关于接线盒的二极管
这两年来因为二极管的问题造成退货事件已有多起。主要还是因为二极管的结温太低，而接线盒的散热不好，造成二极管的热击穿，并带有接线烧毁等。
所以在IEC61215二版中也增加二极管的测试,即10.18旁路二极管发热测试。
但现在好象对二极管的电压要求和漏电流要求都没做严格的规定，请教是否有精确的测
试方法和认证要求。
在IEC 61215 第二版中，有二极管发热测试，其方法如下：
把组件放在75度烘箱中至热稳定，在二极管中通组件的实际短路电流，热稳定后（例如1h），测量二极管的表面温度，根据以下公式计算实际结温
Tj=Tcase + R*U*I
其中R为热阻系数，由二极管厂家给出，Tcase是二极管表面温度（用热电偶测出），U是二极管两端压降（实测值），I为组件短路电流。计算出的Tj不能超过二极管规格书上的结温范围。
以扬杰的10SQ050型二极管为例。如果实测外壳温度是150度，用在72片125电池片180W 的组件上，其结温为：
Tj＝150+3*0.5*5.4=158.1
低于规格书中的最大结温Tj，所以没有问题。
如果是156的片子，通的电流大，发热大，外壳温度假设测得165度，那么实际结温为
Tj=165+3*0.5*8=177，高于规格书中的最大结温175，测试失败。
所以，对于这个测试，选择二极管要看以下几个量
电流（大的好）
最大结温（大的好）
热阻（小的好）
压降（小的好）
反向击穿电压（一般40V就远远够了）
电度表的接线图 电度表的接线图-单相-三相四线 单相有功电度表/三相四线制有功电度表/电子式电能表的工作原理及接线 ——图文JW原创 一、机械式电度表的型号及其含义。 电度表型号是用字母和数字的排列来表示的，内容如下：类别代号+组别代号+设计序号+派生号。 如我们常用的家用单相电度表：DD862-4型、DDS97l型、DDSY97l型等。 1、类别代号: D--电度表 2、组别代号 表示相线：D--单相；S--三相三线；T--三相四线。 表示用途的分类：D--多功能；S--电子式；X--无功；Y--预付费；F--复费率。 3、设计序号用阿拉伯数字表示。 每个制造厂的设计序号不同，如长纱希麦特电子科技发展有限公司设计生产的电度表产品备案的序列号为971，正泰公司的为666等。 综合上面几点： DD--表示单相电度表：如DD971型 DD862型 DS--表示三相三线有功电度表：如DS862，DS97l型 DT--表示三相四线有功电度表：如DT862、DT971型 DX--表示无功电度表：如DX97l、DX864型 DDS--表示单相电子式电度表：如DDS97l型 D丅S--表示三相四线电子式有功电度表：如DTS97l型
DDSY--表示单相电子式预付费电度表：如DDSY97l型 DTSF--表示三相四线电子式复费率有功电度表：如DTSF97l型 DSSD--表示三相三线多功能电度表：如DSSD97l型 4、基本电流和额定最大电流 基本电流是确定电度表有关特性的电流值，额定最大电流是仪表能满足其制造标准规定的准确度的最大电流值。 如 5(20)A 即表示电度表的基本电流为5A，额定最大电流为20A，对于三相电度表还应在前面乘以相数，如 3x5(20)A。 5、参比电压 指的是确定电度表有关特性的电压值 对于三相三线电度表以相数乘以线电压表示，如3x380V。 对于三相四线电度表则以相数乘以相电压或线电压表示，如3x220/380V。 对于单相电度表则以电压线路接线端上的电压表示，如220V。 二、机械式三相四线电度表的读法 1、如果您的三相四线电度表是最右边没有红色读数框的，那黑色读数框的都是整数，只是在最右边(即个位数)的"计数轮"的右边带有刻度，而这个刻度就是小数点后的读数；如果是带有红色读数框的，那红色读数框所显示的就是小数。 2、如果您的表输出是不带电流互感器的，那表上显示的读数就是您实际用电的计量读数，如果是计量带有互感器的，那要看互感器的规格了，比如用的是100/5的互感器，那它的倍率为20(即100除以5)，如果是200/5的即倍率为40，如果是500/5的，那倍率就是100。以此类推，把表上显示的读数，再乘以这个倍率，就是您实际使用的电量数，单位为KWh(千瓦时：度)。即：实际用电量=实际读数×倍率 3、互感器如果不只绕一匝，那么，实际用电量=互感器倍率/互感器匝数×实际读数。匝数，指互感器内圈导线的条数，不指外圈。 一般计量收费时，大多不计小数位的读数。 三、一度电是多少 关于一度电的问题，举例说明，在用电器的额定电压下，一个1000瓦的用电器使用上一个小时就消耗1度电。如果1度电1元币，那么说，一个1000瓦的用
肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据
