除。 第 63页，“3.6 参数和陷阱”第 2行， printf （ “ Hello,pal. ” ）（即 Hello, 和 pal. 之间没有空 格）。 第 64 页，程序清单 3.10 中的第 1 行，使用 转义序列。 第 75 页，倒数第 8行， 何时使用圆括号 取决于运算对象是类型还是特定量。 第82页，第11行， . 格式字符串包含了两个待打印项 number 和pies 对应的 ..... 第83页，表4.4中的“ L”修饰符的含义介绍中，应该是示例： ” %L ”、“％10.4Le” 第 84 页，表 4.5 中的第 1 行，即，从字段的左侧开始打印该 项（即，应该只保留一个 项）；在 “ 0”标记的含义中，添加一行： 示例："％010d"和"％08.3f"。 第86页，第1段的第2行，……字段宽度是容纳 待打印数字所需的……; 倒数第4段中，根据%x 打印出1f,根据%打印出1F 第87页，“4.4.4转换说明的意义”第 2段，……读者认为原始值 被替换成转换后的值。 第89页，“参数传递”第2行，把变量n1、n2、n3和n4的值传递给程序（即，保留一个顿号）。 第 93页，第 5行的 2121.45 的字体应该与第 4行的 42 的字体保持一致；表 4.6 上面的最后一 行，对于 double 类型要使用 1 修饰符。 第 94 页，表中的第 3 行，把对应的数值存储为 unsigned short int 类型；把“ j ”转换说明的 示例 放到“ z ”转换说明中；在“ j ”转换说明的含义中添加：示例：” ％jd”、” ％ju”。 第95页，“3.scanf （） 的返回值”上面一段的倒数第 3行，如果在格式字符串中把空格放到 %c 的前面 。 第98页，倒数第2段，strlen （） 函数（声明在string.h 头文件中）可用于 ... 。 第 100 页，” 4.8 编程练习”中的第 2 题，将该题中的“名和姓”统一替换为“名字” ；并执行 以下 操作；第 3题，将 a 、 b 项中的“输入”替换为” The input is ”，将“或”替换为“ or”， 将末尾1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 26. 27. 28. 29. 30.
半导体物理2010-2011学年(2011.1.5) 一、简答题（8*6’=48’） 1.请填写下表中的数据： 解理面 材料晶格结构布拉伐格子直接/间接 带隙 Si GaAs 2.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电子浓度n和本征载流子浓度ni随T变化曲线。 3.“纯净的半导体中，掺入百万分之一的杂质，可以减小电阻率达1百万倍，”是估算说明之。 4.一块杂志补偿的半导体，受主杂质和施主杂质浓度相等。设杂质全部电离，判断当杂质浓度分别为 (a) Na=Nd=1014cm-3(b) Na=Nd=1018cm-3 时，哪种情况的电导率大？简述分析理由。 5.什么是载流子的平均自由时间τ？有两块Si半导体材料1和2，其中τ1>τ2，迁移率哪个大？ 如果同一块半导体中，有两种机理的平均自由时间τ1和τ2，其总迁移率如何确定？ 6.写出以n型样品为例少子空穴的连续性方程。 由连续性方程写出：不考虑电场的作用、无产生、稳态载流子扩散方程； 7.什么是PN结的势垒电容？定性说明掺杂浓度对势垒电容有何影响。 8.一个p-N异质结接触前能带图见图1。画出平衡状态下能带图。
电阻率为7Ω·cm的p型硅，T=300K。 ⑴试计算室温时多数载流子和少子浓度（可查图）。 ⑵计算该半导体的功函数。 ⑶不考虑界面态，在金属铝（功函数W Al=4.20eV）和金属铂（功函数W Pi=5.3eV）中选择制备肖特基二极管的金属，给出选择理由。 ⑷求金属一侧势垒高度的理论值qΦms和半导体一侧势垒高度qV D 。 三、(16’) 室温下，一个Si的N-P结，N区一侧掺杂浓度为1017cm-3，P区为1015cm-3 ⑴求该N-P结的接触电势差。 ⑵画出平衡PN结、正向偏置PN结、反向偏置PN结空间电荷区中及边界处的载流子分布示意图。 ⑶根据正向和反向少子分布情况，解释PN结正向导通，反向截止的饱和特性。 ⑷写出理想PN结电流-电压关系公式，在对数坐标下，定性画出理想和实际I-V特性示意图。 四、（15’） 一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如图2. （1）判断该结构中，半导体的导电类型。 （2）说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态，并示意画出每点半导体一侧的能带形状，以及金属和半导体一侧的电荷分布。
1、 第29页 式1.34中最后一个1n β- 改为1β。 2、 36页 分为：“（1）A 阵的特征值无重根；（2）A 阵的特征值有重根；”这样的分法不是 很严密，建议应该为：“（1）A 有n 个线性无关的特征向量；（2）线性无关的特征向量数少于n ” 3、 48页上面W(s)中的第三行=号左面的“1 11()SI A B --”应移到上一行最末尾。避免误解。 4、 67页2.24式应改为：11 1221111 (1)!011 (2)!2(1)(2)312! 2!1211 1!1!2111121()00 01()000(1)()001()012()1n n t t n t t n n n n t t n t n t n n t n e t t n e t e t e t e λλλλλααλαλαλλαλλλ-------------??????????-???? ?????? ?=??????????????????? ? ????? ??? ???? ??????? 5、 70页2.32式最后 1t A -改为1 A t - 6、 97页第一行121 1 1 001 012T λλλ????=?????? 7、 100页 例3-8 2 244120100142100A B ????????=???????????? 应该改为 2 2440101001100042A B ????=???????????????? 或者改为 2121010103120110A B ???????????? ??=?? ???? 8、 103页图3.7中 12,y y 的输出箭头不应该指向211,m c c ，应断开。 9、 126页 例3-12中224()168121216M b Ab A b ?? ??=?? ???? 10、 130页用对偶原理证明，有待考证。表述不明确。另外最后倒数第二行能控标准I 行，应该改为能观标准I 型。 11、 144页式（3.124）0 lim ()s D W s →= 改为lim ()s D W s →∞ = 12、 145页式（3.133）下一行，“m 为输入矢量维数。”改为“m 为输出矢量维数。” 13、 165页4.18式下面，“其中 ,(1,2,,)i i n λ= 为对称矩阵p 的互异特征值，且均为 实数。”这句话表述不正确。,(1,2,,)i i n λ= 未必是P 的互异特征值，还有可能是有n
电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，m n*/m0值是乙的2 倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载 流子将衰减到原来的（C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时，半导体具有（ B ）半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si中电子扩散系数Dｎ与ＮＤ有如下图（C ）所示的最恰当的依赖关系： ＤｎＤｎＤｎＤｎ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（A ）移动；当掺
数据结构（c语言版）清华大学出版社秦锋主编 勘误（红色字体为修改后的内容） 1.教材30页 算法描述如下(假定顺序表A和B的存储空间足够)： void Inter_sec (PSeqList A, PSeqList B ) { /*求集合A和B的交集，入口参数：指向顺序表的指针，返回值：无，结果存放在顺序表A中*/ int i=0; while(i
电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 A 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一、选择题（共25分，共 25题，每题1 分） A ）的半导体。 A. 不含杂质和缺陷 B. 电阻率最高 C. 电子密度和空穴密度相等 D. 电子密度与本征载流子密度相等 2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（ D ）。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度 3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E F 随温度上升而（ D ）。 A. 单调上升 B. 单调下降 C. 经过一个极小值趋近Ei D. 经过一个极大值趋近Ei 4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ C ）。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体 5、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的（ C ）。 A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间 6、下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（ A ） A. 含硼1×1015cm -3的硅 B. 含磷1×1016cm -3的硅 C. 含硼1×1015cm -3，磷1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅
7、室温下，如在半导体Si 中，同时掺有1×1014cm -3的硼和1.1×1015cm -3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级为（ G ）。将该半导体由室温度升至570K ，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级为（ I ）。（已知：室温下，n i ≈1.5×1010cm -3；570K 时，n i ≈2×1017cm -3） A 、1×1014cm -3 B 、1×1015cm -3 C 、1.1×1015cm -3 D 、2.25×105cm -3 E 、1.2×1015cm -3 F 、2×1017cm -3 G 、高于Ei H 、低于Ei I 、等于Ei 8、最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ C ）附近，常见的是（ E ）陷阱。 A 、E A B 、E D C 、E F D 、Ei E 、少子 F 、多子 9、MIS 结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（ B ），若增加掺杂浓度，其开启电压将（ C ）。 A 、相同 B 、不同 C 、增加 D 、减少 10、对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（ D ）。 A 、平衡载流子浓度成正比 B 、非平衡载流子浓度成正比 C 、平衡载流子浓度成反比 D 、非平衡载流子浓度成反比 11、可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（ A ） A 、n 型 B 、p 型 C 、本征型 D 、高度补偿型 12、如在半导体中以长声学波为主要散射机构是，电子的迁移率n 与温度的（ B ）。 A 、平方成正比 B 、 23 次方成反比 C 、平方成反比 D 、2 3 次方成正比 13、为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS 器件时通常选择硅单晶的方向为（ A ）。 A 、【100】 B 、【111】 C 、【110】 D 、【111】或【110】 14、简并半导体是指（ A ）的半导体。