电阻,电容,电感,二极管,三极管,在电路中的作用 电阻 定义：导体对电流的阻碍作用就叫导体的电阻。 电阻（Resistor）是所有电子电路中使用最多的元件。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生热能。电阻在电路中通常起分压分流的作用，对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。 电阻都有一定的阻值，它代表这个电阻对电流流动阻挡力的大小。电阻的单位是欧姆，用符号“Ω”表示。欧姆是这样定义的：当在一个电阻器的两端加上1伏特的电压时，如果在这个电阻器中有1安培的电流通过，则这个电阻器的阻值为1欧姆。出了欧姆外，电阻的单位还有千欧（KΩ，兆欧（MΩ）等。 电阻器的电气性能指标通常有标称阻值,误差与额定功率等。 它与其它元件一起构成一些功能电路，如RC电路等。 电阻是一个线性元件。说它是线性元件，是因为通过实验发现，在一定条件下，流经一个电阻的电流与电阻两端的电压成正比——即它是符合欧姆定律：I=U/R
常见的碳膜电阻或金属膜电阻器在温度恒定，且电压和电流值限制在额定条件之内时，可用线性电阻器来模拟。如果电压或电流值超过规定值，电阻器将因过热而不遵从欧姆定律，甚至还会被烧毁。线性电阻的工作电压与电流的关系如图1所示。电阻的种类很多，通常分为碳膜电阻，金属电阻，线绕电阻等：它又包含固定电阻与可变电阻，光敏电阻，压敏电阻，热敏电阻等。但不管电阻是什么种类，它都有一个基本的表示字母“R”。 电阻的单位用欧姆（Ω）表示。它包括?Ω（欧姆），KΩ（千欧），MΩ（兆欧）。其换算关系为： 1MΩ=1000KΩ ，1KΩ=1000Ω。 电阻的阻值标法通常有色环法，数字法。色环法在一般的的电阻上比较常见。由于手机电路中的电阻一般比较小，很少被标上阻值，即使有，一般也采用数字法，即： 101——表示100Ω的电阻；102——表示1KΩ的电阻；103——表示10KΩ的电阻；104——表示100KΩ的电阻；105——表示1MΩ的电阻；106——表示10MΩ的电阻。 如果一个电阻上标为223，则这个电阻为22KΩ。电阻在手机机板上一般的外观示意图如图5所示，其两端为银白色，中间大部分为黑色。
DiodeDiode-零件介绍 零件介绍 &规格书认识
讨论内容
一，二极管的分类 二，规格书认识 三，常见的零件封装
四，在开关电源中的应用
一，二极管的分类
二极管按其用途可分为： 二极管按其用途可分为： 普通二极管和特殊二极管。 普通二极管和特殊二极管。 普通二极管： 普通二极管： 整流二极管、 整流二极管、快速二极管、 快速二极管、稳压二极管、 稳压二极管、检波二极管、 检波二极管、开关二极 管等。 管等。 特殊二极管： 特殊二极管： 发光二极管、 发光二极管、变容二极管、 变容二极管、隧道二极管、 隧道二极管、触发二极管等。 触发二极管等。 本次课程， 本次课程，主要介绍整流二极管、 主要介绍整流二极管、快速二极管和稳压二极管。 快速二极管和稳压二极管。
二，规格书的认识
1，整流二极管和快速二极管 整流二极管结构主要是平面接触型， 整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比 较大， 较大，反向击穿电压比较高， 反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大， 结电容比较大，一般广泛应 用于处理频率不高的电路中。 用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、 例如整流电路、箝位电路、 箝位电路、保护电 路等。 路等。整流二极管在使用中主要考虑的问题是： 整流二极管在使用中主要考虑的问题是：最大整流电流和 最高反向工作电压应大于实际工作中的值。 最高反向工作电压应大于实际工作中的值。 快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的， 快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极 管工作在开关状态下的反向恢复时间较长， 管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，一般大于500nS，不 能适应高频开关电路的要求。 能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电 路、高频开关电源、 高频开关电源、高频阻容吸收电路、 高频阻容吸收电路、逆变电路等， 逆变电路等，其反向恢 复时间可达10nS。快速二极管主要包括快速恢复二极管 快速二极管主要包括快速恢复二极管（ 快速恢复二极管（简称 FRD）和肖特基二极管（ 肖特基二极管（简称SBD） 。
齐纳二极管和肖特基二极管 肖特基二极管（Schottky）SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成电路早已成为TTL 电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。 反向恢复时间 现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。 这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。 齐纳二极管 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。