Date of Issue: February 2014 Affected Publication:API Specification Q1, Specification for Quality Management System Requirements for Manufacturing Organizations for the Petroleum and Natural Gas Industry, Ninth Edition, June 2013 ERRATA Page 26, A.1 Scope, the second sentence should read: Through the API Monogram Program, API licenses product manufacturers to apply the API Monogram to new products which comply with product specifications and have been manufactured under a quality management system that meets the requirements of API Q1. Page 26, A3.1 API monogrammable product, the definition should read: Product that has been newly manufactured by an API licensee utilizing a fully implemented API Q1 compliant quality management system and that meets all the API specified requirements of the applicable API product specification(s) and/or standard(s)
（以下勘误表1错误在第4次印刷后已改正） 勘误表1 CH1 1. P11倒数第6行，（0<α<0）,改为：（0<α<1） 2.P27第20行，阅读本书第13章附录，改为：阅读本书附录A 3.P35 习题1.12第(3)小题123,,0x x x ≥，改为，12,0x x ≥ CH2 1.P42第1行，YA ≤C ，改为：YA ≥C 2. P42倒数第11行，一个问题有可行解时，另一个问题可能有可行解（此时具有无界解）也可能无可行解 改为： 一个问题无可行解时，另一个问题可能有可行解（此时具有无界解）也可能无可行解 2.P49第9行，表2－8（2）中x 5＝－6，改为：表2－8（2）中x 4＝－6 3. P49倒数第1行，B -1P i ，改为：B - 1P j 4.P50第5行，当j j c λ'∞<≤-时最优解不变，改为：当j j j c c λ'∞<≤-+时最优解不变 5. P57倒数第13行，111()B b b B b B b μμ---'''''=+=+，改为： 8.P62习题2.2第（4）题，1510x -≤≤，改为：1510x ≤≤ 8.P62习题2.5，123,0,x x x ≤无约束 改为：123,0,x x x ≥无约束 CH3 1.P68图3-4中去掉小三角形的阴影部分：
1．P76习题3.9印掉了。请补上，放在P77的第一行。 （1）?????==≤++≥-++=3,2,11072462534max 3 213213 21j x x x x x x x x x x Z j ，或＋ (2) ??? ??? ?==≤+++≥-+-≥+++-++-=4,3,2,11074234 22335434min 43214321 43214321j x x x x x x x x x x x x x x x x x Z j ，或 CH4 1.P84倒数第4行，满意解就是点A(20,40)。改为：满意解是约束(1)与约束(2)的交点（80/9，560/9），不是点A(20,40)。 3.P87倒数第15行，(2)将目标函数，改为：(2)如果将目标函数 4. P87倒数第12行，对应于图4-6中点A 。改为：对应于图4-6中点A ，Z ＝120，然而该满意解是错误的，正确的算法见表4-17。 5.P88中间，在(2)中如果按 改为：在(2)中仍然按 6.P89第1行，满意解X ＝(80/9，560/9)T ，d 3+＝200/9而d 2－ ＝0，与目标要求相悖，还可以从图4-6说明这个结果是错误的。 改为：满意解X ＝(80/9，560/9)T ，d 3+＝200/9，d 4+＝580/9，Z ＝108.88，目标函数值比表4-16的结果小。图解法时如果按权系数大小顺序求最小值就很容易得到表4-16所示错误的解。
中级财务会计教材勘误表 第二章 1.P35票据利息的会计处理 其中： “企业应在到期前的各会计期末，对持有的带息商业汇票按权责发生制计提利息，借记“应收票据”，贷记“财务费用”科目。” 应为 “企业应在到期前的各会计期末，对持有的带息商业汇票按权责发生制计提利息，借记“应收利息”，贷记“财务费用”科目”。 2.P36 【例2-9】 其中： “借：应收票据7 800 贷：财务费用7 800 20×3年3月1日票据到期，南方公司收回票款 票据到期金额＝234 000＋234 000×10%×6/12＝245 700 借：银行存款245 700 贷：应收票据241 800 财务费用 3 900 20×3年3月1日，如南方公司不能收回票款 借：应收账款245 700 贷：应收票据241 800 财务费用 3 900 ” 应为： “借：应收利息7 800 贷：财务费用7 800 20×3年3月1日票据到期，南方公司收回票款 票据到期金额＝234 000＋234 000×10%×6/12＝245 700 借：银行存款245 700 贷：应收票据234 000 应收利息7 800
财务费用 3 900 20×3年3月1日，如南方公司不能收回票款 借：应收账款234 000 贷：应收票据234 000 2013年应收的票据利息=234 000×10%×2/12=3 900 借：应收利息 3 900 贷：财务费用 3 900 第三章 1.P56 先进先出法 “ 表3.2 存货明细表 存货类别： 存货编号：计量单位：件存货名称：甲材料货币单位：元 ” 应为 “ 表3.2 存货明细表 存货类别： 存货编号：计量单位：件存货名称：甲材料货币单位：元
载流子：晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子，如电子和空穴。 空穴：在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下的空位。（价带中不被电子占据的空状态，价带顶附近空穴有效质量>0） 杂质的补偿作用：受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到N A受主能级后，施主能级上还有N D-N A个电子，在杂质全部电离的条件下，它们跃迁到导带中成为导电电子，这时，n=N D-N A≈N D ,半导体是n型的；同理p型。 等电子陷阱：与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子，它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是电中性的。由于原子序数不同，这些原子的共价半径和电负性有差别，因而它们能俘获某种载流子而成为带电中心。 本征半导体：晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 有效质量（物理意义？）：电子受到外力+原子核势场和其它电子势场力，引入有效质量可以 把加速度和外力直接联系。根据势场的作用由有效质量反映，m n*的正负反应了晶体内部势场的作用。 分布函数：能量为E的一量子态被一个电子占据概率为 杂质电离：当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子；当电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴等。 费米能级的意义：当它和温度T、半导体材料的导电类型n、p，杂质的含量以及能量零点选取有关。E F是一个很重要的物理参数，只要知道E F数值，在特定T下，电子在各量子态上的统计分布就完全确定。统计理论表明，热力学上费米能级E F是系统的化学势。费米能级位置直观地标志了电子占据量子态情况。固体物理中处于基态的单个Fermi粒子所具有的最大能量—Fermi粒子所占据的最高能级的能量。费米能级标志了电子填充能级的水平。对一系统而言, E F位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 杂质散射和格波散射：（1）杂质电离后是一个带电离子，施主电离后带正电，受主电离后带负电。在电离施主或受主周围形成一个库仑势场，局部地破坏周期性势场，是使载流子散射的附加势场。（2）Ｔ定，晶格中原子都各自在其平衡位置附近作微振动。晶格中原子的振动都是由若干不同的基波—格波按照波的叠加原理组合而成，声学波声子往往起着交换动量的作用，光学波交换能量。非弹性散射，主要是长波。
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试 半导体物理课程考试题卷(1２0分钟) 考试形式：闭卷考试日期2007年1 月14日 注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分１5分,实验成绩满分1５分; 2.、本课程总成绩＝试卷分数+平时成绩+实验成绩。 课程成绩构成:平时分，期中分, 实验分, 期末分 一、选择填空(含多选题)(2×20＝4０分） 1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型Ｂ．闪锌矿型和直接禁带型 Ｃ. 金刚石型和间接禁带型D．闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指( A ）的半导体。 Ａ、（E C-EＦ)或(EＦ-E V)≤0 B、(E C-E F)或（ＥＦ－E V)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为１014cm-３, 磷为１015 cm-3,则该半导体为( B）半导体;其有效杂质浓度约为( Ｅ）。 A.本征， B. ｎ型，Ｃ．ｐ型, D.１.１×１0１5cm-3, E．９×10１4cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B ）,并且该乘积和（Ｅ、 F )有关,而与（C、D )无关。 A、变化量； B、常数; Ｃ、杂质浓度；D、杂质类型；Ｅ、禁带宽度; Ｆ、温度 ５、在一定温度下,对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度,会使得( C ）靠近中间能级E i；如果增加掺杂浓度，有可能使得（C ）进入( A),实现重掺杂成为简并半导体。Ａ、E c; B、Eｖ；C、E F；D、E g; E、Eｉ。 67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。Ａ、变大,变大B、变小，变小