电阻电容电感二极管三极管在电路中的作用 2009-10-13 21:06 电阻 定义：导体对电流的阻碍作用就叫导体的电阻。 电阻（Resistor）是所有电子电路中使用最多的元件。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生热能。电阻在电路中通常起分压分流的作用，对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。 电阻都有一定的阻值，它代表这个电阻对电流流动阻挡力的大小。电阻的单位是欧姆，用符号“Ω”表示。欧姆是这样定义的：当在一个电阻器的两端加上1伏特的电压时，如果在这个电阻器中有1安培的电流通过，则这个电阻器的阻值为1欧姆。出了欧姆外，电阻的单位还有千欧（KΩ，兆欧（MΩ）等。 电阻器的电气性能指标通常有标称阻值,误差与额定功率等。 它与其它元件一起构成一些功能电路，如RC电路等。 电阻是一个线性元件。说它是线性元件，是因为通过实验发现，在一定条件下，流经一个电阻的电流与电阻两端的电压成正比——即它是符合欧姆定律： I=U/R 常见的碳膜电阻或金属膜电阻器在温度恒定，且电压和电流值限制在额定条件之内时，可用线性电阻器来模拟。如果电压或电流值超过规定值，电阻器将因过热而不遵从欧姆定律，甚至还会被烧毁。线性电阻的工作电压与电流的关系如图1所示。电阻的种类很多，通常分为碳膜电阻，金属电阻，线绕电阻等：它又包含固定电阻与可变电阻，光敏电阻，压敏电阻，热敏电阻等。但不管电阻是什么种类，它都有一个基本的表示字母“R”。 电阻的单位用欧姆（Ω）表示。它包括?Ω（欧姆）， KΩ（千欧）， MΩ（兆欧）。其换算关系为： 1MΩ=1000KΩ， 1KΩ=1000Ω。 电阻的阻值标法通常有色环法，数字法。色环法在一般的的电阻上比较常见。由于手机电路中的电阻一般比较小，很少被标上阻值，即使有，一般也采用数字法，即： 101——表示100Ω的电阻； 102——表示1KΩ的电阻； 103——表示10KΩ的电阻； 104——表示100KΩ的电阻； 105——表示1MΩ的电阻； 106——
sc：焊接钢管 tc：电线管 pc：硬质塑料管 ct：电缆桥架 cp：金属软管 SR：钢线槽 RC：水煤气管 导线敷设部位： SR：沿钢索敷设 CLE：沿柱或跨柱敷设 WE：沿墙面敷设 CE：沿天棚面或顶棚面敷设 ACE：在能进入的吊顶在敷设 BC:暗敷设在梁内 CLC：暗敷设在柱子内 wc：暗敷设在墙内 FC：预埋在地面内 cc：暗敷设在顶板内 新标注，PC聚氯乙烯硬管FPC半硬管KPC 波纹管CT，为桥架敷设 KBG，JBG是薄壁电线管的一个变种，属于行业标准标注，不是国标，和SC等不是一回事SC是规范上的焊管，而且是厚壁的，壁厚通常不小于3mm KBG---扣压式电气导管,用专用的压钳将套接管与导管压接紧固;JBG---紧固式电气导管,套管与导管使用用螺丝紧固. JDG、KBG管成为扣压式镀锌钢管，不用防腐、不用跨接。是黄色的。壁厚为1.2mm。。。。 2.5左右。广泛应用，节省钢材。安装简便，功效高。但要用正规厂家的，否则弯曲时，易扁、开裂。要用配套的弯曲工具和弹簧。 JDG导管及系列产品是我公司在吸收国内外同类先进技术的改进型，与日本JIS工业标准相一致，并与GB50303、GB50300相吻合，即改变了传统熔焊和套丝复杂的施工工艺，也弥补了国内市场同类产品易滑扣等不良现象。 选材精当 JDG导管及系列产品均采用优质钢材，经精密加工而成，双面镀锌，既美观，又有良好的防腐性能。 施工方便 无需电焊机和套丝设备，也不需做跨接地线，无须刷漆，省去了传统熔焊和套丝等复杂的施工工序。 只需将直管接头连接管与管，螺纹管接头连接管与接线盒，定位后用专用工具拧紧（拧断）螺钉即可，与接线盒连接处用锁母紧定即可。管路转弯处用弯管器可现场弯曲相应的弧度。适用范围广 JDG导管有超轻型管和轻管两种，超轻型管可用于明敷，轻型管既可明敷亦可暗敷。适用于工业与民用建筑及市政管线中电线电缆的穿线保护，尤其适用于日趋推崇的智能写字楼的综合布线系统。 性能优越 JDG导管相对国产镀锌管、SC管等市场同类产品，在综合性能方面具有十分显著的优势。工程验收
肖特基二极管有哪些作用 肖特基二极管介绍： 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 肖特基二极管作用
配管敷设工程明配线管标准施工做法！ 一、按照设计图加工好支架，吊架、抱箍、铁件、弯管及套丝（钢管）。 1、塑料管加工： A、管子切割--多用电工刀、手钢锯、专用截管器。 B、管子煨弯：弯曲角度不小于90度，不能裂、凹、扁。 热煨法--用喷灯、水煮、电炉子、热风机等均匀加热。冷煨法--插入弹簧弯制。C、管子连接： 插入法--加热插入，深度为管径的1.1-1.8倍。 套管法--套管长度为管径的1.5-3倍。 2、钢管加工： A、管子切割--多用手钢锯、砂轮切割机。 B、管子煨弯--弯曲角度不小于90度，不能裂、凹、扁。 热煨法：装满干沙后，用喷灯均匀加热，弯制。（镀锌管禁用） 冷煨法：20mm及以下时用手扳弯管器偎弯；管径为25mm及以上时使用电动和液压弯管器偎弯。 C、管子连接： 丝扣连接：管子绞板，适用于任何钢管。 套管焊接：壁厚不小于2mm的焊接钢管，套管长度为管径的1.5-3倍。 套管顶丝连接：明敷设时使用，用顶丝固定。 3、管子除锈：用钢刷内外除锈 4、管子防腐：内外刷樟丹油，埋土里管外表要刷沥青油两道，或用混凝土保护层；埋入焦砟层应用厚度大于50mm混凝土保护层；埋入砖墙内管内外刷樟丹油一道；
埋入混凝土柱、梁内管可只在内壁刷樟丹油一道。 二、测定盒、箱及管路固定点位置 1、按照设计图测出盒、箱、出线口的准确位置，弹线定位；把管路的垂直点水平线弹出，按少照要求标出支架、吊架固定点具体尺寸一位置。 2、固定点的距离应均匀，管卡距终端、转弯中点、电气器具或接线边缘的距离 150-500mm，中间直线段的管卡间距见下表。 3、管路固定应先固定两端的支架、吊架，然后拉直线固定中间的支架、吊架。扁铁支架30mm×3mm，角钢支架25mm×25mm×3mm，埋注支架应有燕尾，埋入深度应不小于120mm。 三、管路敷设 1、管与盒连接：一般同材质的管、盒才能连接，应一管一孔，管口露出盒、箱应小于5mm。塑料管与接线盒的连接有钢卡环、喇叭口、端接头等。金属管与接线盒的连接有焊接、锁紧螺母等。 2、管子的敷设：主要有管卡安装、支架安装、吊架安装、钢索吊管安装等。 明配管敷设其他要求： 1、管路敷设应尽量减少中间接线盒，在管路较长或转弯时可加装接线盒。 2、管路水平敷设时，高度不应低于2.5m：垂直敷设时，不低于1.8m（1.8m以下应加保护管保护）。 3、管路较长时，超过下列情况时应加接线盒： A、塑料管：1.管路无弯时，30m；2.管路有一个弯时，20m；3.管路有两个弯时，15m； 4.管路有三个弯时，8m； 5.如无法加装接线盒时，应将管径加大一号。
◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste，High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop，high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT
2.晶体二极管在电路中常用“ D'加数字表示，女口：D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小； 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004、隔离二 极管（如 1N4148、肖特基二极管（如BAT85、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用 一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极，也有 采用符号标志为“ P'、“N'来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下： 型号1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压（V）50 100 200 400 600 800 1000 电流（A）均为1 3. 稳压二极管在电路中的作用及工作原理 稳压二极管工作原理一种用于稳定电压的单结二极管。它的伏安特性，稳压二极管符号如图1 所示。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量载流子隧穿伪结的位垒，形成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿。当反向电压比较高时，在位垒区内将可能产生大量载流子，受强电场作用形成大的反向电流，而电压亦基本不变，为雪崩击穿。因此，反向电压临近击穿电压时，反向电流迅速增加，而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压（隧道击穿）或雪崩电压（雪崩击穿）。ab126 计算公式大 图1 稳压二极管伏安特性曲线 图2 等效电路理想模式838电子 图3 理
（二极管作用）： 变容二极管 使用于电视机的高频头中 整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 检波二极管 在收音机中起检波作用 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用 （电容作用）： 电容器在不同电路中的名称和作用 电容器是一种储能元件，具有“隔直通交，阴低频通高频”的特性，人们为了认识和鉴 别不同电路中的电容器，根据其在线路中的作用而给它起了许多名称，了解这些名称和作用， 对读图是垫脚有帮助的。下面介绍一些常用名称的含义。 1、滤波电容 它并接在电路正负极之间，把电路中无用的交流电流去掉，一般采用大容量电解电容器， 也有采用其他固定电容器的。 2、退耦电容 并接于电路正负极之间，可防止电路通过电源内阻形成的正反馈通路而引起的寄生振 荡。 3 、耦合电容 连接于信号源和信号处理电路或两级放大器之间，用以隔断直流电，让交流电或脉动信 号通过，使相信的放大器直流工作点互不影响。 4、旁路电容 并接在电阻两端或由某点直接跨接至共用电信为交直流信号中的交流或脉动信号设置
一条通路，避免交流成分在通过电阻时产生压降。 5、中和电容 连接于三极管基极与集电极之间，用于克服三极管极间电容而引起的自激振荡。 6、槽路电容（调谐电容） 连接于谐振电路或振荡电路线圈两端的电容。 7、垫整电容 在电路在能使振荡信号的频率范围减小，而且显著提高低频端振荡频率的电容，它是与槽路主电容串联的。 8、补偿电容 在振荡电路中，能使振荡信号的频率范围得到扩大的电容，它与主电容并联起辅助作用。 9、逆程电容 并接在行输出管集电极与发射极之间，用来产生行扫描锯齿波逆程的电容。 10、自举升压电容 利用其储能来提升电路由某的电位，使其电位值高于为该点供电的电源电压。 11、“S”校正电容 串接于偏转线圈回路中，用于校正两边延伸失真。 12、稳频电容 在振荡电路中，用来稳定振荡频率的电容。 13、定时电容 在RC 定时电路中与电阻R 串联共同决定时间长短的电容。 14、降压限流电容 串接于交流电路中用于它对交流电的容抗进行分压限流。 15、缩短电容 这种电容是在UHF 高频头中为了缩短振荡电感的长度而串接的电容。 16、克拉泼电容 在电容三点式振荡电路中，串接在振荡电感线圈的电容，为了水运晶体管结电容的影响，提高频率稳定性。 17、锡拉电容 在电容三点式振荡电路中，并接在振荡电感线圈两端的电容，为了消除晶体管结电容的影响，使其振荡频率越就越容易起振。
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：
三相三线电度表正确接线的简易判别法 三相三线有功电能表计量三相三线有功电能,有两种非标准正确接线方式:(1元件 1采用线电压 U BC和相电流 ib , 元件 2采用线电压 UAC 和相电流 iA , 这种接线方式的瞬间功率表达式为 P=UBC ib+UACiA; (2元件 1采用线电压 U C A 和相电流 ic , 元件 2采用线电压 U B A 和相电流 ib , 这种接线方式的瞬间功率表达式为P=UC Aic+UBAib。在三相三线系统中, 如果 B 相接地,则这两种非标准接线方式就可能漏计电度。比如:高压两线一地输电方式或低压三相三线供电方式, B 相在电能表外的电源侧和负荷侧若同时接地运行,则三相三线有功电能表必然漏计电度, 因此通常不采用这两种接线方式。而常用的标准正确接线只有一种 (如图 1 ,错误接线却有许多种。为了迅速地判别电能表接线是否正确,可采用下述简易方法: (1首先对任何正转的电能表, 如果原电能表接线正确, 通过三次对调任意两根电压进线后,三次电能表都应停转,如不停转或有一次不停转,则证明原电能表接线肯定有错误。因为原电能表接线如果正确,对调任意两根电压进线后,其功率计算如下: ①对调 A 、 B 两相电压 (矢量图如图 2a 所示其功率为: P1=UBAIAcos(150-φA=-UIcos(30+φ P2=UCAICcos(30+φC=UIcos(30+φ P=P1+P2=0 ②对调 B 、 C 两相电压 (矢量图如图 2b 所示 ,其功率为: P1=UACIAcos(30-φA=UIcos(30-φ P2=UBCICcos(150+φC=-UIcos(30-φ P=P1+P2=0 ③对调 A 、 C 两相电压 (矢量图如图 2c 所示 ,其功率为:
肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度
高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS 体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳
二极管的作用总结 1、检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 2、整流用二极管 就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。 3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。 5、混频用二极管 使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。 6、放大用二极管 用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管 7、开关用二极管
肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管作用